CN111627930B - 阵列基板及其制备方法与显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置,所述阵列基板包括衬底与形成于所述衬底之上的阵列功能层,所述阵列基板划分为:通孔区,形成有一个贯穿的通孔;缓冲区,环绕所述通孔区配置;显示区,环绕所述缓冲区配置;在所述缓冲区中,包括衬底与形成于所述衬底之上的阵列功能层中的无机膜层,在所述无机膜层中,形成有一或多条环绕所述通孔区的凹槽,所述凹槽的形状为闭合或间断的环形,所述凹槽的深度小于所述无机膜层的厚度或所述凹槽使得所述衬底显露。通过将缓冲区的无机膜层设置环形凹槽,释放此处无机膜层的内应力,大大降低因膜层开裂造成封装失效的风险。

Description

阵列基板及其制备方法与显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法与显示面板。
背景技术
随着显示技术的日益发展,用户开始对显示效果有了更多元的需求,例如对显示设备的高屏占比要带来的卓越的视觉体验有着热切的需求。在目前发行的主流显示设备中,为了放置前置摄像头,通常将显示屏的形状设计为“刘海屏”或“美人尖屏”等异形屏幕。
为了更进一步提高屏占比,各大厂商开始研发在显示屏面内开孔的设计方案,即仅仅只在显示屏对应前置摄像头正上方的区域开设镜头大小的圆形通孔,将屏占比做到极致。但,在该方案中,显示面板面内开设的圆形通孔,容易造成此局部区域的边缘发生裂纹或者封装不良等风险,从而导致显示面板功能失效。因此如何保证该区域的封装可靠性以及降低裂纹发生的几率,成了实现显示面板面内开孔技术所亟待解决的问题。
发明内容
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种阵列基板,所述阵列基板包括衬底与形成于所述衬底之上的阵列功能层,所述阵列基板划分为:
通孔区,形成有一个贯穿的通孔;
缓冲区,环绕所述通孔区配置;
显示区,环绕所述缓冲区配置;
在所述缓冲区中,包括衬底与形成于所述衬底之上的阵列功能层中的无机膜层,在所述无机膜层中,形成有一或多条环绕所述通孔区的凹槽,所述凹槽的形状为闭合或间断的环形,所述凹槽的深度小于所述无机膜层的厚度或所述凹槽使得所述衬底显露。
进一步地,在所述缓冲区中的无机膜层之上,设置有环绕所述通孔区的挡墙,所述挡墙与所述通孔区之间的区域为第一缓冲区,所述挡墙与所述显示区之间的区域为第二缓冲区,所述一或多凹槽设置于所述第一缓冲区,及/或第二缓冲区,所述一或多凹槽包括设置于所述第一缓冲区的第一凹槽,及/或设置于所述第二缓冲区的第二凹槽。
进一步地,所述第一凹槽及所述第二凹槽各自独立地为闭合或间断的环形,所述第一凹槽中填充有机材料。
进一步地,所述第一缓冲区设置有至少一条所述第一凹槽,所述至少一条第一凹槽将所述第一缓冲区中的无机膜层间隔形成至少两条环状无机条部,其中,当所述第一凹槽为闭合的环形时,所述的至少两条环状无机条部中一者或多者中配置有一或多个缺口,所述一或多个缺口被有机材料填充;所述第二缓冲区设置有至少一条所述第二凹槽,所述第二凹槽为间断的环形且设置有一个或多个间断部位。
进一步地,所述第一缓冲区设置有至少两条所述第一凹槽,将所述第一缓冲区中的无机膜层间隔形成至少三条环状无机条部,在所述至少三条环状无机条部中,最外侧以及最内侧的所述环状无机条部为闭合的环形,剩余的所述环状无机条部分别设置有一个缺口。
进一步地,在两条相邻的存在所述缺口的环状无机条部中,两个所述的缺口与所述通孔区中心形成的夹角大于等于90度,且小于等于180度。
第二方面,本发明还提供了一种阵列基板的制备方法,所述阵列基板包括通孔区,缓冲区,环绕所述通孔区设配置,以及显示区,环绕所述缓冲区配置,所述制备方法包括下列步骤:
S01:提供一基板,在所述基板上形成阵列功能层,其中,在所述通孔区以及缓冲区所形成的膜层仅包括所述阵列功能层中的无机膜层以及形成于所述缓冲区的无机膜层上的环绕所述通孔区配置的挡墙;
S02:在所述缓冲区的无机膜层内形成一或多条环绕所述通孔区的凹槽,所述凹槽的形状为闭合或间断的环形,所述凹槽的深度小于所述无机膜层的厚度或所述凹槽使得所述衬底显露;
S03:在所述凹槽的内部填充有机材料;以及
S04:对所述通孔区切割以形成一个贯穿的通孔。
进一步地,所述挡墙将所述缓冲区划分为所述挡墙与所述通孔区之间第一缓冲区,以及所述挡墙与所述显示区之间的第二缓冲区,形成的所述凹槽包括形成于所述第一缓冲区的第一凹槽,及/或形成于所述第二缓冲区的第二凹槽。
进一步地,所述第一凹槽及所述第二凹槽各自独立地为闭合或间断的环形。
第三方面,本发明还提供了一种显示面板,所述显示面板包括前述的阵列基板。
有益效果:本发明提供了一种阵列基板及其制备方法与显示面板,在所提供的阵列基板中,放置前置摄像头的通孔与显示区之间设置了缓冲区,通过将此缓冲区内的无机膜层开设凹槽,从而有效释放缓冲区无机膜层的内应力,即大大降低了缓冲区无机膜层开裂的风险,提升了所制备的显示面板的封装可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供一种的阵列基板的平面结构示意图;
图2是本发明实施例提供一种的阵列基板的截面结构示意图;
图3是本发明实施例提供一种的阵列基板中的第一缓冲区的平面结构示意图;
图4是本发明实施例提供另一种的阵列基板中的第一缓冲区的平面结构示意图;
图5是本发明实施例提供另一种的阵列基板中的第一缓冲区的平面结构示意图;
图6是本发明实施例提供另一种的阵列基板中的第一缓冲区的平面结构示意图;
图7是本发明实施例提供一种的阵列基板中的第二缓冲区的平面结构示意图;
图8是本发明实施例提供另一种的阵列基板中的第二缓冲区的平面结构示意图;
图9A-9D是本发明实施例提供一种的阵列基板的制备方法的结构流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明,给出了以下描述。在以下描述中,为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是,本领域普通技术人员可以认识到,在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中,不会对公知的结构和过程进行详细阐述,以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此,本发明并非旨在限于所示的实施例,而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本发明实施例提供一种阵列基板,其平面结构示意图请参阅图1,其截面结构示意图请参阅图2,具体地,所述阵列基板包括衬底10与形成于所述衬底之上的阵列功能层20,所述阵列基板10划分为:
通孔区Z1,形成有一个贯穿的通孔,作为放置前置摄像头的区域;
缓冲区Z2,环绕所述通孔区Z1设置,作为隔离内部显示区与外部通孔区的部分,对于内部显示区的封装效果起着关键作用;
显示区Z3,环绕所述缓冲区Z2设置;
非显示区Z4,配置于所述显示区Z3的一条侧边外或两条以上的侧边外,例如可配置于所述显示区Z3的四条侧边外,即环绕所述显示区Z3配置。
在所述缓冲区Z2中,包括衬底10与形成于所述衬底10之上的阵列功能层20中的无机膜层201(通常为所述阵列功能层20中的常规的无机膜层,例如缓冲层,栅极绝缘层,层间绝缘层以及钝化层),在所述无机膜层201中,形成有至少一条环绕所述通孔区的凹槽30,所述凹槽30的形状为闭合或间断的环形,所述凹槽30的深度小于所述无机膜层201的厚度(此类型图中未示出)或所述凹槽30使得所述衬底10显露。
因无机膜层通常含有较大的应力,易出现裂纹,从而导致外界,即通孔区的水氧入侵到显示区,使得所述阵列基板之上的设置的OLED器件失效,导致不良,本实施例通过在缓冲区的无机膜层中开设凹槽,达到释放应力的效果,从而也降低了缓冲区无机膜层出现裂纹的风险。其中,所述凹槽可的深度有多种选择,可小于所述无机膜层的厚度,或大于等于所述无机膜层的厚度,即,使得所述衬底显露;当有多条所述凹槽时,亦可部分凹槽的深度小于所述无机膜层的厚度,另一部分凹槽使得所述衬底显露,根据实际的工艺需求进行设定即可。可以理解的是,当所述凹槽部位的无机膜层完全去除时,可最大程度的释放无机膜层的应力。
在本实施例中,所述凹槽30通常通过干法蚀刻工艺形成,当所述凹槽30需使得所述衬底10显露时,为了完全蚀刻去除所述凹槽30处的无机膜层,通常会过刻少量下层的衬底(图中未示出)。
在一些实施例中,请继续参阅图2,在所述缓冲区Z2中的无机膜层201之上,设置有环绕所述通孔区Z1的挡墙40,用于后续薄膜封装制程中,防止喷墨打印的液态有机材料溢出,所述挡墙40与所述通孔区Z1之间的区域为第一缓冲区Z21,所述挡墙40与所述显示区Z3之间的区域为第二缓冲区Z22,所述凹槽30设置于所述第一缓冲区Z21,和/或第二缓冲区Z22,即仅单独在所述第一缓冲区Z21或第二缓冲区Z22设置,或在所述一缓冲区Z21与第二缓冲区Z22均设置,设置于所述第一缓冲区Z21的所述凹槽30为第一凹槽301,设置于所述第二缓冲区Z22的所述凹槽30为第二凹槽302。
在一些实施例中,所述第一缓冲区Z21设置有至少一条所述第一凹槽301,所述第一凹槽301为闭合的环形,所述第一缓冲区Z21的平面结构请参阅图3,示例性示出了四条第一凹槽301,将所述第一缓冲区Z21的无机膜层201间隔形成五条环状无机条部2011,所述第一凹槽301的内部填充有机材料(图中未示出),因有机材料具有较小的应力,即可将低第一缓冲区Z21膜层产生裂纹的风险。
但是,当所述环状无机条部2011为闭合的环形时,仍具有相对较大的应力,闭合的环状无机条部易发生裂纹,从而提供了水汽入侵的路径,使得所述阵列基板之上的设置的OLED器件封装失效,导致不良。基于此,为了更进一步降低所述第一缓冲区Z21中无机膜层201的应力,在至少一条所述的环状无机条部2011中设置有至少一个缺口303,所述缺口303被有机材料填充,通过在所述的环状无机条部2011中设置有一或多个缺口303,更进一步地释放环状无机条部2011内的应力,即能最大程度地降低无机膜层出现裂纹从而导致封装失效的风险。
所述第一缓冲区Z21的平面结构请参阅图4,示例性地在每一所述的环状无机条部2011中均设置有一个缺口303,当然,也可仅在部分所述的环状无机条部2011分别设置一个或多个所述缺口303,具体结构示意图本发明未提供,相关技术人员应当很容易理解。
在环状无机条部2011中设置所述缺口303后,使得所述缺口303对应相邻的两条所述第一凹槽301连通,即填充于该两条第一凹槽301中的有机材料连通,为了保证最佳的封装性能,在一些实施例中,将最外侧以及最内侧的所述环状无机条部2011设计为闭合的环形,剩余的所述环状无机条部分别设置一个缺口303,所形成的第一缓冲区Z21的平面结构请参阅图5及图6。
进一步的,为了尽可能延长水汽通过有机材料的入侵路径,在两条相邻的存在所述缺口303的环状无机条部2011中,两个所述的缺口303与所述通孔区Z1中心形成的夹角需尽可能地大,当该夹角为180度时最优,即形成如图5所示的结构。经验证,该夹角最小可为90度,即形成如图6所示的结构。综上,在两条相邻的存在所述缺口303的环状无机条部2011中,两个所述的缺口303与所述通孔区Z1中心形成的夹角需大于等于90度且小于等于180度。
在一些实施例中,请参阅图7以及图8,所述第二缓冲区Z22设置有至少一条所述第二凹槽302,任意一所述的第二凹槽302为间断的环形且设置有至少一个间断部位,当一条所述第二凹槽302中设置多个间断部位2012时,所述多个间断部位2012平均的分布于对应的所述第二凹槽302中。一方面,第二凹槽302与所述第一凹槽301同样可起到减小膜层应力而防止膜层开裂的效果,另一方面,不同的是,所述第二凹槽302并未如所述第一凹槽301一样填充有机材料,所述第二凹槽302空置,在后续进行薄膜封装制程时,喷墨打印的液态有机材料在流平的过程中,由于第二凹槽302地势较低洼,有机材料会首先会将第二凹槽302沟槽满,即可以有效阻挡喷墨打印的液态有机材料越过挡墙40溢出。
具体地,所述第二缓冲区Z22设置有两条所述第二凹槽302,每一所述的第二凹槽302均为间断的环形且设置有四个平均分布的间断部位2012,两条第二凹槽302的间断部位2012相互错开45度,即形成如图7所示的结构。
或者,所述第二缓冲区Z22设置有一条所述第二凹槽302,该第二凹槽302均为间断的环形且设置有四个平均分布的间断部位2012,即形成如图8所示的结构。当然也可根据实际工艺设计为其他结构,本发明在此不再赘述。
本发明另一实施例还提供了一种前述阵列基板的制备方法,具体步骤请参阅图9A-9D,其中,所述阵列基板包括通孔区Z1,缓冲区Z2,环绕所述通孔区Z1设配置以及显示区Z3,环绕所述缓冲区Z2配置,具体位置分布请参阅前述的实施例,此处不再赘述,所述制备方法包括下列步骤:
S01:提供一基板10,在所述基板10上形成阵列功能层20,其中,在所述通孔区Z1以及缓冲区Z2所形成的膜层仅包括所述阵列功能层20中的无机膜层201以及形成于所述缓冲区Z2的无机膜层201上的环绕所述通孔区Z1配置的挡墙40,及形成如图9A所示的结构;
其中,所述挡墙40将所述缓冲区Z1划分为所述挡墙40与所述通孔区Z1之间第一缓冲区Z21,以及所述挡墙40与所述显示区Z3之间的第二缓冲区Z21,
可以理解的是,在所述显示区Z3内的阵列功能层通常包括各金属膜层,如源漏电极以及栅极、有源层,无机层,如栅极绝缘层,钝化层,层间绝缘层等、以及有机膜层,如平坦层,像素定义层等;而在通孔区Z1,缓冲区Z2中的阵列功能层仅包括其中的无机膜层,以及与阵列功能层中有机膜层同步形成的挡墙40;
S02:在所述缓冲区的无机膜层内形成一或多条环绕所述通孔区的凹槽30,通常情况下,所述凹槽30通过干法蚀刻工艺形成,即形成如图9B所示的结构,所述凹槽30包括形成于所述第一缓冲区Z21的第一凹槽301,及/或形成于所述第二缓冲区Z22的第二凹槽302,所述凹槽30的形状为闭合或间断的环形,具体请参阅前述实施例的表述,此处不再赘述,所述凹槽30使得所述衬底10显露(此类型图中未示出)或所述凹槽30使得所述衬底10显露;
S03:在所述凹槽30的内部填充有机材料50,即形成如图9C所示的结构,填充有机材料的工艺通常可以为喷墨打印工艺或涂布工艺,通常情况下仅在所述第一凹槽301内进行填充,而第二凹槽302空置,在使用该阵列基板后续进行显示面板的制备,其中进行薄膜封装制程时,喷墨打印的液态有机材料在流平的过程中,由于第二凹槽302地势较低洼,有机材料会首先会将第二凹槽302沟槽满,即可以有效阻挡喷墨打印的液态有机材料越过挡墙40溢出。
S04:对所述通孔区Z1切割以形成一个贯穿的通孔,即将通孔区Z1处的基板及其他膜层去除,即形成如图9D所示的结构,所述切割所采用的工艺方法通常为激光切割工艺。
本发明的另一实施例还提供了一种显示面板,包括阵列基板,设置于所述阵列基板上的OLED器件层,以及设置于所述OLED器件层上的薄膜封装层,其中,所述阵列基板选自前述实施例所提供的阵列基板。
本发明另一实施例还提供了一种显示设备,包括前述的显示面板,所述显示设备包括但不限于手机、平板电脑、电脑、电视、车载显示、智能腕表以及VR设备,具体本发明不做限定。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见上文针对其他实施例的详细描述,此处不再赘述。
具体实施时,以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现,也可以进行任意组合,作为同一或若干个实体来实现,以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例,在此不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法与显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底与形成于所述衬底之上的阵列功能层,所述阵列基板划分为:
通孔区,形成有一个贯穿的通孔;
缓冲区,环绕所述通孔区配置;
显示区,环绕所述缓冲区配置;
在所述缓冲区中,包括衬底与形成于所述衬底之上的阵列功能层中的无机膜层,在所述无机膜层中,形成有一或多条环绕所述通孔区的凹槽,所述凹槽的形状为闭合或间断的环形,所述凹槽的深度小于所述无机膜层的厚度或所述凹槽使得所述衬底显露;
在所述缓冲区中的无机膜层之上,设置有环绕所述通孔区的挡墙,所述挡墙与所述通孔区之间的区域为第一缓冲区,所述挡墙与所述显示区之间的区域为第二缓冲区,所述一或多凹槽设置于所述第一缓冲区,及/或第二缓冲区,所述一或多凹槽包括设置于所述第一缓冲区的第一凹槽,及/或设置于所述第二缓冲区的第二凹槽;
所述第一缓冲区设置有至少一条所述第一凹槽,所述第一凹槽为闭合的环形,至少一条第一凹槽将所述第一缓冲区中的无机膜层间隔形成至少两条环状无机条部,所述的至少两条环状无机条部中一者或多者中配置有一或多个缺口。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二凹槽为闭合或间断的环形,所述第一凹槽中填充有机材料。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述一或多个缺口被有机材料填充;所述第二缓冲区设置有至少一条所述第二凹槽,所述第二凹槽为间断的环形且设置有一个或多个间断部位。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一缓冲区设置有至少两条所述第一凹槽,将所述第一缓冲区中的无机膜层间隔形成至少三条环状无机条部,在所述至少三条环状无机条部中,最外侧以及最内侧的所述环状无机条部为闭合的环形,剩余的所述环状无机条部分别设置有一个缺口。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在两条相邻的存在所述缺口的环状无机条部中,两个所述的缺口与所述通孔区中心形成的夹角大于等于90度,且小于等于180度。
6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板包括通孔区,缓冲区,环绕所述通孔区设配置,以及显示区,环绕所述缓冲区配置,所述制备方法包括下列步骤:
S01:提供一衬底,在所述衬底上形成阵列功能层,其中,在所述通孔区以及缓冲区所形成的膜层仅包括所述阵列功能层中的无机膜层以及形成于所述缓冲区的无机膜层上的环绕所述通孔区配置的挡墙,所述挡墙将所述缓冲区划分为所述挡墙与所述通孔区之间第一缓冲区,以及所述挡墙与所述显示区之间的第二缓冲区;
S02:在所述缓冲区的无机膜层内形成一或多条环绕所述通孔区的凹槽,所述凹槽的形状为闭合或间断的环形,所述凹槽的深度小于所述无机膜层的厚度或所述凹槽使得所述衬底显露,所述凹槽包括形成于所述第一缓冲区的第一凹槽,及/或形成于所述第二缓冲区的第二凹槽,所述第一缓冲区设置有至少一条所述第一凹槽,所述第一凹槽为闭合的环形,至少一条第一凹槽将所述第一缓冲区中的无机膜层间隔形成至少两条环状无机条部,所述的至少两条环状无机条部中一者或多者中配置有一或多个缺口;
S03:在所述凹槽的内部填充有机材料;以及
S04:对所述通孔区切割以形成一个贯穿的通孔。
7.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第二凹槽为闭合或间断的环形。
8.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1-5任意一项所述的阵列基板。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112599700B (zh) * 2020-12-14 2022-05-24 合肥维信诺科技有限公司 显示基板、显示基板制备方法及显示装置
CN114446190B (zh) * 2022-02-08 2023-07-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 支撑板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108400150A (zh) * 2018-03-13 2018-08-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板与显示装置
EP3441845A1 (en) * 2017-08-11 2019-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and electronic device having the same

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63308944A (ja) * 1987-06-11 1988-12-16 Fujitsu Ltd 半導体装置
US10205122B2 (en) * 2015-11-20 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
CN107195794B (zh) * 2017-06-06 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN207134376U (zh) * 2017-08-10 2018-03-23 厦门三安光电有限公司 外延生长衬底及发光二极管
KR102610254B1 (ko) * 2018-05-18 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이의 제조 방법
KR20200003328A (ko) * 2018-06-29 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102548987B1 (ko) * 2018-08-09 2023-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109103234A (zh) * 2018-08-31 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
KR102663324B1 (ko) * 2018-11-01 2024-05-02 엘지디스플레이 주식회사 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치
CN109560114B (zh) * 2018-12-06 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置
CN109616506A (zh) * 2018-12-18 2019-04-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 全屏显示面板及其制作方法
CN109728194B (zh) * 2018-12-28 2021-04-02 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110021642A (zh) * 2019-03-22 2019-07-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110010665A (zh) * 2019-03-27 2019-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN110112101B (zh) * 2019-05-08 2021-10-08 武汉天马微电子有限公司 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置
CN110459700A (zh) * 2019-07-31 2019-11-15 云谷(固安)科技有限公司 一种显示面板制备方法、显示面板及显示装置
CN110444572A (zh) * 2019-08-13 2019-11-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110416435B (zh) * 2019-08-28 2022-01-14 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN110634928A (zh) * 2019-09-26 2019-12-31 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110649079B (zh) * 2019-09-30 2021-09-24 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、制备方法及显示装置
CN110783388B (zh) * 2019-10-30 2022-06-14 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111081748A (zh) * 2019-12-27 2020-04-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111146261B (zh) * 2020-01-02 2022-07-12 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3441845A1 (en) * 2017-08-11 2019-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and electronic device having the same
CN108400150A (zh) * 2018-03-13 2018-08-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板与显示装置

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