CN106299155A - Oled发光器件及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED发光器件，其包括依次设置的基板、透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、激子阻隔层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；其中电子传输层和发光层的主体材料相同，主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。本发明还提供一种显示装置。本发明的OLED发光器件及显示装置通过设置相同主体材料的电子传输层和发光层，提高了电子传输层的电子迁移率，进而提高了OLED发光器件的发光效率。

Description

OLED发光器件及显示装置
技术领域
本发明涉及发光材料领域，特别是涉及一种OLED发光器件及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)由于具有质轻、材料来源广、节能环保、可与柔性基底兼容等众多优点而越来越受到人们的关注，成为公认的下一代的显示和照明的光源器件。
然而结构简单，发光效率高、性能稳定并且工作寿命长的磷光OLED器件仍然是制约OLED产业化的一大技术瓶颈。这是因为传统的OLED发光器件中，电子传输层和发光层材料是选择不同的材料，这样就会造成两者的能级不匹配，同时在发光层和电子传输层的界面处会有比较大的注入能垒产生，导致对于大多数磷光主体材料来说，电子迁移率普遍低于空穴迁移率。
故，有必要提供一种OLED发光器件及显示装置，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以有效的提高电子迁移率，从而提高发光效率的OLED发光器件及显示装置；以解决现有的OLED发光器件及显示装置的电子迁移率较低，从而导致发光效率较低的技术问题。
本发明实施例提供一种OLED发光器件，其包括依次设置的基板、透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、激子阻隔层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；其中所述电子传输层和所述发光层的主体材料相同，所述主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。
在本发明所述的OLED发光器件中，所述发光层的主体材料为mNBIPO，所述发光层的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3；所述电子传输层的主体材料为TmPyPB。
在本发明所述的OLED发光器件中，所述发光层的主体材料为mNBIPO，所述发光层的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3；所述电子传输层的主体材料为mNBIPO。
在本发明所述的OLED发光器件中，所述透明阳极为ITO，所述空穴注入层为MoO3，所述空穴传输层为TAPC，所述激子阻挡层为TCTA，所述电子注入层为LiF，所述阴极为Al。
在本发明所述的OLED发光器件中，所述电子传输层和所述发光层的厚度之和为50nm-60nm。
在本发明所述的OLED发光器件中，所述发光层的厚度为15nm-25nm，所述电子传输层的厚度为35nm-45nm。
在本发明所述的OLED发光器件中，所述空穴注入层的厚度为8nm至11nm，所述空穴传输层的厚度为35nm至45nm，所述激子阻挡层的厚度为4nm至6nm，所述电子注入层的厚度为0.8nm至1.2nm，所述阴极厚度为90nm至110nm。
在本发明所述的OLED发光器件中，所述mNBIPO的结构通式如下所示：
所述Ir(ppy)3的结构通式如下所示：
所述TmPyPB的结构通式如下所示：
所述TAPC的结构通式如下所示：
所述TCTA的结构通式如下所示：
在本发明所述的OLED发光器件中，通过蒸镀的方式在所述基板上依次形成所述透明阳极、所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述激子阻隔层、所述发光层、所述电子传输层、所述电子注入层以及所述阴极。
本发明实施例还提供一种使用上述OLED发光器件的显示装置。
相较于现有的OLED发光器件及显示装置，本发明的OLED发光器件及显示装置通过设置相同主体材料的电子传输层和发光层，提高了电子传输层的电子迁移率，进而提高了OLED发光器件的发光效率；解决了现有的OLED发光器件及显示装置的电子迁移率较低，从而导致发光效率较低的技术问题。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1为本发明的OLED发光器件的第一优选实施例的结构示意图；
图2为本发明的OLED发光器件的第一优选实施例的结构能级示意图；
图3为本发明的OLED发光器件的第二优选实施例的结构示意图；
图4为本发明的OLED发光器件的优选实施例的亮度-电压-电流密度曲线图；
图5为本发明的OLED发光器件的优选实施例的功率效率-电流效率-亮度曲线图；
图6为本发明的OLED发光器件的优选实施例的外部量子效率-亮度曲线图；
图7为本发明的OLED发光器件的优选实施例的电致发光效率-波长曲线图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图1和图2，图1为本发明的OLED发光器件的第一优选实施例的结构示意图；图2为本发明的OLED发光器件的第一优选实施例的结构能级示意图。本优选实施例的OLED发光器件10包括依次设置的基板11、透明阳极12、空穴注入层13、空穴传输层14、激子阻隔层15、发光层16、电子传输层17、电子注入层18以及阴极19。其中电子传输层17和发光层16的主体材料相同，该主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。
其中可通过蒸镀的方式在基板11上依次形成透明阳极12、空穴注入层13、空穴传输层14、激子阻隔层15、发光层16、电子传输层17、电子注入层18以及阴极19。
本优选实施例的OLED发光器件10的透明阳极12的材料为ITO(Indium TinOxides，氧化铟锡)；空穴注入层13的材料为MoO3(三氧化钼)；空穴传输层14的材料为TAPC；激子阻挡层15的材料为TCTA；发光层16的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3，发光层16的主体材料为mNBIPO；电子传输层17的主体材料为TmPyPB；电子注入层18的材料为LiF(氟化锂)；阴极19的材料为Al。
其中mNBIPO的结构通式如下所示：
Ir(ppy)3的结构通式如下所示：
TmPyPB的结构通式如下所示：
TAPC的结构通式如下所示：
TCTA的结构通式如下所示：
本优选实施例的OLED发光器件中，空穴注入层13的厚度为8nm至11nm，优选为10nm；空穴传输层14的厚度为35nm至45nm，优选为40nm；激子阻挡层15的厚度为4nm至6nm，优选为5nm；发光层16的厚度为15nm-25nm，优选为20nm；电子传输层17的厚度为35nm-45nm，优选为40nm；电子注入层18的厚度为0.8nm至1.2nm，优选为1nm；阴极19厚度为90nm至110nm，优选为100nm。
请参照图3，图3为本发明的OLED发光器件的第二优选实施例的结构示意图。本优选实施例的OLED发光器件30包括依次设置的基板31、透明阳极32、空穴注入层33、空穴传输层34、激子阻隔层35、发光层36、电子传输层37、电子注入层38以及阴极39。其中电子传输层37和发光层36的主体材料相同，该主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。
本优选实施例和第一优选实施例的区别在于发光层36的主体材料为mNBIPO，电子传输层37的主体材料也为mNBIPO。
下面根据本优选实施例的OLED发光器件的参数曲线来说明本优选实施例的OLED发光器件的具体性能参数。请参照图4至图7。图4为本发明的OLED发光器件的优选实施例的亮度-电压-电流密度曲线图；图5为本发明的OLED发光器件的优选实施例的功率效率-电流效率-亮度曲线图；图6为本发明的OLED发光器件的优选实施例的外部量子效率-亮度曲线图；图7为本发明的OLED发光器件的优选实施例的电致发光效率-波长曲线图。
从以上图表中的器件数据可以看出，以经典的电子传输材料TmPyPB作为电子传输层，以mNBIPO作为磷光主体材料的OLED发光器件A(第一优选实施例)表现出良好的发光效率，ηCE,max达到了73.3cd/A，ηPE,max达到了67.1lm/W，EQEmax达到19.9％。这表明mNBIPO适合同时作为磷光主体用于电致发光器件中。
同时，相应的OLED发光器件B(第二优选实施例)的器件效率更高，分别为：ηCE,max达到了75.3cd/A，ηPE,max达到了78.5lm/W，EQEmax达到20.3％。更为重要的是OLED发光器件B的开启电压为2.7V，这表明OLED发光器件B的注入能垒很小，有利于器件功率效率的提升。OLED发光器件B的外部量子效率均在20％以上，这说明OLED发光器件B中的电子和空穴注入平衡，并且能够很好地在发光层复合发光。OLED发光器件B的EL光谱均表现出Ir(ppy)3的本征发射光谱，CIE坐标在(0.30，0.64)左右，这表明mNBIPO的三重态能量均能很好地转移到Ir(ppy)3上，最后以光的形式辐射出来。通过以上的器件数据可以说明，采用含有苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团的mNBIPO制作的电子同质OLED发光器件B，无论在器件效率还是稳定性方面都优于传统的非同质器件。
本发明还提供一种显示装置，该显示装置包括OLED发光器件，该OLED发光器件包括依次设置的基板、透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、激子阻隔层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；其中电子传输层和发光层的主体材料相同，主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。
优选的，发光层的主体材料为mNBIPO，发光层的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3；电子传输层的主体材料为TmPyPB。
优选的，发光层的主体材料为mNBIPO，发光层的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3；电子传输层的主体材料为mNBIPO。
优选的，透明阳极为ITO，空穴注入层为MoO3，空穴传输层为TAPC，激子阻挡层为TCTA，电子注入层为LiF，阴极为Al。
优选的，电子传输层和发光层的厚度之和为50nm-60nm。
优选的，发光层的厚度为15nm-25nm，电子传输层的厚度为35nm-45nm。
优选的，空穴注入层的厚度为8nm至11nm，空穴传输层的厚度为35nm至45nm，激子阻挡层的厚度为4nm至6nm，电子注入层的厚度为0.8nm至1.2nm，阴极厚度为90nm至110nm。
优选的，mNBIPO的结构通式如下所示：
Ir(ppy)3的结构通式如下所示：
TmPyPB的结构通式如下所示：
TAPC的结构通式如下所示：
所述TCTA的结构通式如下所示：
优选的，通过蒸镀的方式在基板上依次形成透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、激子阻隔层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。
本优选实施例的显示装置的具体工作原理与上述的OLED发光器件的优选实施例中的描述相同或相似，具体请参见上述OLED发光器件的优选实施例中的相关描述。
本发明的OLED发光器件及显示装置通过设置相同主体材料的电子传输层和发光层，提高了电子传输层的电子迁移率，进而提高了OED发光器件的发光效率；解决了现有的OLED发光器件及显示装置的电子迁移率较低，从而导致发光效率较低的技术问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种OLED发光器件，其特征在于，包括依次设置的基板、透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、激子阻隔层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；其中所述电子传输层和所述发光层的主体材料相同，所述主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。
2.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述发光层的主体材料为mNBIPO，所述发光层的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3；所述电子传输层的主体材料为TmPyPB。
3.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述发光层的主体材料为mNBIPO，所述发光层的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3；所述电子传输层的主体材料为mNBIPO。
4.根据权利要求2或3所述的OLED发光器件，其特征在于，所述透明阳极为ITO，所述空穴注入层为MoO3，所述空穴传输层为TAPC，所述激子阻挡层为TCTA，所述电子注入层为LiF，所述阴极为Al。
5.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述电子传输层和所述发光层的厚度之和为50nm-60nm。
6.根据权利要求5所述的OLED发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为15nm-25nm，所述电子传输层的厚度为35nm-45nm。
7.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为8nm至11nm，所述空穴传输层的厚度为35nm至45nm，所述激子阻挡层的厚度为4nm至6nm，所述电子注入层的厚度为0.8nm至1.2nm，所述阴极厚度为90nm至110nm。
8.根据权利要求4所述的OLED发光器件，其特征在于，所述mNBIPO的结构通式如下所示：
所述Ir(ppy)3的结构通式如下所示：
所述TmPyPB的结构通式如下所示：
所述TAPC的结构通式如下所示：
所述TCTA的结构通式如下所示：
9.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，通过蒸镀的方式在所述基板上依次形成所述透明阳极、所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述激子阻隔层、所述发光层、所述电子传输层、所述电子注入层以及所述阴极。
10.一种使用权利要求1-9中任一的OLED发光器件的显示装置。
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170104

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