JPH11191489A - 有機電界発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】発光層パターニング工程などで発光領域に欠陥
部分が導入された場合でも装置全体の諸特性の悪化を抑
制することが可能な、より信頼性の高い構造をもち、か
つ、条件によっては発光層パターニング工程数を発光領
域の発光色数より少なくすることが可能な構造をもつ有
機電界発光装置を提供する。 【解決手段】本発明の有機電界発光装置は、基板上に形
成された第一電極と、前記第一電極上に形成された有機
化合物からなる発光層と前記発光層上に形成されたキャ
リア輸送層とを少なくとも含む薄膜層と、前記薄膜層上
に形成された第二電極とを含み、少なくとも前記発光層
がパターニングされた有機電界発光装置であって、前記
発光層と前記キャリア輸送層とがそれぞれ異なる平面形
状を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トパネルディスプレイ、バックライト、インテリアなど
の分野に利用可能な、有機電界発光素子によるそれぞれ
異なる色で発光する発光領域を同一基板上に備えた有機
電界発光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、新しい発光素子として有機電界発
光素子が注目されている。本素子は陽極から注入された
正孔と陰極から注入された電子とが両極に挟まれた有機
発光層内で再結合することにより発光するものであり、
低電圧で高輝度に発光することがコダック社のＣ．Ｗ．
Ｔａｎｇらによって初めて示された（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）２１，ｐ．９１３，１９８
７）。

【０００３】図２８は有機電界発光素子の代表的な構造
を示す断面図である。ガラス基板１に形成された透明な
第一電極（陽極）２上に正孔輸送層５、有機発光層（兼
電子輸送層）６、第二電極（陰極）８が積層され、駆動
源９による駆動で生じた発光は第一電極およびガラス基
板を通じて外部に取り出される。このような有機電界発
光素子では薄型、低電圧駆動下での高輝度発光や有機発
光材料を選択することによる多色発光が可能であり、表
示素子やディスプレイなどの発光装置に応用する検討が
盛んである。

【０００４】有機電界発光素子を利用した従来の発光装
置の一例を図２９〜３１に示す。この有機電界発光装置
は日経エレクトロニクス１９９６．１．２９（Ｎｏ．６
５４）ｐ．１０２や特開平９−１１５６７２号公報など
で示されたものと基本的には同様の構造を有する単純マ
トリクス型カラーディスプレイである。つまり、カラー
表示を可能とするために、それぞれ異なる３色で発光す
る発光領域に応じて発光層６および電子輸送層７がパタ
ーニングされている。

【０００５】上記のとおり従来の有機電界発光装置の構
造では発光層と電子輸送層が基本的に同一平面形状に形
成されるので、両層は同一の工程にてパターニングされ
ることになる。例えば、前記の特開平９−１１５６７２
号公報に示された技術では、基板に対するシャドーマス
クの位置を一定に保ったまま発光材料と電子輸送材料を
順次蒸着することで、同一平面形状をもつ発光層と電子
輸送層がパターニングされる。図２９〜３１に示した有
機電界発光装置の両層をマスク法によってパターニング
する場合も同様である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
シャドーマスクの位置ずれやシャドーマスクに付着した
異物などの影響を受けた場合に、図３２および図３３に
示す従来の有機電界発光装置の構造では発光領域中に発
光層６も電子輸送層７も存在しない欠陥部分１５が形成
されることになる。この欠陥部分では第一電極２と第二
電極８との間に正孔輸送層５しか存在しないために、た
とえ欠陥部分の面積がわずかであっても両電極間の短絡
やリーク電流の増大が起こり、その発光領域の非発光化
だけでなく消費電力増大やクロストーク発生が起こる可
能性が大きかった。つまり、わずかな欠陥部分の存在が
有機電界発光装置全体の諸特性に大きく影響するという
問題があった。発光層が電子輸送機能を兼ねるタイプの
有機電界発光装置においても、この問題は同様であっ
た。

【０００７】また、従来の有機電界発光装置の構造では
３色の発光領域を形成するために、例えばシャドーマス
クの位置を変えるなどして、少なくとも３回以上の工程
で発光層をパターニングする必要があった。有機電界発
光装置の製造をより容易に実現し、前記欠陥部分の形成
の可能性をより小さくするためには、工程数は少ない方
が望ましい。

【０００８】本発明はかかる問題を解決し、発光層パタ
ーニング工程などで発光領域に欠陥部分が導入された場
合でも装置全体の諸特性の悪化を抑制することが可能
な、より信頼性の高い構造をもち、かつ、条件によって
は発光層パターニング工程数を発光領域の発光色数より
少なくすることが可能な構造をもつ有機電界発光装置を
提供することが目的である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の有機電界発光装
置は、基板上に形成された第一電極と、前記第一電極上
に形成された有機化合物からなる発光層と前記発光層上
に形成されたキャリア輸送層とを少なくとも含む薄膜層
と、前記薄膜層上に形成された第二電極とを含み、少な
くとも前記発光層がパターニングされた有機電界発光装
置であって、前記発光層と前記キャリア輸送層とがそれ
ぞれ異なる平面形状を有することを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明における有機電界発光装置
とは、有機電界発光素子による複数の発光領域を同一基
板上に備えたものである。以下で本発明を説明するが、
本発明は例示された形式や構造をもつ有機電界発光装置
に限定されるわけではなく、セグメント型、単純マトリ
クス型、アクティブマトリクス型などの形式や発光領域
の発光色数を問わず、任意の構造の有機電界発光装置に
適用することが可能である。

【００１１】本発明の有機電界発光装置は、発光層と第
二電極との間に形成されたキャリア輸送層が前記発光層
と異なる平面形状を有することを特徴とする。その一例
を図１〜３に示す。基板１上に形成されたストライプ状
の第一電極２と、各第一電極上にパターニングされた有
機化合物からなる発光層６を含む薄膜層１０と、第一電
極に対して直交するストライプ状の第二電極８とが積層
されており、両電極の交点に有機電界発光素子構造をも
つ複数の発光領域が形成されている。各発光領域は発光
層に異なる材料を用いることで赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）に発光するので、この単純マトリクス型発光装置
を線順次駆動することにより画像などをカラー表示する
ことが可能である。ここで、電子輸送層７はＲＧＢの各
発光領域にまたがって平面連続的に形成されている。し
たがって、何らかの原因で発光層に欠陥部分が導入され
ても、全面に形成された電子輸送層が前記欠陥部分を覆
うために、短絡やリーク電流の増大を抑制する効果があ
る。場合によっては前記欠陥部分では電子輸送層が発光
するために発光領域中に発光色の異なる部分が発生する
こともあるが、欠陥部分の面積がわずかであればこのこ
とは無視できる。したがって、結果的には有機電界発光
装置の信頼性が大きく向上する。以下では、この構造を
例にして本発明の有機電界発光装置を詳しく説明する。

【００１２】以下では、発光層と第二電極との間に形成
されたキャリア輸送層の形状について電子輸送層を例に
して説明するが、本発明における前記キャリア輸送層の
種類は限定されるものではなく、正孔輸送層であっても
電子輸送層であってもかまわない。

【００１３】本発明においては発光層と第二電極との間
に形成されたキャリア輸送層が前記発光層と異なる平面
形状を有するが、その形状は特に限定されない。したが
って、図１〜３に示したように電子輸送層７がＲＧＢの
各発光領域の全てにまたがって平面連続的に形成されて
いてもよいが、例えば図４に示すように、第一の電子輸
送層７ａがＲＧの各発光領域にまたがって平面連続的に
形成され、第二の電子輸送層７ｂがＢ発光領域にのみ形
成されていてもよい。この場合には、第一および第二の
電子輸送層はそれぞれ同一の材料からなっていても異な
る材料からなっていてもかまわない。また、図１〜３で
はＢ発光層と電子輸送層が同一の材料からなっていても
よいし、図４では第二の電子輸送層７ｂを形成せずに省
略することもできる。

【００１４】電子輸送層は多層構造であってもよく、例
えば図５に示すように、第一の電子輸送層７ａはそれぞ
れＲＧＢの各発光領域に対応して形成されており、前記
第一の電子輸送層上に第二の電子輸送層７ｂがＲＧＢの
各発光領域の全てにまたがって平面連続的に形成されて
いてもよい。この場合にも、各発光領域に対応する第一
の電子輸送層や、第一および第二の電子輸送層は、それ
ぞれ同一の材料からなっていても異なる材料からなって
いてもかまわない。

【００１５】本発明においては前記キャリア輸送層の一
部分を発光層として機能させることも可能である。例え
ば図６〜８に示すように、ＲＧ発光層６上にＢ発光層を
兼用する電子輸送層７がＲＧＢの各発光領域の全てにま
たがって平面連続的に形成されていてもよい。前記電子
輸送層はＲＧの各発光領域に対してキャリア輸送層とし
てのみ機能するが、Ｂ発光領域に対しては発光層として
も機能する。この場合には、ＲＧＢ３色の発光領域を形
成するために、発光層のパターニング工程はＲＧの２回
で済ますことができる。

【００１６】電子輸送層の一部を発光層として機能させ
る場合にも、電子輸送層の形状は特に限定されるもので
はない。例えば図９に示すように、第一の電子輸送層７
ａがＲ発光領域にのみ形成され、第二の電子輸送層７ｂ
がＧＢの各発光領域にまたがって平面連続的に形成され
てもよい。前記第二の電子輸送層はＧ発光領域に対して
はキャリア輸送層としてのみ機能するが、Ｂ発光領域に
対しては発光層としても機能する。この場合にも、第一
および第二の電子輸送層はそれぞれ同一の材料からなっ
ていても異なる材料からなっていてもよい。また、図６
〜８では、例えばＧ発光領域の発光の一部がＧ発光層６
だけでなく電子輸送層で生じてもよいし、Ｂ発光領域の
発光の一部あるいは全部が正孔輸送層５で生じてもよ
い。

【００１７】本発明の有機電界発光装置におけるキャリ
ア輸送層は必ずしも発光能をもつ必要はないが、一般的
には発光能をもつことが多い。キャリア輸送層が発光層
に接して形成されている場合には、キャリア輸送層によ
る望ましくない発光やエネルギー失活によって発光層に
おける発光の色純度や効率が低下するのを防ぐために、
前記キャリア輸送層の発光エネルギーが前記発光層の発
光エネルギーのうち最も高いものと同程度かそれ以上で
あることが好ましい。例えば図１〜３では、電子輸送層
７の発光エネルギーは発光層６のうち最も高エネルギー
で発光するＢ発光層の発光エネルギーと同程度かそれ以
上であることが好ましい。前記電子輸送層７が多層構造
である場合には、電子輸送層のうち発光層に接する層の
発光エネルギーがＢ発光層の発光エネルギーと同程度か
それ以上であることが好ましく、その上に形成された残
りの電子輸送層の発光エネルギーは特に限定されるもの
ではない。また、図４では、第一の電子輸送層７ａの発
光エネルギーはＧ発光層の発光エネルギーと同程度かそ
れ以上であることが好ましい。

【００１８】本発明の有機電界発光装置はその製造方法
を限定するものではなく、公知技術を用いてそれを製造
することができる。

【００１９】第一および第二電極は有機電界発光素子の
発光に十分な電流が供給できる導電性をもてばよいが、
光を取り出すために少なくとも一方の電極が透明である
ことが好ましい。

【００２０】透明な電極は可視光線透過率が３０％以上
あれば使用に大きな障害はないが、理想的には１００％
に近い方が好ましい。基本的には可視光全域において同
程度の透過率を持つことが好ましいが、発光色を変化さ
せたい場合には積極的に光吸収性を付与させることも可
能である。このような場合にはカラーフィルターや干渉
フィルターを用いて変色させる方法が技術的には容易で
ある。透明電極材料としては、インジウム、錫、金、
銀、亜鉛、アルミニウム、クロム、ニッケル、酸素、窒
素、水素、アルゴン、炭素から選ばれる少なくとも一種
類の元素からなることが多いが、ヨウ化銅、硫化銅など
の無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポ
リアニリンなどの導電性ポリマーを用いることも可能で
あり、特に限定されるものでない。

【００２１】好ましい第一電極材料の例としては、透明
基板上に形成された酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウ
ム、酸化バナジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）など
を挙げることができる。パターニングを行うディスプレ
イ用途などでは、加工性に優れたＩＴＯを第一電極に用
いることが特に好ましい。導電性向上のためにＩＴＯに
は少量の銀や金などの金属が含まれていてもよく、ま
た、錫、金、銀、亜鉛、インジウム、アルミニウム、ク
ロム、ニッケルをＩＴＯのガイド電極として使用するこ
とも可能である。とりわけクロムはブラックマトリック
スとガイド電極との両方の機能を持たせることができる
ので好ましいガイド電極材料である。有機電界発光装置
の消費電力の観点からＩＴＯの抵抗は低いことが好まし
い。３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば第一電極と
して機能するが、現在では１０Ω／□程度のＩＴＯ基板
の供給も容易になっていることから、低抵抗品を使用す
ることも可能である。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて
任意に選択できるが、通常は厚みが１００〜３００ｎｍ
のＩＴＯを用いることが多い。透明基板の材質は特に限
定されず、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリ
エステル、ポリイミド、アラミドからなるプラスチック
板やフィルムを用いることができるが、好ましい例とし
てガラス板を挙げることができる。ガラスの材質につい
ては、無アルカリガラスや酸化ケイ素膜などのバリアコ
ートを施したソーダライムガラスなどが使用できる。ま
た、厚みは機械的強度を保てればよいので、０．５ｍｍ
以上あれば十分である。ＩＴＯの形成方法は、電子ビー
ム蒸着、スパッタリング蒸着、化学反応法など特に制限
されるものではない。

【００２２】第二電極材料についても特に限定されない
が、第一電極としてＩＴＯを使用する場合にはＩＴＯが
一般的に陽極として機能するために、第二電極には有機
電界発光素子に電子を効率良く注入できる陰極としての
機能が求められる。したがって、第二電極材料としては
アルカリ金属などの低仕事関数金属を使用することも可
能であるが、電極の安定性を考えると、白金、金、銀、
銅、鉄、錫、アルミニウム、マグネシウム、インジウム
などの金属、またはこれら金属と低仕事関数金属との合
金などを使用することが好ましい。また、あらかじめ有
機電界発光素子の薄膜層に低仕事関数金属を微量にドー
ピングしたり、薄膜層上にフッ化リチウムなど金属塩の
層を薄く形成するなどし、その後に比較的安定な金属を
第二電極として形成することで、電子注入効率を高く保
ちながら安定な電極を得ることもできる。第二電極の形
成方法も抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリン
グ蒸着、イオンプレーティング法などドライプロセスで
あれば特に限定されない。

【００２３】有機電界発光素子に含まれる薄膜層として
は、１）正孔輸送層／発光層、２）正孔輸送層／発光層
／電子輸送層、３）発光層／電子輸送層のいずれであっ
てもよい。すなわち、素子構成として有機化合物からな
る発光層と、前記発光層と第二電極との間に形成された
キャリア輸送層とが存在していればよい。本発明の説明
においては、基板／第一電極（陽極）／正孔輸送層／発
光層／電子輸送層／第二電極（陰極）の積層構造が専ら
例示されるが、素子構造は特に限定されるものではな
く、例えば前記構造とは逆の積層構造、つまり、基板／
第一電極（陰極）／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／
第二電極（陽極）の積層構造であってもよい。

【００２４】正孔輸送層は正孔輸送材料単独で、あるい
は正孔輸送材料と高分子結着剤により形成される。正孔
輸送材料としては、低分子化合物ではＮ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’
−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）やＮ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−
ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）などに代表
されるトリフェニルアミン類、Ｎ−イソプロピルカルバ
ゾール、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒド
ラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体やフタロシア
ニン誘導体に代表される複素環化合物などを、また、ポ
リマー系では前記低分子化合物を側鎖に有するポリカー
ボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、
ポリシランなどを好ましい例として挙げることができ
る。

【００２５】単純マトリクス型発光装置の用途では各有
機電界発光素子の発光時間は短く、パルス電流を流すこ
とで瞬間的に高輝度に発光させることが必要になる。こ
のような場合に正孔輸送材料には優れた正孔輸送特性と
安定した薄膜形成能だけでなく、正孔輸送層中の電子の
漏れによる発光効率低下を防ぐために良好な電子ブロッ
キング特性が要求される。上記特性をバランスよく満足
させるために、本発明においては下記に示すビスカルバ
ゾリル骨格を含む有機化合物からなる有機層を形成する
ことが特に好ましい。

【００２６】

【化１】 ここで、Ｒ１、Ｒ２は、水素、アルキル、ハロゲン、ア
リール、アラルキルおよびシクロアルキルの中から選ば
れる。また、カルバゾリル骨格にはアルキル、アリー
ル、アラルキル、カルバゾリル、置換カルバゾリル、ハ
ロゲン、アルコキシ、ジアルキルアミノおよびトリアル
キルシリル基から選ばれる置換基が１つ以上連結されて
いてもよい。

【００２７】発光材料としては、低分子化合物では以前
から発光体として知られていたアントラセン誘導体、ピ
レン誘導体、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム誘導
体、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニル
ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール
誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘
導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体な
どを、ポリマー系ではポリフェニレンビニレン誘導体、
ポリパラフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体など
を好ましい例として挙げることができる。また、発光層
にドーピングするドーパントとしては、ルブレン、キナ
クリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ペリ
ノン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザ
インダセン誘導体などを好ましい例として挙げることが
できる。

【００２８】電子輸送材料には陰極から注入された電子
を効率良く輸送することが要求されるので、大きな電子
親和力、大きな電子移動度、安定した薄膜形成能を有す
ることが好ましい。このような特性を満足させる材料と
して、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム誘導体、ヒ
ドロキシベンゾキノリンベリリウム誘導体、２−（４−
ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール（ｔ−ＢｕＰＢＤ）や１，３
−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサ
ジゾリル）ビフェニレン（ＯＸＤ−１）、１，３−ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジゾリ
ル）フェニレン（ＯＸＤ−７）などのオキサジアゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体
などを好ましい例として挙げることができる。

【００２９】上記の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂に分散させて用いるこ
ともできる。

【００３０】上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層など
の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング蒸着法など特に限定されないが、一般的には抵
抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着などの方法が特性面で好ま
しい。有機層の厚みはその抵抗値にも関係するので限定
できないが、経験的には１０〜１０００ｎｍの間から選
ばれる。

【００３１】また、キャリア輸送層の全体、もしくは一
部分に無機材料を用いることも可能である。好ましい例
として炭化ケイ素、窒化ガリウム、セレン化亜鉛、硫化
亜鉛系の無機半導体材料を挙げることができる。

【００３２】

【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。

【００３３】実施例１ 発光層パターニング用として、図１０に示したようにマ
スク部分と補強線とが同一平面内に形成された構造のシ
ャドーマスクを用意した。シャドーマスクの外形は１２
０×８４ｍｍ、マスク部分３１の厚さは２５μｍであ
り、長さ６４ｍｍ、幅３００μｍのストライプ状開口部
３２がピッチ９００μｍで横方向に９２本配置されてい
る。各ストライプ状開口部には、開口部と直交する幅２
０μｍ、厚さ２５μｍの補強線３３が１．８ｍｍおきに
形成されている。また、シャドーマスクは外形が等しい
幅４ｍｍのステンレス鋼製フレーム３４に固定されてい
る。

【００３４】第二電極パターニング用として、図１１お
よび１２に示すようにマスク部分３１の一方の面３５と
補強線３３との間に隙間３６が存在する構造のシャドー
マスクを用意した。シャドーマスクの外形は１２０×８
４ｍｍ、マスク部分の厚さは１７０μｍであり、長さ１
００ｍｍ、幅７７０μｍのストライプ状開口部３２がピ
ッチ９００μｍで横方向に６６本配置されている。マス
ク部分の上には、幅４５μｍ、厚さ４０μｍ、対向する
二辺の間隔が２００μｍの正六角形構造からなるメッシ
ュ状の補強線が形成されている。隙間の高さはマスク部
分の厚さと等しく１７０μｍである。また、シャドーマ
スクは外形が等しい幅４ｍｍのステンレス鋼製フレーム
３４に固定されている。

【００３５】第一電極は以下のとおりパターニングし
た。厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラス基板表面にスパ
ッタリング蒸着法によって厚さ１３０ｎｍのＩＴＯ透明
電極が形成されたＩＴＯガラス基板（ジオマテック社
製）を１２０×１００ｍｍの大きさに切断した。ＩＴＯ
基板上にフォトレジストを塗布して、通常のフォトリソ
法による露光、現像によってフォトレジストをパターニ
ングした。ＩＴＯの不要部分をエッチングした後にフォ
トレジストを除去することで、ＩＴＯを長さ９０ｍｍ、
幅２７０μｍのストライプ形状にパターニングした。図
１３に示したように、このストライプ状第一電極２は３
００μｍピッチで横方向に２７２本配置されている。

【００３６】次に、ポリイミド系の感光性コーティング
剤（東レ社製、ＵＲ−３１００）をスピンコート法によ
り前記ＩＴＯ基板上に塗布して、クリーンオーブンによ
る窒素雰囲気下で８０℃、１時間プリベーキングした。
さらに、前記塗布膜にフォトマスクを介して紫外光を露
光して所望部分を光硬化させ、現像液（東レ社製、ＤＶ
−５０５）を用いて現像した。最後にパターニングされ
た前記塗布膜をクリーンオーブン中で１８０℃、３０分
間、さらに、２５０℃、３０分間ベーキングして、図１
４および図１５に示したように第一電極に直交するスペ
ーサー４を形成した。このスペーサーは長さ９０ｍｍ、
幅１５０μｍ、高さ４μｍであり、９００μｍピッチで
横方向に６７本配置されている。また、このスペーサー
は良好な電気絶縁性を有していた。

【００３７】上記スペーサーを形成したＩＴＯ基板を洗
浄した後で真空蒸着機内にセットした。また、上記発光
層用シャドーマスク３枚、第二電極用シャドーマスク１
枚を真空蒸着機内にセットした。本真空蒸着機では、真
空中においてそれぞれが１０μｍ程度の精度で基板と位
置合わせができるように、上記４種類のシャドーマスク
を交換することが可能である。

【００３８】薄膜層は抵抗線加熱方式による真空蒸着法
によって以下のように形成した。なお、蒸着時の真空度
は２×１０^-4Ｐａ以下であり、蒸着中は蒸着源に対して
基板を回転させた。

【００３９】まず、図１６に示した配置において、水晶
振動子方式の膜厚モニター表示値で銅フタロシアニンを
２０ｎｍ、ビス（Ｎ−エチルカルバゾール）を２００ｎ
ｍ基板全面に蒸着して正孔輸送層５を形成した。

【００４０】次に、第一の発光層用シャドーマスクを基
板前方に配置して両者を密着させ、基板後方にはフェラ
イト系板磁石（日立金属社製、ＹＢＭ−１Ｂ）を配置し
た。この際、図１７および図１８に示したように、スト
ライプ状第一電極２がシャドーマスクのストライプ状開
口部３２の中心に位置し、補強線３３がスペーサー４の
位置と一致するように、両者は位置合わせされている。
この状態で８−ヒドロキシキノリン−アルミニウム錯体
（Ａｌｑ₃）を１００ｎｍ蒸着して、Ｇ発光層をパター
ニングした。次に、前記Ｇ発光層のパターニングと同様
にして第二の発光層用シャドーマスクを使用し、１ｗｔ
％の４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パ
ラジメチルアミノスチリル）−４−ピラン（ＤＣＭ）を
ドーピングしたＡｌｑ₃を１００ｎｍ蒸着して、Ｒ発光
層をパターニングした。さらに、同様にして第三の発光
層用シャドーマスクを使用し、４，４’−ビス（２，
２’ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を１
００ｎｍ蒸着して、Ｂ発光層をパターニングした。

【００４１】さらに、図１９に示したような配置におい
て、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０
−フェナントロリン（ＢＴＣＰＮ）を２０ｎｍ、基板全
面に蒸着して電子輸送層７を形成した。この後に、薄膜
層をリチウム蒸気にさらしてドーピング（膜厚換算量
０．５ｎｍ）した。

【００４２】第二電極は抵抗線加熱方式による真空蒸着
法によって以下のように形成した。なお、蒸着時の真空
度は３×１０^-4Ｐａ以下であり、蒸着中は２つの蒸着源
に対して基板を回転させた。

【００４３】上記発光層のパターニングと同様に、第二
電極用シャドーマスクを基板前方に配置して両者を密着
させ、基板後方には磁石を配置した。この際、図２０お
よび図２１に示したように、スペーサー４がマスク部分
３１の位置と一致するように両者は位置合わせされてい
る。この状態でアルミニウムを４００ｎｍの厚さに蒸着
して第二電極８をパターニングした。

【００４４】最後に、図１９に示したような配置におい
て、一酸化ケイ素を２００ｎｍ電子ビーム蒸着法によっ
て基板全面に蒸着して、保護層を形成した。

【００４５】上記のようにして、図２２〜２４に模式的
に示すように、幅２７０μｍ、ピッチ３００μｍ、本数
２７２本のＩＴＯストライプ状第一電極２上に、パター
ニングされたＲＧＢ発光層６と、各発光領域の全てにま
たがって平面連続的に形成された電子輸送層７を含む薄
膜層１０が形成され、前記第一電極と直交するように幅
７５０μｍ、ピッチ９００μｍのストライプ状第二電極
８が６６本配置された単純マトリクス型カラー発光装置
を作製した。ＲＧＢからなる３つの発光領域が１画素を
形成するので、本発光装置は９００μｍピッチで９０×
６６画素を有する。

【００４６】各ストライプ状第二電極はシャドーマスク
の補強線によって分断されることなく１００ｍｍの長さ
方向に渡って電気的に十分低抵抗であった。一方、幅方
向に隣り合う第二電極同士の短絡は皆無で、完全に絶縁
されていた。

【００４７】各発光領域は２７０×７５０μｍの大きさ
でＲＧＢそれぞれ独立の色で発光した。また、この発光
装置を線順次駆動することで、明瞭なパターン表示とそ
のマルチカラー化をすることが可能であった。

【００４８】実施例２ 正孔輸送層を形成するまでは実施例１と同様に行った。
次に、第一の発光層用シャドーマスクを基板前方に配置
して両者を密着させ、基板後方にはフェライト系板磁石
（日立金属社製、ＹＢＭ−１Ｂ）を配置した。この際、
図１７および図１８に示したように、ストライプ状第一
電極２がシャドーマスクのストライプ状開口部３２の中
心に位置し、補強線３３がスペーサー４の位置と一致す
るように、両者は位置合わせされている。この状態でＡ
ｌｑ₃を３０ｎｍ蒸着して、Ｇ発光層をパターニングし
た。次に、前記Ｇ発光層のパターニングと同様にして第
二の発光層用シャドーマスクを使用し、１ｗｔ％のＤＣ
ＭをドーピングしたＡｌｑ₃を４０ｎｍ蒸着して、Ｒ発
光層をパターニングした。さらに、同様にして第三の発
光層用シャドーマスクを使用し、ＤＰＶＢｉを３０ｎｍ
蒸着して、Ｂ発光層をパターニングした。

【００４９】さらに、図１９に示したような配置におい
て、ＤＰＶＢｉを９０ｎｍ、Ａｌｑ₃を３０ｎｍ基板全
面に蒸着して電子輸送層７を形成した。この後に、薄膜
層をリチウム蒸気にさらしてドーピング（膜厚換算量
０．５ｎｍ）した。

【００５０】その後、第二電極のパターニングおよび保
護層の形成は実施例１と同様に行った。

【００５１】上記のようにして、実施例１と同様の、幅
２７０μｍ、ピッチ３００μｍ、本数２７２本のＩＴＯ
ストライプ状第一電極２上に、パターニングされたＲＧ
Ｂ発光層６と、各発光領域の全てにまたがって平面連続
的に形成された電子輸送層７を含む薄膜層１０が形成さ
れ、前記第一電極と直交するように幅７５０μｍ、ピッ
チ９００μｍのストライプ状第二電極８が６６本配置さ
れた単純マトリクス型カラー発光装置を作製した。ＲＧ
Ｂからなる３つの発光領域が１画素を形成するので、本
発光装置は９００μｍピッチで９０×６６画素を有す
る。

【００５２】各ストライプ状第二電極は、実施例１と同
様に長さ方向に渡って電気的に十分低抵抗であり、短絡
は皆無であった。

【００５３】各発光領域は２７０×７５０μｍの大きさ
でＲＧＢそれぞれ独立の色で発光した。また、この発光
装置を線順次駆動することで、明瞭なパターン表示とそ
のマルチカラー化をすることが可能であった。

【００５４】実施例３ 正孔輸送層を形成するまでは実施例１と同様に行った。
次に、第一の発光層用シャドーマスクを基板前方に配置
して両者を密着させ、基板後方にはフェライト系板磁石
（日立金属社製、ＹＢＭ−１Ｂ）を配置した。この際、
図１７および図１８に示したように、ストライプ状第一
電極２がシャドーマスクのストライプ状開口部３２の中
心に位置し、補強線３３がスペーサー４の位置と一致す
るように、両者は位置合わせされている。この状態でＡ
ｌｑ₃を３０ｎｍ蒸着して、Ｇ発光層をパターニングし
た。次に、前記Ｇ発光層のパターニングと同様にして第
二の発光層用シャドーマスクを使用し、１ｗｔ％のＤＣ
ＭをドーピングしたＡｌｑ₃を３０ｎｍ蒸着して、Ｒ発
光層をパターニングした。なお、第三の発光層用シャド
ーマスクは使用せず、本実施例ではＢ発光層のパターニ
ングは行わなかった。

【００５５】さらに、図１９に示したような配置におい
て、ＤＰＶＢｉを９０ｎｍ、Ａｌｑ₃を３０ｎｍ基板全
面に蒸着してＢ発光層を兼用する電子輸送層７を形成し
た。この後に、薄膜層をリチウム蒸気にさらしてドーピ
ング（膜厚換算量０．５ｎｍ）した。その後、第二電極
のパターニングおよび保護層の形成は実施例１と同様に
行った。

【００５６】上記のようにして、図２５〜２７に模式的
に示すように、幅２７０μｍ、ピッチ３００μｍ、本数
２７２本のＩＴＯストライプ状第一電極２上に、パター
ニングされたＲＧ発光層６と、ＲＧ発光領域に対して電
子輸送層としてのみ機能するがＢ発光領域に対してはＢ
発光層としても機能する電子輸送層７を含む薄膜層１０
が形成され、前記第一電極と直交するように幅７５０μ
ｍ、ピッチ９００μｍのストライプ状第二電極８が６６
本配置された単純マトリクス型カラー発光装置を作製し
た。ＲＧＢからなる３つの発光領域が１画素を形成する
ので、本発光装置は９００μｍピッチで９０×６６画素
を有する。

【００５７】各ストライプ状第二電極は、実施例１と同
様に長さ方向に渡って電気的に十分低抵抗であり、短絡
は皆無であった。

【００５８】各発光領域は２７０×７５０μｍの大きさ
でＲＧＢそれぞれ独立の色で発光した。また、この発光
装置を線順次駆動することで、実施例２と同様に明瞭な
パターン表示とそのマルチカラー化をすることが可能で
あった。したがって、本実施例における発光層パターニ
ング工程は２回であるが、ＲＧＢの３色の発光領域を有
し、実施例２で作製したものと同様の性能をもつ有機電
界発光装置が得られたことになる。

【００５９】実施例４ 正孔輸送層を形成するまでは実施例１と同様に行った。
次に、第一の発光層用シャドーマスクを基板前方に配置
して両者を密着させ、基板後方にはフェライト系板磁石
（日立金属社製、ＹＢＭ−１Ｂ）を配置した。この際、
ストライプ状第一電極２はシャドーマスクのストライプ
状開口部３２の中心に位置するが、補強線３３はスペー
サー４の位置から少しずれるように両者を位置合わせし
た。この状態でＡｌｑ₃を３０ｎｍ蒸着してＧ発光層を
パターニングしたので、Ｇ発光領域はＧ発光層によって
完全には被覆されていない。このようにすることで、シ
ャドーマスクの位置ずれやシャドーマスクに付着した異
物などの影響を受けて、発光領域中に発光層がわずかに
存在しない欠陥部分が形成される事態を擬似的に再現し
た。

【００６０】次に、第二の発光層用シャドーマスクを使
用し、図１７および図１８に示したように、ストライプ
状第一電極２がシャドーマスクのストライプ状開口部３
２の中心に位置し、補強線３３がスペーサー４の位置と
一致するように両者を位置合わせした。この状態で１ｗ
ｔ％のＤＣＭをドーピングしたＡｌｑ₃を４０ｎｍ蒸着
して、Ｒ発光層をパターニングした。さらに、前記Ｒ発
光層のパターニングと同様にして第三の発光層用シャド
ーマスクを使用し、ＤＰＶＢｉを３０ｎｍ蒸着して、Ｂ
発光層をパターニングした。その後、電子輸送層の形
成、第二電極のパターニングおよび保護層の形成は実施
例２と同様に行った。

【００６１】上記のようにして、基本的には図２２〜２
４で模式的に示した構造と同じ、幅２７０μｍ、ピッチ
３００μｍ、本数２７２本のＩＴＯストライプ状第一電
極２上に、パターニングされたＲＧＢ発光層６と、各発
光領域の全てにまたがって平面連続的に形成された電子
輸送層７を含む薄膜層１０が形成され、前記第一電極と
直交するように幅７５０μｍ、ピッチ９００μｍのスト
ライプ状第二電極８が６６本配置された単純マトリクス
型カラー発光装置を作製した。ＲＧＢからなる３つの発
光領域が１画素を形成するので、本発光装置は９００μ
ｍピッチで９０×６６画素を有する。

【００６２】各ストライプ状第二電極は、実施例２と同
様に長さ方向に渡って電気的に十分低抵抗であり、第二
電極同士の短絡は皆無であった。

【００６３】ＲＢ発光領域は２７０×７５０μｍの大き
さでそれぞれ独立の色で発光した。Ｇ発光領域について
は、発光領域全体の大きさは同じであったが、顕微鏡観
察によりＧ発光領域の端部にわずかながらＢ発光領域が
認められた。ただし、肉眼で観察したところでは、この
わずかなＢ発光領域の存在は認識できなかった。

【００６４】この発光装置を線順次駆動することで、実
施例２と同様に明瞭なパターン表示とそのマルチカラー
化をすることが可能であった。また、前記のわずかなＢ
発光領域の存在による表示特性などへの影響も認められ
なかった。

【００６５】比較例１ 正孔輸送層を形成するまでは実施例１と同様に行った。
次に、第一の発光層用シャドーマスクを基板前方に配置
して両者を密着させ、基板後方にはフェライト系板磁石
（日立金属社製、ＹＢＭ−１Ｂ）を配置した。この際、
実施例４と同様に、ストライプ状第一電極２はシャドー
マスクのストライプ状開口部３２の中心に位置するが、
補強線３３はスペーサー４の位置から少しずれるように
両者を位置合わせした。この状態でＡｌｑ₃を３０ｎｍ
蒸着してＧ発光層をパターニングし、続けてＤＰＶＢｉ
を９０ｎｍ、Ａｌｑ₃を３０ｎｍ蒸着してＧ発光層と同
一平面形状のＧ電子輸送層をパターニングした。Ｇ発光
領域はＧ発光層およびＧ電子輸送層によって完全には被
覆されていない。このようにすることで、シャドーマス
クの位置ずれやシャドーマスクに付着した異物などの影
響を受けて、発光領域中に発光層および電子輸送層がわ
ずかに存在しない欠陥部分が形成される事態を擬似的に
再現した。

【００６６】次に、第二の発光層用シャドーマスクを使
用し、実施例４と同様に、ストライプ状第一電極２がシ
ャドーマスクのストライプ状開口部３２の中心に位置
し、補強線３３がスペーサー４の位置と一致するように
両者を位置合わせした。この状態で１ｗｔ％のＤＣＭを
ドーピングしたＡｌｑ₃を４０ｎｍ蒸着してＲ発光層を
パターニングし、続けてＤＰＶＢｉを９０ｎｍ、Ａｌｑ
₃を３０ｎｍ蒸着してＲ発光層と同一平面形状のＲ電子
輸送層をパターニングした。さらに、前記Ｒ発光層のパ
ターニングと同様にして第三の発光層用シャドーマスク
を使用し、ＤＰＶＢｉを３０ｎｍ蒸着してＢ発光層をパ
ターニングし、続けてＤＰＶＢｉを９０ｎｍ、Ａｌｑ₃
を３０ｎｍ蒸着してＢ発光層と同一平面形状のＢ電子輸
送層をパターニングした。その後、第二電極のパターニ
ングおよび保護層の形成は実施例２と同様に行った。

【００６７】上記のようにして、基本的には図２９〜３
１で模式的に示した構造と同じ、幅２７０μｍ、ピッチ
３００μｍ、本数２７２本のＩＴＯストライプ状第一電
極２上に、同一平面形状にパターニングされたＲＧＢ発
光層６およびＲＧＢ電子輸送層７を含む薄膜層１０が形
成され、前記第一電極と直交するように幅７５０μｍ、
ピッチ９００μｍのストライプ状第二電極８が６６本配
置された単純マトリクス型カラー発光装置を作製した。
ＲＧＢからなる３つの発光領域が１画素を形成するの
で、本発光装置は９００μｍピッチで９０×６６画素を
有する。

【００６８】各ストライプ状第二電極は、実施例１と同
様に長さ方向に渡って電気的に十分低抵抗であり、第二
電極同士の短絡は皆無であった。

【００６９】ＲＢ発光領域は２７０×７５０μｍの大き
さでそれぞれ独立の色で発光した。Ｇ発光領域について
は、発光領域全体の大きさがわずかに小さく、第一電極
と第二電極とが短絡に近い状態となり発光しないもの
や、発光はするもののリーク電流が多いために発光が不
安定になるものが認められた。

【００７０】この発光装置を実施例４と同様に線順次駆
動したが、非発光化したＧ発光領域が目立ち、また、リ
ーク電流に起因するクロストーク現象が発生したため、
明瞭なパターン表示をすることができなかった。

【００７１】実施例５ 発光層パターニング用として、図１０に示したマスク部
分と補強線とが同一平面内に形成された構造のシャドー
マスクを用意した。シャドーマスクの外形は１２０×８
４ｍｍ、マスク部分３１の厚さは２５μｍであり、長さ
６４ｍｍ、幅１００μｍのストライプ状開口部３２がピ
ッチ３００μｍで横方向に２７２本配置されている。各
ストライプ状開口部には、開口部と直交する幅２０μ
ｍ、厚さ２５μｍの補強線３３が１．８ｍｍおきに形成
されている。また、シャドーマスクは外形が等しい幅４
ｍｍのステンレス鋼製フレーム３４に固定されている。

【００７２】第二電極パターニング用として、図１１お
よび図１２に示したマスク部分３１の一方の面３５と補
強線３３との間に隙間３６が存在する構造のシャドーマ
スクを用意した。シャドーマスクの外形は１２０×８４
ｍｍ、マスク部分の厚さは１００μｍであり、長さ１０
０ｍｍ、幅２４５μｍのストライプ状開口部３２がピッ
チ３００μｍで横方向に２００本配置されている。マス
ク部分の上には、幅４０μｍ、厚さ３５μｍ、対向する
二辺の間隔が２００μｍの正六角形構造からなるメッシ
ュ状の補強線が形成されている。隙間の高さはマスク部
分の厚さと等しく１００μｍである。また、シャドーマ
スクは外形が等しい幅４ｍｍのステンレス鋼製フレーム
３４に固定されている。

【００７３】まず、実施例１と同様の工程で第一電極の
ＩＴＯを長さ９０ｍｍ、幅７０μｍのストライプ形状に
パターニングした。図１３に示したように、このストラ
イプ状第一電極２は１００μｍピッチで横方向に８１６
本配置されている。

【００７４】次に、実施例１と同様のフォトリソ工程に
より、図１４および図１５に示したような第一電極に直
交するスペーサー４を形成した。このスペーサーは、長
さ９０ｍｍ、幅６０μｍ、高さ４μｍであり、３００μ
ｍピッチで横方向に２０１本配置されている。また、こ
のスペーサーは良好な電気絶縁性を有していた。

【００７５】上記のシャドーマスクを使用して、実施例
２と同様にして単純マトリクス型カラー発光装置を作製
した。この発光装置では、図２２〜２４に模式的に示し
たように、幅７０μｍ、ピッチ１００μｍ、本数８１６
本のＩＴＯストライプ状第一電極２上に、パターニング
されたＲＧＢ発光層６と、各発光領域の全てにまたがっ
て平面連続的に形成された電子輸送層７を含む薄膜層１
０が形成され、前記第一電極と直交するように幅２４０
μｍ、ピッチ３００μｍのストライプ状第二電極８が２
００本配置されている。ＲＧＢからなる３つの発光領域
が１画素を形成するので、本発光装置は３００μｍピッ
チで２７２×２００画素を有する。

【００７６】各ストライプ状第二電極は、長さ方向に渡
って電気的に十分低抵抗であり、第二電極同士の短絡は
皆無であった。

【００７７】各発光領域は７０×２４０μｍの大きさで
ＲＧＢそれぞれ独立の色で発光した。また、この発光装
置を線順次駆動することで、明瞭なパターン表示とその
マルチカラー化をすることが可能であった。

【００７８】実施例６ スペーサーを形成するまでは実施例５と同様に行った。
まず、図１６に示したような配置において、水晶振動子
方式の膜厚モニター表示値で銅フタロシアニンを３０ｎ
ｍ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−
１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）
を１２０ｎｍ基板全面に蒸着して正孔輸送層５を形成し
た。

【００７９】次に、第一の発光層用シャドーマスクを基
板前方に配置して両者を密着させ、基板後方にはフェラ
イト系板磁石（日立金属社製、ＹＢＭ−１Ｂ）を配置し
た。この際、図１７および図１８に示したように、スト
ライプ状第一電極２がシャドーマスクのストライプ状開
口部３２の中心に位置し、補強線３３がスペーサー４の
位置と一致し、かつ補強線とスペーサーが接触するよう
に、両者は位置合わせされている。この状態で、０．３
ｗｔ％の１，３，５，７，８−ペンタメチル−４，４−
ジフロロ−４−ボラ３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−インダセ
ン（ＰＭ５４６）をドーピングしたＡｌｑ₃を４３ｎｍ
蒸着して、Ｇ発光層をパターニングした。次に、前記Ｇ
発光層のパターニングと同様にして第二の発光層用シャ
ドーマスクを使用し、１ｗｔ％の４−（ジシアノメチレ
ン）−２−メチル−６−（ジュロリジルスチリル）−ピ
ラン（ＤＣＪＴ）をドーピングしたＡｌｑ₃を３０ｎｍ
蒸着して、Ｒ発光層をパターニングした。さらに、同様
にして第三の発光層用シャドーマスクを使用し、ＤＰＶ
Ｂｉを４０ｎｍ蒸着して、Ｂ発光層をパターニングし
た。それぞれの発光層は図２０に示したようにストライ
プ状第一電極２の３本おきに配置され、前記第一電極の
露出部分を完全に覆っている。

【００８０】さらに、図１９に示したような配置におい
て、ＤＰＶＢｉを７０ｎｍ、Ａｌｑ₃を２０ｎｍ基板全
面に蒸着して電子輸送層７を形成した。この後に、薄膜
層１０をリチウム蒸気にさらしてドーピング（膜厚換算
量０．５ｎｍ）した。

【００８１】その後、第二電極のパターニングおよび保
護層の形成は実施例５と同様にした。上記のようにし
て、図１〜３に模式的に示すように、幅７０μｍ、ピッ
チ１００μｍ、本数８１６本のＩＴＯストライプ状第一
電極２上に、パターニングされたＲＧＢ発光層６を含む
薄膜層１０が形成され、前記第一電極と直交するように
幅２４０μｍ、ピッチ３００μｍのストライプ状第二電
極８が２００本配置された単純マトリクス型カラー発光
装置を作製した。ＲＧＢからなる３つの発光領域が１画
素を形成するので、本発光装置は３００μｍピッチで２
７２×２００画素を有する。

【００８２】各ストライプ状第二電極は、長さ方向に渡
って電気的に十分低抵抗であり、第二電極同士の短絡は
皆無であった。

【００８３】各発光領域は７０×２４０μｍの大きさで
ＲＧＢそれぞれ独立の色で発光し、発光層へのドーピン
グにより実施例５に比べて発光色純度が向上した。ま
た、シャドーマスクに付着した異物の影響により発光領
域中に発光層が存在しない部分が形成され、肉眼では確
認できないその微小領域がＢ発光したが、短絡やリーク
電流の増加は起きておらず、その発光領域が安定に発光
することを確認した。さらに、本発光装置を線順次駆動
することで、明瞭なパターン表示とそのマルチカラー化
をすることが可能であった。

【００８４】上記のように、本実施例における有機電界
発光装置の薄膜層の膜厚は実施例４に比べて薄いが、発
光層に導入された欠陥によるリーク電流の増大を実施例
４と同様に抑制することができた。

【００８５】比較例２ 正孔輸送層を形成するまでは実施例６と同様に行った。
次に、第一の発光層用シャドーマスクを基板前方に配置
して両者を密着させ、基板後方にはフェライト系板磁石
（日立金属社製、ＹＢＭ−１Ｂ）を配置した。この際、
実施例６と同様に、基板とシャドーマスクとは位置合わ
せされている。この状態で、０．３ｗｔ％の１，３，
５，７，８−ペンタメチル−４，４−ジフロロ−４−ボ
ラ３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−インダセン（ＰＭ５４６）
をドーピングしたＡｌｑ₃を４３ｎｍ蒸着してＧ発光層
をパターニングし、続けてＤＰＶＢｉを７０ｎｍ、Ａｌ
ｑ₃を２０ｎｍ蒸着して、Ｇ発光層と同一平面形状のＧ
電子輸送層をパターニングした。

【００８６】次に、第二の発光層用シャドーマスクを使
用し、１ｗｔ％の４−（ジシアノメチレン）−２−メチ
ル−６−（ジュロリジルスチリル）−ピラン（ＤＣＪ
Ｔ）をドーピングしたＡｌｑ₃を３０ｎｍ蒸着してＲ発
光層をパターニングし、続けてＤＰＶＢｉを７０ｎｍ、
Ａｌｑ₃を２０ｎｍ蒸着して、Ｒ発光層と同一平面形状
のＲ電子輸送層をパターニングした。さらに、同様にし
て第三の発光層用シャドーマスクを使用し、ＤＰＶＢｉ
を４０ｎｍ蒸着してＢ発光層をパターニングし、続けて
ＤＰＶＢｉを７０ｎｍ、Ａｌｑ₃を２０ｎｍ蒸着して、
Ｂ発光層と同一平面形状のＢ電子輸送層をパターニング
した。

【００８７】この後に、薄膜層１０全面をリチウム蒸気
にさらしてドーピング（膜厚換算量０．５ｎｍ）した。

【００８８】その後、第二電極のパターニングおよび保
護層の形成は実施例６と同様にした。上記のようにし
て、図２９〜３１に模式的に示すように、幅７０μｍ、
ピッチ１００μｍ、本数８１６本のＩＴＯストライプ状
第一電極上２に、パターニングされたＲＧＢ発光層６お
よびＲＧＢ電子輸送層７を含む薄膜層１０が形成され、
前記第一電極と直交するように幅２４０μｍ、ピッチ３
００μｍのストライプ状第二電極８が２００本配置され
た単純マトリクス型カラー発光装置を作製した。ＲＧＢ
からなる３つの発光領域が１画素を形成するので、本発
光装置は３００μｍピッチで２７２×２００画素を有す
る。

【００８９】各ストライプ状第二電極は、長さ方向に渡
って電気的に十分低抵抗であり、第二電極同士の短絡は
皆無であった。

【００９０】発光可能な発光領域は７０×２４０μｍの
大きさでＲＧＢそれぞれ独立の色で発光した。しかしな
がら、シャドーマスクに付着した異物の影響により発光
層および電子輸送層が存在しない部分が形成されたた
め、短絡やリーク電流の増加によって非発光化した発光
領域が多数認められた。本発光装置を実施例６と同様に
線順次駆動したが、非発光化した発光領域が目立ち、ま
た、リーク電流に起因するクロストーク現象が発生した
ため、明瞭なパターン表示をすることができなかった。

【００９１】

【発明の効果】本発明の有機電界発光装置には以下の効
果がある。

【００９２】（１）発光層と第二電極との間に存在する
キャリア輸送層が前記発光層と異なる平面形状を有する
ので、何らかの原因で発光層に欠陥部分が導入されても
前記キャリア輸送層が前記欠陥部分を覆うために短絡や
リーク電流の増大を抑制することが可能である。したが
って、表示特性など装置全体の特性が悪化する可能性が
より低減されるので、有機電界発光装置の信頼性が大き
く向上するという効果がある。

【００９３】（２）キャリア輸送層を、ある発光領域に
対してはキャリア輸送層としてのみ機能させ、ある発光
領域に対しては発光層としても機能させることが可能で
ある。このことを利用すれば、発光層パターニング工程
数を発光領域の発光色数より少なくすることも可能とな
るので、製造工程をより容易でき、欠陥部分が導入され
る可能性をより低減できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機電界発光装置の一例を示す平面
図。

【図２】図１のＸＸ′断面図。

【図３】図１のＹＹ′断面図。

【図４】本発明の有機電界発光装置の別の一例を示すＸ
Ｘ′断面図。

【図５】本発明の有機電界発光装置の別の一例を示すＸ
Ｘ′断面図。

【図６】本発明の有機電界発光装置の別の一例を示す平
面図。

【図７】図６のＸＸ′断面図。

【図８】図６のＹＹ′断面図。

【図９】本発明の有機電界発光装置の別の一例を示すＸ
Ｘ′断面図。

【図１０】実施例１で使用した発光層パターニング用の
シャドーマスクを示す平面図。

【図１１】実施例１で使用した第二電極パターニング用
のシャドーマスクを示す平面図。

【図１２】図１１のＸＸ′断面図。

【図１３】実施例１でパターニングした第一電極パター
ンを示す平面図。

【図１４】実施例１で形成したスペーサーを示す平面
図。

【図１５】図１４のＹＹ′断面図。

【図１６】実施例１における正孔輸送層の形成方法を説
明するＸＸ′断面図。

【図１７】実施例１における発光層パターニング方法の
一例を説明するＸＸ′断面図。

【図１８】実施例１における発光層パターニング方法の
一例を説明するＹＹ′断面図。

【図１９】実施例１における電子輸送層の形成方法を説
明するＸＸ′断面図。

【図２０】実施例１における第二電極パターニング方法
の一例を説明するＸＸ′断面図。

【図２１】実施例１における第二電極パターニング方法
の一例を説明するＹＹ′断面図。

【図２２】実施例１で製造した有機電界発光装置を示す
平面図。

【図２３】図２２のＸＸ′断面図。

【図２４】図２２のＹＹ′断面図。

【図２５】実施例３で製造した有機電界発光装置を示す
平面図。

【図２６】図２５のＸＸ′断面図。

【図２７】図２５のＹＹ′断面図。

【図２８】従来の有機電界発光素子の一例を示す断面
図。

【図２９】従来の有機電界発光装置の一例を示す断面
図。

【図３０】図２９のＸＸ′断面図。

【図３１】図２９のＹＹ′断面図。

【図３２】従来の有機電界発光装置に存在する欠陥部分
の一例を説明する平面図。

【図３３】図３２のＸＸ′断面図。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第一電極 ４ スペーサー ５ 正孔輸送層 ６ 発光層 ７ 電子輸送層 ７ａ 第一の電子輸送層 ７ｂ 第二の電子輸送層 ８ 第二電極 ９ 駆動源 １０ 薄膜層 １１ 正孔輸送材料 １２ 発光材料 １３ 電子輸送材料 １４ 第二電極材料 １５ 欠陥部分 ３０ シャドーマスク ３１ マスク部分 ３２ 開口部 ３３ 補強線 ３４ フレーム ３５ マスク部分の一方の面 ３６ 隙間

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に形成された第一電極と、前記第一
   電極上に形成された有機化合物からなる発光層と前記発
   光層上に形成されたキャリア輸送層とを少なくとも含む
   薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極とを含
   み、少なくとも前記発光層がパターニングされた有機電
   界発光装置であって、前記発光層と前記キャリア輸送層
   とがそれぞれ異なる平面形状を有することを特徴とする
   有機電界発光装置。
2. 【請求項２】キャリア輸送層が異なる色で発光する発光
   領域にまたがって平面連続的に形成されていることを特
   徴とする請求項１記載の有機電界発光装置。
3. 【請求項３】キャリア輸送層が異なる３色で発光する発
   光領域にまたがって平面連続的に形成されていることを
   特徴とする請求項１記載の有機電界発光装置。
4. 【請求項４】キャリア輸送層がすべての発光領域にまた
   がって平面連続的に形成されていることを特徴とする請
   求項１記載の有機電界発光装置。
5. 【請求項５】キャリア輸送層が少なくとも１つの発光領
   域に対して発光層を兼ねることを特徴とする請求項１記
   載の有機電界発光装置。
6. 【請求項６】第一電極は横方向に間隔をあけて基板上に
   配置された複数のストライプ状電極であり、第二電極は
   横方向に間隔をあけて配置され、前記第一電極に対して
   交差する複数のストライプ状電極であることを特徴とす
   る請求項１記載の有機電界発光装置。