CN110112101B - 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置 - Google Patents

显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110112101B
CN110112101B CN201910380077.9A CN201910380077A CN110112101B CN 110112101 B CN110112101 B CN 110112101B CN 201910380077 A CN201910380077 A CN 201910380077A CN 110112101 B CN110112101 B CN 110112101B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
film layer
base plate
substrate
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910380077.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110112101A (zh
Inventor
宋先保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201910380077.9A priority Critical patent/CN110112101B/zh
Publication of CN110112101A publication Critical patent/CN110112101A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110112101B publication Critical patent/CN110112101B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H01L21/76205—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO in a region being recessed from the surface, e.g. in a recess, groove, tub or trench region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置，该显示面板的制作方法包括：形成衬底基板，衬底基板包括贯穿孔设置区、围绕贯穿孔设置区的布线区以及围绕布线区的显示区；在衬底基板的一侧依次层叠形成驱动电路层、有机膜层和无机膜层；图案化有机膜层和无机膜层，在布线区中形成至少一个第一阻隔凹槽；每个第一阻隔凹槽均围绕贯穿孔设置区且均由位于有机膜层中的第一凹槽和位于无机膜层中的第一通孔构成；第一通孔在衬底基板上的垂直投影位于第一凹槽的远离衬底基板的一侧表面开口在衬底基板上的垂直投影内；形成发光功能膜层，发光功能膜层在第一阻隔凹槽对应位置处断开。如此，有利于提高显示面板的可靠性。

Description

显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术，尤其涉及一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，越来越多的显示面板和显示装置被应用于人们的日常生活和工作中。为了提高用户体验，现有的显示面板结构中通常集成传感器模块，例如摄像头、红外感测器等。
目前，为了提高屏占比，通常需要在显示区开孔，即在显示区设置贯穿孔。但是在显示面板的显示区开孔易使显示面板的防水氧入侵性能下降，导致显示面板的可靠性下降。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置，以提高显示面板的可靠性。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法包括：
形成衬底基板，所述衬底基板包括贯穿孔设置区、围绕所述贯穿孔设置区的布线区以及围绕所述布线区的显示区；
在所述衬底基板的一侧形成驱动电路层；
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成有机膜层；
在所述有机膜层背离所述衬底基板的一侧形成无机膜层；
图案化所述有机膜层和所述无机膜层，在所述布线区中形成至少一个第一阻隔凹槽；每个所述第一阻隔凹槽均围绕所述贯穿孔设置区；每个所述第一阻隔凹槽均由位于所述有机膜层中的第一凹槽和位于所述无机膜层中的第一通孔构成；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一凹槽与所述第一通孔连通；所述第一通孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一凹槽的远离所述衬底基板的一侧表面开口在所述衬底基板上的垂直投影内；
在所述无机膜层背离所述衬底基板的一侧形成发光功能膜层；其中，在平行于所述衬底基板的平面内，所述发光功能膜层包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和所述第三区域中的发光功能膜层均位于所述无机膜层背离所述衬底基板的一侧，所述第二区域中的发光功能膜层位于所述第一阻隔凹槽内，所述发光功能膜层在所述第一阻隔凹槽对应位置处断开。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括：
衬底基板；所述衬底基板包括贯穿孔、围绕所述传贯穿孔的布线区以及围绕所述布线区的显示区；
在所述衬底基板的一侧依次层叠设置的驱动电路层、有机膜层、无机膜层以及发光功能膜层；
在所述布线区中，设置有至少一个第一阻隔凹槽；每个所述第一阻隔凹槽均围绕所述贯穿孔；每个所述第一阻隔凹槽均由位于所述有机膜层中的第一凹槽和位于所述无机膜层中的第一通孔构成；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一凹槽与所述第一通孔连通；所述第一通孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一凹槽的远离所述衬底基板的一侧表面开口在所述衬底基板上的垂直投影内；在平行于所述衬底基板的平面内，所述发光功能膜层包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和所述第三区域中的发光功能膜层均位于所述无机膜层背离所述衬底基板的一侧，所述第二区域中的发光功能膜层位于所述第一阻隔凹槽内，所述发光功能膜层在所述第一阻隔凹槽对应位置处断开。
第三发面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第二方面提供的任一种显示面板，还包括：传感器模块；
所述传感器模块设置于所述贯穿孔中；
或者，所述传感器模块设置于所述显示面板的所述贯穿孔对应位置处。
本发明实施例提供的显示面板的制作方法通过图形化有机膜层和无机膜层，在布线区中形成至少一个第一阻隔凹槽，并设置每个第一阻隔凹槽均围绕贯穿孔设置区，且每个第一阻隔凹槽均由位于有机膜层中的第一凹槽和位于无机膜层中的第一通孔构成；在垂直于衬底基板的方向上，第一凹槽和第一通孔连通，第一通孔在衬底基板上的垂直投影位于第一凹槽的远离衬底基板的一侧表面开口在衬底基板上的垂直投影内，可使后续在无机膜层背离衬底基板一侧形成的有机膜层在第一阻隔凹槽对应位置处断开，从而水氧向显示区内入侵的路径在第一阻隔凹槽位置处被切断，即通过设置第一阻隔凹槽，可有效防止水氧入侵，从而有利于提高显示面板的可靠性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图；
图2为图1中S110中的衬底基板的平面结构示意图；
图3为图1中S140后的显示面板的剖面结构示意图；
图4为图1中S150后的显示面板的平面结构示意图；
图5为沿图4中B1-B2的一种剖面结构示意图；
图6为图1中S160后的显示面板的剖面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程示意图；
图8为图7中S251中的显示面板的剖面结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的制作方法的流程示意图；
图10为图9中S370后的显示面板的剖面结构示意图；
图11为图9中S380后的显示面板的剖面结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的制作法的流程示意图；
图13为图12中S470后的显示面板的剖面结构示意图；
图14为本发明实施例提供的又一种显示面板的制作方法的流程示意图；
图15为图14中S514后的显示面板的平面结构示意图；
图16为沿图15中C1-C2的一种剖面结构示意图；
图17为图14中S550后的显示面板的平面局部结构示意图；
图18为本发明实施例提供的又一种显示面板的平面结构示意图；
图19为沿图18中D1-D2的一种剖面结构示意图；
图20为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图；
图21为本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图；
图22为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；
图23为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图；
图24为本发明实施例提供的一种显示装置的平面结构示意图；
图25为沿图24中E1-E2的一种剖面结构示意图；
图26为沿图24中E1-E2的另一种剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图。参照图1，该显示面板的制作方法包括：
S110、形成衬底基板。
其中，该衬底基板对显示面板中的其他膜层具有支撑和保护作用，后续在该衬底基板上形成显示面板的各个膜层。示例性的，该衬底基板可为刚性基板或柔性基板；其中，刚性基板可为玻璃，柔性基板可为聚酰亚胺；或者该衬底基板还可为本领域技术人员可知的其他类型的衬底基板，本发明实施例对此不作限定。
示例性的，图2为图1中S110中的衬底基板的平面结构示意图，示出了衬底基板的分区情况。参照图2，该衬底基板60包括贯穿孔设置区610、围绕贯穿孔设置区610的布线区620以及围绕布线区620的显示区630。
其中，贯穿孔设置区610预留为对应放置传感器模块的区域，后续可将该区域以及形成于该区域的膜层一并去除，以形成贯穿孔；传感器模块可设置于贯穿孔内，或者传感器模块还可采用屏下方式，设置于贯穿孔外的对应区域中；或者传感器模块还可部分设置于贯穿孔中，可根据显示面板及其制作方法的实际需求设置，本发明实施例对此均不作限定。
其中，布线区620用于走线，由于贯穿孔设置区610对应放置传感器模块，传感器模块对光透过率有一定的需求(具体需求可根据传感器模块的类型设置，本发明实施例对此不作限定)，由此对该区域的光透过率要求较高。由于走线对光线具有一定的遮挡作用，因此，需将原本穿过贯穿孔设置区610的走线避开贯穿孔设置区610设置，即可将这部分走线设置在走线区620中。
其中，显示区630对应显示面板的显示区，显示区630中形成发光单元，发光单元用于发光，以显示待显示画面。示例性的，发光单元可为有机发光单元、液晶显示发光单元、Mini-LED、Micro-LED或本领域技术人员可知的其他类型的发光单元，本发明实施例对此不作限定。
其中，衬底基板60可采用本领域技术人员可知的任一种成膜方法形成，也可直接采购而得，本发明实施例对此均不作限定。
需要说明的是，图2中仅示例性的示出了贯穿孔设置区610的数量为1个、形状为圆形且位于衬底基板60所在平面的左上角(以图2中的方位为例)，但并不构成对本发明实施例提供的显示面板的制作方法中的衬底基板的限定。在其他实施方式中，还可根据显示面板的制作方法的实际需求，设置衬底基板中贯穿孔设置区610的数量、形状以及排布方式，本发明实施例对此不作限定。
S120、在衬底基板的一侧形成驱动电路层。
其中，驱动电路层可包括与显示面板中的像素驱动电路相关的各功能膜层，像素驱动电路可包括薄膜晶体管和、存储电容以及本领域技术人员可知的其他电路元件。
示例性的，以薄膜晶体管为顶栅结构为例，驱动电路层可包括有源层、栅极绝缘层、栅极层、中间介质层、中间导电层、层间绝缘层、源漏极层以及本领域技术人员可知的其他膜层；当薄膜晶体管为其他结构时，驱动电路层可随之变化，可包括本领域技术人员可知的驱动电路相关的其他功能膜层，可根据显示面板的制作方法的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
S130、在驱动电路层远离衬底基板的一侧形成有机膜层。
其中，该有机膜层为后续形成第一阻隔凹槽做准备。
S140、在有机膜层背离衬底基板的一侧形成无机膜层。
其中，该有机膜层为后续形成第一阻隔凹槽做准备。
示例性的，图3为图1中S140后的显示面板的剖面结构示意图。参照图3，在衬底基板60的一侧依次层叠形成驱动电路层61、有机膜层62以及无机膜层63。在实际显示面板结构中，上述各膜层还可代表多层膜层堆叠的膜层结构，本发明实施例对此不作限定。
S150、图案化有机膜层和无机膜层，在布线区中形成至少一个第一阻隔凹槽。
其中，通过去除布线区中部分区域的有机膜层和无机膜层，可形成第一阻隔凹槽，该第一阻隔凹槽可使后续形成的发光功能膜层在该位置处断开，从而可切断水氧向显示区中入侵的路径，进而有利于防止水氧沿着无机膜层和有机发光功能膜层渗透入显示区内，有利于提升显示面板的可靠性。
示例性的，图4为图1中S150后的显示面板的平面结构示意图，图5为沿图4中B1-B2的一种剖面结构示意图，仅示例性的示出了第一阻隔凹槽710的数量为1个。参照图4和图5，每个第一阻隔凹槽710均围绕贯穿孔设置区610；每个第一阻隔凹槽710均由位于有机膜层62中的第一凹槽711和位于无机膜层63中的第一通孔712构成；在垂直于衬底基板60的方向(即第三方向Z，或称为纵向Z)上，第一凹槽711与第一通孔712连通；第一通孔712在衬底基板60上的垂直投影L712位于第一凹槽711的远离衬底基板60的一侧表面开口在衬底基板60上的垂直投影L711内。
其中，图案化有机膜层和无机膜层的过程中，通过控制有机膜层62被去除的速率大于无机膜层61被去除的速率，可使形成的第一阻隔凹槽710的剖面结构中，第一通孔712在衬底基板60上的垂直投影L712在第一凹槽711的开口在衬底基板60上的垂直投影L711内，以图5中的方位为例，第一阻隔凹槽710的剖面结构可看作一个“倒T型”结构。从而后续形成发光功能膜层时，对应与第一阻隔凹槽710位置处的发光功能膜层失去支撑，发光功能膜层内陷掉落入第一凹槽711内，有利于使得发光功能膜层在第一阻隔凹槽710位置处断开。
需要说明的是，图4中仅示例性的示出了第一阻隔凹槽710的数量为1个，但并非对本发明实施例提供的显示面板的制作方法的限定。在其他实施方式中，可根据显示面板及其制作方法的实际需求，设置第一阻隔凹槽710的数量为2个或更多个，本发明实施例对此不作限定。
S160、在无机膜层背离衬底基板的一侧形成发光功能膜层。
其中，发光功能膜层为形成发光单元相关的膜层。示例性的，发光功能膜层可包括载流子注入、传输和复合相关功能膜层以及本领域技术人员可知的其他发光功能膜层，本发明实施例对此不作限定。
示例性的，图6为图1中S160后的显示面板的剖面结构示意图。参照图6，在平行于衬底基板60的平面(即第一方向X和第二方向Y所决定的平面)内，发光功能膜层64包括第一区域Q641、第二区域Q642和第三区域Q643，第一区域Q641和第三区域Q643中的发光功能膜层64均位于无机膜层63背离衬底基板60的一侧，第二区域Q642中的发光功能膜层64位于第一阻隔凹槽710内，发光功能膜层64在第一阻隔凹槽710对应位置处断开。由此，在后续将贯穿孔设置区610去除后，即使部分功能膜层的断面在贯穿孔断面位置处暴露，由该断面入侵的水氧传输至第一阻隔凹槽710位置处时，由于发光功能膜层64和无机膜层63断开，水氧无法再继续向显示区630传输，从而有利于防止水氧入侵至显示区630中，进而有利于提高显示面板的可靠性。
此外，无需新增光罩(即掩模板)且工艺制程较少，有利于降低显示面板的制作成本。
需要说明的是，S120中驱动电路层的形成方式、S130中有机膜层的形成方式、S140中无机膜层的形成方式以及S160中发光功能膜层的形成方式均可为物理气相沉积、化学气相沉积、喷墨打印或本领域技术人员可知的其他成膜方法，各膜层的成膜方式可根据显示面板的制作方法的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程示意图，在图1的基础上，示例性的说明了“图案化”的具体过程。参照图7，该显示面板的制作方法可包括：
S210、形成衬底基板。
S220、在衬底基板的一侧形成驱动电路层。
S230、在驱动电路层远离衬底基板的一侧形成有机膜层。
S240、在有机膜层背离衬底基板的一侧形成无机膜层。
其后执行S250(即“图案化”步骤)。示例性的，S250可包括S251和S252。
S251、掩模刻蚀无机膜层，形成第一通孔。
其中，通过改变掩模板上的掩模图案，即可在布线区去除掉部分位置处的无机膜层，以形成第一通孔。
示例性的，图8为图7中S251中的显示面板的剖面结构示意图。参照图8，800可代表掩模结构。示例性的，该掩模结构800可为掩模板，也可为光阻胶。其中，被掩模结构800覆盖的区域，无机膜层63被保留；而未被掩模结构800覆盖的区域，无机膜层63被去除。
S252、灰化有机膜层，形成第一凹槽。
其中，通过灰化工艺，可使有机膜层62对应于第一凹槽712的位置处被去除，且向周边辐射一定区域的侧边区域中的有机膜层62也被去除；最终形成如图5所示的第一阻隔凹槽710。
需要说明的是，S251中掩模刻蚀的具体工艺参数和S252中灰化的具体工艺参数均可根据显示面板的制作方法的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
S260、在无机膜层背离衬底基板的一侧形成发光功能膜层。
该步骤中，发光功能膜层在第一阻隔凹槽位置处断开，从而有利于阻隔水氧向显示区入侵，进而有利于提高显示面板的可靠性。
可选的，继续参照图6，结合显示面板的实际膜层结构，有机膜层62可为平坦化层，无机膜层63可为阳极层；发光功能膜层64可包括空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阴极层。
此时，通过掩模刻蚀去除布线区中部分位置处的阳极层后，通过灰化工艺对平坦化层的侧面进行灰化，形成第一阻隔凹槽710；后形成空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阴极层时，均会在第一阻隔凹槽710处由于侧面内陷而断开，如此断开的阳极层、空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阴极层可防止水氧继续向显示区入侵，从而有利于提高显示面板的可靠性。
或者，继续参照图6，结合显示面板的实际膜层结构，有机膜层62可为平坦化层，无机膜层63可为阴极层；发光功能膜层64可包括空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阳极层。
此时，通过掩模刻蚀去除布线区中部分位置处的阴极层后，通过会花工艺对平坦化层的侧面进行灰化，形成第一阻隔凹槽710；后形成空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阳极层时，均会在第一阻隔凹槽710处由于侧面内陷而断开，如此断开的阴极层、空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阳极层可防止水氧继续向显示区入侵，从而有利于提高显示面板的可靠性。
示例性的，空穴辅助功能层可包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层；电子辅助功能层可包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层；阳极层和阴极层均为无机材料层，平坦化层为有机材料层。上述各膜层的具体材料可根据显示面板及其制作方法的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图5，第一凹槽711的深度A1为1μm≤A1≤7μm。
如此设置，可使第一凹槽711的深度A1足够大，从而可使得后续形成的发光功能膜层均陷落至第一阻隔凹槽710中，进而有效阻隔水氧入侵。
需要说明的是，上述1μm≤A1≤7μm仅为示例性的说明，在其他实施方式中，还可根据显示面板及其制作方法的实际需求，设置1.5μm≤A1≤5.7μm，或者5μm≤A1≤6.5μm或者其他可选取值范围，本发明实施例对此不作限定。
可选的，图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的制作方法的流程示意图。参照图9，该显示面板的制备方法可包括：
S310、形成衬底基板。
S320、在衬底基板的一侧形成驱动电路层。
S330、在驱动电路层远离衬底基板的一侧形成有机膜层。
S340、在有机膜层背离衬底基板的一侧形成无机膜层。
S350、图案化有机膜层和无机膜层，在布线区中形成至少一个第一阻隔凹槽。
S360、在无机膜层背离衬底基板的一侧形成发光功能膜层。
S370、在发光功能膜层远离衬底基板的一侧形成薄膜封装层。
其中，薄膜封装层填充第一阻隔凹槽。薄膜封装层用于阻隔水氧，有利于提高显示面板的可靠性。
示例性的，薄膜封装层可为单层膜层，也可为叠层膜层，可根据显示面板及其制作方法的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
示例性的，图10为图9中S370后的显示面板的剖面结构示意图。参照图10，薄膜封装层65形成于发光功能膜层64背离衬底基板60的一侧，且在第一阻隔凹槽710对应位置处，薄膜封装层65填充第一阻隔凹槽710，同时可封装无机膜层63的断面，以及封装发光功能膜层64的断面。
需要说明的是，图10中仅示例性的以单层膜层示出了薄膜封装层65，但并非对本发明实施例提供的显示面板的制作方法的限定。在其他实施方式中，还可根据显示面板及其制作方法的实际需求，设置薄膜封装层65为叠层结构，本发明实施例对此不作限定。
S380、去除贯穿孔设置区以及层叠于贯穿孔设置区上的所有膜层，形成贯穿孔。
其中，贯穿孔设置区上的所有膜层包括驱动电路层、有机膜层、无机膜层以及发光功能膜层，还包括薄膜封装层。
示例性的，图11为图9中S380后的显示面板的剖面结构示意图。参照图11，在S380后，形成贯穿孔605。贯穿孔605的侧面内壁上，无机膜层63和有机发光功能层64暴露，水氧可由此进入显示面板；但是，由于设置了第一阻隔凹槽710，使得水氧到达第一阻隔凹槽710靠近贯穿孔605的侧面后，无法再继续向显示面板的显示区入侵，即水氧的入侵路径被阻断，从而有利于防止水氧入侵至显示区，有利于提高显示面板的可靠性。
需要说明的是，图11中驱动电路层61看起来是完整的，但实际显示面板的结构中，驱动电路层61中形成了多个电路元件，因此驱动电路层61不易形成水氧入侵路径，本发明实施例对此不过多讨论。
可选的，图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的制作法的流程示意图。参照图12，该显示面板的制备方法可包括：
S410、形成衬底基板。
S420、在衬底基板的一侧形成驱动电路层。
S430、在驱动电路层远离衬底基板的一侧形成有机膜层。
S440、在有机膜层背离衬底基板的一侧形成无机膜层。
S450、图案化有机膜层和无机膜层，在布线区中形成至少一个第一阻隔凹槽。
S460、在无机膜层背离衬底基板的一侧形成发光功能膜层。
S470、在发光功能膜层远离衬底基板的一侧形成触摸功能层。
其中，触控功能层用于实现触控功能，从而可使显示面板集成显示功能和触控功能，有利于提高用户体验。
示例性的，触控功能层可采用物理气相沉积、化学气相沉积或者本领域技术人员可知的其他工艺方法形成，或者触控功能层还可在另一衬底基板上形成，并直接贴附于发光功能膜层远离衬底基板的一侧，本发明实施例对此不作限定。
示例性的，图13为图12中S470后的显示面板的剖面结构示意图。参照图13，触控功能层66沉积在发光功能膜层64远离衬底基板60的一侧，并且触控功能层66在第一阻隔凹槽710位置处断开。如此，后续形成贯穿孔后，可利用第一阻隔凹槽710阻止水氧继续向显示区入侵，从而有利于提高显示面板的可靠性。
需要说明的是，图13中仅示例性的以单层膜层示出了触控功能层66。在实际显示面板的结构中，触控功能层还可为两层或更多层的叠层结构，可根据显示面板及其制作方法的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，图14为本发明实施例提供的又一种显示面板的制作方法的流程示意图，示例性的示出了衬底基板为柔性衬底基板时，具化衬底基板的形成过程的显示面板的制作流程。参照图14，该显示面板的制备方法可包括：
首先，形成衬底基板(即S510)，包括执行S511和S512。
S511、提供衬底母板。
其中，该衬底母板具有支撑保护衬底基板的作用。
示例性的，衬底母板可为玻璃基板、不锈钢基板或本领域技术人员可知的其他类型的具有支撑保护作用的衬底母板，本发明实施例对此不作限定。
S512、在衬底母板一侧依次层叠形成第一衬底基板预置层、衬底缓冲层和第二衬底基板预置层。
其中，第一衬底基板预置层和第二衬底基板预置层均为衬底基板的主体材料，通常为有机材料；衬底缓冲层为无机材料，通常具有较好的阻隔水氧的作用。
如此，该步骤中，第一衬底基板预置层、衬底缓冲层和第二衬底基板预置层共同构成衬底基板。
S513、在第二衬底基板预置层远离衬底母板的一侧形成驱动电路缓冲层。
其中，第一衬底基板预置层和第二衬底基板预置层均为有机材料层，衬底缓冲层和驱动电路缓冲层均为无机材料层。
通过在第二衬底基板预置层上叠加驱动电路缓冲层，即形成有机层叠加无机层的结构，方便后续通过图案化，以形成第二阻隔凹槽。
S514、图案化驱动电路缓冲层和第二衬底基板预置层，在布线区中形成至少一个第二阻隔凹槽。
其中，通过去除布线区中部分区域的第二衬底基板预置层和驱动电路缓冲层，可形成第二阻隔凹槽，该第二阻隔凹槽可使后续形成的驱动电路层、有机膜层、无机膜层以及发光功能膜层均在该位置处断开，从而可切断水氧向显示区中入侵的路径，有利于防止水氧渗透入显示区内，有利于提升显示面板的可靠性。
示例性的，图15为图14中S514后的显示面板的平面结构示意图，图16为沿图15中C1-C2的一种剖面结构示意图，仅示例性的示出了第二阻隔凹槽720的数量为1个。参照图15和图16，每个第二阻隔凹槽720均围绕贯穿孔设置区610；每个第二阻隔凹槽720均由位于第二衬底基板预置层603中的第二凹槽721和位于驱动电路缓冲层67中的第二通孔722构成；在垂直于衬底基板的方向Z上，第二凹槽721与第二通孔722连通；第二通孔722在衬底基板60上的垂直投影L722位于第二凹槽721的远离衬底基板60的一侧表面开口在衬底基板60上的垂直投影L722内。
其中，图案化电路缓冲层67和第二衬底基板预置层603的过程中，通过控制第二衬底基板预置层603被去除的速率大于驱动电路缓冲层67被去除的速率，可使形成的第二阻隔凹槽720的剖面结构中，第二通孔722在衬底基板60上的垂直投影L722在第二凹槽721的开口在衬底基板60上的垂直投影L721内，以图16中的方位为例，第二阻隔凹槽720的剖面结构可看作一个“倒T型”结构。从而后续形成各功能膜层时，对应与第二阻隔凹槽720位置处的各功能膜层均失去支撑而内陷掉落入第二凹槽721内，有利于使得各功能膜层在第二阻隔凹槽720位置处断开。
需要说明的是，图15中仅示例性的示出了第二阻隔凹槽720的数量为1个，但并非对本发明实施例提供的显示面板的制作方法的限定。在其他实施方式中，可根据显示面板及其制作方法的实际需求，设置第二阻隔凹槽720的数量为2个或更多个，本发明实施例对此不作限定。
S520、在衬底基板的一侧形成驱动电路层。
该步骤中，驱动电路层可在第二阻隔凹槽位置处断开。
S530、在驱动电路层远离衬底基板的一侧形成有机膜层。
该步骤中，有机膜层可在第二阻隔凹槽位置处断开。
S540、在有机膜层背离衬底基板的一侧形成无机膜层。
该步骤中，无机膜层可在第二阻隔凹槽位置处断开。
S550、图案化有机膜层和无机膜层，在布线区中形成至少一个第一阻隔凹槽。
该步骤可包括，在布线区中，与第二阻隔凹槽不重叠的区域中形成第一阻隔凹槽。
S560、在无机膜层背离衬底基板的一侧形成发光功能膜层。
该步骤中，有机发光膜层在第一阻隔凹槽和第二阻隔凹槽位置处均断开。
可选的，S560之后还包括：将衬底母板与第一衬底基板预置层分离。
其中，衬底母板在显示面板形成过程中起到支撑保护作用。在显示面板形成之后，可将衬底母板与衬底基板分离，从而得到完成且独立的显示面板。
示例性的，衬底母板与衬底基板的分离方式可为热分离、光分离、溶解分离或采用本领域技术人员可知的其他方式进行分离，可根据显示面板的制作方法的实际需求设置，本发明实施例对此不作限定。
可选的，图17为图14中S550后的显示面板的平面局部结构示意图。参照图17，第一阻隔凹槽710为至少两个，第二阻隔凹槽720为至少两个；第一阻隔凹槽710与第二阻隔凹槽720交替设置。
如此设置，每个第一阻隔凹槽710和第二阻隔凹槽720均可起到阻隔水氧向显示区入侵的作用，从而有效防止水氧入侵，有利于提高显示面板的可靠性。
示例性的，图17中仅示例性的示出了3个第一阻隔凹槽710和3个第二阻隔凹槽720，且二者交替间隔设置，但并不构成对本发明实施例提供的显示面板的制作方法的限定。在其他实施方式中，还可根据显示面板及其制作方法的实际需求，设置第一阻隔凹槽710和第二阻隔凹槽720的数量，以及设置其排布方式，本发明实施例对此不作限定。
可选的，继续参照图16，第一衬底基板预置层601和第二衬底基板预置层603均包括聚酰亚胺材料，第二凹槽的深度A2为3μm≤A2≤10μm；衬底缓冲层602为无机材料。
如此设置，可使第二凹槽721的深度A2足够大，从而可使得后续形成的各功能膜层均陷落至第二阻隔凹槽720中，进而有效阻隔水氧入侵。
需要说明的是，上述3μm≤A2≤10μm仅为示例性的说明，在其他实施方式中，还可根据显示面板及其制作方法的实际需求，设置5μm≤A2≤8μm，或者7μm≤A2≤9μm或者其他可选取值范围，本发明实施例对此不作限定。
可选的，图18为本发明实施例提供的又一种显示面板的平面结构示意图，图19为沿图18中D1-D2的一种剖面结构示意图。参照图18和图19，驱动电路层61包括至少一个叠层结构615，叠层结构615包括沿远离衬底基板60的方向Z层叠设置的有机平坦层613和无机功能层614。
S520还可包括：
在衬底基板60的一侧形成有机平坦层613。
在有机平坦层613远离衬底基板60的一侧形成无机功能层614；
图案化无机功能层614和有机平坦层613，在布线区中形成至少一个第三阻隔凹槽730。
示例性的，图18和图19中仅示例性的示出了1个第三阻隔凹槽730。其中，每个第三阻隔凹槽730均围绕贯穿孔设置区610；每个第三阻隔凹槽730均由位于有机平坦层613中的第三凹槽731和位于无机功能层614中的第三通孔732构成；在垂直于衬底基板60的方向Z上，第三凹槽731与第三通孔732连通；第三通孔732在衬底基板60上的垂直投影L732位于第三凹槽731的远离衬底基板60的一侧表面开口在衬底基板60上的垂直投影L731内。
第三阻隔凹槽730可阻隔水氧的原理与第一阻隔凹槽710可阻隔水氧的原理相似，可参照上文理解，在此不再赘述。
示例性的，图20为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图，示例性的示出了显示面板的显示区中的较完整的纵向膜层结构。参照图20，该显示面板的纵向膜层结构可包括：衬底母板600，依次层叠与衬底母板600一侧的衬底基板60、驱动电路缓冲层67、驱动电路层61、有机膜层62(例如平坦化层)、无机膜层63(例如发光单元的一电极层)、像素定义层68、支撑柱层69、封装层65以及触控功能层66。
示例性的，衬底基板60可包括第一衬底基板预置层601(例如聚酰亚胺)、衬底缓冲层602和第二衬底基板预置层603(例如聚酰亚胺)；驱动电路层61可包括依次层叠的第一绝缘层611、第二绝缘层612、有源层61Po(例如多晶硅)、第二绝缘层612、第一绝缘层611、第一金属层61M1(例如栅极层)、第一绝缘层611、中间金属层61Mc(例如电容电极层)、第一绝缘层611、第二绝缘层612、有机平坦层613、无机功能层614(例如源漏电极层)、第一绝缘层611、有机平坦层613以及无机功能层614(例如平衡压降的辅助电极层)；触控功能层66可包括第一触控电极层661、中间绝缘层662和第二触控电极层663。
示例性的，衬底缓冲层602、驱动电路缓冲层67和第二绝缘层612均可为SiOx材料；第一绝缘层611可为SiNx材料，第一金属层61M1、中间金属层61Mc以及无机功能层614均可为金属材料；有机平坦层612可为BPL材料。
需要说明的是，图20中仅示例性的示出了驱动电路层61可包括2个叠层结构615，但并不构成对本发明实施例提供的显示面板的限定。在其他实施方式中，可根据显示面板及其制作方法的实际需求，设置显示面板的纵向膜层结构，以及设置驱动电路层61中的叠层结构615的数量和分布位置，本发明实施例对此不作限定。
其次，需要说明的是，在无机膜层63与薄膜封装层65之间，与像素定义层68和支撑柱层68交错的还包括载流子功能层以及本领域技术人员可知的其他功能膜层，本发明实施例对此不作限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板可采用上述实施方式提供的任一种显示面板的制作方法形成，因此该显示面板也具有上述实施方式提供的显示面板的制作方法所具有的技术效果，相同之处下文中不再赘述，可参照上文对显示面板的制作方法的解释说明进行理解。
示例性的，图21为本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图。参照图6、图11和图21，该显示面板90包括：衬底基板60；衬底基板60包括贯穿孔605、围绕传贯穿孔605的布线区620以及围绕布线区620的显示区630；在衬底基板60的一侧依次层叠设置的驱动电路层61、有机膜层62、无机膜层63以及发光功能膜层64；在布线区620中，设置有至少一个第一阻隔凹槽710；每个第一阻隔凹槽710均围绕贯穿孔605；每个第一阻隔凹槽710均由位于有机膜层62中的第一凹槽711和位于无机膜层63中的第一通孔712构成；在垂直于衬底基板60的方向Z上，第一凹槽711与第一通孔712连通；第一通孔712在衬底基板60上的垂直投影L712位于第一凹槽711的远离衬底基板60的一侧表面开口在衬底基板60上的垂直投影L711内；在平行于衬底基板60的平面内，发光功能膜层64包括第一区域Q641、第二区域Q642和第三区域Q643，第一区域Q641和第三区域Q643中的发光功能膜层64均位于无机膜层63背离衬底基板60的一侧，第二区域Q642中的发光功能膜层64位于第一阻隔凹槽710内，发光功能膜层64在第一阻隔凹槽740对应位置处断开。
由此，即使部分功能膜层的断面在贯穿孔605的断面位置处暴露，由该断面入侵的水氧传输至第一阻隔凹槽710位置处时，由于发光功能膜层64和无机膜层63断开，水氧无法再继续向显示区630传输，从而有利于防止水氧入侵至显示区630中，进而有利于提高显示面板90的可靠性。
可选的，有机膜层62为平坦化层，无机膜层63为阳极层；发光功能膜层64包括空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阴极层；或者，有机膜层62为平坦化层，无机膜层63为阴极层；发光功能膜层64包括空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阳极层。
如此设置，可在平坦化层中形成第一凹槽，在阳极层(或阴极层)中形成第一通孔，并且空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阴极层(或阳极层)陷落在第一凹槽中，即这些膜层在第一阻隔凹槽位置处断开，从而可阻止水氧入侵，有利于提高显示面板90的可靠性。
可选的，继续参照图6，第一凹槽711的深度A1为1μm≤A1≤7μm。
如此设置，可使发光功能膜层64在第一阻隔凹槽710对应位置处均陷落在第一凹槽711内，从而使得发光功能膜层64在第一阻隔凹槽710对应位置处断开，由此可有效阻止水氧入侵，从而有利于提高显示面板90的可靠性。
可选的，继续参照图11，该显示面板90还包括薄膜封装层65；薄膜封装层65位于发光功能膜层64远离衬底基板60的一侧，且薄膜封装层65填充第一阻隔凹槽710。
其中，薄膜封装层65用于覆盖封装发光功能膜层64的远离衬底基板60的表面，以及填充第一阻隔凹槽710。薄膜封装层65阻隔水氧入侵，从而有利于提高显示面板90的可靠性。
可选的，图22为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图。参照图21和图22，衬底基板60包括第一衬底基板预置层601、衬底缓冲层602和第二衬底基板预置层603；显示面板90还可包括驱动电路缓冲层67，驱动电路缓冲层67位于第二衬底基板预置层603与驱动电路层(图22中未示出)之间；其中，第一衬底基板预置层601和第二衬底基板预置层603均为有机材料层，衬底缓冲层602和驱动电路缓冲层67均为无机材料层；显示面板90的布线区620还包括至少一个第二阻隔凹槽720；每个第二阻隔凹槽720均围绕贯穿孔605；每个第二阻隔凹槽720均由位于第二衬底基板预置层603中的第二凹槽721和位于驱动电路缓冲层67中的第二通孔722构成；在垂直于衬底基板60的方向Z上，第二凹槽721与第二通孔722连通；第二通孔722在衬底基板60上的垂直投影L722位于第二凹槽721的远离衬底基板60的一侧表面开口在衬底基板60上的垂直投影L721内。
其中，通过形成第二阻隔凹槽720，可使形成于衬底基板60上的各功能膜层均因失去支撑作用而陷落至第二凹槽721内，从而各功能膜层均在第二阻隔凹槽720位置处断开，从而水氧向显示区内入侵的路径在第二阻隔凹槽720处被切断，即有利于阻止水氧入侵，从而有利于提高显示面板90的可靠性。
可选的，继续参照图17，第一阻隔凹槽710为至少两个，第二阻隔凹槽720为至少两个；且在平行于衬底母板600所在的平面内，第一阻隔凹槽710与第二阻隔凹槽720交替设置。
如此设置，可利用第一阻隔凹槽710和第二阻隔凹槽720共同起到阻隔水氧入侵的作用，从而可有效防止水氧入侵，有利于提高显示面板90的可靠性。
可选的，继续参照图22，第二凹槽721的深度A2为3μm≤A2≤10μm。
如此设置，可使衬底基板60上的各功能膜层均可在第二阻隔凹槽720对应位置处陷落在第二凹槽721内，从而使得各功能膜层在第二阻隔凹槽720对应位置处断开，由此可有效阻止水氧入侵，从而有利于提高显示面板90的可靠性。
可选的，图23为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图。参照图21和图23，驱动电路层61包括至少一个叠层结构615，叠层结构615包括沿远离衬底基板60的方向Z层叠设置的有机平坦层613和无机功能层614；显示面板90的布线区620还包括至少一个第三阻隔凹槽730；每个第三阻隔凹槽730均围绕贯穿孔605；每个第三阻隔凹槽730均由位于有机平坦层613中的第三凹槽731和位于无机功能层614中的第三通孔732构成；在垂直于衬底基板60的方向Z上，第三凹槽731与第三通孔732连通；第三通孔732在衬底基板60上的垂直投影L731位于第三凹槽731的远离衬底基板60的一侧表面开口在衬底基板60上的垂直投影L731内。
其中，通过设置第三阻隔凹槽730，可使设置于层叠结构615远离衬底基板60一侧的各功能膜层均陷落至第三凹槽731中，从而该各功能膜层均在第三阻隔凹槽730对应位置处断开，从而水氧向显示区内入侵的路径在第三阻隔凹槽730处被切断，即通过设置第三阻隔凹槽730有利于阻止水氧入侵，从而有利于提高显示面板90的可靠性。
在上述实施方式的基础上，本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板，因此该显示装置也具有上述实施方式提供的显示面板所具有的有益效果，相同之处可参照上文理解，下文中不再赘述。
示例性的，图24为本发明实施例提供的一种显示装置的平面结构示意图。参照图24，该显示装置91可包括显示面板90，还包括传感器模块910。
示例性的，传感器模块910可包括摄像模组、光感传感器和超声波距离传感器中的一种或多种。
示例性的，图25为沿图24中E1-E2的一种剖面结构示意图。参照图25，传感器模块910设置于贯穿孔605中。如此设置，有利于提高传感器模块910接收到的外界环境信号的强度，从而有利于提高传感器模块910的探测准确性和灵敏度。
示例性的，图26为沿图24中E1-E2的另一种剖面结构示意图。参照图26，传感器模块910设置于显示面板90的贯穿孔605对应位置处。如此设置，有利于降低传感器模块910与显示面板90的信号之间的干扰，从而有利于确保显示面板90的画面显示质量，同时有利于确保传感器模块910具有较高的探测准确度和灵敏度。
在其他实施方式中，传感器模块910还可部分设置于贯穿孔605中，本发明实施例对此不作限定。
示例性的，显示装置91为手机或平板，当传感器模块910为摄像模组时，贯穿孔对应为手机或者平板的前置摄像头所在区域，贯穿孔可允许入射光线至前置摄像头内，用于前置摄像头采集外部图像；而当传感器模块910为光感传感器时，光感传感器可以是用于感应外部光线，对显示装置的光亮度进行调节的光感传感器，也可以是用于感应外部是否有指纹，从而进行指纹识别的光感传感器。
示例性的，显示装置91可为手机、平板电脑、智能可穿戴设备(例如，智能手表)以及本领域技术人员可知的其他类型的显示装置，本发明实施例对此不作限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (18)

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
形成衬底基板，所述衬底基板包括贯穿孔设置区、围绕所述贯穿孔设置区的布线区以及围绕所述布线区的显示区；
在所述衬底基板的一侧形成驱动电路层；
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成有机膜层；
在所述有机膜层背离所述衬底基板的一侧形成无机膜层；
图案化所述有机膜层和所述无机膜层，在所述布线区中形成至少一个第一阻隔凹槽；每个所述第一阻隔凹槽均围绕所述贯穿孔设置区；每个所述第一阻隔凹槽均由位于所述有机膜层中的第一凹槽和位于所述无机膜层中的第一通孔构成；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一凹槽与所述第一通孔连通；所述第一通孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一凹槽的远离所述衬底基板的一侧表面开口在所述衬底基板上的垂直投影内；
所述形成衬底基板包括：
提供衬底母板；
在所述衬底母板一侧依次层叠形成第一衬底基板预置层、衬底缓冲层和第二衬底基板预置层；
在所述衬底基板的一侧形成驱动电路层之前还包括：在所述第二衬底基板预置层远离所述衬底母板的一侧形成驱动电路缓冲层；其中，所述第一衬底基板预置层和所述第二衬底基板预置层均为有机材料层，所述衬底缓冲层和所述驱动电路缓冲层均为无机材料层；
图案化所述驱动电路缓冲层和所述第二衬底基板预置层，在所述布线区中形成至少一个第二阻隔凹槽；每个所述第二阻隔凹槽均围绕所述贯穿孔设置区；每个所述第二阻隔凹槽均由位于所述第二衬底基板预置层中的第二凹槽和位于所述驱动电路缓冲层中的第二通孔构成；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二凹槽与所述第二通孔连通；所述第二通孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第二凹槽的远离所述衬底基板的一侧表面开口在所述衬底基板上的垂直投影内；
所述第一阻隔凹槽与所述第二阻隔凹槽在所述布线区的投影不重叠；
在所述无机膜层背离所述衬底基板的一侧形成发光功能膜层；其中，在平行于所述衬底基板的平面内，所述发光功能膜层包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和所述第三区域中的发光功能膜层均位于所述无机膜层背离所述衬底基板的一侧，所述第二区域中的发光功能膜层位于所述第一阻隔凹槽内，所述发光功能膜层在所述第一阻隔凹槽及所述第二阻隔凹槽对应位置处断开。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述图案化所述有机膜层和所述无机膜层，在所述布线区中形成至少一个第一阻隔凹槽包括：
掩模刻蚀所述无机膜层，形成所述第一通孔；
灰化所述有机膜层，形成所述第一凹槽。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
所述有机膜层为平坦化层，所述无机膜层为阳极层；
所述发光功能膜层包括空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阴极层；
或者，所述有机膜层为平坦化层，所述无机膜层为阴极层；
所述发光功能膜层包括空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阳极层。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度A1为1μm≤A1≤7μm。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述无机膜层背离所述衬底基板的一侧形成发光功能膜层之后还包括：
在所述发光功能膜层远离所述衬底基板的一侧形成薄膜封装层；其中，所述薄膜封装层填充所述第一阻隔凹槽；
去除所述贯穿孔设置区以及层叠于所述贯穿孔设置区上的所有膜层，形成贯穿孔；
其中，所述所有膜层包括所述驱动电路层、所述有机膜层、所述无机膜层以及所述发光功能膜层。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述无机膜层背离所述衬底基板的一侧形成发光功能膜层之后还包括：
在所述发光功能膜层远离所述衬底基板的一侧形成触摸功能层。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一阻隔凹槽为至少两个，所述第二阻隔凹槽为至少两个；
所述第一阻隔凹槽与所述第二阻隔凹槽交替设置。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一衬底基板预置层和所述第二衬底基板预置层均包括聚酰亚胺材料；
所述第二凹槽的深度A2为3μm≤A2≤10μm。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述无机膜层背离所述衬底基板的一侧形成发光功能膜层之后还包括：
将所述衬底母板与所述第一衬底基板预置层分离。
10.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述驱动电路层包括至少一个叠层结构，所述叠层结构包括沿远离所述衬底基板的方向层叠设置的有机平坦层和无机功能层；
在所述衬底基板的一侧形成驱动电路层包括：
在所述衬底基板的一侧形成所述有机平坦层；
在所述有机平坦层远离所述衬底基板的一侧形成无机功能层；
图案化所述无机功能层和所述有机平坦层，在所述布线区中形成至少一个第三阻隔凹槽；每个所述第三阻隔凹槽均围绕所述贯穿孔设置区；每个所述第三阻隔凹槽均由位于所述有机平坦层中的第三凹槽和位于所述无机功能层中的第三通孔构成；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第三凹槽与所述第三通孔连通；所述第三通孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第三凹槽的远离所述衬底基板的一侧表面开口在所述衬底基板上的垂直投影内。
11.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；所述衬底基板包括贯穿孔、围绕所述贯穿孔的布线区以及围绕所述布线区的显示区；
在所述衬底基板的一侧依次层叠设置的驱动电路层、有机膜层、无机膜层以及发光功能膜层；
在所述布线区中，设置有至少一个第一阻隔凹槽；每个所述第一阻隔凹槽均围绕所述贯穿孔；每个所述第一阻隔凹槽均由位于所述有机膜层中的第一凹槽和位于所述无机膜层中的第一通孔构成；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一凹槽与所述第一通孔连通；所述第一通孔通过掩模刻蚀所述无机膜层形成，所述第一凹槽通过灰化所述有机膜层形成，有机膜层被去除的速率大于无机膜层被去除的速率，所述第一通孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一凹槽的远离所述衬底基板的一侧表面开口在所述衬底基板上的垂直投影内；
所述衬底基板包括第一衬底基板预置层、衬底缓冲层和第二衬底基板预置层；
还包括驱动电路缓冲层，所述驱动电路缓冲层位于所述第二衬底基板预置层与所述驱动电路层之间；其中，所述第一衬底基板预置层和所述第二衬底基板预置层均为有机材料层，所述衬底缓冲层和所述驱动电路缓冲层均为无机材料层；
所述显示面板的所述布线区还包括至少一个第二阻隔凹槽；每个所述第二阻隔凹槽均围绕所述贯穿孔；每个所述第二阻隔凹槽均由位于所述第二衬底基板预置层中的第二凹槽和位于所述驱动电路缓冲层中的第二通孔构成；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二凹槽与所述第二通孔连通；所述第二通孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第二凹槽的远离所述衬底基板的一侧表面开口在所述衬底基板上的垂直投影内；
所述第一阻隔凹槽与所述第二阻隔凹槽在所述布线区的投影不重叠；
在平行于所述衬底基板的平面内，所述发光功能膜层包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和所述第三区域中的发光功能膜层均位于所述无机膜层背离所述衬底基板的一侧，所述第二区域中的发光功能膜层位于所述第一阻隔凹槽内，所述发光功能膜层在所述第一阻隔凹槽及所述第二阻隔凹槽对应位置处断开。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
所述有机膜层为平坦化层，所述无机膜层为阳极层；
所述发光功能膜层包括空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阴极层；
或者，所述有机膜层为平坦化层，所述无机膜层为阴极层；
所述发光功能膜层包括空穴辅助功能层、电子辅助功能层和阳极层。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第一凹槽的深度A1为1μm≤A1≤7μm。
14.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，还包括薄膜封装层；
所述薄膜封装层位于所述发光功能膜层远离所述衬底基板的一侧，且所述薄膜封装层填充所述第一阻隔凹槽。
15.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第一阻隔凹槽为至少两个，所述第二阻隔凹槽为至少两个；
且在平行于衬底母板所在的平面内，所述第一阻隔凹槽与所述第二阻隔凹槽交替设置。
16.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第二凹槽的深度A2为3μm≤A2≤10μm。
17.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层包括至少一个叠层结构，所述叠层结构包括沿远离所述衬底基板的方向层叠设置的有机平坦层和无机功能层；
所述显示面板的所述布线区还包括至少一个第三阻隔凹槽；每个所述第三阻隔凹槽均围绕所述贯穿孔；每个所述第三阻隔凹槽均由位于所述有机平坦层中的第三凹槽和位于所述无机功能层中的第三通孔构成；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第三凹槽与所述第三通孔连通；所述第三通孔在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第三凹槽的远离所述衬底基板的一侧表面开口在所述衬底基板上的垂直投影内。
18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11-17任一项所述的显示面板，还包括：传感器模块；
所述传感器模块设置于所述贯穿孔中；
或者，所述传感器模块设置于所述显示面板的所述贯穿孔对应位置处。
CN201910380077.9A 2019-05-08 2019-05-08 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置 Active CN110112101B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910380077.9A CN110112101B (zh) 2019-05-08 2019-05-08 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910380077.9A CN110112101B (zh) 2019-05-08 2019-05-08 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110112101A CN110112101A (zh) 2019-08-09
CN110112101B true CN110112101B (zh) 2021-10-08

Family

ID=67488813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910380077.9A Active CN110112101B (zh) 2019-05-08 2019-05-08 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110112101B (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112447790B (zh) * 2019-08-30 2022-11-25 上海和辉光电股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN112447925A (zh) * 2019-08-30 2021-03-05 上海和辉光电有限公司 显示装置、显示面板及其制作方法
CN112447924B (zh) * 2019-08-30 2024-03-08 上海和辉光电股份有限公司 显示面板、制备方法及包括其的显示装置
CN112466905B (zh) * 2019-09-09 2023-05-02 上海和辉光电股份有限公司 有机发光显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置
CN110634928A (zh) * 2019-09-26 2019-12-31 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110649079B (zh) * 2019-09-30 2021-09-24 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、制备方法及显示装置
CN110828690A (zh) * 2019-10-23 2020-02-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板以及制备方法
CN110783388B (zh) * 2019-10-30 2022-06-14 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
WO2021087803A1 (zh) * 2019-11-06 2021-05-14 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置
CN110911421B (zh) * 2019-11-29 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 用于有机发光显示面板的背板及制作方法、显示面板
CN110993660B (zh) * 2019-11-29 2022-10-11 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111063713B (zh) * 2019-12-12 2022-03-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板、其制备方法及其终端装置
CN111261577B (zh) * 2020-02-04 2022-11-25 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
CN113497200A (zh) * 2020-04-02 2021-10-12 上海和辉光电有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN113555512A (zh) * 2020-04-24 2021-10-26 深圳市柔宇科技有限公司 柔性显示封装结构、柔性显示装置及柔性面板的封装方法
CN114144886B (zh) * 2020-05-15 2023-01-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN111627930B (zh) * 2020-05-27 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法与显示面板
EP4160681A1 (en) * 2020-05-27 2023-04-05 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate, preparation method therefor, and display panel
CN111739869B (zh) * 2020-06-30 2022-07-05 京东方科技集团股份有限公司 一种背板及其制作方法、显示装置及其制作方法
CN111862817B (zh) * 2020-07-30 2022-03-18 昆山国显光电有限公司 显示装置
CN114188493A (zh) * 2021-11-29 2022-03-15 惠州华星光电显示有限公司 显示面板及显示装置
WO2023184102A1 (zh) * 2022-03-28 2023-10-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN116963556B (zh) * 2023-09-19 2023-12-08 山西高科华杰光电科技有限公司 显示面板、显示组件以及显示面板制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108649057A (zh) * 2018-05-14 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN109300970A (zh) * 2018-11-30 2019-02-01 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109427861A (zh) * 2017-09-04 2019-03-05 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN109509769A (zh) * 2017-09-11 2019-03-22 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN109659444A (zh) * 2018-11-29 2019-04-19 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6223070B2 (ja) * 2013-08-29 2017-11-01 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109427861A (zh) * 2017-09-04 2019-03-05 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN109509769A (zh) * 2017-09-11 2019-03-22 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN108649057A (zh) * 2018-05-14 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN109659444A (zh) * 2018-11-29 2019-04-19 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN109300970A (zh) * 2018-11-30 2019-02-01 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110112101A (zh) 2019-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110112101B (zh) 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置
KR102548987B1 (ko) 디스플레이 장치
CN109103231B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
EP3610513B1 (en) Organic light-emitting diode display with reduced lateral leakage
TWI651877B (zh) 顯示裝置
CN112005377B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110890475B (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN111933822B (zh) 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置
JP2018087863A (ja) 表示装置
WO2019073678A1 (ja) 表示装置
KR20200091050A (ko) 디스플레이 장치
KR102402195B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR20150017978A (ko) 유기 발광 표시 장치
JP2018181799A (ja) 表示装置、および表示装置の製造方法
WO2023004647A1 (zh) 显示基板、显示装置
US11387430B2 (en) Organic light emitting display device including wall structure surrounding opening region
US11216096B2 (en) Touch display panel, method of manufacturing the same, method of driving the same, and touch display device
CN113937236A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112786647A (zh) 具有基板孔的显示设备
KR102152846B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
WO2023040360A1 (zh) 显示面板
WO2021218447A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
JP2008010275A (ja) 画像表示装置
CN113632234A (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
KR20210061085A (ko) 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant