CN105633295A - 有机发光二极管荧光器件结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机发光二极管荧光器件结构及其制作方法，该器件结构包括依次设置的阳极层、空穴注入层、发光层、电子注入层、以及阴极层，所述发光层的上表面和下表面中至少有一面设有限制层，所述限制层的三线态能级高于与所述发光层的三线态能级。采用三线态能级高于发光层的三线态能级的限制层设于发光层处，将三线态激子限制在发光层内，增加三线态激子融合的几率，使得三线态激子融合后产生单线激子，从而产生荧光光谱，使得荧光器件内量子效率由25％提高到40％，器件效率实际提高了60％。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种有机发光二极管荧光器件结构及其制作方法。
背景技术
最近几年，OLED(有机发光二极管)的发展得到科研界和工业界的广泛关注，OLED显示屏已经步入人们的生活，目前的OLED显示行业一般采用RGB技术，其中红光与绿光器件一般采用磷光材料，可以实现100％的内量子效率，而蓝光器件依然在效率以及寿命方面需要多方面的改进，由于磷光蓝色器件的寿命比较短，因此目前的蓝光OLED器件一般采用荧光体系，由于荧光材料的内量子效率为25％，其余75％的能量都被白白浪费掉，其发光效率比较差，因此如何提高蓝光器件的效率和稳定性是目前急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种有机发光二极管荧光器件结构及其制作方法，可以解决荧光材料的器件内量子效率低、发光效率差的问题。
实现上述目的的技术方案是：
本发明一种有机发光二极管荧光器件结构，包括从下至上依次设置的阳极层、空穴注入层、发光层、电子注入层、以及阴极层，所述发光层的上表面和下表面中至少有一面设有限制层，所述限制层的三线态能级高于与所述发光层的三线态能级。
采用三线态能级高于发光层的三线态能级的限制层设于发光层处，将三线态激子限制在发光层内，增加三线态激子融合的几率，使得三线态激子融合后产生单线激子，从而产生荧光光谱，使得荧光器件内量子效率由25％提高到40％，器件效率实际提高了60％。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的进一步改进在于，所述空穴注入层的空穴注入能力大于所述电子注入层的电子注入能力，发光区域靠近阴极时，所述限制层包括设于所述发光层的上表面的第一限制层，所述第一限制层具有电子传输能力，并作为电子传输层；若第一限制层电子传输能力较差，须在所述第一限制层和所述电子注入层之间设有电子传输层。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的进一步改进在于，所述空穴注入层的空穴注入能力小于所述电子注入层的电子注入能力，发光区域靠近阳极时，所述限制层包括设于所述发光层的下表面的第二限制层，所述第二限制层具有空穴传输能力，并作为空穴传输层；若第二限制层空穴传输能力较差，须在所述第二限制层和所述空穴注入层之间设有空穴传输层。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的进一步改进在于在发光层两边添加限制层，限制层具有较高的三线态能级，例如可选择限制层材料为TCTA或者PO14。
本发明一种有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，包括：
提供阳极基板作为阳极层，于所述阳极层上依次制作空穴注入层、发光层、电子注入层、以及阴极层；
在制作所述发光层时，于所述发光层的上表面和下表面中的至少一面制作限制层，使所述限制层的三线态能级高于所述发光层的三线态能级。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，制作限制层包括：于所述发光层的上表面制作第一限制层，所述第一限制层设于所述电子注入层和所述发光层之间，所述第一限制层具有电子传输能力，并作为电子传输层。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，制作限制层包括：于所述发光层的上表面制作第一限制层，再于所述第一限制层和所述电子注入层之间制作电子传输层。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，所述空穴注入层的空穴注入能力大于所述电子注入层的电子注入能力。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，制作限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，所述第二限制层设于所述空穴注入层和所述发光层之间，所述第二限制层具有空穴传输能力，并作为空穴传输层。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，制作限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，于所述第二限制层和所述空穴注入层之间制作空穴传输层。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，制作限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，所述空穴注入层的空穴注入能力小于所述电子注入层的电子注入能力。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的进一步改进在于，所述限制层的材料为TCTA或者为PO14。
附图说明
图1为现有的有机发光二极管结构中省去空穴传输层和电子传输层的结构示意图；
图2为本发明有机发光二极管荧光器件结构的第一实施例的结构示意图；
图3为本发明有机发光二极管荧光器件结构的第二实施例的结构示意图；
图4为本发明有机发光二极管荧光器件结构的第三实施例的结构示意图；以及
图5为本发明有机发光二极管荧光器件结构的第四实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
请参阅图1所示，为现有的有机发光二极管结构中省去空穴传输层和电子传输层的结构示意图。现有的有机发光二极管结构包括阳极层、空穴注入层、发光层、电子注入层以及阴极层，本发明有机发光二极管荧光器结构，通过在发光层上下表面中的至少一面增加限制层，设置限制层的三线态能级高于发光层的三线态能级，使得三线态激子被限制在发光层内，三线态激子通过融合形成单线态激子，进而形成荧光光谱，提高荧光器件的内量子效率，进一步提高器件的发光效率。对于限制层的设置，发光层的两侧均设有限制层，且三线态能级均高于发光层的三线态能级，可以更好地将三线态激子限制在发光层内，提升器件效率较优。仅在发光层的一侧设置限制层时，需要根据有机发光二极管荧光器件的结构来选择，当发光层内的发光区域靠近阳极时，也就是空穴注入层的注入能力小于电子注入层的注入能力时，可以在发光层和空穴注入层之间设置限制层，也就是发光层的下表面；当发光层内的发光区域靠近阴极时，也就是空穴注入层的注入能力大于电子注入层的注入能力时，可以在发光层和电子注入层之间设置限制层，也就是发光层的上表面。选择在发光层的一侧设置限制层时，可以简化器件结构，且同样带来了提高器件效率的效果。下面结合附图对本发明有机发光二极管荧光器件结构及其制作方法进行说明。
参阅图1，显示了现有的有机发光二极管结构中省去空穴传输层和电子传输层的结构示意图。下面结合图1，对本发明有机发光二极管荧光器件结构进行说明。
如图1所示，有机发光二极管荧光器件结构包括从下至上依次设置的阳极层10、空穴注入层20、发光层30、电子注入层40、以及阴极层50，其中发光层30包括上表面301和下表面302，上表面301与电子注入层40贴合，下表面302与空穴注入层20贴合，本发明有机发光二极管荧光器件结构在上述结构的基础上，于发光层30的上表面301和下表面302中的至少一面设置有限制层，具体结构包括在发光层30的上表面301处设置限制层、在发光层30的下表面302处设置限制层、以及在发光层30的上表面301和下表面302分别设置限制层，该限制层的三线态能级高于发光层30的三线态能级，将三线态激子限制在发光层30内，使之融合产生单线态激子，形成延迟荧光光谱，提高荧光器件的内量子效率，提高器件的发光效率。
限制层为三线态激子限制层(TripletExcitionConfinementLayer(TECL)(该限制层的材料可以选择TCTA(4(4'(4″)三(咔唑)9)基)三苯胺，4(4'(4″)Tris(carbazol)9)yl)triphenylamine)，或者为PO14(2(8)双(二苯基氧膦基)二苯并呋喃，2(8)Bis)(diphenyl)phosphinoyl))dibenzofuran)。上述材料的性能如表1所示：
表1TCTA和PO14材料性能参数
三线态激子融合转化为单线态激子满足下面式(1)：
3A*+3A*→(4/9)1A+(1/9)1A*+(13/9)3A*式(1)
式(1)中的3A*为三线态激子，1A*为单线态激子，通过式(1)可知，五个三线态激子可以产生一个单线态激子，荧光器件中的原内量子效率为25％，其余的75％的三线态激子无法实现发光，通过设置限制层将三线态激子限制在发光层内，使其融合形成可以发光的单线态激子，75％的三线态激子可以转化形成15％的单线态激子，使得器件的内量子效率由原来的25％提高到了40％，有机发光二极管荧光器件的效率可以提高60％。
参阅图2，显示了本发明有机发光二极管荧光器件结构的第一实施例的结构示意图。下面结合图2，对本发明有机发光二极管荧光器件结构的第一实施例的结构进行说明。
如图2所示，在本实施例中，有机发光二极管荧光器件结构包括依次设置的阳极层10、空穴注入层20、发光层30、第一限制层801、电子注入层40、以及阴极层50，第一限制层801设于电子注入层40和发光层30之间，设置在发光层30的上表面，该第一限制层801具有电子传输能力，并作为电子传输层。第一限制层801的三线态能级高于发光层30的三线态能级，在本实施例中，空穴注入层20的注入能力大于电子注入层40的注入能力，即发光区域靠近阴极。第一限制层801选择合适的电子传输层的材料，该材料的三线态能级高于发光层30的三线态能级，且同时还具有电子传输的能力。第一限制层801采用PO14(2(8)双(二苯基氧膦基)二苯并呋喃，2(8)Bis)(diphenyl)phosphinoyl))dibenzofuran)制成。作为本发明的另一较佳实施方式，在本实施例结构的基础上，在第一限制层801和电子注入层40之间设置电子传输层，这样第一限制层801的材料选择只需满足三线态能级大于发光层30即可，无需兼顾具有电子传输能力。
参阅图3，显示了本发明有机发光二极管荧光器件结构的第二实施例的结构示意图。下面结合图3，对本发明有机发光二极管荧光器件结构的第二实施例的结构进行说明。
如图3所示，在第二实施例中，本发明有机发光二极管荧光器件结构包括依次设置的阳极层10、空穴注入层20、第二限制层802、发光层30、电子注入层40、以及阴极层50，第二限制层802设于空穴注入层20和发光层30之间，设置在发光层30的下表面，该第二限制层802具有空穴传输能力，并作为空穴传输层。第二限制层802的三线态能级高于发光层30的三线态能级，在本实施例中，空穴注入层20的注入能力小于电子注入层40的注入能力，即发光区域靠近阳极。第二限制层802选择合适的空穴传输层的材料，该材料的三线态能级高于发光层30的三线态能级，且同时还具有空穴传输的能力。第二限制层802采用TCTA(4(4'(4″)三(咔唑)9)基)三苯胺，4(4'(4″)Tris(carbazol)9)yl)triphenylamine)制成。作为本发明的另一较佳实施方式，在本实施例结构的基础上，在第二限制层802和空穴注入层20之间设置空穴传输层，这样第二限制层802的材料选择只需满足三线态能级大于发光层30即可，无需兼顾具有空穴传输能力。
参阅图4，显示了本发明有机发光二极管荧光器件结构的第三实施例的结构示意图。下面结合图4，对本发明有机发光二极管荧光器件结构的第三实施例的结构进行说明。
如图4所示，在第三实施例中，本发明有机发光二极管荧光器件结构包括依次设置阳极层10、空穴注入层20、第二限制层802、发光层30、第一限制层801、电子注入层40、以及阴极层50，在发光层30的上下表面分别设置第一限制层801和第二限制层802，且第一限制层801和第二限制层802的三线态能级高于发光层30的三线态能级。第一限制层801具有电子传输能力，并作为电子传输层，第二限制层802具有空穴传输能力，并作为空穴传输层，该第一限制层801选择合适的电子传输层的材料，该材料的三线态能级高于发光层30的三线态能级，且同时具有电子传输能力，第一限制层801的材料可以采用PO14(2(8)双(二苯基氧膦基)二苯并呋喃，2(8)Bis)(diphenyl)phosphinoyl))dibenzofuran)；第二限制层802选择合适的空穴传输层的材料，该材料的三线态能级高于发光层30的三线态能级，且同时还具有空穴传输的能力。第二限制层802的材料可以采用TCTA(4(4'(4″)三(咔唑)9)基)三苯胺，4(4'(4″)Tris(carbazol)9)yl)triphenylamine)。
参阅图5，显示了本发明有机发光二极管荧光器件结构的第四实施例的结构示意图。下面结合图5，对本发明有机发光二极管荧光器件结构的第四实施例的结构进行说明。
如图5所示，在第四实施例中，本发明有机发光二极管荧光器件结构包括依次设置的阳极层10、空穴注入层20、空穴传输层60、第二限制层802、发光层30、第一限制层801、电子传输层70、电子注入层40、以及阴极层50，在发光层30的上下表面分别设置第一限制层801和第二限制层802，且第一限制层801和第二限制层802的三线态能级高于发光层30的三线态能级。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的有益效果为：
本发明有机发光二极管荧光器件结构适用于荧光器件系统，包括红绿蓝三色荧光器件。
采用三线态能级高于发光层的三线态能级的限制层设于发光层处，将三线态激子限制在发光层内，增加三线态激子融合的几率，使得三线态激子融合后产生单线激子，从而产生荧光光谱，使得荧光器件内量子效率由25％提高到40％，器件效率实际提高了60％。
限制层的材料选择时可以兼顾具有电子和空穴传输性能，可以简化器件的整体结构，且不会影响器件的发光性能。
下面对本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法进行说明。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法包括：
结合图1所示，提供阳极基板，即阳极层10，在阳极层10上依次设置空穴注入层20、发光层30、电子注入层40、以及阴极层50，在设置发光层30时，于发光层30的上表面301和下表面301中至少一面设置限制层，该限制层的三线态能级高于发光层30的三线态能级。具体包括有：在发光层30的上表面301处设置限制层，该限制层设于发光层30和电子注入层40之间；在发光层30的下表面302处设置限制层，该限制层设于空穴注入层20和发光层30之间；在发光层30的上表面301和下表面302处均设置限制层；该限制层的三线态能级高于发光层30的三线态能级，将三线态激子限制在发光层30内，使之融合产生单线图激子，形成荧光光谱，提高荧光器件的内量子效率，提高器件的发光效率。限制层的材料可以选择TCTA(4(4'(4″)三(咔唑)9)基)三苯胺，4(4'(4″)Tris(carbazol)9)yl)triphenylamine)，或者为PO14(2(8)双(二苯基氧膦基)二苯并呋喃，2(8)Bis)(diphenyl)phosphinoyl))dibenzofuran)。
作为本发明制作方法的第一较佳实施方式，结合图2所示，在发光层30的上表面设置第一限制层801，第一限制层801作为电子传输层，具有电子传输能力。此时，器件结构中空穴注入层20的注入能力大于电子注入层40的注入能力。该第一限制层801选择合适的电子传输层的材料，该材料的三线态能级高于发光层30的三线态能级，且同时具有电子传输能力，第一限制层801的材料可以采用PO14(2(8)双(二苯基氧膦基)二苯并呋喃，2(8)Bis)(diphenyl)phosphinoyl))dibenzofuran)。另一较佳实施方式，在第一限制层801和电子注入层40之间设置电子传输层，这样第一限制层801的材料在选择时只需考虑其三线态能级大于发光层30的三线态能级即可。
作为本发明制作方法的第二较佳实施方式，结合图3所示，在发光层30的下表面设置第二限制层802，第二限制层802作为空穴传输层，具有空穴传输能力。此时，器件结构中空穴注入层20的注入能力小于电子注入层40的注入能力。第二限制层802选择合适的空穴传输层的材料，该材料的三线态能级高于发光层30的三线态能级，且同时还具有空穴传输的能力。第二限制层802的材料可以采用TCTA(4(4'(4″)三(咔唑)9)基)三苯胺，4(4'(4″)Tris(carbazol)9)yl)triphenylamine)。另一较佳实施方式，在第二限制层802和空穴注入层20之间设置空穴传输层，这样第二限制层802的材料在选择时只需考虑其三线态能级大于发光层30的三线态能级即可。
作为本发明制作方法的第三较佳实施方式，结合图4所示，在发光层30的上表面设置第一限制层801，下表面设置第二限制层802，第一限制层801具有电子传输能力，并作为电子传输层，第二限制层802具有空穴传输能力，并作为空穴传输层，第一限制层801和第二限制层802的材料选择同上，再次不再赘述。另一较佳实施方式，结合图5所示，在第一限制层801和电子注入层40之间设置电子传输层70，在第二限制层802和空穴注入层20之间设置空穴传输层60，选择第一限制层801和第二限制层802时只需考虑三线态能级大于发光层30的三线态能级即可。
本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法的有益效果为：
本发明有机发光二极管荧光器件结构的制作方法适用于荧光器件系统，包括红绿蓝三色荧光器件。
采用三线态能级高于发光层的三线态能级的限制层设于发光层处，将三线态激子限制在发光层内，增加三线态激子融合的几率，使得三线态激子融合后产生单线激子，从而产生荧光光谱，使得荧光器件内量子效率由25％提高到40％，器件效率实际提高了60％。
限制层的材料选择时可以兼顾具有电子和空穴传输性能，可以简化器件的整体结构，且不会影响器件的发光性能。
以上结合附图实施例对本发明进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本发明做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定，本发明将以所附权利要求书界定的范围作为本发明的保护范围。
Claims (16)
1.一种有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，包括阳极层、空穴注入层、发光层、电子注入层、以及阴极层，所述发光层的上表面和下表面中至少有一面设有限制层，所述限制层的三线态能级高于所述发光层的三线态能级。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层包括设于所述发光层的上表面的第一限制层，所述第一限制层具有电子传输能力，并作为电子传输层。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层包括设于所述发光层的上表面的第一限制层，所述第一限制层和所述电子注入层之间设有电子传输层。
4.如权利要求2或3所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述空穴注入层的空穴注入能力大于所述电子注入层的电子注入能力。
5.如权利要求1或2所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层包括设于所述发光层的下表面的第二限制层，所述第二限制层具有空穴传输能力，并作为空穴传输层。
6.如权利要求1或3所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层包括设于所述发光层的下表面的第二限制层，所述第二限制层和所述空穴注入层之间设有空穴传输层。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层包括设于所述发光层的下表面的第二限制层，所述空穴注入层的空穴注入能力小于所述电子注入层的电子注入能力。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管荧光器件结构，其特征在于，所述限制层的材料为TCTA或者PO14。
9.一种有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供阳极基板作为阳极层，于所述阳极层上依次制作空穴注入层、发光层、电子注入层、以及阴极层；
在制作所述发光层时，于所述发光层的上表面和下表面中的至少一面制作限制层，使所述限制层的三线态能级高于所述发光层的三线态能级。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，制作限制层包括：于所述发光层的上表面制作第一限制层，所述第一限制层设于所述电子注入层和所述发光层之间，所述第一限制层具有电子传输能力，并作为电子传输层。
11.如权利要求9所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，制作限制层包括：于所述发光层的上表面制作第一限制层，再于所述第一限制层和所述电子注入层之间制作电子传输层。
12.如权利要求10或11所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，所述空穴注入层的空穴注入能力大于所述电子注入层的电子注入能力。
13.如权利要求9或10所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，制作限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，所述第二限制层设于所述空穴注入层和所述发光层之间，所述第二限制层具有空穴传输能力，并作为空穴传输层。
14.如权利要求9或11所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，制作限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，于所述第二限制层和所述空穴注入层之间制作空穴传输层。
15.如权利要求9所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，制作限制层包括：于所述发光层的下表面制作第二限制层，所述空穴注入层的空穴注入能力小于所述电子注入层的电子注入能力。
16.如权利要求9所述的有机发光二极管荧光器件结构的制作方法，其特征在于，所述限制层的材料为TCTA或者PO14。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102270751A (zh) * | 2011-07-26 | 2011-12-07 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种有机电致磷光发光器件及其制备方法 |
| CN102428588A (zh) * | 2009-05-22 | 2012-04-25 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件 |
| CN102738414A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-17 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种蓝光荧光有机发光二极管及其制备方法 |
| US8343636B2 (en) * | 2006-05-09 | 2013-01-01 | University Of Washington | Crosslinkable hole-transporting materials for organic light-emitting devices |
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Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7037599B2 (en) * | 2003-02-28 | 2006-05-02 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diodes for production of polarized light |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8415473B2 (en) * | 2004-10-29 | 2013-04-09 | Versitech Limited | Luminescent gold(III) compounds for organic light-emitting devices and their preparation |
| US8343636B2 (en) * | 2006-05-09 | 2013-01-01 | University Of Washington | Crosslinkable hole-transporting materials for organic light-emitting devices |
| CN102428588A (zh) * | 2009-05-22 | 2012-04-25 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件 |
| CN102270751A (zh) * | 2011-07-26 | 2011-12-07 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种有机电致磷光发光器件及其制备方法 |
| CN102738414A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-17 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种蓝光荧光有机发光二极管及其制备方法 |
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