CN110660828A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 96
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 119
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 290
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
提供一种显示装置。所述显示装置包括：基底；电路层，位于基底上；显示层，位于电路层上；至少一个孔，位于基底的显示区域中，所述至少一个孔穿透基底、电路层和显示层；以及至少两个凹槽，所述至少两个凹槽围绕所述至少一个孔，其中，所述至少两个凹槽中的每个具有底切结构。基底包括顺序地堆叠的第一基底、第一无机层、第二基底和第二无机层，并且所述至少两个凹槽中的每个从显示层向下延伸到第二基底中。
Description
本申请要求于2018年6月29日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0075579号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的一个或更多个实施例涉及显示装置。
背景技术
近来，在显示装置的前表面上，在物理按钮已被去除的同时用于显示图像的显示区域的尺寸已经增大。已经引入了显示装置，其中诸如照相机的单独构件位于显示区域中以使显示区域的尺寸增大。
为了将诸如照相机的单独构件放置在显示区域中，在显示区域中形成单独构件所在的凹槽或贯穿部分。然而，形成在显示区域中的凹槽或贯穿部分会充当外部湿气通过其侵入显示区域中的湿气侵入路径。
发明内容
一个或更多个实施例包括显示装置，所述显示装置增大了显示区域的尺寸，并有效地防止外部湿气通过显示区域的贯穿部分侵入。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底，电路层，位于基底上；显示层，位于电路层上；至少一个孔，位于基底的显示区域中，所述至少一个孔穿透基底、电路层和显示层；以及至少两个凹槽，其围绕所述至少一个孔，所述至少两个凹槽中的每个具有底切结构，其中，基底包括顺序地堆叠的第一基底、第一无机层、第二基底和第二无机层，并且所述至少两个凹槽中的每个从显示层向下延伸到第二基底中。
所述至少两个凹槽可以包括最靠近所述至少一个孔并与所述至少一个孔分隔开的第一凹槽以及围绕第一凹槽并与第一凹槽分隔开的第二凹槽。第二无机层可以包括延伸到第一凹槽中的一对第一尖端，其中，所述一对第一尖端彼此面对以形成底切结构。第二无机层还可以包括延伸到第二凹槽中的一对第二尖端，其中，所述一对第二尖端彼此面对以形成底切结构。
显示装置还可以包括桥接件，所述桥接件将所述一对第二尖端沿第二凹槽的多个部分彼此连接，其中，桥接件与所述一对第二尖端一体地形成，并且所述一对第一尖端沿整个第一凹槽彼此分隔开。
显示装置还可以包括覆盖显示层的封装层，其中，封装层可以包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，并且第一无机封装层可以覆盖第一凹槽的底表面和内壁表面以及第二凹槽的底表面和内壁表面。
第一无机封装层可以覆盖桥接件的下表面。
有机封装层可以填充第二凹槽。
第二无机封装层和第一无机封装层可以在第一凹槽中彼此接触。
第一无机封装层和第二无机封装层可以延伸到所述至少一个孔的内侧壁，并且可以与基底的侧表面接触。
电路层可以包括薄膜晶体管，并且显示层可以包括电连接到薄膜晶体管的有机发光二极管。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底，其包括顺序地堆叠的第一基底、第一无机层、第二基底和第二无机层；电路层，位于基底上，显示层，位于电路层上；至少一个孔，位于基底的显示区域中，所述至少一个孔穿透基底、电路层和显示层；第一凹槽和第二凹槽，位于基底的显示区域中，第一凹槽和第二凹槽围绕所述至少一个孔；以及封装层，其覆盖显示层，其中，第二凹槽与第一凹槽分隔开并围绕第一凹槽，并且封装层可以包括填充第二凹槽的有机封装层。
第一凹槽和第二凹槽中的每个可以从显示层向下延伸到第二基底的一部分中。
封装层还可以包括分别设置在有机封装层的下方和上方的第一无机封装层和第二无机封装层，并且第一无机封装层和第二无机封装层可以在第一凹槽中彼此接触。
第二无机层可以包括朝向彼此延伸到第一凹槽中的一对第一尖端，并且第二无机层还可以包括朝向彼此延伸到第二凹槽中的一对第二尖端。
第一凹槽和第二凹槽中的每个的上部的宽度可以小于第一凹槽和第二凹槽中的每个的下部的宽度。
第二无机层还可以包括将第二尖端沿第二凹槽的部分彼此连接的桥接件，并且第一尖端沿整个第一凹槽彼此完全分隔开。
第二无机层还可以包括将第二尖端彼此连接的多个桥接件，并且所述多个桥接件可以沿第二凹槽以规则的间隔彼此分隔开。
电路层可以包括薄膜晶体管，并且显示层可以包括电连接到薄膜晶体管的有机发光二极管。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底，其包括顺序地堆叠的第一基底、第一无机层、第二基底和第二无机层；电路层，位于基底上；显示层，位于电路层上；至少一个孔，位于基底的显示区域中，所述至少一个孔穿透基底、电路层和显示层；以及第一凹槽和第二凹槽，位于基底的显示区域中，并且第一凹槽和第二凹槽围绕所述至少一个孔，其中，第二无机层包括朝向彼此延伸到第一凹槽中的一对第一尖端，并且第二无机层还包括朝向彼此延伸到第二凹槽中的一对第二尖端。
第一凹槽和第二凹槽中的每个可以从显示层向下延伸到第二基底的一部分中，并且第二凹槽可以与第一凹槽分隔开并围绕第一凹槽。
显示装置还可以包括覆盖显示层的封装层，其中，封装层包括填充第二凹槽的有机封装层以及分别设置在有机封装层的下方和上方的第一无机封装层和第二无机封装层。第一无机封装层和第二无机封装层可以在第一凹槽中彼此接触。
附图说明
图1是根据实施例的示例性显示装置的示意性平面图。
图2是沿图1的线I-I’截取的剖视图。
图3是沿图1的线II-II’截取的剖视图。
图4是图1的部分A的放大示意性平面图。
图5是沿图4的线III-III’截取的剖视图。
图6是沿图4的线VI-VI’截取的剖视图。
图7是示出形成图4的凹槽的方法的剖视图。
图8是沿图4的线III-III’截取的另一剖视图。
具体实施方式
由于公开允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中详细地描述实施例。然而，这不意图将本公开局限于特定的实践模式，并且将领会的是，不脱离本公开的实施例的精神和技术范围的所有改变、等同物和替代物都包含在本公开中。
在下面的实施例中，将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。
为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。
在下文中，将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。在附图中，同样的附图标记可以表示同样的元件。
图1是根据实施例的示例性显示装置10的示意性平面图。图2是沿图1的线I-I’截取的剖视图。
根据实施例的显示装置10包括基底100、设置在基底100上的电路层CL和设置在电路层CL上的显示层300，电路层CL包括诸如薄膜晶体管210的电路器件，显示层300包括电连接到薄膜晶体管210的显示元件310。在本实施例中，电路层CL不仅包括诸如薄膜晶体管210或电容器的电路器件，而且包括形成在薄膜晶体管210上的各种绝缘层。换言之，电路层CL从基底100上方延伸到平坦化层140。同样地，显示层300包括显示元件310和像素限定层150。
根据实施例的显示装置10包括多个像素所在的显示区域AA和位于显示区域AA外侧的外围区域PA。基底100包括显示区域AA和外围区域PA。外围区域PA包括电附着有各种电子器件或印刷电路基底的垫(pad，又称为“焊盘”或“焊垫”)区域。
根据实施例，除了显示元件310之外，薄膜晶体管210位于基底100的显示区域AA中。图2示出了诸如显示元件310的有机发光二极管位于显示区域AA中。有机发光二极管包括电连接到薄膜晶体管210的第一电极311。
此外，根据实施例，至少一个贯穿部分(在下文中，也称为“孔”)H位于显示区域AA中。贯穿部分H是在竖直方向上穿透基底100、电路层CL和显示层300的区域，并且是用于容纳针对显示装置10的功能或为显示装置10添加新功能的单独组件的空间。例如，贯穿部分H包括形成在显示区域AA中的多个贯穿部分，并且传感器、光源或照相机模块分别安装在每个贯穿部分H中。由于贯穿部分H穿透基底100、电路层CL和显示层300，因此外部湿气或氧会通过贯穿部分H渗漏到显示装置10中。然而，根据本实施例，围绕贯穿部分H的多个凹槽被形成，从而有效地防止湿气的侵入，这将在下面参照图4详细地描述。在下面的描述中，首先参照图2描述电路层CL和显示层300。
根据实施例，基底100包括各种材料。当在朝向基底100的方向上显示图像时，如在底发射型显示装置中，基底100由透明材料形成。然而，当在与基底100相对的方向上显示图像时，如在顶发射型显示装置中，基底100不需要由透明材料形成。在这种情况下，基底100可以由金属形成。当基底100由金属形成时，基底100可以包括铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(SUS)、因瓦合金(Invar alloy)、因科镍合金(Inconel alloy)或可伐合金(Kovar alloy)。
根据实施例，缓冲层110形成在基底100上。缓冲层110在基底100的上部上提供平坦化表面，并且可以防止异物或湿气通过基底100扩散。例如，缓冲层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机材料，或者诸如聚酰亚胺、聚酯或丙烯酸的有机材料，并且可以形成为所披露的材料的多个层叠体。
根据实施例，薄膜晶体管210和电连接到薄膜晶体管210的显示元件310设置在基底100上。
根据实施例，薄膜晶体管210包括有源层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。在下面的描述中，描述了其中薄膜晶体管210是其中有源层211、栅电极213以及源电极215a和漏电极215b顺序地形成的顶栅型的情况。然而，本公开的实施例不限于此，可以使用诸如底栅型的各种其它类型的薄膜晶体管210。
根据实施例，有源层211包括诸如非晶硅或多晶硅的半导体材料。然而，本公开的实施例不限于此，有源层211可以包括各种其它材料。在示例性实施例中，有源层211包括有机半导体材料。在另一示例性实施例中，有源层211包括氧化物半导体材料。例如，有源层211包括选自于12族、13族和14族金属元素(诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)等或其组合)的材料的氧化物。
根据实施例，栅极绝缘层121形成在有源层211上。栅极绝缘层121可以具有由诸如氧化硅或氮化硅的无机材料形成的单层或多层。栅极绝缘层121使有源层211与栅电极213绝缘。栅极绝缘层121不仅形成在显示区域AA中，而且延伸到外围区域PA中。
根据实施例，栅电极213形成在栅极绝缘层121上。栅电极213连接到栅极线，该栅极线将导通/截止信号传输到薄膜晶体管210。
根据实施例，栅电极213由低电阻金属形成。例如，栅电极213由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种形成为单层或多层。
根据实施例，层间绝缘层131形成在栅电极213上。层间绝缘层131使源电极215a和漏电极215b与栅电极213绝缘。层间绝缘层131不仅形成在显示区域AA中，而且延伸到外围区域PA中。
根据实施例，层间绝缘层131可以包括由无机材料形成的单层或多层。例如，无机材料可以是金属氧化物或金属氮化物。详细地，无机材料可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锆(ZrO2)。
根据实施例，源电极215a和漏电极215b形成在层间绝缘层131上。源电极215a和漏电极215b接触有源层211的区域。源电极215a和漏电极215b由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种形成为单层或多层。例如，源电极215a和漏电极215b具有钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)的三层的堆叠结构。
根据实施例，平坦化层140形成在源电极215a和漏电极215b上。平坦化层140去除由薄膜晶体管210形成的台阶，并防止由于不平坦表面导致的显示元件310中的缺陷。平坦化层140可以具有由有机材料形成的单层或包括由有机材料形成的多层。有机材料可以是诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物或其混合物。此外，平坦化层140可以由无机绝缘层和有机绝缘层的复合堆叠体形成。
根据实施例，显示元件310形成在平坦化层140上。显示元件310可以是例如有机发光二极管，该有机发光二极管包括第一电极311、面对第一电极311的第二电极315以及在第一电极311与第二电极315之间的中间层313。
根据实施例，第一电极311形成在平坦化层140上，并且电连接到薄膜晶体管210。第一电极311可以具有各种形式，诸如通过光刻法被图案化的岛形式。
根据实施例，第一电极311是反射电极。例如，第一电极311包括反射膜和形成在反射膜上的透明或半透明电极层，该反射膜由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的一种或者其混合物形成。透明或半透明电极层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化镓锌(GZO)和氧化铟镓锌(IGZO)中的至少一种。
例如，根据实施例，第一电极311具有第一透明或半透明电极层、包括银的第二导电层以及第三透明或半透明电极层的堆叠结构。此外，包括银的第二导电层还可以包括合金元素，该合金元素的原子半径小于或等于银的原子半径以防止银聚集。合金元素包括锌(Zn)、镍(Ni)、钴(Co)、铜(Cu)、镓(Ga)、锗(Ge)、铂(Pt)、锑(Sb)、锰(Mn)、钨(W)和钼(Mo)中的至少一种。
根据实施例，第二电极315是透明或半透明电极，并且形成为具有小的逸出功并包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其混合物的金属薄膜。此外，可以在金属薄膜上利用透明电极材料(诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3)进一步形成辅助电极层或汇流电极。因此，第二电极315使从包括在中间层313中的有机发射层发射的光透射。换言之，从有机发射层发射的光直接朝向第二电极315发射或者被反射性第一电极311反射。
然而，根据本实施例的显示装置10不限于顶发射型，而可以是其中从有机发射层发射的光朝向基底100发射的底发射型。在这种情况下，第一电极311包括透明或半透明电极，第二电极315包括反射电极。此外，根据本实施例的显示装置10可以是其中光从前表面和后表面在两个方向上发射的双发射型。
根据实施例，像素限定层150为在第一电极311上的绝缘体。像素限定层150通过诸如旋涂的方法形成，像素限定层150使用选自于聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚树脂中的至少一种有机绝缘材料。像素限定层150使第一电极311的区域暴露，并且包括有机发射层的中间层313设置在该暴露的区域中。换言之，像素限定层150界定有机发光二极管的像素区域。
根据实施例，包括在中间层313中的有机发射层包括低分子有机材料或聚合物有机材料，除了有机发射层之外，中间层313进一步并选择性地包括诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层。
图3是沿图1的线II-II’截取的剖视图。参照图3详细地描述基底100的构造(具体地，图1的外围区域PA)以及未在图2中描述的设置在图2的显示层300上的封装层500。
首先，根据实施例，基底100包括顺序地堆叠的第一基底101、第一无机层102、第二基底103和第二无机层104。
根据实施例，第一基底101和第二基底103由其主要成分是例如SiO2的透明玻璃材料形成。然而，第一基底101和第二基底103不限于此，而是可以由透明的塑料材料形成。塑料材料可以是聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。
根据实施例，第一基底101和第二基底103可以具有相同或不同的厚度。例如，第一基底101和第二基底103中的每个包括聚酰亚胺，并且具有约3μm至约20μm的厚度。
根据实施例，第一无机层102和第二无机层104用作防止外部异物侵入的阻挡层，可以包括具有诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机材料的单层或多层。第一无机层102和第二无机层104中的每个具有从约至约
的厚度，但是本公开的实施例不限于此。
根据实施例，图1的显示装置10包括封装层500，该封装层500通过覆盖图2的显示层300来保护显示元件310免受外部湿气或氧的影响。电连接到第二电极315的电极电源线410设置在图1的外围区域PA中。
根据实施例，电极电源线410与显示区域AA的其它导电层同时形成，并且由与显示区域AA的其它导电层的材料相同的材料形成。例如，电极电源线410与图2的源电极215a和漏电极215b一起形成，并且设置在层间绝缘层131上。然而，本公开的实施例不限于此，而是能够进行各种修改。例如，电极电源线410可以由与栅电极213的材料相同的材料与栅极绝缘层121上的栅电极213同时形成。
根据实施例，电极电源线410可以直接连接到第二电极315，或者如图3中所示可以经由设置在平坦化层140上的保护导电层420电连接到第二电极315。换言之，保护导电层420在电极电源线410上方延伸，以电连接到电极电源线410。保护导电层420由与第一电极311的材料相同的材料与平坦化层140上的第一电极311同时形成。
根据实施例，为了防止诸如氧或湿气的异物通过平坦化层140渗漏到显示区域AA中，如图3中所示，平坦化层140在外围区域PA中具有开口140b。此外，当形成保护导电层420时，保护导电层420填充开口140b。因此，可以有效地防止将另外渗漏到外围区域PA中的平坦化层140中的异物渗漏到显示区域AA中的平坦化层140中。
根据实施例，平坦化层140的开口140b可以具有各种形状。例如，平坦化层140中的开口140b是在显示区域AA外侧沿显示区域AA的边缘连续围绕显示区域AA的通道。开口140b可以包括连续围绕显示区域AA的多个通道140b。
根据实施例，提高由有机发光二极管产生的光的效率的盖层160设置在第二电极315上。盖层160覆盖第二电极315并延伸超出第二电极315，使得盖层160的端部设置在平坦化层140上。盖层160包括有机材料。
根据实施例，封装层500设置在盖层160上。封装层500保护有机发光二极管免受湿气或氧的影响。为此，封装层500不仅遍布有机发光二极管所在的显示区域AA延伸，而且遍布显示区域AA外侧的外围区域PA延伸。如图3中所示，封装层500具有多层结构。详细地，封装层500包括顺序地堆叠的第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530。
根据实施例，第一无机封装层510覆盖盖层160，并且包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。第一无机封装层510沿下面的结构形成。
根据实施例，有机封装层520覆盖第一无机封装层510，并且具有足以使有机封装层520的上表面基本平坦化的厚度。有机封装层520包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种。
根据实施例，第二无机封装层530覆盖有机封装层520，并且包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。第一无机封装层510和第二无机封装层530均具有比有机封装层520的面积大的面积，并且在有机封装层520外侧彼此接触。换言之，第一无机封装层510和第二无机封装层530防止有机封装层520暴露于外部。
如此，根据实施例，由于封装层500具有第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530的多层结构，因此即使在封装层500中产生裂纹时，裂纹也不会延伸到第一无机封装层510或第二无机封装层530中。因此，可以防止或减少外部湿气或氧会通过其渗漏到显示区域AA中的路径的形成。
根据实施例，在形成如上封装层500的工艺中，会损坏封装层500下方的结构。例如，如果第一无机封装层510通过化学气相沉积方法来形成，则会损坏直接在第一无机封装层510下方的层。因此，当第一无机封装层510直接形成在盖层160上时，会损坏盖层160，这会降低显示装置的光效率。因此，为了防止在形成封装层500时损坏盖层160，在盖层160与封装层500之间设置保护层。保护层包括LiF。
详细地，根据实施例，当形成封装层500时，用于形成有机封装层520的材料被限于位于预设区域中。为此，如图3中所示，第一坝610设置在外围区域PA中，与平坦化层140分隔开。
根据实施例，第一坝610具有多层结构。例如，第一坝610具有其中第一层611、第二层613和第三层615顺序地堆叠的结构。第一层611由与平坦化层140的材料相同的材料与平坦化层140同时形成，第二层613由与像素限定层150的材料相同的材料与像素限定层150同时形成。第三层615可以另外在第二层613上由与第二层613的材料相同的材料来形成。
根据实施例，第一坝610支撑在制造工艺中使用的用以形成有机发光二极管的中间层313或第二电极315或者用以形成盖层160的掩模。在该工艺中，第一坝610防止预先形成的构成元件接触并损坏掩模。此外，当在第一无机封装层510上形成有机封装层520时，第一坝610防止用于形成有机封装层520的材料流向基底100的边缘。此外，由于第一坝610与平坦化层140分隔开，因此可以防止外部湿气沿平坦化层140渗漏到显示区域AA中。
根据实施例，如图3中所示，第一无机封装层510和第二无机封装层530通过覆盖第一坝610而延伸到第一坝610的外侧，从而进一步有效地防止外部湿气和氧的渗漏。
根据实施例，第二坝620进一步形成在第一坝610的内侧上。第二坝620设置在电极电源线410上的保护导电层420上。第二坝620包括下层623和上层625并具有比第一坝610的高度低的高度，下层623由与第一坝610的第二层613的材料相同的材料与第二层613同时形成，上层625设置在下层623上并由与第一坝610的第三层615的材料相同的材料形成。
图4是图1的部分A的放大示意性平面图。图5是沿图4的线III-III’截取的剖视图。图6是沿图4的线VI-VI’截取的剖视图。图7是示出形成图4的凹槽的方法的剖视图。图8是沿图4的线III-III’截取的另一剖视图。
首先，根据实施例，参照图4至图6，形成在显示区域AA中的孔H穿透基底100、电路层CL和显示层300。此外，至少两个凹槽G1和G2形成在孔H附近并围绕孔H。至少两个凹槽G1和G2从显示层300延伸到基底100中。在下面的描述中，根据至少两个凹槽G1和G2中哪个更靠近孔H，将至少两个凹槽G1和G2称为第一凹槽G1和第二凹槽G2。换言之，最靠近孔H的凹槽被称为第一凹槽G1。尽管图4示出了其中两个凹槽G1和G2围绕孔H的示例，但是本公开的实施例不限于此，可以形成三个或更多个凹槽。
根据实施例，第一凹槽G1在与孔H分隔开的位置处围绕孔H。第一凹槽G1具有底切结构。例如，第一凹槽G1通过去除基底100的第二无机层104和第二基底103的部分来形成。在这种状态下，第二无机层104包括在第一凹槽G1的敞开的上端部中彼此面对并朝向彼此延伸的一对第一尖端T1。换言之，第一凹槽G1的上端部的宽度小于第一凹槽G1的内部或底部的宽度。第一凹槽G1的宽度表示在与第一凹槽G1的长度方向垂直的方向上测量的距离。例如，当第一凹槽G1具有圆形形状时，第一凹槽G1的宽度是沿圆的与圆的圆周方向垂直的径向方向。
根据实施例，所述一对第一尖端T1由图7中示出的方法形成。详细地，在通过使第二无机层104图案化形成开口之后，使用第二无机层104作为掩模，从第二无机层104上方朝向第二基底103照射激光束(如图7中的箭头表示)，以去除第二基底103。可选地，执行干蚀刻。然后，第二基底103被去除，使得第一凹槽G1的底部比第二无机层104的开口大，并且第二无机层104的开口图案构成所述一对第一尖端T1。
如此，根据实施例，当显示元件310形成在其中形成有一对第一尖端T1处时，由于由一对第一尖端T1限定的底切结构，使得包括在显示元件310中的各种有机层未形成在第一凹槽G1的内壁表面上，并且包括在显示元件310中的各种有机层仅形成在第一凹槽G1的底部的表面的部分区域上。因此，包括在显示层300中的各种有机层被断开，因此可以防止穿过孔H的外部湿气或氧沿显示元件310中的各种有机层渗漏到显示区域AA中。
根据实施例，第二凹槽G2在与第一凹槽G1分隔开的区域中围绕第一凹槽G1。第一凹槽G1和第二凹槽G2可以关于孔H的中心是同心的。第二凹槽G2的基本构造与第一凹槽G1的基本构造相同。换言之，第二凹槽G2具有包括一对第二尖端T2的底切结构，因此，第二凹槽G2的上端部的宽度小于第二凹槽G2的下端部的宽度。与第一尖端T1不同，第二凹槽G2的第二尖端T2沿第二凹槽G2的整个圆周方向彼此不完全分隔开。换言之，在第一尖端T1遍布第一凹槽G1的整个圆周方向彼此分隔开时，第二尖端T2沿第二凹槽G2的圆周方向的部分通过桥接件B彼此连接。
根据实施例，桥接件B通过将第二尖端T2部分连接来提高第二尖端T2的机械强度。因此，即使当冲击作用于第二尖端T2时，也可以防止对第二尖端T2的损坏，因此可以防止在封装层500的第一无机封装层510中形成裂纹。桥接件B包括多个桥接件，并且多个桥接件B在第二凹槽G2的圆周方向上以规则间隔或不规则间隔分隔开。桥接件B与第二尖端T2一体地形成。相反，由于第一凹槽G1定位得最靠近孔H，所以如果第一尖端T1通过桥接件B连接，则显示元件310将形成在桥接件B上，因此将形成连续的有机层。因此，第一尖端T1沿整个圆周方向彼此分隔开。
根据实施例，尽管显示元件310由于第一凹槽G1和第二凹槽G2的底切结构而没有形成在第一凹槽G1和第二凹槽G2的内壁表面上，但是由于封装层500的第一无机封装层510形成为共形，所以第一无机封装层510不仅形成在第一凹槽G1和第二凹槽G2的内壁表面上，而且形成在第一尖端T1和第二尖端T2的下表面上。换言之，第一无机封装层510连续地形成而没有中断。
根据实施例，如图6中所示，第一无机封装层510形成在桥接件B的下表面上。为此，桥接件B的宽度小于或等于第二尖端T2的长度的两倍。桥接件B的宽度表示沿第二凹槽G2的圆周方向的宽度，第二尖端T2的长度表示沿第二凹槽G2的径向方向的长度。由于第一无机封装层510甚至形成在桥接件B的下表面上，因此防止了第一无机封装层510在桥接件B的下表面上部分地断开。
根据实施例，有机封装层520填充第二凹槽G2的内部。换言之，当形成有机封装层520时，用于形成有机封装层520的材料填充第二凹槽G2的内部，并防止其溢出到第二凹槽G2外部。换言之，由于第二凹槽G2划分了其中形成有有机封装层520的区域，因此可以省略第一坝610，因此可以减小孔H周围的非显示区域。
根据实施例，第二无机封装层530与第一无机封装层510类似地形成。因此，第二无机封装层530和第一无机封装层510在最靠近孔H的第一凹槽G1中彼此接触，从而防止外部湿气和氧的侵入。
根据实施例，如图8中所示，第一无机封装层510和第二无机封装层530延伸到孔H的内壁并接触基底100的侧表面。因此，可以有效地防止外部湿气和氧的侵入。
如上所述，根据上述实施例，形成了围绕其中设置有诸如照相机的单独构件的贯穿部分的多个凹槽，可以防止外部湿气通过贯穿部分的侵入。
此外，由于彼此面对并形成多个凹槽中的每个的开口的上端的一对尖端部分通过桥接件彼此部分地连接，因此尖端部分的机械强度得以改善，因此可以防止对封装层的损坏。
本公开的范围不被上述效果限制。
应该理解的是，这里描述的实施例应该仅被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。通常应该认为每个实施例中的特征或方面的描述可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。
尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。
Claims (20)
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
电路层，位于所述基底上；
显示层，位于所述电路层上；
至少一个孔，位于所述基底的显示区域中，所述至少一个孔穿透所述基底、所述电路层和所述显示层；以及
至少两个凹槽，所述至少两个凹槽围绕所述至少一个孔，所述至少两个凹槽中的每个具有底切结构，
其中，所述基底包括顺序地堆叠的第一基底、第一无机层、第二基底和第二无机层，并且
所述至少两个凹槽中的每个从所述显示层向下延伸到所述第二基底中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少两个凹槽包括最靠近所述至少一个孔并与所述至少一个孔分隔开的第一凹槽以及围绕所述第一凹槽并与所述第一凹槽分隔开的第二凹槽，
所述第二无机层包括延伸到所述第一凹槽中的一对第一尖端，其中，所述一对第一尖端彼此面对以形成所述底切结构，并且
所述第二无机层还包括延伸到所述第二凹槽中的一对第二尖端，其中，所述一对第二尖端彼此面对以形成所述底切结构。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括桥接件，所述桥接件将所述一对第二尖端沿所述第二凹槽的多个部分彼此连接，其中，所述桥接件与所述一对第二尖端一体地形成，并且所述一对第一尖端沿整个所述第一凹槽彼此分隔开。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述显示层的封装层，
其中，所述封装层包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，并且
所述第一无机封装层覆盖所述第一凹槽的底表面和内壁表面以及所述第二凹槽的底表面和内壁表面。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一无机封装层覆盖所述桥接件的下表面。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述有机封装层填充所述第二凹槽。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二无机封装层和所述第一无机封装层在所述第一凹槽中彼此接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层延伸到所述至少一个孔的内侧壁并与所述基底的侧表面接触。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电路层包括薄膜晶体管，并且所述显示层包括电连接到所述薄膜晶体管的有机发光二极管。
10.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，所述基底包括顺序地堆叠的第一基底、第一无机层、第二基底和第二无机层；
电路层，位于所述基底上；
显示层，位于所述电路层上；
至少一个孔，位于所述基底的显示区域中，所述至少一个孔穿透所述基底、所述电路层和所述显示层；
第一凹槽和第二凹槽，位于所述基底的所述显示区域中，并且所述第一凹槽和所述第二凹槽围绕所述至少一个孔；以及
封装层，所述封装层覆盖所述显示层，
其中，所述第二凹槽与所述第一凹槽分隔开并围绕所述第一凹槽，并且
所述封装层包括填充所述第二凹槽的有机封装层。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每个从所述显示层向下延伸到所述第二基底的一部分中。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述封装层还包括分别设置在所述有机封装层的下方和上方的第一无机封装层和第二无机封装层，并且
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述第一凹槽中彼此接触。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二无机层包括一对第一尖端，所述一对第一尖端朝向彼此延伸到所述第一凹槽中，并且
所述第二无机层还包括一对第二尖端，所述一对第二尖端朝向彼此延伸到所述第二凹槽中。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每个的上部的宽度小于所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每个的下部的宽度。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第二无机层还包括桥接件，所述桥接件将所述一对第二尖端沿所述第二凹槽的多个部分彼此连接，并且所述一对第一尖端沿整个所述第一凹槽彼此完全分隔开。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第二无机层还包括将所述一对第二尖端彼此连接的多个桥接件，并且所述多个桥接件沿所述第二凹槽以规则的间隔彼此分隔开。
17.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述电路层包括薄膜晶体管，并且所述显示层包括电连接到所述薄膜晶体管的有机发光二极管。
18.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括顺序地堆叠的第一基底、第一无机层、第二基底和第二无机层；
电路层，位于所述基底上；
显示层，位于所述电路层上；
至少一个孔，位于所述基底的显示区域中，所述至少一个孔穿透所述基底、所述电路层和所述显示层；以及
第一凹槽和第二凹槽，位于所述基底的所述显示区域中，并且所述第一凹槽和所述第二凹槽围绕所述至少一个孔，
其中，所述第二无机层包括一对第一尖端，所述一对第一尖端朝向彼此延伸到所述第一凹槽中，并且
所述第二无机层还包括一对第二尖端，所述一对第二尖端朝向彼此延伸到所述第二凹槽中。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每个从所述显示层向下延伸到所述第二基底的一部分中，并且所述第二凹槽与所述第一凹槽分隔开并围绕所述第一凹槽。
20.根据权利要求18所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述显示层的封装层，其中，所述封装层包括填充所述第二凹槽的有机封装层以及分别设置在所述有机封装层的下方和上方的第一无机封装层和第二无机封装层，并且
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述第一凹槽中彼此接触。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180075579A KR20200003328A (ko) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 디스플레이 장치 |
| KR10-2018-0075579 | 2018-06-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110660828A true CN110660828A (zh) | 2020-01-07 |
Family
ID=67180515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910558894.9A Pending CN110660828A (zh) | 2018-06-29 | 2019-06-26 | 显示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US10930885B2 (zh) |
| EP (1) | EP3588574B1 (zh) |
| JP (1) | JP7301579B2 (zh) |
| KR (1) | KR20200003328A (zh) |
| CN (1) | CN110660828A (zh) |
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| KR20200003328A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
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- 2018-06-29 KR KR1020180075579A patent/KR20200003328A/ko active Search and Examination
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- 2019-03-29 JP JP2019068430A patent/JP7301579B2/ja active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200006700A1 (en) | 2020-01-02 |
| US20230026398A1 (en) | 2023-01-26 |
| US20240074228A1 (en) | 2024-02-29 |
| JP2020004705A (ja) | 2020-01-09 |
| US11462717B2 (en) | 2022-10-04 |
| EP3588574B1 (en) | 2021-11-03 |
| EP3588574A1 (en) | 2020-01-01 |
| US10930885B2 (en) | 2021-02-23 |
| JP7301579B2 (ja) | 2023-07-03 |
| KR20200003328A (ko) | 2020-01-09 |
| US20210175472A1 (en) | 2021-06-10 |
| US11839105B2 (en) | 2023-12-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |