CN113314567A - 制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

一种制造显示装置的方法包括：在基板上形成薄膜晶体管，并形成平坦化层以覆盖薄膜晶体管；在平坦化层上形成电连接到薄膜晶体管的像素电极以及至少暴露像素电极的中央部分的像素限定层；以及在与第二非显示区相对应的位置处限定具有闭合曲线形状的至少一个槽。当薄膜晶体管被形成时，电压线也形成在与第一非显示区相对应的位置处。当至少一个槽被形成时，平坦化层的被布置在焊盘区与显示区之间的部分同时被移除，使得电压线的位于焊盘区与显示区之间的一部分被暴露。

Description

制造显示装置的方法
本申请要求2020年2月27日提交的韩国专利申请第10-2020-0024472号的优先权，并且该韩国专利申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种制造显示装置的方法。
背景技术
随着用于可视化地表现电信号信息的显示技术的快速发展，已经开发出了具有诸如薄外形、轻重量和低功耗的优异特性的各种显示装置。近来，为了扩大其上显示图像的显示区，已经引入了一种显示装置，其中从该显示装置的正面移除物理按钮等，并且诸如相机和传感器的电子元件被设置在显示区内。
由于作为自发射显示装置的有机发光显示装置不需要额外的光源，因此有机发光显示装置可以以低电压来驱动并且可以被制造成重量轻且薄的。此外，有机发光显示装置具有诸如宽视角、高对比度和快响应速度的良好特性。然而，有机发光二极管可能由于水分或氧等而劣化，并且因此需要防止外部水分或氧等渗透到有机发光二极管内。
发明内容
一个或多个实施例包括一种制造显示装置的方法，借助于该方法，可以有效防止外部水分或氧等渗透到显示装置内。
附加方面部分地将在下面的描述中阐述并且部分地将根据描述显而易见，或者可以通过所呈现的本公开的实施例的实践来领会。
根据一个或多个实施例，一种制造显示装置的方法，显示装置包括显示区、第一非显示区和第二非显示区，第一非显示区位于显示区周围并且在第一非显示区的一侧上包括焊盘区，第二非显示区被显示区至少部分地围绕，该方法包括：在基板上在与显示区相对应的位置处形成薄膜晶体管，并形成平坦化层以覆盖薄膜晶体管；在平坦化层上形成电连接到薄膜晶体管的像素电极以及至少暴露像素电极的中央部分的像素限定层；以及在与第二非显示区相对应的位置处限定在基板的厚度方向上从基板的表面延伸的至少一个槽，至少一个槽具有闭合曲线形状。当形成薄膜晶体管时，在与第一非显示区相对应的位置处与薄膜晶体管一起形成用于将电压施加到显示装置的电压线。当形成至少一个槽时，同时移除平坦化层的被布置在焊盘区与显示区之间的一部分，使得电压线的位于焊盘区与显示区之间的一部分被暴露。
基板可以具有其中第一基底层、第一阻挡层、第二基底层和第二阻挡层被顺序地堆叠的多层结构，并且至少一个槽可以被限定为在基板的厚度方向上从第二阻挡层延伸到第二基底层的至少一部分。
在至少一个槽的形成之前，覆盖层可以被形成在整个基板上，覆盖层可以被图案化，以在覆盖层中在至少一个槽要被限定的位置处以及在焊盘区与显示区之间的位置处限定开口，并且形成至少一个槽以及移除平坦化层的被布置在焊盘区与显示区之间的一部分是经由开口被执行的。
通过使用覆盖层作为掩模执行干刻蚀，至少一个槽可以被形成，并且平坦化层的被布置在焊盘区与显示区之间的一部分可以被移除。
覆盖层可以包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡锌铟、氧化镓锌和氧化镓锌铟中的至少一种。
当移除平坦化层的被布置在焊盘区与显示区之间的一部分时，围绕显示区的第一坝和堤可以被形成，并且电压线在第一坝与堤之间的粘附区中可以被暴露。
该方法可以进一步包括：在像素电极上形成包括发射层的中间层以及在中间层上形成对电极；在对电极上顺序地形成第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；以及在由至少一个槽限定的区内限定通孔。
第一无机封装层可以在粘附区中直接接触电压线和第二无机封装层。
至少一个槽可以包括围绕通孔的第一槽以及位于第一槽与通孔之间并且围绕通孔的第二槽，有机封装层可以填充第一槽，并且第一无机封装层与第二无机封装层可以在第二槽内彼此直接接触。
中间层可以被至少一个槽断开并且可以不连续地形成。
薄膜晶体管可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极。第一无机绝缘层可以被形成在半导体层与栅电极之间，以对应于整个基板，并且第二无机绝缘层可以被形成在栅电极与源电极和漏电极之间，以对应于整个基板。在粘附区中，第一无机封装层可以直接接触第二无机绝缘层。
像素限定层可以被形成在平坦化层上并且被布置在焊盘区与显示区之间，并且当至少一个槽被形成时，像素限定层和平坦化层可以从粘附区被移除。
电压线可以包括施加彼此不同的电压的第一电压线和第二电压线。第一电压线可以包括被形成在显示区与焊盘区之间以对应于显示区的第一边缘的第一主电压线以及从第一主电压线延伸到焊盘区的第一连接单元。第二电压线可以包括围绕显示区的除了第一边缘之外的其余边缘的第二主电压线以及从第二主电压线延伸到焊盘区的第二连接单元。第一连接单元和第二连接单元的在焊盘区与显示区之间的相应部分可以被暴露。
电压线可以是包括第一金属层、第二金属层和第三金属层的三层式层，并且第二金属层的刻蚀速率可以大于第一金属层和第三金属层中的每个的刻蚀速率。
附图说明
本公开的特定实施例的上述和其它方面、特征及优点将根据下面结合附图进行的描述而更加显而易见，其中：
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
图2是图1的区域A的示意性平面图；
图3是沿图2的线I-I'截取的显示装置的截面图；
图4是图1的区域B的示意性平面图；
图5是图4的区域C的示意性平面图；
图6是沿图5的线II-II'截取的区域C的截面图；
图7是沿图5的线III-III'截取的区域C的截面图；并且
图8至图12是示意性地图示根据实施例的制造显示装置的方法的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，实施例的示例被图示在附图中，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就此而言，本实施例可以具有不同的形式并且不应解释为限于本文中陈述的描述。因此，仅在下面通过参考附图来描述实施例，以解释本说明书的各方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或它们的变体。
下面将参考附图更详细地描述本公开的一个或多个实施例。与图号无关，相同或相对应的那些部件被赋予相同的附图标记，并且多余的说明被省略。
将理解，虽然本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但这些部件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
如本文中使用的，单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
将进一步理解，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定存在所陈述的特征或部件，但不排除一个或多个其他特征或部件的存在或附加。
将理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，其可以直接或间接形成在另一层、区域或部件上。即，例如，可以存在中间层、区域或部件。
为便于说明，可夸大附图中元件的尺寸。换言之，由于附图中部件的尺寸和厚度是为了便于说明而被任意地图示的，因此下面根据本发明的实施例不限于此。
当某一实施例可以被不同地实现时，特定工艺可以以不同于所描述的顺序的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
还将理解，当层、区域或部件被称为“连接”或“耦接”到另一层、区域或部件时，其可以直接连接或耦接到另一层、区域或部件，或可以存在中间层、区域或部件。例如，当层、区域或部件被称为“电连接”或“电耦接”到另一层、区域或部件时，其可以直接电连接或耦接到另一层、区域或部件，或可以存在中间层、区域或部件。
图1是根据实施例的显示装置10的示意性平面图。
参考图1，根据实施例的显示装置10包括显示图像的显示区DA、位于显示区DA外部的第一非显示区PA1以及被显示区DA至少部分地围绕的第二非显示区PA2。换句话说，显示区DA、第一非显示区PA1和第二非显示区PA2被限定在基板100中。
显示元件位于显示区DA中，并且第一非显示区PA1可以包括焊盘区PADA，各种电子设备或印刷电路板(“PCB”)电附接在焊盘区PADA中。第一电压线410和第二电压线420可以位于第一非显示区PA1中。
第二非显示区PA2可以被显示区DA至少部分地围绕，并且至少一个通孔H可以位于第二非显示区PA2中。尽管在图1中第二非显示区PA2位于显示区DA内，并且因此显示区DA完全围绕第二非显示区PA2，但根据本发明的实施例并不限于此。例如，在另一实施例中，第二非显示区PA2的一部分可以接触第一非显示区PA1。在又一实施例中，两个或更多个通孔H可以被提供在第二非显示区PA2内。
通孔H可以用作用于显示装置10的功能的附加构件或能够向显示装置10增加新功能的附加构件的空间。例如，传感器、光源和相机模块可以位于通孔H中。然而，由于通孔H垂直地贯穿基板100以及堆叠在基板100上的多个层，因此外部水分或氧可能渗透到显示装置10的被通孔H暴露的内侧表面中。然而，根据实施例，围绕通孔H的至少一个槽被形成，从而有效地防止水分的渗透。
图1是图示在显示装置10的制造期间基板100等的平面图。在最终显示装置10或包括显示装置10的诸如智能电话的电子设备中，基板100的一部分可以被弯曲，以最小化在平面图中被用户识别到的第一非显示区PA1的面积。在此情况下，基板100等被弯曲，使得焊盘区PADA位于显示区DA的后面，并且因此，用户可以识别出在平面图中显示区DA占据显示装置10的大部分。
基板100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种合适的材料。例如，基板100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚芳酯(“PAR”)、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)或乙酸丙酸纤维素(“CAP”)。基板100可以具有多层结构，该多层结构包括均包含聚合物树脂的两个层以及在这两个层之间的包括无机材料(例如，氧化硅、氮化硅或氧氮化硅等)的阻挡层。以这种方式，可以进行各种修改。
图2是图1的区域A的平面图，并且图3是沿图2的线I-I'截取的区域A的截面的截面图。
参考图2和图3，第一槽G1和第二槽G2可以在第二显示区PA2的位于通孔H与显示区DA之间的区域中，并且可以围绕通孔H。然而，根据本发明的实施例并不限于此，并且在另一实施例中，可以提供一个槽、或三个或更多个槽。换句话说，可以在通孔H周围提供一个或多个槽。不过，现在将描述两个槽G1和G2(即，第一槽G1和第二槽G2)被提供在通孔H周围的示例。根据距通孔H的距离，两个槽G1和G2将被称为第一槽G1和第二槽G2。换句话说，被设置成距通孔H最远的槽被称为第一槽G1。
薄膜晶体管210和显示元件位于基板100上显示区DA中。图3图示了有机发光二极管300作为显示元件。此外，另一薄膜晶体管(未示出)可以被设置在基板100的第一非显示区PA1(参见图1)中。位于图1的第一非显示区PA1中的另一薄膜晶体管可以是用于控制施加到显示区DA的电信号的电路单元的一部分。
基板100可以具有其中第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104被顺序地堆叠的多层结构。
第一基底层101和第二基底层103可以包括例如包含SiO2作为主要成分的透明玻璃材料。然而，包含在根据本发明的第一基底层101和第二基底层103中的材料并不限于此，并且在另一实施例中，第一基底层101和第二基底层103可以包括透明塑料材料。塑料材料可以是聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(“TAC”)或乙酸丙酸纤维素(CAP)等。
第一基底层101和第二基底层103可以具有相同或不同的厚度。例如，第一基底层101和第二基底层103中的每个可以包括聚酰亚胺，并且可以具有大约3微米(μm)至大约20μm的厚度。
第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个防止外部异物穿过基板100渗透到显示装置10中，并且可以是包括诸如SiNx和/或SiOx的无机材料的单层或多层。例如，第一阻挡层102可以是包括非晶硅层和氧化硅层的用于改善邻近层之间的粘附性的多层，并且第二阻挡层104可以是氧化硅层。第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个可以具有大约4000埃
Figure BDA0002894617280000061
至大约
Figure BDA0002894617280000062
的厚度，但根据本发明的实施例并不限于此。
缓冲层可以被进一步提供在基板100上。缓冲层可以使基板100的上表面平坦化，并且可以阻挡异物或水分渗透穿过基板100。例如，缓冲层可以包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛)或有机材料(诸如聚酰亚胺、聚酯或丙烯酸)，或者可以是这些材料的堆叠。根据一些实施例，基板100的第二阻挡层104可以是具有多层结构的缓冲层的一部分。
基板100上的薄膜晶体管210包括半导体层211、栅电极213、源电极215和漏电极217。当缓冲层被设置在基板100上时，半导体层211可以位于缓冲层上。
半导体层211可以包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。
栅电极213被设置在半导体层211上方。源电极215和漏电极217响应于施加到栅电极213的信号而彼此电连接。
栅电极213可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种，并且可以具有单层或多层结构。为了确保半导体层211与栅电极213之间的绝缘，包括诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的无机材料的第一无机绝缘层120可以被布置在半导体层211与栅电极213之间。
第二无机绝缘层130可以在栅电极213上，并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的无机材料且具有单层或多层结构。
源电极215和漏电极217在第二无机绝缘层130上。源电极215和漏电极217可以经由限定在第二无机绝缘层130和第一无机绝缘层120中的接触孔电连接到半导体层211。考虑到导电性等，源电极215和漏电极217中的每个可以包括从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的至少一种，并且可以具有单层或多层结构。例如，源电极215和漏电极217中的每个可以是Ti/Al/Ti的三层式层。
平坦化层140可以在薄膜晶体管210上。例如，当有机发光二极管300如图3中所示在比薄膜晶体管210高的位置上时，平坦化层140可以覆盖薄膜晶体管210并且平坦化由于薄膜晶体管210引起的不平坦。平坦化层140可以包括诸如丙烯酸、苯并环丁烯(“BCB”)或六甲基二硅醚(“HMDSO”)的有机绝缘材料。尽管在图3中平坦化层140是单层，但可以对平坦化层140进行各种修改。例如，在另一实施例中，平坦化层140可以是多个层的堆叠。
有机发光二极管300在基板100的显示区DA内位于平坦化层140上。有机发光二极管300包括像素电极310、对电极330以及在像素电极310与对电极330之间并且包括发射层的中间层320。
像素电极310在平坦化层140上。暴露薄膜晶体管210的源电极215和漏电极217中的至少一个的开口由平坦化层140限定，并且像素电极310可以通过经由该开口接触源电极215或漏电极217而电连接到薄膜晶体管210。
像素电极310可以是透明(或半透明)电极或反射电极。当像素电极310为透明(或半透明)电极时，像素电极310可以包括例如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)或氧化铝锌(“AZO”)。当像素电极310为反射电极时，像素电极310可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射层以及包含ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO的层。当然，根据本发明的公开并不限于此，并且像素电极310可以包括各种其他材料中的任一种，并且可以具有各种结构中的任一种，诸如单层结构或多层结构。
像素限定层150可以在平坦化层140上。像素限定层150通过开口限定像素，像素电极310的至少中央部分经由该开口被暴露。在如图3中所示的情况下，像素限定层150通过增加像素电极310的边缘与设置在像素电极310上方的对电极330之间的距离来防止在像素电极310的边缘上发生电弧。像素限定层150可以包括有机绝缘材料，例如，聚酰亚胺或HMDSO。
有机发光二极管300的中间层320包括发射层。发射层可以包括发射特定颜色的光的低分子或高分子有机材料。中间层320可以进一步包括空穴传输层(“HTL”)、空穴注入层(“HIL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)当中的至少一个功能层。这样的功能层可以包括有机材料。构成中间层320的多个层中的一些(例如，功能层)可以在多个像素电极310上方一体地延伸。
对电极330可以被设置成覆盖显示区DA。对电极330可以被形成为构成多个有机发光二极管300的单体，并且因此可以与多个像素电极310相对应。对电极330可以是透明(或半透明)电极或反射电极。当对电极330是透明(或半透明)电极时，对电极330可以具有包括具有小的功函数的金属(例如，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物)的层以及包括例如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明(或半透明)导电层。当对电极330是反射电极时，对电极330可以具有包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物的层。根据本发明的对电极330的配置以及包含在对电极330中的材料不限于上述那些，并且可以对对电极330进行各种修改。
封装层500位于对电极330上方。封装层500保护有机发光二极管300免受外部水分或氧的影响。为此，封装层500在有机发光二极管300所在的显示区DA上方延伸，并且延伸到显示区DA外部的第一非显示区PA1中。封装层500可以具有多层结构。具体地，如图3中所示，封装层500可以包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530。
第一无机封装层510可以包括氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅。由于第一无机封装层510沿着第一无机封装层510下方的结构形成，因此第一无机封装层510的上表面可能不平坦，如图3中所示。
有机封装层520覆盖第一无机封装层510并且具有足够的厚度，并且因此有机封装层520可以在整个显示区DA上方具有近似平坦的上表面。有机封装层520可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅醚、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)或它们的任意组合。
第二无机封装层530可以覆盖有机封装层520，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅。第二无机封装层530可以延伸超过有机封装层520，并且可以接触第一无机封装层510，使得有机封装层520可以不被暴露于外部。
在第二非显示区PA2中，第一槽G1和第二槽G2在与通孔H间隔开的位置处围绕通孔H。第二槽G2在第一槽G1与通孔H之间的位置处围绕通孔H。
第一槽G1和第二槽G2中的每个可以具有底切结构。例如，第一槽G1和第二槽G2中的每个可以在基板100的厚度方向上从基板100的第二阻挡层104延伸到第二基底层103的至少一部分。如本文中使用的，术语“基板的厚度方向”是指垂直于限定基板的主表面平面(即，由附图中的方向X和Y限定的平面)的方向，像图3中的方向Z。
在此状态下，第二阻挡层104可以包括在第一槽G1的开口上端中朝向彼此延伸的、第一槽G1在其之间的一对第一尖端T1以及在第二槽G2的开口上端中朝向彼此延伸的、第二槽G2在其之间的一对第二尖端T2。
第一槽G1和第二槽G2可以通过以下方式形成：在第二阻挡层104的分别要限定第一槽G1和第二槽G2的相应部分中限定开口，并且然后通过这些开口进行干刻蚀以移除第二基底层103的部分。因此，第二基底层103的部分可以被移除，以限定比第二阻挡层104的开口中的每个开口宽的腔。
因此，第一槽G1的开口上端的宽度可以小于第一槽G1的底部的宽度，并且第一槽G1的开口上端中的第二阻挡层104可以包括彼此面对的一对第一尖端T1。第一尖端T1可以均具有悬臂形状。第一槽G1的宽度是在与第一槽G1的纵向方向垂直的方向上测量的距离。例如，当第一槽G1具有圆环形状时，第一槽G1的宽度在圆环的径向方向上。这里，径向方向在基板100的主表面平面上，使得径向方向垂直于基板100的厚度方向。当缓冲层进一步被提供在基板100上时，缓冲层可以与第二阻挡层104一起限定第一尖端T1。
类似地，第二阻挡层104可以包括在第二槽G2的开口上端中朝向彼此延伸并且围绕通孔H的一对第二尖端T2，第二槽G2在这一对第二尖端T2之间，并且第二槽G2可以具有底切结构。
由于如上所述，构成中间层320的多个层中的一些(例如，功能层)可以在多个像素电极310上方延伸，因此这些层不仅形成在显示区DA中，而且也形成在第二非显示区PA2中。然而，由于分别由第一尖端T1和第二尖端T2形成的底切结构，中间层320可不被布置在第一槽G1和第二槽G2的开口上端中的相应内壁表面上，而可仅形成在第一槽G1和第二槽G2的相应底表面的相应局部区上。
因此，包含在中间层320中的有机层被第一槽G1和第二槽G2断开，并且因此可以防止外部水分或氧沿中间层320中的有机层从通孔H渗透到显示区DA中。
封装层500不仅被提供在有机发光二极管300所在的显示区DA中，而且也被提供在第二非显示区PA2中。
如上所述，由于第一槽G1和第二槽G2的底切结构，包含在中间层320中的功能层未形成在第一槽G1和第二槽G2的开口上端中的相应内壁表面上。然而，由于封装层500的第一无机封装层510经由化学气相沉积等共形地形成，因此第一无机封装层510可以不仅形成在第一槽G1和第二槽G2的底表面上，而且形成在第一槽G1和第二槽G2的开口上端中的内壁表面上以及第一尖端T1和第二尖端T2的下表面上。因此，第一无机封装层510可以连续地形成而不断开。
有机封装层520可以填充第一槽G1。因此，当有机封装层520被形成时，可以防止用于形成有机封装层520的材料流向第二槽G2，并且因此可以限制有机封装层520所形成在的区。
第二无机封装层530可以与第一无机封装层510类似地形成。因此，第二无机封装层530和第一无机封装层510可以在第二槽G2中彼此接触，并且因此可以有效地防止外部水分和氧的渗透。
图4是图1的区域B的平面图，图5是图4的区域C的平面图，图6是沿图5的线II-II'截取的截面的示例的截面图，并且图7是沿图5的线III-III'截取的截面的示例的截面图。
参考图4至图7，第一电压线410和第二电压线420可以位于第一非显示区PA1中，以将驱动电力供给到图3的有机发光二极管300。例如，第一电压线410可以是驱动电压线，并且第二电压线420可以是公共电压线。第二电压线420可以直接连接到图3的对电极330，或通过另一条线连接到对电极330。在制造工艺中，第一电压线410和第二电压线420可以在图3的源电极215和图3的漏电极217被形成时同时被形成，并且可以包括与源电极215和漏电极217的材料相同的材料。例如，如图7中所示，第一电压线410和第二电压线420可以是其中第一金属层M1、第二金属层M2和第三金属层M3被堆叠的三层式层。第一金属层M1和第三金属层M3可以包括Ti，并且第二金属层M2可以包括Al。
第一电压线410可以被设置在图1的显示区DA的一侧与焊盘区PADA之间。第一电压线410可以包括被设置成与显示区DA的一侧相对应的第一主电压线412、以及第一连接单元414。例如，当显示区DA为矩形时，第一主电压线412可以被设置成与显示区DA的一个边缘相对应。第一主电压线412可以与显示区DA的这一个边缘平行，并且可以具有等于或大于这一个边缘的长度的长度。与第一主电压线412相对应的这一个边缘可以是显示区DA的与图1的焊盘区PADA邻近的边缘。
第一连接单元414可以从第一主电压线412突出并且在朝向图1的焊盘区PADA的方向上延伸，并且因此可以连接到焊盘单元(未示出)。
第二电压线420可以围绕显示区DA的其余区域。第二电压线420可以包括围绕第一主电压线412的两端和显示区DA的其余区域的第二主电压线422以及从第二主电压线422延伸并且被设置成与第一连接单元414平行的第二连接单元424。第二连接单元424可以连接到焊盘单元(未示出)。
如图5中所示，在第一非显示区PA1中移除平坦化层140的一部分。第一非显示区PA1的其中平坦化层140已被移除的区域围绕显示区DA。因此，可以防止外部水分经由由有机材料形成的平坦化层140渗透到显示区DA中。
当封装层500被形成时，或更详细地，当有机封装层520被形成时，用于形成有机封装层520的材料需要被限制为涂覆在预设区内。为此，如图5和图6中所示，第一坝610可以位于第一非显示区PA1内。第一坝610可以位于第一非显示区PA1内以与平坦化层140分开，并且可以围绕显示区DA。
第一坝610可以具有多层结构。例如，如图6中所示，第一坝610可以具有其中下层611和上层613被堆叠的结构。例如，下层611可以使用与用于形成平坦化层140的材料相同的材料形成，并且可以与平坦化层140的形成同时形成，并且上层613可以使用与用于形成像素限定层150的材料相同的材料形成，并且可以与像素限定层150的形成同时形成。
第二坝620可以进一步位于第一坝610内部。即，第二坝620可以位于第一坝610与显示区DA之间。第二坝620可以使用与用于形成平坦化层140或像素限定层150的材料相同的材料形成，并且可以与平坦化层140或像素限定层150的形成同时形成。第二坝620在方向Z上可以具有低于第一坝610的高度的高度。
第一坝610和第二坝620可以围绕显示区DA，以阻挡用于形成有机封装层520的材料朝向基板100的边缘扩散，从而限制有机封装层520的位置并且防止有机封装层520的边缘尾部的形成。
堤630可以进一步位于第一坝610外部。堤630可以围绕第一坝610。在图1的显示装置10的制造期间，堤630支撑用于形成图3的有机发光二极管300的图3的中间层320或图3的对电极330的掩模。同时，堤630可以防止先前形成的部件接触和损伤掩模。例如，堤630可以具有其中第一层631、第二层633和第三层635被堆叠的结构。第一层631可以使用与用于形成平坦化层140的材料相同的材料形成并且可以与平坦化层140的形成同时形成，并且第二层633可以使用与用于形成像素限定层150的材料相同的材料形成并且可以与像素限定层150的形成同时形成。第三层635可以通过使用与用于形成第二层633的材料相同的材料形成在第二层633上。例如，第三层635可以在像素限定层150的形成期间通过使用半色调掩模与第二层633一起形成。
第一坝610、第二坝620和堤630位于第一非显示区PA1的其中平坦化层140已被移除的区域中。在此情况下，如图6中所示，第一无机封装层510和第二无机封装层530可以覆盖堤630，并且可以延伸到堤630的外部。因此，第一坝610与堤630之间的区可以被定义为仅包括无机层的粘附区AA。由于第一无机封装层510在粘附区AA中直接接触第二无机封装层530以及第一无机封装层510下方的另一无机层(例如，第二无机绝缘层130)，因此薄膜封装层500的结合强度可以被提高，并且因此可以更有效地防止外部水分和氧的渗透。
当在第一非显示区PA1中移除平坦化层140时，位于平坦化层140下方的第一电压线410和第二电压线420可被部分地暴露，并且第一电压线410和第二电压线420的被暴露部分可以直接接触第一无机封装层510。具体地，在粘附区AA中，如图7中所示，平坦化层140被移除并且因此第一连接单元414和第二连接单元424被暴露，并且第一无机封装层510和第二无机封装层530被直接提供在被暴露的第一连接单元414和第二连接单元424上。
可以通过经由例如光刻工艺执行湿刻蚀来图案化平坦化层140。同时，暴露于用于刻蚀平坦化层140的显影液的第一电压线410和第二电压线420可能被损伤。
具体地，当第一电压线410和第二电压线420中的每条为包括第一金属层M1、第二金属层M2和第三金属层M3的三层式层时，包括Al的第二金属层M2的刻蚀速率大于包括Ti的第一金属层M1和第三金属层M3中的每个的刻蚀速率。因此，在平坦化层140在粘附区AA中经由湿刻蚀被移除的同时暴露于显影液的第二金属层M2比第一金属层M1和第三金属层M3更过度地被刻蚀，并且因此第一连接单元414和第二连接单元424的侧表面可以形成底切结构。在此状态下，当第一无机封装层510和第二无机封装层530被形成时，台阶覆盖可能在第一连接单元414和第二连接单元424的侧表面处降低，并且因此在第一无机封装层510和第二无机封装层530中可能产生损伤(诸如，裂纹)。
第一电压线410和第二电压线420也可能被第一坝610与第二坝620之间以及第二坝620与显示区DA之间的显影液损伤。然而，由于有机封装层520被提供在第二坝620与显示区DA之间的第一无机封装层510上，并且第一坝610与第二坝620之间的空间的面积小于粘附区AA的面积，因此即使在第一坝610与第二坝620之间以及第二坝620与显示区DA之间发生由于显影液而造成对第一电压线410和第二电压线420的损伤时，第一无机封装层510和第二无机封装层530被直接损伤的概率也可能是低的。因此，在平坦化层140在粘附区AA中被移除的同时，防止在第一连接单元414和第二连接单元424的相应侧表面上形成底切结构是重要的。现在将参考图8至图12描述制造图1的其中第一连接单元414和第二连接单元424的暴露在粘附区AA中的侧表面未被损伤的显示装置10的方法。
图8至图12是示意性地图示根据实施例的制造显示装置10的方法的截面图。图8至图12中的每个图示了图2的I-I'截面和图6的II(2)-II'区域的截面。
现在将参考图8至图12连同图1来描述制造显示装置10的方法。如上所述，显示装置10可以包括显示区DA、位于显示区DA外部的第一非显示区PA1以及被显示区DA至少部分地围绕的第二非显示区PA2。
制造显示装置10的方法可以包括：在基板100上的与显示区DA相对应的位置处形成薄膜晶体管210并形成平坦化层140以覆盖薄膜晶体管210的操作；在平坦化层140上形成电连接到薄膜晶体管210的像素电极310以及至少暴露像素电极310的中央的像素限定层150的操作；在与第二非显示区PA2相对应的位置处形成至少一个槽的操作；在像素电极310上形成包括发射层的中间层320以及在中间层320上形成对电极330的操作；通过在对电极330上顺序地堆叠第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530而形成封装层500的操作；以及在至少一个槽被限定的区域内限定通孔H的操作。现在将描述其中第一槽G1和第二槽G2围绕通孔H的结构。
基板100可以具有其中第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104被顺序地堆叠的多层结构。
薄膜晶体管210包括半导体层211、栅电极213、源电极215和漏电极217。同时，半导体层211与栅电极213之间的第一无机绝缘层120以及栅电极213与源电极215和漏电极217之间的第二无机绝缘层130可以被形成为与整个基板100相对应。换句话说，第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130可以形成在第一非显示区PA1和第二非显示区PA2两者中。
当薄膜晶体管210被形成时，第一电压线410和第二电压线420可以一起形成在第一非显示区PA1中。第一电压线410和第二电压线420可以在源电极215和漏电极217被形成时同时被形成。
在平坦化层140被形成之后，可以经由图案化移除平坦化层140的与第二非显示区PA2相对应的至少一部分。同时，在图案化期间，平坦化层140的存在于第一非显示区PA1中的至少焊盘区PADA与显示区DA之间的一部分未被移除。因此，在焊盘区PADA与显示区DA之间被平坦化层140覆盖的第一电压线410和第二电压线420不会由于平坦化层140的图案化而被暴露，并且因此可以防止第一电压线410和第二电压线420在平坦化层140被图案化时被损伤。
在像素限定层150被形成之后，可以经由图案化移除像素限定层150的与第二非显示区PA2相对应的至少一部分。同时，像素限定层150的在焊盘区PADA与显示区DA之间形成在平坦化层140上的一部分可以被图案化，以形成第一坝610和堤630。由于第一电压线410和第二电压线420在焊盘区PADA与显示区DA之间被平坦化层140覆盖，因此第一电压线410和第二电压线420在像素限定层150被图案化时不被暴露。然而，根据本发明的实施例并不限于此，并且在另一实施例中，像素限定层150的在焊盘区PADA与显示区DA之间的位于平坦化层140上的一部分可以与平坦化层140一起被移除。
如图8中所示，在第二非显示区PA2中，开口OP1和OP2可以被限定在第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130的要限定第一槽G1和第二槽G2的部分中。
接下来，参考图9，覆盖层CR形成在整个基板100上，并且然后使用包括暴露覆盖层CR的暴露区域EP1、EP2和EP3的感光层PR，来移除覆盖层CR的分别与第一槽G1、第二槽G2和粘附区AA相对应的暴露部分。
然后，如图10中所示，感光层PR被移除，并且然后使用覆盖层CR作为掩模进行干刻蚀。由于干刻蚀，第一槽G1和第二槽G2可以形成在第二非显示区PA2中，并且可以在粘附区AA中移除平坦化层140。第一槽G1和第二槽G2中的每个可以具有闭合曲线形状。
第一槽G1和第二槽G2中的每个在基板100的厚度方向上从基板100的表面延伸。在此状态下，可以在第二阻挡层104中形成在第一槽G1的开口上端中朝向彼此延伸的、第一槽G1在其之间的一对第一尖端T1以及在第二槽G2的开口上端中朝向彼此延伸的、第二槽G2在其之间的一对第二尖端T2。
通过从焊盘区PADA与显示区DA之间移除平坦化层140，围绕显示区DA的第一坝610和堤630被形成。同时，由于平坦化层140从第一坝610和堤630之间的粘附区AA被移除，因此与第一连接单元414和第二连接单元424由于平坦化层140的移除而被暴露于显影液的情况相比，第一连接单元414和第二连接单元424的侧表面不具有底切结构。
接下来，如图11中所示，在覆盖层CR被移除之后，中间层320和对电极330形成在像素电极310上，并且封装层500形成在对电极330上。然后，如图12中所示，通孔H被限定。
覆盖层CR可以经由湿刻蚀被移除。同时，通过提高覆盖层CR相对于刻蚀剂的选择性，可以防止或最小化在覆盖层CR的移除期间刻蚀剂对图1的显示装置10的部件的影响。例如，覆盖层CR可以包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡锌铟、氧化镓锌和氧化镓锌铟中的至少一种。
构成中间层320的多个层中的一些(例如，功能层)可以被形成为在整个显示区DA上方延伸。同时，由于分别由第一尖端T1和第二尖端T2形成的底切结构，中间层320可以不形成在第一槽G1和第二槽G2的开口上端中的相应内壁表面上，并且因此可以通过被断开而不连续地形成。
当第一槽G1被形成为围绕第二槽G2时，第一槽G1可以被填充有机封装层520，但第二槽G2未被填充有机封装层520。第一无机封装层510和第二无机封装层530可以在第二槽G2中彼此直接接触。
在粘附区AA中，第一无机封装层510可以直接接触第二无机封装层530，并且接触第一电压线410和第二电压线420的被暴露部分。更详细地，在粘附区AA中，第一无机封装层510覆盖第一连接单元414和第二连接单元424。同时，在第一连接单元414和第二连接单元424的侧表面中不产生由于过度刻蚀而导致的底切结构，并且因此在第一无机封装层510与第一连接单元414和第二连接单元424之间不形成间隙等。因此，可以防止在第一无机封装层510和第二无机封装层530中发生诸如裂纹的损伤。
通孔H可以被限定在第一槽G1或第二槽G2被限定的区域中。例如，当第一槽G1被限定为围绕第二槽G2时，通孔H可以位于由第二槽G2形成的区内。可以通过例如将激光辐照到基板100以从封装层500穿透基板100来限定通孔H。
根据本公开的实施例，通过防止在电源线的在焊盘区与显示区之间暴露的侧表面上产生底切结构，封装层不被损伤，并且因此可以有效地防止外部水分或氧渗透到显示装置中。
应当理解，本文描述的实施例应仅以描述性意义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求书限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (14)

1.一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括显示区、第一非显示区和第二非显示区，所述第一非显示区位于所述显示区周围并且在所述第一非显示区的一侧上包括焊盘区，所述第二非显示区被所述显示区至少部分地围绕，所述方法包括：
在基板上在与所述显示区相对应的位置处形成薄膜晶体管，并形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；
在所述平坦化层上形成电连接到所述薄膜晶体管的像素电极以及至少暴露所述像素电极的中央部分的像素限定层；以及
在与所述第二非显示区相对应的位置处限定在所述基板的厚度方向上从所述基板的表面延伸的至少一个槽，所述至少一个槽具有闭合曲线形状，
其中，当形成所述薄膜晶体管时，在与所述第一非显示区相对应的位置处与所述薄膜晶体管一起形成用于将电压施加到所述显示装置的电压线，并且
当形成所述至少一个槽时，同时移除所述平坦化层的被布置在所述焊盘区与所述显示区之间的一部分，使得所述电压线的位于所述焊盘区与所述显示区之间的一部分被暴露。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板具有其中第一基底层、第一阻挡层、第二基底层和第二阻挡层被顺序地堆叠的多层结构，并且
所述至少一个槽被限定为在所述基板的所述厚度方向上从所述第二阻挡层延伸到所述第二基底层的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述至少一个槽的所述形成之前，覆盖层被形成在整个所述基板上，
所述覆盖层被图案化，以在所述覆盖层中在所述至少一个槽要被限定的位置处以及在所述焊盘区与所述显示区之间的位置处限定开口，并且
形成所述至少一个槽以及移除所述平坦化层的被布置在所述焊盘区与所述显示区之间的一部分是经由所述开口被执行的。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过使用所述覆盖层作为掩模执行干刻蚀，所述至少一个槽被形成，并且所述平坦化层的被布置在所述焊盘区与所述显示区之间的所述一部分被移除。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述覆盖层包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡锌铟、氧化镓锌和氧化镓锌铟中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，当移除所述平坦化层的被布置在所述焊盘区与所述显示区之间的所述一部分时，围绕所述显示区的第一坝和堤被形成，并且所述电压线在所述第一坝与所述堤之间的粘附区中被暴露。
7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：
在所述像素电极上形成包括发射层的中间层以及在所述中间层上形成对电极；
在所述对电极上顺序地形成第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；以及
在由所述至少一个槽限定的区内限定通孔。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一无机封装层在所述粘附区中直接接触所述电压线和所述第二无机封装层。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述至少一个槽包括围绕所述通孔的第一槽以及位于所述第一槽与所述通孔之间并且围绕所述通孔的第二槽，
所述有机封装层填充所述第一槽，并且
所述第一无机封装层与所述第二无机封装层在所述第二槽内彼此直接接触。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述中间层被所述至少一个槽断开并且不连续地形成。
11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，
第一无机绝缘层被形成在所述半导体层与所述栅电极之间，以对应于整个所述基板，并且第二无机绝缘层被形成在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间，以对应于整个所述基板，并且
所述第一无机封装层在所述粘附区中直接接触所述第二无机绝缘层。
12.根据权利要求6所述的方法，其中，所述像素限定层被形成在所述平坦化层上并且被布置在所述焊盘区与所述显示区之间，并且
当所述至少一个槽被形成时，所述像素限定层和所述平坦化层从所述粘附区被移除。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电压线包括施加彼此不同的电压的第一电压线和第二电压线，
所述第一电压线包括被形成在所述显示区与所述焊盘区之间以对应于所述显示区的第一边缘的第一主电压线以及从所述第一主电压线延伸到所述焊盘区的第一连接单元，
所述第二电压线包括围绕所述显示区的除了所述第一边缘之外的其余边缘的第二主电压线以及从所述第二主电压线延伸到所述焊盘区的第二连接单元；并且
所述第一连接单元和所述第二连接单元的在所述焊盘区与所述显示区之间的相应部分被暴露。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电压线是包括第一金属层、第二金属层和第三金属层的三层式层，并且所述第二金属层的刻蚀速率大于所述第一金属层和所述第三金属层中的每个的刻蚀速率。
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