CN102881843B - 一种制备有机发光二极管的方法、发光二极管和发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种制备有机发光二极管的方法、有机发光二极管和有机发光器件。在一衬底上制备第一电极；在所述第一电极之上制备包括至少一层复合层的有机层；其中所述复合层包括多个子层，所述多个子层由多个组分交替蒸镀形成；在所述有机层之上制备第二电极。采用交替蒸镀的方式，无需去精确控制各组分各自不同的蒸发速度，也可以制备出高性能的有机发光二极管；从而降低了生产难度、提高了产品良率和生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光二极管技术，特别是指一种制备有机发光二极管的方法、发光二极管和发光器件。
背景技术
掺杂是有机发光二极管中广泛应用的技术。现有技术中，在制备有机发光二极管的过程中通常通过同时蒸发两种或多种不同性质的有机材料实现掺杂。其中，通过控制两种或多种材料的蒸发速度来调节掺杂层中各种组分的掺杂比例。
例如，在掺杂的发光层的制备过程中，通常将主体(Host)材料和客体(Guest)材料同时蒸镀以形成掺杂的发光层，主体材料和客体材料所占的比例需要通过各自的蒸发速度来调节。
在实际生产中会存在如下问题：
掺杂的过程中，需要使用蒸发速度能被精确控制的蒸发源，精确控制掺杂比例，掺杂过程复杂且重复性差。因此传统的混合蒸镀的方式对工艺的精确度和复杂度要求较高，难以提高生产过程效率和产品的良率，导致生产成本较高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种制备有机发光二极管的方法、发光二极管和发光器件，解决制备器件时，向器件进行掺杂的过程中需要精确控制掺杂比例，掺杂过程复杂且重复性差所导致的制备过程成本高且器件性能不稳定的缺陷。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种制备有机发光二极管的方法，包括：
在一衬底上制备第一电极；在所述第一电极之上制备包括至少一层复合层的有机层；其中所述复合层包括多个子层，所述多个子层由多个组分交替蒸镀形成；在所述有机层之上制备第二电极。
所述方法中，还包括：在交替蒸镀所述多个组分时，通过在设定蒸镀速度下控制各个子层对应的蒸镀时间来控制各个子层的厚度；或者，通过在蒸镀的过程中对子层的厚度进行监测以控制各个子层的厚度。
所述方法中，所述多个子层中，每个组分形成的层数大于等于2。
所述方法中，所述多个子层中：同一组分形成的层的厚度不全相同；和/或，不同组分形成的层的厚度不全相同。
所述方法中，所述复合层为：空穴注入层，空穴传输层，电子阻挡层，发光层，空穴阻挡层，电子传输层或电子注入层；所述复合层的厚度为0.5nm至1000nm，其中所述复合层的多个子层中任一子层的厚度为0.01nm至10nm。
本发明的实施例还提供一种有机发光二极管，包括：衬底、第一电极和第二电极；所述第一电极和第二电极之间包括有机层，所述有机层包括至少一层复合层；所述衬底承载所述第一电极、所述有机层和所述第二电极；所述复合层包括：多个子层，所述多个子层由多个组分交替蒸镀形成。
所述有机发光二极管中，所述多个子层中，每个组分形成的层数大于等于2。
所述有机发光二极管中，所述多个子层中：同一组分形成的层的厚度不全相同；和/或，不同组分形成的层的厚度不全相同。
所述有机发光二极管中，所述复合层为：空穴注入层，空穴传输层，电子阻挡层，发光层，空穴阻挡层，电子传输层或电子注入层；所述复合层的厚度为0.5nm至1000nm，其中所述复合层的多个子层中任一子层的厚度为0.01nm至10nm。
所述有机发光二极管中，所述复合层为空穴注入层，所述空穴注入层的厚度为0.5~200nm；所述空穴注入层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
所述有机发光二极管中，所述多个组分包括三苯胺类衍生物、金属配合物、聚3，4-二氧乙撑噻吩：聚苯乙烯磺酸中的至少一种。
所述有机发光二极管中，所述复合层为空穴传输层，所述空穴传输层的厚度为5~200nm；所述空穴传输层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
所述有机发光二极管中，所述多个组分包括芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物、咔唑类聚合物中的至少一种。
所述有机发光二极管中，所述复合层为电子阻挡层，所述电子阻挡层的厚度为1~200nm；所述电子阻挡层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
所述有机发光二极管中，所述多个组分包括芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物、咔唑类聚合物中的至少一种。
所述有机发光二极管中，所述复合层为发光层，所述发光层的厚度为1~100nm；所述发光层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
所述有机发光二极管中，所述多个组分包括荧光发光材料、磷光发光材料中的至少一种。
所述的有机发光二极管中，所述复合层为空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的厚度为1~100nm；所述空穴阻挡层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
所述有机发光二极管中，所述多个组分包括噁唑衍生物，噻唑衍生物，咪唑衍生物，金属喹啉络合物，蒽的衍生物中的至少一种。
所述有机发光二极管中，所述复合层为电子传输层，所述电子传输层的厚度为5~200nm；所述电子传输层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
所述有机发光二极管中，所述多个组分包括噁唑衍生物，噻唑衍生物，咪唑衍生物，金属喹啉络合物，蒽的衍生物中的至少一种。
所述有机发光二极管中，所述复合层为电子注入层，所述电子注入层的厚度为0.5~200nm；所述电子注入层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
所述有机发光二极管中，所述多个组分包括碱金属化合物，碱金属氟化物中的至少一种。
本发明的实施例还提供一种有机发光器件，包括上述任一项中的有机发光二极管。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：在制备有机发光二极管的过程中，通过多个组分交替蒸镀形成多个子层，多个子层构成复合层，相较传统的掺杂技术而言，不再需要专注于控制各种材料的蒸发速度，只需精确控制各子层的厚度或者蒸镀时间即可，简化了制备器件的过程，提高了制作工艺的可重复性和可靠度。
附图说明
图1为本发明实施例制备有机发光二极管的方法流程示意图；
图2为本发明实施例有机发光二极管结构示意图一；
图3为本发明实施例有机发光二极管结构示意图二；
图4为本发明实施例有机发光二极管结构示意图三；
图5为本发明实施例有机发光二极管结构示意图四。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
常用的有机发光二极管中包括上、下电极板以及两个电极板之间的有机层，本发明实施例中，规定有机层包括没有采用复合制作的普通有机层，以及复合功能层(简称：复合层)。
本发明的实施例中，在制备有机发光二级器件中的有机层中复合层的过程中，不使用传统技术中不同组分材料同时蒸镀的方法，而是采用多种组分交替蒸镀的方式形成多个子层，多个子层构成复合层。采用交替蒸镀的方式，无需去精确控制各组分各自不同的蒸发速度，也可以制备出高性能的有机发光二极管；从而降低了生产难度、提高了产品良率和生产效率。
上述方案中，复合层中不同的组分在复合层中所占的比例可按实际需要进行配比，但在蒸镀的过程中，由于各组分总量一定，每种组分所形成的多个子层的厚度以及不同组分所形成的多个子层的厚度可以没有严格的关系限制；
优选地，为了获得更好的产品性能，可以对每种组分所形成的多个子层的厚度以及不同组分所形成的多个子层的厚度进行进一步控制以达到最优的复合效果，例如，可以通过控制设定蒸镀速度下各个子层对应的蒸镀时间，或者在蒸镀的过程中对厚度进行监测的方式对厚度进行监测和控制。
本发明实施例提供一种制备有机发光二极管的方法，如图1所示，包括：
步骤101，在一衬底上制备第一电极；
步骤102，在所述第一电极之上制备包括至少一层复合层的有机层；其中复合层包括多个子层，所述多个子层由多个组分交替蒸镀形成；
步骤103，在所述至少一层复合层之上制备第二电极。
应用所提供的技术方案，在制备有机发光二极管的过程中，通过多个组分交替蒸镀形成多个子层，多个子层构成复合层，相较传统的掺杂技术而言，不再需要专注于控制复合层包含的各种材料的蒸发速度，简化了制备器件的过程，提高了制作工艺的可重复性和可靠度。
进一步地，所述多个子层中，每个组分形成的层数大于等于2。
进一步地，所述多个子层中，同一组分形成的层的厚度不全相同；和/或，
不同组分形成的层的厚度不全相同。
一般情况下，复合层中多个组分所形成的子层数目越多，各子层的厚度越小，所形成的复合层的性能越好，在实际应用中可根据实际的性能要求来设定各组分所形成的子层数目或子层厚度，若不同组分所占的比例不同，其所形成的层数和/或厚度也可以不同，且同一组分所形成的各个子层的厚度也可以不同。
不同组分形成的子层的厚度之间没有约束关系，即不同组分形成的子层的厚度可以一致；或者，有若干个不同组分形成的子层的厚度可以一致，同时，其他若干个不同组分形成的子层的厚度不同；或者，不同组分形成的子层的厚度均不一致，各个子层的厚度可以根据需要通过改变制备工艺参数而进行改变。
第一电极和第二电极可以是透明的，也可以是不透明的。第一电极和第二电极互为异性电极，当第一电极为阳极时，第二电极为阴极。
可选地，为了保证有机发光二极管的光电性能，制备完成有机发光二极管之后，可将有机发光二极管放置在惰性气体氛围中进行封装，然后测试有机发光二极管的光电性能。
进一步地，有机发光二极管中的复合层可以为空穴注入层，空穴传输层，电子阻挡层，发光层，空穴阻挡层，电子传输层、电子注入层中的任何一种；一个有机发光二极管可以包括多个这样的复合层，如图5示出了包括上述7个复合层的有机发光二极管的结构。所述复合层的厚度为0.5nm至1000nm，其中所述复合层的多个子层中任一子层的厚度为0.01nm至10nm。当各个子层的厚度控制在上述范围内时，能够实现各个组分充分配合从而提高有机发光二极管的发光效率。
在有机发光二极管的第一电极上制备有机层的步骤包括：按照有机发光二极管的结构依次制备不同的有机层；在制备每一层有机层时，控制该有机层的厚度；其中，所述有机层至少有一个为复合层，最多可以将第一电极和第二电极之间的所有层制备为复合层，在复合层中，可以采用多个组分进行交替蒸镀以形成多个子层。
以上实施例中，衬底用于承载电极和各有机层，衬底可以是玻璃、柔性基片或TFT背板，柔性基片采用聚酯类和聚酞亚胺化合物中的一种，或者采用较薄的金属片。衬底在可见光区域有良好的透光性能，有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有较好的表面平整性。
阳极作为有机发光二极管正向电压的连接层，有较好的导电性能，在可见光区域具有透明性，以及有较高的功函数；阳极通常采用无机金属氧化物-如氧化铟锡ITO，氧化锌ZnO等，或高功函数金属材料-如金、铜、银和铂等。
阴极作为器件负向电压的连接层，有较好的导电性能和较低的功函数，阴极通常为低功函数金属材料锂、镁、钙、锶、铝和铟等，或者低功函数金属材料与铜、金和银的合金。
本发明实施例提供一种有机发光二极管，如图2所示，包括：衬底、第一电极和第二电极；
所述第一电极和第二电极之间包括有机层，所述有机层包括至少一层复合层；所述衬底承载所述第一电极、所述有机层和第二电极；
所述复合层包括：
多个子层，所述多个子层由多个组分交替蒸镀形成。
应用所提供的技术方案，制备的有机发光二极管包含一层复合层，所述复合层包含多个子层，所述子层由多个组分交替蒸镀形成。较传统的掺杂技术形成的有机层而言，在制备过程中不再需要专注于控制复合层包含的各种材料的蒸发速度，简化了制备器件的过程，提高了有机层的工艺可重复性和可靠度。
进一步地，所述多个子层中，每个组分形成的层数大于等于2。
进一步地，所述多个子层中，同一组分形成的层的厚度不全相同；和/或，
不同组分形成的层的厚度不全相同。
形成所述多个子层的每个子层的相应组分可以是由一种材料组成的，也可以是由两种或者多种材料组成的。每一个子层的厚度不固定。
一般情况下，复合层中多个组分所形成的子层数目越多，各子层的厚度越小，所形成的复合层的性能越好，在实际应用中可根据实际的性能要求来设定各组分所形成的子层数目或子层厚度，若不同组分所占的比例不同，其所形成的层数和/或厚度也可以不同，且同一组分所形成的各个子层的厚度也可以不同。
不同组分形成的子层的厚度之间没有约束关系，即不同组分形成的子层的厚度可以一致；或者，有若干个不同组分形成的子层的厚度可以一致，同时，其他若干个不同组分形成的子层的厚度不同；或者，不同组分形成的子层的厚度均不一致，各个子层的厚度可以根据需要通过改变制备工艺参数而进行改变。
通过调节复合层中各个子层的厚度可以精确调节有机发光二极管的特性。非限制性地，以两种组分A材料和B材料交替蒸镀形成复合层为例：每一层A材料形成的子层的厚度不定，每一层B材料形成的子层的厚度不定。
可选地，如图3所示，在厚度为40nm的复合层中，每一层A材料形成的子层的厚度为1nm，每一层B材料形成的子层的厚度为1nm。
可选地，如图4所示，在厚度为40nm的复合层中，在所述复合层的第一个10nm厚度中，每一层A材料形成的子层的厚度为1nm，每一层B材料形成的子层的厚度为2nm；所述A材料与B材料交替蒸镀；
复合层的第二个20nm厚度中，每一层A材料形成的子层的厚度为1nm，每一层B材料形成的子层的厚度为1nm；A材料与B材料交替蒸镀；
复合层的第三个10nm厚度中，每一层A材料形成的子层的厚度为2nm，每一层B材料形成的子层的厚度为2nm；所述A材料与所述B材料交替蒸镀。
可选地，在复合层中，每一薄层A材料形成的子层的厚度不相同，每一薄层B材料形成的子层的厚度也不相同。
第一电极和第二电极可以是透明的，也可以是不透明的。第一电极和第二电极互为异性电极，当第一电极为阳极时，第二电极为阴极。
关于阳极、阴极及衬底材料的选择在前述实施例中已有介绍，在此不再赘述。
进一步地，如图5所示，有机发光二极管中的复合层可以为空穴注入层，空穴传输层，电子阻挡层，发光层，空穴阻挡层，电子传输层、电子注入层中的任何一种；一个有机发光二极管可以包括多个这样的复合层，如图5示出了包括上述7个复合层的有机发光二极管的结构。所述复合层的厚度为0.5nm至1000nm，其中所述复合层的多个子层中任一子层的厚度为0.01nm至10nm。当各个子层的厚度控制在上述范围内时，能够实现各个组分充分配合从而提高有机发光二极管的发光效率。
在一个优选实施例中，复合层为空穴注入层，所述空穴注入层的厚度为0.5~200nm；
所述空穴注入层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
一方面，复合层中多个组分所形成的子层数目越多，各子层的厚度越小，所形成的复合层的性能越好；另一方面，复合层中多个组分所形成的子层数目越多，各子层的厚度越小，子层厚度的工艺控制难度也越大，同时生产效率也越低。应用所提供的技术方案，将任一子层的厚度控制在0.05~5nm之间，既能够实现空穴注入层中各个组分充分配合，通过调节所述空穴注入层中各子层的厚度即可以有效调节所述空穴注入层的能级结构及空穴注入能力，从而有效提高器件的发光效率，又能够兼顾工艺上的实现难度和生产效率。
进一步地，所述空穴注入层的多个组分包括三苯胺类衍生物，如三-[4-(5-苯基-2-噻吩基)苯]胺、4，4’4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-TNATA)、4，4’，4”-三-(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺(m-MTDATA)；金属配合物，如酞箐铜(CuPc)；聚3，4-二氧乙撑噻吩：聚苯乙烯磺酸(PEDOT-PSS)中的至少一种。
在一个优选实施例中，复合层为空穴传输层，所述空穴传输层的厚度为5~200nm；
所述空穴注入层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
应用所提供的技术方案，既能够实现空穴传输层中各个组分充分配合，通过调节所述空穴传输层中各子层的厚度即可以有效调节所述空穴传输层的能级结构及空穴传输能力，从而有效提高有机发光二极管的发光效率，降低驱动电压，提高有机发光二极管的寿命，又能够兼顾工艺上的实现难度和生产效率。
进一步地，所述空穴传输层的多个组分包括芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物，如酞箐铜(CuPc)；、咔唑类聚合物中的至少一种。
在一个优选实施例中，复合层为电子阻挡层，所述电子阻挡层的厚度为1~200nm；
所述电子阻挡层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
应用所提供的技术方案，既能够实现电子阻挡层中各个组分的充分配合，通过调节所述电子阻挡层中各子层的厚度即可以有效调节所述电子阻挡层的能级结构，从而有效达到提高有机发光二极管的发光效率，又能够兼顾工艺上的实现难度和生产效率。
进一步地，所述电子阻挡层的多个组分包括芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物、咔唑类聚合物，例如NPB、TPD、TCTA、BAlq、以及聚乙烯咔唑或者其单体中的至少一种。
在一个优选实施例中，复合层为发光层，所述发光层厚度为1~100nm；
所述发光层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
应用所提供的技术方案，既能够实现发光层中各个组分充分配合，通过调节所述发光层中各子层的厚度即可以有效调节所述发光层的能级结构，从而有效提高有机发光二极管的发光效率，又能够兼顾工艺上的实现难度和生产效率。
进一步地，发光层的多个组分包括荧光发光材料或者磷光发光材料。
发光层可以为多种荧光发光材料组成的复合层，多种荧光发光材料为N，N′-二苯基-N，N′-(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(NPB)、喹啉铝Alq3、4，4′-二(2，2-二苯乙烯基)-1，l′-联苯(DPVBI)、香豆素染料(Coumarin6、C-545T)、喹吖啶酮(DMQA)、DCM中的至少一种。
发光层也可以为磷光发光材料与其他有载流子传输能力的有机材料复合组成；磷光发光材料为基于Ir、Pt、Ru、Cu等金属配合物的发光材料，例如FIrpic、Fir6、FirN4、FIrtaz、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、PtOEP、(btp)2Iracac、Ir(piq)2(acac)、(MDQ)2Iracac等；有载流子传输能力的材料为：金属配合物材料、咪唑类材料、邻菲罗林衍生物等，例如8-羟基喹啉铝(Alq3)、Liq、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝(Balq)、1，3，5-三(N-苯基-2-笨并咪唑-2)苯(TPBI)、BCP、Bphen、9，10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、TAZ、CBP、MCP、TCTA、NPB等。
在一个优选实施例中，复合层为空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的厚度为1~100nm；
所述空穴阻挡层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
应用所提供的技术方案，既能够实现空穴阻挡层中各个组分的充分配合，通过调节所述空穴阻挡层中各子层的厚度即可以有效调节所述空穴阻挡层的能级结构，从而有效达到提高有机发光二极管的发光效率，又能够兼顾工艺上的实现难度和生产效率。
进一步地，所述空穴阻挡层的多个组分包括噁唑衍生物，噻唑衍生物，咪唑衍生物，金属喹啉络合物，蒽的衍生物中的至少一种。
在一个优选实施例中，复合层为电子传输层，所述电子传输层的厚度为5~200nm；
所述电子传输层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
应用所提供的技术方案，既能够实现电子传输层中各个组分充分配合，通过调节所述电子传输层中各子层的厚度即可以有效调节所述电子传输层的能级结构及电子传输能力，从而有效提高有机发光二极管的发光效率，降低驱动电压，提高有机发光二极管的寿命，又能够兼顾工艺上的实现难度和生产效率。
进一步地，所述电子传输层的多个组分包括噁唑衍生物，噻唑衍生物，咪唑衍生物，金属喹啉络合物，蒽的衍生物中的至少一种。
在一个优选实施例中，复合层为电子注入层，所述电子注入层的厚度为0.5~200nm；
所述电子注入层的多个子层中任一子层的厚度为0.05~5nm。
应用所提供的技术方案，既能够实现电子注入层中各个组分充分配合，通过调节所述电子注入层中各子层的厚度即可以有效调节所述电子注入层的能级结构及电子注入能力，从而有效提高器件的发光效率，又能够兼顾工艺上的实现难度和生产效率。
进一步地，所述电子注入层中的多个组分包括碱金属化合物如氧化锂Li2O、氧化锂硼LiBO2、硅氧化钾K2SiO3、碳酸铯Cs2CO3、喹啉锂Liq、CsOH和碱金属氟化物如LiF、NaF、KF、RuF、CsF中的至少一种。
在一个优选的实施例中，复合层为空穴注入层，空穴传输层，电子阻挡层，发光层，空穴阻挡层，电子传输层和电子注入层中的两层或多层，每一层复合层的厚度为0.5nm至1000nm，其中所述复合层的多个子层中任一子层的厚度为0.05至5nm。
有机发光二极管的各个有机层均可采用所提供的技术方案制备出相应的复合层；所提供的技术方案降低了工艺难度，器件制作的重复性提高，降低了设备的要求，由于不用进行掺杂浓度的调节环节，减少了制备发光器件的时间，有机材料的利用率也大为提高。
本发明的实施例还提供一种有机发光器件，例如用于显示的有机发光器件、用于照明的有机发光器件等，其特征在于，包括如上所述的有机发光二极管。
进一步地，所述有机发光器件还可以包括用于驱动的背板，用于封装的薄膜、密封胶或盖板等结构。在此不再一一列举。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (22)
1.一种制备有机发光二极管的方法，包括：
在一衬底上制备第一电极；
在所述第一电极之上制备包括至少一层复合层的有机层；其中所述复合层包括多个子层，所述多个子层由多个组分交替蒸镀形成；所述复合层为：空穴注入层，空穴传输层，电子阻挡层，发光层，空穴阻挡层，电子传输层和电子注入层中的多层；所述多个子层中：同一种组分形成的层的厚度不全相同；和/或，不同种组分形成的层的厚度不全相同；
在所述有机层之上制备第二电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在交替蒸镀所述多个组分时，通过在设定蒸镀速度下控制各个子层对应的蒸镀时间来控制各个子层的厚度；或者，通过在蒸镀的过程中对子层的厚度进行监测以控制各个子层的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个子层中，每个组分形成的层数大于等于2。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述复合层的厚度为0.5nm至1000nm，其中所述复合层的多个子层中任一子层的厚度为0.01nm至10nm。
5.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：衬底、第一电极和第二电极；
所述第一电极和第二电极之间包括有机层，所述有机层包括至少一层复合层；所述衬底承载所述第一电极、所述有机层和所述第二电极；
所述复合层为：空穴注入层，空穴传输层，电子阻挡层，发光层，空穴阻挡层，电子传输层和电子注入层中的多层；所述复合层包括：
多个子层，所述多个子层由多个组分交替蒸镀形成；所述多个子层中：同一组分形成的层的厚度不全相同；和/或，不同组分形成的层的厚度不全相同。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其特征在于，所述多个子层中，每个组分形成的层数大于等于2。
7.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其特征在于，
所述复合层的厚度为0.5nm至1000nm，其中所述复合层的多个子层中任一子层的厚度为0.01nm至10nm。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述复合层为空穴注入层，所述空穴注入层的厚度为0.5～200nm；
所述空穴注入层的多个子层中任一子层的厚度为0.05～5nm。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其特征在于，所述多个组分包括三苯胺类衍生物、金属配合物、聚3，4-二氧乙撑噻吩：聚苯乙烯磺酸中的至少一种。
10.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其特征在于，所述复合层为空穴传输层，所述空穴传输层的厚度为5～200nm；
所述空穴传输层的多个子层中任一子层的厚度为0.05～5nm。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其特征在于，所述多个组分包括芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物、咔唑类聚合物中的至少一种。
12.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述复合层为电子阻挡层，所述电子阻挡层的厚度为1～200nm；
所述电子阻挡层的多个子层中任一子层的厚度为0.05～5nm。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其特征在于，所述多个组分包括芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物、咔唑类聚合物中的至少一种。
14.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述复合层为发光层，所述发光层的厚度为1～100nm；
所述发光层的多个子层中任一子层的厚度为0.05～5nm。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其特征在于，所述多个组分包括荧光发光材料、磷光发光材料中的至少一种。
16.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，
所述复合层为空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的厚度为1～100nm；
所述空穴阻挡层的多个子层中任一子层的厚度为0.05～5nm。
17.根据权利要求16所述的有机发光二极管，其特征在于，所述多个组分包括噁唑衍生物，噻唑衍生物，咪唑衍生物，金属喹啉络合物，蒽的衍生物中的至少一种。
18.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述复合层为电子传输层，所述电子传输层的厚度为5～200nm；
所述电子传输层的多个子层中任一子层的厚度为0.05～5nm。
19.根据权利要求18所述的有机发光二极管，其特征在于，所述多个组分包括噁唑衍生物，噻唑衍生物，咪唑衍生物，金属喹啉络合物，蒽的衍生物中的至少一种。
20.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述复合层为电子注入层，所述电子注入层的厚度为0.5～200nm；
所述电子注入层的多个子层中任一子层的厚度为0.05～5nm。
21.根据权利要求20所述的有机发光二极管，其特征在于，所述多个组分包括碱金属化合物，碱金属氟化物中的至少一种。
22.一种有机发光器件，其特征在于，包括如权利要求5～21中任一项所述的有机发光二极管。
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