CN103296217A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103296217A
CN103296217A CN2012100499237A CN201210049923A CN103296217A CN 103296217 A CN103296217 A CN 103296217A CN 2012100499237 A CN2012100499237 A CN 2012100499237A CN 201210049923 A CN201210049923 A CN 201210049923A CN 103296217 A CN103296217 A CN 103296217A
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic electroluminescence
electroluminescence device
diphenyl
anode
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012100499237A
Other languages
English (en)
Inventor
周明杰
王平
黄辉
张振华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN2012100499237A priority Critical patent/CN103296217A/zh
Publication of CN103296217A publication Critical patent/CN103296217A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种有机电致发光器件,包括依次层叠的基底、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述阳极的材料为金属与金属氧化物掺杂形成的混合物,所述金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒,所述金属为银、铝、铂或金,所述阳极的材料中所述金属氧化物的质量百分比为5%~30%。上述有机电致发光器件中发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
有机电致发光二极管(Organic Light Emission Diode)或有机电致发光器件,简称OLED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势,以及绿色照明技术的要求,是最近十几年相当热门的研究领域。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
有机电致发光器件一般包括依次层叠的基底、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。阳极的材料一般为氧化铟锡(ITO),ITO的功函数一般是4.3eV。而一般空穴传输材料(有机材料)的HOMO能级约为5.5eV,与阳极材料之间相差约1.2eV,因此,对空穴的传输形成一种阻碍作用,最终影响了激子复合几率,在一般的电致发光器件中,为了使空穴能够很好的传输到发光层,一般要求阳极(一般为ITO)与有机材料(一般为空穴传输材料)的HOMO能级匹配,而两者相差约1.2eV,因此,对空穴的传输形成一种阻碍作用,最终影响了激子复合几率,从而使得有机电致发光器件的发光效率较低。
【发明内容】
基于此,有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件,其包括依次层叠的基底、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述阳极的材料为金属与金属氧化物掺杂形成的混合物,所述金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒,所述金属为银、铝、铂或金,所述阳极的材料中所述金属氧化物的质量百分比为5%~30%。
在优选的实施例中,所述阳极的厚度为60nm~200nm。
在优选的实施例中,所述空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。
在优选的实施例中,所述发光层的材料为发光材料,或发光材料和主体材料掺杂形成的混合物,所述发光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羟基喹啉铝、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种,所述主体材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种,所述发光材料和主体材料掺杂形成的混合物中发光材料的质量含量为1%~20%。
在优选的实施例中,所述电子传输层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。
在优选的实施例中,所述电子注入层的材料为碳酸铯、叠氮铯或氟化锂。
在优选的实施例中,所述阴极的材料为银、铝、铂、金或镁银合金。
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
提供基底;
在所述基底上形成阳极,所述阳极的材料为金属与金属氧化物掺杂形成的混合物,所述金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒,所述金属为银、铝、铂或金,所述阳极的材料中所述金属氧化物的质量百分比为5%~30%;及
在所述阳极表面依次形成空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
在优选的实施例中,所述阳极的厚度为60nm~200nm。
在优选的实施例中,所述发光层的材料为发光材料,或发光材料和主体材料掺杂形成的混合物,所述发光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羟基喹啉铝、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种,所述主体材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种,所述发光材料和主体材料掺杂形成的混合物中发光材料的质量含量为1%~20%。
上述有机电致发光器件通过利用金属和金属氧化物掺杂作为器件的阳极,制备出顶发射器件,金属的功函数与空穴传输材料的HOMO之间的势垒较小,且其导电性极好,电阻较低,而金属氧化物,如MoO3,其HOMO能级为5.3eV,与空穴传输材料能级较匹配,使用这两者的掺杂,一方面,可以将阳极的功函提高,使之与空穴传输层的HOMO能级匹配,降低空穴注入和传输势垒,使发光层的激子复合几率大大提高,最终提高发光效率,另一方面,金属材料的成膜性比较好,平整光滑,不容易形成陷阱。
【附图说明】
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图;
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法流程图;
图3为实施例1与对比例1制备的有机电致发光器件的电流密度与电流效率关系图。
【具体实施方式】
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1,一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的基底20、阳极30、空穴传输层40、发光层50、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
基底20为玻璃。
阳极30形成于基底20的表面。阳极30的材料为金属与金属氧化物掺杂形成的混合物。金属氧化物为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)。金属为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)。其中,金属为主体,金属氧化物的质量含量为5%~30%。阳极30的厚度为60nm~200nm。
空穴传输层40形成于阳极30表面。空穴传输层40的材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(TPD)、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB),优选为TCTA。空穴传输层40的厚度为20nm~60nm,优选为40nm。
发光层50形成于空穴传输层40的表面。发光层50的材料为发光材料,或发光材料和主体材料掺杂形成的混合物。发光材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))及三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种。主体材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(TPD)、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种。发光材料和主体材料掺杂形成的混合物中发光材料的质量含量为1%~20%。发光层50的材料优选为DCJTB。发光层50的厚度为2nm~50nm,优选为30nm。
电子传输层70形成于发光层50的表面。电子传输层70的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI),优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm~80nm,优选为60nm。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料为碳酸铯(Cs2CO3)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF),优选为LiF。电子注入层80的厚度为0.5nm~5nm,优选为0.7nm。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au),优选为Ag。阴极90的厚度为10nm~40nm,优选为20nm。
上述有机电致发光器件100通过利用金属和金属氧化物掺杂作为阳极30,金属的功函数一般为4.7eV,与空穴传输材料的HOMO之间的势垒较小,且其导电性极好,电阻较低,而金属氧化物,如MoO3,其HOMO能级为5.3eV,与空穴传输材料能级较匹配,使用这两者的掺杂,可以将阳极的功函提高,使之与空穴传输层的HOMO能级匹配,降低空穴注入和传输势垒,使发光层的激子复合几率大大提高,最终提高发光效率,同时金属材料的成膜性比较好,平整光滑,不容易形成陷阱;金属和金属氧化物掺杂作为阳极,避免使用含有有毒物质的氧化铟锡作为阳极,较为环保。
请参阅图2,一实施方式的有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
步骤S1、提供基底20。
本实施方式中,基底20为玻璃。
本实施方式中,基底20在使用前依次用去洗洁精、离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声15分钟,去除阳极表面的有机污染物,。
步骤S2、在基底20表面形成阳极30。
阳极30由蒸镀形成。阳极30的材料为金属氧化物与金属掺杂形成的混合物。金属氧化物为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)。金属为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)。其中,金属为主体,金属氧化物的质量含量为5%~30%。阳极30的厚度为60nm~200nm。
步骤S3、在阳极30表面依次形成空穴传输层40、发光层50、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
空穴传输层40由蒸镀形成。空穴传输层40的材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(TPD)、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB),优选为TCTA。空穴传输层40的厚度为20nm~60nm,优选为40nm。
本实施方式中,发光层50由蒸镀形成。发光层50的材料为发光材料,或发光材料和主体材料掺杂形成的混合物。发光材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、8-羟基喹啉铝(Alq3),双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))及三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种。主体材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(TPD)、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的一种或两种。发光材料和主体材料掺杂形成的混合物中发光材料的质量含量为1%~20%。发光层50的材料优选为DCJTB。发光层50的厚度为2nm~50nm,优选为30nm。
电子传输层70由蒸镀形成。电子传输层70的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI),优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm~80nm,优选为60nm。
电子注入层80由蒸镀形成。电子注入层80的材料为电子注入材料或电子注入材料与电子传输材料掺杂形成的混合物。电子注入材料为碳酸铯(Cs2CO3)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF),优选为LiF。电子注入层80的厚度为0.5nm~5nm,优选为0.7nm。
阴极90的材料为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au),优选为Ag。阴极90的厚度为10nm~40nm,优选为20nm。
上述有机电致发光器件的制备方法,通过共蒸可以避免了原材料的损失,金属氧化物和金属电极的蒸发温度比较接近,较容易实现共蒸,具备工业化生产的条件,同时制备的有机电致发光器件的发光效率较高。
以下为具体实施例。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为:高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司,压强<1×10-3pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司,型号:2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司,型号:PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学,型号:ST-86LA)。
实施例1
本实施例1的有机电致发光器件结构:基底/Ag:MoO3/TAPC/DCJTB/TAZ/LiF/Ag。
该实施例1的有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基底依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;蒸镀掺杂阳极,以Ag为主体,MoO3的掺杂质量分数为20%,厚度为100nm;蒸镀空穴传输层,材料为TAPC,厚度为40nm;蒸镀发光层,材料为DCJTB,厚度为30nm;蒸镀电子传输层,材料为TAZ,厚度为60nm;蒸镀电子注入层,材料为LiF,厚度为0.7nm;然后蒸镀阴极,材料为Ag,厚度为20nm,最后得到所需要的电致发光器件。
实施例2
本实施例2的有机电致发光器件结构:基底/Au:WO3/NPB/Alq3/Bphen/LiF/Al。
该实施例2的有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基底依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;蒸镀掺杂阳极,以Au为主体,WO3的掺杂质量分数为30%,厚度为200nm;然后蒸镀空穴传输层,材料为NPB,厚度为60nm;蒸镀发光层,材料为Alq3,厚度为50nm;蒸镀电子传输层,材料为Bphen,厚度为80nm;蒸镀电子缓冲层,材料为LiF,厚度为0.5nm;最后蒸镀金属阴极,材料为Al,厚度为10nm,最后得到所需要的电致发光器件。
实施例3
本实施例3的有机电致发光器件结构:基底/Au:V2O5/TAPC/TCTA:Firpic/PBD/Cs2CO3/Au。
该实施例3的有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基底依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;蒸镀掺杂阳极,以Au为主体,V2O5的掺杂质量分数为5%,厚度为60nm;然后蒸镀空穴传输层,材料为TAPC,厚度为20nm;蒸镀发光层,材料为TCTA:Firpic,掺杂比例为20%,厚度为20nm;蒸镀电子传输层,材料为PBD,厚度为40nm;蒸镀电子缓冲层,材料为Cs2CO3,厚度为5nm;蒸镀金属阴极,材料为Au,厚度为30nm,最后得到所需要的电致发光器件。
实施例4
本实施例4的有机电致发光器件结构:基底/Au:V2O5/TPD/TPBi:Ir(ppy)3/TPBi/CsN3/Pt。
该实施例4的有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基底依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;蒸镀掺杂阳极,以Au为主体,V2O5的掺杂质量分数为5%,厚度为60nm;然后蒸镀空穴传输层,材料为TPD,厚度为50nm;蒸镀发光层,材料为TPBi:Ir(ppy)3,掺杂比例为5%,厚度为10nm;蒸镀电子传输层,材料为TPBi,厚度为40nm;蒸镀电子缓冲层,材料为CsN3,厚度为2nm;蒸镀金属阴极,材料为Pt,厚度为15nm,最后得到所需要的电致发光器件。
实施例5
本实施例5的有机电致发光器件结构:基底/Al:MoO3/TCTA/TAZ:Ir(MDQ)2(acac)/PBD/Cs2CO3/Au。
该实施例5的有机电致发光器件的制备工艺如下:
先将玻璃基底依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物;蒸镀掺杂阳极,以Al为主体,MoO3的掺杂质量分数为25%,厚度为150nm;蒸镀空穴传输层,材料为TCTA,厚度为35nm;蒸镀发光层,材料为TAZ:Ir(MDQ)2(acac),掺杂比例为1%,厚度为2nm;蒸镀电子传输层,材料为PBD,厚度为40nm;蒸镀电子缓冲层,材料为Cs2CO3,厚度为1nm;蒸镀金属阴极,材料为Au,厚度为30nm,最后得到所需要的电致发光器件。
对比例1
对比实施例1,按照实施例1的制作方法制作器件结构为基底/Ag/TCTA/DCJTB/TAZ/LiF/Ag的有机电致发光器件,该发光器件的各层材料厚度与实施例1对应的各层厚度相同。
请参阅图3,图3中曲线1为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与电流效率关系曲线,曲线2为与对比例1制备的有机电致发光器件的电流密度与电流效率关系曲线。从图3中可以看出,实施例1的电流效率都比对比例1的要大,最大的电流效率为31.3cd/A,而对比例1的仅为23.2cd/A,这都说明,使用金属氧化物与金属掺杂作为阳极将阳极的功函提高,可以提高发光效率。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件,其包括依次层叠的基底、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,其特征在于,所述阳极的材料为金属与金属氧化物掺杂形成的混合物,所述金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒,所述金属为银、铝、铂或金,所述阳极的材料中所述金属氧化物的质量百分比为5%~30%。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极的厚度为60nm~200nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材料为发光材料,或发光材料和主体材料掺杂形成的混合物,所述发光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羟基喹啉铝、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种,所述主体材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种,所述发光材料和主体材料掺杂形成的混合物中发光材料的质量含量为1%~20%。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子传输层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子注入层的材料为碳酸铯、叠氮铯或氟化锂。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极的材料为银、铝、铂、金或镁银合金。
8.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基底;
在所述基底上形成阳极,所述阳极的材料为金属与金属氧化物掺杂形成的混合物,所述金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒,所述金属为银、铝、铂或金,所述阳极的材料中所述金属氧化物的质量百分比为5%~30%;及
在所述阳极表面依次形成空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述阳极的厚度为60nm~200nm。
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述发光层的材料为发光材料,或发光材料和主体材料掺杂形成的混合物,所述发光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羟基喹啉铝、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种,所述主体材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种,所述发光材料和主体材料掺杂形成的混合物中发光材料的质量含量为1%~20%。
CN2012100499237A 2012-02-29 2012-02-29 有机电致发光器件及其制备方法 Pending CN103296217A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012100499237A CN103296217A (zh) 2012-02-29 2012-02-29 有机电致发光器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012100499237A CN103296217A (zh) 2012-02-29 2012-02-29 有机电致发光器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103296217A true CN103296217A (zh) 2013-09-11

Family

ID=49096783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012100499237A Pending CN103296217A (zh) 2012-02-29 2012-02-29 有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103296217A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3319152A4 (en) * 2015-06-30 2019-10-23 Yuhong Zhang Doped Conductive Oxide, and Base Improved Polar Sheet of Electrochemical Energy Storage Device
CN113054116A (zh) * 2019-12-28 2021-06-29 Tcl集团股份有限公司 发光二极管

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101226993A (zh) * 2007-01-18 2008-07-23 财团法人工业技术研究院 透明电极及包含此透明电极的有机电致发光元件
EP2234459A1 (en) * 2007-12-28 2010-09-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer light-emitting device, method for manufacturing the same and polymer light-emitting display device
CN202035172U (zh) * 2010-12-22 2011-11-09 西安文景光电科技有限公司 一种具有复合阳极的单像素三基色混合有机电致白光光源

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101226993A (zh) * 2007-01-18 2008-07-23 财团法人工业技术研究院 透明电极及包含此透明电极的有机电致发光元件
EP2234459A1 (en) * 2007-12-28 2010-09-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer light-emitting device, method for manufacturing the same and polymer light-emitting display device
CN202035172U (zh) * 2010-12-22 2011-11-09 西安文景光电科技有限公司 一种具有复合阳极的单像素三基色混合有机电致白光光源

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3319152A4 (en) * 2015-06-30 2019-10-23 Yuhong Zhang Doped Conductive Oxide, and Base Improved Polar Sheet of Electrochemical Energy Storage Device
CN113054116A (zh) * 2019-12-28 2021-06-29 Tcl集团股份有限公司 发光二极管

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102810644A (zh) 叠层有机电致发光器件及其制备方法
CN102790181A (zh) 一种叠层穿透式白光有机电致发光器件
CN102891262A (zh) 叠层有机电致发光器件及其制备方法
CN104934541A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN102916131A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN102810645A (zh) 穿透式有机电致发光器件及其制备方法
CN102842682A (zh) 叠层有机电致发光器件及其制备方法
CN103296219A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN102956830A (zh) 底发射有机电致发光器件及其制备方法
CN103296217A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183738A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972420A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103378307A (zh) 叠层有机电致发光器件及其制备方法
CN103137877B (zh) 电致发光器件及其制备方法
CN104518150A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103137887B (zh) 一种电致发光器件及其制备方法
CN104253243A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183732A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104518145A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103378310A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103022368A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103296218A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103311442A (zh) 电致发光器件及其制备方法
CN104518109A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104425745A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130911