CN1897777A

CN1897777A - 一种有机电致发光器件

Info

Publication number: CN1897777A
Application number: CN 200610011913
Authority: CN
Inventors: 邱勇; 谢静; 王立铎; 段炼
Original assignee: Tsinghua University; Beijing Visionox Technology Co Ltd
Current assignee: Tsinghua University; Beijing Visionox Technology Co Ltd
Priority date: 2006-05-16
Filing date: 2006-05-16
Publication date: 2007-01-17

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极，以及介于两电极之间的有机功能层，有机功能层中的至少一层包含基质材料和掺杂材料，该掺杂材料选自惰性材料。本发明克服了现有OLED器件稳定性较差、寿命较短的缺陷，在器件中采用惰性材料掺杂的结构，有效地提高了器件的发光效率，同时有利于减缓工作器件的衰减，并使得器件的热稳定性得到很好的提高，从而使器件寿命获得显著提高。

Description

一种有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件(OLED)，更具体地，涉及具有掺杂的空穴传输层和/或空穴注入层的有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光显示器具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、重量轻、组成和工艺简单等一系列的优点，与液晶显示器相比，有机电致发光显示器不需要背光源，视角大，功率低，其响应速度可达液晶显示器的1000倍，其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器，因此，有机电致发光显示器具有广阔的应用前景。

有机电致发光器件的一般结构依次包括：基体、阳极、有机层、阴极，有机功能层又包括发射层(EML)，还可以包括位于阳极与发射层之间的空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，以及位于发射层与阴极之间的电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)，还可以包括位于发射层与电子传输层之间的空穴阻挡层(HBL)等。

OLED的工作原理如下：当电压施加于阳极和阴极之间时，空穴从阳极通过空穴注入层和空穴传输层注入到发射层中，同时电子从阴极通过电子注入层和电子传输层注入到发射层中，注入到发射层中的空穴和电子在发射层复合，从而产生激子(exciton)，在从激发态转变为基态的同时，这些激子发光。

在目前传统的双层或多层结构器件中，空穴传输层是必不可少的，其具有强的载流子传输能力，通过能级匹配在器件中担当空穴传输的作用。但是，对于OLED器件，一般的，空穴传输的能力要强于电子传输能力10-1000倍，这会导致器件的效率下降和寿命减小。为了获得高的OLED发光效率，就必须平衡空穴注入量和电子注入量。

另一方面，由于目前常用的三芳胺类衍生物作为空穴传输材料，如N，N’-二-(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1-联苯基-4，4-二胺(NPB)、N，N’-二苯基-N，N’-双(间甲基苯基)-1，1’-联苯基-4，4’-二胺(TPD)等，因它们的热稳定性都较差，NPB的玻璃化温度T_g为96℃，TPD的T_g仅为65℃，所以导致相应的OLED器件稳定性较差，寿命较短。

针对上述两方面问题，为整体提高OLED器件的性能，现有技术中大多提出了在空穴传输层中采用掺杂技术的解决方案。

文献Zhang Zhi-lin，Jiang Xue-yin and O Omoto et al.，J.Phys.D：Appl.Phys.，31，32-35，1998公开了在空穴传输层中掺杂5，6，11，12-四苯基并四苯(rubrene)，因rubrene具有较低的最高占有轨道能级(HOMO＝-5.5eV)和较高的最低未占有轨道能级(LUMO＝-2.9eV)，在ITO/空穴传输层和Alq₃/空穴传输层界面上有利于空穴和电子的注入，使OLED器件在工作中产生的焦耳热受到降低，从而限制了界面分子的聚集和结晶，提高了器件的稳定性。但是，因为rubrene本身发光，使用它作为掺杂剂，导致器件的发光光谱中引入了杂质发光，影响器件的光谱特性。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术的前述问题，准备提供一种可以大大提高发光效率和稳定性的OLED器件。

一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极，以及介于所述阳极与阴极之间的有机功能层，有机功能层包括发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层中的至少一层，以上的至少一层功能层中包含基质材料和掺杂材料，其中掺杂材料为惰性材料。

本发明所指的惰性材料，是指该材料在光电方面为非活性的，即是惰性材料在光、电场作用下无受激辐射和能量转移过程，仅仅是透过或吸收光，在OLED中对光谱没有任何影响。

功能层中的掺杂材料在基质材料中的掺杂方式可以是全面均匀掺杂，也可以是全面梯度掺杂，还可以是区域掺杂，掺杂的区域为n个，n为1-5的整数。

掺杂材料在掺杂区域中的掺杂浓度为1-100wt％，优选的掺杂浓度为15-70wt％。

掺杂材料选自无机惰性材料或有机惰性材料。无机惰性材料选自金属卤化物、金属氮化物或金属氧化物。有机惰性材料选自惰性小分子材料或惰性聚合物材料。

无机材料中优选包括氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化镁、氟化钙、氟化铝、氟化镓、氯化铝、氯化钠、氯化镁或氯化铁等，还包括氧化锆、氧化钽、氧化镁、氧化硅、氧化锌、氧化钇、氧化铝、氮化锂、氮化钾或氮化钠等。

有机惰性小分子材料优选自苯甲酰丙铜合锂、甘油三醇、丙烯酰胺、乙二酸钙等。

惰性聚合物材料选自饱和碳链聚合物、饱和杂链聚合物或饱和元素有机聚合物。优选自聚乙烯、聚丙烯、聚异丁烯、聚丙烯腈、聚乙烯基烷基醚、聚苯乙烯，聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯酯、聚四氟乙烯(以下简称Teflon)、聚氯乙烯、聚氯丁二烯、聚偏二氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯—六氟丙烯、聚四氟乙烯—全氟乙烯基烷基醚、聚丙烯酰胺、聚脲、聚砜或聚苯硫醚中的至少一种。

在各有机功能层掺杂无机或有机惰性材料，能够有效调控载流子浓度，使空穴和电子达到最佳匹配，增强空穴和电子的有效复合，提高激子的生成效率，从而提高整个有机电致发光器件的效率。空穴受到阻挡，能够减少Alq₃正离子的生成几率；电子注入和传输层材料与惰性材料发生相互作用，利于电子的注入和传输。借助掺杂材料的高稳定性抑制各功能层材料的结晶，改善热稳定性，提高整个有机电致发光器件的稳定性。

本发明的有机电致发光器件，可在空穴传输层中包含至少一种基质材料和至少一种作为掺杂材料的惰性材料。其中基质材料为选自芳胺类和枝聚物族类低分子材料。芳胺类材料包括N，N’-二-(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1-联苯基-4，4-二胺、N，N’-二苯基-N，N’-双(间甲基苯基)-1，1’-联苯基-4，4’-二胺。枝聚物族类材料包括4，4’4”-三(N-咔唑基)三苯基胺、4，4’4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺、1，3，5-三(N，N-二(4-甲氧基-苯基)-氨基苯基)-苯。该空穴传输层中的基质材料和掺杂的惰性材料是通过真空气相沉积的方法或者旋涂的方法形成的。

本发明的有机电致发光器件，可在空穴注入层中包含至少一种基质材料和至少一种作为掺杂材料的惰性材料。其中基质材料选自铜酞菁(CuPc)。该空穴注入层中的基质材料和掺杂的惰性材料是通过真空气相沉积的方法或者旋涂的方法形成的。

本发明的有机电致发光器件具有以下优点：

1.有效地提高了器件的发光效率。因为在各有机功能层掺杂了惰性材料，能够调控载流子的浓度，使空穴和电子达到最佳匹配，大大提高了空穴和电子的复合效率，即达到了提高器件发光效率的目的。

2.空穴传输的减弱使得Alq₃正离子生成的几率降低，有利于减缓工作器件的衰减。

3.掺杂材料的高热稳定性有效地抑制空穴传输材料和注入材料的晶化，使得有机薄膜的热稳定性明显提高，而有机薄膜的热稳定性正是决定器件温度使用范围和热稳定的关键要素。

4.器件的发光光谱不受掺杂材料的影响，保证了色纯度。

附图说明

图1是本发明的有机电致发光器件的结构示意图。

图2为实施例3的器件相关性能图，a为起亮电压图，b为亮度—电压图，c为电流密度—电压图，d为效率—电流密度图，e为半衰期图(初始亮度1000cd/m2)。

具体实施方式

本发明提出的有机电致发光器件中的基本结构如图1所示，其中：1为透明基体，可以是玻璃或是柔性基片，柔性基片采用聚酯类、聚酰亚胺类化合物中的一种材料；2为第一电极层(阳极层)，可以采用无机材料或有机导电聚合物，无机材料一般为ITO、氧化锌、氧化锡锌等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，最优化的选择为ITO，有机导电聚合物优选为聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸钠(以下简称PEDOT:PSS)、聚苯胺(以下简称PANI)中的一种材料；3为第二电极层(阴极层、金属层)，一般采用锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它们与铜、金、银的合金，或金属与金属氟化物交替形成的电极层，本发明优选为依次的Mg:Ag合金层、Ag层和依次的LiF层、Al层。

图1中的4为空穴注入层HIL(非必须)，其基质材料可以采用铜酞菁(CuPc)，掺杂的无机材料可以采用氟化镁；5为空穴传输层HTL，其基质材料可以采用芳胺类和枝聚物族类低分子材料，优选为NPB，掺杂的无机材料可以采用氟化镁；6为有机电致发光层EML，一般采用小分子材料，可以为荧光材料，如金属有机配合物(如Alq₃、Gaq₃、Al(Saph-q)或Ga(Saph-q))类化合物，该小分子材料中可掺杂有染料，掺杂浓度为小分子材料的0.01wt％～20wt％，染料一般为芳香稠环类(如rubrene)、香豆素类(如DMQA、C545T)或双吡喃类(如DCJTB、DCM)化合物中的一种材料，发光层材料也可采用咔唑衍生物如CBP、聚乙烯咔唑(PVK)，该材料中可掺杂磷光染料，如三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)₃)，二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(Ir(ppy)₂(acac))，八乙基卟啉铂(PtOEP)等；7为电子传输层，使用材料也为小分子电子传输材料，一般为金属有机配合物(如Alq₃、Gaq₃、Al(Saph-q)、BAlq或Ga(Saph-q))，芳香稠环类(如pentacene、苝)或邻菲咯啉类(如Bphen、BCP)化合物；8为电源。

下面将给出若干实施例并结合附图，具体解释本发明的技术方案。应当注意到，下面的实施例仅用于帮助理解发明，而不是对本发明的限制。

实施例1：(器件编号OLED-1)

Glass/ITO/NPB/NPB:CaF₂/NPB/Alq/Mg:Ag/Ag (1)

制备具有以上结构式(1)的有机电致发光器件具体制备方法如下：

①利用煮沸的洗涤剂超声和去离子水超声的方法对玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干，在玻璃上蒸镀一层阳极材料，膜厚为80～280nm；

②把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10^-5～9×10^-3Pa在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，先蒸镀一层NPB薄膜，速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为20nm；再采用双源共蒸的方法进行掺杂，NPB和CaF₂的蒸镀速率比为1∶1，CaF₂在NPB中的掺杂浓度为50wt％，蒸镀总速率为0.2nm/s，蒸镀总膜厚为10nm；再继续蒸镀一层NPB薄膜，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为20nm；

③在空穴传输层之上，继续蒸镀一层Alq₃材料作为器件的电子传输层，其蒸镀速率为0.1～0.3nm/s，蒸镀总膜厚为50nm；

④最后，在上述电子传输层之上依次蒸镀Mg:Ag合金层和Ag层作为器件的阴极层，其中Mg:Ag合金层的蒸镀速率为2.0～3.0nm/s，厚度为100nm，Ag层的蒸镀速率为0.3nm/s，厚度为100nm。

对比例1：(器件编号OLED-对1)

Glass/anode/NPB:CaF₂/Alq₃/Mg:Ag/Ag (2)

制备具有以上结构式(2)的有机电致发光器件具体制备方法如下：步骤①、③和④同实施例1，步骤②中采用双源共蒸同时蒸镀NPB和CaF₂，保证CaF₂全面均匀掺杂在NPB中，NPB和CaF₂的蒸镀速率比为1∶1，CaF₂在NPB中的掺杂浓度为50wt％，总厚度为50nm。

对比例2：(器件编号OLED-对2)

Glass/anode/NPB:CaF₂/Alq₃/Mg:Ag/Ag (2)

制备具有以上结构式(2)的有机电致发光器件具体制备方法如下：步骤①、③和④同实施例1，步骤②中采用双源蒸发同时蒸镀NPB和CaF₂，保证CaF₂全面梯度掺杂在NPB中，NPB和CaF₂的蒸镀速率比为从1∶9至9∶1，CaF₂在NPB中的掺杂浓度从90至10wt％，总厚度为50nm。

对比例3：(器件编号OLED-对3)

Glass/anode/NPB/Alq₃/Mg:Ag/Ag (2)

制备具有以上结构式(2)的有机电致发光器件具体制备方法如下：步骤①、③和④同实施例1，步骤②中只蒸镀NPB，厚度为50nm。

上面实施例1和对比例1、2和3的OLED器件结构性能如下表1所示：

表1

器件编号	HTL	驱动电压(V，@200nit)	电流密度(A/m²，6V)	发光效率(cd/A，@200nit)
器件编号	HTL	驱动电压(V，@200nit)	电流密度(A/m²，6V)	发光效率(cd/A，@200nit)	OLED-1	NPB20/NPB：CaF₂(50％)10/NPB20	5.9	244	2.35
OLED-对1	NPB:CaF₂(50％)	6.3	199	1.56	OLED-1	NPB20/NPB：CaF₂(50％)10/NPB20	5.9	244	2.35

OLED-对2	NPB:CaF2(50％)	6.4	185	1.52
OLED-对2	NPB:CaF2(50％)	6.4	185	1.52	OLED-对3	NPB	7.1	153	1.41

实施例2：(器件编号OLED-2)

Glass/ITO/NPB/NPB:MgF₂(x％)/NPB/Alq₃/Mg:Ag/Ag (3)

制备具有以上结构式(3)的有机电致发光器件具体制备方法如下：

②把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10^-5～9×10^-3Pa的在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层，先蒸镀一层NPB薄膜，速率为0.1nm/s；再采用双源共蒸的方法进行掺杂，NPB和MgF₂的蒸镀速率比为1∶x，MgF₂在NPB中的掺杂浓度为xwt％，蒸镀总速率为0.1～0.8nm/s；再继续蒸镀一层NPB薄膜，蒸镀速率为0.1nm/s；

③在空穴传输层之上，继续蒸镀一层Alq₃材料作为器件的电子传输层，其蒸镀速率为0.2～0.3nm/s，蒸镀总膜厚为50nm；

OLED-2的器件结构性能数据如下表2所示，相应的器件性能图参见图2：

表2

掺杂部分的器件结构	x wt％	驱动电压(V，@200nit)	电流密度(A/m²，6V)	发光效率(cd/A，@200nit)
掺杂部分的器件结构	x wt％	驱动电压(V，@200nit)	电流密度(A/m²，6V)	发光效率(cd/A，@200nit)	A：NPB(50nm)	0	5.9	132	1.84
B：NPB(10nm)/NPB:MgF₂(8％)(20nm)/NPB(20nm)	8	5.7	240	1.19	A：NPB(50nm)	0	5.9	132	1.84
B：NPB(10nm)/NPB:MgF₂(8％)(20nm)/NPB(20nm)	8	5.7	240	1.19	C：NPB(12nm)/NPB:MgF₂(15％)(20nm)/NPB(18nm)	15	6.0	84.5	2.34
D：NPB(10nm)/NPB:MgF₂(30％)(10nm)	30	6.0	85.2	2.49	C：NPB(12nm)/NPB:MgF₂(15％)(20nm)/NPB(18nm)	15	6.0	84.5	2.34

/NPB(30nm)
/NPB(30nm)					E：NPB(15nm)/NPB:MgF₂(50％)(15nm)/NPB(20nm)	50	6.0	85.9	2.32
F：NPB(10nm)/NPB:MgF₂(70％)(5nm)/NPB(35nm)	70	5.3	219	2.06	E：NPB(15nm)/NPB:MgF₂(50％)(15nm)/NPB(20nm)	50	6.0	85.9	2.32
F：NPB(10nm)/NPB:MgF₂(70％)(5nm)/NPB(35nm)	70	5.3	219	2.06	G：NPB(10nm)/NPB:MgF₂(90％)(10nm)/NPB(30nm)	90	6.6	67.9	1.71
H：NPB(20nm)/MgF₂(5nm)/NPB(25nm)	100	5.9	128	1.73	G：NPB(10nm)/NPB:MgF₂(90％)(10nm)/NPB(30nm)	90	6.6	67.9	1.71

从图2和表2中可以看到，掺杂层远离发光层和阳极时，器件的性能有显著提高，降低了起亮电压和驱动电压，提高了器件效率。若掺杂层紧靠发光层时，氟化镁中的氟离子与发光材料有相互作用，会造成发光淬灭；若掺杂层靠近阳极，掺杂层和阳极的界面势垒会妨碍空穴注入，进而引起起亮电压的升高。所以掺杂层处于空穴传输层中间部位时能够避免前述情况，利于器件性能的提高。

实施例3：(器件编号OLED-3)

Glass/ITO/NPB/NPB:AlF₃(30％)/NPB/NPB:AlF₃(30％)/NPB/Alq/Mg:Ag/Ag

(4)

制备具有以上结构式(4)的有机电致发光器件具体制备方法如下：

步骤①、③和④同实施例1，步骤②中采用先蒸镀一层NPB薄膜，速率为0.1nm/s，再采用双源蒸镀的方法在NPB中掺杂AlF₃，再蒸镀NPB，再双源蒸镀蒸镀NPB中掺杂AlF₃，最后再蒸镀一层NPB薄膜的方法。

实施例4：(器件编号OLED-4)

Glass/ITO/NPB/〔NPB:MgO(15％)/NPB〕₅/Alq/Mg:Ag/Ag (5)

制备具有以上结构式(5)的有机电致发光器件具体制备方法如下：

步骤①、③和④同实施例1，步骤②中采用先蒸镀一层NPB薄膜，速率为0.1nm/s，然后采用双源共蒸的方法在NPB中掺杂MgO，接着再蒸镀NPB，这样交替制备薄膜共五次。

实施例5：(器件编号OLED-5)

Glass/ITO/CuPc/CuPc:Li₃N(70％)/NPB/NPB:LiF(50％)/NPB/NPB：LiF(15％)/NPB/Alq₃/Mg:Ag/Ag (6)

制备具有以上结构式(6)的有机电致发光器件具体制备方法如下：

步骤①、③和④同实施例3，步骤②中采用先蒸镀一层CuPc薄膜，速率为0.1～0.2nm/s，然后采用双源蒸镀的方法在CuPc中掺杂Li₃N，接着再蒸镀NPB，再采用双源蒸镀的方法在NPB中掺杂LiF，再蒸镀NPB，再双源蒸镀蒸镀NPB中掺杂LiF，最后再蒸镀一层NPB薄膜的方法。

实施例6：(器件编号OLED-6)

Glass/ITO/CuPc/NPB/NPB:Teflon(20％)/NPB/NPB:Teflon(15％)/NPB/Alq₃/Mg:Ag/Ag

(7)

制备具有以上结构式(7)的有机电致发光器件具体制备方法如下：

步骤①、③和④同实施例三，步骤②中采用先蒸镀一层CuPc薄膜，速率为0.1～0.2nm/s，然后接着再蒸镀NPB，再采用双源蒸镀的方法在NPB中掺杂Teflon，再蒸镀NPB，再双源蒸镀蒸镀NPB中掺杂Teflon，最后再蒸镀一层NPB薄膜的方法。

实施例7：(器件编号OLED-6)

Glass/ITO/NPB/NPB:Teflon(20％)/NPB/Alq₃/Alq₃:Teflon(10％)/Alq₃/Mg:Ag/Ag

(8)

步骤①、③和④同实施例1，步骤②中先蒸镀一层NPB薄膜，速率为0.1nm/s，再采用双源共蒸的方法在NPB中掺杂Teflon，再蒸镀NPB；步骤③中先蒸镀一层Alq₃薄膜，再采用双源共蒸的方法在Alq₃中掺杂Teflon，最后蒸镀一层Alq₃薄膜，速率为0.1nm/s。OLED-3、OLED-4、OLED-5、OLED-6和OLED-7的器件结构性能数据如下表3所示：

表3

器件编号	驱动电压(V，@200nit)	电流密度(A/m²，6V)	发光效率(cd/A，@200nit)
器件编号	驱动电压(V，@200nit)	电流密度(A/m²，6V)	发光效率(cd/A，@200nit)	OLED-3	5.5	213	2.24
OLED-4	6.0	189	1.26	OLED-3	5.5	213	2.24
OLED-4	6.0	189	1.26	OLED-5	5.9	196	1.38
OLED-6	5.2	257	2.64	OLED-5	5.9	196	1.38
OLED-6	5.2	257	2.64	OLED-7	6.5	176	1.13

尽管结合优选实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于上述实施例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围，在本发明构思的引导下，本领域的技术人员应意识到，对本发明的各实施例方案所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。

Claims

1.一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极，以及介于所述阳极与阴极之间的有机功能层，有机功能层包括发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层中的至少一层，其特征在于，有机功能层中的至少一层中包含基质材料和掺杂材料，该掺杂材料为惰性材料。

2.根据权利要求1的有机电致发光器件，其中所述的掺杂材料全面均匀掺杂在基质材料中。

3.根据权利要求1的有机电致发光器件，其中所述的掺杂材料全面梯度掺杂在基质材料中。

4.根据权利要求1的有机电致发光器件，其中所述的掺杂材料区域掺杂在基质材料中。

5.根据权利要求1或4的有机电致发光器件，其中所述掺杂材料的掺杂区域为n个，n为1～5的整数。

6.根据权利要求1的有机电致发光器件，其中所述掺杂材料在掺杂区域中的掺杂浓度为1～100wt％。

7.根据权利要求1或6的有机电致发光器件，其中所述掺杂材料在掺杂区域中的掺杂浓度为15～70wt％。

8.根据权利要求1的有机电致发光器件，其中所述掺杂材料选自无机惰性材料或有机惰性材料。

9.根据权利要求1或8的有机电致发光器件，其中所述用作掺杂材料的无机材料选自金属卤化物、金属氮化物或金属氧化物。

10.根据权利要求9的有机电致发光器件，其中所述用作掺杂材料的无机材料选自碱金属或碱土金属的氟化物。

11.根据权利要求10的有机电致发光器件，其中所述用作掺杂材料的无机材料选自氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化镁或氟化钙中的一种。

12.根据权利要求9的有机电致发光器件，其中所述用作掺杂材料的无机材料选自氟化铝、氟化镓、氯化铝、氯化钠、氯化镁、氯化铁、氧化锆、氧化钽、氧化镁、氧化硅、氧化锌、氧化钇、氧化铝、氮化锂、氮化钾或氮化钠中的一种。

13.根据权利要求1或8的有机电致发光器件，其中所述用作掺杂材料的有机惰性材料选自惰性小分子材料或惰性聚合物材料。

14.根据权利要求13的有机电致发光器件，其中所述用作掺杂材料的有机惰性小分子材料选自苯甲酰丙铜合锂、甘油三醇、丙烯酰胺、乙二酸钙等。

15.根据权利要求13的有机电致发光器件，其中所述用作掺杂材料的惰性聚合物材料选自饱和碳链聚合物、饱和杂链聚合物或饱和元素有机聚合物。

16.根据权利要求15的有机电致发光器件，其中所述惰性聚合物材料选自下列化合物中的至少一种：聚乙烯、聚丙烯、聚异丁烯、聚丙烯腈、聚乙烯基烷基醚、聚苯乙烯，聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯酯、聚四氟乙烯、聚氯乙烯、聚氯丁二烯、聚偏二氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯-六氟丙烯、聚四氟乙烯-全氟乙烯基烷基醚、聚丙烯酰胺、聚脲、聚砜或聚苯硫醚中的至少一种。