KR101371407B1 - 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 87
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 전극; 상기 제1 전극과 마주하는 제 2 전극; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층을 구비하고, 상기 제2 전극은 유기 반도체층, 금속층 및 금속 산화물층이 순차적으로 적층되어 있는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
상기 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 우수한 전기적, 광학적 특성을 갖는 바, 이를 이용하면 광출력 및 효율 특성이 향상된 평판 디스플레이를 얻을 수 있으며 제조 전 공정이 열증착만으로 이루어지기 때문에 추가적인 제조 설비의 확충 없이 대면적 디스플레이 소자 제작이 가능하여 제조 원가를 낮출 수 있으며 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 우수한 전기적, 광학적 특성을 갖는 바, 이를 이용하면 광출력 및 효율 특성이 향상된 평판 디스플레이를 얻을 수 있으며 제조 전 공정이 열증착만으로 이루어지기 때문에 추가적인 제조 설비의 확충 없이 대면적 디스플레이 소자 제작이 가능하여 제조 원가를 낮출 수 있으며 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 전면 발광형 유기 발광 다이오드 (Top-Emitting Organic Light Emitting Diode (TOLED)) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열증착 공정이 가능한 저저항, 고투과율 및 공정 안정성을 가지는 새로운 구조의 투명 전극을 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 관한 것이다.
1987년 C. W. Tang과 S. A. Van Slyke가 유기 발광 다이오드를 발표한 이래로 양극은 투명하고 전도성이 좋으며 일함수가 4.7eV로 큰 ITO (indium tin oxide)막이 일반적으로 사용되고 있다. ITO로 이루어진 양극을 사용한 일반적인 OLED의 경우, 발광층으로부터 생성된 빛이 양극, 즉 ITO를 통해서 추출되는 배면 발광 (bottom-emitting)형 OLED가 된다. 그런데 능동구동 OLED (Active matrix OLED)의 경우 1개의 OLED를 구동시키기 위해서는 2개 이상의 트랜지스터가 필요하기 때문에, 이와 같은 트랜지스터 때문에 배면 발광형 OLED의 경우 발광층에서 생성된 빛이 추출되는 능력 즉 개구율이 떨어지는 단점이 있다.
이를 해결하기 위하여, 배면 (bottom) 전극으로 Ag, Al 등, 반사율이 90% 이상으로 큰 물질을 사용하고 상부 (top) 전극으로 투과도가 높은 전극 물질을 이용하여 개구율 향상 효과를 극대화할 수 있는 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 대한 연구가 진행되었다. 이와 같은 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 경우 유기 반도체 층에서 형성된 빛이 상부 투명 전극을 통하여 방출되기 때문에 고투과도, 저저항 특성을 지니는 전극 물질의 개발이 요구된다.
투명 전극으로는 일반적으로 투과도가 높고 전기 전도도가 우수한 ITO가 널리 사용되나 ITO는 스퍼터링 (sputtering), 전자선 증착법 (e-beam)과 같은 고에너지 공정에 의하여 제조되므로, 하부에 위치하는 유기 반도체 물질에 손상을 줄 수 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해서 대한민국 공개특허 제2007-0069314호에서는 열증착이 가능한 알칼리 금속과 Ag를 접합시킨 (Ca/Ag, Ba/Ag, Mg/Ag) 전극 구조를 사용하여 높은 광투과도 및 우수한 전기 전도도 특성의 투명 전극을 제조하는 방법을 제시하고 있다. 그런데, 이와 같은 알칼리 금속의 경우 수분과 산소의 침투에 취약하여 소자의 수명특성 및 안정성이 떨어질 수 있다.
또한, 대한민국 공개특허 2009-0105316호에서는 금속산화물-금속 복합구조의 투명 전극구조를 제시하고 있는데 이는 금속 산화물/금속/금속 산화물의 다층 박막을 열증착 방법으로 형성하여 높은 광투과도 및 우수한 전기 전도도 특성의 투명 전극을 제조하는 방법이다. 이 경우 열증착 방법을 이용하게 때문에 유기 반도체 층의 열화를 줄일 수 있다는 장점이 있지만 금속 산화물의 페르미 준위 (EF)가 유기 반도체의 준위와 일치하지 않아 전하 주입 특성을 저하시켜 소자의 효율을 떨어뜨리는 문제점을 일으키게 된다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 연구개발된 것으로, 유기반도체층/금속/금속산화물층의 다층 박막 구조를 이용해 낮은 전기저항, 높은 광투과율을 가지면서 발광층으로의 전하 주입이 용이한 투명 전극 구조를 제공하는 것을 해결하려는 과제로 한다.
본 발명의 다른 과제는 공정 안정성과 생산 효율이 우수한 상기 투명 전극 구조를 전극으로 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 유리 기판상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하게 배치된 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 유기 화합물층을 포함하고, 상기 제2 전극은 유기 반도체 층, 금속층, 및 금속 산화물층이 순차적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드를 제공한다.
본 발명에 따른 제2 전극의 적층 구조는 막 사이에서의 광학적 간섭현상으로 인하여 약 80% 이상의 투과율을 얻을 수 있어서 광투과율을 높이는데 유리할 뿐만 아니라, 금속층을 포함하여 전기 전도도를 높일 수 있어 저저항 전극을 구현하는데도 유리하다. 또한 작은 전자 친화력 (electron affinity) 을 갖는 유기 반도체층을 하부에 위치시킴으로써 전극에서 전자 수송층으로 주입되는 전자 주입 효율을 향상시키는데 유리하며, 특히 투명 전극 구조에 사용되는 유기 반도체층, 금속, 금속 산화물은 모두 열증착으로 형성할 수 있어, 고에너지 공정을 사용할 필요가 없어 하부 유기 화합물층의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 유기 반도체 층은 모두 열증착 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 유기 반도체 층은 Bphen, ADN, TAZ 및 BCP로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 금속층은 Ag, Al, Au, Cu 및 Pt로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 금속 산화물층은 WO3, MoO3, V2O5, NiO 및 RuO로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 유기 반도체층의 두께는 5 ~ 500Å이고, 상기 금속층의 두께는 30 ~ 300Å이며, 상기 금속 산화물층의 두께는 5 ~ 500Å인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 유기 반도체 층에는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 금속 산화물 또는 전자주개 특성을 갖는 유기 화합물이 도핑되어 있는 구조가 포함되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고 상기 제2 전극은 음극인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 제2 전극을 형성하는 단계는, 금속 산화물층, 금속층 및 유기 반도체층 순서로 적층하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 다른 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 유리 기판상에 반사전극을 형성하는 단계, 상기 반사전극 표면에 산화물층을 형성하기 위해 UV-오존 처리를 수행하는 단계, 상기 반사전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계, 상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계, 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계, 상기 발광층 상에 정공 방지층을 형성하는 단계, 상기 정공 방지층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계 및 상기 전자 수송층 상에 유기 반도체층, 금속층 및 금속 산화물층으로 이루어진 다층 박막의 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 모든 단계가 열증착을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다. 즉, 본 발명은 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 사용된 반사전극, 정공 수송층, 발광층, 정공 방지층, 전자 수송층, 및 투명전극은 전부 열증착 공정을 이용하여 제조하게 되며, 이 방법은 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정과 같은 고에너지 공정을 사용하지 않아 하부에 위치한 유기물층의 손상을 방지할 수 있을 뿐 아니라, 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 비용을 낮출 수 있으며 생산 효율도 향상시킬 수도 있게 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 열증착이 가능한 물질들을 이용하여, 기존 전면 발광 구조에서 해결하지 못하였던 투명 전극 구조의 문제점들을 해결하는데 특징이 있다.
특히, 본 발명에서의 전극 구조는 산업 현장에서 실용화 가능한 낮은 면저항 특성 (~ 10 ohm/sq) 을 나타내며 70% 이상의 높은 광투과도 특성, 유기 반도체 물질을 통한 높은 전하 주입 특성 등의 장점이 있기 때문에 현재 제품으로 적용되고 있는 전면 발광형 유기 발광 다이오드에서의 투명 전극으로의 적용이 가능하다.
또한 제조의 모든 공정이 열증착만으로 이루어지기 때문에 대면적 제작시 발생하였던 고 제조비용과 낮은 생산성의 문제점들을 해결할 수 있어 전면 발광형 유기발광 다이오드의 대면적화에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 기대된다.
도 1은 본 발명에 따른 투명 전극 구조를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 투명 전극 구조를 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 구조를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드 층들의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 레벨 및 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) 레벨의 차이를 개략적으로 도시한 에너지밴드 다이어그램이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극 구조인 BCP/Ag/MoO3의 Ag 두께에 따른 가시광선 영역에서의 광투과도 특성을 도시한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극 구조인 BCP/Ag/MoO3와 일반적인 전극 물질인 Ag, Ca/Ag 전극의 가시광선 영역에서의 광투과도 특성을 도시한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 전압-전류밀도 특성을 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 전류 밀도-휘도 특성을 도시한 그래프이다.
도 2는 본 발명에 따른 투명 전극 구조를 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 구조를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드 층들의 HOMO (highest occupied molecular orbital) 레벨 및 LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) 레벨의 차이를 개략적으로 도시한 에너지밴드 다이어그램이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극 구조인 BCP/Ag/MoO3의 Ag 두께에 따른 가시광선 영역에서의 광투과도 특성을 도시한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극 구조인 BCP/Ag/MoO3와 일반적인 전극 물질인 Ag, Ca/Ag 전극의 가시광선 영역에서의 광투과도 특성을 도시한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 전압-전류밀도 특성을 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 전류 밀도-휘도 특성을 도시한 그래프이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 또한 도면에서 막 또는 영역들의 크기 또는 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 투명 전극 구조를 나타낸 것이다. 도 1에서 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 투명 전극은 하부의 유기 반도체층, 그 위의 금속층, 최상부의 금속 산화물층으로 이루어진 3층의 적층 구조로 이루어진다.
상기 투명전극의 유기 반도체층으로는 낮은 전자 친화도를 가지며 전자 주입특성이 우수한 BCP가 가장 적절하게 사용될 수 있다. 상기 투명전극의 금속층으로는 플라즈몬 프리퀀시(plasmon frequency)가 높은 Ag, Al, Au, Cu, Pt 등이 사용될 수 있고 상기 금속 산화물층으로는 굴절율이 큰 WO3, MoO3, V2O5, NiO 등이 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 BCP/Ag/MoO3 구조의 투명전극을 형성하였는데, BCP와 MoO3는 열증착법으로 각각 100Å과, 300Å을 증착하였으며 Ag의 두께는 그 두께에 따른 광투과율을 확인하기 위하여 100Å, 150Å, 300Å, 800Å로 변화시켜 증착하였다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극 구조를 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드 구조를 나타낸 것이다.
구체적으로, 본 발명의 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 유리 기판상에 반사전극이 형성되어 있으며, 상기 반사전극은 100nm 두께의 Ag 막으로 구성하였다. 또한, 상기 반사전극상에는 정공 주입층이 형성되어 있고, 상기 정공 주입층은 1nm 두께의 CuO로 구성한다. 또한, 상기 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있고, 상기 정공 수송층은 70nm 두께의 α-NPD로 구성한다. 또한, 상기 정공 수송층 상에는 발광층이 형성되어 있고, 상기 발광층은 40nm 두께의 Alq3로 구성한다. 또한, 상기 발광층 상에는 정공 방지층이 형성되어 있고, 상기 정공 방지층은 5nm 두께의 BCP로 구성한다. 또한, 상기 정공 방지층 상에는 전자 수송층이 형성되어 있고, 상기 전자 수송층은 20nm 두께의 Alq3로 구성한다. 특히 상기 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 사용된 반사전극, 정공 주입층, 발광층, 정공 방지층, 전자 수송층 및 투명전극은 전부 열증착 공정을 이용하여 제조하였으며, 증착은 진공도 1×10-6torr의 진공도에서 1 ~ 5Å/sec의 증착속도로 수행하였다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 각 층들의 HOMO 레벨 및 LUMO 레벨의 차이를 개략적으로 도시한 에너지밴드 다이어그램이다. 도 3에 보여진 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 우수한 전자 주입 효율 특성을 유지할 수 있어서 우수한 전기적 특성을 유지하면서 광학적 특성이 향상된 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 구현을 가능하게 한다.
도 4는 본 발명의 전면 발광형 유기발광 다이오드의 투명전극으로 기판상에 열증착된 BCP/Ag/MoO3의 Ag두께에 따른 가시 광선 영역에서의 광투과도를 도시한 그래프이다. 도 4에서 보여진 바와 같이 유리 위에 증착된 BCP/Ag/MoO3 전극구조는 Ag의 두께가 증가함에 따라 광투과도가 감소하는 특성을 나타내었는데, 100Å인 경우 가시광선 영역에서 75%의 가장 높은 광투과도 특성을 나타내었으며 150Å인 경우 64.5%의 비교적 높은 광투과도 특성을 나타내고 있다. 300Å인 경우와 800Å인 경우 각각 22.2%와, 0.3%의 낮은 광투과도 특성을 나타내고 있어 이 영역에서는 전면 발광형 유기 발광다이오드의 투명 전극으로서 사용하기에 적합하지 않음을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극 구조인 BCP/Ag/MoO3와 일반적인 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 투명 전극 물질인 Ag, Ca/Ag 전극의 가시광선 영역에서의 광투과도 특성을 도시한 그래프이다. 증착 기판은 유리를 사용하였으며 BCP/Ag/MoO3 (100/150/300Å), Ag (100Å), Ca/Ag (100/100Å)을 각각 증착하여 가시광선 영역에서의 광투과도를 측정하였다.
도 5에서 보여지는 바와 같이, BCP/Ag/MoO3의 경우 Alq3의 발광영역인 520 nm에서 75.4%의 광투과도 특성을 나타내는데 비해 Ag의 경우 47.9%, Ca/Ag의 경우 69.8%로 상대적으로 낮은 광투과도 특성을 나타내었다. 따라서 본 발명의 투명 전극 구조인 BCP/Ag/MoO3를 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 적용할 경우 소자의 광추출 효율 향상이 가능할 것으로 예상할 수 있다.
도 6은 본 발명의 전면 발광형 유기 발광 다이오드와 Ca/Ag 전극을 사용한 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 전압-전류밀도 특성을 도시한 그래프이다.
구체적으로, 본 발명의 투명 전극 사용에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 전기적 특성을 알아보기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극인 BCP/Ag/MoO3와 일반적인 투명 전극 물질로 알려진 Ca/Ag를 사용한 두 가지 종류의 전면 발광형 유기 발광 다이오드를 제작하여 소자의 전압-전류밀도 특성을 측정하였다.
구체적으로, 유리 기판상에 반사전극을 형성한다. 상기 반사전극은 Ag 막으로 형성한다. 이어서, 상기 반사전극인 Ag 막 표면에 금속 산화물을 형성하고 공정 중에 발생한 표면 탄소를 제거하기 위해서 UV-오존 처리를 수행한다. 반사전극인 Ag 막의 UV-오존 처리는 대기 분위기에서 30초간 수행하였다. 상기 반사전극인 Ag 막의 UV-오존 처리는 필요에 따라 수행하지 않을 수 있다.
그리고, 상기 반사전극 상에 정공 주입층으로 CuO 막을, CuO 막 위에 정공 수송층으로 α-NPD 막을, α-NPD 위에 발광층으로 Alq3막을, Alq3막 위에 정공 방지층으로 BCP 막을, BCP 막 위에 전자 수송층으로 Alq3막을 형성한다.
상기 전자 수송층 위에는 유기 반도체/금속/금속 산화물 구조로 이루어진 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극을 형성한다. 구체적으로 상기 유기 반도체층은 5 ~ 500Å의 두께의 BCP로, 상기 금속층은 30 ~ 300Å의 두께의 Ag로, 상기 금속 산화물층은 5 ~ 500Å의 두께의 MoO3로 형성하였다.
이때, 상기 전면 발광형 유기 발광 다이오드를 구성하는 반사전극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 정공 방지층, 전자 수송층, 투명 전극은 전부 열증착법으로 형성하였다.
도 6에서, BCP/Ag/MoO3는 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 투명전극으로 BCP/Ag/MoO3 (100/150/300Å)를 사용한 소자를 나타내며, Ca/Ag는 투명전극으로 Ca/Ag (100/100Å)를 사용한 소자를 나타낸다. 도 6에서 보듯이 투명전극으로 BCP/Ag/MoO3를 사용한 소자와 Ca/Ag를 사용한 소자 모두 각각 7.9V, 7.6V의 유사한 개시전압 특성을 나타내고 있다.
이것은 본 발명의 투명 전극 물질인 BCP/Ag/MoO3의 전자 주입 효율이 일반적인 투명 전극물질로 알려진 Ca/Ag만큼 우수한 효율을 가지기 때문에 Ca/Ag를 사용한 소자와 유사한 전기적 특성을 나타내게 되는 것이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 전류밀도-휘도 특성을 도시한 그래프이다.
구체적으로, 본 발명의 투명 전극 사용에 따른 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 광학적 특성을 알아보기 위하여 본 발명의 투명 전극인 BCP/Ag/MoO3와 일반적인 투명 전극 물질로 알려진 Ca/Ag를 사용한 두 가지 종류의 전면 발광형 유기 발광 다이오드를 제작하여 소자의 전류밀도-휘도 특성을 측정하였다.
전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조방법은 상기 도 6에서 언급한 제조방법과 동일한 방법을 이용하였다.
도 7에서, BCP/Ag/MoO3는 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 투명전극으로 BCP/Ag/MoO3 (100/150/300Å)를 사용한 소자를 나타내며, Ca/Ag는 투명전극으로 Ca/Ag (100/100Å)를 사용한 소자를 나타낸다. 도 7에서 보듯이 투명전극으로 BCP/Ag/MoO3를 사용한 소자와 Ca/Ag를 사용한 소자 모두 유사한 광출력 특성을 나타내고 있다. 최대휘도의 경우 BCP/Ag/MoO3, Ca/Ag 각각 6600, 6320 cd/m2으로 유사한 특성을 나타내고 있다.
이것은 본 발명의 투명 전극 물질인 BCP/Ag/MoO3의 높은 광투과도 특성으로 인해 Ca/Ag를 사용한 소자와 유사한 광학적 특성을 나타내는 것으로 해석된다.
Claims (11)
- 유리 기판상에 형성된 제1 전극;
상기 제1 전극과 대향하게 배치된 제2 전극;
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 유기 화합물층을 포함하고,
상기 제2 전극은 유기 반도체층, 금속층, 및 금속 산화물층이 순차적으로 적층되어 있으며,
상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 유기 화합물층이 열증착 공정을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 유기 반도체 층이 Bphen, ADN, TAZ 및 BCP로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속층이 Ag, Al, Au, Cu 및 Pt로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 산화물층이 WO3, MoO3, V2O5, NiO 및 RuO로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드. - 제 1 항에 있어서,
상기 유기 반도체층의 두께는 5 ~ 500Å인 전면 발광형 유기 발광 다이오드. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속층의 두께는 30 ~ 300Å인 전면 발광형 유기 발광 다이오드. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 산화물층의 두께는 5 ~ 500Å인 전면 발광형 유기 발광 다이오드. - 제 1 항에 있어서,
상기 유기 반도체 층에 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 금속 산화물 또는 전자주개 특성을 갖는 유기 화합물이 도핑되어 있는 구조를 포함하는 전면 발광형 유기 발광 다이오드. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 양극이고 상기 제2 전극은 음극인 전면 발광형 유기 발광 다이오드. - 유리 기판상에 반사전극을 형성하는 단계;
상기 반사전극 표면에 산화물층을 형성하기 위해 UV-오존 처리를 수행하는 단계;
상기 반사전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;
상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;
상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;
상기 발광층 상에 정공 방지층을 형성하는 단계;
상기 정공 방지층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및
상기 전자 수송층 상에 유기 반도체층, 금속층 및 금속 산화물층으로 이루어진 다층 박막의 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 모든 단계가 열증착을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전면 발광형 유기 발광 소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR20110119245A KR20110119245A (ko) | 2011-11-02 |
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Family
ID=45390869
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR101371407B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030044188A (ko) * | 2001-11-29 | 2003-06-09 | 강명구 | 다층구조로 제작한 백색유기전계발광소자 |
| JP2009295822A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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- 2010-04-27 KR KR1020100038848A patent/KR101371407B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20030044188A (ko) * | 2001-11-29 | 2003-06-09 | 강명구 | 다층구조로 제작한 백색유기전계발광소자 |
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| Title |
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| S.Y. Ryu et al., "Transparednt organic light-emitting diodes consisting of a metal oxide multilayer cathode", APL, Vol.92, pp.23306-1~3; 2008.1.16. * |
| S.Y. Ryu et al., "Transparednt organic light-emitting diodes consisting of a metal oxide multilayer cathode", APL, Vol.92, pp.23306-1~3; 2008.1.16.* |
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|---|---|
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