CN103378307A - 叠层有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于有机电致发光器件领域,其公开了一种叠层有机电致发光器件及其制备方法;该叠层有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极基底、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层、电荷再生层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层以及阴极层。本发明提供的叠层有机电致发光器件,其电荷再生层由强电子给体材料与强电子受体材料共蒸组成,利用强电子给体材料来提供空穴和强电子受体材料提供电子,达到快速产生空穴和电子,使其在发光层中与相应的电子和空穴进行复合,从而降低空穴或电子被陷阱捕获的现象,进而达到提高器件的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及电致发光器件领域,尤其涉及一种叠层有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中,10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
目前,为了提高发光亮度和发光效率,越来越多的研究是以叠层器件为主,这种结构通常是用电荷产生层作为连接层把数个发光单元串联起来,与单元器件相比,叠层结构器件往往具有成倍的电流效率和发光亮度,叠层OLED的初始亮度比较大,在相同的电流密度下测量时,换算成单元器件的初始亮度,堆积器件会有较长的寿命,而这种叠层器件也可以很容易的将不同颜色的发光单元串联混合成白光,从而实现白光的发射。
叠层器件的电荷产生层必须具有电子再生能力和空穴再生能力,且具有比较好的注入能力,才能有效的将电子和空穴注入到各个发光单元,从而实现器件的发光。目前研究的比较多的是利用两种或两种以上具有空穴注入或电子注入的材料作为电荷生成层(如Cs:BCP/V2O5),或者是n型和p型掺杂层作为电荷产生层(如n型(Alq3:Li)和p型(NPB:FeCl3))、或者是A1-WO3-Au等顺序连接多个发光单元而构成,但是这种电荷产生层至少需要进行两次以上的工序,给制备带来一定的复杂性,同时,一般的n型掺杂物的主体材料都是电子传输速率较差的材料(如BCP)。
发明内容
基于上述问题,本发明所要解决的问题在于提供一种电子传输速率快的叠层有机电致发光器件。
本发明的技术方案如下:
一种叠层有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极基底、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层、电荷再生层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层以及阴极层;所述电荷再生层的材质为强电子给体材料和强电子受体材料混合而成,且所述强电子给体材料和强电子受体材料的质量百分比为1∶4~1∶1;所述电荷再生层的厚度为10~40nm;其中,所述强电子给体材料为3-己基噻吩、3-甲基噻吩或3-辛基噻吩;所述强电子受体材料为PC61BM或PC71BM。
所述叠层有机电致发光器件中,各功能层的材质和厚度如下:
所述导电阳极基底为铟锡氧化物玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃;
所述第一空穴注入层和第二空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒;所述第一空穴注入层和第二空穴注入层的厚度均为20~80nm;
所述第一空穴传输层与第二空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺;所述第一空穴传输层与第二空穴传输层的厚度均为20~60nm;
所述第一发光层与第二发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、4-(二腈亚甲叉)-2-甲基-6-(4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑或八羟基喹啉铝;所述第一发光层与第二发光层的厚度均为2~50nm;
所述的第一电子传输层和第二电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;所述的第一电子传输层和第二电子传输层的厚度均为40~80nm;
所述第一电子注入层和第二电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂;所述第一电子注入层和第二电子注入层的厚度均为0.5-10nm;
所述阴极层的材料为银、铝、铂或金;所述阴极层的厚度为80-300nm;
本发明还提供一种上述叠层有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
S1、先将导电阳极基底进行光刻处理,然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min;
S2、清洗干净后对导电阳极基底进行5~15min的氧等离子处理,且功率为10-50W;
S3、利用蒸镀工艺,在步骤S2氧等离子处理后的导电阳极基底表面依次层叠蒸镀第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一电子注入层;
S4、接着,在第一电子注入层表面制备电荷再生层,该电荷再生层为强电子给体材料与强电子受体材料掺杂共蒸而成;强电子给体材料与强电子受体材料的掺杂质量百分比为1∶4-1∶1;所述电荷再生层的厚度为10~40nm;其中,所述强电子给体材料为3-己基噻吩、3-甲基噻吩或3-辛基噻吩;所述强电子受体材料为PC61BM或PC71BM;
S5、再次利用蒸镀工艺,在电荷再生层表面依次层叠蒸镀第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和阴极层;
所述工艺步骤完成后,制得所述叠层有机电致发光器件。
本发明提供的叠层有机电致发光器件,其电荷再生层由强电子给体材料与强电子受体材料共蒸组成,利用强电子给体材料来提供空穴和强电子受体材料提供电子,达到快速产生空穴和电子,使其在发光层中与相应的电子和空穴进行复合,从而降低空穴或电子被陷阱捕获的现象,进而达到提高器件的发光效率。
本发明提供的叠层有机电致发光器件的制备方法,利用强电子给体材料与强电子受体材料共蒸组成电荷再生层,混合掺杂工艺简单,不用经过多次蒸镀工序。
附图说明
图1为本发明的叠层有机电致发光器件的结构示意图;
图2为实施例1制得的叠层有机电致发光器件与对比例1制得的有机电致发光器件的电流密度与电流效率的对比图;其中,曲线1为实施例1的电流密度与电流效率的关系图;曲线2为对比例1的电流密度与电流效率的关系图。
具体实施方式
本发明提供的叠层有机电致发光器件是以如下的方式实现的:
一种叠层有机电致发光器件,如图1所示,包括依次层叠的导电阳极基底10、第一空穴注入层11、第一空穴传输层12、第一发光层13、第一电子传输层14、第一电子注入层15、电荷再生层16、第二空穴注入层17、第二空穴传输层18、第二发光层19、第二电子传输层20、第二电子注入层21和阴极层22;即导电阳极基底10/第一空穴注入层11/第一空穴传输层12/第一发光层13/第一电子传输层14/第一电子注入层15/电荷再生层16/第二空穴注入层17/第二空穴传输层18/第二发光层19/第二电子传输层20/第二电子注入层21/阴极层22。
上述叠层有机电致发光器件,如图1所示,其各功能层的材质和厚度如下:
导电阳极基底10包括玻璃基底1和导电阳极层2,如,铟锡氧化物玻璃(ITO)、掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(IZO);优选为ITO;因此,此时的叠层有机电致发光器件的结构如下:
(玻璃基底1/导电阳极2)10/第一空穴注入层11/第一空穴传输层12/第一发光层13/第一电子传输层14/第一电子注入层15/电荷再生层16/第二空穴注入层17/第二空穴传输层18/第二发光层19/第二电子传输层20/第二电子注入层21/阴极层22
第一空穴注入层11和第二空穴注入层17的材质均采用三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5),优选材质为MoO3;第一空穴注入层和第二空穴注入层的厚度为20-80nm,优选厚度为40nm;
第一空穴传输层12与第二空穴传输层18的材质均采用1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB),优选为NPB;第一空穴传输层12与第二空穴传输18层的厚度为20-60nm,优选厚度为40nm;
第一发光层13与第二发光层19的材质均采用荧光材料,该荧光发光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、4-(二腈亚甲叉)-2-甲基-6-(4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃(DCM)、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯](DPVBi)、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑(BCzVBi)或八羟基喹啉铝(Alq3)优选为Alq3;第一发光层13与第二发光层19的厚度为2-50nm,优选厚度为30nm;
电荷再生层16的材质为强电子给体材料与强电子受体材料掺杂共蒸而成,电子给体材料为3-己基噻吩(3HT)、3-甲基噻吩(3AT)或3-辛基噻吩(3OT);强电子受体为PC61BM或PC71BM,也可以是其他C60衍生物或C70衍生物;强电子给体材料与强电子受体材料的掺杂质量百分比为1∶4-1∶1;电荷再生层16的厚度为10-40nm,优选厚度为15nm;
第一电子传输层14和第二电子传输层20的材质采用4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI),优选为TPBi;第一电子传输层14和第二电子传输层20的厚度为40-80nm,优选厚度为50nm;
第一电子注入层15和第二电子注入层21的材质为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或者氟化锂(LiF),优选为LiF;第一电子注入层15和第二电子注入层21的厚度为0.5-10nm,优选厚度为1nm;
阴极层22的材质为银(Ag)、铝(A1)、铂(Pt)或金(Au),优选为Ag;阴极层的厚度为80-300nm,优选厚度为150nm。
上述层叠有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
S1、先将导电阳极基底进行光刻处理,然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min,去除玻璃表面的有机污染物
S2、清洗干净后对导电阳极基底进行5~15min的氧等离子处理,且功率为10-50W;
S3、利用蒸镀工艺,在步骤S2氧等离子处理后的导电阳极基底表面依次层叠蒸镀第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一电子注入层;
S4、接着,在第一电子注入层表面制备电荷再生层,该电荷再生层为强电子给体材料与强电子受体材料掺杂共蒸而成;强电子给体材料与强电子受体材料的掺杂质量百分比为1∶4-1∶1;所述电荷再生层的厚度为10~40nm;其中,强电子给体材料为3-己基噻吩、3-甲基噻吩或3-辛基噻吩;强电子受体材料为PC61BM或PC71BM;
S5、再次利用蒸镀工艺,在电荷再生层表面依次层叠蒸镀第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和阴极层;
所述工艺步骤完成后,制得所述叠层有机电致发光器件。
本发明提供的叠层有机电致发光器件,其电荷再生层由强电子给体材料与强电子受体材料共蒸组成,利用强电子给体材料来提供空穴和强电子受体材料提供电子,达到快速产生空穴和电子,使其在发光层中与相应的电子和空穴进行复合,从而降低空穴或电子被陷阱捕获的现象,进而达到提高器件的发光效率。
本发明提供的叠层有机电致发光器件的制备方法,利用强电子给体材料与强电子受体材料共蒸组成电荷再生层,混合掺杂工艺简单,不用经过多次蒸镀工序。
下面对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
下述实施例所用到的制备与测试仪器为:高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司,压强<1×10-3Pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司,型号:2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司,型号:PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学,型号:ST-86LA)。
实施例1
本实施例的叠层有机电致发光器件结构:玻璃/ITO/MoO3/NPB/Alq3/TPBi/LiF/3HT:PC71BM/MoO3/NPB/Alq3/TPBi/LiF/Ag。
叠层有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将ITO玻璃基底进行光刻处理,剪裁成所需要的大小,依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
清洗干净后对导电基底进行合适的处理:氧等离子处理导电阳极层(ITO),处理时间为5min,功率为30W;
在ITO层表面依次层叠蒸镀第一空穴注入层(材料为MoO3,厚度为40nm)、第一空穴传输层(材料为NPB,厚度为40nm)、第一发光层(材料为Alq3,厚度为30nm)、第一电子传输层(材料为TPBi,厚度为50nm)和第一电子注入层(材料为LiF,厚度为1nm);
在第一电子注入层表面制备电荷再生层,该电荷再生层的材料为3HT:PC71BM,3HT与PC71BM的掺杂质量百分比为1∶1;电荷再生层厚度为15nm;
在电荷再生层表面再次依次层叠蒸镀第二空穴注入层(材料为MoO3,厚度为40nm)、第二空穴传输层(材料为NPB,厚度为40nm)、第二发光层(材料为Alq3,厚度为30nm)、第二电子传输层(材料为TPBi,厚度为50nm)、第二电子注入层(材料为LiF,厚度为1nm)和阴极层(材料Ag,厚度为150nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
实施例2
本实施例的叠层有机电致发光器件结构:玻璃/IZO/WO3/TCTA/BCzVBi/Bphen/Cs2CO3/3AT:PC61BM /V2O5/TAPC/DCM/TAZ/CsN3/Al。
叠层有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将IZO玻璃基底进行光刻处理,剪裁成所需要的大小,依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
清洗干净后对导电基底进行合适的处理:氧等离子处理导电阳极层(IZO),处理时间为5min,功率为30W;
在IZO层表面依次层叠蒸镀第一空穴注入层(材料为WO3,厚度为20nm)、第一空穴传输层(材料为TCTA,厚度为60nm)、第一发光层(材料为BCzVBi,厚度为50nm)、第一电子传输层(材料为Bphen,厚度为80nm)和第一电子注入层(材料为Cs2CO3,厚度为0.5nm);
在第一电子注入层表面制备电荷再生层,该电荷再生层的材料为3AT:PC61BM,3AT与PC61BM的掺杂质量百分比为1∶4;电荷再生层厚度为40nm;
在电荷再生层表面再次依次层叠蒸镀第二空穴注入层(材料为V2O5,厚度为80nm)、第二空穴传输层(材料为TAPC,厚度为20nm)、第二发光层(材料为DCM,厚度为2nm)、第二电子传输层(材料为TAZ,厚度为40nm)、第二电子注入层(材料为CsN3,厚度为10nm)和阴极层(材料Al,厚度为300nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
实施例3
本实施例的叠层有机电致发光器件结构:玻璃/ITO/V2O5/TAPC/DPVBi/TAZ/CsN3/3OT:PC71BM /WO3/Bphen/DCJTB/NPB/CsF/Pt。
叠层有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将ITO玻璃基底进行光刻处理,剪裁成所需要的大小,依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
清洗干净后对导电基底进行合适的处理:氧等离子处理导电阳极层(ITO),处理时间为5min,功率为30W;
在ITO层表面依次层叠蒸镀第一空穴注入层(材料为V2O5,厚度为80nm)、第一空穴传输层(材料为TAPC,厚度为20nm)、第一发光层(材料为DPVBi,厚度为35nm)、第一电子传输层(材料为TAZ,厚度为40nm)和第一电子注入层(材料为CsN3,厚度为10nm);
在第一电子注入层表面制备电荷再生层,该电荷再生层的材料为3HT:PC71BM,3HT与PC71BM的掺杂质量百分比为1∶3;电荷再生层厚度为10nm;
在电荷再生层表面再次依次层叠蒸镀第二空穴注入层(材料为WO3,厚度为50nm)、第二空穴传输层(材料为Bphen,厚度为80nm)、第二发光层(材料为DCJTB,厚度为10nm)、第二电子传输层(材料为NPB,厚度为40nm)、第二电子注入层(材料为CsF,厚度为0.5nm)和阴极层(材料Pt,厚度为80nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
实施例4
本实施例的叠层有机电致发光器件结构:玻璃/AZO/MoO3/NPB/Alq3/Bphen/LiF/3HT:PC61BM /WO3/TAPC/BCzVBi/Bphen/CsF/Au。
叠层有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将AZO玻璃基底进行光刻处理,剪裁成所需要的大小,依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
清洗干净后对导电基底进行合适的处理:氧等离子处理导电阳极层(AZO),处理时间为5min,功率为30W;
在AZO层表面依次层叠蒸镀第一空穴注入层(材料为MoO3,厚度为40nm)、第一空穴传输层(材料为NPB,厚度为40nm)、第一发光层(材料为Alq3,厚度为30nm)、第一电子传输层(材料为Bphen,厚度为50nm)和第一电子注入层(材料为LiF,厚度为1nm);
在第一电子注入层表面制备电荷再生层,该电荷再生层的材料为3HT:PC61BM,3HT与PC61BM的掺杂质量百分比为1∶4;电荷再生层厚度为35nm;
在电荷再生层表面再次依次层叠蒸镀第二空穴注入层(材料为WO3,厚度为70nm)、第二空穴传输层(材料为TAPC,厚度为50nm)、第二发光层(材料为BCzVBi,厚度为50nm)、第二电子传输层(材料为Bphen,厚度为70nm)、第二电子注入层(材料为CsF,厚度为8nm)和阴极层(材料Au,厚度为100nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
对比例1
本对比例的有机电致发光器件结构:玻璃/ITO/MoO3/NPB/Alq3/TPBi/LiF/(Al/WO3/Au)/MoO3/NPB/Alq3/TPBi/LiF/Ag。
叠层有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将ITO玻璃基底进行光刻处理,剪裁成所需要的大小,依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;
清洗干净后对导电基底进行合适的处理:氧等离子处理导电阳极层(ITO),处理时间为5min,功率为30W;
在ITO层表面依次层叠蒸镀第一空穴注入层(材料为MoO3,厚度为40nm)、第一空穴传输层(材料为NPB,厚度为40nm)、第一发光层(材料为Alq3,厚度为30nm)、第一电子传输层(材料为TPBi,厚度为50nm)和第一电子注入层(材料为LiF,厚度为1nm);
在第一电子注入层表面制备电荷再生层,该电荷再生层依次层叠包括Al层、WO3层和Au层,厚度分别为10nm、5nm和10nm;电荷再生层的层状结构示意为:Al/WO3/Au;
在电荷再生层的Au层表面再次依次层叠蒸镀第二空穴注入层(材料为MoO3,厚度为40nm)、第二空穴传输层(材料为NPB,厚度为40nm)、第二发光层(材料为Alq3,厚度为30nm)、第二电子传输层(材料为TPBi,厚度为50nm)、第二电子注入层(材料为LiF,厚度为1nm)和阴极层(材料Ag,厚度为150nm);
上述工艺完成后,制得需要的层叠有机电致发光器件。
图2为实施例1制得的叠层有机电致发光器件与对比例1制得的有机电致发光器件的电流密度与电流效率的对比图;其中,曲线1为实施例1的电流密度与电流效率的关系图;曲线2为对比例1的电流密度与电流效率的关系图。
图2可以看到,在不同电流密度下,实施例1制得的叠层有机电致发光器件的电流效率都比对比例1制得的有机电致发光器件的电流效率要大,最大的电流效率为51.0cd/A,而对比例1的最大的电流效率仅为29.1cd/A。这说明,用强电子给体材料与强电子受体材料共蒸组成电荷再生层,可以快速的产生空穴和电子,使其在发光层中与相应的电子和空穴进行复合,降低空穴或电子被陷阱捕获的现象,提高发光效率。
应当理解的是,上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细,并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制,本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种叠层有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的导电阳极基底、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第一电子注入层、电荷再生层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层以及阴极层;所述电荷再生层的材质为强电子给体材料和强电子受体材料混合而成,且所述强电子给体材料和强电子受体材料的质量百分比为1∶4~1∶1;所述电荷再生层的厚度为10~40nm;其中,
所述强电子给体材料为3-己基噻吩、3-甲基噻吩或3-辛基噻吩;
所述强电子受体材料为PC61BM或PC71BM。
2.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于,所述导电阳极基底为铟锡氧化物玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃。
3.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于,所述第一空穴注入层和第二空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒;所述第一空穴注入层和第二空穴注入层的厚度均为20~80nm。
4.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于,所述第一空穴传输层与第二空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺;所述第一空穴传输层与第二空穴传输层的厚度均为20~60nm。
5.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于,所述第一发光层与第二发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、4-(二腈亚甲叉)-2-甲基-6-(4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑或八羟基喹啉铝;所述第一发光层与第二发光层的厚度均为2~50nm。
6.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于,所述的第一电子传输层和第二电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;所述的第一电子传输层和第二电子传输层的厚度均为40~80nm。
7.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于,所述第一电子注入层和第二电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂;所述第一电子注入层和第二电子注入层的厚度均为0.5-10nm。
8.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极层的材料为银、铝、铂或金;所述阴极层的厚度为80-300nm。
9.权利要求1所述的叠层有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、先将导电阳极基底进行光刻处理,然后依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min;
S2、清洗干净后对导电阳极基底进行5~15min的氧等离子处理,且功率为10-50W;
S3、利用蒸镀工艺,在步骤S2氧等离子处理后的导电阳极基底表面依次层叠蒸镀第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一电子注入层;
S4、接着,在第一电子注入层表面制备电荷再生层,该电荷再生层为强电子给体材料与强电子受体材料掺杂共蒸而成;强电子给体材料与强电子受体材料的掺杂质量百分比为1∶4-1∶1;所述电荷再生层的厚度为10~40nm;其中,所述强电子给体材料为3-己基噻吩、3-甲基噻吩或3-辛基噻吩;所述强电子受体材料为PC61BM或PC71BM;
S5、再次利用蒸镀工艺,在电荷再生层表面依次层叠蒸镀第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、第二电子注入层和阴极层;
所述工艺步骤完成后,制得所述叠层有机电致发光器件。
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