CN102983287A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN102983287A CN201110264217XA CN201110264217A CN102983287A CN 102983287 A CN102983287 A CN 102983287A CN 201110264217X A CN201110264217X A CN 201110264217XA CN 201110264217 A CN201110264217 A CN 201110264217A CN 102983287 A CN102983287 A CN 102983287A
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周明杰
王平
黄辉
陈吉星
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Abstract

本发明属于电致发光器件领域，其公开了一种有机电致发光器件及其制备方法；该有机电致发光器件包括依次叠层的阳极基底、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；空穴传输层的材料为空穴传输材料中掺杂聚噻吩类聚合物。本发明提供的有机电致发光器件，通过将聚合物材料与空穴传输材料进行混合掺杂制备掺杂空穴传输功能层，使这一功能层同时具有空穴注入与空穴传输能力，且聚噻吩类聚合物掺杂空穴传输层，可以有效避免金属氧化物所引起的光的吸收效应，提高有机电致发光器件对各个波长的光出射效率，使发光色度更纯，光利用率更高。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及电致光电器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在一般的有机电致发光器件中，其空穴注入层一般用金属氧化物(如三氧化钼MoO3或五氧化二钒V2O5)或者聚合物(如聚3，4-二氧乙烯噻吩PEDOT与聚苯磺酸PSS溶液)，然后再在空穴注入层表面制备空穴传输层，实现对空穴的注入与传输能力的提高，而金属氧化物作为空穴注入层，毒性较大(如V2O5)，不适合未来的应用；另外，金属氧化物具有一定的吸光性(如MoO3常态下呈灰色)，会在一定程度下吸收发光层出射的光线，降低了发光效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以提高出光效率的有机电致发光器件。
一种有机电致发光器件，包括依次叠层的阳极基底、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；所述空穴传输层的材料为空穴传输材料中掺杂聚噻吩类聚合物。
上述有机电致发光器件中：
阳极基底为铟锡氧化物玻璃、掺氟氧化锡玻璃、掺铝氧化锌玻璃或掺铟氧化锌玻璃；
所述空穴传输层中，所述空穴传输材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、1，3，5-三苯基苯及酞菁铜中的至少一种；所述聚噻吩类聚合物选自聚3，4-二氧乙烯噻吩、聚3-己基噻吩、聚3甲基噻吩或聚3-辛基噻吩中的至少一种；
所述电子阻挡层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、1，3，5-三苯基苯及酞菁铜中的至少一种；
所述发光层的材料选自四-叔丁基二萘嵌苯、4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝、4-(二腈甲烯基)-2-异丙基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮及8-羟基喹啉铝中的至少一种；
所述电子传输层的材料与空穴阻挡层的材料分别选自2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑及喹喔啉衍生物中的至少一种；
所述电子注入层的材料选自碳酸铯、叠氮铯、氯化铯、碳酸锂及氟化锂中的至少一种；
所述阴极层的材料选自银、铝、铂、镁、钡、金及镁银合金中的至少一种。
本发明的另一目的在于提供上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、清洗、干燥阳极基底；
S2、在所述阳极基底的阳极层上蒸镀空穴传输层；
S3、在所述空穴传输层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；
上述工艺步骤完后，制得所述有机电致发光器件。
上述制备方法中，步骤S1中，所述阳极基底清洗包括：依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min。
本发明提供的有机电致发光器件，通过将聚合物材料与空穴传输材料进行混合掺杂制备掺杂空穴传输功能层，使这一功能层同时具有空穴注入与空穴传输能力，且聚噻吩类聚合物掺杂空穴传输层，可以有效避免金属氧化物所引起的光的吸收效应，提高有机电致发光器件对各个波长的光出射效率，使发光色度更纯，光利用率更高，最终使得出光效果更高。
附图说明
图1为本发明有机电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明有机电致发光器件的制备工艺流程图；
图3为实施例1的有机电致发光器件与对比例的有机电致发光器件的能量效率与电流密度关系图。
具体实施方式
本发明提供的一种有机电致发光器件，如图1所示，包括依次叠层的阳极基底11、空穴传输层12、电子阻挡层13、发光层14、空穴阻挡层15、电子传输层16、电子注入层17及阴极层18；所述空穴传输层12的材料为主体材料中掺杂聚噻吩类聚合物。
对于上述有机电致发光器件中：
其阳极基底11可以选自铟锡氧化物玻璃(ITO)、掺氟氧化锡玻璃(FTO)、掺铝氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(IZO)；这些阳极基底中，基底均为玻璃，而阳极层分别为铟锡氧化物、掺氟氧化锡、掺铝氧化锌、掺铟氧化锌；
所述空穴传输层12中，聚噻吩类聚合物(即客体材料，或掺杂材料)，其掺杂质量百分比为2～20％；所述空穴传输层的厚度为20～80nm；
所述空穴传输层12的材料中，空穴传输材料(即主体材料)选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)及酞菁铜(CuPc)中的至少一种；聚噻吩类聚合物(即客体材料，或掺杂材料)选自聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)、聚3-己基噻吩(P3HT)、聚3甲基噻吩(P3AT)及聚3-辛基噻吩(P3OT)中的至少一种；
所述电子阻挡层13的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)及酞菁铜(CuPc)中的至少一种，优选材料为TAPC；该电子阻挡层厚度为3～10nm，优选厚度为5nm；
所述发光层14的材料选自四-叔丁基二萘嵌苯(TBP)、4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亚萘基蒽(AND)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝(BALQ)、4-(二腈甲烯基)-2-异丙基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)及8-羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种，发光层材料优选为Alq3；该发光层的厚度为2～50nm，厚度优选为30nm；
所述发光层14的材料也可以选自四-叔丁基二萘嵌苯(TBP)、4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亚萘基蒽(AND)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝(BALQ)、4-(二腈甲烯基)-2-异丙基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)及8-羟基喹啉铝(Alq3)中的一种；
所述空穴阻挡层15的材料与电子传输层16的材料分别选自2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)及喹喔啉衍生物(TPQ)；其中，空穴阻挡层的厚度为3～10nm，优选材料为TPBi，优选厚度为5nm；电子传输层的厚度为40～80nm，优选材料为Bphen，优选厚度为60nm；
所述电子注入层17的材料选自碳酸铯(Cs2CO3)、叠氮铯(CsN3)、氯化铯(CsCl)、碳酸锂(Li2CO3)及氟化锂(LiF)中的至少一种；所述电子注入层17的厚度为0.5-5nm；
所述电子注入层17的材料也可采用碳酸铯(Cs2CO3)、叠氮铯(CsN3)、氯化铯(CsCl)、碳酸锂(Li2CO3)及氟化锂(LiF)中的一种作为主体材料与上述电子传输层的材料掺杂组成，且电子传输层的材料为掺杂材料，其掺杂质量百分比为20～60％；此时，电子注入层的厚度为20～60nm，材料优选Bphen∶CsN3，优选掺杂材料的掺杂质量百分比为20％，优选厚度为40nm；
所述阴极层18的材料选自银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镁(Mg)、钡(Ba)、金(Au)及镁银合金(Mg∶Ag＝1∶10的质量比)中的至少一种；阴极层的厚度为80～250nm，优选厚度150nm。
上述有机电致发光器件的制备方法，如图2所示，包括如下步骤：
S1、将阳极基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除阳极基底表面的有机污染物，干燥阳极基底，备用；
S2、采用蒸镀工艺，在所述阳极基底的阳极层上蒸镀空穴传输层；
S3、采用蒸镀工艺，在所述空穴传输层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；
上述工艺步骤完后，制得所述有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，为了获得更好的层叠粘附效果，在所述步骤S1结束后，还需要对阳极基底上的阳极层的表面进行表面处理，处理过程如下：
功率为10～50W条件下，将清洗干净后的阳极基底的阳极层氧等离子处理5～15min。
本发明提供的有机电致发光器件，通过将聚合物材料与空穴传输材料进行混合掺杂制备掺杂空穴传输功能层，使这一功能层同时具有空穴注入与空穴传输能力，且聚噻吩类聚合物掺杂空穴传输层，可以有效避免金属氧化物所引起的光的吸收效应，提高有机电致发光器件对各个波长的光出射效率，使发光色度更纯，光利用率更高，最终使得出光效果更高。
下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
实施例1
本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/(PEDOT:NPB)/TAPC/Alq3/TPBi/Bphen/(CsN3:Bphen)/(Mg:Ag)。
该有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、先将ITO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对ITO表面的阳极层进行氧等离子处理表面处理5min，且氧等离子处理功率为50W；
2、在氧等离子处理的ITO表面的阳极层上蒸镀空穴传输层：空穴传输材料，即主体材料为NPB，聚噻吩类聚合物，即掺杂材料为PEDOT，且掺杂材料的质量百分比为10％；空穴传输层的厚度为40nm；
3、在空穴传输层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，各功能层分别为：TAPC、Alq3、TPBi、Bphen和Bphen:CsN3(其中，Bphen为主体材料，CsN3为掺杂材料，CsN3的掺杂质量百分比为20％)及Mg∶Ag(Mg∶Ag＝1∶10的质量比)；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：5nm、30nm、5nm、60nm、40nm、150nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。
实施例2
本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/(PEDOT:NPB)/TAPC/DMQA /Bphen /BND /Cs2CO3/Ag。
该有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将ITO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对ITO表面的阳极层进行氧等离子表面处理15min，且氧等离子处理功率为10W；
2、在氧等离子处理的ITO表面的阳极层上蒸镀空穴传输层：空穴传输材料，即主体材料为NPB；聚噻吩类聚合物，即掺杂材料为PEDOT，且掺杂材料的质量百分比为2％；空穴传输层的厚度为80nm；
3、在空穴传输层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，各功能层分别为：TAPC、DMQA、Bphen、BND、Cs2CO3及Ag；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：3nm、50nm、5nm、80nm、5nm、100nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。
实施例3
本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/(P3HT:TCTA)/TCTA/DCJTI/TPBi/PBD/LiF/Ba。
该有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将ITO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对ITO表面的阳极层进行氧等离子表面处理8min，且氧等离子处理功率为20W；
2、在氧等离子处理的ITO表面的阳极层上蒸镀空穴传输层：空穴传输材料，即主体材料为TCTA；聚噻吩类聚合物，即掺杂材料为P3HT，且掺杂材料的质量百分比为20％；空穴传输层的厚度为80nm；
3、在空穴传输层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，各功能层分别为：TCTA、DCJTI、TPBi、PBD、LiF及Ba；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：10nm、2nm、10nm、40nm、0.7nm、80nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。
实施例4
本实施例的有机电致发光器件的结构为：AZO/(P3HT:TAPC)/CuPc/DCJ TB/TPQ/TAZ/LiF/Al。
该有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将AZO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对AZO表面的阳极层进行氧等离子表面处理12min，且氧等离子处理功率为15W；
2、在氧等离子处理的AZO表面的阳极层上蒸镀空穴传输层：空穴传输材料，即主体材料为TAPC；聚噻吩类聚合物，即掺杂材料为P3HT，且掺杂材料的质量百分比为15％；空穴传输层的厚度为20nm；
3、在空穴传输层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，各功能层分别为：CuPc、DCJTB、TPQ、TAZ、LiF及Al；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：5nm、15nm、7nm、80nm、0.5nm、250nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。
实施例5
本实施例的有机电致发光器件的结构为：IZO/(P3AT:NPB)/NPB/TBP/TAZ/TPBi/CsCl/Au。
该有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将IZO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对IZO表面的阳极层进行氧等离子表面处理8min，且氧等离子处理功率为40W；
2、在氧等离子处理的IZO表面的阳极层上蒸镀空穴传输层：空穴传输材料，即主体材料为NPB；聚噻吩类聚合物，即掺杂材料为P3AT，且掺杂材料的质量百分比为5％；空穴传输层的厚度为20nm；
3、在空穴传输层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，各功能层分别为：NPB、TBP、TAZ、TPBi、CsCl及Au；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：10nm、25nm、3nm、60nm、5nm、250nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。
实施例6
本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/(P3OT:TPD)/CuPc/BALQ/PBD/BND/CsN3/Pt。
该有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将ITO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对ITO表面的阳极层进行氧等离子表面处理11min，且氧等离子处理功率为30W；
2、在氧等离子处理的ITO表面的阳极层上蒸镀空穴传输层：空穴传输材料，即主体材料为TPD；聚噻吩类聚合物，即掺杂材料为P3OT，且掺杂材料的质量百分比为5％；空穴传输层的厚度为20nm；
3、在空穴传输层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，各功能层分别为：CuPc、BALQ、PBD、BND、CsN3及Pt；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：10nm、50nm、5nm、40nm、8nm、200nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。
实施例7
本实施例的有机电致发光器件的结构为：IZO/(P3OT:CuPc)/TPD/AND/TAZ/PBD/Li2CO3/Mg。
该有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将IZO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对IZO表面的阳极层进行氧等离子表面处理15min，且氧等离子处理功率为10W；
2、在氧等离子处理的IZO表面的阳极层上蒸镀空穴传输层：空穴传输材料，即主体材料为CuPc；聚噻吩类聚合物，即掺杂材料为P3OT，且掺杂材料的质量百分比为5％；空穴传输层的厚度为50nm；
3、在空穴传输层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，各功能层分别为：TPD、AND、TAZ、PBD、Li2CO3及Mg；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：5nm、40nm、3nm、50nm、9nm、200nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。
实施例8
本实施例的有机电致发光器件的结构为：FTO/(P3AT:TDAPB)/TDAPB/AND/TPBi/BND/CsN3/Ag。
该有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将FTO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对FTO表面的阳极层进行氧等离子表面处理15min，且氧等离子处理功率为10W；
2、在氧等离子处理的FTO表面的阳极层上蒸镀空穴传输层：空穴传输材料，即主体材料为TDAPB；聚噻吩类聚合物，即掺杂材料为P3AT，且掺杂材料的质量百分比为20％；空穴传输层的厚度为50nm；
3、在空穴传输层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，各功能层分别为：TDAPB、AND、TPBi、BND、CsN3及Ag；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：10nm、20nm、5nm、40nm、9nm、250nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。
附图3是实施例1的制得有机电致发光器件与对比例的有机电致发光器件(结构为：ITO/(PEDOT:PSS)/NPB/TAPC/Alq3/TPBi/Bphen/(CsN3:Bphen)/(Mg:Ag))的能量效率与电流密度关系图；其中，曲线1表示实施例1制得有机电致发光器件的能量效率与电流密度曲线，曲线2表示对比例的有机电致发光器件的能量效率与电流密度曲线。
上述电流密度与能量效率的测试，采用高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强＜1×10-3Pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号：2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司，型号：PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学，型号：ST-86LA)。
从图3中可以看到，在不同电流密度下，实施例1制得的有机电致发光器件的最大能量效率为15.5lm/W，比对比例的有机电致发光器件的最大能量效率为13.1lm/W。
应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次叠层的阳极基底、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；所述空穴传输层的材料为空穴传输材料中掺杂聚噻吩类聚合物。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极基底选自铟锡氧化物玻璃、掺氟氧化锡玻璃、掺铝氧化锌玻璃或掺铟氧化锌玻璃。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、1，3，5-三苯基苯及酞菁铜中的至少一种；所述聚噻吩类聚合物选自聚3，4-二氧乙烯噻吩、聚3-己基噻吩、聚3甲基噻吩或聚3-辛基噻吩中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、1，3，5-三苯基苯及酞菁铜中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自四-叔丁基二萘嵌苯、4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝、4-(二腈甲烯基)-2-异丙基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料与空穴阻挡层的材料分别选自2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑及喹喔啉衍生物中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料选自碳酸铯、叠氮铯、氯化铯、碳酸锂及氟化锂中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层的材料选自银、铝、铂、镁、钡、金及镁银合金中的至少一种。
9.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、清洗、干燥阳极基底；
S2、在所述阳极基底的阳极层上蒸镀空穴传输层；
S3、在所述空穴传输层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；
上述工艺步骤完后，制得所述有机电致发光器件。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述阳极基底清洗包括：依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min。
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