JP6646473B2 - 表示装置、表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

この実施形態は表示装置、表示装置の製造方法に関する。

最近では液晶表示パネルが、身体に装着して利用することを想定した機器であるウェアラブルデバイスに利用されている。液晶表示パネルは、絵柄、文字、図形、数字など種々の表示を行うことができ、またこれらの表示内容を切り替えることができるので、ウェアラブルデバイスとして様々な用途への拡大が期待できる。通常、液晶表示パネルは、複数の画素電極が配列された第１基板と、第１基板に対向した第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に注入された液晶の層を有する。また、液晶表示パネルは、前記第１基板と前記第２基板の対向する外周部に沿って両基板を一体化させるとともに前記液晶を封入する外周シール材を備える。
該ウェアラブルデバイスにおいて、指針を有する時計機構を一体化した腕時計タイプのものがある。このデバイスは、該指針の回転軸を配置するために、液晶表示パネルを貫通する貫通口を必要とする。このために、両基板間に前記液晶を封入するためには、前記貫通口の周囲にもリング状の内側シール材を設ける必要がある。

特開２０１０−１３９６５７号公報 特開平１１−３０５２４６号公報

上記したウェアラブルデバイスなどの製造工程は、上記した外側シール材と、内側シール材とを第１基板に塗布し、第２基板を第１基板に貼り合わせ、液晶を注入する工程がとられる。
従って製造工程においては、小さな径の前記貫通口の周囲にリング状の内側シール材を塗布する工程が必要である。この工程では適正な量のシール材を円を描きながら予めリング状に塗布する必要がある。そして、第２基板を第１基板に貼り合わせしたとき、両基板の押圧により前記内側シールの線幅が所定の幅以上はみ出さないように対策する必要がある。しかしシール材をリング状に一筆書きで塗布する場合、描きはじめと描き終わりを確実に繋ぐため、つなぎ目では、シール材が重複し、余ることになる。このために、従来の装置では、第２基板と第１基板との貼り合わせ時に、前記内側シール材の広がりが、必ずしも想定通りに収まらないケースが多かった。この結果、シール材を光から遮蔽する（また外部から見えないようにする）ために、遮光膜の幅を広くせざるを得ないという課題があった。またシール材の線幅が広くなると、シール材の一部が表示領域にはみ出して表示に支障を与えることになる。

そこで本実施形態の目的は、シール材による線幅が外周側へ広がるのを抑制し、遮光膜幅も狭めることが可能となり、また表示領域の表示に対する安全性も高まる、表示装置及び表示装置の造方法を提供することにある。

一実施形態によると、平面視において、端部から内側に向けて第１領域、第２領域、第３領域、第４領域、第５領域を有する第１基板と、前記第２領域と前記第４領域にあり、前記第３領域及び前記第５領域にはなく、前記第４領域には厚みが変化する調整領域を形成している有機絶縁膜と、前記第２領域の前記有機絶縁膜上と、前記第３領域の上と、前記第４領域の前記有機絶縁膜上と前記第５領域の上の一部に連続して形成されている導電性膜と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第２領域の一部、前記第３領域と、第４領域と、第５領域の一部にあり、前記第１基板と前記第２基板とを接着したシール材と、前記第５領域の内側に隣接し、前記第１基板、前記第２基板を貫通している貫通口と、を備える。

一実施形態における表示装置の第１基板の概略を平面視して示す図である。 一実施形態における表示装置の概略的な断面構造を図である。 一実施形態である表示装置の第１基板の中心部周辺を平面視して示す図と、線Ｃ−Ａ−Ｂ間の断面図である。 図２で示す線Ａ−Ｂ間の断面図である。 図２で示す線Ａ−Ｃ間の断面図である。 他の実施形態である表示装置の第１基板の中心部周辺を平面視して示す図とその断面図である。 図５で示す線Ａ−Ｄの断面図である。 他の実施形態である表示装置の第１基板の中心部周辺を平面視して示す図と、線Ｃ−Ａ−Ｅ間の断面図である。 本実施形態に係る表示装置の製造工程を概略的に説明するために示した製造工程説明図である。 液晶注入口付近の平面図および断面図である。 本実施形態に係る表示装置において、貫通口周辺の偏光板と補強板の関係を示す図である。

以下、図面を参照して実施形態を説明する。なお、開示は一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

まず第１の実施形態を示す。
図１Ａには表示装置１００の第１基板ＳＵＢ１の概略な構成を平面的に示し、図１Ｂには、表示装置１００の概略的な断面を示している。第１基板ＳＵＢ１（アレイ基板と称してもよい）は例えばガラス板を基板としており、ガラス板の一方の面の表示領域ＡＲＥ１に複数の副画素からなる副画素群ＰＸ＿Ｇを形成している。この第１基板ＳＵＢ１は、図１Ｂに示すようにシール材１０、１１により、第２基板ＳＵＢ２と一体化される。そして、第１の基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には、液晶層ＬＱが封入される。図１Ｂでは、第１基板ＳＵＢの液晶層側の面に、副画素群を構成する半導体層２１、画素電極を形成する画素電極層２２、液晶層に面して液晶の配向方向を規定する配向膜５８の層を概略的に示している。また第２基板ＳＵＢ２には、カラーフィルタ層ＣＯＬ＿Ｆと、共通電極ＣＯＭと、液晶層に面して液晶の配向方向を規定する配向膜５９の層を概略的に示している。
なお図１Ａにおいては、表示装置１００の平面視（基板面に対して垂直方向から見た状態）した形状が円形を示しているが、該形状は、四角形、三角形、多角形など種々の形状が可能である。本実施形態は、回転軸を有する機器、例えば時計を一体化した表示装置であって、平面視した場合、円形状のウェアラブルデバイスに適用されたために、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が円形となっている。図１の例では、シール材１０、１１は平面視で円形のリング状である。

上記表示装置１００に関して、貫通口ＨＯＬ周辺を拡大して、図２及び図４を参照して説明する。図２は第１基板ＳＵＢ１の中心部周辺を平面視して示す平面図と、線Ｃ−Ａ−Ｂ間の断面図である。図３は、図２で示す線Ａ−Ｂ間の断面図である。図４は、図２で示す線Ａ−Ｃ間の断面図である。
図２及び図４に示すように、第１基板ＳＵＢ１の液晶層ＬＱ側の面は、平面視において、端部（外周側の淵）から内側（内周側）に向けて第１領域ＡＲＥ１（第１領域は額縁領域であり図１Ａに示す）、第２領域ＡＲＥ２、第３領域ＡＲＥ３、第４領域ＡＲＥ４、第５領域ＡＲＥ５、第６領域ＡＲＥ６、を有する。第６領域ＡＲＥ６は、指針の軸受け及び該軸受け内の軸を通すために貫通口ＨＯＬ（図２参照）が設けられる領域である。
第２領域ＡＲＥ２は、外周側から内周側に向けて確保され、この領域に表示領域が設定される。表示領域には、図３に示すように、ガラス板３１上に半導体チャンネル５１が形成され、この半導体チャンネル５１を用いて、画素電極５７に駆動電位を与えるための駆動用スイッチング素子ＤＳＷが形成される。尚、本実施形態では、反射型表示方式（外光を画素電極で反射させて第２基板側へ出力する方式）を想定しているため、画素電極５７は、例えば銀で形成される。駆動用スイッチング素子ＤＳＷは、半導体チャンネル５１、ゲート電極５２、ソース電極５３、ドレイン電極５４を備える。半導体チャンネル５１は、ゲート電極５２に対向した中央位置にチャンネル領域を備え、チャンネル領域の一方サイドのソース領域にソース電極５３、他方サイドのドレイン領域にドレイン電極５４が接続されている。ゲート電極５２と半導体チャンネル５１との間に設けられている絶縁層４１は、半導体チャンネル５１の層を覆う第１絶縁層である。また絶縁層４２は、ゲート電極５２の層を覆うための第２絶縁層である。これらの第１絶縁層４１及び第２絶縁層４２は、図１Ａに示した絶縁層２３として、第２領域ＡＲＥ２の内周側の端部近くまで延在して形成されている。
図３では、駆動用スイッチング素子ＤＳＷの１つが、代表して示されている。実際には複数の副画素に対応する複数の駆動用スイッチング素子ＤＳＷが、第１の基板ＳＵＢ１内に２次元的に配列して構成されている。また、本実施形態は、メモリ性液晶（メモリインピクセル（ＭＩＰ））タイプの表示方式を採用しているために、各副画素に対応して、データ“１”又は“０”を保持するためのメモリが設けられている。したがって、図示していないが該メモリを構成するためのスイッチング素子、及び該メモリにデータ線からデータを書き込むための書き込み用スイッチング素子等が構成されている。
上記したソース電極５３、ドレイン電極５４は、例えばアルミニウム等の金属である。ゲート電極５２は第１絶縁層４１に形成された走査信号線（図示せず）に接続されている。ソース電極５３は、第２絶縁層４２上に形成された映像信号線（図示せず）に接続されている。

上記した半導体層２１上には、有機絶縁膜６１ａ、６１ｂが形成されている。この有機絶縁膜６１ａは、少なくとも第２領域ＡＲＥ２に形成されている。有機絶縁膜６１ａは、半導体層２１の凹凸を平坦化する役割を持つので、第１平坦化膜６１ａと称してもよい。この第１平坦化膜６１ａの内周側は、前記絶縁層２３の内周側エッジを覆う程度まで延長して形成されている（図２の（ｂ）、図３参照）。またこの第１平坦化膜６１ａが形成されるときに、同時に第４領域ＡＲＥ４に第２平坦化膜（有機絶縁膜）６１ｂも形成される。
ここで、第２平坦化膜６１ｂは、基本的にリング状の土手部を形成しているが、一部にスリット（調整領域或いは分断領域或いは間隙部と称してもよい）ＡＲＥ４＿ｓ１を有するパターニングをしている（図２の（a）参照）。つまり第４領域ＡＲＥ４の有機絶縁膜（平坦化膜）６１ｂは、少なくとも一部に、他の領域よりも厚みが薄い調整領域ＡＥＲ４＿ｓ１を有する。この調整領域ＡＲＥ４＿ｓ１を設けた理由は後述される。図では調整領域ＡＥＲ４＿ｓ１が１か所示されているが、複数個所に構成されてもよい。

上記した第１平坦化膜６１ａ上において、駆動用スイッチング素子ＤＳＷに対応して画素電極５７が設けられている。そして、画素電極５７と駆動用スイッチング素子ＤＳＷのドレイン電極５４とは、コンタクトホールに形成される金属、例えば透明性を有したインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）５６（接続金属）により接続されている。コンタクトホールは、前記第１平坦化膜６１ａに形成されている。
ところで、第２領域ＡＲＥ２の最内周側の副画素は、ダミー画素として構成されることが多い。ダミーの副画素の場合、駆動用スイッチング素子ＤＳＷは常にオフ状態に維持され、実際の駆動はなされない。このダミー副画素の一部を構成するＩＴＯ５６（接続金属）は、平坦化膜６１が形成された後、第３領域ＡＲＥ３、第４領域ＡＲＥ４、第５領域ＡＲＥ５の一部まで延在して形成される。
さらに、上記したＩＴＯ５６及び画素電極５７などの上面には、全面的に配向膜５８が形成される。なおこの配向膜５８は、第２領域ＡＲＥ２の範囲に形成されてもよい。

上記した第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２と貼り合わせられる。この場合、図１Ａ、図１Ｂ、図３に示すように、まず、第１基板ＳＵＢ１に対してシール材１０、１１が塗布される。ここで、特に内周側のシール材１１は、図３及び図４に示すような塗布状態とされる。即ち、第２領域ＡＲＥ２の内周側の一部、第３領域ＡＲＥ３と、第４領域ＡＲＥ４と、第５領域ＡＲＥ５の外周側の一部に跨って塗布される。ここでシール材１１は、図２に示す例えば１１Ａで示す方向へ、シール材塗布装置から押し出されつつ円を描きながら塗布される。このようにシール材１１がリング状に塗布されるとき、調整領域ＡＲＥ４＿ｓ１が塗布の開始位置と終了位置に選定される。このために調整領域ＡＲＥ４＿ｓ１は、塗布されるシール材の量の過多を吸収するバッファ部として機能する。特にシール材塗布による円の描き開始位置（即ち終了位置）では、シール材１１の塗布エリアがオーバーラップし、シール材の量が他の塗布領域よりも多くなる。このようなシール材の量の過多分を調整領域ＡＲＥ４＿ｓ１で吸収することができる（図４、図２参照）。
よって、シール材１１の線幅が広くなるのを抑制できる。その結果シール材の一部が表示領域にはみ出して表示に支障を与えることも防止でき、遮光膜幅も狭めることが可能となる。

上記した液晶表示パネル１００では、例えば画素電極５７を含む副画素が駆動される場合、次のように駆動される。画素電極５７に対して半導体チャンネル５１を備える駆動用スイッチング素子ＤＳＷを介して駆動用信号（映像信号）が供給される。すると、第２基板ＳＵＢ２に形成された共通電極ＣＯＭと画素電極５７間に電界が発生し、液晶を駆動し、光透過状態を実現する。これにより、第２基板ＳＵＢ２側の外から入射した光が画素電極５７により反射されて、この反射光を目視することができる。
なお、第２基板ＳＵＢ２を構成するガラス板の上面には偏光板が貼り付けられている。また第２基板ＳＵＢ２において、貫通口ＨＯＬの周囲には補強板も貼り付けられる。ここで、偏光板の穴は、貫通口ＨＯＬよりも大きい方が良い。また偏光板の穴の内端よりも内側に前記補強板の内端があるように設計される。これは偏光板の穴を大きくしたことで、最内側だけ遮光膜が見えてしまうことを防止するためである。なお補強板は偏光板の上でも良いし同層でも良い。第２基板ＳＵＢ２の液晶層側であって貫通口ＨＯＬ周辺に設けられる遮光膜は、平面視して、少なくとも第３領域及び第４領域と重なっている。なお遮光膜は、第２の領域の一部、第３領域、第４領域、第５領域の一部と重なってもよい。上記の偏光板と補強板との関係は後で説明することにする。

上記した表示装置は、内周（中央）側のシール材１１内に配向膜５８がある。そして、配向膜５８の下にはＩＴＯ５６がある。つまり、製造工程においては、金属酸化物であるＩＴＯ上に配向膜５８を印刷処理するが、ＩＴＯに対して配向膜５８は親和性がよいため、処理が容易である。また、ＩＴＯを置くことで基板及び有機膜に対する密着性が向上し、外部からの水分侵入を防止する効果がある。

上記したシール材１０、１１により、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２と同軸的に合わせられると、上記したシール材１０、１１により貼り合わせられ、一体化される。このとき、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２間の空間に液晶を注入するための液晶注入口が例えばシール材１０に設けられる。シール材１０、１１が硬化し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが一体化すると、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貫通する貫通口ＨＯＬ（シール材１１で形成されたリングの中心軸に対応する）が設けられる。この貫通口ＨＯＬは、第５領域ＡＲＥ５の内側の第６領域ＡＲＥ６である。貫通口ＨＯＬは、例えばレーザー光を用いて、当該液晶パネルに組み付けられる時計機構の指針の軸受けよりも大きく形成される。次に、前記注入口から液晶が注入されたのち注入口が封止される。液晶の注入工程を、貫通口ＨＯＬを作成する穴あけ工程よりも後の工程としているのは、穴あけ時の熱や衝撃により、液晶がダメージを受けないようにしたからである。

図５及び図６は第２の実施形態を示す。図１乃至図４と共通しているところは図１乃至図４に付した符号と同じ符号を付している。図５は、第１基板の中心部周辺を平面視した平面図とそれに対応する断面図であり、図６は、図５で示した線Ａ−Ｄ間の断面図である。
図５及び図６の実施形態と先の実施形態との違いは、第４領域ＡＲＥ４に形成されている第２平坦化膜６１ｂの形状が先の実施形態とは異なる点である。第２平坦化膜６１ｂは、平面視した場合、リング状であるが、断面で見た場合、内側に高さが低い段差部（調整領域）ＡＲＥ４＿ｓ２を有する。段差部（調整領域）ＡＥＲ４＿ｓ２の高さは、好ましくは、第２平坦化膜６１ｂの最高部の高さに対して、３割以上８割以下程度に形成される。
また、図５、図６では断面形状が階段状である例を示しているが、第２平坦化膜６１ｂの内側の高さが徐々に低くなるように、傾斜面が形成されていてもよい。

上記調整領域ＡＲＥ４＿ｓ２を有する第２の平坦化膜６１ｂであると、次のような作用を生じる。
即ちシール材１１の塗布工程において、シール材１１が第２の平坦化膜６１ｂ上にリング状に描かれたとき、その開始位置と終端位置の重複領域でシール材の過多が生じたとしても、第２の平坦化膜６１ｂの段差又は傾斜によって、内側（貫通口ＨＯＬ側）に流れ出る。よって、シール材１１の線幅が、第２領域ＡＲＥ２側に広くなるのを抑制できる。その結果、シール材の一部が表示領域にはみ出して表示に支障を与えることも防止でき、また遮光膜幅も狭めることが可能となる。

図７は、第３の実施形態である。図１乃至図６と共通しているところは図１乃至図６に付した符号と同じ符号を付している。図７は、第１基板の中心部周辺を平面視した平面図とそれに対応する断面図である。この実施形態は、図１乃至図４に示した実施形態と、図５及び図６に示した実施形態の両方の構成を備えた実施形態である。
したがって、第４領域ＡＲＥ４の第２平坦化膜６１ａは、調整領域ＡＲＥ４＿ｓ１と、調整領域ＡＲＥ４＿ｓ２との両方を形成されている。この実施形態においても先の実施形態と同様な効果を奏することができる。

図８は、上記した実施形態の表示装置を製造する工程を概略的に示す工程説明図である。第１基板ＳＵＢ１に対して半導体層２１が形成された後（プロセスＰＳ１）、有機膜（第１平坦化膜、第２平坦化膜）が形成される（プロセスＰＳ２）。ここで、第２平坦化膜の形成においては、図２、図５又は図７で説明したようなタイプの調整領域が選択される。
平坦化膜が形成された後は、ＩＴＯの形成プロセス、画素電極の形成プロセスがあり（プロセスＰＳ３）、次に配向膜の塗布がなされる（プロセスＰＳ４）。配向膜形成後は、シール材の塗布がなされ、その後は、第１基板と第２基板との貼りあわせが実施される（プロセスＰＳ５、ＰＳ６）。次に、第１基板と第２基板のガラス板を薄くするために、ガラス板に対してフッ酸によるケミカルエッチングがなされる（プロセスＰＳ７）。次にレーザー光を利用して、指針を取り付けるための貫通口ＨＯＬが、開口される（プロセスＰＳ８）。
さらに、シール材の一部に設けていた液晶の注入口から液晶を注入し、注入後は注入口が塞がれる（プロセスＰＳ９）。そして、第２基板ＳＵＢ２の外側面に対して偏光板の貼り合わせが行われ、次いで、偏光板の上面に補強板が貼り合わせられる（プロセスＳＰ１０）。上記の処理により、液晶が封入された後の表示装置では、注入口の痕跡が残ることになる。例えば、注入口を塞いだ後の封止材がみられる。

図９は、液晶を注入するために形成された注入口７０を示す平面図（同図（ａ））およびＸ−Ｙ間の断面図（同図（ｂ））である。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わされたとき、注入口７０は、シール材１０の一部に形成されている。つまり、シール材１０がリング状に塗布される途中で、シール材が途切れて注入口７０が形成される。この注入口７０では、第１基板ＳＵＢ１のガラス板８１に形成されている平坦化膜６０（６１ａ）に対して第２基板ＳＵＢ２のガラス板３１上に形成されている平坦化膜８２が対向する。そして、第２基板ＳＵＢ２の平坦化膜８２には、スペーサ８３ａ、８３ｂ、８３ｃが設けられ、強度を保つように工夫されている。注入口７０は、液晶が注入された後は、封止材１０Ａにより封止されている。

図１０は、第２基板ＳＵＢ２のガラス板８１に形成される部材と第１基板ＳＵＢ１に形成されている部材との位置関係であって、貫通口ＨＯＬ周辺での位置関係を示している。ガラス板８１の液晶層ＬＱ側面には遮光膜ＢＭが形成されている。またガラス板８１の外側面（液晶層とは反対側の面）には偏光板９１が貼り付けられ、偏光板９１の上面にさらに補強板９２が貼り付けられている。一方、貫通口ＨＯＬ周辺に設けられる遮光膜ＢＭは、平面視して、少なくとも第２領域及び第３領域と重なっている。なおこの遮光膜ＢＭは、第１の領域の一部、第２領域、第３領域、第４領域の一部と重なってもよい。さらに貫通口ＨＯＬ周辺において、偏光板９２と補強板９１との内周関係は、偏光板９１の内周エッジに対して補強板９２の内周エッジが貫通口ＨＯＬ側に位置している。即ち、第２基板ＳＵＢ２と第１基板ＳＵＢ１との間に液晶層ＬＱが位置し、第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＱとは反対側の面に偏光板９１が配置され、さらに偏光板９１の上面に補強板９２が配置されている。そして貫通口ＨＯＬの周囲では、偏光板９１の内周縁の径が、補強板９２の内周縁の径よりも大きく設計されている。これにより補強板９２により、内周側の遮光膜ＢＭが外から見えるのを防止できる。つまり偏光板９２が内周側まで延在すると、遮光膜ＢＭが偏光板９２を通じて外から見えるが、上記の構成により遮光膜ＢＭが外から見えるのを防止できる。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。

１０、１１・・・シール材、２１・・・半導体層、２２、５９・・・配向膜、２３・・・絶縁層、６１ａ・・・第１平坦化膜（有機絶縁膜）、６１ｂ・・・第２平坦化膜（有機膜）、ＡＲＥ１・・・第１領域、ＡＲＥ２・・・第２領域、ＡＲＥ３・・・第３領域、ＡＲＥ４・・・第４領域、ＡＲＥ５・・・第５領域、ＡＲＥ６・・・第６領域、ＨＯＬ・・・貫通口、４１、４２・・・絶縁層、５１・・・半導体チャンネル、５２・・・ゲート電極、５３・・・ソース電極、５４・・・ドレイン電極、５６・・・ＩＴＯ、５７・・・画素電極、５８・・・配向膜、７０・・・注入口。

Claims (7)

1. 平面視において、端部から内側に向けて第１領域、第２領域、第３領域、第４領域、第５領域を有する第１基板と、
   前記第２領域と前記第４領域にあり、前記第３領域及び前記第５領域にはなく、前記第４領域には厚みが変化する調整領域を形成している有機絶縁膜と、
   前記第２領域の前記有機絶縁膜上と、前記第３領域の上と、前記第４領域の前記有機絶縁膜上と前記第５領域の上の一部に連続して形成されている導電性膜と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第２領域の一部、前記第３領域と、前記第４領域と、前記第５領域の一部にあり、前記第１基板と前記第２基板とを接着したシール材と、
   前記第５領域の内側に隣接し、前記第１基板、前記第２基板を貫通している貫通口と、
   を備え、前記第４領域の前記有機絶縁膜は、前記調整領域として、一部に不連続な途切れ部分があり、この途切れ部分に前記シール材が充填されている、表示装置。
2. 前記第４領域の前記有機絶縁膜は、前記調整領域として、前記第３領域側よりも前記第５領域側の厚みが薄くなった段差領域を有する形状を形成し、この段差領域にも前記シール材が重なっている、請求項１記載の表示装置。
3. 前記第４領域の前記有機絶縁膜は、前記調整領域として、一部に不連続な途切れ部分があり、この途切れ部分に前記シール材が充填され、さらに、前記第４領域の前記有機絶縁膜は、前記調整領域として、前記第３領域側よりも前記第５領域側の厚みが薄くなった段差領域をもつ形状を形成し、この段差領域にも前記シール材が重なっている、請求項１記載の表示装置。
4. 前記導電性膜は、半導体チャンネルを含む駆動用スイッチング素子と画素電極間を接続する接続金属から連続して形成されている、請求項１記載の表示装置。
5. 前記第２基板と前記第１基板との間に液晶層が位置し、前記第２基板の前記液晶層とは反対側の面に偏光板が配置され、さらに前記偏光板の上面に補強板が配置されており、
   前記貫通口の周囲では、前記偏光板の内周縁の径が、前記補強板の内周縁の径よりも大きい、請求項１記載の表示装置。
6. 前記前記第２基板と前記第１基板とを外周側で接着しているシール材に、液晶を注入した注入口を有する、請求項１記載の表示装置。
7. 平面視において、端部から内側に向けて第１領域、第２領域、第３領域、第４領域、第５領域及び前記第５領域に隣接する第６領域を有する第１絶縁性基板を準備する準備工程と、
   前記絶縁性基板の前記第２領域と、前記第４領域とに有機絶縁膜を形成し、前記第３領域と前記第５領域には前記有機絶縁膜を形成せず、且つ前記第４領域に厚みが変化する調整領域を形成する有機膜形成工程と、
   前記第２領域の前記有機絶縁膜上と、前記第３領域上と、前記第４領域の前記有機絶縁膜上と、前記第５領域上の一部に連続する導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、
   前記有機絶縁膜及び前記導電性膜が形成された第１絶縁性基板と第２基板とを、前記第２領域の一部、前記第３領域、前記第４領域、前記第５領域の一部に形成したシール材によって貼り合せる貼り合せ工程と、
   前記第５領域で、前記第１絶縁性基板と前記第２基板を貫通して貫通口を形成する貫通工程と、を備え、
   前記第４領域の前記有機絶縁膜は、前記調整領域として、一部に不連続な途切れ部分があり、この途切れ部分に前記シール材が充填されている、表示装置の製造方法。

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