KR102639185B1 - 입력 감지 유닛을 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 서로 대향하는 전면 및 배면을 포함하고, 전면 및 상기 배면을 관통하는 모듈 홀이 정의된 베이스 기판, 구동 소자를 포함하는 회로층, 발광 소자를 포함하는 표시 소자층, 봉지층, 및 입력 감지 유닛을 포함할 수 있다. 상기 베이스 기판에는 상기 모듈 홀을 둘러싸는 라우팅 영역이 정의될 수 있다. 상기 입력 감지 유닛은, 제1 터치 라인, 제2 터치 라인, 및 브릿지 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 터치 라인은 기 설정된 방향을 따라 나열된 제1 터치 센서부들을 포함할 수 있다. 상기 제2 터치 라인은 상기 제1 터치 라인과 절연되고 교차할 수 있다. 상기 브릿지 패턴은 상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 기 설정된 방향으로 인접한 상기 제1 터치 센서부들에 연결되고, 상기 라우팅 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 브릿지 패턴에는 슬릿이 제공될 수 있다.

Description

입력 감지 유닛을 포함하는 표시 장치{DISPLAY APHARATUS HAVING INPUT SENSING UNIT}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 상세하게는 입력 감지 유닛을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 전기적 신호에 따라 활성화된다. 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 유닛이나, 외부 입력을 감지하는 입력 감지 유닛과 같이 다양한 전자 부품들로 구성된 장치들을 포함할 수 있다. 전자 부품들은 다양하게 배열된 신호 라인들에 의해 전기적으로 서로 연결될 수 있다.
표시 유닛은 영상을 생성하는 발광 소자를 포함한다. 입력 감지 유닛은 외부 입력을 감지하기 위한 감지 전극들을 포함할 수 있다. 표시 유닛과 입력 감지 유닛을 하나의 패널 내에 포함하는 표시 장치는 두께가 증가되고 공정 비용이 증가될 수 있다.
본 발명은 모듈 홀이 제공된 표시 패널을 포함하는 표시 장치에서, 모듈 홀에 의해 단선된 터치 센서부들을 전기적으로 연결시키면서도 표시 품질이 저하되지 않는 표시 장치를 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 베이스 기판, 회로층, 표시 소자층, 봉지층, 및 입력 감지 유닛을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판은, 서로 대향하는 전면 및 배면을 포함하고, 상기 전면 및 상기 배면을 관통하는 모듈 홀이 정의되고, 평면상에서 액티브 영역, 상기 액티브 영역에 인접한 주변 영역, 및 상기 모듈 홀을 둘러싸는 라우팅 영역이 정의될 수 있다.
상기 회로층은 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 표시 소자층은 상기 회로층 상에 배치되고, 상기 액티브 영역에 배치된 발광 소자를 포함할 수 있다.
상기 봉지층은 상기 표시 소자층 상에 배치되고 상기 발광 소자를 밀봉할 수 있다.
상기 입력 감지 유닛은 상기 봉지층 상에 배치될 수 있다.
상기 입력 감지 유닛은, 제1 터치 센서부들, 제1 연결부, 제2 터치 센서부들, 제2 연결부, 제1 브릿지 패턴, 및 제2 브릿지 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 터치 센서부들은 제1 방향을 따라 나열될 수 있다. 상기 제1 연결부는 인접한 상기 제1 터치 센서부들을 연결할 수 있다. 상기 제2 터치 센서부들은 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향을 따라 나열될 수 있다. 상기 제2 연결부는 인접한 상기 제2 터치 센서부들을 연결하고, 상기 제1 연결부와 서로 다른 층 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 브릿지 패턴은 상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제2 방향으로 서로 인접한 상기 제2 터치 센서부들에 연결되고, 상기 라우팅 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 브릿지 패턴은 상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제1 방향으로 서로 인접한 상기 제1 터치 센서부들에 연결되고, 상기 라우팅 영역 내에 배치될 수 있다.
상기 제1 브릿지 패턴 및 상기 제2 브릿지 패턴 중 적어도 하나에 제1 슬릿이 제공될 수 있다.
상기 제1 슬릿은 상기 제1 브릿지 패턴 및 상기 제2 브릿지 패턴의 교차부에 제공될 수 있다.
상기 제1 슬릿은 상기 제1 브릿지 패턴에 제공되고, 상기 제1 슬릿은 상기 제2 브릿지 패턴과 중첩할 수 있다.
상기 제2 브릿지 패턴에 상기 제2 슬릿이 제공되고, 상기 제2 슬릿은 상기 제1 브릿지 패턴과 중첩할 수 있다.
상기 제1 브릿지 패턴과 상기 제2 브릿지 패턴은 서로 다른 층 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 터치 센서부들, 상기 제2 터치 센서부들, 상기 제2 연결부, 및 상기 제1 브릿지 패턴은 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 브릿지 패턴은 상기 제1 연결부와 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있다.
상기 입력 감지 유닛은, 제1 터치 절연층 및 제2 터치 절연층을 포함할 수 있다. 상기 제1 터치 절연층은 상기 제1 터치 센서부들, 상기 제2 터치 센서부들, 상기 제2 연결부들, 및 상기 제1 브릿지 패턴 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 터치 절연층은 상기 제1 연결부 및 상기 제1 터치 절연층 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 브릿지 패턴은 상기 제1 터치 절연층에 구비된 컨택홀을 통해 상기 제1 터치 센서부들에 연결될 수 있다.
제1 브릿지 패턴은, 센싱 바디 패턴, 제1 센싱 연결 패턴, 및 제2 센싱 연결 패턴을 포함할 수 있다. 상기 센싱 바디 패턴은 상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 휘어진 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 센싱 연결 패턴은 상기 센싱 바디 패턴의 일단으로부터 연장되고, 상기 제2 터치 센서부들 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 상기 제2 센싱 연결 패턴은 상기 센싱 바디 패턴의 타단으로부터 연장되고, 상기 제2 터치 센서부들 중 다른 하나에 연결될 수 있다. 상기 센싱 바디 패턴은 상기 제1 센싱 연결 패턴 및 상기 제2 센싱 연결 패턴 각각 보다 큰 폭을 가질 수 있다.
제2 브릿지 패턴은, 전송 바디 패턴, 제1 전송 연결 패턴, 및 제2 전송 연결 패턴을 포함할 수 있다. 상기 전송 바디 패턴은 상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 휘어진 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 전송 연결 패턴은 상기 전송 바디 패턴의 일단에 연결되고, 상기 제1 터치 센서부들 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 상기 제2 전송 연결 패턴은 상기 전송 바디 패턴의 타단에 연결되고, 상기 제1 터치 센서부들 중 다른 하나에 연결될 수 있다. 상기 전송 바디 패턴은 상기 제1 전송 연결 패턴 및 상기 제2 전송 연결 패턴 각각 보다 큰 폭을 가질 수 있다.
상기 전송 바디 패턴은 상기 제1 및 제2 전송 연결 패턴들과 서로 다른 층 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 터치 센서부들, 상기 제2 터치 센서부들, 상기 제2 연결부, 상기 제1 브릿지 패턴, 및 상기 전송 바디 패턴은 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전송 연결 패턴, 상기 제2 전송 연결 패턴, 및 제1 연결부는 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있다.
제1 브릿지 패턴은, 센싱 바디 패턴, 제1 센싱 연결 패턴, 및 제2 센싱 연결 패턴을 포함할 수 있다. 상기 센싱 바디 패턴은 상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 휘어진 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 센싱 연결 패턴은 상기 센싱 바디 패턴의 일단에 연결되고, 상기 제2 터치 센서부들 중 어느 하나에 연결되고, 상기 센싱 바디 패턴과 상이한 층 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 센싱 연결 패턴은 상기 센싱 바디 패턴의 타단에 연결되고, 상기 제2 터치 센서부들 중 다른 하나에 연결되고, 상기 센싱 바디 패턴과 상이한 층 상에 배치될 수 있다.
제2 브릿지 패턴은, 전송 바디 패턴, 제1 전송 연결 패턴, 및 제2 전송 연결 패턴을 포함할 수 있다. 상기 전송 바디 패턴은 상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 휘어진 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 전송 연결 패턴은 상기 전송 바디 패턴의 일단에 연결되고, 상기 제1 터치 센서부들 중 어느 하나에 연결되고, 상기 전송 바디 패턴과 상이한 층 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전송 연결 패턴은 상기 전송 바디 패턴의 타단에 연결되고, 상기 제1 터치 센서부들 중 다른 하나에 연결되고, 상기 전송 바디 패턴과 상이한 층 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 터치 센서부들, 상기 제2 터치 센서부들, 상기 제2 연결부, 상기 센싱 바디 패턴, 및 상기 전송 바디 패턴은 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 센싱 연결 패턴, 상기 제2 센싱 연결 패턴, 상기 제1 전송 연결 패턴, 및 상기 제2 전송 연결 패턴은 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있다.
상기 센싱 바디 패턴 및 상기 전송 바디 패턴 각각은 상기 모듈 홀을 둘러싸고, 환형을 가질 수 있다.
상기 제1 브릿지 패턴은, 상기 센싱 바디 패턴과 상기 모듈 홀 사이에 배치된 보조 센싱 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 센싱 연결 패턴들 각각은 상기 보조 센싱 패턴에 연결될 수 있다. 상기 제2 브릿지 패턴은, 상기 전송 바디 패턴과 상기 모듈 홀 사이에 배치된 보조 전송 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 전송 연결 패턴들 각각은 상기 보조 전송 패턴에 연결될 수 있다.
상기 입력 감지 유닛은, 상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 상기 제1 브릿지 패턴 및 상기 제2 브릿지 패턴 사이에 배치된 더미 패턴을 더 포함할 수 있다.
평면상에서 상기 라우팅 영역은 상기 액티브 영역에 의해 둘러싸일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는, 베이스 기판, 회로층, 표시 소자층, 봉지층, 및 입력 감지 유닛을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판은, 서로 대향하는 전면 및 배면을 포함하고, 상기 전면 및 상기 배면을 관통하는 모듈 홀이 정의되고, 평면상에서 액티브 영역, 상기 액티브 영역에 인접한 주변 영역, 및 상기 모듈 홀을 둘러싸는 라우팅 영역이 정의될 수 있다.
상기 회로층은 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 표시 소자층은 상기 회로층 상에 배치되고, 상기 액티브 영역에 배치된 발광 소자를 포함할 수 있다.
상기 봉지층은 상기 표시 소자층 상에 배치되고 상기 발광 소자를 밀봉할 수 있다.
상기 입력 감지 유닛은 상기 봉지층 상에 배치될 수 있다.
상기 입력 감지 유닛은, 제1 터치 라인, 제2 터치 라인, 및 제1 브릿지 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 터치 라인은 제1 방향을 따라 나열된 제1 터치 센서부들을 포함할 수 있다.
상기 제2 터치 라인은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 나열된 제2 터치 센서부들을 포함하고, 상기 제1 터치 라인과 절연될 수 있다.
상기 제1 브릿지 패턴은 상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제2 방향으로 인접한 상기 제2 터치 센서부들에 연결되고, 제1 슬릿이 제공될 수 있다.
상기 입력 감지 유닛은, 제2 브릿지 패턴을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 브릿지 패턴은 상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제1 방향으로 인접한 상기 제1 터치 센서부들에 연결될 수 있다. 상기 제1 슬릿은 상기 제1 브릿지 패턴 및 상기 제2 브릿지 패턴의 교차부에 제공될 수 있다.
상기 베이스 기판에는, 평면상에서 상기 라우팅 영역과 상기 모듈 홀 사이에 상기 모듈 홀을 둘러싸는 함몰 패턴이 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치에 의하면, 모듈 홀을 중심으로 이격된 화소들이나 터치 센서부들을 신호 라인들이나 브릿지 패턴들을 통해 연결시킴으로써, 모듈 홀을 중심으로 이격된 화소들이나 터치 센서부들 사이의 유기적/전기적 결합을 유지시켜 화소들에 대한 전기적 제어를 용이하게 할 수 있다. 이에 따라, 모듈 홀이 액티브 영역에 의해 에워싸인 영역에 형성되더라도, 표시 장치의 액티브 영역의 안정적인 구동이 가능할 수 있다.
또한, 센싱 브릿지 패턴들 및 전송 브릿지 패턴들은 라우팅 영역 내에서 커패시터를 형성하여 센싱 터치 패턴과 전송 터치 패턴의 부족한 터치 감도를 보상할 수 있다.
또한, 센싱 브릿지 패턴들과 전송 브릿지 페턴들 중 적어도 일부는 슬릿을 구비하여 센싱 브릿지 패턴들과 전송 브릿지 패턴들의 중첩 면적을 최소화하여, 쇼트되는 문제를 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 3는 도 1에 도시된 표시 장치의 블록도이다.
도 4는 표시 패널의 화소를 도시한 등가 회로도이다.
도 5는 도 2에 도시된 Ⅰ-Ⅰ’를 따라 자른 단면도이다.
도 6은 도 4의 입력 감지 유닛과 베이스 기판을 도시한 평면도이다.
도 7는 도 2에 도시된 Ⅱ-Ⅱ’를 따라 자른 단면도이다.
도 8 및 도 9는 도 2에 도시된 XX’영역을 도시한 평면도들이다.
도 10은 도 9의 I-I`선을 따라 절단한 단면도이다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시예들에서 도 2의 XX` 영역을 도시한 평면도들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결 된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
“및/또는”은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의됩니다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 3은 도 1에 도시된 표시 장치의 블록도이다. 이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하기로 한다.
표시 장치(EA)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 표시 장치(EA)는 다양한 실시예들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(EA)는 태블릿, 노트북, 컴퓨터, 스마트 텔레비전 등을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 표시 장치(EA)는 스마트 폰으로 예시적으로 도시되었다.
도 1에 도시된 것과 같이, 표시 장치(EA)는 전면에 이미지(IM)를 표시할 수 있다. 전면은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 정의하는 면에 평행하게 정의될 수 있다. 전면은 투과 영역(TA) 및 투과 영역(TA)에 인접한 베젤 영역(BZA)을 포함한다.
표시 장치(EA)는 투과 영역(TA)에 이미지(IM)를 표시한다. 도 1에서 이미지(IM)의 일 예로 인터넷 검색창이 도시되었다. 투과 영역(TA)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 평행한 사각 형상을 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 투과 영역(TA)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접한다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 일 측에만 인접하여 배치될 수도 있고, 생략될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 다양한 실시예들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
전면의 법선 방향은 표시 장치(EA)의 두께 방향(DR3, 이하, 제3 방향)과 대응될 수 있다. 본 실시예에서는 이미지(IM)가 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 전면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향된다.
한편, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2 DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.
한편, 본 발명에 따른 표시 장치(EA)는 외부에서 인가되는 사용자의 입력(TC)을 감지할 수 있다. 사용자의 입력(TC)은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함한다. 본 실시예에서, 사용자의 입력(TC)은 전면에 인가되는 사용자의 손으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 상술한 바와 같이 사용자의 입력(TC)은 다양한 형태로 제공될 수 있고, 또한, 표시 장치(EA)는 표시 장치(EA)의 구조에 따라 표시 장치(EA)의 측면이나 배면에 인가되는 사용자의 입력(TC)을 감지할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 표시 장치(EA)는 표시 패널(EP), 윈도우 부재(WM), 전자 모듈(EM), 및 수납 부재(BM)를 포함한다. 한편, 도 3에 도시된 것과 같이, 표시 장치(EA)는 표시 패널(EP) 외에, 제1 전자 모듈(EM1), 제2 전자 모듈(EM2), 및 전원공급 모듈(PM)을 더 포함할 수 있다. 도 2에는 도 3에 도시된 구성들 중 일부 구성들을 생략하여 도시하였다. 이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 표시 장치(EA)에 대해 상세히 설명한다.
표시 패널(EP)은 이미지(IM)를 표시하고 외부 입력(TC)을 감지할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(EP)은 이미지(IM)를 표시하는 표시 유닛(DPU) 및 외부 입력을 감지하는 입력 감지 유닛(ISU)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 입력 감지 유닛(ISU)은 윈도우 부재(WM)에 인가되는 입력을 감지할 수 있다.
표시 패널(EP)은 평면상에서 구분되는 액티브 영역(AA), 주변 영역(NAA), 및 홀 영역(HA)을 포함할 수 있다. 액티브 영역(AA)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다.
본 실시예에서, 액티브 영역(AA)은 이미지(IM)가 표시되는 영역이며, 동시에 외부 입력(TC)이 감지되는 영역일 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 액티브 영역(AA) 내에서 이미지(IM)가 표시되는 영역과 외부 입력(TC)이 감지되는 영역이 서로 분리될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
주변 영역(NAA)은 베젤 영역(BZA)에 의해 커버되는 영역일 수 있다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)에 인접한다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)을 에워쌀 수 있다. 주변 영역(NAA)에는 액티브 영역(AA)을 구동하기 위한 구동 회로나 구동 배선 등이 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 표시 패널(EP)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)이 윈도우 부재(WM)를 향하는 평탄한 상태로 조립된다. 다만 이는 예시적으로 도시한 것이고, 표시 패널(EP)중 주변 영역(NAA)의 일부는 휘어질 수 있다. 이 때, 주변 영역(NAA) 중 일부는 표시 장치(EA)의 배면을 향하게 되어, 표시 장치(EA) 전면에서의 베젤 영역(BZA)이 감소될 수 있다. 또는, 표시 패널(EP)은 액티브 영역(AA)의 일부도 휘어진 상태로 조립될 수도 있다. 또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(EP)에 있어서 주변 영역(NAA)은 생략될 수도 있다.
홀 영역(HA)의 가장자리는 액티브 영역(AA)에 의해 에워싸일 수 있다. 평면상에서 홀 영역(HA)은 액티브 영역(AA)을 사이에 두고 주변 영역(NAA)으로부터 이격될 수 있다.
홀 영역(HA)은 모듈 홀(MH)이 정의된 영역과 그 주변 일부 영역일 수 있다. 이에 따라, 모듈 홀(MH)은 이미지(IM)가 표시되는 액티브 영역(AA)에 의해 평면상에서 에워싸일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(EP)에는 제3 방향(DR3)을 따라 표시 패널(EP)을 관통하는 적어도 하나의 모듈 홀(MH)이 정의될 수 있다. 모듈 홀(MH)은 표시 패널(EP)의 전면으로부터 배면까지 연결된 관통 홀일 수 있다. 표시 패널(EP)의 배면에 배치되어 모듈 홀(MH)과 중첩하는 구성은 표시 패널(EP)의 전면에서 모듈 홀(MH)을 통해 시인될 수 있다. 한편, 본 실시예에서, 모듈 홀(MH)은 제3 방향(DR3)에서의 높이를 가진 원통 형상으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않고, 모듈 홀(MH)은 다각 기둥, 타원 기둥, 뿔 대 등 다양한 형상으로 제공될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
모듈 홀(MH)은 전자 모듈(EM)과 평면상에서 중첩한다. 전자 모듈(EM)은 모듈 홀(MH)을 통해 외부 입력을 수신할 수 있다. 전자 모듈(EM)은 모듈 홀(MH)을 통해 입력되는 신호를 수신하여 표시 패널(EP)에 제공한다. 전자 모듈(EM)은 모듈 홀(MH) 내에 수용되는 크기를 갖거나, 적어도 모듈 홀(MH)과 유사한 크기를 가진 수용부를 포함하는 모듈일 수 있다. 전자 모듈(EM)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
윈도우 부재(WM)는 표시 장치(EA)의 전면을 제공한다. 윈도우 부재(WM)는 표시 패널(EP)의 전면에 배치되어 표시 패널(EP)을 보호할 수 있다. 예를 들어, 윈도우 부재(WM)는 유리 기판, 사파이어 기판, 또는 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 윈도우 부재(WM)는 다층 또는 단층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 윈도우 부재(WM)는 접착제로 결합된 복수 개의 플라스틱 필름의 적층 구조를 가지거나, 접착제로 결합된 유리 기판과 플라스틱 필름의 적층 구조를 가질 수도 있다.
윈도우 부재(WM)는 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)으로 구분될 수 있다. 투과 영역(TA)은 입사되는 광을 투과시키는 영역일 수 있다. 투과 영역(TA)은 액티브 영역(AA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 투과 영역(TA)은 액티브 영역(AA)의 전면 또는 적어도 일부와 중첩한다. 표시 패널(EP)의 액티브 영역(AA)에 표시되는 이미지(IM)는 투과 영역(TA)을 통해 외부에서 시인될 수 있다.
베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 형상을 정의한다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접하며, 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다.
베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 표시 패널(EP)의 주변 영역(NAA)을 커버하여 주변 영역(NAA)이 외부에서 시인되는 것을 차단할 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시된 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 부재(WM)에 있어서, 베젤 영역(BZA)은 생략될 수도 있다.
수납 부재(BM)는 윈도우 부재(WM)와 결합될 수 있다. 수납 부재(BM)는 표시 장치(EA)의 배면을 제공한다. 수납 부재(BM)는 윈도우 부재(WM)와 결합되어 내부 공간을 정의한다.
수납 부재(BM)는 상대적으로 높은 강성을 가진 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 수납 부재(BM)는 글라스, 플라스틱, 메탈로 구성된 복수 개의 프레임 및/또는 플레이트를 포함할 수 있다. 수납 부재(BM)는 내부 공간에 수용된 표시 장치(EA)의 구성들을 외부 충격으로부터 안정적으로 보호할 수 있다. 수납 부재(BM)가 제공하는 내부 공간에는 표시 패널(EP) 및 도 3에 도시된 각종 구성들이 수용될 수 있다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(EA)는 전원공급 모듈(PM), 제1 전자 모듈(EM1), 및 제2 전자 모듈(EM2)을 포함할 수 있다. 전원공급 모듈(PM)은 표시 장치(EA)의 전반적인 동작에 필요한 전원을 공급한다. 전원공급 모듈(PM)은 통상적인 배터리 모듈을 포함할 수 있다.
제1 전자 모듈(EM1) 및 제2 전자 모듈(EM2)은 표시 장치(EA)를 동작시키기 위한 다양한 기능성 모듈을 포함한다. 제1 전자모듈(EM1)은 표시 패널(EP)과 전기적으로 연결된 마더보드에 직접 실장되거나 별도의 기판에 실장되어 커넥터(미 도시) 등을 통해 마더보드에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 전자모듈(EM1)은 제어 모듈(CM), 무선통신 모듈(TM), 영상입력 모듈(IIM), 음향입력 모듈(AIM), 메모리(MM), 및 외부 인터페이스(PMIF)를 포함할 수 있다. 상기 모듈들 중 일부는 마더보드에 실장되지 않고, 연성회로기판을 통해 마더보드에 전기적으로 연결될 수도 있다.
제어 모듈(CM)은 표시 장치(EA)의 전반적인 동작을 제어한다. 제어 모듈(CM)은 마이크로프로세서일 수 있다. 예를 들어, 제어 모듈(CM)은 표시 패널(EP)을 활성화 시키거나, 비활성화 시킨다. 제어 모듈(CM)은 표시 패널(EP)로부터 수신된 터치 신호에 근거하여 영상입력 모듈(IIM)이나 음향입력 모듈(AIM) 등의 다른 모듈들을 제어할 수 있다.
무선통신 모듈(TM)은 블루투스 또는 와이파이 회선을 이용하여 다른 단말기와 무선 신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(TM)은 일반 통신회선을 이용하여 음성신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(TM)은 송신할 신호를 변조하여 송신하는 송신부(TM1)와, 수신되는 신호를 복조하는 수신부(TM2)를 포함한다.
영상입력 모듈(IIM)은 영상 신호를 처리하여 표시 패널(EP)에 표시 가능한 영상 데이터로 변환한다. 음향입력 모듈(AIM)은 녹음 모드, 음성인식 모드 등에서 마이크로폰(Microphone)에 의해 외부의 음향 신호를 입력받아 전기적인 음성 데이터로 변환한다.
외부 인터페이스(PMIF)는 외부 충전기, 유/무선 데이터 포트, 카드 소켓(예를 들어, 메모리 카드(Memory card), SIM/UIM card) 등에 연결되는 인터페이스 역할을 한다.
제2 전자 모듈(EM2)은 음향출력 모듈(AOM), 발광 모듈(LM), 수광 모듈(LRM), 및 카메라 모듈(CMM) 등을 포함할 수 있다. 상기 구성들은 마더보드에 직접 실장되거나, 별도의 기판에 실장되어 커넥터(미 도시) 등을 통해 표시 패널(EP)과 전기적으로 연결되거나, 제1 전자 모듈(EM1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
음향출력 모듈(AOM)은 무선통신 모듈(TM)로부터 수신된 음향 데이터 또는 메모리(MM)에 저장된 음향 데이터를 변환하여 외부로 출력한다.
발광 모듈(LM)은 광을 생성하여 출력한다. 발광 모듈(LM)은 적외선을 출력할 수 있다. 발광 모듈(LM)은 LED 소자를 포함할 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 적외선을 감지할 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 소정 레벨 이상의 적외선이 감지된 때 활성화될 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 CMOS 센서를 포함할 수 있다. 발광 모듈(LM)에서 생성된 적외광이 출력된 후, 외부 물체(예컨대 사용자 손가락 또는 얼굴)에 의해 반사되고, 반사된 적외광이 수광 모듈(LRM)에 입사될 수 있다. 카메라 모듈(CMM)은 외부의 이미지를 촬영한다.
도 2에 도시된 전자 모듈(EM)은 모듈 홀(MH)을 통해 전달되는 외부 입력을 수신하거나 모듈 홀(MH)을 통해 출력을 제공할 수 있다. 전자 모듈(EM)은 제1 전자 모듈(EM1) 및 제2 전자 모듈(EM2)을 구성하는 모듈들 중 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 전자 모듈(EM)은 카메라, 스피커, 또는 광이나 열 등의 감지 센서일 수 있다. 전자 모듈(EM)은 모듈 홀(MH)을 통해 수신되는 외부 피사체를 감지하거나 모듈 홀(MH)을 통해 음성 등의 소리 신호를 외부에 제공할 수 있다. 이때, 제1 전자 모듈(EM1) 및 제2 전자 모듈(EM2) 중 나머지 구성들은 다른 위치에 배치되어 미 도시될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 전자 모듈(EM)은 제1 전자 모듈(EM1) 및 제2 전자 모듈(EM2)을 구성하는 모듈들 중 복수를 포함할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 한편, 도시되지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(EA)는 전자 모듈(EM)과 표시 패널(EP) 사이에 배치되는 투명 부재를 더 포함할 수도 있다. 모듈 홀(MH)을 통해 전달되는 외부 입력이 투명 부재를 통과하여 전자 모듈(EM)에 전달되도록 투명 부재는 광학적으로 투명한 필름일 수 있다. 투명 부재는 표시 패널(EP)의 배면에 부착되거나 별도의 점착층 없이 표시 패널(EP)과 전자 모듈(EM) 사이에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(EA)는 다양한 구조를 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 표시 패널(EP)은 모듈 홀(MH)을 포함함으로써, 주변 영역(NAA)의 외측에 전자 모듈(EM)을 위해 제공되는 별도의 공간이 생략될 수 있다. 또한, 모듈 홀(MH)을 액티브 영역(AA)에 의해 에워싸인 홀 영역(HA)에 정의함으로써, 전자 모듈(EM)을 베젤 영역(BZA)이 아닌 투과 영역(TA)에 중첩하도록 배치할 수 있다. 이에 따라, 베젤 영역(BZA)의 면적이 감소되어 네로우 베젤을 가진 표시 장치(EA)가 구현될 수 있다. 또한, 전자 모듈(EM)이 모듈 홀(MH) 내에 수용되는 경우, 박형의 표시 장치(EA)가 구현될 수 있다.
도 4는 표시 패널의 화소를 도시한 등가 회로도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 하나의 화소(PX)는 복수의 트랜지스터들(T1~T7), 스토리지 커패시터(Cst), 및 발광 소자(organic light emitting diode, OD)를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명에서, 화소(PX)의 구성들 중 발광 소자(OD)를 제외한 나머지 구성들, 복수의 트랜지스터들(T1~T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 소자로 정의될 수 있다.
박막트랜지스터들(T1~T7)은 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 초기화 트랜지스터(T4), 제1 발광 제어 트랜지스터(T5), 제2 발광 제어 트랜지스터(T6), 및 바이패스 트랜지스터(T7)를 포함한다.
화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(T2) 및 보상 트랜지스터(T3)에 n번째 주사 신호(Sn)를 전달하는 제1 게이트 라인(14), 초기화 트랜지스터(T4)에 n-1번째 주사 신호(Sn-1)를 전달하는 제2 게이트 라인(24), 바이패스 트랜지스터(T7)에 n+1번째 주사 신호(Sn+1)를 전달하는 제3 게이트 라인(34), 제1 발광 제어 트랜지스터(T5) 및 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)에 발광 제어 신호(En)를 전달하는 발광 라인(15), 데이터 신호(Dm)를 전달하는 데이터 라인(16), 전원전압(ELVDD)을 전달하는 전원 라인(26), 구동 트랜지스터(T1)를 초기화 하는 초기화 전압(Vint)을 전달하는 초기화 전압 라인(22)을 포함한다.
구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(C1)과 연결된다. 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)은 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 전원 라인(26)과 연결된다. 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)은 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 소자(OLED)의 애노드와 전기적으로 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(T1)는 스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호(Dm)를 전달받아 발광 소자(OD)에 구동 전류(Id)를 공급한다.
스위칭 트랜지스터(T2)의 게이트 전극(G2)은 제1 게이트 라인(14)과 연결된다. 스위칭 트랜지스터(T2)의 소스 전극(S2)은 데이터 라인(16)과 연결된다. 스위칭 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(D2)은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)과 연결되고, 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 전원 라인(26)과 연결된다. 스위칭 트랜지스터(T2)는 제1 게이트 라인(14)을 통해 전달받은 제1 주사 신호(Sn)에 따라 턴 온 되어 데이터 라인(16)으로 전달된 데이터 신호(Dm)를 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 트랜지스터(T3)의 게이트 전극(G3)은 제1 게이트 라인(14)에 연결되어 있다. 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)은 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)과 연결되고, 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 소자(OLED)의 애노드와 연결된다. 보상 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(C1), 초기화 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4) 및 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 연결되어 있다. 보상 트랜지스터(T3)는 제1 게이트 라인(14)을 통해 전달받은 n번째 주사 신호(Sn)에 따라 턴 온되어 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 드레인 전극(D1)을 서로 연결하여 구동 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결(diode connection)시킨다.
초기화 트랜지스터(T4)의 게이트 전극(G4)은 제2 게이트 라인(24)과 연결된다. 초기화 트랜지스터(T4)의 드레인 전극(D4)은 초기화 전압 라인(22)에 연결된다. 초기화 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(C1), 보상 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3) 및 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 연결된다. 초기화 트랜지스터(T4)는 제2 게이트 라인(24)을 통해 전달받은 n-1번째 주사 신호(Sn-1)에 따라 턴 온되어 초기화 전압(Vint)을 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 전달하여 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)의 전압을 초기화시킨다.
제1 발광 제어 트랜지스터(T5)의 게이트 전극(G5)은 발광 라인(15)과 연결된다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)는 전원 라인(26)과 구동 트랜지스터(T1) 사이에 연결될 수 있다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)의 소스 전극(S5)은 전원 라인(26)과 연결된다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)의 드레인 전극(D5)은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1) 및 스위칭 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(D2)과 연결된다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)의 게이트 전극(G5)에 발광 제어 신호(En)이 인가됨에 따라 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)는 턴 온되어 발광 소자(OD)에 구동 전류(Id)가 흐른다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5)는 발광 소자(OD)에 구동 전류(Id)가 흐르는 타이밍을 결정할 수 있다.
제2 발광 제어 트랜지스터(T6)의 게이트 전극(G6)은 발광 라인(15)과 연결된다. 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)는 구동 트랜지스터(T1)와 발광 소자(OD) 사이에 연결될 수 있다. 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)의 소스 전극(S6)은 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1) 및 보상 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)과 연결된다. 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)의 드레인 전극(D6)은 발광 소자(OD)의 애노드와 전기적으로 연결된다. 제1 발광 제어 트랜지스터(T5) 및 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)는 발광 라인(15)을 통해 전달받은 발광 제어 신호(En)에 따라 턴 온된다. 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)의 게이트 전극(G6)에 발광 제어 신호(En)이 인가됨에 따라 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)는 턴 온되어 발광 소자(OD)에 구동 전류(Id)가 흐른다. 제2 발광 제어 트랜지스터(T6)는 발광 소자(OD)에 구동 전류(Id)가 흐르는 타이밍을 결정할 수 있다.
바이패스 트랜지스터(T7)의 게이트 전극(G7)은 제3 게이트 라인(34)에 연결된다. 바이패스 트랜지스터(T7)의 소스 전극(S7)은 발광 소자(OD)의 애노드에 연결된다. 바이패스 트랜지스터(T7)의 드레인 전극(D7)은 초기화 전압 라인(22)에 연결된다. 바이패스 트랜지스터(T7)는 제3 게이트 라인(34)을 통해 전달받은 n+1번째 주사 신호(Sn+1)에 따라 턴 온되어 발광 소자(OD)의 애노드를 초기화시킨다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(C2)은 전원 라인(26)에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(C1)은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1), 보상 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3) 및 초기화 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4)에 연결된다.
발광 소자(OD)의 캐소드는 기준 전압(ELVSS)을 수신한다. 발광 소자(OD)는 구동 트랜지스터(T1)로부터 구동 전류(Id)를 전달받아 발광한다. 발광 소자(OD)는 발광 물질을 포함한다. 발광 소자(OD)는 발광 물질에 대응하는 컬러의 광을 생성할 수 있다. 발광 소자(OD)에서 생성된 광의 컬러는 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 화소(PX)를 구성하는 트랜지스터들(T1~T7)의 개수와 연결관계는 다양하게 변경될 수 있다.
도 5는 도 2에 도시된 Ⅰ-Ⅰ’를 따라 자른 단면도이다.
도 5를 참조하면, 표시 패널(EP)은 베이스 기판(BSS), 회로층(DP-C), 표시 소자층(DP-D), 봉지층(DP-E), 및 입력 감지 유닛(ISU)을 포함할 수 있다. 회로층(DP-C) 및 표시 소자층(DP-D)은 도 4를 참조하여 설명한 화소(PX)의 구성들을 포함할 수 있다.
화소(PX)는 액티브 영역(AA)에 배치될 수 있다. 화소(PX)는 광을 생성하여 상술한 이미지(IM)를 구현한다. 화소(PX)는 복수로 구비되어 액티브 영역(AA)에 배열될 수 있다.
도 5에는 화소(PX)의 구성들 중 하나의 박막 트랜지스터(TR-P, 이하 화소 트랜지스터)와 발광 소자(OD)를 예시적으로 도시하였다. 화소 트랜지스터(TR-P)는 도 4에 도시된 구동 트랜지스터(T1)와 대응될 수 있다.
화소 트랜지스터(TR-P)는 복수의 절연층들 중 제1 내지 제3 절연층들(10, 20, 30)과 함께 회로층(DP-C)을 구성할 수 있다. 제1 내지 제3 절연층들(10, 20, 30) 각각은 유기물 및/또는 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 적층 구조를 가질 수 있다. 회로층(DP-C)은 베이스 기판(BSS) 상에 배치된다.
베이스 기판(BSS)은 베이스 층(BS) 및 보조층(BL)을 포함한다. 베이스 층(BS)은 절연 기판일 수 있다. 베이스 층(BS)은 플렉서블한 상태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 베이스 층(BS)은 폴리 이미드(Polyimide, PI)를 포함할 수 있다. 또는, 베이스 층(BS)은 리지드한 상태로 제공될 수도 있다. 예를 들어, 베이스 층(BS)은 유리, 플라스틱 등 다양한 물질로 구성될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
보조층(BL)은 베이스 층(BS) 상에 배치된다. 보조층(BL)은 베이스 층(BS) 상에 직접 형성되어 베이스 층(BS)의 전면(front surface)을 커버할 수 있다. 이에 따라, 보조층(BL)의 전면은 베이스 기판(BSS)의 전면으로 제공되고, 베이스 층(BS)의 배면은 베이스 기판(BSS)의 배면으로 제공될 수 있다.
보조층(BL)은 무기물을 포함한다. 보조층(BL)은 배리어층(barrier layer) 및/또는 버퍼층(buffer layer)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 보조층(BL)은 베이스 층(BS)을 통해 유입되는 산소나 수분이 회로층(DP-C)이나 표시 소자층(DP-D)에 침투되는 것을 방지하거나, 회로층(DP-C)이 베이스 기판(BSS) 상에 안정적으로 형성되도록 베이스 기판(BSS)의 표면 에너지를 감소시킬 수 있다.
한편, 베이스 기판(BSS)에 있어서, 베이스 층(BS) 및 보조층(BL) 중 적어도 어느 하나는 복수로 제공되어 서로 교번하여 적층될 수도 있다. 또는, 보조층(BL)을 구성하는 배리어층 및 버퍼층의 적어도 어느 하나는 복수로 제공될 수도 있고 생략될 수도 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판(BSS)은 다양한 실시예들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
화소 트랜지스터(TR-P)는 반도체 패턴(SP), 제어 전극(CE), 입력 전극(IE), 및 출력 전극(OE)을 포함한다. 반도체 패턴(SP)은 베이스 기판(BSS) 상에 배치된다. 반도체 패턴(SP)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제어 전극(CE)은 제1 절연층(10)을 사이에 두고 반도체 패턴(SP)으로부터 이격된다. 제어 전극(CE)은 상술한 제1 박막 트랜지스터(TR1) 및 커패시터(CAP)의 일 전극과 연결될 수 있다.
입력 전극(IE)과 출력 전극(OE)은 제2 절연층(20)을 사이에 두고 제어 전극(CE)으로부터 이격된다. 화소 트랜지스터(TR-P)의 입력 전극(IE)과 출력 전극(OE)은 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20)을 관통하여 반도체 패턴(SP)의 일 측 및 타 측에 각각 접속된다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 상에 배치되어 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)을 커버한다. 한편, 화소 트랜지스터(TR-P)에 있어서, 반도체 패턴(SP)이 제어 전극(CE) 상에 배치될 수도 있다. 또는, 반도체 패턴(SP)이 입력 전극(IE)과 출력 전극(OE) 상에 배치될 수도 있다. 또는, 입력 전극(IE)과 출력 전극(OE)은 반도체 패턴(SP)과 동일 층 상에 배치되어 반도체 패턴(SP)에 직접 접속될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 트랜지스터(TR-P)는 다양한 구조들로 형성될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
발광 소자(OD)는 회로층(DP-C) 상에 배치된다. 발광 소자(OD)는 복수의 절연층들 중 제4 절연층(40)과 함께 표시 소자층(DP-D)을 구성할 수 있다. 발광 소자(OD)는 제1 전극(E1), 발광 패턴(LP), 제어층(EL), 및 제2 전극(E2)을 포함한다. 제4 절연층(40)은 유기물 및/또는 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 적층 구조를 가질 수 있다.
제1 전극(E1)은 제3 절연층(30)을 관통하여 화소 트랜지스터(TR-P)에 접속될 수 있다. 한편, 도시되지 않았으나, 표시 패널(100)은 제1 전극(E1)과 화소 트랜지스터(TR-P) 사이에 배치되는 별도의 연결 전극을 더 포함할 수도 있고, 이때, 제1 전극(E1)은 연결 전극을 통해 화소 트랜지스터(TR-P)에 전기적으로 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 상에 배치된다. 제4 절연층(40)에는 개구부가 정의될 수 있다. 개구부는 제1 전극(E1)의 적어도 일부를 노출시킨다. 제4 절연층(40)은 화소 정의막일 수 있다.
발광 패턴(LP)은 개구부에 배치되어, 개구부에 의해 노출된 제1 전극(E1) 상에 배치된다. 발광 패턴(LP)은 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 패턴(LP)은 적색, 녹색, 및 청색을 발광하는 물질들 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성될 수 있으며, 형광 물질 또는 인광 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(LP)은 유기 발광 물질 또는 무기 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(LP)은 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 사이의 전위 차이에 응답하여 광을 발광할 수 있다.
제어층(EL)은 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 배치된다. 제어층(EL)은 발광 패턴(LP)에 인접하여 배치된다. 제어층(EL)은 전하의 이동을 제어하여 발광 소자(OD)의 발광 효율 및 수명을 향상시킨다. 제어층(EL)은 정공 수송 물질, 정공 주입 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제어층(EL)은 발광 패턴(LP)과 제2 전극(E2) 사이에 배치된 것으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제어층(EL)은 발광 패턴(LP)과 제1 전극(E1) 사이에 배치될 수도 있고, 발광 패턴(LP)을 사이에 두고 제3 방향(DR3)을 따라 적층되는 복수의 층들로 제공될 수도 있다.
제어층(EL)은 액티브 영역(AA)으로부터 주변 영역(NAA)까지 연장된 일체의 형상을 가질 수 있다. 제어층(EL)은 복수의 화소들에 공통적으로 제공될 수 있다.
제2 전극(E2)은 발광 패턴(LP) 상에 배치된다. 제2 전극(E2)은 제1 전극(E1)과 대향될 수 있다. 제2 전극(E2)은 액티브 영역(AA)으로부터 주변 영역(NAA)까지 연장된 일체의 형상을 가질 수 있다. 제2 전극(E2)은 복수의 화소들에 공통적으로 제공될 수 있다. 화소들 각각에 배치된 각각의 발광 소자(OD)는 제2 전극(E2)을 통해 공통의 전원 전압(이하, 제2 전원 전압)을 수신한다.
제2 전극(E2)은 투과형 도전 물질 또는 반 투과형 도전 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 패턴(LP)에서 생성된 광은 제2 전극(E2)을 통해 제3 방향(DR3)을 향해 용이하게 출사될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(OD)는 설계에 따라, 제1 전극(E1)이 투과형 또는 반 투과형 물질을 포함하는 배면 발광 방식으로 구동되거나, 전면과 배면 모두를 향해 발광하는 양면 발광 방식으로 구동될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
봉지층(DP-E)은 발광 소자(OD) 상에 배치되어 발광 소자(OD)를 봉지한다. 봉지층(DP-E)은 액티브 영역(AA)으로부터 주변 영역(NAA)까지 연장된 일체의 형상을 가질 수 있다. 봉지층(DP-E)은 복수의 화소들에 공통적으로 제공될 수 있다. 한편, 도시되지 않았으나, 제2 전극(E2)과 봉지층(DP-E) 사이에는 제2 전극(E2)을 커버하는 캡핑층이 더 배치될 수도 있다.
봉지층(DP-E)은 제3 방향(DR3)을 따라 순차적으로 적층된 제1 무기층(IOL1), 유기층(OL), 및 제2 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 봉지층(EP-E)은 복수의 무기층들 및 유기층들을 더 포함할 수 있다.
제1 무기층(IOL1)은 제2 전극(E2)을 커버할 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 외부 수분이나 산소가 발광 소자(OD)에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1 무기층(IOL1)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1) 상에 배치되어 제1 무기층(IOL1)에 접촉할 수 있다. 유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 제1 무기층(IOL1) 상면에 형성된 굴곡이나 제1 무기층(IOL1) 상에 존재하는 파티클(Particle) 등은 유기층(OL)에 의해 커버되어, 제1 무기층(IOL1)의 상면의 표면 상태가 유기층(OL) 상에 형성되는 구성들에 미치는 영향을 차단할 수 있다. 또한, 유기층(OL)은 접촉하는 층들 사이의 응력을 완화시킬 수 있다. 유기층(OL)은 유기물을 포함할 수 있고, 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 공정과 같은 용액 공정을 통해 형성될 수 있다.
제2 무기층(IOL2)은 유기층(OL) 상에 배치되어 유기층(OL)을 커버한다. 제2 무기층(IOL2)은 제1 무기층(IOL1) 상에 배치되는 것보다 상대적으로 평탄한 면에 안정적으로 형성될 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 유기층(OL)으로부터 방출되는 수분 등을 봉지하여 외부로 유입되는 것을 방지한다. 제2 무기층(IOL2)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
입력 감지 유닛(ISU)은 제1 도전층(MTL1), 제2 도전층(MTL2), 제1 터치 절연층(TSL1), 및 제2 터치 절연층(TSL2)을 포함할 수 있다.
제1 도전층(MTL1)은 봉지층(DP-E) 상에 배치될 수 있다.
제1 도전층(MTL1)은 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전층(MTL1)은 금속, 투명 전도성 산화물, 및 전도성 고분자 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제1 도전층(MTL1)은 복수의 층으로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 터치 절연층(TSL1)은 제1 도전층(MTL1) 상에 배치되어, 제1 도전층(MTL1)을 커버할 수 있다.
제2 도전층(TSL2)은 제1 터치 절연층(TSL1) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 도전층(MTL2)은 금속, 투명 전도성 산화물, 및 전도성 고분자 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제2 도전층(MTL2)은 복수의 층으로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
본 실시예에서, 제2 도전층(MTL2)은 일부 영역에서 제1 터치 절연층(TSL1)을 관통하는 컨택홀(미도시)을 통해 제1 도전층(MTL1)에 전기적으로 접속될 수 있다. 제1 도전층(MTL1)과 제2 도전층(TSL2)을 이용하여 형성된 입력 감지 유닛(ISU)의 터치 라인 형상은 후술된다.
제2 터치 절연층(TSL2)은 제2 도전층(MTL2) 상에 배치되어, 제2 도전층(MTL2)을 커버할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(EP)은 주변 영역(NAA)에 배치된 박막 트랜지스터(TR-D, 이하 구동 트랜지스터), 복수의 신호 패턴들(E-VSS, E-CNT, VIN, CL), 및 복수의 댐 부들(DM1, DM2)을 더 포함할 수 있다. 제어 트랜지스터(TR-D)와 신호 패턴들(E-VSS, E-CNT, VIN, CL)은 회로층(DP-C)을 구성할 수 있다.
제어 트랜지스터(TR-D)는 화소 트랜지스터(TR-P)와 대응되는 구조를 가진 것으로 예시적으로 도시되었다. 예를 들어, 제어 트랜지스터(TR-D)는 베이스 기판(BSS) 상에 배치된 반도체 패턴(SP), 제1 절연층(10) 상에 배치된 제어 전극(CE), 제2 절연층(20) 상에 배치된 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 화소 트랜지스터(TR-P)와 제어 트랜지스터(TR-D)는 동일 공정 내에서 동시에 형성될 수 있어, 공정이 단순화되고 공정 비용이 절감될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 제어 트랜지스터(TR-D)는 화소 트랜지스터(TR-P)와 상이한 구조를 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
신호 패턴들(E-VSS, E-CNT, VIN, CL)은 전원 공급 라인(E-VSS), 연결 전극(E-CNT), 초기화 전압 라인(VIN), 및 구동 신호 라인(CL)을 포함할 수 있다. 전원 공급 라인(E-VSS)은 화소(PX)의 전원 단자(VSS)와 대응될 수 있다. 이에 따라, 전원 공급 라인(E-VSS)은 발광 소자(OD)에 제2 전원 전압을 공급한다. 본 실시예에서, 화소들(PX)에 공급되는 제2 전원 전압들은 모든 화소들(PX)에 대해 공통된 전압일 수 있다.
전원 공급 라인(E-VSS)은 제2 절연층(20) 상에 배치되어 회로층(DP-C)을 구성한다. 전원 공급 라인(E-VSS)은 제어 트랜지스터(TR-D)의 입력 전극(IE)이나 출력 전극(OE)과 동일 공정 내에서 동시에 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 전원 공급 라인(E-VSS)은 제어 트랜지스터(TR-D)의 입력 전극(IE)이나 출력 전극(OE)과 다른 층 상에 배치되어 별도의 공정을 통해 형성될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
연결 전극(E-CNT)은 제3 절연층(30) 상에 배치되어 표시 소자층(DP-D)을 구성한다. 연결 전극(E-CNT)은 전원 공급 라인(E-VSS)에 전기적으로 접속된다. 연결 전극(E-CNT)은 제3 절연층(30) 상으로부터 연장되어 제3 절연층(30)으로부터 노출된 전원 공급 라인(E-VSS)의 상면을 커버한다.
발광 소자(OD)의 제2 전극(E2)은 액티브 영역(AA)으로부터 연장되어 연결 전극(E-CNT)에 접속된다. 연결 전극(E-CNT)은 전원 공급 라인(E-VSS)으로부터 제2 전원 전압을 수신할 수 있다. 이에 따라, 제2 전원 전압은 연결 전극(E-CNT)을 통해 제2 전극(E2)에 전달되어 화소들마다 각각 제공될 수 있다.
연결 전극(E-CNT)은 발광 소자(OD)의 제1 전극(E1)과 동일한 층 상에 배치되어 제1 전극(E1)과 동시에 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 연결 전극(E-CNT)은 제1 전극(E1)과 다른 층 상에 배치될 수도 있다.
구동 신호 라인(CL)은 복수로 제공되어 제2 절연층(20) 상에 배치될 수 있다. 구동 신호 라인(CL)은 주변 영역(NAA)에 배치될 수 있다. 구동 신호 라인(CL)은 패드(미 도시)와 연결되는 라우팅(routing) 배선이거나, 집적 회로(IC)를 구성하는 배선일 수도 있다. 구동 신호 라인(CL)은 제1 방향(DR1)에서 서로 이격되어 배치되며 각각 독립적으로 전기적 신호를 전달한다.
초기화 전압 라인(VIN)은 액티브 영역(AA)에 배치되어 화소(PX)에 초기화 전압을 제공한다. 도시되지 않았으나, 초기화 전압 라인(VIN)은 복수로 제공되어 복수의 화소들 각각에 초기화 전압을 제공할 수 있다.
구동 신호 라인(CL)과 초기화 전압 라인(VIN)은 동일한 층 상에 배치되어 동일 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 구동 신호 라인(CL)과 초기화 전압 라인(VIN)은 별도의 공정을 통해 독립적으로 형성될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
댐 부(DM1, DM2)는 주변 영역(NAA)에 배치된다. 댐 부(DM1, DM2)는 봉지층(TFE)의 유기층(OL) 형성 시, 유기층(OL)이 액티브 영역(AA)으로부터 댐 부(DM1, DM2)의 외 측을 향해, 예를 들어 도 4에서 제2 방향(DR2)을 향해, 흘러 넘치는 것을 방지할 수 있다. 댐 부(DM1, DM2)는 액티브 영역(AA)의 적어도 일 측에 인접하여 배치될 수 있다. 댐 부(DM1, DM2)는 평면상에서 액티브 영역(AA)을 에워쌀 수 있다. 댐 부(DM1, DM2)는 복수로 제공되어 제1 댐 부(DM1) 및 제2 댐 부(DM2)를 포함할 수 있다.
제1 댐 부(DM1)는 제2 댐 부(DM2)에 비해 상대적으로 액티브 영역(AA)에 가까이 배치될 수 있다. 제1 댐 부(DM1)는 전원 공급 라인(E-VSS)과 평면상에서 중첩하도록 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 연결 전극(E-CNT)은 단면상에서 제1 댐 부(DM1)와 전원 공급 라인(E-VSS) 사이를 지날 수 있다.
본 실시예에서, 제1 댐 부(DM1)는 제4 절연층(40)과 동일한 물질을 포함하며, 하나의 마스크를 통해 제4 절연층(40)과 동시에 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 댐 부(DM1)를 형성하기 위한 별도의 공정을 추가하지 않을 수 있어 공정 비용이 절감되고 공정이 단순화될 수 있다.
제2 댐 부(DM2)는 제1 댐 부(DM1)에 비해 상대적으로 외 측에 배치될 수 있다. 제2 댐 부(DM2)는 전원 공급 라인(E-VSS)의 일부를 커버하는 위치에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 제2 댐 부(DM2)는 제1 층(DM2-L1) 및 제2 층(DM2-L2)을 포함하는 복층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 층(DM2-L1)은 제3 절연층(30)과 동시에 형성될 수 있고, 제2 층(DM2-L2)은 제4 절연층(40)과 동시에 형성될 수 있다. 이에 따라, 별도의 공정을 추가하지 않더라도 제2 댐 부(DM2)를 용이하게 형성할 수 있다.
본 실시예에서, 연결 전극(E-CNT)은 제2 댐 부(DM2)의 제1 층(DM2-L1) 상에 일부 중첩하여 배치될 수 있다. 연결 전극(E-CNT)의 끝 단은 제1 층(DM2-L1)과 제2 층(DM2-L2) 사이에 삽입될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 연결 전극(E-CNT)은 제2 댐 부(DM2)까지 연장되지 않을 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2)은 액티브 영역(AA)으로부터 제2 댐 부(DM2)의 외 측까지 연장될 수 있다. 제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2)은 제1 댐 부(DM1) 및 제2 댐 부(DM2)를 커버한다. 유기층(OL)은 제2 댐 부(DM2)의 내 측에 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 유기층(OL)의 일부는 제1 댐 부(DM1)와 중첩하는 영역까지 연장되어 형성될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
도 6은 도 4의 입력 감지 유닛과 베이스 기판을 도시한 평면도이다.
입력 감지 유닛(ISU)은 정전 용량 방식으로 구현될 수 있다. 입력 감지 유닛(ISU)은 서로 다른 방향으로 연장되고 절연된 두 종류의 터치 라인들이 이루는 커패시터의 커패시턴스 변화량을 근거로 터치 좌표를 추출하는 방식과, 액티브 영역 내에 복수 개로 배치된 터치 전극이 형성하는 커패시터의 커패시턴스 변화량을 근거로 터치 좌표를 추출하는 방식 중 어느 하나의 방식으로 동작할 수 있다. 이하의 실시예서, 입력 감지 유닛(ISU)은 전자의 방식으로 동작하는 것을 예시적으로 설명한다.
입력 감지 유닛(ISU)은 액티브 영역(AA)에서 입력된 터치를 감지하고, 주변 영역(NAA)에서 입력된 터치를 감지하지 않을 수 있다.
입력 감지 유닛(ISU)은 센싱 터치 라인들(RX1~RX5), 전송 터치 라인들(TX1~TX4), 센싱 라인들(RL1~RL5), 전송 라인들(TL1~TL8), 및 터치 패드들(TPD)을 포함할 수 있다.
센싱 터치 라인들(RX1~RX5) 및 전송 터치 라인들(TX1~TX4)은 서로 이격된다.
전송 터치 라인들(TX1~TX4)은 센싱 터치 라인들(RX1~RX5)과 절연 교차한다. 전송 터치 라인들(TX1~TX4) 각각은 복수 개의 전송 터치 센서부들(SP2)과 복수 개의 제1 연결부들(CP1)을 포함한다. 전송 터치 센서부들(SP2)은 제1 방향(DR1)을 따라 나열된다. 제1 연결부들(CP1) 각각은 전송 터치 센서부들(SP2) 중 인접하는 2개의 전송 터치 센서부들(SP2)을 연결한다. 도시하지는 않았으나, 전송 터치 센서부들(SP2) 각각은 내부에 개구부들을 갖는 메쉬 형상을 가질 수 있다.
센싱 터치 라인들(RX1~RX5) 각각은 복수 개의 센싱 터치 센서부들(SP1)과 복수 개의 제2 연결부들(CP2)을 포함한다. 센싱 터치 센서부들(SP1)은 제2 방향(DR2)을 따라 나열된다. 제2 연결부들(CP2) 각각은 센싱 터치 센서부들(SP1) 중 인접하는 2개의 센싱 터치 센서부들(SP1)을 연결한다. 도시하지는 않았으나, 센싱 터치 센서부들(SP1) 각각은 내부에 개구부들을 갖는 메쉬 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 센싱 터치 센서부들(SP1), 제2 연결부들(CP2), 및 전송 터치 센서부들(SP2)은 도 5를 참조하여 설명한 제1 도전층(MTL1)에 포함되고, 제1 연결부들(CP1)은 도 5를 참조하여 설명한 제2 도전층(MTL2)에 포함될 수 있다. 이때, 제1 연결부들(CP1)은 제1 터치 절연층(TSL1)에 형성된 컨택홀(미도시)을 통해 인접한 전송 터치 센서부들(SP2)에 연결될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 다른 실시예에서, 센싱 터치 센서부들(SP1), 제2 연결부들(CP2), 및 전송 터치 센서부들(SP2)은 도 5를 참조하여 설명한 제2 도전층(MTL2)에 포함되고, 제1 연결부들(CP1)은 도 5를 참조하여 설명한 제1 도전층(MTL1)에 포함될 수 있다.
센싱 터치 라인들(RX1~RX5) 및 전송 터치 라인들(TX1~TX4)은 터치 커패시터를 형성한다. 입력 감지 유닛(ISU)은 터치 커패시터의 변화량을 근거로 터치 입력좌표를 센싱할 수 있다.
센싱 라인들(RL1~RL5) 각각의 일단은 센싱 터치 라인들(RX1~RX5) 각각의 일단에 연결될 수 있다. 센싱 라인들(RL1~RL5)의 타단은 터치 패드들(TPD)에 연결될 수 있다. 센싱 라인들(RL1~RL5)은 터치 패드들(TPD)을 통해 센싱 터치 라인들(RX1~RX5)로부터 수신한 센싱 신호들을 터치 구동 칩(미도시)으로 제공할 수 있다.
전송 라인들(TL1~TL8) 중 제1 내지 제4 센싱 라인들(RL1~RL4) 각각의 일단은 전송 터치 라인들(TX1~TX4) 각각의 일단에 연결될 수 있다. 제1 내지 제4 센싱 라인들(RL1~RL4)의 타단은 터치 패드들(TPD)에 연결될 수 있다. 전송 라인들(TL1~TL8) 중 제5 내지 제8 센싱 라인들(RL5~RL8) 각각의 일단은 전송 터치 라인들(TX1~TX4) 각각의 타단에 연결될 수 있다. 제5 내지 제8 센싱 라인들(RL5~RL8)의 타단은 터치 패드들(TPD)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 전송 터치 라인(TX1)을 예로 들면, 제1 전송 터치 라인(TX1)에 포함되고 제1 방향(DR1)으로 최외곽에 배치된 제1 외곽 전송 터치 센서부(PTC1)는 제5 전송 라인(TL5)에 연결되고, 제1 전송 터치 라인(TX1)에 포함되고 제1 방향(DR1)의 반대 방향으로 최외곽에 배치된 제2 외곽 전송 터치 센서부(PTC2)는 제1 전송 라인(TL1)에 연결된다.
전송 라인들(TL1~TL8)은 터치 패드들(TPD)을 통해 터치 구동 칩으로부터 인가된 터치 구동 신호를 전송 터치 라인들(TX1~TX4)에 제공할 수 있다.
센싱 라인들(RL1~RL5)의 개수는 센싱 터치 라인들(RX1~RX5)의 개수와 동일하고, 전송 라인들(TL1~TL8)의 개수는 전송 터치 라인들(TX1~TX4)의 개수 보다 많을 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 표시 패널(EP, 도 4)은 평면상에서 직사각 형상을 가질 수 있다. 따라서, 베이스 기판(BSS)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 장변을 갖고, 제2 방향(DR2)으로 연장된 단변을 가질 수 있다.
전송 터치 라인들(TX1~TX4) 각각은 센싱 터치 라인들(RX1~RX5) 각각 보다 긴 길이를 가질 수 있다. 전송 터치 라인들(TX1~TX4) 각각과 센싱 터치 라인들(RX1~RX5) 각각의 길이차에 따른 저항값 차이로 인한 신호의 딜레이 문제를 해결하기 위해, 전송 터치 라인들(TX1~TX4) 각각의 양단에 전송 라인들(TL1~TL8)이 연결되고, 센싱 터치 라인들(RX1~RX5) 각각의 일단에 센싱 라인들(RL1~RL5)이 연결될 수 있다.
도 7은 도 2에 도시된 Ⅱ-Ⅱ’를 따라 자른 단면도이다. 도 8 및 도 9는 도 2에 도시된 XX’영역을 도시한 평면도들이다. 도 7은 실질적으로 XX’영역의 단면도와 대응될 수 있다. 한편, 도 8 및 도 9에는 표시 패널(EP) 중 일부 구성들을 간략히 도시하였다. 도 10은 도 9의 I-I`선을 따라 절단한 단면도이다. 구체적으로, 도 8에는 화소들(PX) 및 신호 라인들 일부를 도시하였고, 도 9에는 입력 감지 유닛(ISU: 도 6 참조)을 도시하였다. 이하, 도 7 내지 도 10을 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.
홀 영역(HA)은 액티브 영역(AA)에 의해 평면상에서 에워싸일 수 있다. 도 7 및 도 8에는 용이한 설명을 위해 홀 영역(HA)을 점선 처리하여 도시하였다. 화소들(PX)은 모듈 홀(MH)로부터 이격되어 배치되고, 화소들(PX) 중 홀 영역(HA)에 인접하여 배치된 일부는 홀 영역(HA)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 모듈 홀(MH)은 홀 영역(HA)에 형성된다. 모듈 홀(MH)은 홀 영역(HA)의 중심에 정의될 수 있다. 모듈 홀(MH)은 표시 패널(EP)을 관통하는 관통 홀일 수 있다. 모듈 홀(MH)은 베이스 기판(BSS)의 전면 및 배면을 관통한다. 구체적으로, 모듈 홀(MH)은 베이스 기판(BSS)의 전면에 배치된 층들 중 홀 영역(HA)에 배치된 구성들을 관통한다. 이에 따라, 홀 영역(HA)까지 연장된 제1 절연층(10), 제2 절연층(20), 제3 절연층(30), 제어층(EL), 제1 무기층(IOL1), 및 제2 무기층(IOL2)은 관통되어 모듈 홀(MH)의 측면을 정의할 수 있다.
한편, 본 실시예에 따른 표시 패널(EP)은 홀 영역(HA)에 정의된 함몰 패턴(GV)을 더 포함할 수 있다. 함몰 패턴(GV)은 모듈 홀(MH)의 가장 자리를 따라 정의될 수 있다. 본 실시예에서, 함몰 패턴(GV)은 모듈 홀(MH)을 에워쌀 수 있다. 함몰 패턴(GV)은 평면상에서 모듈 홀(MH)의 형상과 유사한 원 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 함몰 패턴(GV)은 모듈 홀(MH)과 상이한 형상을 갖거나, 다각형, 타원, 또는 적어도 일부의 곡선을 포함하는 폐라인 형상을 갖거나, 또는 부분적으로 단절된 복수의 패턴들을 포함하는 형상으로 제공될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
함몰 패턴(GV)은 표시 패널(EP)의 전면으로부터 함몰된 패턴으로, 표시 패널(EP)의 구성들 중 일부를 제거하여 형성될 수 있다. 한편, 함몰 패턴(GV)은 모듈 홀(MH)과 달리 표시 패널(EP)을 관통하지 않는다. 이에 따라, 함몰 패턴(GV)과 중첩하는 베이스 기판(BSS)의 배면은 함몰 패턴(GV)에 의해 오픈 되지 않는다.
함몰 패턴(GV)은 베이스 층(BS)의 일 부분만을 남기고 나머지 구성들을 관통하여 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 함몰 패턴(GV)은 보조층(BL)에 형성된 관통부와 베이스 층(BS)에 형성된 함몰부가 연결되어 형성될 수 있다. 함몰 패턴(GV)의 내면은 제1 무기층(IOL1)및 제2 무기층(IOL2)에 의해 커버될 수 있다.
한편, 함몰 패턴(GV)은 내측을 향해 돌출된 팁 부(TP)를 포함하는 언더 컷 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서의 팁 부(TP)는 보조층(BL)의 일부가 베이스 층(BS)보다 함몰 패턴(GV)의 내 측으로 돌출되어 형성될 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(EP)은 함몰 패턴(GV1)에 팁 부(TP)가 형성될 수 있다면, 다양한 층 구조를 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
한편, 표시 패널(EP)은 함몰 패턴(GV) 내에 배치된 소정의 유기 패턴(EL-P)을 더 포함할 수 있다. 유기 패턴(EL-P)은 제어층(EL)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또는 유기 패턴(EL-P)은 제2 전극(E2)과 동일한 물질을 더 포함할 수 있다. 유기 패턴(EL-P)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
유기 패턴(EL-P)은 제어층(EL) 및 제2 전극(E2)으로부터 이격되어 함몰 패턴(GV) 내에 배치될 수 있다. 제1 무기층(IOL1)에 의해 커버되어 외부로 노출되지 않을 수 있다.
본 발명에 따르면, 함몰 패턴(GV)은 모듈 홀(MH) 측면에서부터 액티브 영역(AA)까지 연결되는 제어층(EL)의 연속성을 차단한다. 제어층(EL)은 함몰 패턴(GV)과 중첩하는 영역에서 단절될 수 있다. 제어층(EL)은 수분이나 공기 등의 외부 오염의 이동 경로가 될 수 있다. 모듈 홀(MH)에 의해 노출된 층, 예를 들어 제어층(EL)으로부터 유입될 수 있는 수분이나 공기가 홀 영역(HA)을 지나 액티브 영역(AA)으로 유입되는 경로가 함몰 패턴(GV)에 의해 차단될 수 있다. 이에 따라, 모듈 홀(MH)이 형성된 표시 패널(EP)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
함몰 패턴(GV)은 제1 함몰 패턴(GV1) 및 제2 함몰 패턴(GV2)을 포함한다. 평면상에서, 제1 함몰 패턴(GV1)은 모듈 홀(MH)을 둘러싸고, 제2 함몰 패턴(GV2)은 제1 함몰 패턴(GV1)을 둘러싼다. 모듈 홀(MH), 제1 함몰 패턴(GV1), 및 제2 함몰 패턴(GV2)은 서로 이격될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 제1 함몰 패턴(GV1) 및 제2 함몰 패턴(GV2)은 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 함몰 패턴(GV1) 및 제2 함몰 패턴(GV2)은 다른 형상을 가질 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서 함몰 패턴(GV)은 제2 함몰 패턴(GV2)과 이격되고, 제2 함몰 패턴(GV2)을 둘러싸는 적어도 하나의 홈을 더 포함할 수 있다.
제1 무기층(IOL1)은 제1 및 제2 함몰 패턴들(GV1, GV2)이 배치된 영역까지 연장될 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 제1 및 제2 함몰 패턴들(GV1, GV2)에 인접한 영역 및 제1 및 제2 함몰 패턴들(GV1, GV2)의 내면을 따라 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 함몰 패턴들(GV1, GV2)의 내부는 제1 무기층(IOL1)에 의해 커버될 수 있다.
봉지층(DP-E)의 유기층(OL)은 제2 함몰 패턴(GV2) 내에 채워지고, 제1 함몰 패턴(GV1) 내에 채워지지 않을 수 있다.
제2 무기층(IOL2)은 제1 및 제2 함몰 패턴들(GV1, GV2)이 배치된 영역까지 연장될 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 제1 및 제2 함몰 패턴들(GV1, GV2)에 인접한 영역 및 제1 함몰 패턴(GV1)의 내면을 따라 배치될 수 있다.
따라서, 제1 함몰 패턴(GV1)의 내부는 제2 무기층(IOL2)에 의해 커버될 수 있다. 제2 함몰 패턴(GV2)의 내면에 봉지층(DP-E)의 유기층(OL)이 채워지므로, 제2 무기층(IOL2)은 제2 함몰 패턴(GV2)의 내면에 배치되지 않을 수 있다. 제2 함몰 패턴(GV2)과 중첩한 영역에서 제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2) 사이에 유기층(OL)이 배치될 수 있다.
제1 도전층(MTL1) 및 제2 도전층(MTL2)은 홀 영역(HA) 내에서 제2 함몰 패턴(GV2)과 중첩하게 배치될 수 있다. 즉, 유기층(OL)이 제2 함몰 패턴(GV2)을 채우는 구조를 갖는 경우, 제1 도전층(MTL1) 및 제2 도전층(MTL2)은 제2 함몰 패턴(GV2)과 중첩하게 배치되어 모듈 홀(MH)에 더욱 가깝게 배치될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(EP)에 있어서, 함몰 패턴(GV)은 생략될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 화소들(PX) 및 입력 감지 유닛(ISU)은 모듈 홀(MH)과 평면상에서 이격되어 배치된다. 이하, 도 8 및 도 9를 참조하여, 모듈 홀(MH) 및 모듈 홀(MH) 주변에서의 화소들(PX)과 입력 감지 유닛(ISU)에 대해 설명한다.
도 7을 참조하면, 홀 영역(HA)에는 라우팅 영역(RA)이 더 정의될 수 있다. 라우팅 영역(RA)은 모듈 홀(MH) 외곽에 정의될 수 있다. 라우팅 영역(RA)은 모듈 홀(MH)을 둘러쌀 수 있다.
도 8을 참조하면, 화소들(PX)은 홀 영역(HA)을 에워싸며 배열될 수 있다. 화소들(PX) 중 일부는 홀 영역(HA)의 가장자리를 따라 배열된다. 화소들(PX)은 모듈 홀(MH)로부터 평면상에서 이격될 수 있다.
홀 영역(HA)에는 화소들(PX)에 연결된 복수의 신호 라인들(SL1, SL2, SL3, SL4)이 배치될 수 있다. 신호 라인들(SL1, SL2, SL3, SL4)은 라우팅 영역(RA)을 경유하여 화소들(PX)에 접속된다. 도 8에는 용이한 설명을 위해 화소들(PX)에 연결된 복수의 신호 라인들 중 제1 신호 라인(SL1), 제2 신호 라인(SL2), 제3 신호 라인(SL3), 및 제4 신호 라인(SL4)을 예시적으로 도시하였다.
액티브 영역(AA)에서 제1 신호 라인(SL1)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된다. 제1 신호 라인(SL1)은 화소들(PX) 중 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 동일 열 내의 화소들에 연결된다. 제1 신호 라인(SL1)은 데이터 라인(16, 도 4 참조)과 대응될 수 있다.
라우팅 영역(RA)에서 제1 신호 라인(SL1)은 휘어진 형상을 가질 수 있다. 도 8에서, 제1 신호 라인(SL1)은 라우팅 영역(RA) 내에서 모듈 홀(MH) 외곽을 따라 반원을 그리는 것을 예시적으로 도시하였다.
제1 신호 라인(SL1)에 연결된 화소들 중 일부는 모듈 홀(MH)을 중심으로 상 측에 배치되고, 다른 일부는 모듈 홀(MH)을 중심으로 하 측에 배치된다. 이에 따라, 제1 신호 라인(SL1)에 연결된 동일 열 내의 화소들은 모듈 홀(MH)을 중심으로 일부의 화소가 생략되더라도, 동일한 라인을 통해 데이터 신호를 수신할 수 있다.
액티브 영역(AA)에서 제2 신호 라인(SL2)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다. 제2 신호 라인(SL2)은 화소들(PX) 중 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 동일 행 내의 화소들에 연결된다. 제2 신호 라인(SL2)은 게이트 라인(14, 도 4 참조)과 대응될 수 있다.
라우팅 영역(RA)에서 제2 신호 라인(SL2)은 휘어진 형상을 가질 수 있다. 도 8에서, 제2 신호 라인(SL2)은 라우팅 영역(RA) 내에서 모듈 홀(MH) 및 함몰 패턴(GV) 외곽을 따라 반원을 그리는 것을 예시적으로 도시하였다.
제2 신호 라인(SL2)에 연결된 화소들 중 일부는 모듈 홀(MH)을 중심으로 좌 측에 배치되고, 다른 일부는 모듈 홀(MH)을 중심으로 우 측에 배치된다. 이에 따라, 제2 신호 라인(SL2)에 연결된 동일 행 내의 화소들은 모듈 홀(MH)을 중심으로 일부의 화소가 생략되더라도, 실질적으로 동일한 게이트 신호에 의해 온/오프 될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(EP)은 라우팅 영역(RA)에 배치된 연결 패턴을 더 포함할 수도 있다. 이때, 제1 신호 라인(SL1)은 홀 영역(HA)과 중첩하는 영역에서 단절될 수 있다. 제1 신호 라인(SL1)의 단절된 부분들은 연결 패턴을 통해 연결될 수 있다. 이때, 연결 패턴은 제1 신호 라인(SL1)과 서로 다른 층상에 배치되고, 컨택홀을 통해 제1 신호 라인(SL1)에 연결될 수 있다. 마찬가지로, 제2 신호 라인(SL2)은 홀 영역(HA)과 중첩하는 영역에서 단절될 수 있고, 제2 신호 라인(SL2)의 단절된 부분들을 연결하는 연결 패턴이 더 제공될 수도 있다. 이때, 연결 패턴은 제2 신호 라인(SL2)과 서로 다른 층상에 배치되고, 컨택홀을 통해 제2 신호 라인(SL2)에 연결될 수 있다.
액티브 영역(AA)에서 제3 신호 라인(SL3)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되고, 제4 신호 라인(SL4)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다. 제3 신호 라인(SL3)은 제1 신호 라인(SL1)과 이격되고, 제4 신호 라인(SL4)은 제2 신호 라인(SL2)과 이격될 수 있다.
라우팅 영역(RA)에서 제3 신호 라인(SL3) 및 제4 신호 라인(SL4)은 휘어진 형상을 가질 수 있다. 도 8에서, 제3 신호 라인(SL3) 및 제4 신호 라인(SL4)은 라우팅 영역(RA) 내에서 모듈 홀(MH) 및 함몰 패턴(GV) 외곽을 따라 반원을 그리는 것을 예시적으로 도시하였다.
제3 신호 라인(SL3) 및 제4 신호 라인(SL4) 각각은 도 4를 참조하여 설명한, 발광 라인(15), 전원 라인(26), 초기화 전압 라인(22) 중 어느 하나일 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 센싱 터치 센서부들(SP1) 및 전송 터치 센서부들(SP2)은 서로 이격된다.
센싱 터치 센서부들(SP1) 및 전송 터치 센서부들(SP2) 각각은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 교차하는 복수의 메쉬선들(MSL)을 포함할 수 있다. 메쉬선들(MSL)은 일 방향을 따라 연장된 제1 메쉬선(MSL1) 및 제1 메쉬선(MSL1)에 교차하는 방향을 따라 연장된 제2 메쉬선(MSL2)을 포함한다. 제1 메쉬선(MSL1)과 제2 메쉬선(MSL2)은 연결되어 그물 형상의 센싱 터치 센서부들(SP1) 및 전송 터치 센서부들(SP2)을 형성한다.
제2 연결부들(CP2)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다. 제2 연결부들(CP2)은 제1 방향(DR1)을 따라 인접한 두 개의 센싱 터치 센서부들(SP1)을 연결한다. 제2 연결부들(CP2)은 제1 메쉬선(MSL1) 및 제2 메쉬선(MSL2)으로 이루어질 수 있다.
제1 연결부들(CP1)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된다. 제1 연결부들(CP1)은 제2 방향(DR2)을 따라 인접한 두 개의 전송 터치 센서부들(SP2)을 연결한다. 도시하지는 않았으나, 제1 연결부들(CP1)은 바(bar) 형상을 가질 수도 있고, 제1 메쉬선(MSL1) 및 제2 메쉬선(MSL2)으로 이루어질 수도 있다.
한편, 본 실시예에서, 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이 센싱 터치 센서부들(SP1), 전송 터치 센서부들(SP2), 및 제2 연결부들(CP2)은 동일 층 상에 배치되고, 제1 연결부들(CP1)은 다른 층 상에 배치될 수 있다. 제2 연결부들(CP2)과 제1 연결부들(CP1)은 서로 상이한 층에 배치되므로, 평면상에서 교차하여 배치되더라도 전기적으로 절연될 수 있다. 제2 연결부들(CP2)은 센싱 터치 센서부들(SP1)에 직접 연결되고, 제1 연결부들(CP1)은 전송 터치 센서부들(SP2)에 컨택홀(CH1)을 통해 연결될 수 있다.
한편, 본 실시예에서, 센싱 터치 센서부들(SP1) 및 전송 터치 센서부들(SP2) 중 일부는 모듈 홀(MH)을 중심으로 단절될 수 있다.
전송 터치 센서부들(SP2) 중 일부는 모듈 홀(MH)을 중심으로 상 측 부분과 하 측 부분으로 분리될 수 있다. 전송 터치 센서부들(SP2) 중 일부는 홀 영역(HA)과 중첩하는 부분이 제거된 형상을 가질 수 있다. 홀 영역(HA)과 인접하여 일부가 제거된 형상을 갖는 전송 터치 센서부들(SP2)의 일부는 전송 터치 패턴(ST)으로 정의된다. 전송 터치 패턴(ST)은 제1 방향(DR1)으로 홀 영역(HA)의 일측에 배치된 제1 전송 터치 패턴(ST1)과 제1 방향(DR1)으로 홀 영역(HA)의 타측에 배치된 제2 전송 터치 패턴(ST2)을 포함할 수 있다.
센싱 터치 센서부들(SP1) 중 일부는 모듈 홀(MH)을 중심으로 좌 측 부분과 우 측 부분으로 분리될 수 있다. 센싱 터치 센서부들(SP1) 중 일부는 홀 영역(HA)과 중첩하는 부분이 제거된 형상을 가질 수 있다. 홀 영역(HA)과 인접하여 일부가 제거된 형상을 갖는 센싱 터치 센서부들(SP1)의 일부는 센싱 터치 패턴(RT)으로 정의된다. 센싱 터치 패턴(RT)은 제2 방향(DR2)으로 홀 영역(HA)의 일측에 배치된 제1 센싱 터치 패턴(RT1)과 제2 방향(DR2)으로 홀 영역(HA)의 타측에 배치된 제2 센싱 터치 패턴(RT2)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(EP)에 있어서, 입력 감지 유닛(ISU)은 센싱 브릿지 패턴(SBL) 및 전송 브릿지 패턴(TBL)을 더 포함할 수 있다. 센싱 브릿지 패턴(SBL) 및 전송 브릿지 패턴(TBL)은 라우팅 영역(RA)을 경유하여 단절된 터치 센서부들을 전기적으로 연결한다. 구체적으로, 센싱 브릿지 패턴(SBL)은 제1 센싱 터치 패턴(RT1) 및 제2 센싱 터치 패턴(RT2)을 연결하고, 전송 브릿지 패턴(TBL)은 제1 전송 터치 패턴(ST1) 및 제2 전송 터치 패턴(ST2)을 연결할 수 있다.
이하의 실시예에서, 센싱 브릿지 패턴(SBL)은 제1 브릿지 패턴으로 정의되고, 전송 브릿지 패턴(TBL)은 제2 브릿지 패턴으로 정의될 수 있다.
센싱 브릿지 패턴(SBL) 및 전송 브릿지 패턴(TBL)은 서로 상이한 층 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 센싱 브릿지 패턴(SBL)은 센싱 터치 센서부들(SP1), 제2 연결부들(CP2), 및 전송 터치 센서부들(SP2)과 동일한 층 상에 배치되고, 전송 브릿지 패턴(TBL)은 제1 연결부들(CP1)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 즉, 센싱 브릿지 패턴(SBL)은 도 5를 참조하여 설명한 제1 도전층(MTL1)에 포함되고, 전송 브릿지 패턴(TBL)은 도 5를 참조하여 설명한 제2 도전층(MTL2)에 포함될 수 있다.
센싱 브릿지 패턴(SBL)은 제1 센싱 터치 패턴(RT1) 및 제2 센싱 터치 패턴(RT2)에 직접 연결될 수 있다. 전송 브릿지 패턴(TBL)은 컨택홀들(CH-1, CH-2, CH-3, CH-4)을 통해 제1 전송 터치 패턴(ST1) 및 제2 전송 터치 패턴(ST2)에 연결될 수 있다. 컨택홀들(CH-1, CH-2, CH-3, CH-4)은 도 4의 제1 터치 절연층(TSL1)에 구비될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 센싱 브릿지 패턴(SBL)은 제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1) 및 제2 센싱 브릿지 패턴(SBL2)을 포함할 수 있다. 제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1)과 제2 센싱 브릿지 패턴(SBL2)은 서로 이격될 수 있다. 제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1) 및 제2 센싱 브릿지 패턴(SBL2)은 서로 보완적으로 제1 및 제2 센싱 터치 패턴들(RT1, RT2)을 전기적으로 연결시키는 역할을 한다. 또한, 제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBL1, SBL2) 각각은 제2 연결부(CP2)에 비해 상대적으로 긴 길이를 가지므로, 센싱 브릿지 패턴(TBL)은 두 개로 구비되어 저항을 줄일 수 있다.
제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1)은 라우팅 영역(RA) 내에서 모듈 홀(MH)의 상부 영역을 경유하여 배치될 수 있다. 제2 센싱 브릿지 패턴(SBL2)은 라우팅 영역(RA) 내에서 모듈 홀(MH)의 하부 영역을 경유하여 배치될 수 있다.
제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1)은 제1 센싱 바디 패턴(SB1), 제1 센싱 연결 패턴(SC1), 및 제2 센싱 연결 패턴(SC2)을 포함할 수 있다. 제1 센싱 바디 패턴(SB1), 제1 센싱 연결 패턴(SC1), 및 제2 센싱 연결 패턴(SC2)은 제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1)의 형상을 설명하기 위하여 임의로 나눈 구성이고, 실질적으로 일체의 형상을 갖는다.
제1 센싱 바디 패턴(SB1)은 라우팅 영역(RA) 내에서 모듈 홀(MH)의 상부 영역을 경유한다. 제1 센싱 바디 패턴(SB1)은 휘어진 형상을 가질 수 있다.
제1 센싱 연결 패턴(SC1)은 제1 센싱 바디 패턴(SB1)의 일단으로부터 연장되고, 제1 센싱 터치 패턴(RT1)에 연결된다. 본 실시예에서, 제1 센싱 연결 패턴(SC1)은 제1 센싱 터치 패턴(RT1)과 접촉한다.
제2 센싱 연결 패턴(SC2)은 제1 센싱 바디 패턴(SB2)의 타단으로부터 연장되고, 제2 센싱 터치 패턴(RT2)에 연결된다. 본 실시예에서, 제2 센싱 연결 패턴(SC2)은 제2 센싱 터치 패턴(RT2)과 접촉한다.
제1 센싱 바디 패턴(SB1)은 제1 센싱 연결 패턴(SC1) 및 제2 센싱 연결 패턴(SC2) 각각에 비해 큰 폭을 가질 수 있다. 제1 센싱 바디 패턴(SB1)의 폭을 제어하여 제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1)의 저항을 조절할 수 있다.
제1 센싱 연결 패턴(SC1) 및 제2 센싱 연결 패턴(SC2) 각각은 복수 개로 제공될 수 있다. 따라서, 복수개의 제1 센싱 연결 패턴들(SC1) 중 일부 및 복수개의 제2 센싱 연결 패턴들(SC2) 중 일부가 단선되더라도 제1 센싱 터치 패턴(RT1) 및 제2 센싱 터치 패턴(RT2)은 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 센싱 브릿지 패턴(SBL2)은 제2 센싱 바디 패턴(SB2), 제3 센싱 연결 패턴(SC3), 및 제4 센싱 연결 패턴(SC4)을 포함할 수 있다. 제2 센싱 브릿지 패턴(SBL2)의 형상은 제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1)과 실질적으로 동일한 형상을 가지므로, 구체적인 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예에서, 전송 브릿지 패턴(TBL)은 제1 전송 브릿지 패턴(TBL1) 및 제2 전송 브릿지 패턴(TBL2)을 포함할 수 있다. 제1 전송 브릿지 패턴(TBL1)과 제2 전송 브릿지 패턴(TBL2)은 서로 이격될 수 있다. 제1 전송 브릿지 패턴(TBL1) 및 제2 전송 브릿지 패턴(TBL2)은 서로 보완적으로 제1 및 제2 전송 터치 패턴들(ST1, ST2)을 전기적으로 연결시키는 역할을 한다. 또한, 제1 및 제2 전송 브릿지 패턴들(TBL1, TBL2) 각각은 제1 연결부(CP1)에 비해 상대적으로 긴 길이를 가지므로, 전송 브릿지 패턴(TBL)은 두 개로 구비되어 저항을 줄일 수 있다.
제1 전송 브릿지 패턴(TBL1)은 라우팅 영역(RA) 내에서 모듈 홀(MH)의 좌측 영역을 경유하여 배치될 수 있다. 제1 전송 브릿지 패턴(TBL1)의 일단은 컨택홀(CH-1)을 통해 제1 전송 터치 패턴(ST1)에 연결되고, 제1 전송 브릿지 패턴(TBL1)의 타단은 컨택홀(CH-2)을 통해 제2 전송 터치 패턴(ST2)에 연결될 수 있다.
제2 전송 브릿지 패턴(TBL2)은 라우팅 영역(RA) 내에서 모듈 홀(MH)의 우측 영역을 경유하여 배치될 수 있다. 제2 전송 브릿지 패턴(TBL2)의 일단은 컨택홀(CH-3)을 통해 제1 전송 터치 패턴(ST1)에 연결되고, 제2 전송 브릿지 패턴(TBL2)의 타단은 컨택홀(CH-4)을 통해 제2 전송 터치 패턴(ST2)에 연결될 수 있다.
제1 전송 브릿지 패턴(TBL1)은 제1 전송 바디 패턴(TB1), 제1 전송 연결 패턴(TC1), 및 제2 전송 연결 패턴(TC2)을 포함할 수 있다. 제1 전송 바디 패턴(TB1), 제1 전송 연결 패턴(TC1), 및 제2 전송 연결 패턴(TC2)은 제1 전송 브릿지 패턴(TBL1)의 형상을 설명하기 위하여 임의로 나눈 구성이고, 실질적으로 일체의 형상을 갖는다.
제1 전송 바디 패턴(TB1)은 라우팅 영역(RA) 내에서 모듈 홀(MH)의 좌측 영역을 경유한다. 제1 전송 바디 패턴(TB1)은 휘어진 형상을 가질 수 있다.
제1 전송 연결 패턴(TC1)은 제1 전송 바디 패턴(TB1)의 일단으로부터 연장되고, 컨택홀(CH-1)을 통해 제1 전송 터치 패턴(ST1)에 연결된다.
제2 전송 연결 패턴(TC2)은 제1 전송 바디 패턴(TB2)의 타단으로부터 연장되고, 컨택홀(CH-2)을 통해 제2 전송 터치 패턴(ST2)에 연결된다.
제1 전송 바디 패턴(TB1)은 제1 전송 연결 패턴(TC1) 및 제2 전송 연결 패턴(TC2) 각각에 비해 두꺼운 폭을 가질 수 있다. 제1 전송 바디 패턴(TB1)의 폭을 제어하여 제1 전송 브릿지 패턴(TBL1)의 저항을 조절할 수 있다.
제1 전송 연결 패턴(TC1) 및 제2 전송 연결 패턴(TC2) 각각은 복수 개로 제공될 수 있다. 따라서, 복수개의 제1 전송 연결 패턴들(TC1) 중 일부 및 복수개의 제2 전송 연결 패턴들(TC2) 중 일부가 단선되더라도 제1 전송 터치 패턴(ST1) 및 제2 전송 터치 패턴(ST2)은 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 전송 브릿지 패턴(TBL2)은 제2 전송 바디 패턴(TB2), 제3 전송 연결 패턴(TC3), 및 제4 전송 연결 패턴(TC4)을 포함할 수 있다. 제2 전송 브릿지 패턴(TBL2)의 형상은 제1 전송 브릿지 패턴(TBL1)과 실질적으로 동일한 형상을 가지므로, 구체적인 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치에 의하면, 모듈 홀을 중심으로 이격된 화소들이나 터치 센서부들을 신호 라인들이나 브릿지 패턴들을 통해 연결시킴으로써, 모듈 홀을 중심으로 이격된 화소들이나 터치 센서부들 사이의 유기적/전기적 결합을 유지시켜 화소들에 대한 전기적 제어를 용이하게 할 수 있다. 이에 따라, 모듈 홀이 액티브 영역에 의해 에워싸인 영역에 형성되더라도, 표시 장치의 액티브 영역의 안정적인 구동이 가능할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 홀 영역(HA)에 인접한 센싱 터치 패턴(RT)과 전송 터치 패턴(ST)은 전극의 일부가 제거되어 모듈 홀(MH) 주변에서 터치 감도가 액티브 영역(AA)에 비해 낮을 수 있다.
제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBL1, SBL2) 및 제1 및 제2 전송 브릿지 패턴들(TBL1, TBL2)은 라우팅 영역(RA) 내에서 커패시터를 형성하여 센싱 터치 패턴(RT)과 전송 터치 패턴(ST)의 부족한 터치 감도를 보상할 수 있다.
제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBL1, SBL2) 및 제1 및 제2 전송 브릿지 패턴들(TBL1, TBL2) 중 일부에는 슬릿들(SI1, SI2, SI3, SI4)이 제공될 수 있다. 슬릿(SI1, SI2, SI3, SI4)은 제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBL1, SBL2) 및 제1 및 제2 전송 브릿지 패턴들(TBL1, TBL2)의 교차부에 제공될 수 있다.
본 실시예에서, 제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1)에 제1 슬릿(SI1) 및 제2 슬릿(SI2)이 제공되고, 제2 센싱 브릿지 패턴(SBL2)에 제3 슬릿(SI3) 및 제4 슬릿(SI4)이 제공되는 것을 예시적으로 도시하였다.
제1 슬릿(SI1)은 제1 센싱 바디 패턴(SB1)과 제1 전송 연결 패턴(TC1)의 교차부에 제공되고, 제2 슬릿(SI2)은 제1 센싱 바디 패턴(SB1)과 제3 전송 연결 패턴(TC3)의 교차부에 제공되고, 제3 슬릿(SI3)은 제2 센싱 바디 패턴(SB2)과 제2 전송 연결 패턴(TC2)의 교차부에 제공되고, 제4 슬릿(SI4)은 제2 센싱 바디 패턴(SB2)과 제4 전송 연결 패턴(TC4)의 교차부에 제공될 수 있다. 제1 내지 제4 슬릿들(SI1, SI2, SI3, SI4)은 대응되는 제1 내지 제4 전송 연결 패턴들(TC1, TC2, TC3, TC4)과 중첩할 수 있다.
제1 내지 제4 슬릿들(SI1, SI2, SI3, SI4)에 의해 제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBL1, SBL2)과 제1 및 제2 전송 브릿지 패턴들(TBL1, TBL2) 사이의 중첩 면적이 최소화될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBL1, SBL2)과 제1 및 제2 전송 브릿지 패턴들(TBL1, TBL2)가 서로 쇼트되는 문제를 방지할 수 있으며, 신호 간섭을 최소화 할 수 있다.
다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 다른 실시예에서, 제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1) 및 제2 센싱 브릿지 패턴(SBL2) 중 하나는 생략될 수 있고, 제1 전송 브릿지 패턴(TBL1) 및 제2 전송 브릿지 패턴(TBL2) 중 하나는 생략될 수 있다.
도시하지는 않았으나, 본 발명의 다른 실시예에서, 모듈 홀(MH)과 홀 영역(MH)의 크기가 2 이상의 전송 터치 라인들(도 6의 TX1~TX4 중 일부) 및 2 이상의 센싱 터치 라인들(도 6의 RX1~RX5 중 일부)과 중첩하는 경우, 제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1)과 제2 센싱 브릿지 패턴(SBL2)은 서로 다른 센싱 터치 라인들(도 6의 RX1~RX5 중 일부)에 포함되는 센싱 터치 패턴들에 연결될 수 있다. 마찬가지로, 제1 전송 브릿지 패턴(TBL1)과 제2 전송 브릿지 패턴(TBL2)은 서로 다른 전송 터치 라인들(도 6의 TX1~TX4 중 일부)에 포함되는 전송 터치 패턴들에 연결될 수 있다.
입력 감지 유닛(ISU)은 더미 패턴(DT)을 더 포함할 수 있다. 더미 패턴(DT)은 제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBL1, SBL2)과 제1 및 제2 전송 브릿지 패턴들(TBL1, TBL2) 사이에 배치될 수 있다. 더미 패턴(DT)은 제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBL1, SBL2)과 제1 및 제2 전송 브릿지 패턴들(TBL1, TBL2)과 이격되어 배치될 수 있다.
더미 패턴(DT)은 도 5를 참조하여 설명한 제1 도전층(MTL1) 및 제2 도전층(MTL2) 중 어느 하나에 포함될 수 있다.
더미 패턴(DT)은 제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBL1, SBL2)과 제1 및 제2 전송 브릿지 패턴들(TBL1, TBL2) 사이가 얼룩으로 시인되는 것을 방지할 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다른 입력 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도이다. 도 11은 본 발명의 다른 실시예에서 도 2의 XX` 영역을 도시하였다.
도 11을 참조하여 설명할 입력 감지 유닛(ISU1)은 도 9를 참조하여 설명한 입력 감지 유닛(ISU)과 차이를 중심으로 설명하고, 설명하지 않은 구성은 도 9의 설명에 따른다.
도 11을 참조하면, 입력 감지 유닛(ISU)은 센싱 브릿지 패턴(SBP) 및 전송 브릿지 패턴(TBP)을 포함할 수 있다.
센싱 브릿지 패턴(SBP)은 제1 센싱 브릿지 패턴(SBP1) 및 제2 센싱 브릿지 패턴(SBP2)을 포함할 수 있다. 제1 센싱 브릿지 패턴(SBP1) 및 제2 센싱 브릿지 패턴(SBP2)은 도 9를 참조하여 설명한 제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1) 및 제2 센싱 브릿지 패턴(SBL2)과 실질적으로 동일하므로 구체적인 설명을 생략한다.
전송 브릿지 패턴(TBP)은 제1 전송 브릿지 패턴(TBP1) 및 제2 전송 브릿지 패턴(TBP2)을 포함할 수 있다.
제1 전송 브릿지 패턴(TBP1)은 제1 전송 바디 패턴(TB-1), 제1 전송 연결 패턴(TC-1), 및 제2 전송 연결 패턴(TC-2)을 포함할 수 있다. 제2 전송 브릿지 패턴(TBP2)은 제2 전송 바디 패턴(TB-2), 제3 전송 연결 패턴(TC-3), 및 제4 전송 연결 패턴(TC-4)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제4 전송 연결 패턴들(TC-1, TC-2, TC-3, TC-4)은 제1 전송 바디 패턴(TB-1)과 서로 다른 층 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 센싱 브릿지 패턴(SBP1), 제2 센싱 브릿지 패턴(SBP2), 제1 전송 바디 패턴(TB-1), 및 제2 전송 바디 패턴(TB-2)은 서로 동일한 층상에 배치될 수 있다.
제1 전송 바디 패턴(TB-1) 및 제2 전송 바디 패턴(TB-2) 각각은 도 9를 참조하여 설명한 제1 전송 바디 패턴(TB1) 및 제2 전송 바디 패턴(TB2)와 실질적으로 동일한 형상을 가지므로, 구체적인 설명을 생략한다.
제1 전송 연결 패턴(TC-1)의 일단은 컨택홀(CH-5)을 통해 제1 전송 터치 패턴(ST1)에 연결되고, 제1 전송 연결 패턴(TC-1)의 타단은 컨택홀(CH-6)을 통해 제1 전송 바디 패턴(TB-1)에 연결된다.
제2 전송 연결 패턴(TC-2)의 일단은 컨택홀(CH-7)을 통해 제2 전송 터치 패턴(ST2)에 연결되고, 제2 전송 연결 패턴(TC-2)의 타단은 컨택홀(CH-8)을 통해 제1 전송 바디 패턴(TB-1)에 연결된다.
제1 센싱 브릿지 패턴(SBP1)에 제1 슬릿(SI1) 및 제2 슬릿(SI2)이 제공되고, 제2 센싱 브릿지 패턴(SBP2)에 제3 슬릿(SI3) 및 제4 슬릿(SI4)이 제공된다. 도 9를 참조하여 설명한 제1 센싱 브릿지 패턴(SBL1) 및 제2 센싱 브릿지 패턴(SBL2)과 실질적으로 동일하므로 구체적인 설명을 생략한다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다른 입력 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도이다. 도 12는 본 발명의 다른 실시예에서 도 2의 XX` 영역을 도시하였다.
도 12를 참조하여 설명할 입력 감지 유닛(ISU2)은 도 11을 참조하여 설명한 입력 감지 유닛(ISU1)과 차이를 중심으로 설명하고, 설명하지 않은 구성은 도 11의 설명에 따른다.
도 12를 참조하면, 입력 감지 유닛(ISU2)은 센싱 브릿지 패턴(SBT) 및 전송 브릿지 패턴(TBT)을 포함할 수 있다.
전송 브릿지 패턴(TBT)은 제1 전송 브릿지 패턴(TBT1) 및 제2 전송 브릿지 패턴(TBT2)을 포함할 수 있다. 제1 전송 브릿지 패턴(TBT1) 및 제2 전송 브릿지 패턴(TBT2)은 도 11을 참조하여 설명한 제1 전송 브릿지 패턴(TBP1) 및 제2 전송 브릿지 패턴(TBP2)과 실질적으로 동일하므로, 구체적인 설명을 생략한다.
센싱 브릿지 패턴(SBT)은 제1 센싱 브릿지 패턴(SBT1) 및 제2 센싱 브릿지 패턴(SBT2)을 포함할 수 있다.
제1 센싱 브릿지 패턴(SBT1)은 제1 센싱 바디 패턴(SB-1), 제1 센싱 연결 패턴(SC-1), 및 제2 센싱 연결 패턴(SC-2)을 포함할 수 있다. 제2 센싱 브릿지 패턴(SBP2)은 제2 센싱 바디 패턴(SB-2), 제3 센싱 연결 패턴(SC-3), 및 제4 센싱 연결 패턴(SC-4)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제4 센싱 연결 패턴들(SC-1, SC-2, SC-3, SC-4)은 제1 센싱 바디 패턴(SB-1)과 서로 다른 층 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 전송 브릿지 패턴(TBT1), 제2 전송 브릿지 패턴(TBT2), 제1 센싱 바디 패턴(SB-1), 및 제2 센싱 바디 패턴(SB-2)은 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 제1 내지 제4 센싱 연결 패턴들(SC-1, SC-2, SC-3, SC-4)은 도 11을 참조하여 설명한 제1 내지 제4 전송 연결 패턴들(TC-1, TC-2, TC-3, TC-4)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다.
제1 센싱 바디 패턴(SB-1) 및 제2 센싱 바디 패턴(SB-2) 각각은 도 9를 참조하여 설명한 제1 센싱 바디 패턴(SB1) 및 제2 센싱 바디 패턴(SB2)와 실질적으로 동일한 형상을 가지므로, 구체적인 설명을 생략한다.
제1 센싱 연결 패턴(SC-1)의 일단은 컨택홀(CH-9)을 통해 제1 센싱 터치 패턴(RT1)에 연결되고, 제1 센싱 연결 패턴(SC-1)의 타단은 컨택홀(CH-10)을 통해 제1 센싱 바디 패턴(SB-1)에 연결된다.
제2 센싱 연결 패턴(SC-2)의 일단은 컨택홀(CH-11)을 통해 제2 센싱 터치 패턴(RT2)에 연결되고, 제2 센싱 연결 패턴(SC-2)의 타단은 컨택홀(CH-12)을 통해 제1 센싱 바디 패턴(SB-1)에 연결된다.
제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBT1, SBT2)과 교차하는 제1 전송 브릿지 패턴(TBT1)의 일부 영역에 슬릿이 제공될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBT1, SBT2)과 교차하는 제2 전송 브릿지 패턴(TBT2)의 일부 영역에 슬릿이 제공될 수 있다.
제1 전송 브릿지 패턴(TBT1)에 제5 슬릿(SI5) 및 제6 슬릿(SI6)이 제공되고, 제2 전송 브릿지 패턴(TBT2)에 제7 슬릿(SI7) 및 제8 슬릿(SI8)이 제공되는 것을 예시적으로 도시하였다.
제5 슬릿(SI5)은 제1 센싱 연결 패턴(SC-1)과 제1 전송 브릿지 패턴(TBT1)의 교차부에 제공되고, 제6 슬릿(SI6)은 제3 센싱 연결 패턴(SC-3)과 제1 전송 브릿지 패턴(TBT1)의 교차부에 제공되고, 제7 슬릿(SI7)은 제2 센싱 연결 패턴(SC-2)과 제2 전송 브릿지 패턴(TBT2)의 교차부에 제공되고, 제8 슬릿(SI8)은 제4 센싱 연결 패턴(SC-4)과 제2 전송 브릿지 패턴(TBT2)의 교차부에 제공될 수 있다.
제1 내지 제8 슬릿들(SI1~SI8)에 의해 제1 및 제2 전송 브릿지 패턴들(TBT1, TBT2)과 제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBT1, SBT2) 사이의 중첩 면적이 최소화될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 센싱 브릿지 패턴들(SBT1, SBT2)과 제1 및 제2 전송 브릿지 패턴들(TBT1, TBT2)가 서로 쇼트되는 문제를 방지할 수 있으며, 신호 간섭을 최소화할 수 있다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다른 입력 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도이다. 도 13은 본 발명의 다른 실시예에서 도 2의 XX` 영역을 도시하였다.
도 13을 참조하여 설명할 입력 감지 유닛(ISU3)은 도 12를 참조하여 설명한 입력 감지 유닛(ISU2)과 차이를 중심으로 설명하고, 설명하지 않은 구성은 도 12의 설명에 따른다.
입력 감지 유닛(ISU3)은 센싱 브릿지 패턴(SBT-1) 및 전송 브릿지 패턴(TBT-1)을 포함할 수 있다.
센싱 브릿지 패턴(SBT-1)은 센싱 바디 패턴(SB), 제1 센싱 연결 패턴(SC-11), 및 제2 센싱 연결 패턴(SC-21)을 포함할 수 있다.
센싱 바디 패턴(SB)은 도 12의 제1 센싱 바디 패턴(SB-1) 및 제2 센싱 바디 패턴(SB-2)이 연결된 형상을 가질 수 있다. 센싱 바디 패턴(SB)은 모듈 홀(MH)을 둘러싸고, 환형을 가질 수 있다.
제1 센싱 연결 패턴(SC-11)은 도 12의 제1 센싱 연결 패턴(SC-1) 또는 제3 센싱 연결 패턴(SC-3) 중 어느 하나와 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
제2 센싱 연결 패턴(SC-21)은 도 12의 제2 센싱 연결 패턴(SC-2) 또는 제4 센싱 연결 패턴(SC-4) 중 어느 하나와 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
전송 브릿지 패턴(TBT-1)은 전송 바디 패턴(TB), 제1 전송 연결 패턴(TC-11), 및 제2 전송 연결 패턴(TC-21)을 포함할 수 있다.
전송 바디 패턴(TB)은 도 12의 제1 전송 바디 패턴(TB-1) 및 제2 전송 바디 패턴(TB-2)이 연결된 형상을 가질 수 있다. 전송 바디 패턴(TB)은 모듈 홀(MH)을 둘러싸고 환형을 가질 수 있다. 본 실시예에서, 전송 바디 패턴(TB)은 센싱 바디 패턴(SB)을 둘러싸는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 다른 실시예에서, 센싱 바디 패턴이 전송 바디 패턴을 둘러쌀 수 있다.
제1 전송 연결 패턴(TC-11)은 도 11의 제1 전송 연결 패턴(TC-1) 또는 제3 전송 연결 패턴(TC-3) 중 어느 하나와 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
제2 전송 연결 패턴(TC-21)은 도 11의 제2 전송 연결 패턴(TC-2) 또는 제4 전송 연결 패턴(TC-4) 중 어느 하나와 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다른 입력 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도이다. 도 14는 본 발명의 다른 실시예에서 도 2의 XX` 영역을 도시하였다.
도 14를 참조하여 설명할 입력 감지 유닛(ISU4)은 도 12를 참조하여 설명한 입력 감지 유닛(ISU2)과 차이를 중심으로 설명하고, 설명하지 않은 구성은 도 12의 설명에 따른다.
도 14를 참조하면, 입력 감지 유닛(ISU4)의 센싱 브릿지 패턴은 제1 센싱 브릿지 패턴(SBT11) 및 제2 센싱 브릿지 패턴(SBT22)을 포함하고, 전송 브릿지 패턴은 제1 전송 브릿지 패턴(TBT11) 및 제2 전송 브릿지 패턴(TBT22)을 포함할 수 있다.
제1 센싱 브릿지 패턴(SBT11)은 제1 센싱 바디 패턴(SB-1), 제1 보조 센싱 패턴(SB-11), 제1 센싱 연결 패턴(SC-12), 및 제2 센싱 연결 패턴(SC-22)을 포함할 수 있다.
제1 보조 센싱 패턴(SB-11)은 제1 센싱 바디 패턴(SB-1)과 모듈 홀(MH) 사이에 배치될 수 있다. 제1 센싱 바디 패턴(SB-1)과 제1 보조 센싱 패턴(SB-11) 사이의 일부 영역에 제1 전송 바디 패턴(TB-1)이 배치될 수 있다.
제1 센싱 연결 패턴(SC-12)은 컨택홀들을 통해 제1 센싱 터치 패턴(RT1), 제1 센싱 바디 패턴(SB-1) 및 제1 보조 센싱 패턴(SB-11)을 연결시킨다.
제2 센싱 연결 패턴(SC-22)은 컨택홀들을 통해 제2 센싱 터치 패턴(RT2), 제1 센싱 바디 패턴(SB-1) 및 제1 보조 센싱 패턴(SB-11)을 연결시킨다.
제2 센싱 브릿지 패턴(SBT22)은 제1 센싱 브릿지 패턴(SBT11)과 대칭 구조를 가지므로 구체적인 설명을 생략한다.
제1 전송 브릿지 패턴(TBT11)은 제1 전송 바디 패턴(TB-1), 제1 보조 전송 패턴(TB-11), 제1 전송 연결 패턴(TC-12), 및 제2 전송 연결 패턴(TC-22)을 포함할 수 있다.
제1 보조 전송 패턴(TB-11)은 제1 전송 바디 패턴(TB-1)과 모듈 홀(MH) 사이에 배치될 수 있다. 제1 전송 바디 패턴(TB-1)과 제1 보조 전송 패턴(TB-11) 사이의 일부 영역에 제1 보조 센싱 패턴(SB-11)이 배치될 수 있다.
제1 전송 연결 패턴(TC-12)은 컨택홀들을 통해 제1 전송 터치 패턴(ST1), 제1 전송 바디 패턴(TB-1) 및 제1 보조 전송 패턴(TB-11)을 연결시킨다.
제2 전송 연결 패턴(TC-22)은 컨택홀들을 통해 제2 전송 터치 패턴(ST2), 제1 전송 바디 패턴(TB-1) 및 제1 보조 전송 패턴(TB-11)을 연결시킨다.
제2 전송 브릿지 패턴(TBT22)은 제1 전송 브릿지 패턴(TBT11)과 대칭 구조를 가지므로 구체적인 설명을 생략한다.
본 발명의 실시예에서, 제1 보조 전송 패턴(TB-11) 및 제1 보조 센싱 패턴(SB-11)에 의해, 센싱 브릿지 패턴과 전송 브릿지 패턴이 형성하는 커패시터의 커패시턴스가 도 12의 실시예에 비해 커질 수 있다.
도 14를 참조하여 설명한 입력 감지 유닛(ISU4)을 포함하는 표시 장치에 의하면, 도 12의 입력 감지 유닛(ISU2)을 포함하는 표시 장치에 비해, 제1 보조 센싱 패턴 및 제1 보조 전송 패턴을 더 포함하여, 센싱 터치 패턴(RT)과 전송 터치 패턴(ST)의 부족한 감도를 더욱 보상할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
EP: 표시 패널 DPU: 표시 유닛
ISU: 입력 감지 유닛 MH: 모듈 홀
HA: 홀 영역 RA: 라우팅 영역
MTL1: 제1 도전층 MTL2: 제2 도전층
SP1: 센싱 터치 센서부들 SP2: 전송 터치 센서부들
CP1: 제1 연결부들 CP2: 제2 연결부들
SBL: 센싱 브릿지 패턴 TBL: 전송 브릿지 패턴

Claims (20)

  1. 서로 대향하는 전면 및 배면을 포함하고, 상기 전면 및 상기 배면을 관통하는 모듈 홀이 정의되고, 평면상에서 액티브 영역, 상기 액티브 영역에 인접한 주변 영역, 및 상기 모듈 홀을 둘러싸는 라우팅 영역이 정의된 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터를 포함하는 구동 소자를 포함하는 회로층;
    상기 회로층 상에 배치되고, 상기 액티브 영역에 배치된 발광 소자를 포함하는 표시 소자층;
    상기 표시 소자층 상에 배치되고 상기 발광 소자를 밀봉하는 봉지층; 및
    상기 봉지층 상에 배치된 입력 감지 유닛을 포함하고,
    상기 입력 감지 유닛은,
    제1 방향을 따라 나열된 제1 터치 센서부들;
    인접한 상기 제1 터치 센서부들을 연결하는 제1 연결부;
    상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향을 따라 나열된 제2 터치 센서부들;
    인접한 상기 제2 터치 센서부들을 연결하고, 상기 제1 연결부와 서로 다른 층 상에 배치되는 제2 연결부;
    상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제2 방향으로 서로 인접한 상기 제2 터치 센서부들에 연결되고, 상기 라우팅 영역 내에 배치된 제1 브릿지 패턴; 및
    상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제1 방향으로 서로 인접한 상기 제1 터치 센서부들에 연결되고, 상기 라우팅 영역 내에 배치된 제2 브릿지 패턴을 포함하고,
    상기 제1 브릿지 패턴 및 상기 제2 브릿지 패턴은 교차부에서 서로 중첩하고,
    상기 제1 브릿지 패턴 및 상기 제2 브릿지 패턴 중 적어도 하나에 제1 슬릿이 제공되며, 상기 제1 슬릿은 상기 교차부에 제공되는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 라우팅 영역은 상기 액티브 영역에 의해 에워싸이고,
    상기 제1 터치 센서부들, 상기 제2 터치 센서부들, 상기 제1 연결부, 및 상기 제2 연결부는 상기 액티브 영역 내에 배치되고 상기 라우팅 영역과 이격되는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 슬릿은 상기 제1 브릿지 패턴에 제공되고, 상기 제1 슬릿은 상기 제2 브릿지 패턴과 중첩하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 브릿지 패턴에 제2 슬릿이 제공되고, 상기 제2 슬릿은 상기 제1 브릿지 패턴과 중첩하는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 브릿지 패턴과 상기 제2 브릿지 패턴은 서로 다른 층 상에 배치된 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 터치 센서부들, 상기 제2 터치 센서부들, 상기 제2 연결부, 및 상기 제1 브릿지 패턴은 서로 동일한 층 상에 배치되고,
    상기 제2 브릿지 패턴과 상기 제1 연결부는 서로 동일한 층 상에 배치되는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 입력 감지 유닛은
    상기 제1 터치 센서부들, 상기 제2 터치 센서부들, 상기 제2 연결부, 및 상기 제1 브릿지 패턴 상에 배치된 제1 터치 절연층; 및
    상기 제1 터치 절연층 상에 배치된 제2 터치 절연층을 더 포함하고,
    상기 제2 브릿지 패턴은 상기 제1 터치 절연층에 구비된 컨택홀을 통해 상기 제1 터치 센서부들에 연결되는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    제1 브릿지 패턴은,
    상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 휘어진 형상을 갖는 센싱 바디 패턴;
    상기 센싱 바디 패턴의 일단으로부터 연장되고, 상기 제2 터치 센서부들 중 어느 하나에 연결된 제1 센싱 연결 패턴; 및
    상기 센싱 바디 패턴의 타단으로부터 연장되고, 상기 제2 터치 센서부들 중 다른 하나에 연결된 제2 센싱 연결 패턴을 포함하고,
    상기 센싱 바디 패턴은 상기 제1 센싱 연결 패턴 및 상기 제2 센싱 연결 패턴 각각 보다 큰 폭을 갖는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    제2 브릿지 패턴은,
    상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 휘어진 형상을 갖는 전송 바디 패턴;
    상기 전송 바디 패턴의 일단에 연결되고, 상기 제1 터치 센서부들 중 어느 하나에 연결된 제1 전송 연결 패턴; 및
    상기 전송 바디 패턴의 타단에 연결되고, 상기 제1 터치 센서부들 중 다른 하나에 연결된 제2 전송 연결 패턴을 포함하고,
    상기 전송 바디 패턴은 상기 제1 전송 연결 패턴 및 상기 제2 전송 연결 패턴 각각 보다 큰 폭을 갖는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 전송 바디 패턴은 상기 제1 및 제2 전송 연결 패턴들과 서로 다른 층 상에 배치되는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 터치 센서부들, 상기 제2 터치 센서부들, 상기 제2 연결부, 상기 제1 브릿지 패턴, 및 상기 전송 바디 패턴은 서로 동일한 층 상에 배치되고,
    상기 제1 전송 연결 패턴, 상기 제2 전송 연결 패턴, 및 제1 연결부는 서로 동일한 층 상에 배치되는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    제1 브릿지 패턴은,
    상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 휘어진 형상을 갖는 센싱 바디 패턴;
    상기 센싱 바디 패턴의 일단에 연결되고, 상기 제2 터치 센서부들 중 어느 하나에 연결되고, 상기 센싱 바디 패턴과 상이한 층 상에 배치된 제1 센싱 연결 패턴; 및
    상기 센싱 바디 패턴의 타단에 연결되고, 상기 제2 터치 센서부들 중 다른 하나에 연결되고, 상기 센싱 바디 패턴과 상이한 층 상에 배치된 제2 센싱 연결 패턴을 포함하고,
    제2 브릿지 패턴은,
    상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 휘어진 형상을 갖는 전송 바디 패턴;
    상기 전송 바디 패턴의 일단에 연결되고, 상기 제1 터치 센서부들 중 어느 하나에 연결되고, 상기 전송 바디 패턴과 상이한 층 상에 배치된 제1 전송 연결 패턴; 및
    상기 전송 바디 패턴의 타단에 연결되고, 상기 제1 터치 센서부들 중 다른 하나에 연결되고, 상기 전송 바디 패턴과 상이한 층 상에 배치된 제2 전송 연결 패턴을 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 터치 센서부들, 상기 제2 터치 센서부들, 상기 제2 연결부, 상기 센싱 바디 패턴, 및 상기 전송 바디 패턴은 서로 동일한 층 상에 배치되고,
    상기 제1 센싱 연결 패턴, 상기 제2 센싱 연결 패턴, 상기 제1 전송 연결 패턴, 및 상기 제2 전송 연결 패턴은 서로 동일한 층 상에 배치되는 표시 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 센싱 바디 패턴 및 상기 전송 바디 패턴 각각은 상기 모듈 홀을 둘러싸고, 환형을 갖는 표시 장치.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 브릿지 패턴은, 상기 센싱 바디 패턴과 상기 모듈 홀 사이에 배치된 보조 센싱 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 센싱 연결 패턴들 각각은 상기 보조 센싱 패턴에 연결되고,
    상기 제2 브릿지 패턴은, 상기 전송 바디 패턴과 상기 모듈 홀 사이에 배치된 보조 전송 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 전송 연결 패턴들 각각은 상기 보조 전송 패턴에 연결되는 표시 장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 입력 감지 유닛은,
    상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 상기 제1 브릿지 패턴 및 상기 제2 브릿지 패턴 사이에 배치된 더미 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  17. 제1 항에 있어서,
    평면상에서 상기 라우팅 영역은 상기 액티브 영역에 의해 둘러싸인 표시 장치.
  18. 서로 대향하는 전면 및 배면을 포함하고, 상기 전면 및 상기 배면을 관통하는 모듈 홀이 정의되고, 평면상에서 액티브 영역, 상기 액티브 영역에 인접한 주변 영역, 및 상기 모듈 홀을 둘러싸는 라우팅 영역이 정의된 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터를 포함하는 회로층;
    상기 회로층 상에 배치되고, 상기 액티브 영역에 배치된 발광 소자를 포함하는 표시 소자층;
    상기 표시 소자층 상에 배치되고 상기 발광 소자를 밀봉하는 봉지층; 및
    상기 봉지층 상에 배치된 입력 감지 유닛을 포함하고,
    상기 입력 감지 유닛은,
    제1 방향을 따라 나열된 제1 터치 센서부들을 포함하는 제1 터치 라인;
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 나열된 제2 터치 센서부들을 포함하고, 상기 제1 터치 라인과 절연되는 제2 터치 라인; 및
    상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제2 방향으로 인접한 상기 제2 터치 센서부들에 연결되고, 제1 슬릿이 제공된 제1 브릿지 패턴을 포함하고,
    평면 상에서 상기 제1 브릿지 패턴의 적어도 일부는 상기 제2 터치 센서부들보다 상기 모듈 홀에 더 인접한 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 입력 감지 유닛은,
    상기 라우팅 영역 내에 배치되고, 상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제1 방향으로 인접한 상기 제1 터치 센서부들에 연결된 제2 브릿지 패턴을 더 포함하고,
    상기 제1 슬릿은 상기 제1 브릿지 패턴 및 상기 제2 브릿지 패턴의 교차부에 제공된 표시 장치.
  20. 제18 항에 있어서,
    상기 베이스 기판에는, 평면상에서 상기 라우팅 영역과 상기 모듈 홀 사이에 상기 모듈 홀을 둘러싸는 함몰 패턴이 제공되는 표시 장치.
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