JP2006216539A - 平板表示装置の電極形成方法、有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に電極物質を形成する工程と、電極物質をパターニングして電極パターンを形成する工程と、基板上に蒸着厚さを有する絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜をエッチングして電極パターンの一部分を露出させる工程と、絶縁膜が蒸着厚さから一定厚さほどエッチングされる条件で表面処理工程を行って電極パターンの表面特性を改善する工程と、を含む平板表示装置の電極形成方法である。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図を示す図面である。図1には、OLEDと、前記OLEDを駆動するための薄膜トランジスタに限定して示す図面である。
表5は、表面処理工程条件による仕事関数を表すものである。表5で、“工程条件”は、表面処理工程を行う条件を意味するものであって、“条件A”は、画素分離膜が100Å未満の厚さほどエッチングされる条件で表面処理工程を行うことを表し、“条件B”は、画素分離膜が100ないし1000Åの範囲でエッチングされる条件で表面処理工程を行うことを表す。このとき、条件Bは、望ましくは、200ないし800Åの範囲でエッチングされる条件で表面処理工程を行う。また、“条件C”は、画素分離膜が1000Åより厚くエッチングされる条件で表面処理工程を行うことを表す。
105 バッファ層
110 半導体層
111 ソース領域
115 ドレイン領域
117 チャンネル領域
120 ゲート絶縁膜
125 ゲート
130 層間絶縁膜
131,135 コンタクトホール
141 ソース電極
145 ドレイン電極
150 保護膜
155 ビアホール
160 アノード電極
170 画素分離膜
175 開口部
180 有機膜層
190 カソード電極
Claims (18)
- 基板上に電極物質を形成する工程と、
前記電極物質をパターニングして電極パターンを形成する工程と、
基板上に蒸着厚さを有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチングして前記電極パターンの一部分を露出させる工程と、
前記絶縁膜が蒸着厚さから一定厚さほどエッチングされる条件で表面処理工程を行って前記電極パターンの表面特性を改善する工程と、を含むことを特徴とする平板表示装置の電極形成方法。 - 前記表面処理工程は、Ar、O2及びN2ガスのうち少なくとも一つ以上を利用するプラズマ処理工程であることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置の電極形成方法。
- 前記表面処理工程は、絶縁膜が蒸着厚さから100ないし1000Åの範囲でエッチングされる条件で行われることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置の電極形成方法。
- 前記表面処理工程は、絶縁膜が蒸着厚さから200ないし800Åの範囲でエッチングされる条件で行われることを特徴とする請求項3に記載の平板表示装置の電極形成方法。
- 前記表面処理工程は、O2、Ar、N2ガスのうち少なくとも一つ以上のガスを使用し、ガス流量は、10sccmないし600sccm、処理圧力は、5mTorrないし700mTorr、パワーは、50Wないし600WのRFパワーを使用することを特徴とする請求項3に記載の平板表示装置の電極形成方法。
- 前記電極パターンは、ITOを含む透明導電膜であり、絶縁膜は、有機絶縁膜であることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置の電極形成方法。
- 前記絶縁膜は、平坦化膜または画素分離膜を備えることを特徴とする請求項6に記載の平板表示装置の電極形成方法。
- 前記絶縁膜は、写真エッチング工程を通じてエッチングされることを特徴とする請求項7に記載の平板表示装置の電極形成方法。
- 基板上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に開口部を備え、所定の蒸着厚さを有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が蒸着厚さから一定厚さでエッチングされる条件で表面処理工程を行う工程と、
前記開口部内の下部電極上に有機膜層を蒸着する工程と、を含み、
基板上に上部電極を形成する工程を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記表面処理工程は、Ar、O2及びN2ガスのうち少なくとも一つ以上を利用するプラズマ処理工程であることを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記表面処理工程は、絶縁膜が蒸着厚さから100ないし1000Åの範囲でエッチングされる条件で行われることを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記表面処理工程は、絶縁膜が蒸着厚さから200ないし800Åの範囲でエッチングされる条件で行われることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記表面処理工程は、O2、Ar、N2ガスのうち少なくとも一つ以上のガスを使用し、ガス流量は、10sccmないし600sccm、処理圧力は、5mTorrないし700mTorr、パワーは、50Wないし600WのRFパワーを使用することを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記下部電極は、ITO膜を含む透明導電膜であり、絶縁膜は、有機絶縁膜であることを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は、平坦化膜または画素分離膜を備えることを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は、有機絶縁膜を蒸着した後、写真エッチング工程を通じてパターニングして開口部を形成することを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 請求項9に記載の製造方法によって製造されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
- 前記基板上に形成され、半導体層、ゲート及びソース/ドレイン電極を備え、前記ソース/ドレイン電極のうち一つが前記下部電極に連結される薄膜トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光表示装置。
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