JP2000195680A - 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス表示素子並びにその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高精細、大画面の有機エレクトロルミネッセン
ス表示素子において、電極ラインの電気抵抗を下げて十
分な輝度を得ることを可能とする有機ＥＬ表示素子用基
板を提供する。 【解決手段】互いに離間して配置された複数の第１電極
ライン（２０）、および第１電極ライン（２０）と実質
的に平行に延びる複数の導電性バスライン（１８）を支
持基板（１１）上に備える。各第１電極ライン（２０）
は支持基板（１１）から間隔をもって配置され、かつそ
の一方の側端部がそれに隣接する１の導電性バスライン
（１８）の表面上に延在している

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、テレビお
よび高度な情報処理用端末表示装置ととして有用な発光
型デバイスであって、液晶表示装置等その他の表示装置
にも応用し得る有機エレクトロルミネッセンス表示装置
の分野に係り、特には、そのような有機エレクトロルミ
ネッセンス表示素子用の基板、有機エレクトロルミネッ
センス表示素子およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】単純マトリックス駆動エレクトロルミネ
ッセンス（ＥＬ）表示素子は、薄型、軽量、低コスト、
自発光型であり、高輝度を示すという利点を有するため
に、次世代フラットパネルディスプレイとして期待され
ている。単純マトリックス駆動ＥＬ表示素子の場合、ス
トライプ状の透明導電膜からなる陽極が透光性基板上に
設けられている。

【０００３】有機ＥＬ表示素子は電流駆動型である。単
純マトリクスの場合、高精細、大面積になるほど陽極ラ
インのアスペクト比（長さ／幅比）が大きくなり、陽極
ラインの電気抵抗が高くなる。その結果、十分な輝度を
得るために必要な電流を陽極ラインに流すと、陽極ライ
ンの抵抗による電圧降下が大きくなり、その分、駆動電
圧が大きくなる問題があり、陽極の電気抵抗を低下させ
る必要が生じる。液晶表示装置やＡＣ型無機ＥＬ表示素
子は電圧駆動型であるが、面内の表示特性を均一にする
ためには透明導電膜を含む電極ラインの低抵抗化が必要
である。

【０００４】陽極ラインの低抵抗化について、さまざま
な技術が開示されている。例えば、特開平１０−１０６
７５１号公報および特開平９−２３０３１８号公報はそ
の例である。特開平１０−１０６７５１号公報によれ
ば、透明電極ラインの両側面と接して良導電性金属ライ
ンを設けることによって、陽極ラインの低抵抗化を実現
している。しかし、この特開平１０−１０６７５１号公
報の方法では良導電性金属ラインの高さが透明電極ライ
ンの高さに制限されてしまうため、ある程度の陽極ライ
ンの低抵抗化を実現することができるが、より一層の低
抵抗化はこれを達成することが困難である。

【０００５】また、特開平９−２３０３１８号公報によ
れば、金属配線の間に紫外線硬化樹脂で平坦化させる技
術が開示されている。しかし、この方法では透明電極の
パターニングが必要であるのでプロセスが複雑になる。
その場合、特に問題となるのは、透明電極材料をエッチ
ング液によりパターニングする際、金属配線がエッチン
グ液による腐食が避けられにくいことである。さらに、
金属配線の腐食を防止するために、透明電極ラインの金
属配線と整合すべき側端を隣の紫外線硬化樹脂上に延在
させざる得なくなる。そのような構造では、カラー化す
る時に色が混じってしまうので、純色のカラー表示を得
ることが不可能である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこれらの問題
点を解決するためになされたものであり、高精細、大画
面の有機ＥＬ表示素子において、陽極ラインの電気抵抗
を下げて十分な輝度を得ることを可能とした有機ＥＬ表
示素子用基板および有機ＥＬ表示素子並びにその製造方
法を提供することを目的とする。

【０００７】また、本発明は、ＩＴＯ（第１電極が陽極
の場合）のパターニングが省ける有機ＥＬ表示素子用基
板および有機ＥＬ表示素子並びにその製造方法を提供す
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、互いに離間して配置された複数の第１電
極ライン、および該第１電極ラインと実質的に平行に延
びる複数の導電性バスラインを支持基板上に備え、各第
１電極ラインは該支持基板から間隔をもって配置され、
かつその一方の側端部がそれに隣接する１の導電性バス
ラインの表面上に延在していることを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス表示素子用基板を提供する。

【０００９】本発明において、通常、各第１電極ライン
は、該支持基板上に設けられた電気絶縁層上に設けら
れ、また各電気絶縁層が、逆テーパ状に形成されている
ことが好ましい。

【００１０】本発明の好ましい態様において、各電気絶
縁層の両側のうち、一方が該導電性バスラインと接触
し、他方がそれと隣接する導電性バスラインとの間に隙
間を有し、その場合、その隙間の幅は、１〜５００μｍ
であることが好ましい、通常、この隙間には電気絶縁物
質が充填されている。

【００１１】また、本発明の態様において、各電気絶縁
層が、ＵＶ吸収性物質あるいは色材を分散させたネガ型
レジストからなる。

【００１２】本発明において、第１電極ラインが陽極で
あり、電気絶縁層が、カラーフィルター層を構成するこ
とができる。

【００１３】本発明において、導電性バスラインは、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａ
ｌ、Ｐｔ、Ｐｈ、Ｐｄ、ＰｂおよびＳｎ並びにこれらの
金属元素の少なくとも１種を含む合金からなる群の中か
ら選ばれた金属材料により形成されることが好ましい。

【００１４】さらに、導電性バスラインの高さは０．１
〜１００μｍであり、その幅は１〜５００μｍであるこ
とが好ましい。

【００１５】導電性バスラインの基板に接する面に吸光
性層を設けることによって導電性バスラインにブラック
ストライプの機能を持たせることができる。

【００１６】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表
示素子用基板は、第１電極ラインと交差する複数の隔壁
を有することができ、この隔壁は、上部にひさし、下部
にすそを有することが好ましい。

【００１７】本発明は、また、本発明の有機エレクトロ
ルミネッセンス表示素子用基板上に発光用媒体と第２電
極ラインおよび封止層を有する有機エレクトロルミネッ
センス表示素子を提供する。

【００１８】さらに、本発明は、支持基板上に、それぞ
れ逆テーパ形状を有する複数の電気絶縁層を形成し；該
電気絶縁層を有する該支持基板のほぼ全面上に導電性材
料層を形成し；該導電性材料層を、その該支持基板表面
上に残存する部分が各電気絶縁層の一方の側端と接触
し、かつ他方の側端とは分離するようにして、その該電
気絶縁層上の部分を除去することによってそれぞれ該電
気絶縁層とその該一方の側端においてのみ接続する複数
の導電性バスラインを形成し；該電気絶縁層と該導電性
バスラインとを有する支持基板上に第１電極層を形成す
ることにより各電気絶縁層上からその電気絶縁層に接続
する導電性バスライン上に延在し、各電気絶縁層の該他
方の側端側で互いに分離した複数の第１電極ラインを形
成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
表示素子用基板の製造方法を提供する。

【００１９】

【発明実施の形態】以下、本発明を図面を参照して詳し
く説明する。全図を通じて、同一もしくは類似の部分・
部材等は、同じ符号で示されている。なお、以下の例で
は、第１電極が陽極、第２電極が陰極の場合について詳
細に説明する。

【００２０】まず、本発明の一実施の形態に係る有機Ｅ
Ｌ表示素子素子用基板および表示素子を図１ないし図３
を参照してその製造方法に基づいて説明する。

【００２１】本発明によれば、まず図１（ａ）に示すよ
うに、透光性で電気絶縁性の支持基板１１上にＵＶ吸収
性物質あるいは色材を分散させたネガ型フォトレジスト
層１２を全面に塗布形成し、乾燥する。

【００２２】本発明において、透光性の絶縁性支持基板
１１としては、石英基板、ガラス基板、プラスチック基
板等が使用できる。

【００２３】次に、図１（ｂ）に示すように、適切なピ
ッチの細長の矩形の窓を有するフォトマスク（図示せ
ず）を用いて紫外（ＵＶ）露光および現像を行って、ス
トライプ状電気絶縁層１３を形成する。この場合、ネガ
型フォトレジストにＵＶ吸収性物質あるいは色材を分散
させているため、露光の際、フォトレジスト層１２の表
面から一定の深さの部分までは感光するが、ＵＶ吸収性
物質または色材によりＵＶ光が吸収されるために深部ま
で到達できず、下部は未露光のまま残る。この状態で現
像を行うと、フォトレジスト層１２の表面領域では露光
部が溶解されずに残るが、未露光部が除去され、条件を
選べば、図１（ｂ）に示すような逆テーパ状の電気絶縁
層１３を形成することができる。

【００２４】ネガ型フォトレジスト層１２に含有させる
色材としては、単色顔料が望ましい。また、ＵＶ吸収性
物質としては、ベンゾフェノン系、フェニルサリチル酸
系、シアノアクリレート系、ベンゾトリアゾール系、シ
ュウ酸アニリド系等の有機物質の他、ガラス粉、酸化セ
リウム粉等の無機物物質も使用できる。

【００２５】次に、図１（ｃ）に示すように、電気絶縁
層１３を形成した基板１１の表面全体にわたって導電性
材料層１４を形成する。導電性材料としては、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ，Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を１種以上含む
合金から選ばれた金属材料であることが好ましい。導電
性材料１４は、スパッタ法等により行うことができる。

【００２６】図１（ｃ）に示すように、導電材料層１４
は、電気絶縁層１３間の支持基板１１の表面上および電
気絶縁層１３の頂面上にわたって連続して形成される。
電気絶縁層１３が逆テーパ状である場合には、導電性材
料層１４は、隣り合う電気絶縁層１３の間で実質的にス
トライプ部分１４ａを形成し、電気絶縁層１３の側面と
の間に隙間１５が形成される。導電性材料層１４のスト
ライプ部分１４ａは、電気絶縁層上の部分１４ｂと、そ
れらの間に形成された薄い段差部１４ｃを介して連続し
ている。

【００２７】次に、導電性材料層１４をエッチングする
ためのマスクを形成するために、図１（ｄ）に示すよう
に、導電性材料層１４上にフォトレジスト層１６を形成
する。

【００２８】しかる後、フォトレジスト層１６を加工し
て所定のエッチングマスクを形成した後、導電性材料層
１４をエッチングすることによって、導電性バスライン
を形成するのであるが、そのとき、この導電性バスライ
ン１８が片側においてのみ電気絶縁層１３と接触するよ
うに行う（図２（ｂ）参照）。

【００２９】このように導電性バスライン１８がその片
側においてのみ電気絶縁層と接触することは、本発明の
好ましい態様の１つである。これを実現するために、図
２（ａ）に示すように、フォトレジスト層１６を加工し
てレジストパターン１７を形成する際に、隣り合う電気
絶縁層１３の間の領域において、導電性材料層１４上の
レジストパターン１７が、一側端部において導電性材料
層１４の段差部１４ｃおよび電気絶縁層１３上の部分１
４ｂの側端部を覆い、他側端において段差部１４ｃを露
出させるようにする。この状態で導電性材料層１４をエ
ッチングすると、エッチングは露出した段差部１４ｃを
通して進行し、他方レジストパターンで覆われた段差部
１４ｃでは進行しないため、図２（ｂ）に示すような、
残存段差部１４ｃに相当する部分において電気絶縁層１
３と片側（図２（ｂ）において電気絶縁層１３の側端部
１３Ｂ）でのみ接触する導電性バスライン１８を形成す
ることができる。

【００３０】各導電性バスライン１８はそのラインの両
端間での抵抗ができるだけ低いことが望ましい。その抵
抗値は、１０００オーム以下であることが望ましく、１
００オーム以下であることがさらに望ましい。しかし、
各バスライン１８の幅は、ＥＬ光の透過率を確保するた
め、画素の最大幅の１／２以下であることが望ましく、
さらに望ましくは１／４以下であることが望ましい。加
えて、第１電極ラインの幅の１／２０以下の線幅では各
バスライン１８の抵抗を十分低くできないため、各バス
ライン１８は、画素の最大幅の１／２０より広い幅を有
することが望ましい。また、各バスライン１８の高さ
は、通常０．１μｍ以上の高さで形成することが望まし
く、また、各バスライン１８は、電気絶縁層１３の頂面
と実質的に同一平面を構成するように形成することが望
ましい。なお、ＥＬ光の放射方向を制限し視野角が狭ま
ることを防ぐために、各バスライン１８は、５０μｍ以
下の高さに形成することが望ましい。

【００３１】例えば、第１電極ラインの幅１００μｍに
対して、２Ｅ−６Ωｃｍの抵抗率の銅を主体とした金属
を用い長さ７ｃｍのバスライン１８を形成する場合、バ
スライン１８の幅を画素幅の１／４に相当する２５μ
ｍ、高さを５μｍとすると、バスライン１８の両端間で
の抵抗値は１０オーム程度になる。したがって、例えば
インジウム・スズ複合酸化物（ＩＴＯ）のみからなる第
１電極ラインの数百分の１の抵抗となり、第１電極ライ
ンによる電圧降下によるエネルギー損失を防ぐことがで
きる。

【００３２】また、各導電性バスライン１８の支持基板
１１に接する面に吸光性金属酸化物層（図示せず）を設
けることも好適に行われる。これにより、各導電性バス
ライン１８にブラックストライプとしての機能を持た
せ、外光の反射を防止することによって、ＥＬ表示素子
のコントラストを向上することが可能となる。

【００３３】上記のようにバスライン１８を形成した
後、図２（ｃ）に示すように、第１電極ラインを構成す
る透明導電膜２０を好ましくはスパッタリング法で形成
する。このとき、図２（ｂ）からわかるように、電気絶
縁層１３は逆テーパ形状になっていて上部にひさしを構
成しているので、その一方の側端部１３Ｂ側は導電性バ
スラインと接触しているが、他方の側端部１３Ａ側は導
電性バスラインと接触していない（バスライン１８との
間に空隙１９が形成されている）ため、透明導電膜を形
成するときに側端部１３Ａ側で切断される。このために
透明電極膜２０は、それが形成されると同時に自然にパ
ターニングされる。これによって、透明導電膜のパター
ニングを別途行う必要がなくなる（別途行うパターニン
グ工程の省略）。従って、当然、透明導電膜をエッチン
グする際のエッチング液による導電性バスライン１８の
腐食も生じない。

【００３４】なお、本発明における透明導電膜２０とし
てはＩＴＯや酸化インジウム亜鉛複合酸化物、酸化亜鉛
アルミニウム等が使用できる。

【００３５】透明導電膜２０を形成した後、電気絶縁層
１３と隣接する導電性バスラインとの間の隙間を樹脂等
からなる電気絶縁物質２１で充填して有機ＥＬ表示素子
用基板を形成する（図２（ｄ）参照）。

【００３６】以上の説明からもわかるように、本発明の
有機ＥＬ表示素子用基板は、複数の第１電極ライン２０
が互いに離間して配置されており、導電性バスライン１
８が第１電極ライン２０と実質的に平行に延びるように
形成されている。そして、第１電極ライン２０は、支持
基板１１から間隔をもって（電気絶縁層１３の存在によ
る）配置され、かつその一方の側端部（のみ）がそれに
隣接する１つの導電性バスライン１８の表面上に延在し
ている。このように、各第１電極ラインが、基板上に形
成された導電性バスライン１８の比較的広い表面上に延
在することにより、第１電極ライン２０のより一層の低
抵抗化が達成され、有機ＥＬ表示素子の駆動電圧を低下
させることができる。また、本発明によれば、第１電極
ラインは、その形成と同時にパターニングされるので、
エッチング液によるパターニングは不要である。

【００３７】ついで、図３に示すように、第１電極ライ
ンと交差する（好ましくは、直交する）方向にそれぞれ
発光媒体層３１および互いに離間した第２電極ライン３
２を常法により形成した後、封止層３３をイオンプレー
ティング法等により形成して有機ＥＬ表示素子を完成す
ることができる。

【００３８】しかしながら、本発明の有機ＥＬ表示素子
用基板には、第１電極ラインと交差する（好ましくは直
交する）方向に有機発光媒体と第２電極ラインとをそれ
らを形成すると同時にパターニングをも行わせるための
複数の隔壁を設けることが好ましい。これらの隔壁は、
図２（ｄ）に示す有機ＥＬ表示素子用基板上に互いに離
間して第１電極ライン２０と交差する（好ましくは直交
する）方向に延びるように形成される。各隔壁は、逆テ
ーパ状であってもＴ字形であってもよい。

【００３９】本発明の好ましい態様において、上記各隔
壁は、特願平１０−１１７２３６号に開示したように、
上部にひさしを有し、下部にすそを有する（断面「工」
字型隔壁）。各隔壁がひさしに加えてすそをも有するこ
とによって、有機発光媒体が隔壁との間に隙間を生じる
ことなく隔壁のすそ上までにわたって形成され、その上
に形成される第２電極ラインも有機発光媒体上に隔壁の
すそに至るまで形成されるので、短絡や絶縁破壊の問題
が回避される。さらにＴ字型隔壁は、特願平１０−２４
７４１２号に開示したように、隣り合う隔壁を互いにす
そ部において連結する複数の連結帯を有することが好ま
しい。この連結帯は、第１電極ラインの側端縁における
第２電極ラインとの短絡を効果的に防止し得る。

【００４０】図４は、図２（ｄ）に示す基板上に上記工
字型隔壁３２を有する本発明の有機ＥＬ表示素子用基板
を示す。図４（ａ）は、図１および図２と同一方向の断
面図を示し、図４（ｂ）は、図４（ａ）と直交する方向
の断面図を示す。各隔壁４１は、上部にひさし４１ａ、
下部にすそ４１ｂを有し、第１電極ライン２０と直交す
る方向に延びているものとして示されている。

【００４１】ここで、図４に示すような工字型隔壁４１
の形成原理を図５を参照して説明する。まず、図５
（ａ）に示すように、基板５１（図２（d）に示す有機
ＥＬ表示素子用基板）のほぼ全面上にＵＶ吸収性物質あ
るいは色材を混合したネガ型レジスト層５２を形成し、
適切なピッチで矩形の窓５３ａを有するフォトマスク５
３を用いてＵＶ光（図中、矢印で示す）による露光を行
う。すると、レジスト層５２の表面から一定の深さの部
分までは感光して感光部５２ａが形成されるが、ＵＶ光
がＵＶ吸収性物質または色材により吸収されるために深
部まで到達できず下部は未露光のまま残る。この状態で
現像を行うと、表面層では感光部５２ａが溶解されずに
残るが未露光部は除去される（図５（ｂ））。表面層よ
り下部側は、すべて未露光部であるためサイドから現像
がさらに進行し、順テーパのすそが形成される（図５
（ｃ））。また、条件を選べばひさしよりもすそが長い
工字型隔壁５４（図４（ｂ）に最もよく示されている隔
壁４１に相当）を形成することが可能である（図５
（ｄ））。

【００４２】このように、隔壁を形成する場合には、基
板上に塗布されたフォトレジスト自体が、電気絶縁層１
３と隣接する導電性バスラインとの間の隙間１９を自然
に埋めるので、電気絶縁物質２１で該隙間１９を予め充
填しておく必要はない（図２（ｄ）参照）。この場合、
隙間１９の幅は、１〜５００μｍであることが望まし
い。

【００４３】なお、逆テーパ形状を有する電気絶縁層１
３の形成原理は、基本的には、上記工字型隔壁４１の形
成原理と同じである。電気絶縁層１３の場合は、現像の
条件を選んで、すそをひさしより短く形成している。

【００４４】さて、図４に示す隔壁付有機ＥＬ表示素子
用基板を用いて有機ＥＬ表示素子を作製するには、図６
を参照すると、図４に示す隔壁付有機ＥＬ表示素子用基
板上に、先に述べたように、発光媒体３１を好ましくは
真空蒸着法で形成し、次に第２電極ライン３２を好まし
くは真空蒸着法で形成し、しかる後、封止層３３を好ま
しくはイオンプレーティング法で形成する。発光媒体３
１、第２電極材料３２は、それぞれ、その形成と同時に
隔壁４１によりパターニングされ、互いに離間して堆積
するので、エッチングを別途行う必要はない。

【００４５】本発明における発光媒体３１としては、
９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、サリチル塩
酸、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフ
ェニルブタジエン、９，１０−ビス（フェニルエチニ
ル）アントラセン、８−キノリノラートリチウム、Ａｌ
ｑ（？）、トリス（５，７−ジクロロ、８−キノリノラ
ート）アルミニウム錯体、トリス（５−クロロ−８−キ
ノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノリノ
ラート）亜鉛錯体、トリス（５−フルオロ−８−キノリ
ノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５
−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニ
ウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノ
リノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５
−トリフルオロメチルー８−キノリノラート）、４−
（４−シアノフェニルフェノラート）アルミニウム錯
体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラー
ト），４−（４−シアノフェニルフェノラート）アルミ
ニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウ
ム錯体、ビス〔８−（パラ−トシル）アミノキノリン〕
亜鉛錯体およびカドミウム錯体、１，２，３，４−テト
ラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロ
ペンタジエン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ
−フェニレンビニレン、あるいは特開平４−３１４８８
号公報、米国特許５１４１６５７１号、同４７６９２９
２号で言及されている蛍光物質やＮ，Ｎ’−ジアリール
置換ピロロピロール化合物などがあげられる。

【００４６】本発明における金属層を含む第２電極ライ
ン（陰極ライン）３２としては、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、
ＣｕＬｉ等が使用できる。

【００４７】封止層３３は、酸化ゲルマニウムにより例
えば１μｍの厚さに形成することができる。

【００４８】なお、本発明において、電気絶縁層１３
を、図７に示すようにカラーフィルター層（Ｒ、Ｇ、
Ｂ）によって構成することもできる。図７（ａ）は、図
３に対応する断面図であり、図７（ｂ）は、図６に対応
する図である。ここで、図７（ａ）は、最終の有機ＥＬ
表示素子構造を示しているが、図２（ｄ）に示す有機Ｅ
Ｌ表示素子用基板に対応する有機ＥＬ表示素子用基板を
も重畳的に示すものと解釈されるものである。同様に、
図７（ｂ）は、最終の隔壁付有機ＥＬ表示素子構造を示
しているが、図２（ｄ）に示す有機ＥＬ表示素子用基板
に対応する有機ＥＬ表示素子用基板、および図４に示す
隔壁付有機ＥＬ表示素子用基板に対応する隔壁付有機Ｅ
Ｌ表示素子用基板をも重畳的に示すものと解釈されるも
のである。

【００４９】

【実施例】実施例１ この実施例では、図１および図２を参照して説明した方
法により有機ＥＬ表示素子用基板を作製した。

【００５０】すなわち、まず、ガラス製の支持基板１１
上に、ＵＶ吸収性物質或いは色材を分散させたネガ型フ
ォトレジストを塗布・乾燥し、フォトレジスト層１２を
形成した（図１（ａ））。

【００５１】次に、ピッチ３００μｍ、幅２０μｍのス
トライプ状のフォトマスクを用いて、レジスト層１２に
対してＵＶ露光・現像を行って、逆テーパ形状を有する
電気絶縁層１３を形成した（図１（ｂ））。

【００５２】ついで、電気絶縁層１３を形成したガラス
基板１１上に、スパッタリング法により電気絶縁層１３
とほぼ同じ厚みの銅層１４を形成した（図１（ｃ））。

【００５３】この銅層４の上に、フォトレジスト層１６
を形成した（図１（ｄ））。

【００５４】このフォトレジスト層１６に対して、ＵＶ
露光・現像を行い、所望のレジストパターン１７を形成
した（図２（ａ））。

【００５５】次に、銅層１４に対して、エッチングを行
った後、レジストパターン１７を除去して、所望の銅バ
スライン１８を形成した（図２（ｂ））。

【００５６】ついで、スパッタリング法により厚さ０．
１μｍのＩＴＯパターン２０を形成した。電気絶縁層１
３が逆テーパ形状になっていることから、ＩＴＯ層２０
は、形成されると同時に電気絶縁層の一方の側端部１３
Ａで切断され、自然にパターニングされた（図２
（ｃ））。

【００５７】しかる後、ネガレジスト２１で電気絶縁層
１３と銅バスライン１８との間の隙間９を穴埋めし、有
機ＥＬ表示素子用基板を完成した（図２（ｄ））。

【００５８】実施例２ 実施例１で作製した有機ＥＬ表示素子用基板（図２
（ｄ））上に、ＩＴＯライン２０および銅バスライン１
８と直交するように、工字型隔壁４１を図５を参照して
説明した方法により形成し、隔壁付有機ＥＬ表示素子用
基板を完成した（図４）。

【００５９】実施例３ 実施例１および実施例２でそれぞれ作製した有機ＥＬ表
示素子用基板および隔壁付有機ＥＬ表示素子用基板の電
気絶縁層１３をそれぞれカラーフィルター層（Ｒ、Ｇ、
Ｂ）により構成し、カラーフィルター付有機ＥＬ表示素
子用基板およびカラーフィルターと隔壁付有機ＥＬ表示
素子用基板（図７参照）を完成した。

【００６０】実施例４ 実施例１で作製した有機ＥＬ表示素子用基板、および実
施例２で作製した隔壁付有機ＥＬ表示素子用基板上に、
それぞれ、有機発光層３１、第２電極ライン３２を順次
真空蒸着し、封止層１４で封止して本発明の有機ＥＬ表
示素子を作製した（図３、図６）。

【００６１】実施例５ 実施例３で作製したカラーフィルター付有機ＥＬ表示素
子用基板およびカラーフィルターと隔壁付有機ＥＬ表示
素子用基板上に、それぞれ、有機発光層３１、第２電極
ライン３２を順次真空蒸着し、封止層３３で封止して本
発明の有機ＥＬ表示素子を形成した（図７）。

【００６２】以上の実施例で作製した有機ＥＬ表示装置
において、従来よりもより一層の第１電極ラインの低抵
抗化が図れた。

【００６３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、第
１電極ラインとしての透明導電膜ラインと支持基板との
間の領域に透明導電膜と接して導電性バスラインを透明
導電膜ラインの下に設けることにより有機ＥＬ表示素子
の駆動電圧を下げることができる。本発明によれば、こ
のように設けた導電性バスラインの厚みは透明導電膜の
厚みの制限を受けないことから、第１電極ラインのより
一層の低抵抗化を達成することができる。また、この導
電性バスラインがブラックストライプとして機能を有し
得るためＥＬ表示素子のコントラストを向上することが
できる。更に、電気絶縁層またはカラーフィルター層を
逆テーパ形状とすることにより、透明導電膜が形成され
ると同時にパターニングされ得るため、透明導電膜のパ
ターニング工程を省くことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ表示素子用基板の製造工程を
説明するための概略断面図。

【図２】図１から引き続く、本発明の有機ＥＬ表示素子
用基板の製造工程を説明するための概略断面図。

【図３】本発明の有機ＥＬ表示素子の概略断面図。

【図４】本発明の隔壁付有機ＥＬ表示素子用基板の概略
断面図。

【図５】工字型隔壁の形成原理を説明するための概略断
面図。

【図６】本発明の隔壁付有機ＥＬ表示素子用基板を用い
た有機ＥＬ表示素子の概略断面図。

【図７】本発明のカラーフィルター付有機ＥＬ表示素子
を示す概略断面図。

【符号の説明】

１１…支持基板 １２…ＵＶ吸収性物質または色材を分散させたネガ型レ
ジスト層 １３…電気絶縁層 １３Ａ…電気絶縁層の導電性バスラインと接触しない側 １３Ｂ…電気絶縁層の導電性バスラインと接触する側 １４…バスラインのための導電材料層 １４ｃ…段差部 １５…隙間 １６…フォトレジスト １７…レジストパターン １８…導電性バスライン １９…隙間 ２０…第１電極ライン（透明導電膜ライン） ２１…電気絶縁物質 ３１…有機発光媒体 ３２…第２電極ライン ３３…封止層 ４１…工字型隔壁 ４１ａ…ひさし ４１ｂ…すそ ５１…基板 ５２…ネガ型フォトレジスト ５２ａ…感光部 ５３…フォトマスク ５３ａ…窓

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湊 孝夫 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 伊藤 祐一 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB06 AB17 AB18 BA06 BB06 CA01 CA02 CA05 CB01 DA00 EB00 FA01 FA03

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに離間して配置された複数の第１電
   極ライン、および該第１電極ラインと実質的に平行に延
   びる複数の導電性バスラインを支持基板上に備え、各第
   １電極ラインは該支持基板から間隔をもって配置され、
   かつその一方の側端部がそれに隣接する１の導電性バス
   ラインの表面上に延在していることを特徴とする有機エ
   レクトロルミネッセンス表示素子用基板。
2. 【請求項２】 各第１電極ラインが、該支持基板上に設
   けられた電気絶縁層上に設けられていることを特徴とす
   る請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示
   素子用基板。
3. 【請求項３】 各電気絶縁層が、逆テーパ状に形成され
   ていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機
   エレクトロルミネッセンス表示素子用基板。
4. 【請求項４】 各電気絶縁層の両側のうち、一方が該導
   電性バスラインと接触し、他方がそれと隣接する導電性
   バスラインとの間に隙間を有することを特徴とする請求
   項１ないし３のいずれか１項に記載の有機エレクトロル
   ミネッセンス表示素子用基板。
5. 【請求項５】 各電気絶縁層とそれに隣接する該導電性
   バスラインとの間の該隙間の幅が、１〜５００μｍであ
   ることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロル
   ミネッセンス表示素子用基板。
6. 【請求項６】 各電気絶縁層とそれに隣接する導電性バ
   スラインとの間の該隙間に電気絶縁物質が充填されてい
   ることを特徴とする請求項４または５に記載の有機エレ
   クトロルミネッセンス表示素子用基板。
7. 【請求項７】 各電気絶縁層が、ＵＶ吸収性物質あるい
   は色材を分散させたネガ型レジストからなることを特徴
   とする請求項２ないし６のいずれか１項に記載の有機エ
   レクトロルミネッセンス表示素子用基板。
8. 【請求項８】 第１電極ラインが陽極であり、電気絶縁
   層が、カラーフィルター層を構成することを特徴とする
   請求項２ないし７のいずれか１項に記載の有機エレクト
   ロルミネッセンス表示素子用基板。
9. 【請求項９】 導電性バスラインが、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃ
   ｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐ
   ｈ、Ｐｄ、ＰｂおよびＳｎ並びにこれらの金属元素の少
   なくとも１種を含む合金からなる群の中から選ばれた金
   属材料により形成されることを特徴とする請求項１ない
   し８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセ
   ンス表示素子用基板。
10. 【請求項１０】 導電性バスラインの高さが０．１〜１
    ００μｍであり、その幅が１〜５００μｍである請求項
    １〜１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセ
    ンス表示素子用基板。
11. 【請求項１１】 前記導電性バスラインの基板に接する
    面に吸光性層を設けることを特徴とする請求項１ないし
    １０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセ
    ンス表示素子用基板。
12. 【請求項１２】 請求項１ないし１１のいずれか１項に
    記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板上
    に該第１電極ラインと交差する複数の隔壁を有し、該隔
    壁は、上部にひさし、下部にすそを有することを特徴と
    する有機エレクトロルミネッセンス表示基板。
13. 【請求項１３】 請求項１ないし１２のいずれか１項に
    記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板上
    に発光用媒体と第２電極ラインおよび封止層を有するこ
    とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示素
    子。
14. 【請求項１４】 支持基板上に、それぞれ逆テーパ形状
    を有する複数の電気絶縁層を形成し；該電気絶縁層を有
    する該支持基板のほぼ全面上に、導電性材料層を形成
    し；該導電性材料層を、その該支持基板表面上に残存す
    る部分が各電気絶縁層の一方の側端と接触し、かつ他方
    の側端とは分離するようにして、その該電気絶縁層上の
    部分を除去することによってそれぞれ該電気絶縁層とそ
    の該一方の側端においてのみ接続する複数の導電性バス
    ラインを形成し；該電気絶縁層と該導電性バスラインと
    を有する支持基板上に第１電極層を形成することにより
    各電気絶縁層上からその電気絶縁層に接続する導電性バ
    スライン上に延在し、各電気絶縁層の該他方の側端側で
    互いに分離した複数の第１電極ラインを形成することを
    特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基
    板の製造方法。