JPH10162961A - Ｅｌ表示装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】高精細、大画面のＥＬ表示装置において、陽極
の電気抵抗を下げて十分な輝度を得ることを可能とした
ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数
の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なく
とも発光媒体を挟持しかつ相互に交差してなるＥＬ表示
装置において、陽極ラインの透明導電膜と透光性絶縁基
板の間の領域に透明導電膜と接して導電性材料からなる
金属バスラインを設けて形成した陽極基板を用いる。
の電気抵抗を下げて十分な輝度を得ることを可能とした
ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数
の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なく
とも発光媒体を挟持しかつ相互に交差してなるＥＬ表示
装置において、陽極ラインの透明導電膜と透光性絶縁基
板の間の領域に透明導電膜と接して導電性材料からなる
金属バスラインを設けて形成した陽極基板を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高精細のＥＬ（エ
レクトロルミネセンスの略）表示装置に関する。さらに
詳しくは、液晶表示装置など他の表示装置にも応用可能
な金属バスラインを有するＥＬ表示装置に関する。
レクトロルミネセンスの略）表示装置に関する。さらに
詳しくは、液晶表示装置など他の表示装置にも応用可能
な金属バスラインを有するＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】単純マトリックス駆動ＥＬ表示装置は、
薄型、軽量、低コスト、自発光で高輝度という利点を有
するために、次世代フラットパネルディスプレイとして
期待されている。単純マトリックス駆動ＥＬ表示装置の
場合、透光性陽極基板上の陽極に使用されているのはス
トライプ状の透明導電膜である。
薄型、軽量、低コスト、自発光で高輝度という利点を有
するために、次世代フラットパネルディスプレイとして
期待されている。単純マトリックス駆動ＥＬ表示装置の
場合、透光性陽極基板上の陽極に使用されているのはス
トライプ状の透明導電膜である。
【０００３】有機ＥＬ表示装置は電流駆動型である。こ
の場合、高精細、大面積になるほど陽極ラインのアスペ
クト比（長さ／幅）が大きくなり、陽極ラインの電気抵
抗が高くなる。その結果十分な輝度を得るために必要な
電流を陽極ラインに流すと、陽極ラインの抵抗による電
圧降下が大きくなり、その分、駆動電圧が大きくなる問
題があり、陽極の電気抵抗を下げる必要が生じる。液晶
表示装置やＡＣ型無機ＥＬ表示装置は電圧駆動型である
が、面内の表示特性を均一にするためには透明導電膜を
含む電極ラインの低抵抗化が必要である。
の場合、高精細、大面積になるほど陽極ラインのアスペ
クト比（長さ／幅）が大きくなり、陽極ラインの電気抵
抗が高くなる。その結果十分な輝度を得るために必要な
電流を陽極ラインに流すと、陽極ラインの抵抗による電
圧降下が大きくなり、その分、駆動電圧が大きくなる問
題があり、陽極の電気抵抗を下げる必要が生じる。液晶
表示装置やＡＣ型無機ＥＬ表示装置は電圧駆動型である
が、面内の表示特性を均一にするためには透明導電膜を
含む電極ラインの低抵抗化が必要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこれらの問題
点を解決するためになされたものであり、高精細、大画
面のＥＬ表示装置において、陽極の電気抵抗を下げて十
分な輝度を得ることを可能としたＥＬ表示装置およびそ
の製造方法を提供することにある。
点を解決するためになされたものであり、高精細、大画
面のＥＬ表示装置において、陽極の電気抵抗を下げて十
分な輝度を得ることを可能としたＥＬ表示装置およびそ
の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明において上記目的
を達成するために、まず、請求項１においては、透光性
絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属
層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を挟持
しかつ相互に交差してなるＥＬ表示装置において、陽極
ラインの透明導電膜と透光性絶縁基板の間の領域に透明
導電膜と接して導電性材料からなる金属バスラインを設
けて形成した陽極基板を用いたことを特徴とするＥＬ表
示装置としたものである。
を達成するために、まず、請求項１においては、透光性
絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属
層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を挟持
しかつ相互に交差してなるＥＬ表示装置において、陽極
ラインの透明導電膜と透光性絶縁基板の間の領域に透明
導電膜と接して導電性材料からなる金属バスラインを設
けて形成した陽極基板を用いたことを特徴とするＥＬ表
示装置としたものである。
【０００６】また、請求項２においては、前記金属バス
ラインに用いる導電性材料が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの合金らの金属元素を一成
分以上含む合金から選ばれたものであることを特徴とす
る請求項１記載のＥＬ表示装置としたものである。
ラインに用いる導電性材料が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの合金らの金属元素を一成
分以上含む合金から選ばれたものであることを特徴とす
る請求項１記載のＥＬ表示装置としたものである。
【０００７】また、請求項３においては、前記金属バス
ラインの高さが０．１〜１０μｍであり、その幅が５〜
５００μｍである請求項１〜２のいずれかに記載のＥＬ
表示装置としたものである。
ラインの高さが０．１〜１０μｍであり、その幅が５〜
５００μｍである請求項１〜２のいずれかに記載のＥＬ
表示装置としたものである。
【０００８】また、請求項４においては、前記金属バス
ラインの透光性絶縁基板に接する面に吸光性層を設ける
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＥＬ
表示装置としたものである。
ラインの透光性絶縁基板に接する面に吸光性層を設ける
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＥＬ
表示装置としたものである。
【０００９】また、請求項５においては、前記陽極ライ
ンの透明導電膜と透光性絶縁基板の間の領域で、かつ各
金属バスラインに隣接する領域に電気絶縁性層を設けて
形成した陽極基板を用いたことを特徴とする請求項１〜
４のいずれかに記載のＥＬ表示装置としたものである。
ンの透明導電膜と透光性絶縁基板の間の領域で、かつ各
金属バスラインに隣接する領域に電気絶縁性層を設けて
形成した陽極基板を用いたことを特徴とする請求項１〜
４のいずれかに記載のＥＬ表示装置としたものである。
【００１０】また、請求項６においては、前記電気絶縁
性層が、透明または色材を分散させたネガ型感光性樹脂
を、金属バスラインが形成されている透光性基板の面に
塗布した後、金属バスラインをマスクとして樹脂を塗布
した面の反対側から露光することによって、陽極ライン
の透明導電膜と透光性絶縁基板の間の領域で、かつ各金
属バスラインに隣接する領域にのみ形成したことを特徴
とする請求項１〜５のいずれかに記載のＥＬ表示装置と
したものである。
性層が、透明または色材を分散させたネガ型感光性樹脂
を、金属バスラインが形成されている透光性基板の面に
塗布した後、金属バスラインをマスクとして樹脂を塗布
した面の反対側から露光することによって、陽極ライン
の透明導電膜と透光性絶縁基板の間の領域で、かつ各金
属バスラインに隣接する領域にのみ形成したことを特徴
とする請求項１〜５のいずれかに記載のＥＬ表示装置と
したものである。
【００１１】また、請求項７においては、前記電気絶縁
層がカラーフィルター層を形成することを特徴とする請
求項１〜６のいずれかに記載のＥＬ表示装置としたもの
である。
層がカラーフィルター層を形成することを特徴とする請
求項１〜６のいずれかに記載のＥＬ表示装置としたもの
である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のＥＬ表示装置における透光性絶縁基板として
は、石英基板、ガラス基板、プラスチック基板等が使用
できる。
本発明のＥＬ表示装置における透光性絶縁基板として
は、石英基板、ガラス基板、プラスチック基板等が使用
できる。
【００１３】本発明における透明導電膜を含む複数の陽
極ラインとしてはＩＴＯ（酸化インジウムスズ複合酸化
物）や酸化インジウム亜鉛複合酸化物、酸化亜鉛アルミ
ニウム等が使用できる。
極ラインとしてはＩＴＯ（酸化インジウムスズ複合酸化
物）や酸化インジウム亜鉛複合酸化物、酸化亜鉛アルミ
ニウム等が使用できる。
【００１４】本発明における金属層を含む複数の陰極ラ
インとしては、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等が使用
できる。
インとしては、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等が使用
できる。
【００１５】本発明における発光媒体としては、９，１
０−ジアリールアントラセン誘導体、サリチル塩酸、ピ
レン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニル
ブタジエン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アン
トラセン、８−キノリノラートリチウム、Ａｌｑ、トリ
ス（５，７−ジクロロ、８−キノリノラート）アルミニ
ウム錯体、トリス（５−クロロ−８−キノリノラート）
アルミニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯
体、トリス（５−フルオロ−８−キノリノラート）アル
ミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロ
メチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリ
ス（４−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）ア
ルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロ
メチル−８−キノリノラート）、４−（４−シアノフェ
ニルフェノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチ
ル−５−シアノ−８−キノリノラート），４−（４−シ
アノフェニルフェノラート）アルミニウム錯体、トリス
（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−
（パラ−トシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体およびカド
ミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペ
ンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ
−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレ
ン、あるいは特開平４−３１４８８号公報、米国特許５
１４１６５７１号、同４７６９２９２号で言及されてい
る蛍光物質やＮ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール
化合物などがあげられる。
０−ジアリールアントラセン誘導体、サリチル塩酸、ピ
レン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニル
ブタジエン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アン
トラセン、８−キノリノラートリチウム、Ａｌｑ、トリ
ス（５，７−ジクロロ、８−キノリノラート）アルミニ
ウム錯体、トリス（５−クロロ−８−キノリノラート）
アルミニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯
体、トリス（５−フルオロ−８−キノリノラート）アル
ミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロ
メチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリ
ス（４−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）ア
ルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロ
メチル−８−キノリノラート）、４−（４−シアノフェ
ニルフェノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチ
ル−５−シアノ−８−キノリノラート），４−（４−シ
アノフェニルフェノラート）アルミニウム錯体、トリス
（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−
（パラ−トシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体およびカド
ミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペ
ンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ
−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレ
ン、あるいは特開平４−３１４８８号公報、米国特許５
１４１６５７１号、同４７６９２９２号で言及されてい
る蛍光物質やＮ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール
化合物などがあげられる。
【００１６】本発明の主たる特徴である金属バスライン
に用いる導電性材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎ
またはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ば
れたものであることが好ましい。金属バスラインをメッ
キで形成する場合にはＰｂ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−
Ｓｎ等の合金が適している。
に用いる導電性材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎ
またはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ば
れたものであることが好ましい。金属バスラインをメッ
キで形成する場合にはＰｂ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−
Ｓｎ等の合金が適している。
【００１７】これら材料による金属バスラインはそのラ
インの両端の抵抗ができるだけ低いことが望ましく、１
０００オーム以下であることが望ましく、さらに望まし
くは１００オーム以下の抵抗値であることが望ましい。
しかし、バスラインの幅は、ＥＬ光の透過率を確保する
ため、画素の最大幅の１／２以下であることが望まし
く、さらに望ましくは１／４以下であることが望まし
い。かつ、陽極ラインの幅の１／２０以下の線幅ではバ
スラインの抵抗を十分低くできないため、画素の最大幅
の１／２０より太いことが望ましい。バスラインの高さ
は、通常０．１μｍ以上の高さで形成することが望まし
く、さらに望ましくは通常のカラーフィルタ層の厚さの
１μｍ程度以上必要である。かつ、ＥＬ光の放射方向を
制限し視野角が狭まることを防ぐために５０μｍ以下の
高さに形成することが望ましい。
インの両端の抵抗ができるだけ低いことが望ましく、１
０００オーム以下であることが望ましく、さらに望まし
くは１００オーム以下の抵抗値であることが望ましい。
しかし、バスラインの幅は、ＥＬ光の透過率を確保する
ため、画素の最大幅の１／２以下であることが望まし
く、さらに望ましくは１／４以下であることが望まし
い。かつ、陽極ラインの幅の１／２０以下の線幅ではバ
スラインの抵抗を十分低くできないため、画素の最大幅
の１／２０より太いことが望ましい。バスラインの高さ
は、通常０．１μｍ以上の高さで形成することが望まし
く、さらに望ましくは通常のカラーフィルタ層の厚さの
１μｍ程度以上必要である。かつ、ＥＬ光の放射方向を
制限し視野角が狭まることを防ぐために５０μｍ以下の
高さに形成することが望ましい。
【００１８】例えば陽極ラインの幅１００μｍに対し
て、２Ｅ−６Ωｃｍの抵抗率の銅を主体とした金属を用
い長さ７ｃｍのバスラインを形成する場合、バスライン
の幅を画素幅の１／４の２５μｍ、高さを５μｍとする
と、バスラインの両端の抵抗値は１０オーム程度にな
り、ＩＴＯのみからなる陽極ラインの数百分の１の抵抗
となり、陽極ラインによる電圧降下によるエネルギー損
失を防ぐことができる。
て、２Ｅ−６Ωｃｍの抵抗率の銅を主体とした金属を用
い長さ７ｃｍのバスラインを形成する場合、バスライン
の幅を画素幅の１／４の２５μｍ、高さを５μｍとする
と、バスラインの両端の抵抗値は１０オーム程度にな
り、ＩＴＯのみからなる陽極ラインの数百分の１の抵抗
となり、陽極ラインによる電圧降下によるエネルギー損
失を防ぐことができる。
【００１９】また、金属バスラインの透光性絶縁基板に
接する面に金属酸化物等の不透明材料からなる吸光性層
を設けることも好適に行われる。これにより、ブラック
ストライプとしての機能を持たせ、外光の反射を防止す
ることによって、ＥＬ表示装置のコントラストを向上す
ることが可能となる。
接する面に金属酸化物等の不透明材料からなる吸光性層
を設けることも好適に行われる。これにより、ブラック
ストライプとしての機能を持たせ、外光の反射を防止す
ることによって、ＥＬ表示装置のコントラストを向上す
ることが可能となる。
【００２０】また、前記陽極ラインの透明導電膜と透光
性絶縁基板の間の領域で、かつ各金属バスラインに隣接
する領域に吸光型、干渉型、蛍光波長変換型等のカラー
フィルター層を形成することにより、本発明のＥＬ表示
装置をカラー化することが可能となる。
性絶縁基板の間の領域で、かつ各金属バスラインに隣接
する領域に吸光型、干渉型、蛍光波長変換型等のカラー
フィルター層を形成することにより、本発明のＥＬ表示
装置をカラー化することが可能となる。
【００２１】以下、本発明のＥＬ表示装置の一例を図
１、図３に基づき説明する。透光性絶縁基板１の上に、
透明または色材を分散させたネガ型感光性樹脂からなる
電気絶縁層５Ｂが設けられ、その間隙に酸化クロム／ク
ロム／Ｃｕ（金属バスライン４）／クロムのラインが設
けられてなる。フルカラーの場合には、透光性絶縁基板
１の上に、電気絶縁層（カラーフィルター層）５Ｂが設
けられ、その間隙に酸化クロム／クロム／Ｃｕ（金属バ
スライン４）のラインが設けられてなる。以下、オーバ
ーコートパターン層６Ｂ、透明導電パターン層７Ｂ、正
孔輸送層８、電子輸送性発光層９、陰極１０、封止層１
１が設けられてなる。
１、図３に基づき説明する。透光性絶縁基板１の上に、
透明または色材を分散させたネガ型感光性樹脂からなる
電気絶縁層５Ｂが設けられ、その間隙に酸化クロム／ク
ロム／Ｃｕ（金属バスライン４）／クロムのラインが設
けられてなる。フルカラーの場合には、透光性絶縁基板
１の上に、電気絶縁層（カラーフィルター層）５Ｂが設
けられ、その間隙に酸化クロム／クロム／Ｃｕ（金属バ
スライン４）のラインが設けられてなる。以下、オーバ
ーコートパターン層６Ｂ、透明導電パターン層７Ｂ、正
孔輸送層８、電子輸送性発光層９、陰極１０、封止層１
１が設けられてなる。
【００２２】以下、本発明のＥＬ表示装置の製造方法の
一例を示す。まず、透光性絶縁基板上にスパッタリング
で酸化クロム／クロム／Ｃｕ／クロム層を形成し、次
に、酸化クロム／クロム／Ｃｕ／クロム層の上に、ロー
ルコート、スピンコート、ブレードコート法などでレジ
スト層を形成する。次に、レジスト層に対して露光・現
像操作を行い、酸化クロム／クロム／Ｃｕ／クロム層を
パターンニングするためのマスクを形成する。次に、ウ
ェットエッチングで酸化クロム／クロム／Ｃｕ／クロム
層をパターンニングし、金属バスラインを形成する。
一例を示す。まず、透光性絶縁基板上にスパッタリング
で酸化クロム／クロム／Ｃｕ／クロム層を形成し、次
に、酸化クロム／クロム／Ｃｕ／クロム層の上に、ロー
ルコート、スピンコート、ブレードコート法などでレジ
スト層を形成する。次に、レジスト層に対して露光・現
像操作を行い、酸化クロム／クロム／Ｃｕ／クロム層を
パターンニングするためのマスクを形成する。次に、ウ
ェットエッチングで酸化クロム／クロム／Ｃｕ／クロム
層をパターンニングし、金属バスラインを形成する。
【００２３】そして金属バスラインを形成した透光性絶
縁基板の表面に透明または色材を分散させたネガ型感光
性樹脂層を塗布する。裏露光法で金属バスライン表面の
樹脂を除去し、電気絶縁性層を形成する。
縁基板の表面に透明または色材を分散させたネガ型感光
性樹脂層を塗布する。裏露光法で金属バスライン表面の
樹脂を除去し、電気絶縁性層を形成する。
【００２４】フルカラーの場合には、まず、透光性絶縁
基板上にスパッタリングで酸化クロム／クロム／Ｃｕ層
を形成し、次に、酸化クロム／クロム／Ｃｕ層の上に、
ロールコート、スピンコート、ブレードコート法などで
レジスト層を形成する。次に、レジスト層に対して露光
・現像操作を行い、酸化クロム／クロム／Ｃｕ層をパタ
ーンニングするためのマスクを形成する。次に、ウェッ
トエッチングで酸化クロム／クロム／Ｃｕ層をパターン
ニングし、金属バスラインの下地を形成する。
基板上にスパッタリングで酸化クロム／クロム／Ｃｕ層
を形成し、次に、酸化クロム／クロム／Ｃｕ層の上に、
ロールコート、スピンコート、ブレードコート法などで
レジスト層を形成する。次に、レジスト層に対して露光
・現像操作を行い、酸化クロム／クロム／Ｃｕ層をパタ
ーンニングするためのマスクを形成する。次に、ウェッ
トエッチングで酸化クロム／クロム／Ｃｕ層をパターン
ニングし、金属バスラインの下地を形成する。
【００２５】そしてＲＧＢ三色の画素に対応するカラー
フィルター層を形成してから、オーバーコート層を塗布
する。この後、オーバーコート層に対して露光・現像操
作を行い、パターンを形成する。
フィルター層を形成してから、オーバーコート層を塗布
する。この後、オーバーコート層に対して露光・現像操
作を行い、パターンを形成する。
【００２６】その後、パターンの中に光沢Ｃｕメッキで
Ｃｕの金属バスラインを形成する。表面平滑化の必要に
応じてＣＭＰ法で表面研磨を行う。
Ｃｕの金属バスラインを形成する。表面平滑化の必要に
応じてＣＭＰ法で表面研磨を行う。
【００２７】次に、無機絶縁体からなるオーバーコート
層をスパッタリング法で形成し、フォトリソグラフィー
でパターンを形成する。
層をスパッタリング法で形成し、フォトリソグラフィー
でパターンを形成する。
【００２８】次に、透明導電膜をスパッタリング法で形
成し、フォトリソグラフィーで透明導電膜のパターンを
形成する。透明導電膜を加熱処理して、結晶化し、透明
性と導電性を向上させる。
成し、フォトリソグラフィーで透明導電膜のパターンを
形成する。透明導電膜を加熱処理して、結晶化し、透明
性と導電性を向上させる。
【００２９】この後、正孔輸送層、電子輸送性発光層、
陰極を順次真空蒸着し、封止する。
陰極を順次真空蒸着し、封止する。
【００３０】
［実施例１］まず、透光性絶縁基板１上にスパッタリン
グで（酸化クロム／クロム）（２００ｎｍ）／Ｃｕ（１
０００ｎｍ）／クロム（１００ｎｍ）層を形成した（図
２（a ））。
グで（酸化クロム／クロム）（２００ｎｍ）／Ｃｕ（１
０００ｎｍ）／クロム（１００ｎｍ）層を形成した（図
２（a ））。
【００３１】次に、フォトリソグラフィー技術およびウ
ェトエッチングによって酸化クロム／クロム／Ｃｕ／ク
ロムライン４Ａを形成した（図２（ｂ））。
ェトエッチングによって酸化クロム／クロム／Ｃｕ／ク
ロムライン４Ａを形成した（図２（ｂ））。
【００３２】次に、金属バスラインを形成した透光性絶
縁基板の表面に透明または色材を分散させたネガ型感光
性樹脂層５Ａ（３μｍ）を塗布した（図２（ｃ））。
縁基板の表面に透明または色材を分散させたネガ型感光
性樹脂層５Ａ（３μｍ）を塗布した（図２（ｃ））。
【００３３】裏露光法で金属バスライン表面の樹脂を除
去し、電気絶縁層５Ｂを形成した（図２（ｄ））。
去し、電気絶縁層５Ｂを形成した（図２（ｄ））。
【００３４】次に、スパッタリングでＳｉＯ2 からなる
オーバーコート層６Ａを形成した（図２（ｅ））。
オーバーコート層６Ａを形成した（図２（ｅ））。
【００３５】次に、フォトリソグラフィー技術およびウ
ェトエッチングまたはドライエッチングによってオーバ
ーコートパターン層６Ｂを形成した（図２（ｆ））。
ェトエッチングまたはドライエッチングによってオーバ
ーコートパターン層６Ｂを形成した（図２（ｆ））。
【００３６】次に、スパッタリングで透明導電膜７Ａを
形成した（図２（ｇ））。
形成した（図２（ｇ））。
【００３７】次に、フォトリソグラフィー技術およびウ
ェトエッチングによって透明導電膜パターン層７Ｂを形
成した（図２（ｈ））。さらに、透明性と導電性を向上
させるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行
い、透明導電膜を結晶化した。
ェトエッチングによって透明導電膜パターン層７Ｂを形
成した（図２（ｈ））。さらに、透明性と導電性を向上
させるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行
い、透明導電膜を結晶化した。
【００３８】正孔輸送層８、白色発光型電子輸送性発光
層９、陰極１０を順次真空蒸着し、封止層１１で封止し
て本発明のＥＬ表示装置を形成した（図２（ｉ））。
層９、陰極１０を順次真空蒸着し、封止層１１で封止し
て本発明のＥＬ表示装置を形成した（図２（ｉ））。
【００３９】［実施例２］まず、透光性絶縁基板１上に
スパッタリングで下地層の（酸化クロム／クロム）（２
００ｎｍ）／Ｃｕ（１００ｎｍ）を形成した（図４
（ａ））。
スパッタリングで下地層の（酸化クロム／クロム）（２
００ｎｍ）／Ｃｕ（１００ｎｍ）を形成した（図４
（ａ））。
【００４０】次に、フォトリソグラフィー技術およびウ
ェトエッチングによって金属バスラインの下地２、３を
形成した（図４（ｂ））。
ェトエッチングによって金属バスラインの下地２、３を
形成した（図４（ｂ））。
【００４１】Ｒ、Ｇ、Ｂの色材を含むネガ型感光性樹脂
を用い、塗布・露光・現像の工程を繰り返し、カラーフ
ィルター層（電気絶縁層）５Ｂを形成した（図４
（ｃ））。
を用い、塗布・露光・現像の工程を繰り返し、カラーフ
ィルター層（電気絶縁層）５Ｂを形成した（図４
（ｃ））。
【００４２】次に、厚さ３μｍのオーバーコート層（Ｆ
ＶＲ：富士薬品工業製）６Ａをスピンコート法により形
成した（図４（ｄ））。
ＶＲ：富士薬品工業製）６Ａをスピンコート法により形
成した（図４（ｄ））。
【００４３】次に、オーバーコート層６Ａに対して露光
・現像操作を行い、金属バスライン下地２、３上の所定
の位置に幅３０μｍの開孔部４Ｂを有する厚さ３μｍの
オーバーコートパターン層６Ｂを形成した（図４
（ｅ））。
・現像操作を行い、金属バスライン下地２、３上の所定
の位置に幅３０μｍの開孔部４Ｂを有する厚さ３μｍの
オーバーコートパターン層６Ｂを形成した（図４
（ｅ））。
【００４４】次に、光沢Ｃｕメッキ法により、開孔部４
Ｂの中にＣｕを３μｍ堆積させた後、ＣＭＰ法で研磨
し、金属バスライン４を形成した（図４（ｆ））。
Ｂの中にＣｕを３μｍ堆積させた後、ＣＭＰ法で研磨
し、金属バスライン４を形成した（図４（ｆ））。
【００４５】次に、透明導電膜７Ａをスパッタリングで
形成した（図４（ｇ））。
形成した（図４（ｇ））。
【００４６】次に、フォトリソグラフィー技術およびウ
ェトエッチングによって透明導電膜パターン層７Ｂを形
成した（図４（ｈ））。さらに、透明性と導電性を向上
させるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行
い、透明導電膜を結晶化した。
ェトエッチングによって透明導電膜パターン層７Ｂを形
成した（図４（ｈ））。さらに、透明性と導電性を向上
させるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行
い、透明導電膜を結晶化した。
【００４７】次に、フォトリソグラフィー技術およびウ
ェト、ドライエッチング技術を用いて透明導電膜パター
ンの周辺部での素子の劣化を防ぐために有機または無機
材料からなる保護膜７Ｃのパターンを形成した。
ェト、ドライエッチング技術を用いて透明導電膜パター
ンの周辺部での素子の劣化を防ぐために有機または無機
材料からなる保護膜７Ｃのパターンを形成した。
【００４８】最後に、正孔輸送層８、白色発光型電子輸
送性発光層９、陰極１０を順次真空蒸着し、封止層１１
で封止して本発明の有機ＥＬ表示装置を形成した（図４
（ｉ））。
送性発光層９、陰極１０を順次真空蒸着し、封止層１１
で封止して本発明の有機ＥＬ表示装置を形成した（図４
（ｉ））。
【００４９】［実施例３］本実施例での工程は実施例２
と全く同じである。しかし、カラーフィルター層の配置
は図６に示すように実施例２の配置（図５）と垂直に設
けられている。
と全く同じである。しかし、カラーフィルター層の配置
は図６に示すように実施例２の配置（図５）と垂直に設
けられている。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、陽極ラインの透明導電
膜と透光性絶縁基板の間の領域に透明導電膜と接して金
属バスラインを透明導電膜の下にを設けることによりＥ
Ｌ表示装置の駆動電圧を下げることができる。また、こ
の金属バスラインがブラックストライプとしての機能を
有するため、ＥＬ表示装置のコントラストを向上するこ
とができる。更に、電気絶縁層又はカラーフィルター層
の形成に裏露光法を用いるため、マスクを用いることな
く精度のよいパターンを作成できる。
膜と透光性絶縁基板の間の領域に透明導電膜と接して金
属バスラインを透明導電膜の下にを設けることによりＥ
Ｌ表示装置の駆動電圧を下げることができる。また、こ
の金属バスラインがブラックストライプとしての機能を
有するため、ＥＬ表示装置のコントラストを向上するこ
とができる。更に、電気絶縁層又はカラーフィルター層
の形成に裏露光法を用いるため、マスクを用いることな
く精度のよいパターンを作成できる。
【００５１】
【図１】本発明のモノクロＥＬ表示装置の一例の断面の
構造を示す説明図である。
構造を示す説明図である。
【図２】本発明のモノクロＥＬ表示装置の一実施例の製
造工程を示す説明図である。
造工程を示す説明図である。
【図３】本発明のフルカラーＥＬ表示装置の一例の断面
の構造を示す説明図である。
の構造を示す説明図である。
【図４】本発明のフルカラーＥＬ表示装置の一実施例の
製造工程を示す説明図である。
製造工程を示す説明図である。
【図５】図３に示すフルカラーＥＬ表示装置の正面の構
造を示す説明図である。
造を示す説明図である。
【図６】本発明のフルカラーＥＬ表示装置の一例の正面
の構造を示す説明図である。
の構造を示す説明図である。
１ ……透光性絶縁基板 ２ ……酸化クロム／クロム層 ３ ……クロム層（図１、２）、Ｎｉ／Ｃｕ層（図
３、４） ４ ……Ｃｕ層（金属バスライン） ４Ａ ……酸化クロム／クロム／Ｃｕ／クロムライン
（図２） ４Ｂ ……金属バスラインをメッキで形成するための開
口部（図４） ５Ａ ……透明または色材を分散させたネガ型感光性樹
脂層 ５Ｂ ……電気絶縁層（図１、２）またはカラーフィル
ター層（図３、４） ６Ａ ……オーバーコート層 ６Ｂ ……オーバーコートパターン層 ７Ａ ……透明導電膜 ７Ｂ ……透明導電膜パターン層 ８ ……正孔輸送層 ９ ……電子輸送性発光層 １０ ……陰極 １１ ……封止層
３、４） ４ ……Ｃｕ層（金属バスライン） ４Ａ ……酸化クロム／クロム／Ｃｕ／クロムライン
（図２） ４Ｂ ……金属バスラインをメッキで形成するための開
口部（図４） ５Ａ ……透明または色材を分散させたネガ型感光性樹
脂層 ５Ｂ ……電気絶縁層（図１、２）またはカラーフィル
ター層（図３、４） ６Ａ ……オーバーコート層 ６Ｂ ……オーバーコートパターン層 ７Ａ ……透明導電膜 ７Ｂ ……透明導電膜パターン層 ８ ……正孔輸送層 ９ ……電子輸送性発光層 １０ ……陰極 １１ ……封止層
Claims (7)
- 【請求項１】透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数
の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なく
とも発光媒体を挟持しかつ相互に交差してなるＥＬ表示
装置において、陽極ラインの透明導電膜と透光性絶縁基
板の間の領域に透明導電膜と接して導電性材料からなる
金属バスラインを設けて形成した陽極基板を用いたこと
を特徴とするＥＬ表示装置。 - 【請求項２】前記金属バスラインに用いる導電性材料
が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれら
の金属元素を一成分以上含む合金から選ばれたものであ
ることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置。 - 【請求項３】前記金属バスの高さが０．１〜１０μｍで
あり、その幅が５〜５００μｍである請求項１〜２のい
ずれかに記載のＥＬ表示装置。 - 【請求項４】前記金属バスラインの透光性絶縁基板に接
する面に吸光性層を設けることを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載のＥＬ表示装置。 - 【請求項５】前記陽極ラインの透明導電膜と透光性絶縁
基板の間の領域で、かつ各金属バスラインに隣接する領
域に電気絶縁層を設けて形成した陽極基板を用いたこと
を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＥＬ表示
装置。 - 【請求項６】前記電気絶縁層が、透明または色材を分散
させたネガ型感光性樹脂を、金属バスラインが形成され
ている透光性基板の面に塗布した後、樹脂を塗布した面
の反対側から金属バスラインをマスクとして露光するこ
とによって、陽極ラインの透明導電膜と透光性絶縁基板
の間の領域で、かつ各金属バスラインに隣接する領域に
形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
かに記載のＥＬ表示装置。 - 【請求項７】前記電気絶縁層が、カラーフィルター層を
形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記
載のＥＬ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9269035A JPH10162961A (ja) | 1996-10-02 | 1997-10-01 | Ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26172996 | 1996-10-02 | ||
| JP8-261729 | 1996-10-02 | ||
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