CN103296218A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN103296218A CN2012100499561A CN201210049956A CN103296218A CN 103296218 A CN103296218 A CN 103296218A CN 2012100499561 A CN2012100499561 A CN 2012100499561A CN 201210049956 A CN201210049956 A CN 201210049956A CN 103296218 A CN103296218 A CN 103296218A
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周明杰
王平
黄辉
钟铁涛
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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子阻挡层的材料为空穴传输材料和金属材料掺杂形成的混合物，所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺，所述金属材料为钙、镁、铝或镱。上述有机电致发光器件中发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
有机电致发光二极管(Organic Light Emission Diode)或有机电致发光器件，简称OLED，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是最近十几年相当热门的研究领域。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在电致发光器件中，空穴的传输路径为阳极-空穴传输层-发光层，而电子的传输路径为阴极-电子传输层-发光层，当空穴和电子到达发光层之后，进行复合，形成激子发光，而如果发光层与空穴传输层之间的LUMO能级势垒较低，会使电子从发光层中穿越到空穴传输层。现在的作为电子阻挡层的有机材料的LUMO能级大多与发光层(发光层的LUMO能级为3.5eV左右，有机阻挡材料的一般为3.2eV)相差只有0.3eV之内，电子阻挡层的阻挡效果较差，不能有效的阻挡电子从发光层中穿越到空穴传输层，造成电子与空穴不能有效复合，发光效率低下。
【发明内容】
基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，其包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述电子阻挡层的材料为空穴传输材料和金属材料掺杂形成的混合物，所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺，所述金属材料为钙、镁、铝或镱。
在优选的实施例中，所述电子阻挡层的厚度为2nm～15nm。
在优选的实施例中，所述电子阻挡层的材料中，所述金属材料的质量含量为5％～20％。
在优选的实施例中，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒。
在优选的实施例中，所述发光层的材料为发光材料，或发光材料和主体材料掺杂形成的混合物，所述发光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羟基喹啉铝、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种，所述主体材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种，所述发光材料和主体材料掺杂形成的混合物中发光材料的质量含量为1％～20％。
在优选的实施例中，所述电子传输层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。
在优选的实施例中，所述电子注入层的材料为碳酸锂、氯化锂或氟化锂。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在阳极表面依次形成空穴注入层及空穴传输层；
在所述空穴传输层表面形成电子阻挡层，所述电子阻挡层的材料为空穴传输材料和金属材料掺杂形成的混合物，所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺，所述金属材料为钙、镁、铝或镱；及
在所述电子阻挡层表面依次形成发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
在优选的实施例中，所述电子阻挡层的厚度为2nm～15nm。
在优选的实施例中，所述电子阻挡层的材料中，所述金属材料的质量含量为5％～20％。
上述有机电致发光器件及其制备方法利用金属掺杂到空穴传输材料中作为电子阻挡层，所选用的金属功函数较低，可有效阻挡电子，掺杂到空穴传输材料之后，可以将空穴传输材料的LUMO能级大大提升，使之与发光层之间的势垒增大，从而使电子尽可能的限制在发光层中与空穴进行复合，提高激子的复合几率，而金属导电性较好，可以使阻挡层的传输电阻减小，有利于传输，同时，少量的金属掺杂，可以使器件的光透过性增强，最终提高发光效率；同时，金属材料的纯度较高，材料来源简单。
【附图说明】
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法流程图；
图3为实施例1与对比例1制备的有机电致发光器件的能量效率与电流密度关系图；
图4为实施例1制备的有机电致发光器件的能级图。
【具体实施方式】
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极10、空穴注入层20、空穴传输层30、电子阻挡层40、发光层50、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
阳极10为铟锡氧化物玻璃(ITO)、掺氟氧化锡玻璃(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(IZO)。
空穴注入层20形成于阳极10表面。空穴注入层20的材料为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)，优选为WO3。空穴注入层20的厚度为20nm～80nm，优选为30nm。
空穴传输层30形成于空穴注入层20表面。空穴传输层30的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)，优选为TAPC。空穴传输层30的厚度为20nm～60nm，优选为50nm。
电子阻挡层40形成于空穴传输层30的表面。电子阻挡层40的材料为电子阻挡层的材料为空穴传输材料和金属材料掺杂形成的混合物。空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)，优选为TAPC。金属材料为钙(Ca)、镁(Mg)、铝(Al)或镱(Yb)。电子阻挡层的材料中，空穴传输材料为主体，金属材料为掺杂客体，金属材料的质量含量为5％～20％。电子阻挡层40的厚度为2nm～15nm。
发光层50形成于电子阻挡层40的表面。发光层50的材料为发光材料，或发光材料和主体材料掺杂形成的混合物。发光材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))及三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种。主体材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种。发光材料和主体材料掺杂形成的混合物中发光材料的质量含量为1％～20％。发光层50的材料优选为Alq3。发光层50的厚度为2nm～50nm，优选为30nm。
电子传输层70形成于发光层50的表面。电子传输层70的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，优选为TPBI。电子传输层70的厚度为40nm～80nm，优选为60nm。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料为碳酸锂(Li2CO3)、氯化锂(LiCl)或氟化锂(LiF)，优选为LiF。电子注入层80的厚度为0.5nm～5nm，优选为1nm。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm～250nm，优选为150nm。
上述有机电致发光器件100利用金属掺杂到空穴传输材料中作为电子阻挡层40，所选用的金属功函数较低，可有效阻挡电子，掺杂到空穴传输材料之后，可以将空穴传输材料的LUMO能级大大提升，使电子阻挡层40与发光层50之间的势垒增大，从而使电子尽可能的限制在发光层50中与空穴进行复合，提高激子的复合几率，而金属导电性较好，可以使电子阻挡层40的传输电阻减小，有利于传输，同时，少量的金属掺杂，可以使器件的光透过性增强，最终提高发光效率；同时，金属材料的纯度较高，材料来源简单，金属材料的稳定性较好。
请参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1、在阳极10表面依次形成空穴注入层20及空穴传输层30。
本实施方式中，阳极10为铟锡氧化物玻璃(ITO)、掺氟氧化锡玻璃(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(IZO)。
本实施方式中，阳极10在使用前依次用去洗洁精、离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声15分钟，去除阳极表面的有机污染物，清洗赶紧后对阳极10进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为2min～15min，功率为10W～50W，优选时间为5min，功率为35W。
空穴注入层20由蒸镀形成。空穴注入层20的材料为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)，优选为WO3。空穴注入层20的厚度为20nm～80nm，优选为30nm。
空穴传输层30由蒸镀形成。空穴传输层30形成于空穴注入层20表面。空穴传输层30的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)，优选为TAPC。空穴传输层30的厚度为20nm～60nm，优选为50nm。
步骤S2、在空穴传输层30表面形成电子阻挡层40。
电子阻挡层40由蒸镀形成。电子阻挡层40的材料为电子阻挡层的材料为空穴传输材料和金属材料掺杂形成的混合物。空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)，优选为TAPC。金属材料为钙(Ca)、镁(Mg)、铝(Al)或镱(Yb)。电子阻挡层的材料中，空穴传输材料为主体，金属材料为掺杂客体，金属材料的质量含量为5％～20％。电子阻挡层40的厚度为2nm～15nm，优选为5nm。
步骤S3、在电子阻挡层40表面依次形成发光层50、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
发光层50由蒸镀形成。发光层50形成于电子阻挡层40的表面。发光层50的材料为发光材料，或发光材料和主体材料掺杂形成的混合物。发光材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))及三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种。主体材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种。发光材料和主体材料掺杂形成的混合物中发光材料的质量含量为1％～20％。发光层50的材料优选为Alq3。发光层50的厚度为2nm～50nm，优选为30nm。
电子传输层70由蒸镀形成。电子传输层70形成于发光层50的表面。电子传输层70的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，优选为TPBI。电子传输层70的厚度为40nm～80nm，优选为60nm。
电子注入层80由蒸镀形成。电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料为碳酸锂(Li2CO3)、氯化锂(LiCl)或氟化锂(LiF)，优选为LiF。电子注入层80的厚度为0.5nm～5nm，优选为1nm。
阴极90由蒸镀形成。阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm～250nm，优选为150nm。
上述有机电致发光器件的制备方法制备的有机电致发光器件的发光效率较高。
以下为具体实施例。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强＜1×10-3Pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号：2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司，型号：PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学，型号：ST-86LA)。
实施例1
本实施例1的有机电致发光器件结构：ITO/WO3/TAPC/TCTA:Ca/Alq3/TPBI/LiF/Ag。
该实施例1的有机电致发光器件的制备工艺如下：
先将ITO依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对其进行氧等离子处理；蒸镀空穴注入层，材料为WO3，厚度为30nm；蒸镀空穴传输层，材料为TAPC，厚度为50nm；蒸镀电子阻挡层，主体材料为TCTA，铯盐为Ca，掺杂比例为10％，厚度为10nm；蒸镀发光层，材料为Alq3，厚度为30nm；蒸镀电子传输层，材料为TPBI，厚度为60nm；蒸镀电子注入层，材料为LiF，厚度为1nm；然后蒸镀阴极，材料为Ag，厚度为150nm，最后得到所需要的电致发光器件。
实施例2
本实施例2的有机电致发光器件结构：IZO/V2O5/TPD/TAPC:Mg/TPBi:Ir(ppy)3/TPBI/LiF/Al。
该实施例2的有机电致发光器件的制备工艺如下：
先将IZO依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对其进行氧等离子处理；蒸镀制备空穴注入层，材料为V2O5，厚度为30nm，接着继续蒸镀空穴传输层，材料为TPD，厚度为50nm，然后蒸镀电子阻挡层，主体材料为TAPC，金属为Mg，掺杂比例为15％，厚度为10nm，接着蒸镀发光层，材料为TPBi∶Ir(ppy)3，掺杂比例为10％，厚度为10nm，电子传输层，材料为TPBi，厚度为80nm，电子注入层，材料为LiF，厚度为0.5nm，然后蒸镀阴极，材料为Al，厚度为250nm，最后得到所需要的电致发光器件。
实施例3
本实施例3的有机电致发光器件结构：AZO/V2O5/TCTA/NPB:Yb/TCTA:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/Li2CO3/Au。
该实施例3的有机电致发光器件的制备工艺如下：
先将AZO依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对其进行氧等离子处理；蒸镀制备空穴注入层，材料为V2O5，厚度为20nm，接着继续蒸镀空穴传输层，材料为TCTA，厚度为80nm，然后蒸镀电子阻挡层，主体材料为NPB，金属为Yb，掺杂比例为5％，厚度为15nm，接着蒸镀发光层，材料为TCTA∶Ir(MDQ)2(acac)，掺杂比例为1％，厚度为2nm，电子传输层，材料为Bphen，厚度为20nm，电子注入层，材料为Li2CO3，厚度为5nm，然后蒸镀阴极，材料为Au，厚度为80nm，最后得到所需要的电致发光器件。
实施例4
本实施例4的有机电致发光器件结构：ITO/MoO3/NPB/TAPC:Al/TAZ:Firpic/TAZ/LiCl/Pt。
该实施例4的有机电致发光器件的制备工艺如下：
先将ITO依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对其进行氧等离子处理；蒸镀制备空穴注入层，材料为MoO3，厚度为80nm，接着继续蒸镀空穴传输层，材料为NPB，厚度为30nm，然后蒸镀电子阻挡层，主体材料为TAPC，金属为Al，掺杂比例为6％，厚度为8nm，接着蒸镀发光层，材料为TAZ∶Firpic，掺杂比例为20％，厚度为20nm，电子传输层，材料为TAZ，厚度为65nm，电子注入层，材料为LiCl，厚度为1nm，然后蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为250nm，最后得到所需要的电致发光器件。
实施例5
本实施例5的有机电致发光器件结构：FTO/V2O5/TPD/TCTA:Ca/DCJTB/PBD/LiF/Al。
该实施例5的有机电致发光器件的制备工艺如下：
先将FTO依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对其进行氧等离子处理；蒸镀制备空穴注入层，材料为V2O5，厚度为55nm，接着继续蒸镀空穴传输层，材料为TPD，厚度为60nm，然后蒸镀电子阻挡层，主体材料为TCTA，金属为Ca，掺杂比例为5％，厚度为12nm，接着蒸镀发光层，材料为DCJTB，厚度为50nm，电子传输层，材料为PBD，厚度为25nm，电子注入层，材料为LiF，厚度为1nm，然后蒸镀阴极，材料为Al，厚度为200nm，最后得到所需要的电致发光器件。
对比例1
对比实施例1，按照实施例1的制作方法制作器件结构为ITO/WO3/TAPC/Alq3/TPBi/LiF/Ag的有机电致发光器件，该发光器件的各层材料厚度与实施例1对应的各层厚度相同。
请参阅图3，图3中曲线1为实施例1制备的有机电致发光器件的能量效率与电流密度关系曲线，曲线2为与对比例1制备的有机电致发光器件的能量效率与电流密度关系曲线。从图3中可以看出，实施例1的电流效率都比对比例1的要大，实施例1的最大的能量效率为15.9lm/W，而对比例1的仅为10.5lm/W，这都说明，当掺杂金属后，可有效阻挡电子，同时使阻挡层的传输电阻减小，并且可以进一步提高空穴的传输速率，最终提高了激子的复合几率，有利于提高出光效率。请同时参阅图4，经过金属掺杂的电子阻挡层，LUMO能级明显降低(虚线部分)，更有利于阻挡电子所用材料的HOMO能级与发光层之间的HOMO能级相差较小，有利于空穴的传输(空穴从HOMO能级处传输)。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为空穴传输材料和金属材料掺杂形成的混合物，所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺，所述金属材料为钙、镁、铝或镱。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为2nm～15nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料中，所述金属材料的质量百分比为5％～20％。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为发光材料，或发光材料和主体材料掺杂形成的混合物，所述发光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羟基喹啉铝、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种，所述主体材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种，所述发光材料和主体材料掺杂形成的混合物中发光材料的质量含量为1％～20％。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料为碳酸锂、氯化锂或氟化锂。
8.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阳极表面依次形成空穴注入层及空穴传输层；
在所述空穴传输层表面形成电子阻挡层，所述电子阻挡层的材料为空穴传输材料和金属材料掺杂形成的混合物，所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺，所述金属材料为钙、镁、铝或镱；及
在所述电子阻挡层表面依次形成发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为2nm～15nm。
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层的材料中，所述金属材料的质量百分比为5％～20％。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114335373A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 合肥福纳科技有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030230980A1 (en) * 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
CN1913731A (zh) * 2006-08-28 2007-02-14 清华大学 一种有机电致发光器件
US20090179556A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
CN101785129A (zh) * 2007-08-10 2010-07-21 住友化学株式会社 包含掺杂有金属的钼氧化物层的有机电子发光元件及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030230980A1 (en) * 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
CN1913731A (zh) * 2006-08-28 2007-02-14 清华大学 一种有机电致发光器件
CN101785129A (zh) * 2007-08-10 2010-07-21 住友化学株式会社 包含掺杂有金属的钼氧化物层的有机电子发光元件及其制造方法
US20090179556A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114335373A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 合肥福纳科技有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

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