CN102916132A - 一种白光有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于电致发光器件领域，其公开了一种白光有机电致发光器件及其制备方法；该白光有机电致发光器件包括依次叠层的阳极基底、p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、绿光发光复合层、红光发光复合层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层。本发明提供的白光有机电致发光器件，将主体和客体相互掺杂结构构成的发光层拆分为纯客体层(如，蓝光发光层)和纯主体层(如，绿光发光复合层、红光发光复合层)交替层叠排列层的发光层，简化了有机电致发光器件的制备工艺，提高了有机电致发光器件的发光效率和显色性。
Description
技术领域
本发明涉及光电器件，尤其涉及一种白光有机电致发光器件。本发明还涉及该白光有机电致发光器件的制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于1000小时。
现在发展的白光有机电致发光器件，是采用多层发光层，每层为主客体掺杂层，分别掺杂红、绿或蓝光的磷光材料，并且可以通过调节掺杂组分的浓度得到满意的色纯度。这种方法存在的缺点是：随着电流的增加，器件的显色性易发生漂移。
消除有机电致发光器件的色漂移方法，一般采用单发光层，混合红绿蓝发光材料作为单一发光层，并严格控制各组分的浓度。然而这种方法涉及到多组分共蒸，由于基底与各蒸发源的距离问题，共蒸时膜厚监测仪不能精确控制各组分的浓度，会导致有机电致发光器件的显色性不好和发光效率不高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光效率稿、显色性好的白光有机电致发光器件。
一种白光有机电致发光器件，包括依次叠层的阳极基底、p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、绿光发光复合层、红光发光复合层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层；所述绿光发光复合层包括x层绿光发光复合层单体，所述绿光发光复合层单体由相互交替层叠的第一主体层和绿光发光客体层；所述第一主体层与所述蓝光发光层层叠设置；所述红光发光复合层包括y层红光发光复合层单体，所述红光发光复合层单体由相互交替层叠的第二主体层和红光发光客体层；所述第二主体层与所述绿光发光客体层层叠设置，所述红光发光客体层与所述空穴阻挡层层叠设置；其中，x和y分别为1～5的整数。
在该白光有机电致发光器件中，蓝光发光层、(绿光发光复合层)x以及(红光发光复合层)y构成发光层。
上述白光有机电致发光器件中，各功能层的材料如下：
所述的阳极基底为氧化铟锡玻璃、掺氟氧化锡玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟氧化锌玻璃；
所述p型掺杂空穴传输层的材料为空穴传输材料掺杂四氟四氰基对苯醌二甲烷或四氰基对苯醌二甲烷；所述空穴传输材料为4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N′-(1-萘基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺、1，3，5-三苯基苯；
所述电子阻挡层的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺或4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺；
所述蓝光发光层的材料为苝或4，4′-二(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，10-二苯基；
所述绿光发光客体层的材料为三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮二(2-苯基吡啶)合铱；
所述红光发光客体层的材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱或三(1-苯基-异喹啉)合铱；
所述第一主体层和第二主体层的材料为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N-芳基苯并咪唑；
所述空穴阻挡层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉或N-芳基苯并咪唑；
所述n型掺杂电子传输层的材料为电子传输材料掺杂碳酸铯、叠氮化铯、氟化铯、氟化锂或碳酸锂；所述电子传输材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉或N-芳基苯并咪唑；
所述的阴极层的材料采用银、铝、铂、金或镁银合金。
本发明得到另一目的在于提供上述白光有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、清洗、干燥阳极基底；
S2、在所述阳极基底的阳极层表面依次层叠蒸镀p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层；
S3、在所述蓝光发光层表面蒸镀第一主体层，接着在所述第一主体层表面蒸镀绿光发光客体层；随后在所述蓝光发光层表面重复交替蒸镀所述第一主体层和绿光发光客体层，且所述第一主体层和绿光发光客体层构成绿光发光复合层单体，所述蓝光发光层表面上的x层所述绿光发光复合层单体构成绿光发光复合层；x为1～5的整数；
S4、在所述绿光发光复合层表面蒸镀第二主体层，接着在所述第二主体层表面蒸镀红光发光客体层；随后在所述绿光发光复合层表面重复交替蒸镀第二主体层和红光发光客体层，且所述第二主体层和红光发光客体层构成红光发光复合层单体，所述绿光发光复合层表面上的y层所述红光发光复合层单体构成红光发光复合层；y为1～5的整数；
S5、在所述红光发光复合层表面依次层叠蒸镀空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层；
上述工艺步骤完后，制得所述白光有机电致发光器件。
本发明提供的白光有机电致发光器件，将传统的主体客体(即，主体为空穴传输材料，客体为蓝光发光材料、绿光发光材料和红光发光材料三种材料)相互掺杂结构构成的发光层拆分为蓝光发光层、绿光发光复合层和红光发光复合层；且绿光发光复合层和红光发光复合层中，主体层和客体层交替层叠排列；由于主体层厚度较薄，可以发生从主体层到客体层的能量转移，并且主客体层交替层叠结构，有利于客体层形成阱结构，从而直接捕获载流子，提高了有机电致发光器件的发光效率；同时，简化了制备工艺，组分控制准确，提高了有机电致发光器件的显色性。
附图说明
图1为本发明白光有机电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明白光有机电致发光器件中的绿光发光复合层结构示意图；
图3为本发明白光有机电致发光器件中的红光发光复合层结构示意图；
图4为本发明白光有机电致发光器件的制备工艺流程图；
图5为实施例1的白光有机电致发光器件与对比例白光有机电致发光器件的电压与亮度关系图；
图6为实施例1的白光有机电致发光器件与对比例白光有机电致发光器件的流明效率与电流密度关系图。
具体实施方式
本发明提供的一种白光有机电致发光器件，如图1、2和3所示，包括依次叠层的阳极基底11、p型掺杂空穴传输层12、电子阻挡层13、蓝光发光层14、绿光发光复合层15、红光发光复合层16、空穴阻挡层17、n型掺杂电子传输层18及阴极层19；所述绿光发光复合层15包括x层绿光发光复合层单体150，所述绿光发光复合层单体150由相互交替层叠的第一主体层151和绿光发光客体层152；所述第一主体层151与所述蓝光发光层14层叠设置，所述绿光发光客体层152与所述红光发光复合层16层叠设置；所述红光发光复合层16包括y层红光发光复合层单体160，所述红光发光复合层单体160由相互交替层叠的第二主体层161和红光发光客体层162；所述第二主体层161与所述绿光发光客体层152层叠设置，所述红光发光客体层162与所述空穴阻挡层17层叠设置；其中，x和y分别为1～5的整数。在该白光有机电致发光器件中，蓝光发光层14、绿光发光复合层15及红光发光复合层16构成发光层。
上述白光有机电致发光器件中，各功能层的材料如下：
所述的阳极基底11为氧化铟锡玻璃(ITO)、掺氟氧化锡玻璃(FTO)、掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟氧化锌玻璃(IZO)；优选为ITO；
所述p型掺杂空穴传输层12的材料为空穴传输材料掺四氟四氰基对苯醌二甲烷(F4-TCNQ)或四氰基对苯醌二甲烷(TCNQ)；其中，所述空穴传输材料为4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺(m-MTDATA)、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N′-(1-萘基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)(其中，所述p型掺杂空穴传输层的材料中，掺杂材料的质量百分比0.4％)；其中，p型掺杂空穴传输层的材料优选为m-MTDATA:F4-TCNQ；p型掺杂空穴传输层厚度为20～80nm，优选厚度为40nm；
所述电子阻挡层13的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺(TPD)或4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)；其中，电子阻挡层的材料优选为TAPC；，电子阻挡层的厚度为2～20nm，优选厚度为5nm；
所述蓝光发光层14的材料为苝(Perylene)或4，4′-二(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，10-二苯基(BCzVBi)；其中，蓝光发光层的材料优选为BczVBi；蓝光发光层的厚度为10～20nm，优选厚度为15nm；
上述绿光发光复合层15和红光发光复合层16中，第一主体层151和第二主体层161的材料为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、或N-芳基苯并咪唑(TPBI)；主体层的厚度为3～10nm；所述绿光发光客体层152的材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)或乙酰丙酮二(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)2(acac))；其中，绿光发光客体层的厚度为0.1～1nm；所述红光发光客体层162的材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))或三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)；所述红光发光客体层的厚度为0.1～1nm；
所述空穴阻挡层17的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)；该空穴阻挡层的材料优选为Bphen；该空穴阻挡层的厚度为2～20nm，优选厚度为10nm；
所述n型掺杂电子传输层18的材料为电子传输材料掺杂碳酸铯(Cs2CO3)、叠氮化铯(CsN3)、氟化铯(CsF)、氟化锂(LiF)或碳酸锂(Li2CO3)；所述电子传输材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑(BND)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)(其中，所述n型掺杂电子传输层的材料中，掺杂材料的质量百分比是30％)；其中，n型掺杂电子传输层优选为Bphen:Cs2CO3；n性掺杂电子传输层的厚度为40～80nm，优选厚度为40nm；
所述阴极层19的材料采用银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)或镁银合金(Mg-Ag)，镁银合金(Mg-Ag)中，Mg与Ag的质量百分比为10∶1；所述阴极层的材料优选为质量百分比为10∶1的Mg-Ag合金；所述阴极层的厚度为100～200nm，优选厚度为150nm。
上述白光有机电致发光器件的制备方法，如图4所示，包括如下步骤：
S1、将阳极基底进行旋涂光刻胶、曝光、显影、王水刻蚀，刻蚀成所需要的图案和大小，然后将刻蚀好的阳极基底依次用纯净水、丙酮、乙醇等各超声清洗15min，清洗干净后对的阳极基底的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，氧等离子处理功率为50W；
S2、在所述阳极基底的阳极层表面依次层叠蒸镀p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层；
S3、在所述蓝光发光层表面蒸镀第一主体层，接着在所述第一主体层表面蒸镀绿光发光客体层；随后在所述蓝光发光层表面重复交替蒸镀所述第一主体层和绿光发光客体层，且所述第一主体层和绿光发光客体层构成绿光发光复合层单体，所述蓝光发光层表面上的x层所述绿光发光复合层单体构成绿光发光复合层；x为1～5的整数；
S4、在所述绿光发光复合层表面蒸镀第二主体层，接着在所述第二主体层表面蒸镀红光发光客体层；随后在所述绿光发光复合层表面重复交替蒸镀第二主体层和红光发光客体层，且所述第二主体层和红光发光客体层构成红光发光复合层单体，所述绿光发光复合层表面上的y层所述红光发光复合层单体构成红光发光复合层；y为1～5的整数；
S5、在所述红光发光复合层表面依次层叠蒸镀空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层；
上述工艺步骤完后，制得所述白光有机电致发光器件。
上述白光有机电致发光器件的制备方法中，绿光发光复合层采用主体层和绿光发光客体层交替蒸镀，完后再进行下一个功能层的蒸镀制备；红光发光复合层也是如此进行。
本发明提供的白光有机电致发光器件，传统的主体客体(即，主体为空穴传输材料，客体为蓝光发光材料、绿光发光材料和红光发光材料三种材料)相互掺杂结构构成的发光层拆分为蓝光发光层、绿光发光复合层和红光发光复合层；且绿光发光复合层和红光发光复合层中，主体层和客体层交替层叠排列；由于主体层厚度较薄，可以发生从主体层到客体层的能量转移，并且主客体层交替层叠结构，有利于客体层形成阱结构，从而直接捕获载流子，提高了有机电致发光器件的发光效率；同时，简化了制备工艺，组分控制准确，提高了有机电致发光器件的显色性。
下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
实施例1
本实施例的白光有机电致发光器件的结构为：
ITO/m-MTDATA:F4-TCNQ/TAPC/BCzVBi/(TCTA/Ir(ppy)3)2/(TCTA/Ir(piq)3)2/Bphen/Bphen:Cs2CO3/Mg-Ag合金。
该白光有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将ITO进行旋涂光刻胶、曝光、显影、王水刻蚀，刻蚀成所需要的图案和大小，然后将刻蚀好的阳极基底依次用纯净水、丙酮、乙醇等各超声清洗15min，清洗干净后对的ITO的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，氧等离子处理功率为50W；
2、采用蒸镀工艺，在ITO的阳极层表面依次层叠蒸镀材料分别为m-MTDATA:F4-TCNQ、TAPC、BczVBi、(TCTA/Ir(ppy)3)2、(TCTA/Ir(piq)3、Bphen、Bphen:Cs2CO3、Mg-Ag合金的p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、绿光发光复合层、红光发光复合层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层；其中：
p型掺杂空穴传输层中，即m-MTDATA:F4-TCNQ，主体材料为m-MTDATA，掺杂材料为F4-TCNQ，且F4-TCNQ的掺杂质量百分比为多少？0.4％；
绿光发光复合层中，绿光发光复合层单体为TCTA/Ir(ppy)3，单体的层数为2层，第一主体层的材料为TCTA，绿光发光客体层的材料为Ir(ppy)3；
红光发光复合层中，红光发光复合层单体为TCTA/Ir(piq)3，单体的层数为2层，第二主体层的材料为TCTA，红光发光客体层的材料为Ir(piq)3；
n型掺杂空穴传输层中，即Bphen:Cs2CO3，主体材料为Bphen，掺杂材料为Cs2CO3，且Cs2CO3的掺杂质量百分比为30％；
阴极层中，即Mg-Ag合金，Mg与Ag的质量百分比为10∶1；
各功能层的厚度如下：
p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层的厚度分别为40nm、5nm、15nm、10nm、40nm、150nm；
绿光发光复合层中，即(TCTA/Ir(ppy)3)2，第一主体层的厚度为10nm，绿光发光客体层的厚度为1nm，；
红光发光复合层中，即(TCTA/Ir(piq)3)2，第二主体层的厚度为10nm，红光发光客体层的厚度为1nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的白光有机电致发光器件。
实施例2
本实施例的白光有机电致发光器件的结构为：
FTO/TPD:TCNQ/TPD/Perylene/TPBI/Ir(ppy)2(acac)/TPBI/Ir(piq)2(acac)/PBD/PBD:CsN3/Ag。
该白光有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将FTO进行旋涂光刻胶、曝光、显影、王水刻蚀，刻蚀成所需要的图案和大小，然后将刻蚀好的阳极基底依次用纯净水、丙酮、乙醇等各超声清洗15min，清洗干净后对FTO的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，氧等离子处理功率为50W；
2、采用蒸镀工艺，在FTO的阳极层表面依次层叠蒸镀材料分别为TPD:TCNQ、TPD、Perylene、TPBI/Ir(ppy)2(acac)、TPBI/Ir(piq)2(acac)、PBD、PBD:CsN3、Ag的p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、绿光发光复合层、红光发光复合层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层；其中：
p型掺杂空穴传输层中，即TPD:TCNQ，主体材料为TPD，掺杂材料为TCNQ，且TCNQ的掺杂质量百分比为0.4％；
绿光发光复合层中，绿光发光复合层单体为TPBI/Ir(ppy)2(acac)，单体层数为1层，第一主体层的材料为TPBI，绿光发光客体层的材料为Ir(ppy)2(acac)；
红光发光复合层中，红光发光复合层单体为TPBI/Ir(piq)2(acac)，单体层数为1层，第二主体层的材料为TPBI，红光发光客体层的材料为Ir(piq)2(acac)；
n型掺杂空穴传输层中，即PBD:CsN3，主体材料为PBD，掺杂材料为CsN3，且CsN3的掺杂质量百分比为30％；
各功能层的厚度如下：
p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层的厚度分别为20nm、2nm、10nm、2nm、60nm、100nm；
绿光发光复合层中，即(TPBI/Ir(ppy)2(acac))1，第一主体层的厚度为10nm，绿光发光客体层的厚度为1nm；
红光发光复合层中，即(TPBI/Ir(piq)2(acac))1，第二主体层的厚度为10nm，红光发光客体层的厚度为1nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的白光有机电致发光器件。
实施例3
本实施例的白光有机电致发光器件的结构为：
AZO/TCTA:TCNQ/TCTA/BCzVBi/(TCTA/Ir(ppy)3)3/(TCTA/Ir(MDQ)2(acac))3/Alq3/Alq3:LiF/Al。
该白光有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将AZO进行旋涂光刻胶、曝光、显影、王水刻蚀，刻蚀成所需要的图案和大小，然后将刻蚀好的阳极基底依次用纯净水、丙酮、乙醇等各超声清洗15min，清洗干净后对AZO的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，氧等离子处理功率为50W；
2、采用蒸镀工艺，在AZO的阳极层表面依次层叠蒸镀材料分别为TCTA:TCNQ、TCTA、BczVBi、(TCTA/Ir(ppy)3)3、(TCTA/Ir(MDQ)2(acac))3、Alq3、Alq3:LiF、Al的p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、绿光发光复合层、红光发光复合层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层；其中：
p型掺杂空穴传输层中，即TCTA:TCNQ，主体材料为TCTA，掺杂材料为TCNQ，且TCNQ的掺杂质量百分比为0.4％；
绿光发光复合层中，绿光发光复合层单体为TCTA/Ir(ppy)3，单体层数为3层，第一主体层的材料为TCTA，绿光发光客体层的材料为Ir(ppy)3)2；
红光发光复合层中红光发光复合层单体TCTA/Ir(MDQ)2(acac)，单体层数为3层，第二主体层的材料为TCTA，红光发光客体层的材料为Ir(MDQ)2(acac)；
n型掺杂空穴传输层中，即Alq3:LiF，主体材料为Alq3，掺杂材料为LiF，且LiF的掺杂质量百分比为30％；
各功能层的厚度如下：
p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层的厚度分别为60nm、10nm、20nm、20nm、80nm、200nm；
绿光发光复合层中，即(TCTA/Ir(ppy)3)3，第一主体层的厚度为18nm，绿光发光客体层的厚度为0.6nm；
红光发光复合层中，即(TCTA/Ir(MDQ)2(acac)，第二主体层的厚度为18nm，红光发光客体层的厚度为0.6nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的白光有机电致发光器件。
实施例4
本实施例的白光有机电致发光器件的结构为：
IZO/NPB:F4-TCNQ/TCTA/BCzVBi/(TCTA/Ir(ppy)3)4/(TCTA/Ir(MDQ)2(acac))4/BND/BND:Li2CO3/Pt。
该白光有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将IZO进行旋涂光刻胶、曝光、显影、王水刻蚀，刻蚀成所需要的图案和大小，然后将刻蚀好的阳极基底依次用纯净水、丙酮、乙醇等各超声清洗15min，清洗干净后对的IZO的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，氧等离子处理功率为50W；
2、采用蒸镀工艺，在IZO的阳极层表面依次层叠蒸镀材料分别为NPB:F4-TCNQ、TCTA、BczVBi、(TCTA/Ir(ppy)3)4、(TCTA/Ir(MDQ)2(acac))4、BND、BND:Li2CO3、Pt的p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、绿光发光复合层、红光发光复合层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层；其中：
p型掺杂空穴传输层中，即NPB:F4-TCNQ，主体材料为NPB，掺杂材料为F4-TCNQ，且F4-TCNQ的掺杂质量百分比为0.4％；
绿光发光复合层中，绿光发光复合层单体为TCTA/Ir(ppy)3，单体层数为4层，第一主体层的材料为TCTA，绿光发光客体层的材料为Ir(ppy)3)2；
红光发光复合层中，红光发光复合层单体为TCTA/Ir(MDQ)2(acac)，单体层数为4层，第二主体层的材料为TCTA，红光发光客体层的材料为Ir(MDQ)2(acac)；
n型掺杂空穴传输层中，即BND:Li2CO3，主体材料为BND，掺杂材料为Li2CO3，且Li2CO3的掺杂质量百分比为30％；
各功能层的厚度如下：
p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层的厚度分别为80nm、20nm、20nm、5nm、60nm、100nm；
绿光发光复合层中，即(TCTA/Ir(ppy)3)4，第二主体层的厚度为16nm，绿光发光客体层的厚度为2nm；
红光发光复合层中，即(TCTA/Ir(MDQ)2(acac))4，第二主体层的厚度为16nm，红光发光客体层的厚度为0.8nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的白光有机电致发光器件。
实施例5
本实施例的白光有机电致发光器件的结构为：
ITO/TDAPB:TCNQ/TAPC/Perylene/(TPBI/Ir(ppy)2(acac))5/(TPBI/Ir(piq)2(acac))5/TPBI/TPBI:CsF/Au。
该白光有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将ITO进行旋涂光刻胶、曝光、显影、王水刻蚀，刻蚀成所需要的图案和大小，然后将刻蚀好的阳极基底依次用纯净水、丙酮、乙醇等各超声清洗15min，清洗干净后对ITO的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，氧等离子处理功率为50W；
2、采用蒸镀工艺，在ITO的阳极层表面依次层叠蒸镀材料分别为TDAPB:TCNQ、TAPC、Perylene、(TPBI/Ir(ppy)2(acac))5、(TPBI/Ir(piq)2(acac))5、TPBI、TPBI:CsF、Au的p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、绿光发光复合层、红光发光复合层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层；其中：
p型掺杂空穴传输层中，即TDAPB:TCNQ，主体材料为TDAPB，掺杂材料为TCNQ，且TCNQ的掺杂质量百分比为0.4％；
绿光发光复合层中，绿光发光复合层单体为TPBI/Ir(ppy)2(acac)，单体层数为5层，第一主体层的材料为TPBI，绿光发光客体层的材料为Ir(ppy)2(acac)；
红光发光复合层中，红光发光复合层单体为TPBI/Ir(piq)2(acac)，单体层数为5层，第二主体层的材料为TPBI，红光发光客体层的材料为Ir(piq)2(acac)；
n型掺杂空穴传输层中，即TPBI:CsF，主体材料为TPBI，掺杂材料为CsF，且CsF的掺杂质量百分比为30％；
各功能层的厚度如下：
p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层的厚度分别为40nm、15nm、15nm、15nm、60nm、100nm；
绿光发光复合层中，即(TPBI/Ir(piq)2(acac))5，第一主体层的厚度为15nm，绿光发光客体层的厚度为0.5nm；
红光发光复合层中，即(TPBI/Ir(piq)2(acac))5，第二主体层的厚度为15nm，红光发光客体层的厚度为0.5nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的白光有机电致发光器件。
对比例
本对比例的白光有机电致发光器件的结构为：
ITO/m-MTDAT:F4-TCNQ/TAPC/BCzVBi/TCTA:Ir(ppy)3/TCTA:Ir(piq)3/Bphen/Bphen:Cs2CO3/Mg-Ag合金。
该白光有机电致发光器件的制备工艺如下：
1、将ITO进行旋涂光刻胶、曝光、显影、王水刻蚀，刻蚀成所需要的图案和大小，然后将刻蚀好的阳极基底依次用纯净水、丙酮、乙醇等各超声清洗10～15min，清洗干净后对的ITO的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，氧等离子处理功率为10W；
2、采用蒸镀工艺，在ITO的阳极层表面依次层叠蒸镀材料分别为m-MTDAT:F4-TCNQ、TAPC、BczVBi、TCTA:Ir(ppy)3、TCTA:Ir(piq)3、Bphen、Bphen:Cs2CO3、Mg-Ag合金的p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、绿光发光复合层、红光发光复合层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层；其中：
p型掺杂空穴传输层中，即m-MTDATA:F4-TCNQ，主体材料为m-MTDATA，掺杂材料为F4-TCNQ，且F4-TCNQ的掺杂质量百分比为多少？0.4％；
绿光发光层中，即TCTA:Ir(ppy)3为掺杂混合材料，主体材料为TCTA，掺杂材料为Ir(ppy)3)2，且Ir(ppy)3的掺杂质量百分比为多少？10％；
红光发光层中，即TCTA:Ir(piq)3为掺杂混合材料，主体材料为TCTA，掺杂材料为Ir(piq)3，且Ir(piq)3的掺杂质量百分比为多少？10％；
n型掺杂空穴传输层中，即Bphen:Cs2CO3，主体材料为Bphen，掺杂材料为Cs2CO3，且Cs2CO3的掺杂质量百分比为多少？30％；
阴极层中，即Mg-Ag合金，Mg与Ag的质量百分比为10∶1；
各功能层的厚度如下：
p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、绿光发光层、红光发光层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层的厚度分别为40nm、5nm、15nm、11nm、11nm、10nm、40nm；
上述制备工艺完善后，得到所需要的白光有机电致发光器件。
图5为实施例1的白光有机电致发光器件与对比例有机电致发光器件的电压与亮度关系图；其中，曲线1表示实施例1制得白光有机电致发光器件的电压与亮度曲线，曲线2表示对比例的白光有机电致发光器件的电压与亮度曲线。
图6为实施例1的有机电致发光器件与对比例有机电致发光器件的流明效率与亮度关系图；其中，曲线1表示实施例1制得有机电致发光器件的流明效率与亮度曲线，曲线2表示对比例的有机电致发光器件的流明效率与亮度曲线。
上述电流密度与电压的测试，采用美国Keithly公司生成的型号为2602电流-电压测试仪以及北京师范大学屏幕亮度计ST-86LA进行的。从图5中可以看到，在相同电压时，采用实施例1的器件结构比采用对比例的器件结构得到的亮度要高；从图6中可以看到，在相同电流密度下，实施例1的流明效率要大于对比例的。因此，当将主客体掺杂的发光层结构拆分为主体层与客体层交替的结构时，由于主体层厚度较薄，可以发生从主体到客体的能量转移，并且主客体交替结构，有利于客体层形成阱结构，从而直接捕获载流子，提高发光效率；同时组分控制准确，有利于提高显色性。
应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种白光有机电致发光器件，其特征在于，该白光有机电致发光器件包括依次叠层的阳极基底、p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、绿光发光复合层、红光发光复合层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层；所述绿光发光复合层包括x层绿光发光复合层单体，所述绿光发光复合层单体由相互交替层叠的第一主体层和绿光发光客体层；所述第一主体层与所述蓝光发光层层叠设置；所述红光发光复合层包括y层红光发光复合层单体，所述红光发光复合层单体由相互交替层叠的第二主体层和红光发光客体层；所述第二主体层与所述绿光发光客体层层叠设置，所述红光发光客体层与所述空穴阻挡层层叠设置；其中，x和y分别为1～5的整数。
2.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，所述p型掺杂空穴传输层的材料为空穴传输材料掺杂四氟四氰基对苯醌二甲烷或四氰基对苯醌二甲烷；所述空穴传输材料为4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N′-(1-萘基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺或1，3，5-三苯基苯。
3.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺或4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺。
4.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝光发光层的材料为苝或4，4′-二(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，10-二苯基。
5.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，所述绿光发光客体层的材料为三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮二(2-苯基吡啶)合铱。
6.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，所述红光发光客体层的材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱或三(1-苯基-异喹啉)合铱。
7.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，所述第一主体层和第二主体层的材料为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N-芳基苯并咪唑。
8.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉或N-芳基苯并咪唑。
9.根据权利要求1所述的白光有机电致发光器件，其特征在于，所述n型掺杂电子传输层的材料为电子传输材料掺杂碳酸铯、叠氮化铯、氟化铯、氟化锂或碳酸锂；所述电子传输材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、2，5-二(1-萘基)-1，3，4-二唑、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉或N-芳基苯并咪唑。
10.一种白光有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、清洗、干燥阳极基底；
S2、在所述阳极基底的阳极层表面依次层叠蒸镀p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层；
S3、在所述蓝光发光层表面蒸镀第一主体层，接着在所述第一主体层表面蒸镀绿光发光客体层；随后重复交替蒸镀所述第一主体层和绿光发光客体层，且所述第一主体层和绿光发光客体层构成绿光发光复合层单体，所述蓝光发光层表面上的x层所述绿光发光复合层单体构成绿光发光复合层；x为1～5的整数；
S4、在所述绿光发光复合层表面蒸镀第二主体层，接着在所述第二主体层表面蒸镀红光发光客体层；随后在所述绿光发光复合层表面重复交替蒸镀第二主体层和红光发光客体层，且所述第二主体层和红光发光客体层构成红光发光复合层单体，所述绿光发光复合层表面上的y层所述红光发光复合层单体构成红光发光复合层；y为1～5的整数；
S5、在所述红光发光复合层表面依次层叠蒸镀空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层及阴极层；
上述工艺步骤完后，制得所述白光有机电致发光器件。
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