KR102601689B1

KR102601689B1 - 전자 장치

Info

Publication number: KR102601689B1
Application number: KR1020180122068A
Authority: KR
Inventors: 이경수; 김일주; 김종화; 한정윤
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2018-10-12
Filing date: 2018-10-12
Publication date: 2023-11-15
Also published as: CN118192837A; US20220005878A1; WO2020075927A1; CN112840300B; KR20200042071A; KR20230157922A; US11683969B2; CN112840300A

Abstract

전자 장치는 액티브 영역에 관통하는 모듈 홀이 정의되고, 모듈 홀을 사이에 두고 일 방향에서 서로 이격된 제1 감지 패턴과 제2 감지 패턴, 모듈 홀을 사이에 두고 일 방향과 교차하는 방향에서 서로 이격된 제3 감지 패턴과 제4 감지 패턴, 모듈 홀의 일부를 따라 연장되어 제1 감지 패턴과 제2 감지 패턴을 연결하는 제1 연결 라인, 및 모듈 홀의 일부를 따라 연장되어 제3 감지 패턴과 제4 감지 패턴을 연결하는 제2 연결 라인을 포함하고, 제1 연결 라인과 제2 연결 라인은 동일한 층 상에 서로 이격되어 배치된 전자 장치.

Description

전자 장치{ELECTRONIC APPARATUS}

본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 상세하게는 외부 입력을 감지하는 전자 장치에 관한 것이다.

전자 장치는 전기적 신호에 따라 활성화된다. 전자 장치는 영상을 표시하는 표시 유닛이나, 외부 입력을 감지하는 감지 유닛과 같이 다양한 전자 부품들로 구성된 장치들을 포함할 수 있다. 전자 부품들은 다양하게 배열된 신호 라인들에 의해 전기적으로 서로 연결될 수 있다.

표시 유닛은 영상을 생성하는 발광 소자를 포함한다. 감지 유닛은 외부 입력을 감지하기 위한 감지 전극들을 포함할 수 있다. 감지 전극들은 액티브 영역에 배치된다. 감지 유닛은 액티브 영역 전면에 대해 고른 감도를 제공하도록 설계된다.

따라서, 본 발명은 액티브 영역 내에서 영역에 따라 외부 입력에 대해 고른 감도를 제공할 수 있는 전자 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역에 인접한 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 액티브 영역에 영상을 표시하는 표시 유닛, 및 상기 표시 유닛 상에 배치되고 상기 액티브 영역에 인가되는 외부 입력을 감지하는 감지 유닛을 포함하고, 상기 액티브 영역에, 상기 베이스 기판, 상기 표시 유닛, 및 상기 감지 유닛을 관통하는 모듈 홀이 정의되고, 상기 감지 유닛은, 상기 모듈 홀을 사이에 두고 일 방향에서 서로 이격된 제1 감지 패턴과 제2 감지 패턴, 상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 일 방향과 교차하는 방향에서 서로 이격된 제3 감지 패턴과 제4 감지 패턴, 상기 모듈 홀의 일부를 따라 연장되어 상기 제1 감지 패턴과 상기 제2 감지 패턴을 연결하는 제1 연결 라인, 및 상기 모듈 홀의 일부를 따라 연장되어 상기 제3 감지 패턴과 상기 제4 감지 패턴을 연결하는 제2 연결 라인을 포함하고, 상기 제1 연결 라인과 상기 제2 연결 라인은 동일한 층 상에 서로 이격되어 배치된다.

상기 제1 연결 라인과 상기 모듈 홀 사이의 이격 거리는 상기 제2 연결 라인과 상기 모듈 홀 사이의 이격 거리보다 클 수 있다.

상기 제3 감지 패턴과 상기 제4 감지 패턴 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 연결 라인과 평면상에서 중첩할 수 있다.

상기 제1 연결 라인과 상기 제2 연결 라인 사이에 배치된 제1 도전 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 도전 패턴은 상기 제1 연결 라인 및 상기 제2 연결 라인으로부터 평면상에서 이격될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 상기 제2 연결 라인과 상기 모듈 홀 사이에 배치된 제2 도전 패턴을 더 포함하고, 상기 제2 도전 패턴은 상기 제2 연결 라인으로부터 평면상에서 이격될 수 있다.

상기 제1 연결 라인은, 상기 제2 연결 라인과 동일한 층 상에 배치되고, 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴과 상이한 층 상에 배치될 수 있다.

상기 감지 유닛은, 상기 제1 감지 패턴 중 상기 모듈 홀을 마주하는 일 측과 대향되는 측에 배치된 제5 감지 패턴, 상기 제3 감지 패턴 중 상기 모듈 홀을 마주하는 일 측과 대향되는 측에 배치된 제6 감지 패턴, 상기 제1 연결 라인으로부터 이격되어 상기 제1 감지 패턴과 상기 제5 감지 패턴을 연결하는 제1 연결 패턴, 및 상기 제2 연결 라인으로부터 이격되어 상기 제3 감지 패턴과 상기 제6 감지 패턴을 연결하는 제2 연결 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 연결 패턴과 상기 제2 연결 패턴은 절연층을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되고, 상기 제1 연결 라인과 상기 제2 연결 라인은 상기 제1 연결 패턴 및 상기 제2 연결 패턴 중 어느 하나와 동일한 층 상에 배치될 수 있다.

상기 제1 감지 패턴은, 상기 제1 연결 패턴과 직접 연결되고, 상기 제1 연결 라인과 상기 절연층을 관통하여 연결될 수 있다.

상기 제3 감지 패턴은, 상기 제2 연결 패턴 및 상기 제2 연결 라인 각각에 대하여 상기 절연층을 관통하여 연결될 수 있다.

상기 제3 감지 패턴은, 상기 제1 연결 라인으로부터 이격된 제1 부분, 및 상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 연결 라인의 적어도 일부와 중첩하는 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 절연층을 관통하여 상기 제2 연결 라인에 연결될 수 있다.

상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 다른 층 상에 배치될 수 있다.

상기 제1 연결 라인은 평면상에서 상기 모듈 홀을 에워싸는 폐라인 형상을 가질 수 있다.

상기 제2 연결 라인은 평면상에서 상기 모듈 홀을 에워싸는 폐라인 형상을 가질 수 있다.

상기 표시 유닛은 상기 액티브 영역에 배치되고 복수의 발광 영역들을 정의하는 복수의 화소들을 포함하고, 상기 연결 라인은 상기 화소들로부터 평면상에서 이격될 수 있다.

상기 제1 내지 제4 감지 패턴들은 개구부들이 정의된 메쉬 패턴들을 포함하고, 상기 발광 영역들은 상기 개구부들에 각각 중첩할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 상기 제1 연결 라인과 상기 제2 연결 라인 사이, 상기 제2 감지 패턴과 상기 제1 연결 라인 사이, 상기 제1 감지 패턴과 상기 제2 연결 라인 사이 중 적어도 어느 하나에 배치되고 도전성을 가진 더미 패턴을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 투과 영역 및 상기 투과 영역에 인접한 베젤 영역을 포함하는 윈도우 부재, 상기 윈도우 부재의 하 측에 배치되고, 상기 투과 영역에 중첩하여 배치된 복수의 감지 전극들을 포함하고, 상기 투과 영역에 중첩하여 관통하는 모듈 홀이 정의된 전자 패널, 및 상기 윈도우 부재의 하 측에 배치되고 상기 모듈 홀과 중첩하여 배치된 전자 모듈을 포함하고, 상기 감지 전극들은, 상기 모듈 홀을 사이에 두고 제1 방향에서 서로 이격된 제1 감지 패턴과 제2 감지 패턴, 상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 서로 이격된 제3 감지 패턴과 제4 감지 패턴, 상기 모듈 홀과 인접하여 배치되고 상기 제1 감지 패턴과 상기 제2 감지 패턴을 연결하는 제1 연결 라인, 및 상기 모듈 홀과 인접하여 배치되고 상기 제3 감지 패턴과 상기 제4 감지 패턴을 연결하는 제2 연결 라인을 포함하고, 상기 제1 연결 라인과 상기 제2 연결 라인은 평면상에서 서로 이격될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 상기 제1 연결 라인은 상기 제2 연결 라인과 동일 층 상에 배치되고, 상기 제1 연결 라인은 상기 제1 내지 제4 감지 패턴들과 상이한 층 상에 배치될 수 있다.

상기 제2 연결 라인은 상기 제1 연결 라인에 비해 상대적으로 상기 모듈 홀에 인접할 수 있다.

상기 제3 감지 패턴 및 상기 제4 감지 패턴 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 연결 라인과 평면상에서 중첩할 수 있다.

상기 제1 연결 라인 및 상기 제2 연결 라인 각각은 적어도 하나의 곡선을 포함하고, 상기 곡선은 상기 모듈 홀의 상기 주변을 따라 연장될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴은 상기 곡선으로부터 이격되고, 상기 제1 연결 라인은, 상기 곡선의 일 단으로부터 연장되어 상기 제1 감지 패턴과 중첩하는 제1 단 부, 및 상기 곡선의 타 단으로부터 연장되어 상기 제2 감지 패턴과 중첩하는 제2 단 부를 더 포함하고, 상기 제1 연결 라인과 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 사이의 컨택부들은 사이 제1 단 부와 상기 제2 단 부에 정의될 수 있다.

상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 각각은, 상기 곡선으로부터 이격된 메인부, 상기 메인부와 연결되고 상기 곡선과 중첩하는 돌출부를 포함하고, 상기 제1 연결 라인과 상기 제1 감지 패턴 사이의 컨택부 및 상기 제1 연결 라인과 상기 제2 감지 패턴 사이의 컨택부는 상기 돌출부에 정의될 수 있다.

상기 돌출부는 상기 메인부와 동일 층 상에 배치되어 일체의 형상을 가질 수 있다.

상기 돌출부는 상기 메인부와 다른 층 상에 배치되고, 돌출부는 적어도 하나의 절연층을 관통하여 상기 메인부와 상기 제1 연결 라인 각각에 연결될 수 있다.

상기 돌출부는 상기 곡선의 일부를 따라 연장된 형상을 가질 수 있다.

상기 돌출부는 상기 곡선과 교차하는 방향을 따라 연장된 바(bar) 형상을 가질 수 있다.

상기 돌출부는 복수로 제공되어 상기 모듈 홀을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다.

상기 제1 감지 패턴의 돌출부 및 상기 제2 감지 패턴의 돌출부 중 적어도 어느 하나는 상기 제2 연결 라인과 평면상에서 중첩할 수 있다.

상기 제1 연결 라인 및 상기 제2 연결 라인 중 적어도 어느 하나는 복수로 제공되어 상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제2 방향에서 서로 이격될 수 있다.

상기 제1 연결 라인 및 상기 제2 연결 라인 중 적어도 어느 하나는 상기 모듈 홀을 에워싸는 폐라인 형상을 가질 수 있다.

본 발명에 따르면, 소정의 모듈 홀이 정의된 액티브 영역 내에서 모듈 홀에 의해 외부 입력에 대한 감지 유닛의 감도 저하를 방지할 수 있다. 또한, 모듈 홀과 인접한 영역에서의 노이즈 등의 불량 발생을 안정적으로 저하시킬 수 있다. 또한, 모듈 홀과 인접한 영역에서 일부 배선이 손상되더라도 감도가 유지될 수 있어 전자 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 1b는 도 1a의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1a에 도시된 전자 장치의 블록도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 유닛의 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 일부 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부를 도시한 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도들이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 단면도들이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도들이다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도들이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도이다.
도 9b는 도 9a에 도시된 ZZ'영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도들이다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 11b는 도 11a의 일부 구성을 도시한 평면도이다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 12b 및 도 12c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도들이다.

본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.

"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.

다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다. 도 1b는 도 1a의 분해 사시도이다. 도 2는 도 1a에 도시된 전자 장치의 블록도이다. 이하, 도 1a 내지 도 2를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.

전자 장치(EA)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 전자 장치(EA)는 다양한 실시예들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(EA)는 태블릿, 노트북, 컴퓨터, 스마트 텔레비전 등을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 전자 장치(EA)는 스마트 폰으로 예시적으로 도시되었다.

전자 장치(EA)는 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2) 각각에 평행한 표시면(IS)에 제3 방향(D3)을 향해 영상(IM)을 표시할 수 있다. 영상(IM)이 표시되는 표시면(FS)은 전자 장치(EA)의 전면(front surface)과 대응될 수 있으며, 윈도우 부재(WM)의 전면(FS)과 대응될 수 있다. 이하, 전자 장치(EA)의 표시면, 전면, 및 윈도우 부재(WM)의 전면은 동일한 참조부호를 사용하기로 한다. 영상(IM)은 동적인 영상은 물론 정지 영상을 포함할 수 있다. 도 1a에서 영상(IM)의 일 예로 인터넷 검색창이 도시되었다.

본 실시예에서는 영상(IM)이 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 전면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(D3)에서 서로 대향(opposing)되고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 제3 방향(D3)과 평행할 수 있다. 전면과 배면 사이의 제3 방향(D3)에서의 이격 거리는 표시 패널(DP)의 제3 방향(D3)에서의 두께와 대응될 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 방향들(D1, D3, D3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향들(D1, D2, D3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.

또는, 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA)는 외부에서 인가되는 사용자의 입력(TC)을 감지할 수 있다. 사용자의 입력(TC)은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함한다. 본 실시예에서, 사용자의 입력(TC)은 전면에 인가되는 사용자의 손으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 상술한 바와 같이 사용자의 입력(TC)은 다양한 형태로 제공될 수 있고, 또한, 전자 장치(EA)는 전자 장치(EA)의 구조에 따라 전자 장치(EA)의 측면이나 배면에 인가되는 사용자의 입력(TC)을 감지할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

한편, 본 실시예에서, 투과 영역(TA)은 소정의 홀 영역(HA)을 포함할 수 있다. 홀 영역(HA)은 후술하는 전자 패널(200)을 관통하는 모듈 홀(MH)과 중첩하는 영역일 수 있고, 전자 모듈(300)과 중첩하는 영역일 수 있다. 전자 장치(EA)는 홀 영역(HA)을 통해 전자 모듈(300)에 필요한 외부 신호를 수신하거나, 전자 모듈(300)로부터 출력되는 신호를 외부에 제공할 수 있다. 본 발명에 따르면, 홀 영역(HA)이 투과 영역(TA)과 중첩하게 제공됨으로써, 투과 영역(TA)외에서 홀 영역(HA)을 제공하기 위해 구비되는 별도의 영역이 생략될 수 있다. 이에 따라, 베젤 영역(BZA)의 면적이 감소될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.

전자 장치(EA)는 윈도우 부재(100), 전자 패널(200), 전자 모듈(300), 및 하우징 유닛(400)을 포함한다. 본 실시예에서, 윈도우 부재(100)와 하우징 유닛(400)은 결합되어 전자 장치(EA)의 외관을 구성한다.

윈도우 부재(100)는 절연 패널을 포함할 수 있다. 예를 들어, 윈도우 부재(100)는 유리, 플라스틱, 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있다.

윈도우 부재(100)의 전면(FS)은 상술한 바와 같이, 전자 장치(EA)의 전면을 정의한다. 투과 영역(TA)은 광학적으로 투명한 영역일 수 있다. 예를 들어, 투과 영역(TA)은 약 90% 이상의 가시광선 투과율을 가진 영역일 수 있다.

베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 형상을 정의한다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접하며, 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다.

베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 전자 패널(200)의 주변 영역(NAA)을 커버하여 주변 영역(NAA)이 외부에서 시인되는 것을 차단할 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시된 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 부재(100)에 있어서, 베젤 영역(BZA)은 생략될 수도 있다.

전자 패널(200)은 이미지(IM)를 표시하고 외부 입력(TC)을 감지할 수 있다. 전자 패널(200)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)을 포함하는 전면(IS)을 포함한다. 액티브 영역(AA)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다.

본 실시예에서, 액티브 영역(AA)은 이미지(IM)가 표시되는 영역이며, 동시에 외부 입력(TC)이 감지되는 영역일 수 있다. 투과 영역(TA)은 적어도 액티브 영역(AA)과 중첩한다. 예를 들어, 투과 영역(TA)은 액티브 영역(AA)의 전면 또는 적어도 일부와 중첩한다. 이에 따라, 사용자는 투과 영역(TA)을 통해 영상(IM)을 시인하거나, 외부 입력(TC)을 제공할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 액티브 영역(AA) 내에서 이미지(IM)가 표시되는 영역과 외부 입력(TC)이 감지되는 영역이 서로 분리될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

주변 영역(NAA)은 베젤 영역(BZA)에 의해 커버되는 영역일 수 있다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)에 인접한다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)을 에워쌀 수 있다. 주변 영역(NAA)에는 액티브 영역(AA)을 구동하기 위한 구동 회로나 구동 배선 등이 배치될 수 있다.

본 실시예에서, 전자 패널(200)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)이 윈도우 부재(100)를 향하는 평탄한 상태로 조립된다. 다만 이는 예시적으로 도시한 것이고, 전자 패널(200)중 주변 영역(NAA)의 일부는 휘어질 수 있다. 이 때, 주변 영역(NAA) 중 일부는 전자 장치(EA)의 배면을 향하게 되어, 전자 장치(EA) 전면에서의 베젤 영역(BZA)이 감소될 수 있다. 또는, 전자 패널(200)은 액티브 영역(AA)의 일부도 휘어진 상태로 조립될 수도 있다. 또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 패널(200)에 있어서 주변 영역(NAA)은 생략될 수도 있다.

전자 패널(200)은 표시 유닛(210), 감지 유닛(220), 및 구동 회로(230)를 포함한다.

표시 유닛(210)은 실질적으로 영상(IM)을 생성하는 구성일 수 있다. 표시 유닛(210)이 생성하는 영상(IM)은 투과 영역(TA)을 통해 표시면(IS)에 표시되어 외부에서 사용자에게 시인된다.

감지 유닛(220)은 외부에서 인가되는 외부 입력(TC)을 감지한다. 상술한 바와 같이, 감지 유닛(220)은 윈도우 부재(100)에 제공되는 외부 입력(TC)을 감지할 수 있다.

구동 회로(230)는 표시 유닛(210) 및 감지 유닛(220)과 전기적으로 연결된다. 구동 회로(230)는 메인 회로 기판(MB), 제1 회로 기판(CF1), 및 제2 회로 기판(CF2)을 포함한다.

제1 회로 기판(CF1)은 표시 유닛(210)과 전기적으로 연결된다. 제1 회로 기판(CF1)은 표시 유닛(210)과 메인 회로 기판(MB)을 연결할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 회로 기판(CF1)은 연성 회로 필름으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제1 회로 기판(CF1)은 메인 회로 기판(MB)과 연결되지 않을 수도 있고, 제1 회로 기판(CF1)은 리지드한 기판일 수도 있다.

제1 회로 기판(CF1)은 주변 영역(NAA)에 배치된 표시 유닛(210)의 패드들(표시 패드들)에 접속될 수 있다. 제1 회로 기판(CF1)은 표시 유닛(210)을 구동하기 위한 전기적 신호를 표시 유닛(210)에 제공한다. 전기적 신호는 제1 회로 기판(CF1)에서 생성되거나 메인 회로 기판(MB)에서 생성된 것일 수 있다.

제2 회로 기판(CF1)은 감지 유닛(220)과 전기적으로 연결된다. 제2 회로 기판(CF2)은 감지 유닛(220)과 메인 회로 기판(MB)을 연결할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 회로 기판(CF2)은 연성 회로 필름으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제2 회로 기판(CF2)은 메인 회로 기판(MB)과 연결되지 않을 수도 있고, 제2 회로 기판(CF2)은 리지드한 기판일 수도 있다.

제2 회로 기판(CF2)은 주변 영역(NAA)에 배치된 감지 유닛(220)의 패드들(감지 패드들)에 접속될 수 있다. 제2 회로 기판(CF2)은 감지 유닛(220)을 구동하기 위한 전기적 신호를 감지 유닛(220)에 제공한다. 전기적 신호는 제2 회로 기판(CF2)에서 생성되거나 메인 회로 기판(MB)에서 생성된 것일 수 있다.

메인 회로 기판(MB)은 전자 패널(200)을 구동하기 위한 각종 구동 회로나 전원 공급을 위한 커넥터 등을 포함할 수 있다. 제1 회로 기판(CF1)과 제2 회로 기판(CF2)은 각각 메인 회로 기판(MB)에 접속될 수 있다. 본 발명에 따르면, 하나의 메인 회로 기판(MB)을 통해 전자 패널(200)을 용이하게 제어할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 패널(200)에 있어서, 표시 유닛(210)과 감지 유닛(220)은 서로 다른 메인 회로 기판에 연결될 수도 있고, 제1 회로 기판(CF1)과 제2 회로 기판(CF2) 중 어느 하나는 메인 회로 기판(MB)에 연결되지 않을 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 패널(200)에는 소정의 홀(MH, 이하 모듈 홀)이 정의될 수 있다. 모듈 홀(MH)은 액티브 영역(AA)에 정의되어 전자 패널(200)을 관통한다. 표시 유닛(210) 및 감지 유닛(220)은 모듈 홀(MH)에 의해 관통될 수 있다. 모듈 홀(MH)이 액티브 영역(AA) 내에 정의됨으로써, 홀 영역(HA)은 투과 영역(TA) 내에 제공될 수 있다.

전자 모듈(300)은 윈도우 부재(100)의 하 측에 배치된다. 전자 모듈(300)은 모듈 홀(MH)과 평면상에서 중첩하고 홀 영역(HA)과 중첩할 수 있다. 전자 모듈(300)은 홀 영역(HA)을 통해 전달되는 외부 입력을 수신하거나 홀 영역(HA)을 통해 출력을 제공할 수 있다. 전자 모듈(300)의 적어도 일부는 모듈 홀(MH) 내에 수용될 수 있다. 본 발명에 따르면, 전자 모듈(300)은 액티브 영역(AA)에 중첩하여 배치됨으로써, 베젤 영역(BZA)의 증가를 방지할 수 있다.

도 2를 참조하면, 전자 장치(EA)는 전자 패널(200), 전원공급 모듈(PM), 제1 전자 모듈(EM1), 및 제2 전자 모듈(EM2)을 포함할 수 있다. 전자 패널(200), 전원 공급 모듈(PM), 제1 전자 모듈(EM1), 및 제2 전자 모듈(EM2)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 도 2에는 전자 패널(200)의 구성 중 표시 유닛(210) 및 감지 유닛(220)이 예시적으로 도시되었다.

전원공급 모듈(PM)은 전자 장치(EA)의 전반적인 동작에 필요한 전원을 공급한다. 전원공급 모듈(PM)은 통상적인 배터리 모듈을 포함할 수 있다.

제1 전자 모듈(EM1) 및 제2 전자 모듈(EM2)은 전자 장치(EA)를 동작시키기 위한 다양한 기능성 모듈을 포함한다. 제1 전자모듈(EM1)은 전자 패널(200)과 전기적으로 연결된 마더보드에 직접 실장되거나 별도의 기판에 실장되어 커넥터(미 도시) 등을 통해 마더보드에 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 전자모듈(EM1)은 제어 모듈(CM), 무선통신 모듈(TM), 영상입력 모듈(IIM), 음향입력 모듈(AIM), 메모리(MM), 및 외부 인터페이스(IF)를 포함할 수 있다. 상기 모듈들 중 일부는 마더보드에 실장되지 않고, 연성회로기판을 통해 마더보드에 전기적으로 연결될 수도 있다.

제어 모듈(CM)은 전자 장치(EA)의 전반적인 동작을 제어한다. 제어 모듈(CM)은 마이크로프로세서일 수 있다. 예를 들어, 제어 모듈(CM)은 전자 패널(200)을 활성화 시키거나, 비활성화 시킨다. 제어 모듈(CM)은 전자 패널(200)로부터 수신된 터치 신호에 근거하여 영상입력 모듈(IIM)이나 음향입력 모듈(AIM) 등의 다른 모듈들을 제어할 수 있다.

무선통신 모듈(TM)은 블루투스 또는 와이파이 회선을 이용하여 다른 단말기와 무선 신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(TM)은 일반 통신회선을 이용하여 음성신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(TM)은 송신할 신호를 변조하여 송신하는 송신부(TM1)와, 수신되는 신호를 복조하는 수신부(TM2)를 포함한다.

영상입력 모듈(IIM)은 영상 신호를 처리하여 전자 패널(200)에 표시 가능한 영상 데이터로 변환한다. 음향입력 모듈(AIM)은 녹음 모드, 음성인식 모드 등에서 마이크로폰(Microphone)에 의해 외부의 음향 신호를 입력 받아 전기적인 음성 데이터로 변환한다.

외부 인터페이스(IF)는 외부 충전기, 유/무선 데이터 포트, 카드 소켓(예를 들어, 메모리 카드(Memory card), SIM/UIM card) 등에 연결되는 인터페이스 역할을 한다.

제2 전자 모듈(EM2)은 음향출력 모듈(AOM), 발광 모듈(LM), 수광 모듈(LRM), 및 카메라 모듈(CMM) 등을 포함할 수 있다. 상기 구성들은 마더보드에 직접 실장되거나, 별도의 기판에 실장되어 커넥터(미 도시) 등을 통해 전자 패널(200)과 전기적으로 연결되거나, 제1 전자 모듈(EM1)과 전기적으로 연결될 수 있다.

음향출력 모듈(AOM)은 무선통신 모듈(TM)로부터 수신된 음향 데이터 또는 메모리(MM)에 저장된 음향 데이터를 변환하여 외부로 출력한다.

발광 모듈(LM)은 광을 생성하여 출력한다. 발광 모듈(LM)은 적외선을 출력할 수 있다. 발광 모듈(LM)은 LED 소자를 포함할 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 적외선을 감지할 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 소정 레벨 이상의 적외선이 감지된 때 활성화될 수 있다. 수광 모듈(LRM)은 CMOS 센서를 포함할 수 있다. 발광 모듈(LM)에서 생성된 적외광이 출력된 후, 외부 물체(예컨대 사용자 손가락 또는 얼굴)에 의해 반사되고, 반사된 적외광이 수광 모듈(LRM)에 입사될 수 있다. 카메라 모듈(CMM)은 외부의 이미지를 촬영한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 모듈(300)은 제1 전자 모듈(EM1) 및 제2 전자 모듈(EM2)의 구성들 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 모듈(300)은 카메라, 스피커, 광 감지 센서, 및 열 감지 센서 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 전자 모듈(300)은 홀 영역(HA)을 통해 수신되는 외부 피사체를 감지하거나 홀 영역(HA)을 통해 음성 등의 소리 신호를 외부에 제공할 수 있다. 또한, 전자 모듈(300)은 복수의 구성들을 포함할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

다시 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 하우징 유닛(400)은 윈도우 부재(100)와 결합된다. 하우징 유닛(400)은 윈도우 부재(WM)와 결합되어 소정의 내부 공간을 제공한다. 전자 패널(200) 및 전자 모듈(300)은 내부 공간에 수용될 수 있다.

하우징 유닛(400)은 상대적으로 높은 강성을 가진 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하우징 유닛(400)은 유리, 플라스틱, 또는 금속을 포함하거나, 이들의 조합으로 구성된 복수 개의 프레임 및/또는 플레이트를 포함할 수 있다. 하우징 유닛(400)은 내부 공간에 수용된 전자 장치(EA)의 구성들을 외부 충격으로부터 안정적으로 보호할 수 있다.

본 발명에 따르면, 전자 모듈(300)을 위해 전자 패널(200)에 모듈 홀(MH)을 제공할 수 있다. 이에 따라, 베젤 영역(BZA)이 감소된 전자 장치가 제공될 수 있다.

도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 유닛의 평면도이다. 도 3b는 도 3a의 일부 영역을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 평면도이다. 도 3a에는 신호 회로도를 간략히 도시하였고 도 3b에는 도 1b에 도시된 XX'영역을 확대하여 도시하였다. 또한, 도 3a 내지 도 3b에는 용이한 설명을 위해 일부 구성요소는 생략하여 도시하였다. 이하, 도 3a 및 도 3b를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.

도 3a에 도시된 것과 같이, 표시 유닛(210)은 베이스 기판(BS), 복수의 화소들(PX), 복수의 신호 라인들(GL, DL, PL), 및 복수의 표시 패드들(PDD)을 포함한다. 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)은 베이스 기판(BS)에 의해 제공되는 영역들일 수 있다. 베이스 기판(BS)은 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(BS)은 유리 기판, 플라스틱 기판, 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있다.

신호 라인들(GL, DL, PL)은 화소들(PX)에 연결되어 화소들(PX)에 전기적 신호들을 전달한다. 표시 유닛(DPU)에 포함되는 신호 라인들 중 스캔 라인(GL), 데이터 라인(DL), 및 전원 라인(PL)을 예시적으로 도시하였다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 신호 라인들(GL, DL, PL)은 전원 라인, 초기화 전압 라인, 발광 제어 라인 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

화소들(PX)은 액티브 영역(AA)에 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 복수의 화소들 중 하나의 화소(PX)의 신호 회로도를 확대하여 예시적으로 도시하였다. 화소(PX)는 제1 박막 트랜지스터(TR1), 커패시터(CP), 제2 박막 트랜지스터(TR2), 및 발광 소자(EE)를 포함할 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(TR1)는 화소(PX)의 온-오프를 제어하는 스위칭 소자일 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(TR1)는 스캔 라인(GL)을 통해 전달된 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)을 통해 전달된 데이터 신호를 전달 또는 차단할 수 있다.

커패시터(CP)는 제1 박막 트랜지스터(TR1)와 전원 라인(PL)에 연결된다. 커패시터(CP)는 제1 박막 트랜지스터(TR1)로부터 전달된 데이터 신호와 전원 라인(PL)에 인가된 제1 전원 신호 사이의 차이에 대응하는 전하량을 충전한다.

제2 박막 트랜지스터(TR2)는 제1 박막 트랜지스터(TR1), 커패시터(CP), 및 발광 소자(EE)에 연결된다. 제2 박막 트랜지스터(TR2)는 커패시터(CP)에 저장된 전하량에 대응하여 발광 소자(EE)에 흐르는 구동전류를 제어한다. 커패시터(CAP)에 충전된 전하량에 따라 제2 박막 트랜지스터(TR2)의 턴-온 시간이 결정될 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(TR2)는 턴-온 시간 동안 전원 라인(PL)을 통해 전달된 제1 전원 신호를 발광 소자(EE)에 제공한다.

발광 소자(EE)는 전기적 신호에 따라 광을 발생시키거나 광량을 제어할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(EE)는 유기발광소자, 양자점 발광소자, 전기 영동 소자, 또는 전기 습윤 소자를 포함할 수 있다.

발광 소자(EE)는 전원 단자(VSS)와 연결되어 전원 라인(PL)이 제공하는 제1 전원 신호와 상이한 전원 신호(이하, 제2 전원 신호)를 제공받는다. 발광 소자(EMD)에는 제2 박막 트랜지스터(TR2)로부터 제공되는 전기적 신호와 제2 전원 신호 사이의 차이에 대응하는 구동 전류가 흐르게 되고, 발광 소자(EE)는 구동 전류에 대응하는 광을 생성할 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 화소(PX)는 다양한 구성과 배열을 가진 전자 소자들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

도 3b에는 용이한 설명을 위해 윈도우 부재(100: 도 1a 참조)의 홀 영역(HA)을 점선 처리하여 도시하였다. XX'영역은 모듈 홀(MH)이 정의된 영역을 포함한다. 이하, 도 3b를 참조하여, 모듈 홀(MH)이 배치된 영역에서의 표시 유닛(210)에 대해 설명한다.

상술한 바와 같이, 모듈 홀(MH)은 액티브 영역(AA) 내에 정의될 수 있다. 이에 따라, 화소들(PX) 중 적어도 일부는 모듈 홀(MH)에 인접하여 배치될 수 있다. 화소들(PX) 중 일부는 모듈 홀(MH)을 에워쌀 수 있다.

한편, 홀 영역(HA)에는 소정의 함몰 패턴(GV)이 정의될 수 있다. 함몰 패턴(GV)은 평면상에서 모듈 홀(MH)의 가장자리를 따라 배치되며, 본 실시예에서는 모듈 홀(MH)을 에워싸는 원 형 링 형상으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 함몰 패턴(GV)은 모듈 홀(MH)과 상이한 형상을 갖거나, 다각형, 타원, 또는 적어도 일부의 곡선을 포함하는 폐라인 형상을 갖거나, 또는 부분적으로 단절된 복수의 패턴들을 포함하는 형상으로 제공될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

함몰 패턴(GV)은 표시 유닛(210)의 전면으로부터 함몰된 부분에 해당되며, 모듈 홀(MH)을 통해 침투될 수 있는 수분이나 산소가 화소(PX)로 유입되는 경로를 차단한다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.

홀 영역(HA)에는 화소들(PX)에 연결된 복수의 신호 라인들(SL1, SL2)이 배치될 수 있다. 신호 라인들(SL1, SL2)은 홀 영역(HA)을 경유하여 화소들(PX)에 접속된다. 도 3b에는 용이한 설명을 위해 화소들(PX)에 연결된 복수의 신호 라인들 중 제1 신호 라인(SL1) 및 제2 신호 라인(SL2)을 예시적으로 도시하였다.

제1 신호 라인(SL1)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된다. 제1 신호 라인(SL1)은 화소들(PX) 중 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 동일 행 내의 화소들에 연결된다. 제1 신호 라인(SL1)은 게이트 라인(GL)과 대응되는 것으로 예시적으로 설명한다.

제1 신호 라인(SL1)에 연결된 화소들 중 일부는 모듈 홀(MH)을 중심으로 좌 측에 배치되고, 다른 일부는 모듈 홀(MH)을 중심으로 우 측에 배치된다. 이에 따라, 제1 신호 라인(SL1)에 연결된 동일 행 내의 화소들은 모듈 홀(MH)을 중심으로 일부의 화소가 생략되더라도, 실질적으로 동일한 게이트 신호에 의해 온/오프 될 수 있다

제2 신호 라인(SL2)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다. 제2 신호 라인(SL2)은 화소들(PX) 중 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 동일 열 내의 화소들에 연결된다. 제2 신호 라인(SL2)은 데이터 라인(DL)과 대응되는 것으로 예시적으로 설명한다.

제2 신호 라인(SL1)에 연결된 화소들 중 일부는 모듈 홀(MH)을 중심으로 상 측에 배치되고, 다른 일부는 모듈 홀(MH)을 중심으로 하 측에 배치된다. 이에 따라, 제2 신호 라인(SL2)에 연결된 동일 열 내의 화소들은 모듈 홀(MH)을 중심으로 일부의 화소가 생략되더라도, 동일한 라인을 통해 데이터 신호를 수신할 수 있다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 패널(200)은 홀 영역(HA)에 배치된 연결 패턴을 더 포함할 수도 있다. 이때, 제1 신호 라인(SL1)은 홀 영역(HA)과 중첩하는 영역에서 단절될 수 있다. 제1 신호 라인(SL)의 단절된 부분들은 연결 패턴을 통해 연결될 수 있다. 마찬가지로, 제2 신호 라인(SL2)은 홀 영역(HA)과 중첩하는 영역에서 단절될 수 있고, 제2 신호 라인의 단절된 부분들을 연결하는 연결 패턴이 더 제공될 수도 있다.

다시, 도 3a를 참조하면, 전원 패턴(VDD)은 주변 영역(NAA)에 배치된다. 본 실시예에서, 전원 패턴(VDD)은 복수의 전원 라인들(PL)과 접속된다. 이에 따라, 표시 유닛(210)은 전원 패턴(VDD)을 포함함으로써, 복수의 화소들에 동일한 제1 전원 신호를 제공할 수 있다.

표시 패드들(PDD)은 제1 패드(D1) 및 제2 패드(D2)를 포함할 수 있다. 제1 패드(D1)는 복수로 구비되어 데이터 라인들(DL)에 각각 연결될 수 있다. 제2 패드(D2)는 전원 패턴(VDD)에 연결되어 전원 라인(PL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 표시 유닛(210)은 표시 패드들(PDD)을 통해 외부로부터 제공된 전기적 신호들을 화소들(PX)에 제공할 수 있다. 한편, 표시 패드들(PDD)은 제1 패드(D1) 및 제2 패드(D2) 외에 다른 전기적 신호들을 수신하기 위한 패드들을 더 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

도 3c를 참조하면, 감지 유닛(220)은 표시 유닛(210) 상에 배치된다. 감지 유닛(220)은 외부 입력(TC: 도 1a 참조)을 감지하여 외부 입력(TC)의 위치나 세기 정보를 얻을 수 있다. 감지 유닛(220)은 복수의 제1 감지 전극들(SE1), 복수의 제2 감지 전극들(SE2), 복수의 감지 라인들(TL1, TL2, TL3), 및 복수의 감지 패드들(TPD)을 포함한다.

제1 감지 전극들(SE1) 및 제2 감지 전극들(SE2)은 액티브 영역(AA)에 배치된다. 감지 유닛(220)은 제1 감지 전극들(SE1) 및 제2 감지 전극들(SE2) 사이의 정전 용량의 변화를 통해 외부 입력(TC)에 대한 정보를 얻을 수 있다.

제1 감지 전극들(SE1) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되고 제2 방향(DR2)을 따라 배열된다. 제1 감지 전극들(SE1)은 복수의 제1 감지 패턴들(SP1) 및 복수의 제1 연결 패턴들(CP1)을 포함할 수 있다.

하나의 제1 감지 전극을 구성하는 제1 감지 패턴들(SP1)은 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격되어 배열된다. 제1 감지 패턴들(SP1)은 본 실시예에서는 용이한 설명을 위해 제1 감지 패턴들(SP1)에 대해 음영 처리하여 도시하였다. 제1 연결 패턴들(CP1)은 제1 감지 패턴들(SP1) 사이에 배치되어 인접하는 두 개의 제1 감지 패턴들(SP1)을 연결한다.

제2 감지 전극들(SE2) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장되고 제1 방향(DR1)을 따라 배열된다. 제2 감지 전극들(SE2)은 복수의 제2 감지 패턴들(SP2) 및 복수의 제2 연결 패턴들(CP2)을 포함할 수 있다.

하나의 제2 감지 전극을 구성하는 제2 감지 패턴들(SP2)은 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격되어 배열된다. 제2 연결 패턴들(CP2)은 제2 감지 패턴들(SP2) 사이에 배치되어 인접하는 두 개의 제2 감지 패턴들(SP1)을 연결한다.

감지 라인들(TL1, TL2, TL3)은 주변 영역(NAA)에 배치된다. 감지 라인들(TL1, TL2, TL3)은 제1 감지 라인들(TL1), 제2 감지 라인들(TL2), 및 제3 감지 라인들(TL3)을 포함할 수 있다. 제1 감지 라인들(TL1)은 제1 감지 전극들(SE1)에 각각 연결된다. 제2 감지 라인들(TL2)은 제2 감지 전극들의 일 단 들에 각각 연결된다.

제3 감지 라인들(TL3)은 제2 감지 전극들(SE2)의 타 단들에 각각 연결된다. 제2 감지 전극들의 타 단들은 제2 감지 전극들(SE2)의 일 단들과 대향된 부분들일 수 있다. 본 발명에 따르면, 제2 감지 전극들(SE2)은 제2 감지 라인들(TL2) 및 제3 감지 라인들(TL3)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 감지 전극들(SE1)에 비해 상대적으로 긴 길이를 가진 제2 감지 전극들(SE2)에 대하여 영역에 따른 감도를 균일하게 유지시킬 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제3 감지 라인들(TL3)은 생략될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

감지 패드들(TPD)은 주변 영역(NAA)에 배치된다. 감지 패드들(TPD)은 제1 감지 패드들(T1), 제2 감지 패드들(T2), 및 제3 감지 패드들(T3)를 포함할 수 있다. 제1 감지 패드들(T1)은 제1 감지 라인들(TL1)에 각각 연결되어 외부 신호를 제1 감지 전극들(SE1)에 제공한다. 제2 감지 패드들(T2)은 제2 감지 라인들(TL2)에 각각 연결되고 제3 감지 패드들(T3)은 제3 감지 라인들(TL3)에 각각 연결되어 제2 감지 전극들(SE2)과 전기적으로 연결된다.

한편, 모듈 홀(MH)은 감지 유닛(220)에도 정의된다. 모듈 홀(MH)은 액티브 영역(AA)에 정의되어, 제1 감지 전극들(SE1) 중 모듈 홀(MH)과 중첩하는 일부 및 제2 감지 전극들(SE2) 중 모듈 홀(MH)과 중첩하는 일부의 형상이 단절되어 제거될 수 있다. 이에 따라, 제1 감지 전극(SE1)이나 제2 감지 전극(SE2)에 의해 모듈 홀(MH)이 가려지는 문제를 방지할 수 있다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부를 도시한 단면도들이다. 도 4a에는 도 1b에 도시된 전자 패널(200)의 모듈 홀(MH)이 정의된 영역의 단면도를 도시하였고, 도 4b에는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 패널(200-1)의 단면도를 도시하였다. 용이한 설명을 위해, 도 4b에는 도 4a와 대응되는 영역을 도시하였다. 이하, 도 4a 및 도 4b를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다. 한편, 도 1a 내지 도 3c에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 4a에 도시된 것과 같이, 베이스 기판(BS), 보조층(BL), 화소(PX), 복수의 절연층들(10, 20, 30, 40), 봉지 기판(ECG), 및 감지 유닛(220)을 포함한다.

베이스 기판(BS)은 절연 기판일 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(BS)은 플라스틱 기판 또는 유리 기판을 포함할 수 있다. 보조층(BL)은 베이스 기판(BS) 상에 배치되어 베이스 기판(BS)의 전면을 커버한다. 보조층(BL)은 무기물을 포함한다. 보조층(BL)은 배리어층(barrier layer) 및/또는 버퍼층(buffer layer)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 보조층(BL)은 베이스 기판(BS)을 통해 유입되는 산소나 수분이 화소(PX)에 침투되는 것을 방지하거나, 화소(PX)가 베이스 기판(BS) 상에 안정적으로 형성되도록 베이스 기판(BS)의 표면 에너지를 감소시킬 수 있다.

화소(PX)는 액티브 영역(AA)에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 화소(PX)는 도 3a에 도시된 화소(PX)의 등가 회로도의 구성들 중 제2 박막 트랜지스터(TR, 이하, 박막 트랜지스터)와 발광 소자(EE, 이하 OD)를 예시적으로 도시하였다. 제1 내지 제4 절연층들(10, 20, 30, 40) 각각은 유기물 및/또는 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 적층 구조를 가질 수 있다.

박막 트랜지스터(TR)는 반도체 패턴(SP), 제어 전극(CE), 입력 전극(IE), 및 출력 전극(OE)을 포함한다. 반도체 패턴(SP)은 보조층(BL) 상에 배치된다. 반도체 패턴(SP)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제어 전극(CE)은 제1 절연층(10)을 사이에 두고 반도체 패턴(SP)으로부터 이격된다. 제어 전극(CE)은 상술한 제1 박막 트랜지스터(TR1: 도 3a 참조) 및 커패시터(CAP: 도 3a 참조)의 일 전극과 연결될 수 있다.

입력 전극(IE)과 출력 전극(OE)은 제2 절연층(20)을 사이에 두고 제어 전극(CE)으로부터 이격된다. 화소 트랜지스터(TR-P)의 입력 전극(IE)과 출력 전극(OE)은 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20)을 관통하여 반도체 패턴(SP)의 일측 및 타측에 각각 접속된다.

제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 상에 배치되어 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)을 커버한다. 한편, 박막 트랜지스터(TR)에 있어서, 반도체 패턴(SP)이 제어 전극(CE) 상에 배치될 수도 있다. 또는, 반도체 패턴(SP)이 입력 전극(IE)과 출력 전극(OE) 상에 배치될 수도 있다. 또는, 입력 전극(IE)과 출력 전극(OE)은 반도체 패턴(SP)과 동일 층 상에 배치되어 반도체 패턴(SP)에 직접 접속될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터(TR)는 다양한 구조들로 형성될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

발광 소자(OD)는 제3 절연층(30) 상에 배치된다. 발광 소자(OD)는 제1 전극(E1), 발광 패턴(EP), 유기층(EL), 및 제2 전극(E2)을 포함한다.

제1 전극(E1)은 제3 절연층(30)을 관통하여 박막 트랜지스터(TR)에 접속될 수 있다. 한편, 도시되지 않았으나, 전자 패널(200)은 제1 전극(E1)과 박막 트랜지스터(TR) 사이에 배치되는 별도의 연결 전극을 더 포함할 수도 있고, 이때, 제1 전극(E1)은 연결 전극을 통해 박막 트랜지스터(TR)에 전기적으로 접속될 수 있다.

제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 상에 배치된다. 제4 절연층(40)은 유기물 및/또는 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 적층 구조를 가질 수 있다. 제4 절연층(40)에는 개구부가 정의될 수 있다. 개구부는 제1 전극(E1)의 적어도 일부를 노출시킨다. 제4 절연층(40)은 화소 정의막일 수 있다.

발광 패턴(EP)은 개구부에 배치되어, 개구부에 의해 노출된 제1 전극(E1) 상에 배치된다. 발광 패턴(EP)은 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 패턴(EP)은 적색, 녹색, 및 청색을 발광하는 물질들 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성될 수 있으며, 형광 물질 또는 인광 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(EP)은 유기 발광 물질 또는 무기 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(EP)은 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 사이의 전위 차이에 응답하여 광을 발광할 수 있다.

제어층(EL)은 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 배치된다. 제어층(EL)은 발광 패턴(EP)에 인접하여 배치된다. 제어층(EL)은 전하의 이동을 제어하여 발광 소자(OL)의 발광 효율 및 수명을 향상시킨다. 제어층(EL)은 정공 수송 물질, 정공 주입 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.

본 실시예에서, 제어층(EL)은 발광 패턴(EP)과 제2 전극(E2) 사이에 배치된 것으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제어층(EL)은 발광 패턴(EP)과 제1 전극(E1) 사이에 배치될 수도 있고, 발광 패턴(EP)을 사이에 두고 제3 방향(DR3)을 따라 적층되는 복수의 층들로 제공될 수도 있다.

제어층(EL)은 액티브 영역(AA)으로부터 주변 영역(NAA)까지 연장된 일체의 형상을 가질 수 있다. 제어층(EL)은 복수의 화소들에 공통적으로 제공될 수 있다.

제2 전극(E2)은 발광 패턴(EP) 상에 배치된다. 제2 전극(E2)은 제1 전극(E1)과 대향될 수 있다. 제2 전극(E2)은 액티브 영역(AA)으로부터 주변 영역(NAA)까지 연장된 일체의 형상을 가질 수 있다. 제2 전극(E2)은 복수의 화소들에 공통적으로 제공될 수 있다. 화소들 각각에 배치된 각각의 발광 소자(OD)는 제2 전극(E2)을 통해 공통의 전원 전압(이하, 제2 전원 전압)을 수신한다.

제2 전극(E2)은 투과형 도전 물질 또는 반 투과형 도전 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 패턴(EP)에서 생성된 광은 제2 전극(E2)을 통해 제3 방향(DR3)을 향해 용이하게 출사될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(OD)는 설계에 따라, 제1 전극(E1)이 투과형 또는 반 투과형 물질을 포함하는 배면 발광 방식으로 구동되거나, 전면과 배면 모두를 향해 발광하는 양면 발광 방식으로 구동될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

봉지 기판(ECG)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 봉지 기판(ECG)은 유리기판 또는 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 상술한 광학 부재(OP)는 봉지 기판(ECG) 상에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 봉지 기판(ECG)을 포함함으로써, 외부 충격에 대해 향상된 신뢰성을 가질 수 있다.

봉지 기판(ECG)은 제2 전극(E2)으로부터 제3 방향(D3)에서 소정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 봉지 기판(ECG)과 제2 전극(E2) 사이의 공간(GP)은 공기 또는 비활성 기체로 충진될 수 있다.

봉지 기판(ECG)은 실링 부재(PSL)를 통해 베이스 기판(BS)과 결합되고 화소(PX)를 밀봉한다. 봉지 기판(ECG)은 실링 부재(PSL)를 통해 소정의 간격을 유지하며 베이스 기판(BS) 상에 배치될 수 있다.

실링 부재(PSL)는 모듈 홀(MH)의 내면을 정의하는 일 구성일 수 있다. 실링 부재(PSL)는 광 경화성 수지 또는 광 가소성 수지와 같은 유기물을 포함하거나, 프릿 실(frit seal)과 같은 무기물을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

감지 유닛(220)은 봉지 기판(ECG) 상에 배치된다. 감지 유닛(220)은 제1 도전 패턴(MP1), 제2 도전 패턴(MP2), 제1 감지 절연층(SI1), 및 제2 감지 절연층(SI2)을 포함한다.

제1 도전 패턴(MP1)은 봉지 기판(ECG) 상에 배치된다. 제1 도전 패턴(MP1)은 봉지 기판(ECG) 상에 직접 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제1 도전 패턴(MP1)과 봉지 기판(ECG) 사이에는 보호층이 더 배치될 수도 있다.

제1 도전 패턴(MP1)은 도전 물질을 포함한다. 예를 들어, 제1 도전 패턴(MP1)은 금속, 도전성 산화물, 도전성 폴리머, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.

제2 도전 패턴(MP2)은 제1 도전 패턴(MP1) 상에 배치된다. 제2 도전 패턴(MP2)은 도전 물질을 포함한다. 예를 들어, 제2 도전 패턴(MP2)은 금속, 도전성 산화물, 도전성 폴리머, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.

제1 감지 절연층(SI1)은 제1 도전 패턴(MP1)과 제2 도전 패턴(MP2) 사이에 배치된다. 제2 감지 절연층(SI2)은 제1 감지 절연층(SI1) 상에 배치되어 제2 도전 패턴(MP2)을 커버한다. 본 실시예에서, 제2 도전 패턴(MP2) 중 일부는 제1 감지 절연층(SI1)을 관통하여 제1 도전 패턴(MP1) 중 일부와 연결될 수 있다.

제1 도전 패턴(MP1)과 제2 도전 패턴(MP2)은 도 3c에 도시된 제1 감지 전극(SE1: 도 3c 참조)과 제2 감지 전극(SE: 도 3c 참조 2)을 구성할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전 패턴(MP1)은 제2 연결 패턴(CP22: 도 3c 참조)을 구성하고, 제2 도전 패턴(MP2)은 제1 감지 전극(SE1: 도 3c 참조), 및 제2 감지 패턴(SP2: 도 3c 참조)을 구성할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 설명한 것이고, 제1 도전 패턴(MP1)이 제1 감지 전극(SE1)을 구성하고 제2 도전 패턴(MP2)이 제2 감지 전극(SE2)을 구성하거나, 제1 도전 패턴(MP1)이 제1 감지 전극(SE1)과 제2 감지 패턴(SP2)을 구성하고, 제2 도전 패턴(MP2)이 제2 연결 패턴(CP22)을 구성할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

모듈 홀(MH)은 전자 패널(200)을 관통한다. 본 실시예에서, 모듈 홀(MH)의 내면(MHE1)은 베이스 기판(BS), 보조층(BL), 제1 절연층(10), 실링 부재(PSL), 봉지 기판(ECG), 제1 감지 절연층(SI1), 및 제2 감지 절연층(SI2)의 단면에 의해 정의될 수 있다.

한편, 도 4b에 도시된 것과 같이, 전자 패널(200-1)은 봉지층(ECL)을 포함할 수도 있다. 봉지층(ECL)은 표시 소자(OD) 상에 배치되어 표시 소자(OD)를 봉지한다. 봉지층(ECL)은 복수의 화소들에 공통적으로 제공될 수 있다. 한편, 도시되지 않았으나, 제2 전극(E2)과 봉지층(ECL) 사이에는 제2 전극(E2)을 커버하는 캡핑층(capping layer)이 더 배치될 수도 있다.

봉지층(ECL)은 제3 방향(D3)을 따라 순차적으로 적층된 제1 무기층(IOL1), 유기층(OL), 및 제2 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 봉지층(EP-E)은 복수의 무기층들 및 유기층들을 더 포함할 수 있다.

제1 무기층(IOL1)은 제2 전극(E2)을 커버할 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 외부 수분이나 산소가 표시 소자(OD)에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1 무기층(IOL1)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.

유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1) 상에 배치되어 제1 무기층(IOL1)에 접촉할 수 있다. 유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 제1 무기층(IOL1) 상면에 형성된 굴곡이나 제1 무기층(IOL1) 상에 존재하는 파티클(particle) 등은 유기층(OL)에 의해 커버되어, 제1 무기층(IOL1)의 상면의 표면 상태가 유기층(OL) 상에 형성되는 구성들에 미치는 영향을 차단할 수 있다. 또한, 유기층(OL)은 접촉하는 층들 사이의 응력을 완화시킬 수 있다. 유기층(OL)은 유기물을 포함할 수 있고, 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 공정과 같은 용액 공정을 통해 형성될 수 있다.

제2 무기층(IOL2)은 유기층(OL) 상에 배치되어 유기층(OL)을 커버한다. 제2 무기층(IOL2)은 제1 무기층(IOL1) 상에 배치되는 것보다 상대적으로 평탄한 면에 안정적으로 형성될 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 유기층(OL)으로부터 방출되는 수분 등을 봉지하여 외부로 유입되는 것을 방지한다. 제2 무기층(IOL2)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.

평탄화 층(PL)은 봉지층(ECL) 상에 배치될 수 있다. 평탄화 층(PL)은 불 균일한 전면을 제공하는 봉지층(ECL)의 전면을 커버하여 액티브 영역(AA)에 평탄면을 제공한다. 감지 유닛(220)은 평탄화 층(PL) 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 모듈 홀(MH)의 내면(MHE1)은 베이스 기판(BS), 보조층(BL), 제1 절연층(10), 제2 절연층(20), 제1 무기층(IOL1), 제2 무기층(IOL2), 평탄화층(PL), 제1 감지 절연층(SI1), 및 제2 감지 절연층(SI2)의 단면에 의해 정의될 수 있다.

한편, 본 실시예에 따른 전자 패널(200-1)에 있어서, 홀 영역(HA) 내에는 함몰 패턴(GV)이 형성될 수 있다. 함몰 패턴(GV)은 전자 패널(200-1)의 전면으로부터 함몰된 패턴으로, 전자 패널(200-1)의 구성들 중 일부를 제거하여 형성될 수 있다. 한편, 함몰 패턴(GV)은 모듈 홀(MH)과 달리 전자 패널(200-1)을 관통하지 않는다. 이에 따라, 함몰 패턴(GV)과 중첩하는 베이스 기판(BS)의 배면은 함몰 패턴(GV)에 의해 오픈 되지 않는다.

본 실시예에서, 베이스 기판(BS)은 유연성을 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(BS)은 폴리 이미드와 같은 수지를 포함할 수 있다.

함몰 패턴(GV)은 베이스 기판(BS)의 일 부분만을 남기고, 봉지층(ECL) 하측에 배치된 나머지 구성들 중 모듈 홀(MH)에 인접하는 구성들을 관통하여 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 함몰 패턴(GV)은 보조층(BL)에 형성된 관통부와 베이스 기판(BS)에 형성된 함몰부가 연결되어 형성될 수 있다. 함몰 패턴(GV)의 내면은 보조층(BL)에 형성된 관통부와 베이스 기판(BS)에 형성된 함몰부가 제1 무기층(IOL1)및 제2 무기층(IOL2)에 의해 커버되어 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 함몰 패턴(GV)의 내면은 제2 무기층(IOL2)에 의해 제공될 수 있다.

한편, 함몰 패턴(GV)은 내측을 향해 돌출된 팁 부(TP)를 포함하는 언더 컷 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서의 팁 부(TP)는 보조층(BL)의 일부가 베이스 기판(BS)보다 함몰 패턴(GV)의 내 측으로 돌출되어 형성될 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 패널(200-1)은 함몰 패턴(GV1)에 팁 부(TP)가 형성될 수 있다면, 다양한 층 구조를 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

한편, 전자 패널(200-1)은 함몰 패턴(GV) 내에 배치된 소정의 유기 패턴(EL-P)을 더 포함할 수 있다. 유기 패턴(EL-P)은 제어층(EL)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또는 유기 패턴(EL-P)은 제2 전극(E2)이나 미 도시된 캡핑층과 동일한 물질을 포함할 수도 있다. 유기 패턴(EL-P)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.

유기 패턴(EL-P)은 제어층(EL) 및 제2 전극(E2)으로부터 이격되어 함몰 패턴(GV) 내에 배치될 수 있다. 제1 무기층(IOL1)에 의해 커버되어 외부로 노출되지 않을 수 있다.

본 발명에 따르면, 함몰 패턴(GV)은 모듈 홀(MH) 측면에서부터 액티브 영역(AA)까지 연결되는 제어층(EL)의 연속성을 차단한다. 제어층(EL)은 함몰 패턴(GV)과 중첩하는 영역에서 단절될 수 있다. 제어층(EL)은 수분이나 공기 등의 외부 오염의 이동 경로가 될 수 있다. 모듈 홀(MH)에 의해 노출된 층, 예를 들어 제어층(EL)으로부터 유입될 수 있는 수분이나 공기가 홀 영역(MHA)을 지나 화소(PX)로 유입되는 경로가 함몰 패턴(GV)에 의해 차단될 수 있다. 이에 따라, 모듈 홀(MH)이 형성된 전자 패널(200-1)의 신뢰성이 향상될 수 있다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 패널(200-1)에 있어서, 함몰 패턴(GV)은 배선 영역(LA) 내에서 서로 이격되어 배열된 복수로 구비될 수도 있다. 또는, 함몰 패턴(GV)은 유기층(OL)의 일부에 의해 충진될 수도 있다. 또는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)에 있어서, 함몰 패턴(GV)은 생략될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도들이다. 도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 단면도들이다. 도 5a 내지 도 5c에는 모듈 홀(MH)이 정의된 영역을 도시하였다. 도 6a에는 도 5a에 도시된 Ⅰ-Ⅰ'를 따라 자른 단면을 도시하였고, 도 6b에는 도 5a에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 자른 단면을 도시하였고, 도 6c에는 도 6b와 대응되는 영역을 도시하였다. 이하, 도 5a 내지 도 6c를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.

도 5a에 도시된 것과 같이, 모듈 홀(MH)은 감지 전극들 중 일부에 의해 에워싸일 수 있다. 감지 전극들 중 일부는 모듈 홀(MH)에 인접하여 일부가 절단된 형상을 가질 수 있다.

구체적으로, 도 5a에는 제1 감지 전극(SE1) 중 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14), 행 연결 패턴들(CP11, CP12), 및 제1 연결 라인(BL1)이 예시적으로 도시되었고, 제2 감지 전극(SE2) 중 열 감지 패턴들(SP21, SP22, SP23, SP24), 열 연결 패턴들(CP21, CP22), 및 제2 연결 라인(BL2)이 예시적으로 도시되었다.

행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14)은 제1 내지 제4 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14)을 포함한다. 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제2 행 감지 패턴(SP12)은 모듈 홀(MH)을 사이에 두고 이격되어 배치될 수 있다. 제1 행 감지 패턴(SP11)은 모듈 홀(MH)을 기준으로 좌 측에 배치되고 제2 행 감지 패턴(SP12)은 모듈 홀(MH)을 기준으로 우 측에 배치된다. 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제2 행 감지 패턴(SP12)은 서로 마주하는 일 측들(sides)을 포함한다. 일 측들은 모듈 홀(MH)을 따라 연장된 곡선을 포함할 수 있다.

행 연결 패턴들(CP11, CP12)은 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14) 중 인접하여 배치된 행 감지 패턴들을 연결한다. 본 실시예에서, 행 연결 패턴들(CP11, CP12)은 제1 행 연결 패턴(CP11) 및 제2 행 연결 패턴(CP12)을 포함한다. 제1 행 연결 패턴(CP11)은 제1 행 감지 패턴(SP11)의 일 측에 대향하는 타 측에 연결되어, 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제3 행 감지 패턴(SP13)을 연결한다. 제2 행 연결 패턴(CP12)은 제2 행 감지 패턴(SP12)의 일 측에 대향하는 타 측에 연결되어, 제2 행 감지 패턴(SP12)과 제4 행 감지 패턴(SP14)을 연결한다.

제1 연결 라인(BL1)은 홀 영역(HA)과 중첩하여 배치될 수 있다. 제1 연결 라인(BL1)은 모듈 홀(MH)의 일부를 따라 연장된 곡선을 포함한다. 제1 연결 라인(BL1)은 제1 행 감지 패턴(SP11)의 일 측과 제2 행 감지 패턴(SP12)의 일 측을 연결한다.

제1 연결 라인(BL1)의 일 단은 제1 행 컨택부(CT11)를 통해 제1 행 감지 패턴(SP11)과 연결될 수 있다. 제1 연결 라인(BL1)의 타 단은 제2 행 컨택부(CT12)를 통해 제2 행 감지 패턴(SP12)과 연결될 수 있다. 제1 연결 라인(BL1)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.

열 감지 패턴들(SP21, SP22, SP23, SP24)은 제1 내지 제4 열 감지 패턴들(SP21, SP22, SP23, SP24)을 포함한다. 제1 열 감지 패턴(SP21)과 제2 열 감지 패턴(SP22)은 모듈 홀(MH)을 사이에 두고 이격되어 배치될 수 있다. 제1 열 감지 패턴(SP21)은 모듈 홀(MH)을 기준으로 상 측에 배치되고 제2 열 감지 패턴(SP22)은 모듈 홀(MH)을 기준으로 하 측에 배치된다. 제1 열 감지 패턴(SP21)과 제2 열 감지 패턴(SP22)은 서로 마주하는 일 측들(sides)을 포함한다. 일 측들은 모듈 홀(MH)을 따라 연장된 곡선을 포함할 수 있다.

열 연결 패턴들(CP21, CP22)은 열 감지 패턴들(SP21, SP22, SP23, SP24) 중 인접하여 배치된 열 감지 패턴들을 연결한다. 본 실시예에서, 열 연결 패턴들(CP21, CP22)은 제1 열 연결 패턴(CP21) 및 제2 열 연결 패턴(CP22)을 포함한다. 제1 열 연결 패턴(CP21)은 제1 열 감지 패턴(SP21)의 일 측에 대향하는 타 측에 연결되어, 제1 열 감지 패턴(SP21)과 제3 열 감지 패턴(SP23)을 연결한다. 제2 열 연결 패턴(CP22)은 제2 열 감지 패턴(SP22)의 일 측에 대향하는 타 측에 연결되어, 제2 열 감지 패턴(SP22)과 제4 열 감지 패턴(SP24)을 연결한다.

제2 연결 라인(BL2)은 홀 영역(HA)과 중첩하여 배치될 수 있다. 제2 연결 라인(BL2)은 모듈 홀(MH)의 일부를 따라 연장된 곡선을 포함한다. 본 실시예에서, 제2 연결 라인(BL2)은 반원 형상으로 도시되었다. 제2 연결 라인(BL2)은 제1 열 감지 패턴(SP21)의 일 측과 제2 열 감지 패턴(SP22)의 일 측을 연결한다.

제2 연결 라인(BL2)의 일 단은 제1 열 컨택부(CT21)를 통해 제1 열 감지 패턴(SP21)과 연결될 수 있다. 제2 연결 라인(BL2)의 타 단은 제2 열 컨택부(CT22)를 통해 제2 열 감지 패턴(SP22)과 연결될 수 있다.

본 실시예에서, 제1 연결라인(BL1)과 제2 연결 라인(BL2)은 평면상에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 연결라인(BL1)과 제2 연결 라인(BL2)은 평면상에서 서로 비 중첩한다.

제1 연결 라인(BL1)은 적어도 곡선을 포함할 수 있다. 제1 연결 라인(BL1)의 곡선 부분은 홀 영역(HA) 내부에 중첩하고, 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14, SP21, SP22, SP23, SP24)로부터 평면상에서 이격된다.

제1 연결 라인(BL1)의 일 단 및 타 단은 홀 영역(HA)의 외측으로 연장되어 제1 행 감지 패턴(SP11)이나 제2 행 감지 패턴(SP12)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 연결 라인(BL1)의 일 단은 홀 영역(HA) 외 측으로 연장되어 제1 행 감지 패턴(SP11)과 평면상에서 중첩한다. 제1 행 컨택부(CT11)는 제1 연결 라인(BL1)의 일 단과 제1 행 감지 패턴(SP11)이 중첩하는 영역에 정의될 수 있다.

제1 연결 라인(BL1)의 타 단은 홀 영역(HA)의 외 측으로 연장되어 제2 행 감지패턴(SP12)과 평면상에서 중첩한다. 제2 행 컨택부(CT12)는 제1 연결 라인(BL1)의 타 단과 제2 행 감지 패턴(SP12)이 중첩하는 영역에 정의될 수 있다.

도 6a를 참조하면, 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제1 연결 라인(BL1)은 다른 층 상에 배치된다. 제1 행 컨택부(CT11)는 제1 감지 절연층(SI1)을 관통하여 제1 감지 절연층(SI1) 상에 배치된 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제1 감지 절연층(SI1) 하 측에 배치된 제1 연결 라인(BL1)을 연결한다.

상술한 바와 같이, 모듈 홀(MH)은 표시 유닛(210) 및 감지 유닛(220)을 관통한다. 이에 따라, 제1 감지 절연층(SI1)의 일 단(SI1_E) 및 제2 감지 절연층(SI2)의 일 단(SI2_E)은 감지 유닛(220)에 형성된 모듈 홀(MH)의 내면(TS_E)을 정의할 수 있다.

본 실시예에서, 제1 연결라인(BL1)과 제2 연결 라인(BL2)은 동일 층 상에 배치된다. 제1 연결 라인(BL1)과 제2 연결 라인(BL2)은 평면상에서 서로 이격되어 배치된다. 본 발명에 따르면, 제1 연결 라인(BL1)은 홀 영역(HA)으로부터 제1 행 감지 패턴(SP11)과 중첩하는 영역까지 연장되어 제1 행 연결부(CT11)를 통해 제1 행 감지 패턴(SP11)에 안정적으로 접속될 수 있다.

제1 및 제2 행 연결 패턴들(CP11, CP12)은 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14)과 동일 층 상에 배치된다. 본 실시예에서, 제1 행 연결 패턴(CP11)은 제1 행 감지 패턴(SP11) 및 제3 행 감지 패턴(SP13)과 일체로 형성되고 제2 행 연결 패턴(CP12)은 제2 행 감지 패턴(SP12)과 제4 행 감지 패턴(SP14)과 일체로 형성된 것으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제1 및 제2 행 연결 패턴들(CP11, CP12)은 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14)과 다른 층 상에 배치될 수도 있고, 제1 및 제2 행 연결 패턴들(CP11, CP12)은 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14)과 별도로 형성되어 직접 접촉될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

본 발명에 따르면, 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14)은 모듈 홀(MH)을 사이에 두고 이격되어 배치되더라도, 행 연결 패턴들(CP11, CP12) 및 제1 연결 라인(BL1)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제2 행 감지 패턴(SP12)과 같이 감지 패턴이 모듈 홀(MH)에 인접하여 부분적으로 절단된 형상을 갖더라도, 제1 연결 라인(BL1)을 통해 연결됨으로써, 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14) 사이의 안정적인 전기적 연결이 가능해질 수 있다.

도 6b를 참조하면, 제1 열 감지 패턴(SP21)과 제2 연결 라인(BL2)은 다른 층 상에 배치된다. 제1 열 컨택부(CT21)는 제1 감지 절연층(SI1)을 관통하여 제1 감지 절연층(SI1) 상에 배치된 제1 열 감지 패턴(SP21)과 제1 감지 절연층(SI1) 하 측에 배치된 제2 연결 라인(BL2)을 연결한다.

본 실시예에서, 제1 열 감지 패턴(SP21)은 홀 영역(HA)과 비 중첩하는 메인부(P1) 및 홀 영역(HA)과 중첩하는 돌출부(P2)를 포함할 수 있다. 메인부(P1)는 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL2)으로부터 평면상에서 이격된다. 메인부(P1)는 실질적으로 제1 행 감지 패턴(SP11)이 시계 방향을 따라 90도 회전 이동한 형상과 대응될 수 있다.

돌출부(P2)는 메인부(P1)에 연결된다. 돌출부(P2)는 메인부(P1)로부터 홀 영역(HA)으로 돌출될 수 있다. 돌출부(P2)는 제2 연결 라인(BL2)을 따라 연장된다. 본 실시예에서, 돌출부(P2)는 메인부(P1)와 일체로 형성될 수 있다. 돌출부(P2)는 평면상에서 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL2)에 각각 중첩할 수 있다.

돌출부(P2)는 제1 연결 라인(BL1)을 지나 제2 연결 라인(BL2)과 연결될 수 있다. 제1 열 컨택부(CT21)는 돌출부(P2)에 정의된다. 제1 열 컨택부(CT21)는 제1 감지 절연층(SI1)을 관통하여 돌출부(P2)와 제2 연결 라인(BL2)을 접속시킨다.

한편, 본 실시예에서, 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL2)은 제1 열 연결 패턴(CP21)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL2)은 제1 열 연결 패턴(CP21)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이때, 제1 열 연결 패턴(CP21) 형성 시 동일한 마스크를 이용하여 제1 연결 라인(BL1)과 제2 연결 라인(BL2)을 함께 형성할 수 있어, 공정이 단순화되고 공정 비용이 절감될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 설명한 것이고, 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL2)은 제1 열 연결 패턴(CP21)과 다른 물질을 포함할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

한편, 도 6c에 도시된 것과 같이, 감지 유닛(220A)에 있어서, 제1 열 감지 패턴(SP21A)은 서로 다른 층 상에 배치된 메인부(P11) 및 돌출부(P21)를 포함할 수도 있다. 본 실시예에서, 메인부(P11)는 제1 감지 절연층(SI1)과 제2 절연층(SI2) 사이에 배치되고, 돌출부(P21)는 제2 감지 절연층(SI2) 상에 배치된 것으로 도시되었다. 돌출부(P21)는 제2 감지 절연층(SI2)을 관통하여 메인부(P11)에 접속되고 제1 감지 절연층(SI1) 및 제2 감지 절연층(SI2)을 관통하여 제2 연결 라인(BL2)에 접속될 수 있다. 이때, 제1 열 컨택부(CT21A)는 제1 감지 절연층(SI1) 및 제2 감지 절연층(SI2)을 관통하여 정의될 수 있다.

본 발명에 따르면, 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL2)을 포함함으로써, 모듈 홀(MH)을 사이에 두고 이격된 감지패턴들을 가진 제1 감지 전극(SE1)과 제2 감지 전극(SE2) 각각의 전기적 연결을 안정적으로 유지할 수 있다. 또한, 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL2)을 서로 비 중첩하도록 설계하고, 감지 패턴들과 다른 층 상에 배치되도록 함으로써, 제1 연결 라인(BL1)과 제2 연결 라인(BL2) 사이의 단락을 안정적으로 방지할 수 있다. 본 발명에 따르면, 전자 패널(200)에 모듈 홀(MH)이 형성되더라도, 모듈 홀(MH)에 의한 감도 저하를 용이하게 방지할 수 있다.

한편, 도 5b에 도시된 것과 같이, 감지 유닛(220-1)은 다양한 형상을 가진 감지 전극들(SE1-1, SE2-1)을 포함할 수 있다. 감지 전극들(SE1-1, SE2-1)은 각각 복수의 굴곡들을 가진 가장자리를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 행 감지 패턴(SP11-1)에 있어서, 모듈 홀(MH)과 마주하는 변(S11_H)은 곡선을 포함하고, 대향되는 변(S11_E)은 복수의 굴곡들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 감지 전극(SE1-1) 및 제2 감지 전극(SE2-1) 사이의 감도가 향상되고 시인성이 개선될 수 있다.

또는 도 5c에 도시된 것과 같이, 감지 유닛(220-3)은 메쉬 형상을 가진 감지 전극들(SE1-2, SE2-2)을 포함할 수 있다. 감지 패턴들(SP11-2, SP12-2, SP13-2, SP14-2, SP21-2, SP22-2, SP23-2, SP24-2) 각각은 서로 교차하는 복수의 메쉬 선들로 구성될 수 있다. 메쉬 선들은 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 메쉬 선들은 금속, 도전성 금속 산화물, 도전성 폴리머, 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있다. 이에 따라, 감지 유닛(220-2)은 향상된 유연성을 가질 수 있어, 폴딩 스트레스에 대해 향상된 신뢰성을 가질 수 있다.

본 발명에 따르면, 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL2)에 의해 연결될 수 있다면, 다양한 형상을 가진 감지 패턴들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도들이다. 도 7a 내지 도 7d에는 용이한 설명을 위해 도 5a와 대응되는 영역을 도시하였다. 이하, 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다. 한편, 도 1a 내지 도 6c에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 7a 내지 도 7d에 도시된 열 감지 패턴들(SP21, SP22, SP23, SP24), 열 연결 패턴들(CP21, CP22), 행 연결 패턴들(CP11, CP12), 제3 행 감지 패턴(SP13), 제4 행 감지 패턴(SP14), 및 제2 연결 라인(BL2)은 도 5a에 도시된 구성들과 실질적으로 대응될 수 있다. 이하, 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 7a에 도시된 것과 같이, 제1 연결 라인(BL1_A)은 제1 행 감지 패턴(SP11_A)과 제2 행 감지 패턴(SP12_A)을 연결한다. 이때, 제1 행 컨택부(CT11_A)는 인접하는 열 감지 패턴, 예를 들어, 제1 열 감지 패턴(SP21)에 인접하도록 제1 행 감지 패턴(SP11_A)의 중심으로부터 가장자리로 치우친 영역에 정의될 수 있다. 또한, 제2 행 컨택부(CT12_A)는 인접하는 열 감지 패턴, 예를 들어, 제1 열 감지 패턴(SP21)에 인접하도록 제2 행 감지 패턴(SP12_A)의 중심으로부터 상 측으로 치우친 영역에 정의될 수 있다.

이에 따라, 제1 연결 라인(BL1_A)의 길이는 실질적으로 도 5a에 도시된 제1 연결 라인(BL1)보다 감소될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제1 행 컨택부(CT11_A) 및 제2 행 컨택부(CT12_A)의 위치에 따라 제1 연결 라인(BL1_A)의 길이는 다양하게 설계될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

또는, 도 7b에 도시된 것과 같이, 감지 유닛(220_B)은 복수의 제1 연결 라인들(BL1_B1, BL1_B2)을 포함할 수 있다. 제1 연결 라인들(BL1_B1, BL1_B2)은 각각 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제2 행 감지 패턴(SP12)을 연결한다. 구체적으로, 제1 연결 라인들(BL1_B1, BL1_B2) 중 상 측 연결 라인(BL1_B1)은 상대적으로 제1 열 감지 패턴(SP21)에 치우치도록 배치되어 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제2 행 감지 패턴(SP12)을 연결한다. 제1 연결 라인들(BL1_B1, BL1_B2) 중 하 측 연결 라인(BL1_B2)은 상대적으로 제2 열 감지 패턴(SP22)에 치우치도록 배치되어 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제2 행 감지 패턴(SP12)을 연결한다.

본 발명에 따르면, 감지 유닛(220_B)은 복수의 제1 연결 라인들(BL1_B1, BL1_B2)을 포함함으로써, 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제2 행 감지 패턴(SP12)이 네 개의 컨택부들(CT11_B1, CT11_B2, CT21_B1, CT22_B2)을 통해 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제2 행 감지 패턴(SP12) 사이의 전기적 저항을 감소시켜, 전기적 연결이 용이하게 이루어질 수 있다. 또한, 복수의 제1 연결 라인들(BL1_B1, BL1_B2)을 포함함으로써, 어느 하나의 제1 연결 라인이 손상되더라도 전기적 연결이 안정적으로 유지될 수 있어, 감지 유닛(220_B)의 신뢰성이 향상될 수 있다.

또는, 도 7c에 도시된 것과 같이, 감지 유닛(220_C)에 있어서, 제1 연결 라인(BL1_C)은 반원 형상의 곡선으로만 이루어질 수도 있다. 본 실시예에서, 제1 연결 라인(BL1_C)은 상측으로 굴곡된 반원 형상으로 도시되었다.

이때, 제1 행 감지 패턴(SP11_A) 및 제2 행 감지 패턴(SP12_A) 각각은 메인부(SPP1) 및 돌출부(SPP2)를 포함할 수 있다. 메인부(SPP1)는 홀 영역(HA)과 비 중첩하는 부분일 수 있다. 메인부(SPP1)는 제1 연결 라인(BL1_C)으로부터 평면상에서 이격된다. 본 발명에 있어서, 메인부(SPP1)는 제1 열 감지 패턴(SP21)이 반 시계 방향으로 90도 회전 이동한 형상과 대응될 수 있다.

돌출부(SPP2)는 메인부(SPP1)에 연결되어 일체의 형상을 가질 수 있다. 돌출부(SPP2)는 홀 영역(HA)과 중첩하는 부분일 수 있다. 돌출부(SPP2)는 제2 연결 라인(BL2)으로부터 이격되고 제1 연결 라인(BL1_C)과 평면상에서 중첩한다.

본 실시예에서, 제1 연결 라인(BL1_C)과 제1 행 감지 패턴(SP11_A) 사이의 전기적 연결은 제1 연결 라인(BL1_C) 중 제1 행 감지 패턴(SP11_A)과 중첩하는 영역에서 이루어질 수 있다. 또한, 제1 연결 라인(BL1_C)과 제2 행 감지 패턴(SP12_A) 사이의 전기적 연결은 제1 연결 라인(BL1_C) 중 제2 행 감지 패턴(SP12_A)과 중첩하는 영역에서 이루어질 수 있다. 이에 따라, 제1 행 감지 패턴(SP11_A)과 제1 연결 라인(BL1_C) 및 제2 행 감지 패턴(SP12_A)과 제1 연결 라인(BL1_C) 사이의 컨택부는 평면상에서 곡선 형상으로 제공될 수 있다.

본 발명에 따르면, 돌출부(SPP2)를 더 포함함으로써, 제1 행 감지 패턴(SP11_A)과 제2 행 감지 패턴(SP12_A)의 면적이 증가될 수 있다. 이에 따라, 홀 영역(HA)과 인접한 영역에서의 감도 저하를 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 제1 연결 라인(BL1_C)의 형상을 모듈 홀(MH)이 형상과 유사한 곡선 형상으로만 형성할 수 있어 설계가 단순화될 수 있다. 또한, 행 감지 패턴들과 제1 연결 라인(BL1_C)과의 접촉 면적이 증가될 수 있어, 전기적 특성이 향상될 수 있다.

또는, 도 7d를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛(220_D)에 있어서, 제1 연결 라인(BL1_D)은 폐라인 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서, 제1 연결 라인(BL1_D)은 모듈 홀(MH)을 에워싸는 원 형상으로 도시되었다. 제1 연결 라인(BL1_D)은 제2 연결 라인(BL2)과 평면상에서 이격된다. 한편, 제1 연결 라인(BL1_D)은 폐라인 형상에 해당되고 제2 연결 라인(BL2)으로부터 이격되어 배치될 수 있다면, 다각형이나 타원형을 가질 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

제1 연결 라인(BL1_D)은 제1 행 감지 패턴(SP11_A)과 제2 행 감지 패턴(SP12_A) 각각의 돌출부들(SPP2)과 평면상에서 중첩하고 접촉될 수 있다. 본 발명에 따르면, 감지 유닛(220_D)은 폐라인 형상의 제1 연결 라인(BL1_D)을 포함함으로써, 설계를 단순화시킬 수 있다. 또한, 제1 연결 라인(BL1_D)과 행 감지 패턴들 사이의 접속 면적이 증가될 수 있어, 모듈 홀(MH)과 인접한 영역에서의 감도가 향상되고, 감지 유닛(220_D)의 전기적 신뢰성이 향상될 수 있다.

본 발명에 따른 감지 유닛(220_A, 220_B, 220_C, 220_D)에 따르면, 제1 연결 라인(BL1_A, BL1_B1, BL1_B2, BL1_C, BL1_D)의 형상을 다양하게 설계함으로써, 모듈 홀(MH)과 인접한 영역에서의 행 감지 패턴들 사이의 전기적 연결을 용이하게 할 수 있고, 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 본 발명에 따른 감지 유닛(220_A, 220_B, 220_C, 220_D)은 다양한 형태로 제공될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도들이다. 도 8a 내지 도 8d에는 용이한 설명을 위해 도 5a와 대응되는 영역을 도시하였다. 이하, 도 8a 내지 도 8d를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다. 한편, 도 1a 내지 도 7d에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 8a 내지 도 8d에 도시된 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14), 행 연결 패턴들(CP11, CP12), 열 연결 패턴들(CP21, CP22), 제3 열 감지 패턴(SP23), 제4 열 감지 패턴(SP24), 및 제1 연결 라인(BL1)은 도 5a에 도시된 구성들과 실질적으로 대응될 수 있다. 이하, 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 8a에 도시된 것과 같이, 감지 유닛(220_AA)에 있어서, 제2 연결 라인(BL2_A)은 제1 열 감지 패턴(SP21_A)과 제2 열 감지 패턴(SP22_A)을 연결한다. 이때, 제1 열 컨택부(CT21_A)는 인접하는 행 감지 패턴, 예를 들어, 제1 행 감지 패턴(SP11)에 인접하도록 제1 열 감지 패턴(SP21_A)의 중심으로부터 좌 측으로 치우친 영역에 정의될 수 있다. 또한, 제2 열 컨택부(CT22_A)는 인접하는 행 감지 패턴, 예를 들어, 제1 행 감지 패턴(SP11)에 인접하도록 제2 열 감지 패턴(SP22_A)의 중심으로부터 좌측으로 치우친 영역에 정의될 수 있다.

이에 따라, 제2 연결 라인(BL2_A)의 길이는 실질적으로 도 5a에 도시된 제2 연결 라인(BL2)보다 감소될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제1 열 컨택부(CT21_A) 및 제2 열 컨택부(CT22_A)의 위치에 따라 제2 연결 라인(BL2_A)의 길이는 다양하게 설계될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

또는, 도 8b에 도시된 것과 같이, 감지 유닛(220_BB)은 복수의 제2 연결 라인들(BL2_B1, BL1_B2)을 포함할 수 있다. 제2 연결 라인들(BL2_B1, BL1_B2)은 각각 제1 열 감지 패턴(SP21_B)과 제2 열 감지 패턴(SP22_B)을 연결한다. 본 실시예에서, 제1 열 감지 패턴(SP12_B) 및 제2 열 감지 패턴SP22_B) 각각은 메인부(P1B), 제1 돌출부(P21B), 및 제2 돌출부(P22B)를 포함할 수 있다. 메인부(P1B)는 홀 영역(HA)으로부터 이격된 부분일 수 있다. 메인부(P1B)는 평면상에서 홀 영역(HA)과 비 중첩하고 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인들(BL2_B1, BL2_B2)과도 비 중첩한다.

제1 돌출부(P21B) 및 제2 돌출부(P22B)는 메인부(P1B)와 연결되고 각각 메인부(P1B)로부터 홀 영역(HA)을 향해 돌출된다. 제1 돌출부(P21B) 및 제2 돌출부(P22B)는 제2 연결 라인들(BL2_B1, BL2_B2)과 교차하는 방향을 따라 연장될 수 있다. 제1 돌출부(P21B) 및 제2 돌출부(P22B)는 홀 영역(HA)까지 연장되어 제2 연결 라인들(BL2_B1, BL2_B2)과 평면상에서 중첩할 수 있다. 이때, 제1 연결 라인(BL1)과도 부분적으로 중첩할 수 있다.

제2 연결 라인들(BL2_B1, BL2_B2) 중 좌 측 연결 라인(BL2_B1)은 상대적으로 제1 행 감지 패턴(SP11)에 치우치도록 배치되어 제1 열 감지 패턴(SP21_B)과 제2 열 감지 패턴(SP22_B)을 연결한다. 제2 연결 라인들(BL2_B1, BL2_B2) 중 우 측 연결 라인(BL2_B2)은 상대적으로 제2 행 감지 패턴(SP12)에 치우치도록 배치되어 제1 열 감지 패턴(SP21_B)과 제2 열 감지 패턴(SP22_B)을 연결한다. 제2 연결 라인들(BL2_B1, BL2_B2)은 실질적으로 제1 돌출부(P21B) 및 제2 돌출부(P22B)를 통해 열 감지 패턴들에 연결될 수 있다.

본 발명에 따르면, 감지 유닛(220_BB)은 복수의 제2 연결 라인들(BL2_B1, BL2_B2)을 포함함으로써, 열 감지 패턴들(SP21_B, SP22_B) 사이의 전기적 연결을 용이하게 할 수 있다. 또한, 어느 하나의 제2 연결 라인이 손상되더라도 열 감지 패턴들(SP21_B, SP22_B) 사이의 전기적 연결이 안정적으로 유지될 수 있어, 감지 유닛(220_BB)의 신뢰성이 향상될 수 있다.

또는, 도 8c에 도시된 것과 같이, 감지 유닛(220_CC)에 있어서, 제2 연결 라인(BL2_C)은 폐라인 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서, 제2 연결 라인(BL2_C)은 모듈 홀(MH)을 에워싸는 원 형상으로 도시되었다. 제2 연결 라인(BL2_C)은 제1 연결 라인(BL1)과 평면상에서 이격된다. 제2 연결 라인(BL2_C)은 제1 연결 라인(BL1)에 비해 상대적으로 모듈 홀(MH)에 인접하여 배치될 수 있다. 한편, 제2 연결 라인(BL2_C)은 폐라인 형상에 해당되고 제1 연결 라인(BL1)으로부터 이격되어 배치될 수 있다면, 다각형이나 타원형을 가질 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

본 실시예에서, 제1 열 감지 패턴(SP21_B)과 제2 열 감지 패턴(SP22_B)은 도 8b에 도시된 제1 열 감지 패턴(SP21_B) 및 제2 열 감지 패턴(SP22_B)과 대응될 수 있다. 제2 연결 라인(BL2_C)은 제1 열 감지 패턴(SP21_B)과 제2 열 감지 패턴(SP22_B) 각각의 돌출부들(P21B, P22B)과 평면상에서 중첩하고 접촉될 수 있다. 열 감지 패턴들(SP21_B, SP22_B)과 제2 연결 라인(BL2_C) 사이의 컨택부(CT2_R)는 돌출부들(P21B, P22B)과 중첩하는 영역에 정의될 수 있다.

본 발명에 따르면, 하나의 제2 연결 라인(BL2_C)으로 복수의 돌출부들(P21B, P22B)에 각각 연결될 수 있다. 이에 따라, 제2 연결 라인(BL2_C)의 일부가 손상되더라도 열 감지 패턴들(SP21_B, SP22_B) 사이의 전기적 연결이 유지될 수 있다. 이에 따라, 감지 유닛(220_CC)의 전기적 신뢰성이 향상되면서도 감지 유닛(220_C)의 설계를 단순화시킬 수 있다.

또는, 도 8d에 도시된 것과 같이, 감지 유닛(220_DD)에 있어서, 제2 연결 라인(BL2_D)은 폐라인 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서, 제2 연결 라인(BL2_D)은 도 8c에 도시된 제2 연결 라인(BL2_C)과 대응되는 형상으로 도시되었다.

제2 연결 라인(BL2_D)은 제1 열 감지 패턴(SP21-C) 및 제2 열 감지 패턴(SP22-C) 각각에 중첩할 수 있다. 제1 열 감지 패턴(SP21-C) 및 제2 열 감지 패턴(SP22-C) 각각은 메인부(SPP3) 및 돌출부(SPP4)를 포함할 수 있다.

메인부(SPP3)는 홀 영역(HA)과 비 중첩하는 부분일 수 있다. 메인부(SPP3)는 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL2_D)으로부터 평면상에서 이격될 수 있다. 메인부(SPP3)는 제1 행 감지 패턴(SP11)이 시계 방향을 따라 90도 회전 이동한 형상과 대응될 수 있다.

돌출부(SPP4)는 홀 영역(HA)과 중첩하는 부분일 수 있다. 돌출부(SPP4)는 메인부(SPP3)와 연결되어 일체로 형성될 수 있다. 돌출부(SPP4)는 홀 영역(HA) 내로 연장되어 제2 연결 라인(BL2_D)과 중첩한다. 이때, 돌출부(SPP4)는 제1 연결 라인(BL1)과 부분적으로 중첩할 수 있다.

열 감지 패턴들과 제2 연결 라인(BL2_D) 사이의 컨택부(CT2_R1)는 돌출부(SPP4)와 중첩하여 정의될 수 있다. 본 실시예에서, 컨택부(CT2_R1)는 곡선 형상으로 도시되었다.

본 발명에 따르면, 돌출부(SPP4)를 더 포함함으로써, 제1 열 감지 패턴(SP21-C)과 제2 열 감지 패턴(SP22-C)의 면적이 증가될 수 있다. 이에 따라, 홀 영역(HA)과 인접한 영역에서의 감도 저하를 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 제2 연결 라인(BL2_D)의 형상을 모듈 홀(MH)이 형상과 유사한 곡선 형상으로 형성할 수 있어 설계가 단순화될 수 있다. 또한, 열 감지 패턴들과 제2 연결 라인(BL2_D)과의 접촉 면적이 증가될 수 있어, 전기적 특성이 향상될 수 있다.

본 발명에 따른 감지 유닛(220_AA, 220_BB, 220_CC, 220_DD)에 따르면, 제2 연결 라인(BL2_A, BL2_B1, BL2_B2, BL2_C, BL2_D)의 형상을 다양하게 설계함으로써, 모듈 홀(MH)과 인접한 영역에서의 행 감지 패턴들 사이의 전기적 연결을 용이하게 할 수 있고, 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 본 발명에 따른 감지 유닛(220_AA, 220_BB, 220_CC, 220_DD)은 다양한 형태로 제공될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도이다. 도 9b는 도 9a에 도시된 ZZ'영역을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도이다. 도 9a 및 도 9c에는 용이한 설명을 위해, 모듈 홀(MH)과 인접하여 배치된 제1 열 감지 패턴(SP21_B), 제1 행 감지 패턴(SP11)의 일부, 및 제2 행 감지 패턴(SP12)의 일부가 배치된 영역을 도시하였고 일부 구성들은 생략하여 도시하였다. 한편, 본 실시예에서, 제1 열 감지 패턴(SP21_B), 제1 행 감지 패턴(SP11), 제2 행 감지 패턴(SP12), 제1 연결 라인(BL1), 및 제2 연결 라인(BL2_C)은 도 8c에 도시된 제1 열 감지 패턴(SP21_B), 제1 행 감지 패턴(SP11)의 일부, 제2 행 감지 패턴(SP12), 제1 연결 라인(BL1), 및 제2 연결 라인(BL2_C)과 대응될 수 있다. 이하, 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 9a에 도시된 것과 같이, 감지 유닛(220-2)은 복수의 더미 패턴들(DM11, DM12, DM2, DM31, DM32)을 더 포함할 수 있다. 더미 패턴들(DM11, DM12, DM2, DM31, DM32)은 배선 영역(LA)에 배치되어 모듈 홀(MH)을 에워쌀 수 있다. 더미 패턴들(DM11, DM12, DM2, DM31, DM32)은 제1 더미 패턴(DM11, DM12), 제2 더미 패턴(DM2), 및 제3 더미 패턴(DM31, DM32)을 포함할 수 있다.

제1 더미 패턴(DM11, DM12)은 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL_C) 사이에 배치된다. 제1 더미 패턴(DM11, DM12)은 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 더미 패턴(DM11, DM12)은 금속, 도전성 산화물, 도전성 폴리머, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 제1 더미 패턴(DM11, DM12)은 제1 연결 라인(BL1)과 제2 연결 라인(BL2_C) 사이를 전기적으로 차폐할 수 있다. 이에 따라, 서로 상이한 전압을 전달하는 제1 연결 라인(BL1)과 제2 연결 라인(BL2_C) 사이의 기생 커패시턴스 발생을 방지하여, 감지 유닛(220-2)에서의 노이즈 발생을 용이하게 방지할 수 있다.

제1 더미 패턴(DM11, DM12)은 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL_C) 제1 더미 패턴(DM11, DM12)은 복수로 구비되어 서로 이격될 수 있다. 또한, 제1 더미 패턴(DM11, DM12) 각각의 두께(WD1)는 제1 연결 라인(BL1)과 제2 연결 라인(BL2) 사이의 전압 차이에 따라 달라질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 더미 패턴(DM11, DM12)은 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL_C) 사이의 간격에 따라, 단수로 구비되거나 더 많은 수로 구비될 수도 있고, 다양한 두께(WD1)로 설계될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

제2 더미 패턴(DM2)은 제2 연결 라인(BL2_C)과 제1 및 제2 행 감지 패턴들(SP11, SP12) 사이에 배치될 수 있다. 이때, 제2 더미 패턴(DM2)은 모듈 홀(MH)을 에워싸는 폐라인 형상으로 도시되었다. 이에 따라, 제2 더미 패턴(DM2) 중 일부는 제2 연결 라인(BL2_C)과 제1 열 감지 패턴(SP21_B) 사이에 배치될 수도 있다.

제2 더미 패턴(DM2)은 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 더미 패턴(DM2)은 금속, 도전성 산화물, 도전성 폴리머, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 제2 더미 패턴(DM2)은 제2 연결 라인(BL2_C)과 제1 및 제2 행 감지 패턴들(SP11, SP12) 사이를 전기적으로 차폐할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 행 감지 패턴들(SP11, SP12)과 상이한 전압을 전달하는 제2 연결 라인(BL2_C)과 제1 및 제2 행 감지 패턴들(SP11, SP12) 사이의 전기적 간섭을 용이하게 방지할 수 있다.

한편, 본 발명에 있어서, 제1 연결 라인(BL1)이 제2 연결 라인(BL2_C) 보다 제1 열 감지 패턴(SP21_B)에 인접하여 배치되는 경우, 제2 더미 패턴(DM2)은 제1 연결 라인(BL1)과 제1 열 감지 패턴(SP21_B) 사이에 배치되어 제1 연결 라인(BL1)과 제1 열 감지 패턴(SP21_B) 사이를 전기적으로 차폐할 수도 있다.

제3 더미 패턴(DM31, DM32)은 제1 연결 라인(BL1)과 모듈 홀(MH) 사이에 배치될 수 있다. 제3 더미 패턴(DM31, DM32)은 모듈 홀(MH)과 인접하는 홀 영역 내에서의 시인성을 개선할 수 있다. 배선 영역(LA) 내에 배치된 구성들과 모듈 홀(MH) 사이의 빈 공간의 면적이 클 경우, 광 반사율 차이에 따라, 모듈 홀(MH)이 배치된 영역에서 사용자로 하여금 이질감이 발생될 수 있다.

제3 더미 패턴(DM31, DM32)은 홀 영역 중 구성들이 배치되지 않은 빈 공간에 배치되고 주변 구성들, 예를 들어, 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL2_B)과 연속성을 가진 형상으로 제3 더미 패턴(DM31, DM32)을 형성함으로써, 모듈 홀(MH) 및 홀 영역이 사용자에 의해 용이하게 시인되는 것을 방지할 수 있다.

제3 더미 패턴(DM31, DM32)은 차광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 더미 패턴(DM31, DM32)은 블랙 또는 그레이 컬러를 가질 수 있다. 또는, 제3 더미 패턴(DM31, DM32)은 제1 연결 라인(BL1) 및 제2 연결 라인(BL2)과 동일한 반사율을 가진 물질을 포함하거나, 다른 더미 패턴들(DM1, DM2)과 동일한 반사율을 가진 물질을 포함할 수도 있다.

제3 더미 패턴(DM31, DM32)은 복수로 제공되어 서로 이격되어 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제3 더미 패턴(DM31, DM32)은 단수로 제공되거나 더 많은 수로 제공될 수도 있다.

예를 들어, 도 9b에 도시된 것과 같이, 제3 더미 패턴(DM3)은 네 개의 패턴들(DM3A, DM3B, DM3C, DM3D)을 포함할 수도 있다. 패턴들(DM3A, DM3B, DM3C, DM3D) 사이의 간격(DS2)과 패턴들(DM3A, DM3B, DM3C, DM3D) 각각의 너비(WD2)에 따라 제3 더미 패턴(DM3)을 구성하는 개수는 다양하게 설계될 수 있다.

한편, 도 9c에 도시된 것과 같이, 감지 유닛(220-3)에 있어서, 더미 패턴들(DM11, DM12, DM2, DM31, DM32)은 모듈 홀(MH)의 가장 자리를 따라 서로 이격된 복수의 부분들로 구분될 수도 있다. 도 9c에 도시된 더미 패턴들(DM11, DM12, DM2, DM31, DM32)은 도 9a에 도시된 더미 패턴들(DM11, DM12, DM2, DM31, DM32)을 소정의 커팅 라인(CTL)을 따라 절단하여 형성될 수 있다. 본 발명에 따르면, 더미 패턴들(DM11, DM12, DM2, DM31, DM32)을 모듈 홀(MH)의 가장 자리를 따라 절단된 복수의 패턴들로 구분함으로써, 감지 유닛(220-3)의 시인성이 개선될 수 있다.

도 10a 및 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도들이다. 도 10a 및 도 10b에는 서로 상이한 위치들에 형성된 모듈 홀들(MH_R, MH_L)이 정의된 감지 유닛들(220_R, 220_L)을 간략히 도시하였다.

도 10a를 참조하면, 감지 유닛(220_R)은 도 8b에 도시된 감지 유닛(220_BB: 도 8b 참조)에 비해 상대적으로 모듈 홀(MH: 도 8b)의 위치가 우 측으로 이동된 실시예와 대응될 수 있다. 이에 따라, 모듈 홀(MH_R)을 중심으로 좌우로 배열된 좌 측 제1 감지 전극(SE1_R1)의 제1 행 감지 패턴(SP11_R)과 우 측 제1 감지 전극(SE1_R2)의 제2 행 감지 패턴(SP12_R)은 모듈 홀(MH_R)을 중심으로 비 대칭되는 형상을 가질 수 있다. 제1 행 감지 패턴(SP11_R)과 제2 행 감지 패턴(SP12_R) 제1 연결 라인(BL1_R)을 통해 연결된다.

본 발명에 따르면, 모듈 홀(MH_R)이 우 측으로 이동함에 따라, 좌 측 제1 감지 전극(SE1_R1)에 비해 우 측 제1 감지 전극(SE1_R2)으로 더 치우칠 수 있다. 제1 행 감지 패턴(SP11_R)과 제2 행 감지 패턴(SP12_R) 사이의 면적 보상을 위해, 감소 면적이 더 큰 제2 행 감지 패턴(SP12_R)의 적어도 일부는 홀 영역(HA) 내부까지 연장된 형상을 가질 수 있다.

이에 따라, 제2 행 감지 패턴(SP12_R)의 적어도 일부는 홀 영역(HA)과 중첩한다. 이와 달리, 감소 면적이 상대적으로 더 작은 제1 행 감지 패턴(SP11_R)은 홀 영역(HA)으로부터 이격되어 배치된다.

한편, 본 실시예에서, 제2 연결 라인들(BL2_R1, BL2_R2)은 서로 상이한 두께와 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 연결 라인들(BL2_R1, BL2_R2)에 있어서, 좌 측 제2 연결 라인(BL2_R1)은 우 측 제2 연결 라인(BL2_R2)에 비해 상대적으로 큰 두께를 가진다. 또한, 좌 측 제2 연결 라인(BL2_R1)은 우 측 제2 연결 라인(BL2_R2)에 비해 상대적으로 짧은 길이를 가진다. 본 발명에 따르면, 상대적으로 긴 길이를 가진 연결 라인의 두께를 감소시킴으로써, 연결 라인들 사이의 저항을 균일하게 설계할 수 있다.

또는, 도 10b를 참조하면, 감지 유닛(220_L)은 도 7b에 도시된 감지 유닛(220_B: 도 7b 참조)에 비해 상대적으로 모듈 홀(MH: 도 7b)의 위치가 평면상에서 하 측으로 이동된 실시예와 대응될 수 있다. 이에 따라, 모듈 홀(MH_L)을 중심으로 좌우로 배열된 상 측 제1 감지 전극(SE2_L1)의 제1 열 감지 패턴(SP21_L)과 하 측 제1 감지 전극(SE2_L2)의 제2 열 감지 패턴(SP22_L)은 모듈 홀(MH_R)을 중심으로 비 대칭되는 형상을 가질 수 있다. 제1 열 감지 패턴(SP21_L)과 제2 열 감지 패턴(SP22_L) 제2 연결 라인(BL2_L)을 통해 연결된다.

본 발명에 따르면, 모듈 홀(MH_L)이 우 측으로 이동함에 따라, 상 측 제1 감지 전극(SE2_L1)에 비해 하 측 제1 감지 전극(SE2_L2)으로 더 치우칠 수 있다. 제1 열 감지 패턴(SP21_L)과 제2 열 감지 패턴(SP22_L) 사이의 면적 보상을 위해, 감소 면적이 더 큰 제2 열 감지 패턴(SP22_L)의 적어도 일부는 홀 영역(HA) 내부까지 연장된 형상을 가질 수 있다.

이에 따라, 제2 열 감지 패턴(SP22_L)의 적어도 일부는 홀 영역(HA)과 중첩한다. 이와 달리, 감소 면적이 상대적으로 더 작은 제1 행 감지 패턴(SP11_R)은 홀 영역(HA)으로부터 이격되어 배치된다.

한편, 본 실시예에서, 제1 연결 라인들(BL1_L1, BL1_L2)은 서로 상이한 두께와 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 연결 라인들(BL1_L1, BL1_L2)에 있어서, 상 측 제1 연결 라인(BL1_L1)은 하 측 제1 연결 라인(BL1_L2)에 비해 상대적으로 큰 두께를 가진다. 또한, 상 측 제1 연결 라인(BL1_L1)은 하 측 제1 연결 라인(BL1_L2)에 비해 상대적으로 짧은 길이를 가진다. 본 발명에 따르면, 상대적으로 긴 길이를 가진 연결 라인의 두께를 감소시킴으로써, 연결 라인들 사이의 저항을 균일하게 설계할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 유닛(220_R, 220_L)에 따르면, 모듈 홀(MH_R, MH_L)은 다양한 위치에 형성될 수 있다. 모듈 홀(MH_R, MH_L)에 인접하는 연결 라인들의 너비나 센서 패턴들의 면적을 서로 다르게 설계함으로써, 홀 영역(HA)에서의 균일한 감도를 제공할 수 있다.

도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 11b는 도 11a의 일부 구성을 도시한 평면도이다. 도 11b에는 용이한 설명을 위해 도 11a에 도시된 YY'영역을 도시하였고, 일부 구성은 생략하여 도시하였다. 이하, 도 11a 및 도 11b를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다. 한편, 도 1a 내지 도 9c에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 11a에 도시된 것과 같이, 전자 장치(EA-P)는 복수의 모듈 홀들(MH1, MH2)이 정의된 전자 패널(200-P)을 포함할 수 있다. 모듈 홀들(MH1, MH2)은 제1 모듈 홀(MH1) 및 제2 모듈 홀(MH2)을 포함한다. 제1 모듈 홀(MH1) 및 제2 모듈 홀(MH2)은 제1 방향(DR1)에서 서로 이격된 것으로 도시되었다.

전자 모듈(300)은 제1 모듈(310) 및 제2 모듈(320)을 포함할 수 있다. 제1 모듈(310)은 제1 모듈 홀(MH1)에 중첩하고, 제2 모듈(320)은 제2 모듈 홀(MH2)에 중첩하여 배치된다. 제1 모듈(310)은 액티브 영역(AA)에 중첩하여 배치되더라도 제1 모듈 홀(MH1)을 통해 노출될 수 있어, 제1 홀 영역(HA1)을 통해 외부 신호를 수신하거나, 처리된 신호를 외부에 제공할 수 있다. 또한, 제2 모듈(320)은 액티브 영역(AA)에 중첩하여 배치되더라도 제2 모듈 홀(MH2)을 통해 노출될 수 있어, 제2 홀 영역(HA2)을 통해 외부 신호를 수신하거나, 처리된 신호를 외부에 제공할 수 있다.

도 11b에는 감지 유닛의 일부 구성들이 도시되었다. 본 실시예에 따르면, 하나의 행 전극을 이루는 제1 내지 제5 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14, SP15) 및 하나의 열 전극을 이루는 제1 및 제2 열 감지 패턴들(SP21, SP22), 및 다른 하나의 열 전극을 이루는 제3 및 제4 열 감지 패턴들(SP23, SP24)이 예시적으로 도시되었다.

제1 행 감지 패턴(SP11)은 제1 모듈 홀(MH1)의 좌 측에 배치되고, 제2 행 감지 패턴(SP12)은 제1 모듈 홀(MH1)과 제2 모듈 홀(MH2) 사이에 배치되며, 제3 행 감지 패턴(SP13)은 제2 모듈 홀(MH2)의 우 측에 배치된다. 제1 행 연결 패턴(CP11)은 제1 행 감지 패턴(SP11)의 좌 측에 배치되어 제4 행 감지 패턴(SP14)과 제1 행 감지 패턴(SP11)을 연결한다. 제2 행 연결 패턴(CP12)은 제3 행 감지 패턴(SP13)의 우 측에 배치되어 제3 행 감지 패턴(SP13)과 제5 행 감지 패턴(SP15)을 연결한다.

제1 열 감지 패턴(SP21)과 제2 열 감지 패턴(SP22)은 제1 모듈 홀(MH1)을 사이에 두고 제2 방향(DR2)에서 서로 이격되어 배치된다. 제3 열 감지 패턴(SP23)과 제4 열 감지 패턴(SP24)은 제2 모듈 홀(MH2)을 사이에 두고 제2 방향(DR2)에서 서로 이격되어 배치된다.

본 실시예에서, 제1 모듈 홀(MH1) 및 제2 모듈 홀(MH2) 각각에 인접하여 복수의 연결 라인들이 배치된다. 제1 연결 라인(BL1-A)은 제1 모듈 홀(MH1)에 인접하여 배치되고 제1 모듈 홀(MH1)을 에워싸는 원형 링 형상으로 도시되었다.

제2 연결 라인(BL2-A)은 제1 모듈 홀(MH1)에 인접하여 배치되고 제1 모듈 홀(MH1)을 에워싸는 원형 링 형상으로 도시되었다. 제2 연결 라인(BL2-A)은 제1 연결 라인(BL1-A)에 비해 상대적으로 제1 모듈 홀(MH1)에 인접하는 크기를 가진다.

제3 연결 라인(BL1-B)은 제2 모듈 홀(MH2)에 인접하여 배치되고 제2 모듈 홀(MH2)을 에워싸는 원형 링 형상으로 도시되었다. 제4 연결 라인(BL2-B)은 제2 모듈 홀(MH2)에 인접하여 배치되고 제2 모듈 홀(MH2)을 에워싸는 원형 링 형상으로 도시되었다. 제4 연결 라인(BL2-B)은 제3 연결 라인(BL1-B)에 비해 상대적으로 제2 모듈 홀(MH2)에 인접하는 크기를 가진다.

본 실시예에서, 제1 행 감지 패턴(SP11) 및 제2 행 감지 패턴(SP12)은 제1 연결 라인(BL1-A)과 평면상에서 중첩할 수 있다. 제1 연결 라인(BL1-A)은 중첩하는 영역을 통해 제1 행 감지 패턴(SP11) 및 제2 행 감지 패턴(SP12)에 전기적으로 접속될 수 있다. 제1 행 감지 패턴(SP11) 및 제2 행 감지 패턴(SP12)은 제1 연결 라인(BL1-A)과 평면상에서 중첩하는 크기를 가진다. 이에 따라, 제1 행 감지 패턴(SP11)은 제1 열 감지 패턴(SP21)이나 제2 열 감지 패턴(SP22)에 비해 상대적으로 큰 면적을 가질 수 있다.

제2 행 감지 패턴(SP12) 및 제3 행 감지 패턴(SP13)은 제3 연결 라인(BL1-B)과 평면상에서 중첩할 수 있다. 제3 연결 라인(BL1-B)은 중첩하는 영역을 통해 제2 행 감지 패턴(SP12) 및 제3 행 감지 패턴(SP13)에 전기적으로 접속될 수 있다. 제2 행 감지 패턴(SP12) 및 제3 행 감지 패턴(SP13)은 제3 연결 라인(BL1-B)과 평면상에서 중첩하는 크기를 가진다. 이에 따라, 제3 행 감지 패턴(SP13)은 제3 열 감지 패턴(SP23)이나 제4 열 감지 패턴(SP24)에 비해 상대적으로 큰 면적을 가질 수 있다.

제2 행 감지 패턴(SP12)은 제1 및 제2 모듈 홀들(MH1, MH2) 사이에 배치되어 각각에 마주할 수 있다. 이에 따라, 제2 행 감지 패턴(SP12)은 제1 연결 라인(BL1-A) 및 제3 연결 라인(BL1-B) 각각에 중첩할 수 있다. 본 발명에 따르면, 제1 연결 라인(BL1-A) 및 제3 연결 라인(BL1-B)을 통해 제1 내지 제5 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14, SP15)은 전기적으로 연결되어, 하나의 행 감지 전극을 구성할 수 있다.

한편, 본 실시예에서, 제1 열 감지 패턴(SP21) 및 제2 열 감지 패턴(SP22)은 제2 연결 라인(BL2-A)과 평면상에서 중첩할 수 있다. 이를 위해, 제1 열 감지 패턴(SP21) 및 제2 열 감지 패턴(SP22) 각각은 제2 연결 라인(BL2-A)과 중첩하도록 돌출된 부분들을 포함할 수 있다. 제2 연결 라인(BL2-A)은 돌출된 부분들을 통해 제1 열 감지 패턴(SP21) 및 제2 열 감지 패턴(SP22)에 전기적으로 접속될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 도 8c에 도시된 제1 및 제2 돌출부들(P21B, P22B)에 대한 것으로 대체하기로 한다.

마찬가지로, 제3 열 감지 패턴(SP23) 및 제4 열 감지 패턴(SP24)은 제4 연결 라인(BL2-B)과 평면상에서 중첩하는 돌출부들을 포함할 수 있다. 제4 연결 라인(BL2-B)은 돌출부들을 통해 제3 열 감지 패턴(SP23) 및 제4 열 감지 패턴(SP24)에 전기적으로 접속될 수 있다.

본 발명에 따르면, 제2 연결 라인(BL2-A)을 통해 제1 및 제2 열 감지 패턴들(SP21, SP22)은 전기적으로 연결되어, 하나의 열 감지 전극을 구성할 수 있다. 또한, 제4 연결 라인(BL2-B)을 통해 제3 및 제4 열 감지 패턴들(SP23, SP24)은 전기적으로 연결되어 다른 하나의 열 감지 전극을 구성할 수 있다.

본 발명에 따르면, 복수의 모듈 홀들(MH1, MH2)이 액티브 영역(AA)에 정의되더라도, 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14, SP15, SP21, SP22, SP23, SP24)의 형상 및 연결 라인들(BL1-A, BL1-B, BL2-A, BL2-B)의 형상을 다양하게 설계하여 액티브 영역(AA) 전면에서의 고른 감도를 제공할 수 있는 전자 패널(200-P)이 제공될 수 있다.

도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 12b 및 도 12c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 유닛의 일부를 도시한 평면도들이다. 도 12b에는 도 12a에 도시된 일부 영역을 확대하여 도시하였고, 도 12c에는 도12b와 대응되는 영역을 도시하였다. 용이한 설명을 위해 도 12b 및 도 12c 각각에는 일부 구성들은 생략하여 도시하였다. 이하, 도 12a 내지 도 12c를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다. 한편, 도 1a 내지 도 11b에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 12a에 도시된 것과 같이, 전자 장치(EA-E)에 있어서, 모듈 홀(MH_E)은 주변 영역(NAA)에 인접하여 정의될 수 있다. 이에 따라, 전자 패널(200-E)의 전면(IS-E)에 있어서, 액티브 영역(AA-E)은 모듈 홀(MH_E)의 가장 자리를 따라 정의될 수 있고, 홀 영역(HA-E)은 주변 영역(NAA)과 중첩하여 배치될 수 있다.

구체적으로, 윈도우 부재(100)에 있어서, 전면(FS-E)의 투과 영역(TA-E) 및 베젤 영역(BZA-E)은 도 1b에 도시된 전면(FS)의 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)으로부터 다소 변형된 형상으로 제공될 수 있으며, 이는 모듈 홀(MH_E)의 위치가 주변 영역(NAA)에 인접하도록 변경됨으로 인해 발생될 수 있다.

도 12b에는 모듈 홀(MH_E)이 배치된 영역에서의 감지 유닛(220-E)의 일부를 간략히 도시하였으며, 용이한 설명을 위해 표시 유닛(210-E)의 끝 단을 도시하였다. 도 12b에는 전자 유닛(220-E)의 구성들 중 제1 감지 전극(SE1H), 복수의 제2 감지 전극들(SE2H, SE2E), 및 복수의 감지 라인들(TLa_E, TLb_E, TLc_E)이 도시되었다. 제2 감지 전극들(SE2H, SE2E)은 모듈 홀(MH_E)과 마주하는 홀 전극(SE2H), 모듈 홀(MH_E)을 사이에 두고 행 방향에서 서로 이격된 복수의 메인 전극들(SE2E)을 포함할 수 있다.

제1 감지 전극(SE1H)은 제1 내지 제4 행 감지 패턴들(SP11, SP12, SP13, SP14), 및 제1 연결 패턴들(CP11, CP12)을 포함한다. 제1 행 감지 패턴(SP11)과 제2 행 감지 패턴(SP12)은 모듈 홀(MH_E)을 사이에 두고 이격되어 배치되며, 연결 라인을 통해 연결될 수 있다. 제1 감지 전극(SE1H)은 도 7a에 도시된 제1 감지 전극(SE1)과 대응될 수 있으며, 이하 중복된 설명은 생략하기로 한다.

홀 전극(SE2H)은 모듈 홀(MH_E)의 하 측에 배치된다. 홀 전극(SE2H)은 제1 감지 전극(SE1H)과 함께 모듈 홀(MH_E)에 인접하는 전극들 중 하나일 수 있다. 홀 전극(SE2H)은 제2 열 감지 패턴(SP22), 제4 열 감지 패턴(SP24), 및 제2 연결 패턴(CP22)을 포함한다. 제2 열 감지 패턴(SP22), 제4 열 감지 패턴(SP24), 및 제2 연결 패턴(CP22)은 도 7b에 도시된 제2 열 감지 패턴(SP22), 제4 열 감지 패턴(SP24), 및 제2 연결 패턴(CP22)과 대응되므로, 이하 중복된 설명은 생략하기로 한다.

한편, 본 실시예에서, 모듈 홀(MH_H)의 상 측에는 감지 전극이 배치되지 않을 수 있다. 액티브 영역(AA-E)은 모듈 홀(MH_E)의 가장 자리 중 적어도 일부를 따라 연장된다. 이에 따라, 홀 영역(HA-E)의 가장 자리와 액티브 영역(AA-E)의 가장 자리는 연결될 수 있다.

메인 전극들(SE2E)은 모듈 홀(MH_E)을 중심으로 행 방향을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. 메인 전극들(SE2E) 각각은 제1 감지 전극(SE1H)과 절연 교차할 수 있다.

감지 라인들(TLa_E, TLb_E, TLc_E)은 각각 홀 전극(SE2H), 및 메인 전극들(SE2E)에 연결될 수 있다. 감지 라인들(TLa_E, TLb_E, TLc_E) 각각은 실질적으로, 도 3c에 도시된 제3 감지 라인들(TL3: 도 3c 참조) 중 어느 하나일 수 있다. 감지 라인들(TLa_E, TLb_E, TLc_E)은 홀 전극(SE2H)에 연결된 홀 감지 라인(TLa_E), 메인 전극들(SE2E)에 각각 연결된 복수의 메인 감지 라인들(TLb_E, TLc_E)을 포함할 수 있다.

홀 감지 라인(TLa_E)은 홀 전극(SE2H)에 연결된다. 홀 감지 라인(TLa_E)은 주변 영역(NAA)을 지나 모듈 홀(MH_E)의 가장 자리를 따라 연장되어 홀 전극(SE2H) 중 제2 열 감지 패턴(SP22)에 접속된다. 이때, 제2 열 감지 패턴(SP22) 중 홀 영역(HA_E)의 내 측으로 돌출된 일부와 홀 감지 라인(TLa_E) 사이에 소정의 컨택부(CT22)가 형성될 수 있다. 제2 열 감지 패턴(SP22) 중 홀 영역(HA_E)의 내 측으로 돌출된 일부는 연결 라인과 상이한 층 상에 배치되므로, 홀 감지 라인(TLa_E)은 연결 라인과의 전기적 간섭 없이 홀 전극(SE2H)에 안정적으로 접속될 수 있다.

메인 감지 라인들(TLb_E, TLc_E)은 메인 전극들(SE2E)에 각각 접속된다. 도시되지 않았으나, 메인 감지 라인들(TLb_E, TLc_E)은 주변 영역(NAA)으로 돌출된 메인 전극들(SE2E) 중 일부에 접속되거나, 액티브 영역(AA_E) 내부로 연장되어 메인 전극들(SE2E)에 접속될 수도 있다.

본 발명에 따르면, 홀 감지 라인(TLa_E)과 홀 전극(SE2H) 사이의 접속이 모듈 홀(MH_E)에 인접하여 이루어지더라도, 제1 감지 전극(SE1H)과의 전기적 간섭 없이 안정적으로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 모듈 홀(MH_E)이 액티브 영역(AA_E)의 가장 자리나 주변 영역(NAA)과 중첩하여 형성되더라도, 전기적 신뢰성이 향상된 감지 유닛(220-E)이 제공될 수 있다.

또는, 도 12c를 참조하면, 감지 유닛(220-E1)에 있어서, 홀 전극(SE2H1)은 접합부(PP)를 더 포함할 수도 있다. 접합부(PP)는 제2 열 감지 패턴(SP22)에 연결되어 홀 영역(HA_E) 내부로 연장될 수 있다.

홀 감지 라인(TLa_E1)는 접합부(PP)를 통해 홀 전극(SE2H1)에 접속된다. 홀 감지 라인(TLa_E1)의 일부(PP_L)는 두꺼운 너비를 가질 수 있다. 본 실시예에서, 홀 감지 라인(TLa_E1) 중 접합부(PP)와 중첩하는 일부(PP_L)는 나머지 부분보다 두꺼운 너비를 가짐으로써, 홀 전극(SE2H1)과의 접속 면적을 향상시킬 수 있다.

한편, 본 실시예에서, 접합부(PP)는 연결 라인과 중첩하는 일부가 오픈된 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 연결 라인과 제2 열 전극(SP22) 사이의 기생 커패시턴스 등의 발생에 따른 노이즈 불량을 감소시킬 수 있다.

본 발명에 따르면, 홀 감지 라인(TLa_E1)과 홀 전극(SE2H1) 사이의 접속이 모듈 홀(MH_E)에 인접하여 이루어지더라도, 제1 감지 전극(SE1H)과의 전기적 간섭 없이 안정적으로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 전기적 신뢰성이 향상된 감지 유닛(220-E1)이 제공될 수 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

100: 윈도우 부재 HA: 홀 영역
200: 전자 패널 MH: 모듈 홀
210: 표시 유닛 220: 감지 유닛
300: 전자 모듈

Claims

액티브 영역 및 상기 액티브 영역에 인접한 주변 영역을 포함하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 액티브 영역에 영상을 표시하는 표시 유닛; 및
상기 표시 유닛 상에 배치되고 상기 액티브 영역에 인가되는 외부 입력을 감지하는 감지 유닛을 포함하고,
상기 액티브 영역에, 상기 베이스 기판, 상기 표시 유닛, 및 상기 감지 유닛을 관통하는 모듈 홀이 정의되고,
상기 감지 유닛은,
상기 모듈 홀을 사이에 두고 일 방향에서 서로 이격된 제1 감지 패턴과 제2 감지 패턴;
상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 일 방향과 교차하는 방향에서 서로 이격된 제3 감지 패턴과 제4 감지 패턴;
상기 모듈 홀의 일부를 따라 연장되어 상기 제1 감지 패턴과 상기 제2 감지 패턴을 연결하는 제1 연결 라인; 및
상기 모듈 홀의 일부를 따라 연장되어 상기 제3 감지 패턴과 상기 제4 감지 패턴을 연결하는 제2 연결 라인을 포함하고,
상기 제1 연결 라인과 상기 제2 연결 라인은 동일한 층 상에 서로 이격되어 배치된 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 연결 라인과 상기 모듈 홀 사이의 이격 거리는 상기 제2 연결 라인과 상기 모듈 홀 사이의 이격 거리보다 큰 전자 장치.
제2 항에 있어서,
상기 제3 감지 패턴과 상기 제4 감지 패턴 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 연결 라인과 평면상에서 중첩하는 전자 장치.
제2 항에 있어서,
상기 제1 연결 라인과 상기 제2 연결 라인 사이에 배치된 제1 도전 패턴을 더 포함하고,
상기 제1 도전 패턴은 상기 제1 연결 라인 및 상기 제2 연결 라인으로부터 평면상에서 이격된 전자 장치.
제4 항에 있어서,
상기 제2 연결 라인과 상기 모듈 홀 사이에 배치된 제2 도전 패턴을 더 포함하고,
상기 제2 도전 패턴은 상기 제2 연결 라인으로부터 평면상에서 이격된 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 연결 라인은,
상기 제2 연결 라인과 동일한 층 상에 배치되고,
상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴과 상이한 층 상에 배치된 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 감지 유닛은,
상기 제1 감지 패턴 중 상기 모듈 홀을 마주하는 일 측과 대향되는 측에 배치된 제5 감지 패턴;
상기 제3 감지 패턴 중 상기 모듈 홀을 마주하는 일 측과 대향되는 측에 배치된 제6 감지 패턴;
상기 제1 연결 라인으로부터 이격되어 상기 제1 감지 패턴과 상기 제5 감지 패턴을 연결하는 제1 연결 패턴; 및
상기 제2 연결 라인으로부터 이격되어 상기 제3 감지 패턴과 상기 제6 감지 패턴을 연결하는 제2 연결 패턴을 더 포함하고,
상기 제1 연결 패턴과 상기 제2 연결 패턴은 절연층을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되고,
상기 제1 연결 라인과 상기 제2 연결 라인은 상기 제1 연결 패턴 및 상기 제2 연결 패턴 중 어느 하나와 동일한 층 상에 배치된 전자 장치.
제7 항에 있어서,
상기 제1 감지 패턴은,
상기 제1 연결 패턴과 직접 연결되고,
상기 제1 연결 라인과 상기 절연층을 관통하여 연결된 전자 장치.
제7 항에 있어서,
상기 제3 감지 패턴은,
상기 제2 연결 패턴 및 상기 제2 연결 라인 각각에 대하여 상기 절연층을 관통하여 연결된 전자 장치.
제9 항에 있어서,
상기 제3 감지 패턴은,
상기 제1 연결 라인으로부터 이격된 제1 부분; 및
상기 제1 부분과 연결되고 상기 제1 연결 라인의 적어도 일부와 중첩하는 제2 부분을 포함하고,
상기 제2 부분은 상기 절연층을 관통하여 상기 제2 연결 라인에 연결된 전자 장치.
제10 항에 있어서,
상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 다른 층 상에 배치된 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 연결 라인은 평면상에서 상기 모듈 홀을 에워싸는 폐라인 형상을 갖는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제2 연결 라인은 평면상에서 상기 모듈 홀을 에워싸는 폐라인 형상을 갖는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 표시 유닛은 상기 액티브 영역에 배치되고 복수의 발광 영역들을 정의하는 복수의 화소들을 포함하고,
상기 연결 라인은 상기 화소들로부터 평면상에서 이격된 전자 장치.
제14 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 감지 패턴들은 개구부들이 정의된 메쉬 패턴들을 포함하고,
상기 발광 영역들은 상기 개구부들에 각각 중첩하는 전자 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 연결 라인과 상기 제2 연결 라인 사이, 상기 제2 감지 패턴과 상기 제1 연결 라인 사이, 상기 제1 감지 패턴과 상기 제2 연결 라인 사이 중 적어도 어느 하나에 배치되고 도전성을 가진 더미 패턴을 더 포함하는 전자 장치.
투과 영역 및 상기 투과 영역에 인접한 베젤 영역을 포함하는 윈도우 부재;
상기 윈도우 부재의 하 측에 배치되고, 상기 투과 영역에 중첩하여 배치된 복수의 감지 전극들을 포함하고, 상기 투과 영역에 중첩하여 관통하는 모듈 홀이 정의된 전자 패널; 및
상기 윈도우 부재의 하 측에 배치되고 상기 모듈 홀과 중첩하여 배치된 전자 모듈을 포함하고,
상기 감지 전극들은,
상기 모듈 홀을 사이에 두고 제1 방향에서 서로 이격된 제1 감지 패턴과 제2 감지 패턴;
상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 서로 이격된 제3 감지 패턴과 제4 감지 패턴;
상기 모듈 홀과 인접하여 배치되고 상기 제1 감지 패턴과 상기 제2 감지 패턴을 연결하는 제1 연결 라인; 및
상기 모듈 홀과 인접하여 배치되고 상기 제3 감지 패턴과 상기 제4 감지 패턴을 연결하는 제2 연결 라인을 포함하고,
상기 제1 연결 라인과 상기 제2 연결 라인은 평면상에서 서로 이격된 전자 장치.
제17 항에 있어서,
상기 제1 연결 라인은 상기 제2 연결 라인과 동일 층 상에 배치되고,
상기 제1 연결 라인은 상기 제1 내지 제4 감지 패턴들과 상이한 층 상에 배치된 전자 장치.
제17 항에 있어서,
상기 제2 연결 라인은 상기 제1 연결 라인에 비해 상대적으로 상기 모듈 홀에 인접하는 전자 장치.
제19 항에 있어서,
상기 제3 감지 패턴 및 상기 제4 감지 패턴 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 연결 라인과 평면상에서 중첩하는 전자 장치.
제17 항에 있어서,
상기 제1 연결 라인 및 상기 제2 연결 라인 각각은 적어도 하나의 곡선을 포함하고, 상기 곡선은 상기 모듈 홀의 주변을 따라 연장된 전자 장치.
제21 항에 있어서,
상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴은 상기 곡선으로부터 이격되고,
상기 제1 연결 라인은,
상기 곡선의 일 단으로부터 연장되어 상기 제1 감지 패턴과 중첩하는 제1 단 부; 및
상기 곡선의 타 단으로부터 연장되어 상기 제2 감지 패턴과 중첩하는 제2 단 부를 더 포함하고,
상기 제1 연결 라인과 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 사이의 컨택부들은 사이 제1 단 부와 상기 제2 단 부에 정의되는 전자 장치.
제21 항에 있어서,
상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 각각은,
상기 곡선으로부터 이격된 메인부; 및
상기 메인부와 연결되고 상기 곡선과 중첩하는 돌출부를 포함하고,
상기 제1 연결 라인과 상기 제1 감지 패턴 사이의 컨택부 및 상기 제1 연결 라인과 상기 제2 감지 패턴 사이의 컨택부는 상기 돌출부에 정의되는 전자 장치.
제23 항에 있어서,
상기 돌출부는 상기 메인부와 동일 층 상에 배치되어 일체의 형상을 가진 전자 장치.
제23 항에 있어서,
상기 돌출부는 상기 메인부와 다른 층 상에 배치되고,
돌출부는 적어도 하나의 절연층을 관통하여 상기 메인부와 상기 제1 연결 라인 각각에 연결된 전자 장치.
제23 항에 있어서,
상기 돌출부는 상기 곡선의 일부를 따라 연장된 형상을 가진 전자 장치.
제23 항에 있어서,
상기 돌출부는 상기 곡선과 교차하는 방향을 따라 연장된 바(bar) 형상을 갖는 전자 장치.
제23 항에 있어서,
상기 제1 감지 패턴의 돌출부 및 상기 제2 감지 패턴의 돌출부 중 적어도 어느 하나는 상기 제2 연결 라인과 평면상에서 중첩하는 전자 장치.
제17 항에 있어서,
상기 제1 연결 라인 및 상기 제2 연결 라인 중 적어도 어느 하나는 복수로 제공되어 상기 모듈 홀을 사이에 두고 상기 제2 방향에서 서로 이격된 전자 장치.
제17 항에 있어서,
상기 제1 연결 라인 및 상기 제2 연결 라인 중 적어도 어느 하나는 상기 모듈 홀을 에워싸는 폐라인 형상을 갖는 전자 장치.