KR20130028724A - 균일한 밝기 분포를 갖는 유기 발광 디바이스 - Google Patents

균일한 밝기 분포를 갖는 유기 발광 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR20130028724A
KR20130028724A KR1020127027523A KR20127027523A KR20130028724A KR 20130028724 A KR20130028724 A KR 20130028724A KR 1020127027523 A KR1020127027523 A KR 1020127027523A KR 20127027523 A KR20127027523 A KR 20127027523A KR 20130028724 A KR20130028724 A KR 20130028724A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
emitting device
organic light
light emitting
contact
active layer
Prior art date
Application number
KR1020127027523A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101844900B1 (ko
Inventor
앤드류 인글
벤야민 클라우스 크룸마허
에르빈 랑
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20130028724A publication Critical patent/KR20130028724A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101844900B1 publication Critical patent/KR101844900B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 제1 측면 표면(400)과 제2 측면 표면을 이용하여 방사선을 생성시키기 위한 능동 층(106)을 갖는 유기 발광 디바이스(100)에 관한 것으로, 제1 측면 표면과 제2 측면 표면은 코너 에지(404)에서 서로 만난다. 상기 디바이스는, 제1 타입의 전하 캐리어들의 능동 층(106) 안으로의 주입을 위해 제1 측면 표면(400)을 따라서 연장되는 제1 콘택 연결부, 그리고 제2 타입의 전하 캐리어들의 능동 층(106) 안으로의 주입을 위해 제2 측면 표면을 따라서 연장되는 제2 콘택 연결부를 더 포함한다. 제1 측면 표면(400)은 코너 에지(404)에 인접한 소거 영역(700)을 갖고, 제1 콘택 연결부로부터의 전하 캐리어들의 주입은 상기 소거 영역(700) 내에서 완전히 억제된다.

Description

균일한 밝기 분포를 갖는 유기 발광 디바이스{ORGANIC LIGHT­EMITTING DEVICE HAVING HOMOGENEOUS BRIGHTNESS DISTRIBUTION}
본 발명은 유기 광전자(opto-electronic) 디바이스에 관한 것이다.
유기 발광 디바이스(OLED)는 루미센트 라디에이터(luminescent radiator)이고, 상기 루미센트 라디에이터에 의하여, 전자기 에너지가 전기 에너지로부터 생성된다. 상기 디바이스는, 전자기 방사선이 생성되는 유기 능동(active) 층을 갖는다. 능동 층은 애노드와 캐소드 사이에 배열된다. 전도 상태 전위가 인가될 때, 애노드는 전하 캐리어들로서 홀(hole)들을 능동 층 안에 주입시키고, 반면에 캐소드는 전하 캐리어들로서 전자들을 주입시킨다. 주입된 홀들 및 전자들 각각은, (외적으로 인가된 전기장의 영향 하에서) 반대로 하전된 전극으로 이동하고, 그리고 재결합시, 능동 층 내에서 전기루미센트 방출을 생성한다.
OLED는, 특히 대면적 광원으로서 사용될 수 있는 장점을 갖는다. 이러한 목적을 위해, OLED는 능동 층에 걸쳐서 가장 고른 가능한 밝기(휘도) 분포를 가져야 한다.
본 발명의 기초가 되는 목적은, 가장 균일한 가능한 휘도 분포가 달성되는 유기 발광 디바이스를 제공하는 것이다.
이러한 목적은 청구항 제1항에 따른 유기 발광 디바이스에 의하여 달성된다.
유기 발광 디바이스의 개선들 및 유리한 실시예들은 종속 청구항들에 개시된다.
유기 발광 디바이스의 다양한 실시예들은 방사선을 생성시키기 위한 능동 층을 갖고, 상기 유기 발광 디바이스는, 코너 에지에 인접하는 제1 측면 표면(side surface) 및 제2 측면 표면을 포함한다. 제1 콘택 스트립은 제1 타입의 전하 캐리어들을 능동 층 안에 주입시키기 위해 제1 측면 표면을 따라서 연장된다. 제2 콘택 스트립은 제2 타입의 전하 캐리어들을 능동 층 안에 주입시키기 위해 제2 측면 표면을 따라서 연장된다. 제1 측면 표면은 코너 에지에 인접하는 리세스 영역을 갖는다. 제1 콘택 스트립으로부터의 전하 캐리어들의 주입은 리세스 영역 내에서 억제된다.
이러한 이유로, 전하 캐리어들을 공급하기 위한 콘택 스트립들이 매우 가까이 서로 접근하는, 유기 발광 디바이스의 영역들 내에서, 전하 캐리어들의 능동 층 안으로의 주입은 제한된다. 능동 층 내에서의 결과적인 제한된 전하 캐리어 흐름은, 특히, 그렇지 않으면 강하게 증가된 전하 캐리어 밀도를 가졌을 영역들 내에서 재결합의 제한을 유도한다. 그 결과, 상기 영역들 내에서의 휘도가 능동 층의 다른 영역들 내에서와 대략 동일한 크기 정도(order of magnitude)를 갖는다. 이러한 방식으로, 특히 균일한 휘도 분포가 달성된다. 유기 발광 디바이스는 바람직하게 대면적의 균일하게 조명하는 광원으로서 사용될 수 있다. 그러므로, 상기 광원은 평편한 광원을 요구하는 애플리케이션들에 특히 적절하다.
몇몇의 실시예들에서, 제1 콘택 스트립은 리세스 영역 밖에서만 제1 측면 표면에 의해 전기적으로 접촉된다. 이러한 방식으로, 리세스 영역을 따른 전하 캐리어 주입의 억제가 달성된다.
몇몇의 실시예들에서, 제1 콘택 스트립으로부터의 전하 캐리어들의 주입은 리세스 영역 내에서 완전히 억제된다. 그런 다음에, 전하 캐리어 주입은 다른 연결부 영역들을 통해, 예컨대 능동 층의 주요 면(main side)들을 통해 또는 심지어 능동 층을 통과하는 전하 캐리어 흐름을 통해 이루어진다. 이러한 방식으로, 전하 캐리어 흐름의 특히 엄격한 제약이 달성된다.
몇몇의 실시예들에서, 제1 콘택 스트립과 능동 층 사이에 리세스 영역을 따라서 갭이 형성된다. 이러한 방식으로, 특히 우수한 전기적 절연이 상기 측면 표면의 리세스 영역과 제1 콘택 스트립 사이에서 획득된다. 결과로서, 예컨대, 전하 캐리어 주입의 완전한 억제가 달성될 수 있다.
몇몇의 실시예들에서, 제2 측면 표면은 상기 코너 에지에 인접하는 제2 리세스 영역을 갖고, 그리고 제2 콘택 스트립으로부터의 전하 캐리어들의 주입은 제2 리세스 영역 내에서 완전히 억제된다. 따라서, 코너 에지에서의 전하 캐리어 주입의 억제는 전극들 둘 다에서, 즉 캐소드 및 애노드 둘 다에 대하여 수행된다. 이러한 조치는, 전하 캐리어 흐름에 대한 부가적인 제어를 가능케 하고, 그리고 또한 능동 층을 통과하는 원치 않는 전하 캐리어 전달을 제약시킨다.
몇몇의 실시예들에서, 능동 층은 제1 주요 표면 및 제2 주요 표면을 포함한다. 제1 콘택 스트립을 둘러싸는 제1 콘택 연결부는 제1 주요 표면에 걸쳐서 연장된다. 제2 콘택 스트립을 둘러싸는 제2 콘택 연결부는 제2 주요 표면에 걸쳐서 연장된다. 그러므로, 전하 캐리어 주입은 콘택 스트립들에 걸쳐서 뿐만 아니라, 능동 표면의 주요 면들에 걸쳐서도 이루어진다.
몇몇의 실시예들에서, 제1 콘택 연결부는 전도성 프로파일을 갖고, 상기 전도성 프로파일은 제1 측면 표면의 중심부로부터 리세스 영역을 향하여 감소한다. 이를 통해, 전하 캐리어 주입은 콘택 연결부에서 비롯되는 역선들의 구성에 의해 추가로 영향받을 수 있다. 특히, 리세스 영역으로의 전이부에서의 큰 필드 구배들이 방지될 수 있고, 그래서 특히 균일한 조명 패턴이 유기 발광 디바이스 내에서 달성될 수 있다.
몇몇의 실시예들에서, 제1 콘택 연결부는 전도성 산화물, 예컨대 주석 산화물을 포함한다. 제 1 콘택 연결부는 특히 투명(transparent) 전극이다.
몇몇의 실시예들에서, 제1 콘택 연결부는 금속 또는 금속 합금을 포함한다. 금속은 특히 우수한 전기적 전도체이다. 바람직하게, 금속은 유기 발광 디바이스의 방사 방향 밖에 있는 영역들 내에 제공된다. 그러므로, 금속은, 특히, 제1 측면 표면과 관련하여 측면으로(laterally) 제1 콘택 스트립 내에 제공될 수 있다.
몇몇의 실시예들에서, 제1 콘택 연결부는 제1 표면 전도성을 갖고 그리고 제2 콘택 연결부는 제2 표면 전도성을 갖는다. 제1 표면 전도성 및 제2 표면 전도성은 많아야 10배수(not more than a factor of 10)만큼 상이하다. 콘택 연결부들 둘 다의 표면 전도성들이 동일한 크기 정도 내에 놓인다면, 설명된 기술적 해결책들에 의하여, 특히 균일한 휘도 분포들이 달성된다. 이는, 상기 리세스 영역에 부가하여, 제2 리세스 영역이 제공된다면, 더욱더 적용된다. 그렇지 않다면, 에지 코너 부근에서, 전하 캐리어 주입은 리세스 영역들의 사이즈에 의해 영향받을 수 있다. 이러한 방식으로, 표면 전도성들의 크기 정도들이 상이하더라도, 휘도의 우수한 균일성이 달성될 수 있다.
몇몇의 실시예들에서, 유기 발광 디바이스는 투명 OLED로서 구성된다.
몇몇의 실시예들에서, 유기 발광 디바이스는 바텀-에미터(bottom-emitter) OLED로서 구성된다.
이제, 도면들을 참조하여, 유기 발광 디바이스들의 다양한 예시적 실시예들은 더욱 상세하게 설명될 것이다. 도면들에서, 참조 기호의 첫 번째 숫자(들)는 상기 참조 기호가 처음으로 사용되는 도면을 표시한다. 유사하거나 또는 동일하게 동작하는 엘리먼트들 또는 특성들에 대하여, 도면들 전부에서, 동일한 참조 기호들이 사용된다.
도 1은 유기 발광 디바이스의 위에서 본 개략도이다.
도 2는 섹션 라인(A-A)을 따른, 도 1에 도시된 유기 발광 디바이스의 종단면도의 개략도이다.
도 3은 섹션 라인(B-B)을 따른, 도 1에 도시된 유기 발광 디바이스의 단면의 개략도이다.
도 4는 금속 콘택 층의 높이에 있는, 도 1에 도시된 유기 발광 디바이스의 수직 표면 섹션의 개략도이다.
도 5는 도 1에 도시된 유기 발광 디바이스의 휘도 분포의 개략도이다.
도 6은 제1 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 위에서 본 개략도이다.
도 7은 제1 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 종단면의 개략도이다.
도 8은 제1 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 휘도 분포의 개략도이다.
도 9는 제2 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 위에서 본 개략도이다.
도 10은 제2 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 종단면의 개략도이다.
도 11은 제2 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 변형의 종단면의 개략도이다.
도 12는 제2 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 휘도 분포의 개략도이다.
도 13은 제3 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 종단면의 개략도이다.
도 14는 제4 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 종단면의 개략도이다.
도 15는 제5 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 종단면의 개략도이다.
도 1은 유기 발광 디바이스(100)의 위에서 본 개략도를 나타낸다. 유기 발광 디바이스(100)는 기판(102)을 포함한다. 기판(102)은 투명 재료, 예컨대 유리, 석영 또는 폴리머 필름이다. 기판(102) 상에 평편한 투명 콘택 층(104)이 적용되고, 상기 투명 콘택 층(104)은 제1 콘택 연결부의 일부이다. 투명 콘택 층(104)은 투명한, 전도성 재료를 갖는다. 상기 재료는 예컨대 투명 전도성 산화물(TCO:transparent conductive oxide)일 수 있다. TCO는 보통 금속 산화물, 예컨대 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물 또는 인듐 주석 산화물(ITO)이다. SnO2 및 In2O3를 포함하는 2성분(binary) 금속 화합물들 이외에, TCO들의 그룹은 또한 3성분 금속 산화물 화합물들, 예컨대 Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12 또는 상이한 투명 전도성 산화물들의 혼합물들을 포함한다. 높은 전도성을 달성하기 위하여, TCO들은 또한 반드시 화학량론 조성(stoichiometric composition)으로 구성되는 것은 아니고 그리고 또한 p-도핑될 수 있거나 또는 n-도핑될 수 있다.
전자기 방사선이 생성될 수 있는 능동 층(106)이 투명 콘택 층(104)에 적용된다. 이러한 목적을 위해, 능동 층(106)은, 전기루미센트 재료를 갖는 기능 층을 포함한다. 예컨대, 전기루미센트 유기 재료는 형광성 또는 인광성 방출을 위한 적절한 폴리머들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 형광 또는 인광에 의하여 방출되는 작은 유기 분자들이 전기루미센트 층으로서의 역할을 할 수 있다. 기능 층 이외에, 능동 층(106)은 또한 추가 층들, 예컨대 전하 캐리어 전달 층을 가질 수 있다.
도 2는 섹션 라인(A-A)을 따른, 도 1에 도시된 유기 발광 디바이스의 종단면도의 개략도를 나타낸다. 도 2는 능동 층(106)이 투명 콘택 층(104) 위에(over) 적용되는 것을 나타낸다. 일반적으로, 콘택 층(104)은 제1 주요 면 ― 상기 제1 주요 면에 의하여, 상기 콘택 층이 콘택 층(104) 상에 놓임 ― 그리고 제2 콘택 연결부(108)에 의해 커버되는 제2 주요 면을 갖는다. 부가하여, 도시된 예시적 실시예에서, 능동 층(106)은 네 개의 측면 표면들을 갖고, 상기 네 개의 측면 표면들 중 두 개의 상호 마주보는 더 짧은 측면 표면들은 제2 콘택 연결부(108)에 의해 커버된다. 제2 콘택 연결부(108)는, 기판(102) 상의 짧은 측면 표면들 둘 다를 따라서, 상기 짧은 측면 표면들 각각이 상기 두 개의 짧은 측면 표면들을 따라서 콘택 스트립을 형성하도록, 연장된다.
두 개의 상호 마주보는 더 긴 측면 표면들 각각은 능동 층(106)이 없는, 투명 콘택 층(104)의 영역에 이웃한다. 이는, 도 3에서 명확해진다. 도 3은 섹션 라인(B-B)을 따른, 도 1에 도시된 유기 발광 디바이스의 단면의 개략도를 나타낸다. 도시된 것은 기판(102)이고, 상기 기판(102) 상으로 투명 콘택 층(104)이 적용된다. 투명 콘택 층(104)은, 대면적 커버링 영역(300)에서 능동 층(106)의 제1 주요 면에 의해 커버된다. 상기 능동 층(106)의 제1 주요 면에 인접하게, 상기 콘택 층은 비어진 영역들, 예컨대 우측에 비어진 영역(302)을 갖는다. 능동 층(106)은 제2 콘택 연결부(108)에 의해 커버된다.
금속 콘택 층(110)이 비어진 영역(302)에 적용되고, 그래서 투명 콘택 층(104) 및 금속 콘택 층(110)은 제1 콘택 연결부의 제1 콘택 스트립을 제공한다. 금속 콘택 층(110)이 반드시 투명 콘택 층(104) 상에 배열될 필요는 없다. 상기 금속 콘택 층의 사용은 근본적으로 선택적이다. 또한, 예컨대, 금속 콘택 층(110)이 투명 콘택 층(104) 아래에 배열되거나 또는 상기 콘택 층에 의해 둘러싸이는 것이 고려될 수 있다. 이러한 어레인지먼트는 특히 높은 전하 캐리어 전도성의 장점을 제공한다. 아래에 설명되는 바와 같이 투명 콘택 층(104) 위의 금속 콘택 층(100)의 어레인지먼트는, 특히, 이러한 층 시퀀스가 쉽게 제조될 수 있다는 장점을 갖는다.
제1 콘택 연결부는 제1 타입의 전하 캐리어의 능동 층(106) 안으로의 주입을 위해 제공된다. 상기 전하 캐리어들은 예컨대 홀들일 수 있다. 이러한 경우에, 제1 콘택 연결부는 애노드이다. 상기 콘택 연결부는 통상적으로, 대략 15Ω/sq의 표면 전도성을 갖는 ITO를 포함한다. 제2 콘택 연결부(108)는 제2 타입의 전하 캐리어의 주입을 위해 제공된다. 상기 전하 캐리어들은, 제1 타입의 전하 캐리어들과 상이한 극성을 갖고, 그리고 예컨대 전자들이다. 이러한 경우에, 제2 콘택 연결부(108)는 캐소드이다. 투명 캐소드는 통상적으로, 대략 5Ω/sq의 표면 저항성을 갖는다.
이제, 도 4를 참조하여, 제1 콘택 연결부와 제2 콘택 연결부(108)의 콘택 스트립들의 공간 어레인지먼트가 더욱 상세하게 설명될 것이다. 도 4는 금속 콘택 층(110)의 높이에 있는, 도 1의 유기 발광 디바이스의 종단면의 위에서 본 개략도를 나타낸다. 기판(102) 위에 능동 층(106)과 제2 콘택 커넥터(110)의 콘택 스트립들이 나타난다. 능동 층(106)은 두 개의 더 짧은 측면 표면들을 갖고, 상기 두 개의 더 짧은 측면 표면들은 제2 콘택 연결부(108)의 콘택 스트립들에 이웃한다. 부가하여, 능동 층(106)은 두 개의 상호 마주보는 더 긴 측면 표면들을 포함하고, 상기 두 개의 상호 마주보는 더 긴 측면 표면들은 금속 콘택 층(110)에 이웃한다. 금속 콘택 층(110)은, 제1의 더 긴 측면 표면(400)을 따라서 연장되고, 그리고 제1 코너 에지(402)로부터 제2 코너 에지(404)까지 상기 측면 표면과 완전히 접촉한다. 제2 콘택 연결부(110)는 또한 제1 코너 에지(402) 및 제2 코너 에지(404)에 바로 이웃한다.
제1 콘택 연결부 및 제2 콘택 연결부(108)의 콘택 스트립들은 서로 가까이 있는 코너 에지들, 예컨대 제1 코너 에지(402) 및 제2 코너 에지(404)의 영역 내에 위치된다. 전위의 인가시, 콘택 스트립들 사이에 인가되는 전기장의 역선들이 이러한 영역 내에 집중된다. 아래의 관계가 필드 E와 인가된 전위 V 사이에 존재한다 :
Figure pct00001
.
능동 층(106)은 비-옴(non-ohmic) 동작을 디스플레이한다. 이는, 능동 층(106)에 인가되는 전위(V)와 기능 층을 통과해 흐르는 표면 전류(j(x,y)) 사이에 선형 관계가 존재하지 않음을 의미한다. 능동 층(106)이 예컨대 p-n 정션을 갖는다면, 그러면,
Figure pct00002
가 되도록, 능동 층(106)의 동작이 다이오드의 동작에 대응한다.
유기 루미네선스 다이오드에서, 능동 층(106)은 예컨대, 전위가 인가될 때 광을 방출하는 유기 전기루미센트 재료를 갖는다. 유기 전기루미센트 재료는 예컨대 폴리머이다. 형광 또는 인광에 의하여 방사되는 작은 유기 분자들이 또한 유기 전기루미센트 재료로서의 역할을 할 수 있다. 이러한 경우에, 전하 캐리어 전달은 홉핑 프로세스 또는 터널링 프로세스에 의하여 이루어진다. 인가되는 전위(V)와 능동 층(106)을 통과해 흐르는 전류(j(x,y)) 사이의 관계식이 전자 튜브의 전류-전위 특성들 면에서 표현될 수 있다, 즉
Figure pct00003
이다.
높은 필드 밀도 때문에, 제1 코너 에지(402) 및 제2 코너 에지(404)에 가까운, 능동 층(106)의 영역들 내에서, 능동 층(106)의 다른 영역들 내에서의 표면 전류들에 비례하는 큰 표면 전류들이 발생한다. 표면 전류(j(x,y))에 의해 생성되는 능동 층(106)의 휘도(L)는 표면 전류에 직접 비례한다:
Figure pct00004
. 그러므로, 능동 층(106)의 다른 영역들 내에서보다, 제1 코너 에지(402) 및 제2 코너 에지(404)의 영역 내에서 더 높은 휘도가 생성된다.
이로써 생성된 조명 패턴이 도 5에서 도시된다.
도 5는 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같은 유기 발광 디바이스의 휘도 분포의 개략도를 나타낸다. 상기 개략도는 휘도 분포의 시뮬레이션에 기초한다.
유기 발광 디바이스의 방사선 출력 표면에서의 cd/㎡ 단위의 휘도 분포가 그레이 스케일(gray scale)들의 형태로 도시된다. 가로좌표(x-축)는 좌우측으로 제2 콘택 연결부(108)의 콘택 스트립들 사이의 거리를 표현한다. 세로좌표(y-축)는 제1 콘택 연결부의 콘택 스트립들을 따르는 거리를 표현한다(도 3의 도면을 보라). 시뮬레이션은, 연결부들 사이의 중심부에서의 휘도가 제1 코너 에지(402) 또는 제2 코너 에지(404) 중 어느 쪽이든 그 부근에서보다 더 낮다는 것을 드러낸다. 휘도는 능동 층(106)의 중심 영역 내에서의 대략 800cd/㎡과 코너 에지들의 영역 내에서의 대략 1500cd/㎡ 사이에서 가변한다. 휘도 및 거리의 스케일들은 시뮬레이션을 위해 선택되고, 그리고 그러므로 단지 예시적인 것으로서 이해되어야 한다. 그러나, 휘도의 큰 변동이 명확하게 분명하다.
도 6은 제1 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스(600)의 위에서 본 개략도를 나타낸다. 유기 발광 디바이스(600)는, 제1 콘택 연결부 및 제2 콘택 연결부(108)의 콘택 스트립들이 제1 코너 에지(402) 및 제2 코너 에지(404)의 영역 내에서 능동 층(106)의 측면 에지들로부터 잘려진 점에서, 도 1 내지 도 4에 대한 참조에 의해 설명된 유기 발광 디바이스(100)와 상이하다. 이는, 도 7에서 특히 명확해진다.
도 7은 금속 콘택 층(110)의 높이에 있는, 제1 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스(600)의 수직 표면 섹션의 개략도를 나타낸다. 기판(102) 위에 능동 층(106) 그리고 상기 능동 층(106)의 더 짧은 측면들에 있는, 제2 콘택 연결부(108)의 영역들이 나타난다. 금속 콘택 층(110)은 더 긴 측면들을 따라서 연장된다. 상기 콘택 층은, 제1 코너 에지(402)와 제2 코너 에지(404) 사이에서 연장되는 측면 표면(400)을 커버한다. 제2 코너 에지(404)의 영역 내에 리세스 영역(700)이 배열되고, 상기 리세스 영역(700)에는 금속 콘택 층(100)이 없다. 리세스 영역(700) 내에서는, 측면 표면(400)이 제1 콘택 연결부에 전기적으로 연결되지 않는다. 따라서, 제1 콘택 연결부로부터 리세스 영역(700)을 통한 능동 층(106) 안으로의 전하 캐리어들의 주입이 완전히 억제된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 능동 표면(106)의 인접 영역 내에서, 전하 캐리어들의 주입이 능동 층(106) 아래에 놓인 투명 콘택 층(104)을 통해 주로 이루어진다.
리세스 영역(700)의 사이즈는 요구되는 대로 선택될 수 있다. 상기 영역은 측면 표면(400)의 2.5%를 초과하여 커버할 수 있다. 통상적으로, 상기 영역은 측면 표면(400)의 대략 10%를 커버하고, 그래서 측면 표면(400)은 상기 측면 표면의 범위의 대략 80%에 걸쳐서 금속 콘택 층(110)과 접촉한다.
리세스 영역(700) 내에서의 전하 캐리어 주입의 억제에 의하여, 제2 코너 에지(404)에 인접하는, 능동 표면(106)의 영역을 통과하는 전하 캐리어 흐름이 제약된다. 그러므로, 이러한 영역 내에서의 증가된 휘도는, 도 1 내지 도 4에 도시된 유기 발광 디바이스(100)와 비교할 때, 더욱 균일한 조명 패턴이 획득되도록 감소된다. 이러한 효과를 향상시키기 위하여, 제2 콘택 연결부(108)는 또한 제2 코너 에지(404)에서 리세스되고, 그래서 제2 콘택 연결부(108)로부터 상기 측면 표면을 통해 능동 층(106) 안으로 전하 캐리어들이 주입되지 않는 제2 리세스 영역(702)이 제공된다. 유사하게 동작하는 영역들이 능동 층(106)의 측면 표면들의 코너 에지들 전부에 제공된다. 이를 통해, 주입된 전하 캐리어 흐름이 주입되고, 그리고 따라서 휘도는 코너 에지들 전부에서 국부적으로 제약된다. 그러므로, 종합적으로, 균일한 조명 패턴이 이로써 획득된다. 이는, 도 8에서 명확하게 도시되고, 도 8은 유기 발광 디바이스의 제1 예시적 실시예의 휘도 분포의 개략도를 나타낸다. 도 8은 도 5의 조명 패턴과 비견할 수 있는 조명 패턴을 나타내고, 여기서 제1 예시적 실시예에 따라 콘택 스트립들만이 조절된다. 향상된 비교가능성을 위해, 아래에 설명되는 휘도 분포들 전부에서는, 1000cd/㎡의 전체 루미너스 영역에 걸쳐서 평균된 휘도가 각각의 경우에 달성되도록 파라미터들이 선택되었다. 도 8에 도시된 휘도 분포에서, 코너 에지들의 영역 내에서의 휘도는 본질적으로 유기 발광 디바이스의 다른 영역들 내에서 획득되는 휘도와 동일한 크기 정도에 있다, 즉 대략 900cd/㎡ 내지 1000cd/㎡의 범위 내에 있다. 전체적으로, 도 5에서보다 상당히 더욱 균일한 조명 패턴이 획득된다.
도 9는 제2 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 위에서 본 개략도를 나타낸다. 제2 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스(900)는, 제1 콘택 연결부의 콘택 스트립들의 특정한 구성에서, 제1 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스(600)와 상이하다. 유기 발광 디바이스(900)에서는, 금속 콘택 층(110)이 에지 영역(902) 내에서 삼각형 구조물을 포함한다. 금속 콘택 층이 리세스 영역(700)에 더 가까이 접근할수록, 상기 금속 콘택 층이 능동 층(106)의 측면 표면으로부터 더 많이 리세스된다. 이러한 구조물은 도 10에서 특히 명확해진다. 도 10은 제2 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스(900)의 종단면의 개략도를 나타낸다. 제1 콘택 연결부의 콘택 스트립의 에지 영역(902) 내에서, 측면 표면(400)과 금속 콘택 층(110) 사이의 거리가 리세스 영역(700)을 향하는 방향으로 선형으로 증가하다는 것이 명백하다. 이러한 방식으로, 콘택 스트립의 전하 캐리어 전도성은 중심부로부터 멀어져 제2 코너 에지를 향하는 방향으로 감소한다. 전하 캐리어들의 주입이 따라서 감소된다.
보통, 선형 형태로, 리세스 영역(700)은 콘택 스트립의 대략 40%에 걸쳐서 연장된다. 그러나, 리세스 영역(700)은, 더 크거나 또는 더 작게 선택될 수 있다. 상기 형태는 또한, 예컨대 콘택 스트립의 하나의 에지의 포물선, 볼록면 또는 오목면 형태를 갖도록 상이할 수 있고, 필수적인 것은, 리세스 영역(700)을 향한 콘택 스트립의 전도성의 감소이다. 따라서, 콘택 스트립의 에지 영역(902)에 있는 능동 층(106) 내에서의 강한 필드 구배들이 감소될 수 있다.
금속 콘택 층(110)의 나머지 기하구조는 중요치 않다. 도 11에서, 제2 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 변형이 도시된다. 도면은 금속 콘택 층(110)을 나타내고, 상기 금속 콘택 층(110)은 리세스 영역(700)에 평행하게 연장되지만, 리세스 영역에서 능동 층(106)과 접촉하지 않는다. 그보다는, 콘택 층(110)과 능동 층(106) 사이에 리세스 영역을 따라서 갭이 형성되고, 그래서 전기 절연이 획득된다. 그 결과, 리세스 영역 내에서의 금속 콘택 층(110)을 통한 전하 캐리어 주입이 완전히 억제된다. 유기 발광 디바이스의 균일한 조명 패턴을 획득하기 위하여, 콘택 스트립의 전도성이 콘택 스트립의 측방향 범위의 중심부로부터 코너 에지(404)를 향하여 감소하고 그리고 바람직하게 리세스 영역(700) 내에서 값 0에 도달하는 것이 중요하다. 그 결과, 도 12에 도시된 바와 같이, 제2 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스에 의해 균일한 조명 패턴이 생성된다. 도 12는 도 8의 조명 패턴과 비견할 수 있는 조명 패턴을 나타내고, 여기서 제2 예시적 실시예에 따라 콘택 스트립들만이 적응된다. 코너 에지들의 영역 내에서의 휘도는 본질적으로 유기 발광 디바이스의 큰 영역들 내에서 획득되는 휘도의 크기 정도에 있다, 즉 900cd/㎡ 내지 1000cd/㎡의 범위 내에 있다. 또한, 콘택 스트립들에는 인식할 수 있는 특정하게 구성된 휘도 구배들이 없다. 종합적으로, 도 5 또는 도 8에서보다 상당히 더욱 균일한 조명 패턴이 획득된다.
도 13은 제3 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 종단면의 개략도를 나타낸다. 유기 발광 디바이스(1300)의 제3 예시적 실시예에 기초하여, 능동 층(106)이 둥근 코너 에지(1302)를 갖는 것이 또한 고려될 수 있다는 것이 명확하다. 설명된 기술적 해결책에 대하여, 두 개의 콘택 스트립들이 서로 인접하는 코너 에지들의 영역 내에, 콘택 스트립들을 통한 전하 캐리어들의 주입이 가능한 한 완전히 억제되는 리세스 영역이 제공되는 것이 필수적이다.
도 14는 제4 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 종단면의 개략도를 나타낸다. 유기 발광 디바이스(1400)에 의하여, 능동 층(106)의 기본 형태가 설명된 바와 같은 기술적 해결책에 중요치 않다는 것이 명확하다. 따라서, 삼각형 또는 직사각형 기본 형태 이외에, 임의의 다른 적절한 기본 형태가 또한 선택될 수 있다.
도 15는 제5 예시적 실시예에 따른 유기 발광 디바이스의 종단면의 개략도를 나타낸다. 유기 발광 디바이스(1500)는, 전극들 중 적어도 하나가 능동 층(106)의 두 개의 인접하는 측면 에지들을 따라서 연장되는 콘택 스트립을 포함한다는 점에서, 설명된 다른 예시적 실시예들의 디바이스들과 상이하다. 그러므로, 금속 콘택 층(110)은 제1 코너 에지(402)와 제2 코너 에지(404) 사이에 (하부의) 측면 표면(400)을 따라서 둘 다 연장된다. 리세스 영역(700)이 측면 표면(400)에 인접하게 제1 코너 에지(402)에 형성되고, 이때 좌측면 표면 ― 상기 좌측면 표면을 따라서 제2 콘택 연결부(108)가 연장됨 ― 이 또한 제1 코너 에지(402)에 인접한다. 또한, 금속 콘택 층(110)은 우측면 표면을 따라서 연장된다. 따라서, 능동 층(106)은 하부의 측면 표면(400) 및 우측면 표면 둘 다에서 제2 콘택 연결부에 의해 금속 콘택 층(110)을 통해 접촉된다. 제2 코너 포인트(404)의 영역 내에서, 제3 리세스 영역(1502)이 유리하게 제공되어, 금속 콘택 층(110)과 능동 층(106) 사이에 전기적 접촉이 방지된다. 이를 통해, 제2 코너 에지(404)의 영역 내에서 큰 필드 구배들이 방지된다.
최종 견해들
몇몇의 예시적 실시예들을 이용하여 기초가 되는 개념을 설명하기 위하여 유기 발광 디바이스가 설명되었다. 예시적 실시예들은 특징들의 특정한 조합들에 제약되지 않는다. 몇몇의 특징들 및 구성들이 특정한 예시적 실시예 또는 개별적인 예시적 실시예들과 관련되어서만 설명되더라도, 이러한 특징들 및 구성들은 또한 다른 예시적 실시예들로부터의 다른 특징들과 결합될 수 있다. 또한, 일반적인 기술적 지침이 여전히 구현될 수 있다면, 설명된 개별적인 특징들 또는 특정한 구성들이 예시적 실시예들에서 생략되거나 또는 부가되는 것이 가능하다.
유기 발광 디바이스 100
기판 102
투명 콘택 층 104
능동 층 106
제2 콘택 연결부 108
금속 콘택 층 110
커버링 영역 300
비어진 영역 302
측면 표면 400
제1 코너 에지 402
제2 코너 에지 404
유기 발광 디바이스 600
리세스 영역 700
제2 리세스 영역 702
유기 발광 디바이스 900
에지 영역 902
유기 발광 디바이스 1100
유기 발광 디바이스 1300
둥근 코너 에지 1302
유기 발광 디바이스 1400
유기 발광 디바이스 1500
제3 리세스 영역 1502

Claims (12)

  1. 유기 발광 디바이스로서,
    코너 에지(404)에 인접한 제1 측면 표면(400) 및 제2 측면 표면을 갖는, 방사선을 생성시키기 위한 능동(active) 층(106),
    제1 타입의 전하 캐리어들을 상기 능동 층(106) 안에 주입시키기 위해 상기 제1 측면 표면을 따라서 연장되는 제1 콘택 스트립, 및
    제2 타입의 전하 캐리어들을 상기 능동 층(106) 안에 주입시키기 위해 상기 제2 측면 표면을 따라서 연장되는 제2 콘택 스트립
    을 포함하고,
    상기 제1 측면 표면(400)은 상기 코너 에지(404)에 인접한 리세스 영역(700)을 갖고, 그리고 상기 제1 콘택 스트립으로부터의 전하 캐리어들의 주입은 상기 리세스 영역(700) 내에서 억제되는,
    유기 발광 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 콘택 스트립은 상기 리세스 영역(700) 밖에서만 상기 제1 측면 표면(400)에 의해 전기적으로 접촉되는,
    유기 발광 디바이스.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 콘택 스트립으로부터의 전하 캐리어들의 주입은 상기 리세스 영역(700) 내에서 완전히 억제되는,
    유기 발광 디바이스.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 콘택 스트립과 상기 능동 층(106) 사이에 상기 리세스 영역(700)을 따라서 갭이 형성되는,
    유기 발광 디바이스.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 측면 표면은 상기 코너 에지(404)에 인접한 제2 리세스 영역(702)을 갖고, 그리고 상기 제2 콘택 스트립으로부터의 전하 캐리어들의 주입은 상기 제2 리세스 영역(702) 내에서 완전히 억제되는,
    유기 발광 디바이스.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 능동 층(106)은 제1 주요 표면 및 제2 주요 표면을 포함하고, 그리고 상기 제1 콘택 스트립을 둘러싸는 제1 콘택 연결부가 상기 제1 주요 표면에 걸쳐서 연장되고, 그리고 상기 제2 콘택 스트립을 둘러싸는 제2 콘택 연결부(108)가 상기 제2 주요 표면에 걸쳐서 연장되는,
    유기 발광 디바이스.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 콘택 연결부는 전도성 프로파일을 갖고, 그리고 상기 제1 측면 표면의 중심부로부터 상기 리세스 영역(700)을 향하여 전도성이 감소하는,
    유기 발광 디바이스.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 콘택 연결부는 전도성 산화물, 예컨대 주석 산화물을 포함하는,
    유기 발광 디바이스.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 콘택 연결부는 금속 또는 금속 합금을 포함하는,
    유기 발광 디바이스.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 콘택 연결부는 제1 표면 전도성을 갖고 그리고 상기 제2 콘택 연결부는 제2 표면 전도성을 갖고 그리고 상기 제1 표면 전도성과 상기 제2 표면 전도성은 많아야 10배수만큼 상이한,
    유기 발광 디바이스.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 발광 디바이스는 투명 OLED로서 구성되는,
    유기 발광 디바이스.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 발광 디바이스는 바텀-에미터(bottom-emitter) OLED로서 구성되는,
    유기 발광 디바이스.
KR1020127027523A 2010-03-22 2011-03-09 균일한 밝기 분포를 갖는 유기 발광 디바이스 KR101844900B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010003121.6 2010-03-22
DE102010003121A DE102010003121A1 (de) 2010-03-22 2010-03-22 Organische Lichtemittierende Vorrichtung mit homogener Leuchtdichteverteilung
PCT/EP2011/053522 WO2011117073A2 (de) 2010-03-22 2011-03-09 Organische lichtemittierende vorrichtung mit homogener leuchtdichteverteilung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130028724A true KR20130028724A (ko) 2013-03-19
KR101844900B1 KR101844900B1 (ko) 2018-04-03

Family

ID=44491735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127027523A KR101844900B1 (ko) 2010-03-22 2011-03-09 균일한 밝기 분포를 갖는 유기 발광 디바이스

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8878225B2 (ko)
EP (1) EP2499671B1 (ko)
JP (1) JP2013522922A (ko)
KR (1) KR101844900B1 (ko)
CN (1) CN102834918B (ko)
DE (1) DE102010003121A1 (ko)
WO (1) WO2011117073A2 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5369240B2 (ja) * 2012-02-28 2013-12-18 日東電工株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
US9559333B2 (en) 2012-08-21 2017-01-31 Nec Lighting, Ltd. Organic el lighting panel substrate, method for manufacturing organic el lighting panel substrate, organic el lighting panel, and organic el lighting device
JP2014154212A (ja) * 2013-02-04 2014-08-25 Toshiba Corp 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
US9923163B2 (en) 2013-12-03 2018-03-20 Oledworks Gmbh Current distribution in an organic light emitting diode device
DE102014117499A1 (de) * 2014-11-28 2016-06-02 Osram Oled Gmbh Lichtemittierendes Bauelement
DE102015100099B4 (de) * 2015-01-07 2017-10-19 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Herstellen eines organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102015105756A1 (de) * 2015-04-15 2016-10-20 Osram Oled Gmbh Beleuchtungsanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungsanordnung
DE102015114844A1 (de) 2015-09-04 2017-03-09 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode und Fahrzeugaußenbeleuchtung
DE102019106419A1 (de) * 2019-03-13 2020-09-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterchips

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085158A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
US7033711B2 (en) * 2003-07-16 2006-04-25 Eastman Kodak Company Aperture ratio or resolution of an OLED device by limiting the edge taper region
KR101116816B1 (ko) 2004-06-05 2012-02-28 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
FR2878652A1 (fr) * 2004-11-29 2006-06-02 Thomson Licensing Sa Diode organique electroluminescente a couches dopees
JP4561490B2 (ja) * 2004-12-24 2010-10-13 株式会社豊田自動織機 エレクトロルミネッセンス素子
DE102005002836A1 (de) * 2005-01-20 2006-08-17 Schott Ag Elektro-optisches Element mit gesteuerter, inbesondere uniformer Funktionalitätsverteilung
JP4981371B2 (ja) 2006-06-28 2012-07-18 ハリソン東芝ライティング株式会社 有機ｅｌ素子
DE102006055884B4 (de) 2006-09-29 2023-03-16 Pictiva Displays International Limited Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP5298856B2 (ja) * 2006-11-21 2013-09-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネル
WO2009025286A1 (ja) * 2007-08-21 2009-02-26 Konica Minolta Holdings, Inc. 照明装置
KR20090092114A (ko) * 2008-02-26 2009-08-31 삼성모바일디스플레이주식회사 초강산의 염을 포함하는 전자 주입층, 이를 포함하는광전변환 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
DE102008027519A1 (de) * 2008-06-10 2009-12-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Flächige Leuchtkörper und ein Verfahren zum Kontaktieren flächiger Leuchtkörper
DE102008049056A1 (de) * 2008-09-26 2010-04-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Organisches photoelektrisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines organischen photoelektrischen Bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
EP2499671B1 (de) 2019-12-18
DE102010003121A1 (de) 2011-09-22
US20130009199A1 (en) 2013-01-10
WO2011117073A2 (de) 2011-09-29
CN102834918A (zh) 2012-12-19
EP2499671A2 (de) 2012-09-19
CN102834918B (zh) 2015-05-20
JP2013522922A (ja) 2013-06-13
KR101844900B1 (ko) 2018-04-03
US8878225B2 (en) 2014-11-04
WO2011117073A3 (de) 2012-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101844900B1 (ko) 균일한 밝기 분포를 갖는 유기 발광 디바이스
JP4451522B2 (ja) 有機及びポリマー発光デバイスの信頼性を向上させるための構造及びその製造方法
CN102144314B (zh) 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件
US8405302B2 (en) Light emitting apparatus with an organic electroluminescence cell
US8344389B2 (en) Optoelectronic device array
EP3236507B1 (en) Organic light-emitting device
JP2009523304A (ja) 有機オプトエレクトロニクス素子
CN102668164B (zh) 具有均匀亮度的光电子装置
CN106856225B (zh) 一种有机发光显示面板及装置
JP2013514612A (ja) 均一な温度分布を有する有機発光装置
CN105393379A (zh) 用于运行有机发光器件的方法
US20060180807A1 (en) Electroluminescent device with homogeneous brightness
CN105723538B (zh) 串联白色有机发光器件
US20130285033A1 (en) Organic el device and method for producing organic el device
CN107768420A (zh) 一种显示器件
US10217940B2 (en) Optoelectronic device
KR101966350B1 (ko) 발광 소자
CN101589484A (zh) 发射辐射的装置和用于制造发射辐射的装置的方法
CN207834301U (zh) 一种显示器件
KR20130102262A (ko) 발광 소자
US20170110520A1 (en) Organic Radiation-Emitting Component
CN114023910A (zh) 一种显示面板及显示装置
Park Large-area OLED lighting panels and their applications
CN109786571A (zh) Oled发光器件、显示基板及显示装置
KR100768720B1 (ko) 오엘이디 디스플레이 소자 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant