CN106784358A - 一种白光有机电致发光器件 - Google Patents

一种白光有机电致发光器件 Download PDF

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CN106784358A CN201710021106.3A CN201710021106A CN106784358A CN 106784358 A CN106784358 A CN 106784358A CN 201710021106 A CN201710021106 A CN 201710021106A CN 106784358 A CN106784358 A CN 106784358A
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罗东向
杨炎锋
刘佰全
何俊彬
杨亿斌
牟中飞
李京波
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices

Abstract

本发明公开了一种白光有机电致发光器件,所述白光有机电致发光器件以如下顺序设置:阴极;有机功能层;以及阳极;所述有机功能层包括至少三层发光层和至少两层间隔层,所述发光层之间通过所述间隔层相间设置;所述发光层包括至少一层蓝色荧光层和至少两层磷光层;所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层双极性间隔层,或所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层空穴型间隔层,或所述间隔层包含至少一层双极性间隔层和至少一层空穴型间隔层。本发明的白光有机电致发光器件具有结构简单、高效率、非掺杂等特点,该有机电致发光器件采用非掺杂技术,能有效降低工艺复杂度,减少成本,利于器件的商业化。

Description

一种白光有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及有机半导体技术领域,特别涉及一种结构简单、高效率的非掺杂的白光有机电致发光器件。
背景技术
白光OLED(Organic Light Emitting Diode)属于平面发光器件,具备超薄、形状选择度大、适合作为大面积发光光源、无需散热、加工简单等优点,被认为是下一代理想的照明光源;同时,白光OLED还可以替代普通LED光源,作为现代主流液晶显示器的背光源,实现超薄液晶显示。白光OLED还可以结合彩色滤光膜实现彩色OLED显示。并且白光OLED还可以制备成柔性器件,更好的服务于人类生活。因此白光OLED受到越来越多学术界和工业界的关注。
白光OLED根据器件结构可以分为单发光层器件和多发光层器件。实现白光OLED器件的方法主要有三种:1)荧光白光OLED,即发光层全部由荧光材料组成的白光器件;2)磷光白光OLED,即发光层全部由磷光材料组成的白光器件。对于荧光白光OLED而言,其寿命虽然长,但是器件的效率一般都低于20lm/W,对磷光白光OLED而言,其效率虽然高,但是到目前为止还没有发现合适的蓝色磷光材料,导致器件的寿命较短。对于上述两种白光OLED器件各自存在的问题,可通过混合白光器件结构或者也称杂化白光器件(hybrid white OLED),即使用稳定蓝色荧光材料与其他颜色波段的磷光材料相结合实现白光,也被成为第三种白光OLED。相对于荧光白光OLED和磷光白光OLED,杂化白光器件不仅寿命长,而且效率高。
为了满足照明与显示技术的相关需求,白光OLED必须具有高效率以及高亮度。目前高效率以及高亮度白光OLED器件,则几乎全部采用掺杂技术完成。2013年,Yang等人报道了一种非掺杂的全荧光白光OLED(J.Lumin.2013,142,231)。2014年,Wang等人报道了一种非掺杂的全磷光白光OLED(Adv.Funct.Mater.2014,24,4746)。2015年,Xue等人也报道了一种非掺杂的全磷光白光OLED(Org.Electron.2015,26,451)。
为了满足照明与显示技术的相关需求,白光OLED几乎全部采用掺杂技术完成。虽然陆续的有了非掺杂白光OLED报道,但是其数量依然屈指可数。此外,这些器件几乎都是采用全荧光材料,或者全磷光材料,这无疑限制了器件的进一步发展。
针对现有技术不足,提供一种结构简单、高效率的非掺杂的白光有机电致发光器件以克服现有技术不足甚为必要。
发明内容
本发明的目的在于提出一种新颖的、具有结构简单、高效率的非掺杂的杂化白光有机电致发光器件,该有机电致发光器件采用非掺杂技术。
本发明所采用的技术方案:一种白光有机电致发光器件,所述白光有机电致发光器件以如下顺序设置:阴极;有机功能层;以及阳极;
所述有机功能层包括至少三层发光层和至少两层间隔层,所述发光层之间通过所述间隔层相间设置;
所述发光层包括至少一层蓝色荧光层和至少两层磷光层;
所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层双极性间隔层,或所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层空穴型间隔层,或所述间隔层包含至少一层双极性间隔层和至少一层空穴型间隔层。
还设置有电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层和基板;所述阴极、电子注入层、电子传输层、有机功能层、空穴传输层、空穴注入层、阳极和基板按照从上到下的顺序依次叠层排列。
优选的,所述蓝色荧光层为波长小于500nm的蓝色光。
优选的,当两层所述磷光层中的材料相同时,所述磷光层的波长范围为530-780nm。
优选的,当两层所述磷光层中的材料不相同时,所述磷光层为绿光材料、黄光材料、橙光材料和红光材料中的任意两种材料组合,所述磷光层的波长范围为500-780nm。
优选的,所述间隔层的材料的三线态能级大于所述发光层的材料的三线态能级。
优选的,所述间隔层由电子型材料或空穴型材料或双极性材料制造而成,所述间隔层的厚度设置为0.1至15nm,或所述间隔层的厚度设置为1至6nm。
优选的,所述发光层中的蓝色荧光层的材料设置为DSA-ph、DPVBi、DPAVBi、9,10-Bis[4-(1,2,2-triphenylvinyl)phenyl]anthracene(BTPEAn)、NPB、4P-NPD、NPD、TPD发光材料;
所述发光层中的磷光层的材料设置为Ir(ppy)3、IrG2、Ir(piq)3、(MDQ)2Ir(acac)发光材料;
所述间隔层中的电子型间隔层的材料设置为Bepp2、TPBi、TmPyPB、Bphen、BCP、TAZ、OXD-7、3TPYMB、SPPO1、UGH1、UGH2、UGH3、UGH4、NBphen具有高三线态能级的一种有机材料;
所述间隔层中的空穴型间隔层设置为TAPC、NPB、TCTA、TPD、4P-NPD、m-MTDATA具有高三线态能级的一种有机材料。
所述间隔层中的双极性型间隔层设置为CBP、26DCzPPy具有高三线态能级的一种有机材料。
优选的,所述发光层中的蓝色荧光层的厚度设置为0-40nm或0.1-10nm;所述发光层中的磷光层的厚度设置为0-50nm或0.1-20nm或0-50nm。
一种用于生产一种白光有机电致发光器件的方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:在基板上以溅射方法制备ITO薄膜作为阳极;
S2:在阳极上以真空蒸镀方法制备空穴注入层;
S3:在所述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备空穴传输层;
S4:在所述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备Ir(piq)3薄膜做红色磷光层;
S5:在所述红光层上以真空蒸镀方法制备TAPC薄膜作为空穴型间隔层;
S6:在所述空穴型间隔层上以真空蒸镀方法制备DSA-ph薄膜作为蓝色荧光层;
S7:在所述蓝光层上以真空蒸镀方法制备TPBi薄膜作为电子型间隔层;
S8:在所述电子型间隔层上以真空蒸镀方法制备Ir(ppy)3薄膜作为绿色磷光层;
S9:在所述蓝光层上以真空蒸镀方法制备TPBi薄膜作为电子传输层;
S10:在所述电子传输层上以真空蒸镀方法制备LiF薄膜作为电子注入层;
S11:在所述电子注入层上以真空蒸镀方法制备Al薄膜作为阴极。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明白光有机电致发光器件采用多色有机发光材料来制备,具有结构简单、高效率特性的杂化白光OLED,且所有的有机功能层都采用非掺杂技术完成,能有效降低工艺复杂度,减少成本,利于器件的商业化。
附图说明
图1为本发明实施例1所述的一种白光有机电致发光器件的结构示意图。
图2为本发明实施例2所述的一种白光有机电致发光器件的结构示意图。
图3为本发明实施例3所述的一种白光有机电致发光器件的结构示意图。
图4为本发明实施例4所述的一种白光有机电致发光器件的电流密度-效率示意图。
图5为本发明实施例4所述的一种白光有机电致发光器件100cd/m2、色坐标为(0.33,0.44)时的光谱示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步说明本发明的技术方案。
一种白光有机电致发光器件,所述白光有机电致发光器件以如下顺序设置:阴极;有机功能层;以及阳极;
所述有机功能层包括至少三层发光层和至少两层间隔层,所述发光层之间通过所述间隔层相间设置;
所述发光层包括至少一层蓝色荧光层和至少两层磷光层;
所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层双极性间隔层,或所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层空穴型间隔层,或所述间隔层包含至少一层双极性间隔层和至少一层空穴型间隔层。
还设置有电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层和基板;所述阴极、电子注入层、电子传输层、有机功能层、空穴传输层、空穴注入层、阳极和基板按照从上到下的顺序依次叠层排列。
在本发明的具体技术方案中,所述蓝色荧光层为波长小于500nm的蓝色光,当两层所述磷光层中的材料相同时,所述磷光层的波长范围为530-780nm,当两层所述磷光层中的材料不相同时,所述磷光层为绿光材料、黄光材料、橙光材料和红光材料中的任意两种材料组合,所述磷光层的波长范围为500-780nm,所述间隔层的材料的三线态能级大于所述发光层的材料的三线态能级,所述间隔层由电子型材料或空穴型材料或双极性材料制造而成,所述间隔层的厚度设置为0.1至15nm,或所述间隔层的厚度设置为1至6nm。
在具体技术方案中,所述发光层中的蓝色荧光层的材料设置为DSA-ph、DPVBi、DPAVBi、9,10-Bis[4-(1,2,2-triphenylvinyl)phenyl]anthracene(BTPEAn)、NPB、4P-NPD、NPD、TPD发光材料;所述发光层中的磷光层的材料设置为Ir(ppy)3、IrG2、Ir(piq)3、(MDQ)2Ir(acac)发光材料;所述间隔层中的电子型间隔层的材料设置为Bepp2、TPBi、TmPyPB、Bphen、BCP、TAZ、OXD-7、3TPYMB、SPPO1、UGH1、UGH2、UGH3、UGH4、NBphen具有高三线态能级的一种有机材料;所述间隔层中的空穴型间隔层设置为TAPC、NPB、TCTA、TPD、4P-NPD、m-MTDATA具有高三线态能级的一种有机材料。
在本发明的具体技术方案中,所述间隔层中的双极性型间隔层设置为CBP、26DCzPPy具有高三线态能级的一种有机材料,所述发光层中的蓝色荧光层的厚度设置为0-40nm或0.1-10nm;所述发光层中的磷光层的厚度设置为0-50nm或0.1-20nm或0-50nm。
一种用于生产一种白光有机电致发光器件的方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:在基板上以溅射方法制备ITO薄膜作为阳极;
S2:在阳极上以真空蒸镀方法制备空穴注入层;
S3:在所述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备空穴传输层;
S4:在所述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备Ir(piq)3薄膜做红色磷光层;
S5:在所述红光层上以真空蒸镀方法制备TAPC薄膜作为空穴型间隔层;
S6:在所述空穴型间隔层上以真空蒸镀方法制备DSA-ph薄膜作为蓝色荧光层;
S7:在所述蓝光层上以真空蒸镀方法制备TPBi薄膜作为电子型间隔层;
S8:在所述电子型间隔层上以真空蒸镀方法制备Ir(ppy)3薄膜作为绿色磷光层;
S9:在所述蓝光层上以真空蒸镀方法制备TPBi薄膜作为电子传输层;
S10:在所述电子传输层上以真空蒸镀方法制备LiF薄膜作为电子注入层;
S11:在所述电子注入层上以真空蒸镀方法制备Al薄膜作为阴极。
实施例1
如图1所示,一种白光有机电致发光器件,所述白光有机电致发光器件以如下顺序设置:阴极1;有机功能层;以及阳极10;
所述有机功能层包括三层发光层和两层间隔层,所述发光层和所述间隔层相邻设置;
所述发光层包括一层蓝色荧光层6和两层磷光层4;
所述间隔层包含一层电子型间隔层5和一层双极性间隔层7。
还设置有电子注入层2、电子传输层3、空穴传输层8、空穴注入层9和基板11;所述阴极1、电子注入层2、电子传输层3、有机功能层、空穴传输层8、空穴注入层9、阳极10和基板11按照从上到下的顺序依次叠层排列。
在本发明的具体技术方案中,所述蓝色荧光层6为波长小于500nm的蓝色光,当两层所述磷光层4中的材料相同时,所述磷光层4的波长范围为530-780nm,当两层所述磷光层4中的材料不相同时,所述磷光层4为绿光材料、黄光材料两种材料组合,所述磷光层4的波长范围为500-780nm,所述间隔层的材料的三线态能级大于所述发光层的材料的三线态能级,所述间隔层由电子型材料或双极性材料制造而成,所述间隔层的厚度设置为0.1至15nm,或所述间隔层的厚度设置为1至6nm。
在具体技术方案中,所述发光层中的蓝色荧光层6的材料设置为DSA-ph、DPVBi、DPAVBi、9,10-Bis[4-(1,2,2-triphenylvinyl)phenyl]anthracene(BTPEAn)、NPB、4P-NPD、NPD、TPD发光材料;所述发光层中的磷光层4的材料设置为Ir(ppy)3、IrG2、Ir(piq)3、(MDQ)2Ir(acac)发光材料;所述间隔层中的电子型间隔层5的材料设置为Bepp2、TPBi、TmPyPB、Bphen、BCP、TAZ、OXD-7、3TPYMB、SPPO1、UGH1、UGH2、UGH3、UGH4、NBphen具有高三线态能级的一种有机材料。
在本发明的具体技术方案中,所述间隔层中的双极性型间隔层7设置为CBP、26DCzPPy具有高三线态能级的一种有机材料,所述发光层中的蓝色荧光层6的厚度设置为0-40nm;所述发光层中的磷光层的厚度设置为0-50nm。
实施例2
如图2所示,一种白光有机电致发光器件,所述白光有机电致发光器件以如下顺序设置:阴极1;有机功能层;以及阳极10;
所述有机功能层包括至少三层发光层和至少两层间隔层,所述发光层之间通过所述间隔层相间设置;
所述发光层包括一层蓝色荧光层6和两层磷光层4;
所述间隔层包含一层双极性间隔层7和一层空穴型间隔层12。
还设置有电子注入层2、电子传输层3、空穴传输层8、空穴注入层9和基板11;所述阴极1、电子注入层2、电子传输层3、有机功能层、空穴传输层8、空穴注入层9、阳极10和基板11按照从上到下的顺序依次叠层排列。
在本发明的具体技术方案中,所述蓝色荧光层6为波长小于500nm的蓝色光,当两层所述磷光层4中的材料相同时,所述磷光层4的波长范围为530-780nm,当两层所述磷光层4中的材料不相同时,所述磷光层4为橙光材料和红光材料中两种材料组合,所述磷光层4的波长范围为500-780nm,所述间隔层的材料的三线态能级大于所述发光层的材料的三线态能级,所述间隔层由空穴型材料或双极性材料制造而成,所述间隔层的厚度设置为0.1至15nm,或所述间隔层的厚度设置为1至6nm。
在具体技术方案中,所述发光层中的蓝色荧光层6的材料设置为DSA-ph、DPVBi、DPAVBi、9,10-Bis[4-(1,2,2-triphenylvinyl)phenyl]anthracene(BTPEAn)、NPB、4P-NPD、NPD、TPD发光材料;所述发光层中的磷光层4的材料设置为Ir(ppy)3、IrG2、Ir(piq)3、(MDQ)2Ir(acac)发光材料;所述间隔层中的空穴型间隔层设置为TAPC、NPB、TCTA、TPD、4P-NPD、m-MTDATA具有高三线态能级的一种有机材料。
在本发明的具体技术方案中,所述间隔层中的双极性型间隔层设置为CBP、26DCzPPy具有高三线态能级的一种有机材料,所述发光层中的蓝色荧光层6的厚度设置为0-40nm或0.1-10nm;所述发光层中的磷光层4的厚度设置为0-50nm或0.1-20nm或0-50nm。
实施例3
如图3所示,一种白光有机电致发光器件,所述白光有机电致发光器件以如下顺序设置:阴极1;有机功能层;以及阳极10;
所述有机功能层包括至少三层发光层和至少两层间隔层,所述发光层之间通过所述间隔层相间设置;
所述发光层包括一层蓝色荧光层6和两层磷光层4;
所述间隔层包含一层电子型间隔层5和至少一层空穴型间隔12。
还设置有电子注入层2、电子传输层3、空穴传输层8、空穴注入层9和基板11;所述阴极1、电子注入层2、电子传输层3、有机功能层、空穴传输层8、空穴注入层9、阳极10和基板11按照从上到下的顺序依次叠层排列。
在本发明的具体技术方案中,所述蓝色荧光层6为波长小于500nm的蓝色光,当两层所述磷光层4中的材料相同时,所述磷光层4的波长为780nm,当两层所述磷光层4中的材料不相同时,所述磷光层4为黄光材料、橙光材料两种材料组合,所述磷光层4的波长为500nm,所述间隔层的材料的三线态能级大于所述发光层的材料的三线态能级,所述间隔层由电子型材料或空穴型材料制造而成,所述间隔层的厚度设置为0.1至15nm,或所述间隔层的厚度设置为1至6nm。
在具体技术方案中,所述发光层中的蓝色荧光层6的材料设置为DSA-ph、DPVBi、DPAVBi、9,10-Bis[4-(1,2,2-triphenylvinyl)phenyl]anthracene(BTPEAn)、NPB、4P-NPD、NPD、TPD发光材料;所述发光层中的磷光层4的材料设置为Ir(ppy)3、IrG2、Ir(piq)3、(MDQ)2Ir(acac)发光材料;所述间隔层中的电子型间隔层的材料设置为Bepp2、TPBi、TmPyPB、Bphen、BCP、TAZ、OXD-7、3TPYMB、SPPO1、UGH1、UGH2、UGH3、UGH4、NBphen具有高三线态能级的一种有机材料;所述间隔层中的空穴型间隔层设置为TAPC、NPB、TCTA、TPD、4P-NPD、m-MTDATA具有高三线态能级的一种有机材料。
在本发明的具体技术方案中,所述发光层中的蓝色荧光层6的厚度设置为0-40nm或0.1-10nm;所述发光层中的磷光层4的厚度设置为0-50nm或0.1-20nm或0-50nm。
实施例4
采用如下方法制备本发明的一种白光有机电致发光器件:
其中,所制备白光有机电致发光器件的结构为:ITO/HAT-CN(100nm)/TAPC(15nm)/Ir(piq)3(0.3nm)/TAPC(3nm)/DSA-ph(0.5nm)/TPBi(1.5nm)/Ir(ppy)3(0.3nm)/TPBi(30nm)/LiF(1nm)/Al(200nm)
ITO:氧化铟锡;
HAT-CN:2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯;
NPB:(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺);
TAPC:4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]
DSA-ph:1-4-Di-[4-(N,N-diphenyl)amino]styryl-benzene
Ir(piq)3:tris(1-phenylisoquinolinolato-C2,N)iridium(III)
Ir(ppy)3:三(2-苯基吡啶)合铱
TPBi:1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯
LiF:氟化锂;
Al:铝。
该白光有机电致发光器件的结构依次由以下功能层叠加:
基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、红色磷光层、空穴型间隔层、蓝色荧光层、电子型间隔层、绿色磷光层、电子传输层、电子注入层、阴极。
上述基板为玻璃。
上述阳极为ITO薄膜。
上述空穴注入层为100nm厚的HAT-CN薄膜。
上述空穴传输层为15nm厚的TAPC薄膜。
上述红色发光层为0.3nm厚的Ir(piq)3薄膜。
上述空穴型间隔层为3nm厚的TAPC薄膜。
上述蓝色发光层为0.5nm厚的DSA-ph薄膜。
上述电子型间隔层为1.5nm厚的TPBi薄膜。
上述绿色发光层为0.3nm厚的Ir(ppy)3薄膜。
上述电子传输层为30nm厚的TPB薄膜。
上述电子注入层为1nm厚的LiF薄膜。
上述阴极为200nm厚的Al薄膜。
该有机电致发光器件A通过以下方法制备:
S1、在基板上以溅射方法制备ITO薄膜作为阳极。
S2、再在阳极上以真空蒸镀方法制备100nm的HAT-CN作为空穴注入层。
S3、在上述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备15nm厚度的TAPC薄膜作为空穴传输层。
S4、在上述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备0.3nm厚的Ir(piq)3薄膜做红光层。
S5、在上述红光层上以真空蒸镀方法制备3nm厚度的TAPC薄膜作为空穴型间隔层。
S6、在上述空穴型间隔层上以真空蒸镀方法制备0.5nm厚度的DSA-ph薄膜作为蓝光层。
S7、在上述蓝光层上以真空蒸镀方法制备1.5nm厚度的TPBi薄膜作为电子型间隔层。
S8、在上述间隔层上以真空蒸镀方法制备0.3nm厚的Ir(ppy)3薄膜作为绿光层。
S9、在上述蓝光层上以真空蒸镀方法制备30nm厚度的TPBi薄膜作为电子传输层。
S10、在上述电子传输层上以真空蒸镀方法制备1nm的LiF薄膜作为电子注入层。
S11、在上述电子注入层上以真空蒸镀方法制备200nm的Al薄膜作为阴极。
对上述制备得到的白光有机电致发光器件的性能进行检测,该白光有机电致发光器件的电流密度-效率图如图4所示,器件的最大效率17.2cd/A。白光有机电致发光器件100cd/m2时的光谱如图5所示,色坐标为(0.33,0.44)。
需要进一步说明的是,本发明的有机功能层都采用非掺杂技术完成,能有效降低工艺复杂度,减少成本。
本发明的蓝色荧光层的波长是指小于500nm范围内的蓝色光,该蓝光层使得器件可以获得蓝色光谱。
本发明的两层磷光层的中材料相同时,其波长应该与蓝光波长互补,从而得到白光。此时磷光材料的波长范围为530-780nm范围内变化。
本发明的所述两层磷光层的中材料不相同时,可以为绿光、黄光、橙光、红光材料的任意两种组合,此时磷光材料的波长范围为500-780nm范围内变化,从而与蓝光一起构成白光。
本发明的所述间隔层可以是电子型材料构成,也可以是空穴型材料构成,也可以是双极性材料构成。电子型材料是指电子迁移率大于本身空穴迁移率的材料,空穴型材料是指电子迁移率小于本身空穴迁移率的材料,双极性材料是指电子迁移率等于本身空穴迁移率的材料。
本发明的所述间隔层的三线态能级需不低于发光材料的三线态能级0.2eV,以防过多激子会被淬灭,降低器件性能。
本发明的所述间隔层至少包含一层电子型间隔层时,该间隔层相较于蓝色荧光层更靠近电子传输的。此时,另外一种间隔层可以为双极性间隔层,也可以为空穴型间隔层。这样的设置可以保证激子产生区域位于蓝色荧光层。
本发明的所述间隔层至少包含一层空穴型间隔层时,该间隔层相较于蓝色荧光层更靠近阳极。此时,另外一种间隔层可以为双极性间隔层,也可以为空穴型间隔层。这样的设置可以保证激子产生区域位于蓝色荧光层。
本发明的器件激子产生区域主要位于蓝色荧光层处,保证足够多的蓝光出射。
本发明的所述蓝光的发光层中厚度优选为0-40nm。
本发明的所述蓝光的发光层中厚度优选为0.1-10nm。
本发明的所述高三线态能级的磷光的发光层中厚度优选为0-50nm。
本发明的高三线态能级的磷光的发光层中厚度优选为0.1-20nm。
本发明的三线态能级的磷光的发光层中厚度优选为0-50nm。
本发明的三线态能级的磷光的发光层中厚度优选为0.1-20nm。
本发明的所述磷光层的中材料三线态能级优选为比蓝色荧光层中的三线态能级也要低,使得激子更好被利用,提高器件性能,这样的话,即使未被蓝光层利用的三线态激子也能通过扩散机理传输到红光层中,可以进一步的俘获激子,增加器件的效率。
本发明通过设置有基板、阳极、阴极、以及介于所述阳极与所述阴极之间的有机功能层。所述有机功能层设有发光层以及间隔层,以上所有发光层以及间隔层都采用非掺杂技术制备,所述发光层数目至少三层,至少一层蓝色荧光层、至少两层磷光层,各发光层之间用间隔层分开,至少包含两层间隔层,所述磷光层分别位于蓝色荧光层两侧,通过间隔层分开,使得器件的激子产生区位于蓝色荧光层。该器件采用多色有机发光材料来制备具有结构简单、高效率特性的杂化白光OLED。本发明所有的有机功能层都采用非掺杂技术完成,能有效降低工艺复杂度,减少成本,利于器件的商业化。
对于本领域的技术人员来说,可根据以上描述的技术方案以及构思,做出其它各种相应的改变以及变形,而所有的这些改变以及变形都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种白光有机电致发光器件,其特征在于:所述白光有机电致发光器件以如下顺序设置:阴极;有机功能层;以及阳极;
所述有机功能层包括至少三层发光层和至少两层间隔层,所述发光层之间通过所述间隔层相间设置;
所述发光层包括至少一层蓝色荧光层和至少两层磷光层;
所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层双极性间隔层,或所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层空穴型间隔层,或所述间隔层包含至少一层双极性间隔层和至少一层空穴型间隔层。
2.根据权利要求1所述的一种白光有机电致发光器件,其特征在于:还设置有电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层和基板;所述阴极、电子注入层、电子传输层、有机功能层、空穴传输层、空穴注入层、阳极和基板按照从上到下的顺序依次叠层排列。
3.根据权利要求1所述的一种白光有机电致发光器件,其特征在于:所述蓝色荧光层为波长小于500nm的蓝色光。
4.根据权利要求1所述的一种白光有机电致发光器件,其特征在于:当两层所述磷光层中的材料相同时,所述磷光层的波长范围为530-780nm。
5.根据权利要求1所述的一种白光有机电致发光器件,其特征在于:当两层所述磷光层中的材料不相同时,所述磷光层为绿光材料、黄光材料、橙光材料和红光材料中的任意两种材料组合,所述磷光层的波长范围为500-780nm。
6.根据权利要求1所述的一种白光有机电致发光器件,其特征在于:所述间隔层的材料的三线态能级大于所述发光层的材料的三线态能级。
7.根据权利要求1所述的一种白光有机电致发光器件,其特征在于:所述间隔层由电子型材料或空穴型材料或双极性材料制造而成,所述间隔层的厚度设置为0.1至15nm,或所述间隔层的厚度设置为1至6nm。
8.根据权利要求1所述的一种白光有机电致发光器件,其特征在于:所述发光层中的蓝色荧光层的材料设置为DSA-ph、DPVBi、DPAVBi、9,10-Bis[4-(1,2,2-triphenylvinyl)phenyl]anthracene(BTPEAn)、NPB、4P-NPD、NPD、TPD发光材料;
所述发光层中的磷光层的材料设置为Ir(ppy)3、IrG2、Ir(piq)3、(MDQ)2Ir(acac)发光材料;
所述间隔层中的电子型间隔层的材料设置为Bepp2、TPBi、TmPyPB、Bphen、BCP、TAZ、OXD-7、3TPYMB、SPPO1、UGH1、UGH2、UGH3、UGH4、NBphen具有高三线态能级的一种有机材料;
所述间隔层中的空穴型间隔层设置为TAPC、NPB、TCTA、TPD、4P-NPD、m-MTDATA具有高三线态能级的一种有机材料。
所述间隔层中的双极性型间隔层设置为CBP、26DCzPPy具有高三线态能级的一种有机材料。
9.根据权利要求1所述的一种白光有机电致发光器件,其特征在于:所述发光层中的蓝色荧光层的厚度设置为0-40nm或0.1-10nm;所述发光层中的磷光层的厚度设置为0-50nm或0.1-20nm或0-50nm。
10.一种用于生产根据权利要求1-9所述的一种白光有机电致发光器件的方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:在基板上以溅射方法制备ITO薄膜作为阳极;
S2:在阳极上以真空蒸镀方法制备空穴注入层;
S3:在所述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备空穴传输层;
S4:在所述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备Ir(piq)3薄膜做红色磷光层;
S5:在所述红光层上以真空蒸镀方法制备TAPC薄膜作为空穴型间隔层;
S6:在所述空穴型间隔层上以真空蒸镀方法制备DSA-ph薄膜作为蓝色荧光层;
S7:在所述蓝光层上以真空蒸镀方法制备TPBi薄膜作为电子型间隔层;
S8:在所述电子型间隔层上以真空蒸镀方法制备Ir(ppy)3薄膜作为绿色磷光层;
S9:在所述蓝光层上以真空蒸镀方法制备TPBi薄膜作为电子传输层;
S10:在所述电子传输层上以真空蒸镀方法制备LiF薄膜作为电子注入层;
S11:在所述电子注入层上以真空蒸镀方法制备Al薄膜作为阴极。
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