CN111192974A - 阵列基板及其制备方法 - Google Patents
阵列基板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111192974A CN111192974A CN202010013175.1A CN202010013175A CN111192974A CN 111192974 A CN111192974 A CN 111192974A CN 202010013175 A CN202010013175 A CN 202010013175A CN 111192974 A CN111192974 A CN 111192974A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- groove
- substrate
- array substrate
- inorganic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 249
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 55
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 silicon carbide nitride Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请公开了一种阵列基板。该阵列基板具有显示区和非显示区，该阵列基板包括衬底基板、栅极驱动电路、平坦化层、像素定义层以及薄膜封装层，在非显示区内的像素定义层和平坦化层上设置多个凹槽，凹槽贯穿像素定义层和平坦化层，凹槽靠近衬底基板一端的截面宽度大于凹槽远离衬底基板一端的截面宽度，凹槽容纳薄膜封装层的无机层，无机层在背离衬底基板一侧表面对应凹槽处形成凹陷。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管器件(OLED)由于其可实现柔性显示的特性，被认为是新一代的显示技术，具有广阔的应用前景，但是OLED器件对水氧特别敏感，水氧渗入后，金属电极及有机发光材料极易老化，影响器件的使用寿命。为防止器件受到破坏，同时达到柔性显示的效果，现在一般采用的是薄膜封装的方法，即在金属电极及有机发光材料上采用无机/有机多层薄膜交替的方式进行封装，以此来达到阻隔水氧的目的，提高器件使用寿命。
薄膜封装中有机层流动性较好，为将其限制在特定区域内，通常会在有机层边界形成一圈或者多圈挡墙(Dam)。Samsung在US9419247上公开了一种如图1所示的挡墙设计，其中100为基板，E为有效显示区域，400为定义薄膜封装中有机层边界的两圈Dam，另外在US20120091477、US20120133275、US20170287995等专利中也有类似的记载。
在实际应用中，由于挡墙结构与平坦化层(PLN)和像素定义层(PDL)为同光罩制作而成，为有机物成分，在GOA(Gate driver On Array)(栅极驱动电路)走线的外围，将层间介电层(ILD)与薄膜封装层的无机层间隔开，缩短了水氧入侵的路径，使得阵列基板失效的风险加大，并且由于突起的Dam处的特殊形貌，使得薄膜封装膜层应力集中，由此造成了膜层剥离现象。
申请内容
本申请实施例提供一种阵列基板，在阵列基板的非显示区内，平坦化层和像素定义层在所述栅极驱动电路远离所述显示区的一侧上设置多个凹槽，所述凹槽贯穿所述平坦化层及像素定义层，通过设置覆盖所述像素定义层且容纳于所述凹槽内的无机层，无机层在对应所述凹槽处形成凹陷，所述无机层在所述凹槽内与阵列基板的层间介电层直接搭接，延长了水汽入侵的路径，使得所述阵列基板的失效风险降低。通过在所述凹槽及所述凹陷内设置覆盖所述无机层的有机层，能够缓解所述凹槽内的所述无机层的应力，减少膜层间剥离现象，同时防止有机膜层的溢出，缩短所述有机层与所述无机层的接触时间，提高封装效率。
本申请实施例提供一种阵列基板，具有一显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，所述阵列基板包括：一衬底基板；栅极驱动电路，所述栅极驱动电路设置于所述衬底基板上且位于所述非显示区内；一平坦化层，所述平坦化层设置于所述栅极驱动电路上；其中，在所述非显示区内，所述平坦化层在所述栅极驱动电路远离所述显示区的一侧上设置至少一个凹槽，所述凹槽贯穿所述平坦化层，并且，所述凹槽靠近所述衬底基板一端的截面宽度大于所述凹槽远离所述衬底基板一端的截面宽度。
在一些实施例中，两相邻所述凹槽的间距范围为10μm至500μm，所述凹槽的深度范围为0.5μm至5μm，所述开口的宽度范围为0.5μm至3μm，以及所述凹槽与所述栅极驱动电路的最小间距范围为50μm至1000μm。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括一像素定义层，所述像素定义层设置于所述平坦化层上，所述凹槽在垂直于所述衬底基板方向上同时贯穿所述像素定义层和所述平坦化层。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括一薄膜封装层，所述薄膜封装层设置于所述像素定义层上并覆盖所述像素定义层，并且所述薄膜封装层包括一无机层，所述凹槽容纳所述无机层。
在一些实施例中，所述无机层在背离所述衬底基板一侧表面对应所述凹槽处形成凹陷，所述凹陷密封所述凹槽。
在一些实施例中，所述无机层在背离所述衬底基板一侧表面对应所述凹槽处形成凹陷，所述凹陷与所述凹槽相连通。
在一些实施例中，所述阵列基板包括层叠设置的衬底基板、栅极绝缘层、层间绝缘层，以及层间介电层，所述无机层通过所述凹槽与所述层间介电层接触。
本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底基板的步骤，所述衬底基板具有显示区和非显示区；
在所述衬底基板上一侧依次形成栅极驱动电路、平坦化层和像素定义层的步骤，所述栅极驱动电路位于所述非显示区；
在所述平坦化层和所述像素定义层上形成至少一个凹槽的步骤，其中，所述凹槽形成于所述栅极驱动电路远离所述显示区一侧的非显示区内，所述凹槽贯穿所述平坦化层和所述像素定义层，并且，所述凹槽靠近所述衬底基板一端的截面宽度大于所述凹槽远离所述衬底基板一端的截面宽度；
在所述像素定义层上形成覆盖所述凹槽的无机层的步骤，所述无机层容纳于所述凹槽内，以及所述无机层在对应所述凹槽处形成凹陷，所述凹陷与所述凹槽封闭或相连通；
以及，在所述无机层上形成有机层的步骤，所述有机层的边缘容纳于至少一所述凹陷内。
在一些实施例中，在所述无机层上形成有机层的步骤，包括：
在所述无机层上位于两相邻所述凹槽之间形成第一有机挡墙的步骤，所述第一有机挡墙突出于所述无机层的高度范围为0.5μm至5μm；
以及在所述无机层上位于所述第一有机挡墙之间形成第二有机层的步骤。
在一些实施例中，在所述无机层上形成有机层的步骤中，通过喷墨打印的方式形成所述有机层。
本申请实施例提供一种阵列基板，在阵列基板的非显示区内，通过设置贯穿平坦化层和像素定义层的多个凹槽，所述凹槽设置于所述栅极驱动电路远离所述显示区的一侧，所述凹槽容纳薄膜封装层的无机层，所述无机层在所述凹槽的底部与阵列基板的层间介电层直接搭接，延长了水汽入侵的路径，增强了所述阵列基板的可靠性，使得所述阵列基板的失效风险降低。以及，所述凹槽靠近所述衬底基板一端的截面宽度大于所述凹槽远离所述衬底基板一端的截面宽度，所述无机层在所述凹槽内沿着内壁生长，所述凹槽的内部会形成连续的“毛细管道”，所述无机层在对应所述凹槽的开口处会自然形成凹陷，所述无机层的凹陷与所述凹槽的开口封闭或相连通，所述薄膜封装层的有机层的边界容纳于所述凹陷内，能够有效阻止有机膜层的溢出。其中，所述无机层的凹陷与所述凹槽的开口相连通时，通过在所述凹槽内设置覆盖所述无机层的有机层，能够缓解所述凹槽内的所述无机层的应力。再者，可以直接在所述无机层上设置有机层，使得所述有机层的边缘容纳于所述凹陷内，缩短所述有机层与所述无机层的接触时间，提高封装效率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中一种阵列基板的俯视图。
图2A为本申请实施例一的阵列基板的封装结构示意图。
图2B为本申请实施例一在凹陷内打印墨水形成第一有机挡墙的示意图。
图3A为本申请实施例二的阵列基板的封装结构示意图。
图3B为本申请实施例二的阵列基板的另一种封装结构示意图。
图4A为本申请实施例三的阵列基板的封装结构示意图。
图4B为本申请实施例三在凹槽内打印墨水形成第一有机挡墙的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
实施例一.阵列基板
具体的，请参阅图1至图2B，本申请实施例一提供一种阵列基板。如图2A所示的，所述阵列基板具有一显示区10和一非显示区20，所述阵列基板包括：一衬底基板100；一栅极驱动电路110，所述栅极驱动电路110设置于所述衬底基板100上且位于所述非显示区20内；一平坦化层200，所述平坦化层200设置于所述栅极驱动电路200背离所述衬底基板100的一侧；一像素定义层300，所述像素定义层300设置于所述平坦化层200背离所述衬底基板100一侧；以及一薄膜封装层400，所述薄膜封装层400设置于所述像素定义层300上且覆盖所述像素定义层300。
续见图2A，在本实施例中，在所述显示区10内，所述衬底基板100面向所述平坦化层200的表面依次层叠设置有源层101、栅极绝缘层102、栅极103、层间绝缘层104、源极105、漏极106以及层间介电层107，所述平坦化层200形成在所述层间介电层107背离衬底基板100的表面。在本实施例中，在所述显示区10内，所述平坦化层200背离所述衬底基板100的表面阵列设置有有机发光器件5，所述有机发光器件5包括阳极、阴极，以及设置于所述阳极与所述阴极之间的发光层。
续见图2A，在所述非显示区20内，所述平坦化层200和所述像素定义层300在所述栅极驱动电路110远离所述显示区10的一侧上设置至少一个凹槽1，所述凹槽1从所述像素定义层300背离所述衬底基板100一侧的表面沿着竖直方向朝向所述衬底基板100的方向延伸，所述凹槽1在垂直于所述衬底基板100的方向上贯穿所述平坦化层200和所述像素定义层300，并且，所述凹槽1靠近所述衬底基板100一端的截面宽度大于所述凹槽1远离所述衬底基板100一端的截面宽度。
如图2A所示的，所述凹槽1与所述栅极驱动电路110的最小间距范围为50μm至1000μm，所述凹槽1的个数为两个或两个以上，所述凹槽1的深度范围为0.5μm至5μm，两相邻所述凹槽1的间距范围为10μm至500μm，所述凹槽1在所述像素定义层300远离所述衬底基板100一侧定义一开口2，所述凹槽1的所述开口2的宽度范围为0.5μm至3μm。
在本实施例中，所述凹槽1的个数为两个，所述凹槽1包括一第一凹槽11和一第二凹槽12，其中，在垂直于所述显示区10及所述非显示区20的方向上，所述第一凹槽11和所述第二凹槽12均为环形围绕的封闭结构，以及在从所述显示区10朝向所述非显示区20延伸的方向上，所述凹槽1的横截面图形为梯形。在本实施例中，所述凹槽1的深度为所述平坦化层200与所述像素定义层300的厚度之和，每一所述凹槽1的深度相同。
续见图2A，所述薄膜封装层400包括一无机层401，所述无机层401覆盖所述像素定义层300，所述凹槽1容纳所述无机层401，所述无机层401通过所述凹槽1与所述层间介电层107的表面相接触，并且，在所述凹槽1的侧壁上，所述无机层401分别与所述像素定义层300和所述平坦化层200相接触。
作为优选实施例，如图2A所示的，所述无机层401在背离所述衬底基板100一侧表面对应所述凹槽1的开口2处形成凹陷3，并且，所述无机层401将所述凹槽1的开口2封闭，所述凹陷3在对应所述开口2处连续，即在垂直于所述显示区10及所述非显示区20的方向上，所述凹陷3为环形围绕的封闭结构。
本申请所述阵列基板，通过设置所述凹槽1并容纳所述无机层401，使得所述无机层401与所述像素定义层300、所述平坦化层200及所述层间介电层107相接触，所述无机层401在所述凹槽1的内部与所述层间介电层107直接搭接，阻断了连续的所述像素定义层300和所述平坦化层200，延长了水汽入侵的路径，使得所述阵列基板的失效风险降低，增强了所述阵列基板的可靠性。
续见图2A，所述薄膜封装层400还包括一有机层402，所述有机层402设置于所述无机层401上，且所述有机层402覆盖所述无机层401及所述凹陷3，所述有机层402的边界容纳于一所述凹陷3内。
在本实施例中，所述有机层402包括第一有机挡墙4021和第二有机层4022，所述第一有机挡墙4021对应所述第一凹槽11与所述第二凹槽12之间的区域，并且所述第一有机挡墙4021覆盖所述第一凹槽11处的凹陷3、所述第二凹槽12处的凹陷3、以及所述第一凹槽11与所述第二凹槽12之间的无机层401。所述第二有机层4022设置于所述第一有机挡墙4021之间，且所述第一有机挡墙4021与所述第二有机层4022之间具有一临界线。
如图2A所示的，所述薄膜封装层400还包括一第二无机层403，所述第二无机层403设置于所述有机层402上且覆盖所述有机层402及所述无机层401。在本实施例中，通过原子层沉积技术(atomic layer deposition,ALD)、脉冲激光沉积技术(Pulsed LaserDeposition,PLD)、溅镀(Sputter)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)等工艺沉积分别独立地形成所述无机层401和所述第二无机层403，所述无机层401、所述第二无机层403的材料分别独立地为氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化硅(SiOx)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化锌(ZnO)、氧化铝(AlOx)中的至少一种。
以下结合图2A以及图2B，详细描述本实施例中所述阵列基板的制备方法。所述制备方法包括以下步骤S01至S05。
步骤S01：提供一衬底基板100的步骤。
在本步骤中，所述衬底基板100具有显示区10和非显示区20；所述衬底基板100具有柔性，所述衬底基板100为聚酰亚胺(PI)材料制成的结构件，其中所述衬底基板100可以为单层或多层PI层，所述衬底基板100也可以采用PET材料制成，本实施例中所述衬底基板100的材料为聚酰亚胺。
步骤S02：在所述衬底基板100一侧依次形成栅极驱动电路110、平坦化层200和像素定义层300的步骤。
在本步骤中，所述栅极驱动电路110位于所述非显示区20；在所述显示区10内，所述衬底基板100上依次形成有源层101、栅极绝缘层102、栅极103、层间绝缘层104、源极105、漏极106以及层间介电层107。
在本步骤中，所述平坦化层200覆盖所述栅极驱动电路110和所述层间介电层107，所述像素定义层300覆盖所述平坦化层200。所述平坦化层200及所述像素定义层300为本领域常规的方法制成的常规结构件，例如所述像素定义层300和所述平坦化层200的膜层可以在同一工艺中制备，示例性的，可以采用半色调掩膜版工艺制备，有利于减少本申请所述阵列基板的制备工序，减少所述阵列基板的制备时长，降低制作成本并提高产能。以及，所述平坦化层200及所述像素定义层300为相同有机材料制成的具有均匀厚度的结构件，所述平坦化层200及所述像素定义层300可以采用任意符合所述阵列基板性能要求的有机材料，本申请对采用的具体材料不做限定。
步骤S03：在所述平坦化层200和所述像素定义层300上形成至少一个凹槽1的步骤。
在本步骤中，所述凹槽1形成于所述栅极驱动电路110远离所述显示区10一侧的非显示区20内，通过刻蚀的方式形成多个所述凹槽1，所述凹槽1从所述像素定义层300的表面沿着竖直方向朝向所述衬底基板100方向延伸，所述凹槽1贯穿所述平坦化层200和所述像素定义层300，且所述凹槽1延伸至与所述层间介电层107的表面，所述凹槽1靠近所述衬底基板100一端的截面宽度大于所述凹槽1远离所述衬底基板100一端的截面宽度。以及在从所述显示区10朝向所述非显示区20延伸的方向上，所述凹槽1为梯形。
在本实施例中，所述凹槽1的个数为两个，所述凹槽1包括靠近所述显示区10的第一凹槽11和位于所述第一凹槽11远离所述显示区10一侧的第二凹槽12，定义所述第一凹槽11和所述第二凹槽12具有一开口2，所述开口2位于所述像素定义层300背离所述衬底基板100的一侧。
在本实施例中，所述像素定义层300和所述平坦化层200的材料为相同的有机材料，所述凹槽1在完全相同材料的膜层中制备，而非多个不同材料的膜层堆叠形成，有利于提高所述凹槽1的制备精度，减少制备时长，从而提高产能。
步骤S04：在所述像素定义层300上形成覆盖所述凹槽1的无机层401的步骤。
在本步骤中，在所述像素定义层300上背离所述衬底基板100一侧沉积形成薄膜封装层400的无机层401，所述无机层401覆盖所述像素定义层300并容纳于所述凹槽1内；所述无机层401在所述凹槽1内与所述像素定义层300、所述平坦化层200及所述层间介电层107接触，更进一步地，所述无机层401在所述凹槽1内会沿着所述凹槽1的内壁界面生长，所述无机层401在所述凹槽1内生长时形成连续的三角形的“毛细管道”，最终所述无机层401在所述凹槽1的开口2处呈封闭状态，且所述无机层401在背离所述衬底基板100一侧且对应所述凹槽1上方的开口2处会自然地形成所述凹陷3，所述凹陷3为环形围绕的连续封闭结构。
在本实施例中，所述凹槽1的深度和所述开口2的宽度可根据所述像素定义层300和所述平坦化层200的厚度及所述薄膜封装层400的所述无机层401的厚度决定，通过调节所述凹槽1的所述开口2的宽度，使得形成的所述无机层401的所述凹陷3与所述凹槽1的所述开口2封闭。
步骤S05：在所述无机层401上形成有机层402的步骤。
在本步骤中，步骤S05包括步骤S051：在所述无机层401上位于所述第一凹槽11与所述第二凹槽12之间的区域形成第一有机挡墙4021的步骤，所述第一有机挡墙4021突出于所述无机层401的高度范围为0.5μm至5μm。在步骤S051中，由于所述无机层401的凹陷3分别与所述第一凹槽11的开口2及所述第二凹槽12的开口2封闭，在两相邻的所述凹陷3之间打印适当量的墨水(ink)，由于液体表面张力的作用，墨水在所述凹陷3处停止流动，固化后形成所述第一有机挡墙4021，所述第一有机挡墙4021的边界分别容纳于所述第一凹槽11的凹陷3及所述第二凹槽12的凹陷3内。
步骤S05还包括步骤S052：在所述无机层401上位于所述第一有机挡墙4021之间形成第二有机层4022的步骤。在步骤S052中，通过喷墨打印的方式在所述第一有机挡墙4021之间形成所述第二有机层4022，所述第一有机挡墙4021能够有效阻止打印所述第二有机层4022时的墨水溢出。
实施例二.阵列基板
具体地，请参阅见图3A，图3A是本申请实施例二的阵列基板的封装结构示意图。在本实施例中，与所述实施例一的不同之处在于，在所述无机层401背离所述衬底基板100一侧直接形成所述有机层402，所述有机层402能够产生流平效果，所述有机层402的边界延伸至所述非显示区20的所述第一凹槽11处的凹陷3。
参见图3B，图3B是本申请实施例二的阵列基板的另一种封装结构示意图。在本实施例中，与所述实施例一的不同之处在于，在所述无机层401背离所述衬底基板100一侧直接形成所述有机层402，所述有机层402产生流平效果，所述有机层402的边界延伸至所述非显示区20的所述第二凹槽12处的凹陷3。
以下结合图3A以及图3B，详细描述本申请所述阵列基板的制备方法。所述方法包括以下步骤S11至S15。
步骤S11至步骤S14为所述实施例一中所述阵列基板的制备方法的步骤S01至步骤S04。
本实施例的步骤S15与所述实施例一的步骤S05均包括：在无机层401上形成有机层402的步骤，不同之处在于：在步骤S15中，在所述凹槽11的凹陷3与所述第二凹槽12的凹陷3之间未设置第一有机挡墙4021，而是直接在所述第一无机层401背离所述基板100一侧打印墨水，利用墨水的表面张力，使墨水在所述第一无机层401的所述凹陷3处停止流动，从而固化形成所述有机层402，可以缩短反应时间。
实施例三.阵列基板
参见图4A，图4A是本申请实施例三的阵列基板的封装结构示意图。在本实施例中，与所述实施例一及所述实施例二的不同之处在于，所述薄膜封装层400的所述无机层401覆盖所述凹槽1且所述无机层401不封闭所述凹槽1的开口2，所述有机层402贯穿所述凹陷3并容纳于所述凹槽1的内部，所述有机层402将所述凹槽1填充满，所述凹槽1的所述有机层402能够缓解所述凹槽1内的所述无机层401的应力。
以下结合图4A以及图4B，详细描述本申请所述阵列基板的制备方法。所述方法包括以下步骤S21至S25。
步骤S21至步骤S22为所述实施例一中所述阵列基板的制备方法的步骤S01至步骤S02。
本实施例的步骤S23与所述实施例一的步骤S03均为：在平坦化层200和像素定义层300上形成至少一个凹槽1。
以及，本实施例的步骤S24与所述实施例一的步骤S04均为：在所述像素定义层300上形成覆盖所述凹槽1的无机层401的步骤。
不同之处在于，在步骤S23中，本实施例中的所述凹槽1的开口2的宽度尺寸大于所述实施例一和所述实施例二中的所述凹槽1的开口2的宽度尺寸，以使得在步骤S24中，所述无机层401在所述凹槽1的开口2处不封闭所述开口2。
本实施例的步骤S25与所述实施例一的步骤S05的步骤均为：在所述无机层401上形成有机层402的步骤，其中，步骤S25包括步骤S251：在所述无机层401上位于所述第一凹槽11与所述第二凹槽12之间的区域形成第一有机挡墙4021的步骤；在所述无机层401上位于所述第一有机挡墙4021之间形成第二有机层4022的步骤；以及，步骤S25还包括步骤S252：在所述无机层401上位于所述第一有机挡墙4021之间形成第二有机层4022的步骤。
不同之处在于：在步骤S251中，所述第一有机挡墙4021贯穿所述第一凹槽11与所述第二凹槽12并容纳于所述第一凹槽11与所述第二凹槽12内部。
本申请实施例提供的阵列基板，通过在非显示区20内设置多个贯穿像素定义层300和平坦化层200的凹槽1，所述凹槽1容纳薄膜封装层400的无机层401，所述无机层401在所述凹槽1的底部与层间介电层107直接搭接，延长了水汽入侵的路径，使得所述阵列基板的失效风险降低，增强所述阵列基板的可靠性。以及，所述凹槽1靠近所述衬底基板100一端的截面宽度大于所述凹槽1远离所述衬底基板100一端的截面宽度，所述无机层401在所述凹槽1内会沿着其内壁界面生长，所述无机层401在对应所述凹槽1的开口2处会自然形成凹陷3，所述凹陷3与所述开口2封闭或相连通，所述薄膜封装层400的有机层402的边界容纳于所述凹陷3内，能够有效阻止有机膜层的溢出。其中，利用所述有机层402填充所述凹槽1并覆盖所述凹槽1内的无机层401，能够缓解所述凹槽1内的所述无机层401的应力。再者，可以直接在所述无机层401上设置有机层402，使得所述有机层402的边缘容纳于所述凹陷3内，缩短所述有机层402与所述无机层401的接触时间，提高封装效率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，具有一显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，其特征在于，所述阵列基板包括：
一衬底基板；
栅极驱动电路，所述栅极驱动电路设置于所述衬底基板上且位于所述非显示区内；
一平坦化层，所述平坦化层设置于所述栅极驱动电路上；其中，
在所述非显示区内，所述平坦化层在所述栅极驱动电路远离所述显示区的一侧上设置至少一个凹槽，所述凹槽贯穿所述平坦化层，并且，所述凹槽靠近所述衬底基板一端的截面宽度大于所述凹槽远离所述衬底基板一端的截面宽度。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，两相邻所述凹槽的间距范围为10μm至500μm，所述凹槽的深度范围为0.5μm至5μm，所述开口的宽度范围为0.5μm至3μm，以及所述凹槽与所述栅极驱动电路的最小间距范围为50μm至1000μm。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括一像素定义层，所述像素定义层设置于所述平坦化层上，所述凹槽在垂直于所述衬底基板方向上同时贯穿所述像素定义层和所述平坦化层。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括一薄膜封装层，所述薄膜封装层设置于所述像素定义层上并覆盖所述像素定义层，并且所述薄膜封装层包括一无机层，所述凹槽容纳所述无机层。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层在背离所述衬底基板一侧表面对应所述凹槽处形成凹陷，所述凹陷密封所述凹槽。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层在背离所述衬底基板一侧表面对应所述凹槽处形成凹陷，所述凹陷与所述凹槽相连通。
7.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括层叠设置的衬底基板、栅极绝缘层、层间绝缘层，以及层间介电层，所述无机层通过所述凹槽与所述层间介电层接触。
8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底基板的步骤，所述衬底基板具有显示区和非显示区；
在所述衬底基板上一侧依次形成栅极驱动电路、平坦化层和像素定义层的步骤，所述栅极驱动电路位于所述非显示区；
在所述平坦化层和所述像素定义层上形成至少一个凹槽的步骤，其中，所述凹槽形成于所述栅极驱动电路远离所述显示区一侧的非显示区内，所述凹槽贯穿所述平坦化层和所述像素定义层，并且，所述凹槽靠近所述衬底基板一端的截面宽度大于所述凹槽远离所述衬底基板一端的截面宽度；
在所述像素定义层上形成覆盖所述凹槽的无机层的步骤，所述无机层容纳于所述凹槽内，以及所述无机层在对应所述凹槽处形成凹陷，所述凹陷与所述凹槽封闭或相连通；
以及，在所述无机层上形成有机层的步骤，所述有机层的边缘容纳于至少一所述凹陷内。
9.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述无机层上形成有机层的步骤，包括：
在所述无机层上位于两相邻所述凹槽之间形成第一有机挡墙的步骤，所述第一有机挡墙突出于所述无机层的高度范围为0.5μm至5μm；
以及在所述无机层上位于所述第一有机挡墙之间形成第二有机层的步骤。
10.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述无机层上形成有机层的步骤中，通过喷墨打印的方式形成所述有机层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010013175.1A CN111192974B (zh) | 2020-01-07 | 2020-01-07 | 阵列基板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010013175.1A CN111192974B (zh) | 2020-01-07 | 2020-01-07 | 阵列基板及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111192974A true CN111192974A (zh) | 2020-05-22 |
| CN111192974B CN111192974B (zh) | 2022-07-12 |
Family
ID=70709884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010013175.1A Active CN111192974B (zh) | 2020-01-07 | 2020-01-07 | 阵列基板及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111192974B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111682053A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111768697A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-10-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
| CN112366225A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-02-12 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN112563432A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-03-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制造方法 |
| WO2022021019A1 (zh) * | 2020-07-27 | 2022-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN114267688A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-04-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板 |
| WO2023077517A1 (zh) * | 2021-11-02 | 2023-05-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107170787A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-09-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种用于显示装置的过孔成形方法 |
| CN107451576A (zh) * | 2017-08-09 | 2017-12-08 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| JP2018128835A (ja) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ内蔵表示装置 |
| US20190189731A1 (en) * | 2017-12-19 | 2019-06-20 | Japan Display Inc. | Display device |
| CN110429118A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
| CN110518046A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-29 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板以及显示装置 |
| CN110556407A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-12-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| EP3588574A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
-
2020
- 2020-01-07 CN CN202010013175.1A patent/CN111192974B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018128835A (ja) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ内蔵表示装置 |
| CN107170787A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-09-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种用于显示装置的过孔成形方法 |
| CN107451576A (zh) * | 2017-08-09 | 2017-12-08 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| US20190189731A1 (en) * | 2017-12-19 | 2019-06-20 | Japan Display Inc. | Display device |
| EP3588574A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN110660828A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| CN110429118A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
| CN110518046A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-29 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板以及显示装置 |
| CN110556407A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-12-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111768697B (zh) * | 2020-06-16 | 2022-04-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
| CN111768697A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-10-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
| CN111682053B (zh) * | 2020-06-24 | 2023-04-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111682053A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| WO2021258996A1 (zh) * | 2020-06-24 | 2021-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN114287062B (zh) * | 2020-07-27 | 2022-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| WO2022021019A1 (zh) * | 2020-07-27 | 2022-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN114287062A (zh) * | 2020-07-27 | 2022-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| US11974466B2 (en) | 2020-07-27 | 2024-04-30 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and display device |
| CN112366225A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-02-12 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN112563432A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-03-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制造方法 |
| WO2023077517A1 (zh) * | 2021-11-02 | 2023-05-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置 |
| CN114267688A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-04-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板 |
| CN114267688B (zh) * | 2021-12-15 | 2023-08-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111192974B (zh) | 2022-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111192974B (zh) | 阵列基板及其制备方法 | |
| CN110120463B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN109950296B (zh) | 柔性显示面板及其制作方法 | |
| CN108962953B (zh) | Oled显示面板及oled显示器 | |
| JP5720054B2 (ja) | 表示パネル装置および表示パネル装置の製造方法 | |
| US8653511B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| JP4317113B2 (ja) | 平板表示装置の製造方法 | |
| JP2009218156A (ja) | Ｅｌパネル及びｅｌパネルの製造方法 | |
| CN111415970B (zh) | Oled显示面板 | |
| CN111261642A (zh) | 一种柔性显示面板 | |
| KR20130007002A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| CN110880561B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN112289948B (zh) | 有机发光二极体显示面板及其制作方法 | |
| KR20200026186A (ko) | 표시 소자의 봉지 구조 및 표시 장치 | |
| CN209912873U (zh) | 有机发光显示面板 | |
| JP4837716B2 (ja) | 平板表示装置 | |
| CN111223909A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| CN111146266B (zh) | 一种柔性显示面板及其制备方法 | |
| CN111341937A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| CN112201760B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| CN113508642B (zh) | 显示装置及显示装置的制造方法 | |
| CN114613921B (zh) | 显示面板及移动终端 | |
| WO2024057521A1 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| CN220023504U (zh) | 一种显示基板及显示装置 | |
| CN114284453A (zh) | Oled显示面板和显示面板母板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |