CN104795505A - 一种有机发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管，用以提高有机发光二极管的发光效率，所述有机发光二极管包括：上基板、下基板、电子传输层、空穴传输层、发光层；所述电子传输层和/或空穴传输层为钙钛矿-有机无机杂化层。

Description

一种有机发光二极管
技术领域
本发明涉及照明技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管。
背景技术
在有机发光技术领域，发光器件为有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode，OLED)。
OLED的结构主要包括：阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极等功能层。
其中，OLED结构中的各功能层，均会影响OLED的发光效率。比如，电子传输层、空穴传输层的载流子迁移率较高时，OLED的发光效率较高。
在现有技术中，OLED的电子传输层、空穴传输层均为有机层，载流子迁移率较低，从而，OLED的发光效率就较低。目前，OLED的发光效率还有待进一步提高。
发明内容
本发明实施例提供一种有机发光二极管，用以提高有机发光二极管的出光效率。
本发明实施例提供的有机发光二极管OLED，包括：
上基板、下基板、电子传输层、空穴传输层、发光层；所述电子传输层和/或空穴传输层为钙钛矿-有机无机杂化层。
可选的，所述钙钛矿-有机无机杂化层为卤化铅甲胺层。
可选的，所述钙钛矿-有机无机杂化层的厚度为20-50nm。
可选的，所述钙钛矿-有机无机杂化层的厚度为35nm。
可选的，所述发光层为铱配合物层。
可选的，所述铱配合物层为Ir(piq)2(acac)层、Ir(ppy)3层、或FIrpic层。
本申请实施例提供的一种OLED，包括：上基板、下基板、电子传输层、空穴传输层、发光层；所述电子传输层和/或空穴传输层为钙钛矿-有机无机杂化层。由于有机无机杂化层作为电子传输层和空穴传输层，其不同于有机层，其载流子迁移率可达到8cm2/(V·s)以上，远远高于纯有机材料的载流子迁移率。因此，载流子迁移率较高的电子传输层和空穴传输层可有效提高激子产生的效率，从而可有效提高电子和空穴的复合效率，进而可有效提高OLED的发光效率。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的OLED结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参见图1，为本发明实施例提供的OLED结构示意图，包括：
下基板1；
依次位于下基板1上的阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、阴极6、上基板7。
其中，电子传输层5和/或空穴传输层3为有机无机杂化层，即电子传输层5和空穴传输层3至少之一为有机无机杂化层。
所述的有机无机杂化层是指有机无机杂化材料形成的膜层，该有机无机杂化层是有机材料和无机材料在微观结构上的一种结合，此如，有机无机杂化层是有机和无机成分通过弱作用力或强作用力结合而成的膜层。
OLED的发光原理为：电子和空穴分别从阴极和阳极向电极之间的有机活性层注入；电子和空穴在电场作用下，正负载流子在器件中相向输运；电子和空穴复合产生激子；激子经过辐射跃迁产生光。
由此可见，电子和空穴的复合效率决定了激子产生的效率，进而决定了发光效率。而电子和空穴的复合效率又由电子传输层和空穴传输层中正负载流子的注入势垒和传输速率决定，即电子传输层和空穴传输层的载流子迁移率和能级结构是影响电子和空穴复合效率的重要因素。
现有技术中，电子传输层和空穴传输层为有机层，而本申请实施例提供的有机无机杂化层作为电子传输层和空穴传输层，其不同于有机层，其载流子迁移率可达到8cm2/(V·s)以上，远远高于纯有机材料的载流子迁移率。因此，载流子迁移率较高的电子传输层和空穴传输层可有效提高激子产生的效率，从而可有效提高电子和空穴的复合效率，进而可有效提高OLED的发光效率。
由于有机无机杂化层具备无机材料的性质也具备有机材料的性质，因此，其具有电子传输能力和空穴传输能力，可同时作为电子传输层和空穴传输层。
当电子传输层和空穴传输层均为有机无机杂化层，且材料相同时，可简化OLED的制作工艺，节约成本。
在本发明中，所述有机无机杂化层可以为钙钛矿-有机无机杂化层，即具有钙钛矿结构的有机无机杂化层。
所述钙钛矿-有机无机杂化层可以为卤化铅甲胺层，如，氯化铅甲胺(CH3NH3PbCl3)层、溴化铅甲胺(CH3NH3PbBr3)层或碘化铅甲胺层(CH3NH3PbI3-xClx)等，或者还可以为选用N-(1-萘基)乙烯二胺二氢酸盐与碘化铅合成的具有钙钛矿结构的晶体材料(C12H14N2·2HI)2PbI2。
在本发明实施例中，若电子传输层和空穴传输层为卤化铅甲胺层时，载流子迁移率还可以根据卤素离子(Cl、Br、I)含量或类型的改变进行调控，对于OLED而言，可有效控制OLED的发光效率，从而使得OLED应用于不同的领域。
可选的，所述的钙钛矿-有机无机杂化层的厚度为20-50nm。
可选的，所述钙钛矿-有机无机杂化层的厚度为35nm。
可选的，所述发光层为磷光材料，如铱配合物层、铕配合物层等。
可选的，所述铱配合物层可以为分别发红光、绿光、蓝光的Ir(piq)2(acac)层、Ir(ppy)3层、或FIrpic层。
当然，本发明实施例中的发光层的材料不限于磷光材料，此如，也可以是荧光材料，这里不再赘述。
本申请实施例提供的一种OLED，由于有机无机杂化层作为电子传输层和空穴传输层，其不同于有机层，其载流子迁移率可达到8cm2/(V·s)以上，远远高于纯有机材料的载流子迁移率。因此，载流子迁移率较高的电子传输层和空穴传输层可有效提高激子产生的效率，从而可有效提高电子和空穴的复合效率，进而可有效提高OLED的发光效率。
以上仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (6)

1.一种有机发光二极管OLED，包括：上基板、下基板、电子传输层、空穴传输层、发光层；其特征在于，所述电子传输层和/或空穴传输层为钙钛矿-有机无机杂化层。
2.如权利要求1所述的OLED，其特征在于，所述钙钛矿-有机无机杂化层为卤化铅甲胺层。
3.如权利要求1所述的OLED，其特征在于，所述钙钛矿-有机无机杂化层的厚度为20-50nm。
4.如权利要求3所述的OLED，其特征在于，所述钙钛矿-有机无机杂化层的厚度为35nm。
5.如权利要求1～4任一权项所述的OLED，其特征在于，所述发光层为铱配合物层。
6.如权利要求5所述的OLED，其特征在于，所述铱配合物层为Ir(piq)2(acac)层、Ir(ppy)3层、或FIrpic层。
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