CN112820742A - 显示面板的制备方法和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板的制备方法和显示面板，该显示面板的制备方法包括：提供基板；在开孔区对应的基板上形成包括第一沟槽图案的第一光阻层；在第一光阻层上形成金属层；在金属层上形成包括第二沟槽图案的第二光阻层，且第二沟槽图案的位置与第一沟槽图案的位置相对应；其中，在与基板所在平面平行的方向上，第一沟槽图案的宽度小于第二沟槽图案的宽度；依次刻蚀第二沟槽图案、金属层和第一沟槽图案，以形成沟槽结构。相对于现有技术，本发明实施例提供的技术方案工艺简单，且能够保证沟槽结构具有良好的形貌，从而有利于封装层在沟槽结构处能够具有很好地连续性，进而提高了对显示区的封装效果，防止水氧通过沟槽结构进入发光器件。

Description

显示面板的制备方法和显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制备方法和显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，柔性有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置在智能电子产品中的使用率越来越高。
目前，随着全面屏时代的来临，各大厂商对全面屏的追求手段各不相同，其中，打孔屏已经成为当前显示领域的主流。通过将摄像头、传感器等器件设置在显示面板打孔的下方来提高屏占比。
但是，在实际生产过程中，打孔的地方容易出现膜层断裂，不利于显示面板的封装，降低封装效果。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法和显示面板，以提高显示面板的封装效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，所述显示面板划分为显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，所述非显示区包括开孔区；
所述显示面板的制备方法包括：
提供基板；
在所述开孔区对应的所述基板上形成包括第一沟槽图案的第一光阻层；
在所述第一光阻层上形成金属层；
在所述金属层上形成包括第二沟槽图案的第二光阻层，且所述第二沟槽图案的位置与所述第一沟槽图案的位置相对应；其中，在与所述基板所在平面平行的方向上，所述第一沟槽图案的宽度小于所述第二沟槽图案的宽度；
依次刻蚀所述第二沟槽图案、所述金属层和所述第一沟槽图案，以形成沟槽结构。
可选地，在所述开孔区对应的所述基板上形成具有第一沟槽图案的第一光阻层，包括：
在所述基板上形成预设厚度的未曝光的光阻层；
对未曝光的所述光阻层进行曝光，形成具有所述第一沟槽图案的所述第一光阻层。
可选地，所述第一光阻层的材料包括聚酰亚胺、硅或亚克力。
可选地，采用第一掩膜版对未曝光的所述光阻层进行曝光；
所述第一掩膜版包括透光区和不透光区，所述第一掩膜版的不透光区对应所述第一沟槽图案。
可选地，在所述金属层上形成包括第二沟槽图案的第二光阻层，包括:
在所述金属层远离所述基板一侧形成未曝光的光阻层；
对未曝光的所述光阻层进行曝光，形成具有所述第二沟槽图案的所述第二光阻层。
可选地，采用第二掩膜版对所述第二光阻层进行曝光；
所述第二掩膜版包括透光区和不透光区，所述第二掩膜版的透光区对应所述第二沟槽图案。
可选地，依次刻蚀所述第二沟槽图案、所述金属层和所述第一沟槽图案，以形成沟槽结构，包括：
对所述第二光阻层进行显影，形成第二沟槽，并刻蚀所述金属层以暴露所述第一光阻层；
去除所述第二光阻层，并对所述第一光阻层进行显影，形成第一沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽为贯通结构。
可选地，在与所述基板所在平面平行的方向上，所述第一沟槽的宽度范围为5-20μm，所述第二沟槽的边缘距离所述第一沟槽的边缘的长度范围为0.5-2μm；
在所述基板厚度方向上，所述第一沟槽的深度范围为1-5μm。
可选地，所述沟槽结构的形状包括圆形或倒梯形。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板采用本发明任意实施例所提供的显示面板的制备方法进行制备。
本发明实施例提供的技术方案，通过在开孔区对应的基板上形成包括第一沟槽图案的第一光阻层，这层第一光阻层用于形成部分沟槽结构，且为后续膜层提供支撑作用，使得在形成金属层时，金属层具有良好的平整性；在金属层远离基板一侧形成第二光阻层，第二光阻层包括宽度小于第一沟槽图案的第二沟槽图案，通过依次刻蚀第二沟槽图案、金属层和第一沟槽图案，形成沟槽图案。相对于现有技术，本发明实施例提供的技术方案工艺简单，易于实施，且能够保证沟槽结构具有良好的形貌，从而有利于封装层的形成，封装层在沟槽结构处能够具有很好地连续性，不会出现断裂的现象，进而提高了对显示区的封装效果，防止水氧通过沟槽结构进入OLED器件中。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；
图3-图8为图2所示显示面板制备方法所对应的显示面板沿剖面线AA’的剖面结构示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图；
图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图；
图13为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图14为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图15为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图17为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图18为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图；
图19为本发明实施例提供的一种沿图18中剖面线BB’的显示面板的剖面结构示意图；
图20为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术所述，现有技术在柔性OLED显示面板上开设安装孔时，在安装孔的边缘处容易发生膜层断裂的现象。在显示面板制作过程中，在形成安装孔后，需要对整个显示面板进行薄膜封装，以防止OLED器件受到水氧的侵袭。但是，封装薄膜在安装孔的边缘容易断开，使得安装孔周边的OLED器件将无法受到封装薄膜的保护，导致产品的寿命严重缩短。现有技术中通常将开孔区设置为底切结构(undercut)来增加OLED器件的封装效果，但是现有技术中的帝底切结构在实际制程过程中难以做到理想的形貌，导致封装薄膜在覆盖底切结构时成膜效果较差使得封装薄膜发生断裂，形成水氧入侵的路径。
针对上述问题，本发明实施例提供一种显示面板的制备方法，以解决现有显示面板的封装效果较差的问题。图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图，图3-图8为图2所示显示面板制备方法所对应的显示面板沿剖面线AA’的剖面结构示意图。参考图1-图8，该显示面板划分为显示区和围绕显示区设置的非显示区，非显示区包括开孔区。本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：
S110、提供基板。
具体地，显示面板包括显示区AA，以及围绕显示区AA设置的非显示区NA，在非显示区NA中设置有开孔区MM，其中，开孔区MM用于放置摄像头和传感器等装置。如图3所示，基板10可以是柔性的，可以由具有柔性的任意合适的绝缘材料形成，基板10也可以是刚性的，如玻璃基板。在开孔区MM与显示区AA之间还设置有过渡区NM，过渡区NM用于将开孔区MM和显示区AA隔离开。
S120、在开孔区对应的基板上形成包括第一沟槽图案的第一光阻层。
具体地，如图4所示，在基板10上形成无机层200，以形成阵列基板层。无机层200为多层结构，在显示区AA的无机层200之间形成半导体层和栅极层，从而形成驱动电路层。驱动电路层包括阵列排布的薄膜晶体管，薄膜晶体管根据接收到的驱动信号生成驱动电流，以驱动OLED器件发光。制作形成阵列基板层后，对开孔区MM对应的无机层200进行刻蚀，以形成通孔，在无机层200远离基板10的一侧形成第一光阻层301，第一光阻层301覆盖显示区AA、过渡区NM和开孔区MM。其中，第一光阻层301包括第一沟槽图案311，第一沟槽图案311位于开孔区MM。
S130、在第一光阻层上形成金属层。
具体地，如图5所示，在第一光阻层301远离基板10的一侧形成金属层40，由于通孔内形成有第一光阻层301，可以为金属层40提供支撑作用，有利于保证金属层40沉积的平整性。其中，金属层40可以为单层金属结构，也可以为多层金属结构，例如金属层40可以金属铝，也可以为铝/钛/铝的多层金属结构。
S140、在金属层上形成包括第二沟槽图案的第二光阻层，且第二沟槽图案的位置与第一沟槽图案的位置相对应；其中，在与基板所在平面平行的方向上，第一沟槽图案的宽度小于第二沟槽图案的宽度。
具体地，如图6所示，在第一光阻层301上沉积形成金属层40后，在金属层40远离基板10一侧形成包括第二沟槽图案312的第二光阻层302。其中，第一光阻层301和第二光阻层302均可以采用涂覆的方式形成。第二沟槽图案312的位置与第一沟槽图案311的位置形成相对应，且沿与基板10所在平面平行的方向上，第二沟槽图案312的宽度小于第一沟槽311的宽度，也即，第一沟槽图案311在基板10上的垂直投影落入第二沟槽图案312在基板10上的垂直投影内，这样设置的目的是为了便于形成底切结构，从而保证后续制程中能够有很好地封装效果。第一沟槽图案311和第二沟槽图案312可以为圆形，当第一沟槽图案311和第二沟槽图案312为圆形时，第一沟槽图案311和第二沟槽图案312同心设置。
S150、依次刻蚀第二沟槽图案、金属层和第一沟槽图案，以形成沟槽结构。
具体地，如图7和图8所示，由于第一沟槽图案311和第二沟槽图案312的材料为光阻，因此，第一沟槽图案311和第二沟槽图案312可以通过曝光显影的方式去除，金属层40可以采用激光刻蚀或湿刻法进行刻蚀。最后，去除剩余第二光阻层312即可形成沟槽结构320。在显示面板的后续封装制作过后中，由于沟槽结构320的存在，使得封装层能够很好地覆盖沟槽结构320，防止水氧从沟槽结构320的侧边进入OLED器件中。示例性地，图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，参考图9，在形成沟槽结构320后，在金属层40远离基板10一侧形成有机层50，其中有机层50可以包括发光层，由于沟槽结构320的存在，使得有机层50在沟槽结构320的断面处能够很好的断开，从而使得有机层50分成两部分。在发光层50远离基板10一侧形成封装层60，封装层60可以为无机层，也可以为无机层、有机层和无机层堆叠结构。封装层60采用气相沉积的方式形成，沟槽结构320能够为无机材料提供良好的成膜性能，使得封装层60不会在沟槽结构320的侧壁处发生断裂，进而提高了显示面板的封装效果。其中，无机材料包括但不限于氮化硅和氧化硅。
本发明实施例提供的技术方案，通过在开孔区对应的基板上形成包括第一沟槽图案的第一光阻层，这层第一光阻层用于形成部分沟槽结构，且为后续膜层提供支撑作用，使得在形成金属层时，金属层具有良好的平整性；在金属层远离基板一侧形成第二光阻层，第二光阻层包括宽度小于第一沟槽图案的第二沟槽图案，通过依次刻蚀第二沟槽图案、金属层和第一沟槽图案，形成沟槽图案。相对于现有技术，本发明实施例提供的技术方案工艺简单，易于实施，且能够保证沟槽结构具有良好的形貌，从而有利于封装层的形成，封装层在沟槽结构处能够具有很好地连续性，不会出现断裂的现象，进而提高了对显示区的封装效果，防止水氧通过沟槽结构进入OLED器件中。
在本实施例中，第一沟槽图案311可以采用曝光的方式形成。图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图，在上述各技术方案的基础上，参考图10，本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：
S210、提供基板。
S220、在基板上形成预设厚度的未曝光的光阻层。
S230、对未曝光的光阻层进行曝光，形成具有第一沟槽图案的第一光阻层。
具体地，图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，参考图11，在基板10上形成预设厚度的未曝光的光阻层310，其中，预设厚度为光阻层310在无机层200上的厚度。容易理解的是，由于在形成沟槽结构320之前，已经去除了位于开孔区MM内的无机层200，且开孔区MM暴露出基板10；因此在涂覆光阻层310时，为了保证第一光阻层301的平整性和完整性，位于开孔区MM内的光阻层310的厚度大于位于无机层200上的光阻层310的厚度。
其中，第一光阻层301可以为负性光阻层，采用第一掩膜版110对未曝光的光阻层310进行曝光，以便于后续对光阻层310的刻蚀。如图11所示，第一掩膜版110包括透光区101和不透光区102，由于光阻层310为负性光阻层，当负性光阻层受到光照后，其性质发生改变，曝光的地方不易溶于显影液中，而未曝光的地方则易溶于显影液。因此，第一掩膜版110的不透光区102对应第一沟槽图案311。由于第一沟槽图案未曝光，因此第一光阻层301具有第一沟槽图案311的位置没有发生性质改变。第一光阻层301的材料包括但不限于聚酰亚胺(PI)、硅或亚克力，以及它们各自对应的化合物。
需要说明的是，在此步骤仅仅是对光阻层310进行曝光形成具有第一沟槽图案的第一光阻层301，并不对第一光阻层301进行显影，以保证后续沉积金属层40的平整性。
S240、在第一光阻层上形成金属层。
S250、在金属层上形成包括第二沟槽图案的第二光阻层，且第二沟槽图案的位置与第一沟槽图案的位置相对应；其中，在与基板所在平面平行的方向上，第一沟槽图案的宽度小于第二沟槽图案的宽度。
S260、依次刻蚀第二沟槽图案、金属层和第一沟槽图案，以形成沟槽结构。
在本实施例中，第二沟槽图案312也可以采用曝光的方式形成。图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图，在上述各技术方案的基础上，参考图12，本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：
S310、提供基板。
S320、在基板上形成预设厚度的未曝光的光阻层。
S330、对未曝光的光阻层进行曝光，形成具有第一沟槽图案的第一光阻层。
S340、在第一光阻层上形成金属层。
S350、在金属层远离基板一侧形成未曝光的光阻层。
S360、对未曝光的光阻层进行曝光，形成具有第二沟槽图案的第二光阻层。
具体地，图13为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，参考图13，在金属层40远离基板10一侧形成未曝光的光阻层320，光阻层320的作用是用来形成具有第二沟槽图案312的第二光阻层302，以对金属层40进行刻蚀。其中，第二光阻层302可以为正性光阻层，可采用第二掩膜版120对光阻层320进行曝光，以便后续对第二光阻层302的刻蚀。如图13所示，第二掩膜版120包括透光区103和不透光区104，由于第二光阻层302为正性光阻，当正性光阻受到光照时，被照射的地方易溶于显影液，未被照射到的地方不易溶于显影液。因此，第二掩膜版120的透光区103对应第二沟槽图案312，对第二沟槽图案312进行曝光，以使得第二沟槽图案312所对应的第二光阻层302能够溶于显影液，从而便于对第二光阻层302进行刻蚀。
S370、对第二光阻层进行显影，形成第二沟槽，并刻蚀金属层以暴露第一光阻层。
具体地，形成具有第二沟槽图案312的第二光阻层后，对第二光阻层302进行显影。图14为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，图15为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，在上述各技术方案的基础上，参考图14和图15，由于第二光阻层302为正性光阻层，则曝光后的第二沟槽图案312所对应的第二光阻层302能够溶于显影液，形成第二沟槽。对第二沟槽图案312显影后，暴露出金属层40，则以剩余的第二光阻层302为掩膜版对金属层40进行刻蚀，并暴露出第一光阻层301。其中，金属层40的材料包括金、银、铝、钼、铬、钛、镍、铜等金属中的至少一种，可以采用湿刻法或激光刻蚀等工艺对金属层40进行刻蚀，以形成与第二沟槽图案312相同大小的通孔。
S380、去除第二光阻层，并对第一光阻层进行显影，形成第一沟槽，第一沟槽和第二沟槽为贯通结构。
具体地，图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，在上述各技术方案的基础上，参考图16，在刻蚀完金属层40后，对第二光阻层302进行剥离，以去除剩余的第二光阻层302。并且对第一光阻层301的第一沟槽图案311进行显影，去除第一沟槽图案311所对应的第一光阻层301的部分，以形成第一沟槽，至此，第一沟槽和第二沟槽共同形成完整的沟槽结构320，沟槽结构320的形状包括圆形或倒梯形。由于第一光阻层301的第一沟槽图案是最后经过显影方式去除的，因此能够降低对金属层40的损伤，采用本发明实施例提供的方法形成的沟槽结构320具有良好的形貌，且制作工艺简单。
继续参考图16，在本实施例中，在与基板10所在平面平行的方向上，第一沟槽的宽度b的范围为5-20μm，第二沟槽的边缘距离第一沟槽的边缘的长度a的范围为0.5-2μm；在基10板厚度方向上，第一沟槽的深度h的范围为1-5μm。将第二沟槽的边缘距离第一沟槽的边缘的长度a设置为0.5-2μm，能够保证有机层在金属层40断口的地方能够很好的断开，且在沉积封装层时，能够保证封装层在金属层40断口的地方具有良好的延续性，进而有利于提高封装层对显示区AA的封装效果。第一沟槽的深度h和第一沟槽的宽度b可以根据实际需要进行设置，如根据设置摄像头的大小和数量进行设定。其中，可以通过曝光能量的大小来对第一沟槽的宽度b进行精准控制。
需要说明的是，本实施例是以第一光阻层301为负性光阻层、第二光阻层302为正性光阻层为例进行原理阐述的，当然，在其他实施例中，第一光阻层301也可以为正性光阻层、第二光阻层302为负性光阻层，或者第一光阻层301和第二光阻层302均为正性光阻或负性光阻。
在本实施例中，有机层可以包括OLED器件发光层。图17为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，在上述各技术方案的基础上，参考图17，无机层200包括叠层设置的缓冲层(氮化硅缓冲层201和氧化硅缓冲层202)、栅绝缘层203、电容绝缘层204和层间电介质层205。无机层200之间还包括半导体层210、栅极220、电容上极板230和电容下极板240，半导体层210可以为P-Si有源层，对半导体层210进行掺杂可作为薄膜晶体管的漏源极，半导体层210与栅极220共同形成薄膜晶体管。无机层200的材料至少为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种，通过多层无机层200的叠层设置以对薄膜晶体管起到绝缘、缓冲和保护等功能。在层间电介质层205远离基板10的一侧形成金属走线250，并通过过孔连接半导体层210和存储电容的上下极板，金属走线250包括数据信号线、扫描信号线和电源信号线中的至少一种。由于显示面板内不同层图案所造成的面内段差，使得膜层表面出现起伏，通过在金属走线250上形成平坦化层，可以使得膜层表面平整，便于形成后续膜层，且平坦化层还可以起到绝缘相邻金属走线602的作用，在本实施例中，第一光阻层301可以作为平坦化层。通过本实施例提供的显示面板的制备方法形成沟槽结构320，然后在金属层40远离基板10一侧形成绝缘层501。在绝缘层501的表面依次制作阳极层502、像素定义层70、有机层503和阴极层504，其中，像素定义层70用于定义多个像素，像素定义层70上包括多个暴露阳极层502的开口，每一开口内均可形成一个像素。阳极层502、像素定义层70、有机层503和阴极层504设置在绝缘层501上，阳极层502位于开口的底部。阳极层502、有机层503和阴极层504形成OLED发光器件，其中有机层503可以为一层或者多层，例如有机层503可以包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层，阴极层504的电子和阳极层502的空穴在电场的驱动作用下分别注入电子注入层和空穴注入层，再经电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，电子和空穴在发光层结合产生激子，激子经过迁移和辐射衰减产生光子发光。阳极层502、像素定义层70、有机层503和阴极层504的制作方法与现有技术相同，在此不再赘述。
最后，在阴极层504表面采用气相沉积的方式形成封装层60，封装层60包括无机材料。沟槽结构320能够为无机材料提供良好的成膜性能，使得封装层60不会在沟槽结构320的侧壁处发生断裂，进而提高了显示面板的封装效果。
图18为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视结构示意图，如图18所示，开孔区MM包括两道切割环，在设置安装孔时，可以任意选择一切割环切割形成安装孔。图19为本发明实施例提供的一种沿图18中剖面线BB’的显示面板的剖面结构示意图，其沟槽结构320的形成过程与上述任意实施例所描述的方法相同，在此不再赘述。
当然，在其他实施例中，沟槽结构320还可以一次形成。图20为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，参考图20，在无机层200上涂覆一层第一光阻层301，通过曝光的方式在第一光阻层301对应开孔区MM处形成第一沟槽图案，由于第一光阻层301为聚酰亚胺、硅或亚克力系列的负性光阻，根据这些材料的特性可以直接显影形成倒梯形结构的沟槽，封装层在倒梯形结构的沟槽处同样能够具有良好的连续性，使得开孔区MM周围的OLED器件能够受到封装层的保护，达到延长显示面板的使用寿命，提升产品品质的目的。
可选地，本发明实施例还提供了一种显示面板，采用本发明任意实施例所提供的显示面板的制作方法进行制备，因此本发明实施例提供的显示面板具备本发明任意实施例所描述的有益效果。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板划分为显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，所述非显示区包括开孔区；
所述显示面板的制备方法包括：
提供基板；
在所述开孔区对应的所述基板上形成包括第一沟槽图案的第一光阻层；
在所述第一光阻层上形成金属层；
在所述金属层上形成包括第二沟槽图案的第二光阻层，且所述第二沟槽图案的位置与所述第一沟槽图案的位置相对应；其中，在与所述基板所在平面平行的方向上，所述第一沟槽图案的宽度小于所述第二沟槽图案的宽度；
依次刻蚀所述第二沟槽图案、所述金属层和所述第一沟槽图案，以形成沟槽结构。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述开孔区对应的所述基板上形成具有第一沟槽图案的第一光阻层，包括：
在所述基板上形成预设厚度的未曝光的光阻层；
对未曝光的所述光阻层进行曝光，形成具有所述第一沟槽图案的所述第一光阻层。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一光阻层的材料包括聚酰亚胺、硅或亚克力。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，采用第一掩膜版对未曝光的所述光阻层进行曝光；
所述第一掩膜版包括透光区和不透光区，所述第一掩膜版的不透光区对应所述第一沟槽图案。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述金属层上形成包括第二沟槽图案的第二光阻层，包括:
在所述金属层远离所述基板一侧形成未曝光的光阻层；
对未曝光的所述光阻层进行曝光，形成具有所述第二沟槽图案的所述第二光阻层。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，采用第二掩膜版对所述第二光阻层进行曝光；
所述第二掩膜版包括透光区和不透光区，所述第二掩膜版的透光区对应所述第二沟槽图案。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，依次刻蚀所述第二沟槽图案、所述金属层和所述第一沟槽图案，以形成沟槽结构，包括：
对所述第二光阻层进行显影，形成第二沟槽，并刻蚀所述金属层以暴露所述第一光阻层；
去除所述第二光阻层，并对所述第一光阻层进行显影，形成第一沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽为贯通结构。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在与所述基板所在平面平行的方向上，所述第一沟槽的宽度范围为5-20μm，所述第二沟槽的边缘距离所述第一沟槽的边缘的长度范围为0.5-2μm；
在所述基板厚度方向上，所述第一沟槽的深度范围为1-5μm。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述沟槽结构的形状包括圆形或倒梯形。
10.一种显示面板，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的显示面板的制备方法进行制备。
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