JP2013522922A - 均一な発光密度分布を有する有機発光デバイス - Google Patents

Abstract

本発明の有機発光デバイス（１００）は、所定の辺（４０４）で互いに接する第１の側面（４００）および第２の側面を含む、光形成のための活性層（１０６）を有する。本発明の有機発光デバイスは、さらに、第１の導電型の電荷担体を前記活性層へ注入するための、前記第１の側面に沿って延在する第１のコンタクト端子と、第２の導電型の電荷担体を前記活性層へ注入するための、前記第２の側面に沿って延在する第２のコンタクト端子とを有している。前記第１の側面は前記所定の辺に接する第１の後退領域（７００）を有しており、前記第１のコンタクト端子から当該後退領域への電荷担体の注入は完全に抑圧される。

Description

本発明は有機光電デバイスに関する。

有機発光デバイスＯＬＥＤ（organic light emitting device）は、電気エネルギから電磁放射を形成するルミネセンス光形成デバイスである。このデバイスは、電磁放射を形成する少なくとも１つの有機活性層を含む。活性層はアノードとカソードとの間に配置されている。入力電位が印加されると、アノードに電荷担体としての正孔が、カソードに電荷担体としての電子が注入され、注入された正孔および電子がそれぞれ（外部から印加された電場の影響のもとで）反対極性にチャージされた電極へ漂遊し、活性層内での再結合によって、エレクトロルミネセンス発光を生じる。

したがって、ＯＬＥＤは、特に、大面積の光源として利用できるという利点を有する。ただし、このために、ＯＬＥＤは、活性層の全体にわたって、できるだけ均一な輝度分布（発光密度分布）を有する必要がある。

本発明の基礎とする課題は、できるだけ均一な発光密度分布を形成できる有機発光デバイスを提供することである。

この課題は、請求項１記載の特徴を有する有機発光デバイスによって解決される。

本発明の有機発光デバイスの有利な実施形態は従属請求項に記載されている。

基本的な有機発光デバイスを上方から見た図である。 図１の有機発光デバイスをＡ−Ａ線で切断した断面図である。 図１の有機発光デバイスをＢ−Ｂ線で切断した断面図である。 図１の有機発光デバイスの金属コンタクト層のレベルの面部分を示す平面図である。 図１の有機発光デバイスの発光密度分布を示すグラフである。 第１の実施例の有機発光デバイスを上方から見た図である。 図６の有機発光デバイスの第１の面部分を示す平面図である。 図６の有機発光デバイスの発光密度分布を示すグラフである。 第２の実施例の有機発光デバイスを上方から見た図である。 図９の有機発光デバイスの第１の面部分を示す平面図である。 図９の有機発光デバイスの第１の面部分の別の形態を示す平面図である。 図９の有機発光デバイスの発光密度分布を示すグラフである。 第３の実施例の有機発光デバイスの第１の面部分を示す平面図である。 第４の実施例の有機発光デバイスの第１の面部分を示す平面図である。 第５の実施例の有機発光デバイスの第１の面部分を示す平面図である。

発明の実施の形態
種々の実施形態を通して、有機発光デバイスは、第１の側面および所定の辺に接する第２の側面を含む、光形成のための活性層と、第１の導電型の電荷担体を活性層へ注入するために、第１の側面に沿って延在する第１のコンタクト片と、第２の導電型の電荷担体を活性層へ注入するために、第２の側面に沿って延在する第２のコンタクト片とを有している。第１の側面は所定の辺に接する第１の後退領域を有しており、第１の後退領域における第１のコンタクト片からの電荷担体の注入は抑圧される。

これにより、有機発光デバイスのうち電荷担体の供給のためのコンタクト片に近接する領域において、活性層への電荷担体の注入が制限される。ここから、活性層への電荷担体流が制限され、通常であれば電荷担体密度がきわめて高くなるはずの領域において再結合が全体的に制限され、その結果、当該領域における発光密度が活性層の他の領域とほぼ同程度となる。こうして、特に均一な発光密度分布が達成される。本発明の有機発光デバイスは、有利には、均一に発光する大面積の光源として利用可能であり、このため特に、フラット型光源を必要とする分野に適する。

本発明の有利な実施形態によれば、第１のコンタクト片は第１の後退領域の外側でのみ第１の側面に電気的に接触する。これにより、第１の後退領域に沿った電荷担体注入の抑圧が達成される。

本発明の有利な実施形態によれば、第１の後退領域における第１のコンタクト片からの電荷担体注入は完全に抑圧される。つまり、電荷担体注入は、他の端子領域から、例えば活性層の主表面を介して、もしくは、活性層を通る電荷担体流によって、行われる。このようにすれば、電荷担体流を特に強く制限できる。

本発明の有利な実施形態によれば、第１の後退領域に沿って第１のコンタクト片と活性層とのあいだに空隙が形成される。これにより、第１のコンタクト片と各側面の第１の後退領域とのあいだの電気的絶縁が特に良好に保たれるので、例えば、電荷担体注入を完全に抑圧したままこれを維持することができる。

本発明の有利な実施形態によれば、第２の側面が所定の辺に接する第２の後退領域を有し、この第２の後退領域における第２のコンタクト片からの電荷担体の注入が完全に抑圧される。このようにすれば、２つの電極すなわちカソードおよびアノードに対する側面の辺における電荷担体注入が抑圧される。当該措置により、電荷担体流の付加的なコントロールが可能となり、活性層を介した望ましくない電荷担体輸送を制限することができる。

本発明の有利な実施形態によれば、活性層は第１の主表面と第２の主表面とを有し、第１のコンタクト片を含む第１のコンタクト端子が第１の主表面を延在し、第２のコンタクト片を含む第２のコンタクト端子が第２の主表面を延在する。このようにすれば、電荷担体注入を、各コンタクト片を介してだけでなく、活性層の主表面を介しても行うことができる。

本発明の有利な実施形態によれば、第１のコンタクト端子は、導電率が第１の側面の中央から第１の後退領域へ向かって低下する導電率プロフィルを有している。これにより、コンタクト端子から出る電力線が電荷担体注入にさらに影響し、特に、第１の後退領域への移行部の電場に大きな勾配が生じることが回避され、有機発光デバイスの特に均一な発光像が得られる。

本発明の有利な実施形態によれば、第１のコンタクト端子は導電性酸化物、例えば錫酸化物を含む。この場合、第１のコンタクト端子は特には透明な電極である。

本発明の有利な実施形態によれば、第１のコンタクト端子は金属もしくは金属合金を含む。金属は特に良好な電気導体である。有利には、金属は、有機発光デバイスの放射方向の外側の領域に設けられている。金属は特に第１の側面の側方の第１のコンタクト片に設けられている。

本発明の有利な実施形態によれば、第１のコンタクト端子は第１の導電率を有し、第２のコンタクト端子は第２の導電率を有し、第１の導電率と第２の導電率とは最大で係数１０だけ異なる。２つのコンタクト端子の導電率が同じオーダーにあれば、前述した技術的手段によって、特に均一な発光密度が達成される。第１の後退領域に加えて第２の後退領域が設けられると、この効果がいっそう高まる。そうでない場合でも、辺の近傍では、各後退領域の大きさによって、電荷担体注入の度合を制御できる。このため、導電率のオーダーが異なる場合にも、良好な発光密度の均一性が得られる。

本発明の有利な実施形態によれば、有機発光デバイスは透明なＯＬＥＤとして構成される。

本発明の有利な実施形態によれば、有機発光デバイスはボトムエミッション型ＯＬＥＤとして構成される。

以下に、本発明の有機発光デバイスの種々の実施例を、図を参照しつつ、詳細に説明する。図中、参照番号の第１の桁はその要素が最初に登場した図番号を表す。なお、同一の要素ないし同様の機能を有する要素には全図を通して同じ参照番号を付してある。

図示の実施例の説明
図１には、有機発光デバイス１００を上方から見た概略図が示されている。有機発光デバイス１００は基板１０２を有する。基板１０２は、透明材料、例えば、ガラス、石英もしくはポリマーシートから成る。基板１０２上には平面状に透明なコンタクト層１０４が被着され、これが第１のコンタクト端子の一部となっている。透明なコンタクト層１０４は透明な導電性材料を含む。この材料は例えば透明な導電性酸化物ＴＣＯ（transparent conductive oxide）であってよい。ＴＣＯは一般に金属酸化物であり、例えば、亜鉛酸化物、錫酸化物、カドミウム酸化物、チタン酸化物、インジウム酸化物もしくはインジウム錫酸化物ＩＴＯである。ＳｎＯ_２，Ｉｎ_２Ｏ_３などの２金属化合物のほか、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４，ＣｄＳｎＯ_３，ＺｎＳｎＯ_３，ＭｇＩｎ_２Ｏ_４，ＧａＩｎＯ_３，Ｚｎ_２Ｉｎ_２Ｏ_５，Ｉｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２などの３金属化合物、もしくは、種々の透明な導電性酸化物とＴＣＯの群との混合物を用いることもできる。また、ＴＣＯは必ずしも化学量論的組成を有さなくてよく、高い導電率を達成するために、ｐドープもしくはｎドープされていてもよい。

透明なコンタクト層１０４上には、電磁放射を形成することのできる活性層１０６が被着される。このために、活性層１０６はエレクトロルミネセンス材料を含む機能層を有する。例えば、有機エレクトロルミネセンス材料は、蛍光もしくは燐光の発光に適したポリマーを含む。これに代えて、有機エレクトロルミネセンス材料として、蛍光もしくは燐光による発光を生じる有機小分子を用いてもよい。また、活性層１０６は、機能層に加え、他の層、例えば電荷担体輸送層を有することもできる。

図２には、図１に示されている有機発光デバイスをＡ−Ａ線に沿って切断した断面図が示されている。図２によれば、活性層１０６は透明なコンタクト層１０４の上方に被着されている。一般に、透明なコンタクト層１０４は、この透明なコンタクト層が載置される第１の主表面と、第２のコンタクト端子１０８によって覆われた第２の主表面とを有する。さらに、活性層１０６は図示の実施例では４つの側面を有しており、そのうち相互に対向する２つの短側面は第２のコンタクト端子１０８によって覆われている。第２のコンタクト端子１０８は２つの短側面において基板１０２へ突出しており、これによって、２つの短側面に沿った各コンタクト片を形成している。

対向する２つの長側面は、それぞれ、透明なコンタクト層１０４のうち活性層１０６の露出領域に接している。このことは図３から読み取れる。図３には、図１に示されている有機発光デバイスをＢ−Ｂ線に沿って切断した断面図が示されている。ここでは、基板１０２上に透明なコンタクト層１０４が被着されている。透明なコンタクト層１０４は、活性層１０６の第１の主表面によって覆われた大面積の被覆領域３００と、例えば右方および左方の露出領域３０２とを有する。活性層１０６は第２のコンタクト端子１０８によって覆われている。

露出領域３０２上には金属コンタクト層１１０が被着されているので、透明なコンタクト層１０４と金属コンタクト層１１０とによって第１のコンタクト端子の第１のコンタクト片が形成されている。金属コンタクト層１１０は必ずしも透明なコンタクト層１０４上方に配置されていなくてもよい。基本的にはその使用は任意である。同様に、例えば、金属コンタクト層１１０が透明なコンタクト層１０４の下方に配置されていたり、また、透明なコンタクト層１０４によって包囲されていたりしてもよい。金属コンタクト層１１０は特に高い電荷担体伝導性を有するという利点を有する。以下に説明する、金属コンタクト層１１０を透明なコンタクト層１０４の上方に配置する実施例では、特に、積層体を簡単に製造できるという利点が得られる。

第１のコンタクト端子は、第１の導電型の電荷担体を活性層１０６へ注入するために用いられる。ここでの電荷担体は例えば正孔である。第１のコンタクト端子はこの場合アノードである。アノードは、ふつう、導電率（面積抵抗率）約１５Ω／ｓｑのＩＴＯを含む。第２のコンタクト端子１０８は、第２の導電型の電荷担体を活性層１０６へ注入するために用いられる。ここでの電荷担体は第１の導電型の電荷担体とは反対の極性を有するものであって、例えば電子である。第２のコンタクト端子１０８はこの場合カソードである。透明なカソードは、ふつう、導電率（面積抵抗率）約５Ω／ｓｑを有する。

第１のコンタクト端子および第２のコンタクト端子１０８のコンタクト片の空間的配置について、図４に即して以下に詳細に説明する。図４には、図１に示されている有機発光デバイスを金属コンタクト層１１０のレベルで切断した断面図が示されている。基板１０２の上方に活性層１０６と第２のコンタクト端子１０８のコンタクト片とが示されている。活性層１０６は、第２のコンタクト端子１０８のコンタクト片に接する２つの短側面を有している。さらに、活性層１０６は、互いに向き合って金属コンタクト層１１０に接する２つの長側面も有している。金属コンタクト層１１０は、第１の長側面４００に沿って延在し、第１の辺４０２から第２の辺４０４にいたるまでこの第１の長側面４００に完全に接している。第２のコンタクト端子１０８は直接に第１の辺４０２および第２の辺４０４に接している。

第１のコンタクト端子および第２のコンタクト端子１０８のコンタクト片は、辺領域、例えば、第１の辺４０２および第２の辺４０４の領域では、相互に近傍に位置する。電圧が印加されると、この領域で、各コンタクト片間に生じる電場の電力線が収束する。このとき、電場Ｅと印加電圧Ｖとのあいだには、式
Ｅ＝−ｇｒａｄＶ
が成り立つ。

活性層１０６は非オーム特性を有する。これは、活性層１０６に印加される電圧Ｖと機能層を通って流れる面電流ｊ（ｘ，ｙ）とのあいだに線形の関係が生じないことを意味する。活性層１０６が例えばｐｎ接合領域である場合、ダイオードの特性は
ｌｏｇ（ｊ（ｘ，ｙ））αＶ
に相当する。

有機ルミネセンスダイオードでは、活性層１０６は例えば電圧（電位）が印加されたときに発光する有機エレクトロルミネセンス材料を含む。有機エレクトロルミネセンス材料は、例えば、蛍光もしくは燐光を発光するポリマーであってもよいし、または、同様の有機小分子であってもよい。この場合、電荷担体の輸送はホッピングプロセスもしくはトンネルプロセスによって行われる。印加電圧Ｖと活性層１０６を通って流れる電流ｊ（ｘ，ｙ）との関係は、電子チューブの電流電圧特性にしたがって、
ｊ（ｘ，ｙ）αＶ^２／３
と記述される。

電場密度が高いことにより、活性層１０６のうち第１の辺４０２および第２の辺４０４に近い領域では、活性層１０６の他の領域に比べ、高い面電流が発生する。面電流ｊ（ｘ，ｙ）によって生じる活性層１０６の発光密度Ｌは面電流に直接に比例するので、
Ｌαｊ（ｘ，ｙ）
となる。このため、第１の辺４０２および第２の辺４０４の領域では、活性層１０６の他の領域に比べて高い発光密度が得られる。このようにして得られた発光像が図５に示されている。

図５には、図１から図４に示されている有機発光デバイスの発光密度分布のグラフが示されている。このグラフは発光密度分布のシミュレーションを基礎としている。

ここでは、有機発光デバイスの光出力面での発光密度分布［ｃｄ／ｍ^２］がグレースケールの形式で示されている。横軸（Ｘ軸）は、第２のコンタクト端子１０８の各コンタクト片間の距離を左右への広がりによって表している。縦軸（Ｙ軸）は、第１のコンタクト端子のコンタクト片に沿った広がりを表している（図３を参照）。シミュレーションによれば、発光密度は、コンタクト端子間の中央で、第１の辺４０２および第２の辺４０４の近傍よりも小さいことがわかる。この場合、発光密度は、活性層１０６の中央領域での約８００ｃｄ／ｍ^２から辺領域での約１５００ｃｄ／ｍ^２まで変化している。広がりおよび発光密度のスケールは当該シミュレーションに対して選定されたものであるので、例示に過ぎないことを理解されたい。ただし、発光密度が大きく変化していることは充分に見て取れる。

図６には、第１の実施例の有機発光デバイス６００を上方から見た図が示されている。有機発光デバイス６００は、第１のコンタクト端子および第２のコンタクト端子１０８の各コンタクト片が第１の辺４０２および第２の辺４０４の領域において活性層１０６の側面から後退されている点で、図１から図４の有機発光デバイス１００と異なる。このことは特に図７からよくわかる。

図７には、第１の実施例の有機発光デバイス６００を金属コンタクト層１１０のレベルで切断した断面図が示されている。基板１０２の上方に、活性層１０６と、この活性層１０６の短側面に設けられた第２のコンタクト端子１０８の領域とが存在している。活性層１０６の長側面には金属コンタクト層１１０が存在している。金属コンタクト層１１０は、第１の辺４０２と第２の辺４０４とのあいだの側面４００をカバーしている。第２の辺４０４の領域には、金属コンタクト層１１０のない第１の後退領域７００が存在している。第１の後退領域７００では側面４００が第１のコンタクト端子に電気的に接続されていない。このため、第１のコンタクト端子から後退領域７００を介した活性層１０６への電荷担体注入は完全に阻止される。活性層１０６の当該の接触領域では、電荷担体注入は、一貫して、活性層１０６の下方に位置する透明なコンタクト層１０４を介して行われる。このことは図５から見て取れる。

第１の後退領域７００の大きさは必要に応じて選定可能である。第１の後退領域７００は側面４００の２．５％より大きくすることができる。典型的には、第１の後退領域７００の大きさは側面４００の約１０％であって、これにより、側面４００が金属コンタクト層１１０の延長の約８０％に接触することになる。

第１の後退領域７００での電荷担体注入が抑圧されることにより、活性層１０６の第２の辺４０４に接する領域を通って流れる電荷担体流が制限される。この領域での高い発光密度が低減されるので、図１から図４に示されている有機発光デバイス１００に比べて、均一な発光像が得られる。この効果を強めるために、第２のコンタクト端子１０８も第２の辺４０４から後退され、こうして、第２のコンタクト端子１０８からの電荷担体が側面を介して活性層１０６へ注入されない第２の後退領域７０２が形成される。同じ作用を有するさらなる領域を、活性層１０６の側面の全ての辺に設けることができる。これにより、注入される電荷担体流ひいては発光密度が全ての辺で局所的に制限され、全体として均一な発光像が得られる。このことは、第１の実施例の有機発光デバイスの発光密度分布を示した図８から明らかである。ここで、図８には図５と同様の発光像が示されており、ここでは、コンタクト片が第１の実施例に適合化されている点のみ異なる。より良い比較のために、以下の全ての発光密度分布のグラフでは、そのつど全発光面にわたって平均された１０００ｃｄ／ｍ^２の発光密度が得られるように、パラメータが選定されている。図８に示されている発光密度分布では、辺の近傍の発光密度が、ほぼ、有機発光デバイスの広い領域で得られるオーダー、すなわち、約９００ｃｄ／ｍ^２から１０００ｃｄ／ｍ^２の範囲にある。よって、全体として、図５よりも格段に均一な発光像が得られる。

図９には、第２の実施例の有機発光デバイスを上方から見た図が示されている。ここで、第２の実施例の有機発光デバイス９００は、第１のコンタクト端子のコンタクト片が特別な形状を有している点で、第１の実施例の有機発光デバイス６００と異なる。つまり、有機発光デバイス９００では、金属コンタクト層１１０が縁領域９０２において三角形の構造を有している。この場合、金属コンタクト層１１０は後退領域７００へ近づくにつれて、活性層１０６の側面からますます後退していく。こうした構造は図１０から特に良好に見て取れる。図１０には、第２の実施例の有機発光デバイス９００の断面図が示されている。ここから、第１のコンタクト端子のコンタクト片の縁領域９０２で、側面４００から金属コンタクト層１１０までの距離が後退領域７００に向かって増大することがわかる。つまり、中央から第２の辺へ向かって、コンタクト片の電荷担体の伝導率は低下し、相応に、電荷担体の注入度も低下する。

通常、後退領域７００はコンタクト片の約４０％の長さを超えて線形に延在するが、もちろん、これより大きくても小さくてもよい。他の構成として、例えば、コンタクト片の縁部が放物線状、凸状もしくは凹状のプロフィルを有していてもよい。重要なのは、コンタクト片の導電率が後退領域７００に向かって低下することである。こうして、活性層１０６におけるコンタクト片の縁領域９０２での強い電場勾配を低減することができる。

金属コンタクト層１１０の幾何学的形状はこの場合どのようであってもよい。図１１には、第２の実施例の有機発光デバイスの変形例が示されている。ここで、金属コンタクト層１１０は、後退領域７００に対して平行に延在するが、この後退領域７００では活性層１０６には接触しない。金属コンタクト層１１０と活性層１０６とのあいだに、後退領域７００に沿って空隙が形成されているため、電気的絶縁が達成される。その結果、後退領域７００では、金属コンタクト層１１０を介した電荷担体注入が完全に抑圧される。有機発光デバイスのいっそう均一な発光像を得るには、横方向で見てコンタクト片の中央から第２の辺４０４まで導電率を徐々に低下させ、有利には後退領域７００で導電率をゼロとすることが重要である。このようにすれば、第２の実施例の有機発光デバイスの均一な発光像が図１２に示されているように得られる。図１２には、図８と比較可能な発光像が示されており、ここでは、第２の実施例にしたがってコンタクト片が適合化されている点のみ異なる。辺領域での発光密度は、有機発光デバイスの広い領域での約９００ｃｄ／ｍ^２から１０００ｃｄ／ｍ^２の発光密度とほぼ同じオーダーにある。また、コンタクト片でも特段の発光密度勾配は認識されない。全体として、図５または図８よりもいっそう均一な発光像が得られる。

図１３には、第３の実施例の有機発光デバイスの断面図が示されている。第３の実施例の有機発光デバイス１３００は、活性層１０６が面取りされた辺１３０２を有する。他の実施例との相違点として重要なのは、２つのコンタクト片が接する辺の近傍に後退領域が設けられることである。この後退領域において、コンタクト片を介した電荷担体の注入がほぼ完全に抑圧される。

図１４には、第４の実施例の有機発光デバイス１４００の断面図が示されている。有機発光デバイス１４００では、活性層１０６の基本形状が他の実施例と異なるが、本発明の技術的手段にとって大きな差ではない。ここでは、三角形のほか、四角形やその他の適切な基本形状も可能である。

図１５には、第５の実施例の有機発光デバイスの断面図が示されている。ここでの有機発光デバイス１５００は、少なくとも１つの電極が活性層１０６の隣接する２つの側辺に沿って延在するコンタクト片を有する点で、他の実施例の有機発光デバイスと異なる。このため、金属コンタクト層１１０は、下方の側面４００に沿って、第１の辺４０２と第２の辺４０４とのあいだに位置する。ここで、側面４００には第１の辺４０２に接して第１の後退領域７００が構成されており、第１の辺４０２には第２のコンタクト端子１０８の延在する左方の側面が接している。金属コンタクト層１１０も右方の側面に沿って延在する。活性層１０６は下方の側面４００に接触しているし、金属コンタクト層１１０を介して第２のコンタクト端子１０８の右方の側面にも接触している。第２の辺４０４の角の領域には、有利には、第２の後退領域１５０２が設けられており、これにより、金属コンタクト層１１０と活性層１０６とのあいだの電気コンタクトが形成される。こうして、第２の辺４０４の近傍での高い電力線勾配が回避される。

結び
以上、本発明の基本的コンセプトを理解してもらうために、幾つかの実施例に則して、有機発光デバイスを説明した。ただし、本発明は上述した実施例に限定されるものではない。各実施例に関連する特徴ないし態様は、個別でも、また、任意に他の特徴ないし態様と組み合わせても、本発明の対象となる。同様に、各特徴ないし各態様は、全体の技術的教説によって各実施例が実現されるかぎり、各実施例から削除することも各実施例に追加することもできる。

１００，６００，９００，１１００，１３００，１４００，１５００ 有機発光デバイス、 １０２ 基板、 １０４ 透明なコンタクト層、 １０６ 活性層、 １０８ 第２のコンタクト端子、 １１０ 金属コンタクト層、 ３００ 被覆領域、 ３０２ 露出領域、 ４００ 側面、 ４０２ 第１の辺、 ４０４ 第２の辺、 ７００，７０２，１５０２ 後退領域、 ９０２ 縁領域、 １３０２ 面取りされた辺

Claims (12)

1. 有機発光デバイスであって、
   第１の側面（４００）および所定の辺（４０４）に接する第２の側面を含む、光形成のための活性層（１０６）と、
   第１の導電型の電荷担体を前記活性層（１０６）へ注入するために、前記第１の側面に沿って延在する第１のコンタクト片と、
   第２の導電型の電荷担体を前記活性層（１０６）へ注入するために、前記第２の側面に沿って延在する第２のコンタクト片と
   を有しており、
   前記第１の側面（４００）は前記所定の辺（４０４）に接する第１の後退領域（７００）を有しており、該第１の後退領域（７００）における前記第１のコンタクト片からの電荷担体の注入は抑圧される
   ことを特徴とする有機発光デバイス。
2. 前記第１のコンタクト片は前記第１の後退領域（７００）の外側でのみ前記第１の側面（４００）に電気的に接触している、請求項１記載の有機発光デバイス。
3. 前記第１の後退領域（７００）における前記第１のコンタクト片からの電荷担体の注入は完全に抑圧される、請求項１または２記載の有機発光デバイス。
4. 前記第１の後退領域（７００）に沿って前記第１のコンタクト片と前記活性層（１０６）とのあいだに空隙が形成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の有機発光デバイス。
5. 前記第２の側面は前記所定の辺（４０４）に接する第２の後退領域（７０２）を有しており、該第２の後退領域（７０２）における前記第２のコンタクト片からの電荷担体の注入は完全に抑圧される、請求項１から４までのいずれか１項記載の有機発光デバイス。
6. 前記活性層（１０６）は第１の主表面と第２の主表面とを有しており、前記第１のコンタクト片を含む第１のコンタクト端子が前記第１の主表面を延在しており、前記第２のコンタクト片を含む第２のコンタクト端子（１０８）が前記第２の主表面を延在している、請求項１から５までのいずれか１項記載の有機発光デバイス。
7. 前記第１のコンタクト端子は、導電率が前記第１の側面の中央から前記第１の後退領域（７００）へ向かって低下する導電率プロフィルを有している、請求項１から６までのいずれか１項記載の有機発光デバイス。
8. 前記第１のコンタクト端子は導電性酸化物、例えば錫酸化物を含む、請求項１から７までのいずれか１項記載の有機発光デバイス。
9. 前記第１のコンタクト端子は金属もしくは金属合金を含む、請求項１から８までのいずれか１項記載の有機発光デバイス。
10. 前記第１のコンタクト端子は第１の導電率を有しており、前記第２のコンタクト端子は第２の導電率を有しており、前記第１の導電率と前記第２の導電率とは最大で係数１０だけ異なる、請求項１から９までのいずれか１項記載の有機発光デバイス。
11. 前記有機発光デバイスが透明なＯＬＥＤとして構成されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の有機発光デバイス。
12. 前記有機発光デバイスがボトムエミッション型ＯＬＥＤとして構成されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の有機発光デバイス。

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