CN114335373A - 一种量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种量子点发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管领域。量子点发光二极管包括依次叠加设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、量子点发光层和电子传输层，电子阻挡层的材料为三苯胺类衍生物。该量子点发光二极管的发光效率高，使用寿命长。
Description
技术领域
本申请涉及发光二极管领域，具体而言，涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)由于具有良好的色纯度，有很大的商用潜质。现有的QLED通常由电极、电子注入层和电子传输层(electron transport layer，ETL)、空穴注入层和空穴传输层(hole transport layer，HTL)、量子点发光层等各个功能层依照特定顺序堆叠而成。QLED在通电后，电子和空穴分别穿过量子点发光层两侧的功能层到达量子点发光层，并在量子点发光层中复合发光。
目前，由于QLED各功能层的选择和适配还未达到最佳，虽然QLED的荧光量子产率已经达到100％，但QLED仍然存在发光效率低、使用寿命短的问题。
发明内容
本申请实施例可以提供一种量子点发光二极管及其制备方法，能提升Q LED的发光效率，延长QLED的使用寿命。
第一方面，本申请实施例提供了一种量子点发光二极管，其包括依次叠加设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、量子点发光层和电子传输层，电子阻挡层的材料为三苯胺类衍生物。
申请人发现，三苯胺类衍生物的最低未占分子轨道(Lowest Unoccupi edMolecular Orbital，LUMO)能级较高，电子难以在三苯胺类衍生物内传输；而且三苯胺类衍生物的分子间距小，空穴能很好地在三苯胺类衍生物中传输。
在上述技术方案中，靠近量子点发光层的电子阻挡层的材料为三苯胺类衍生物，能很好地阻挡电子从量子点发光层向阳极穿越，将电子存留在量子点发光层中，便于其后续与空穴复合并发光，而且不会影响空穴从阳极向量子点发光层中传输。这样能使得量子点发光层中的电子和空穴注入更平衡，增加了空穴和电子在量子点发光层能的复合几率，既能增大发光效率，又能提升QLED的稳定性，延长使用寿命。
在一种可能的实现方式中，三苯胺类衍生物为4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、4,4'-环己基二[N,N-二(4-乙基苯基)苯胺]、N,N’-(环己基-4,1-亚苯基)双[N-1,1’-联苯]-4-基-[1,1’-联苯]-4-胺、4,4’-(4-苯基亚环己基)二[N,N-二(4-乙基苯基)苯胺]、N,N’-(环己基-4,1-亚苯基)双[N-1,1’-联苯]-4-基-4’-乙烯基-[1,1’-联苯]-4-胺中的至少一种。
在一种可能的实现方式中，三苯胺类衍生物为4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]或4,4'-环己基二[N,N-二(4-乙基苯基)苯胺]中的一种或多种。
在上述技术方案中，4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]等材料相比于现有的空穴传输层的材料具有较高的LUMO能级和更小的分子间距，能很好地阻止电子的传输，同时不会影响空穴的传输，尤其是4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]和4,4'-环己基二[N,N-二(4-乙基苯基)苯胺]。
在一种可能的实现方式中，空穴传输层的材料为聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯基咔唑、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,6-二(二苯基膦)吩嗪中的至少一种。
在一种可能的实现方式中，空穴传输层的材料为聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)或聚乙烯基咔唑中的一种或两种。
在一种可能的实现方式中，空穴注入层远离空穴传输层的表面设有阳极，电子传输层远离量子点发光层的表面设有阴极；可选地，阴极的材料为Al、Au、Ag、Cu、Pt、Pd中的至少一种；可选地，阳极的材料为ITO、FTO、PEDOTPSS：PSS中的至少一种；可选地，电子传输层的材料为Zn O、SnO2、TiO2中的至少一种。
第二方面，本申请实施例提供了一种上述的量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
在ITO玻璃基板上依次制备形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、量子点发光层和电子传输层；之后在电子传输层的表面蒸镀形成阴极。
在一种可能的实现方式中，制备所电子阻挡层的步骤包括：将三苯胺类衍生物配制成溶液，并将三苯胺类衍生物溶液旋涂于空穴传输层表面形成电子阻挡层。
在上述技术方案中，通过旋涂的方法，能够形成均一性好的电子阻挡层。
在一种可能的实现方式中，形成电子阻挡层后，还在60～250℃条件下处理0.1～6h。
在上述技术方案中，在形成电子阻挡层后，再在60～250℃条件下处理0.1～6h能除去发光二极管中残留的溶剂，避免对后续的制备过程造成影响；同时也可以使得电子阻挡层的表面更平整，形貌更好。
在一种可能的实现方式中，三苯胺类衍生物溶液的浓度为0.01～100mg/mL；和/或，三苯胺类衍生物溶液的溶剂为氯苯、甲苯、苯、氯仿、丙酮、乙酸乙酯、乙酰丙酮中的至少一种。
在上述技术方案中，使用合适浓度的三苯胺类衍生物溶液旋涂，能使得层结构的厚度更加均匀一致；三苯胺类衍生物在上述的溶剂中有着良好的溶解性，自身不会发生团聚或者沉淀的现象，也不会引起空穴传输层中的材料发生团聚或沉淀的现象，能制备出均一性好的层结构，不会影响空穴的传输速率，能保证QLED的发光效率和使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为现有技术中的量子点发光二极管的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种量子点发光二极管结构示意图。
图标：100-阴极；200-电子传输层；300-量子点发光层；400-电子阻挡层；500-空穴传输层；600-空穴注入层；700-阳极；800-玻璃基板。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本申请实施例的量子点发光二极管及其制备方法进行具体说明。
如图2所示，量子点发光二极管包括依次叠加设置的阳极700、空穴注入层600、空穴传输层500、电子阻挡层400、量子点发光层300、电子传输层200和阴极100。
阳极700和阴极100分别与电源的正极和负极连接，阳极700和阴极100能收集外接电源中空穴和电子，然后将空穴和电子传输至量子点发光层300中，保证量子点发光二极管能正常工作。阴极100的材料可以是Al、Au、Ag、Cu、Pt、Pd中的至少一种；阳极700的材料可以是ITO、FTO、PEDOT：PSS中的至少一种。具体地，在本申请的实施例中，阴极100材料为Al，阳极700材料为ITO，但这并不能理解为对本申请的限定。
电子传输层200能增加电子向量子点发光层300中注入的速率，也可以阻止空穴向阴极传输，能提高空穴和电子在量子点发光层300中结合的几率，增加发光效率。电子传输层200的材料为ZnO、SnO2、TiO2中的至少一种，也可以是掺杂有金属的ZnO、SnO2或TiO2。具体地，在本申请的实施例中，其材料为ZnO，但这并不能理解为对本申请的限定。
空穴注入层600能加快空穴的传输速率，将更多的空穴传输到发光层中，以保证电子与空穴在发光层中结合。在本申请的具体实施例中，空穴注入层600是由市售的PEDOT:PSS经旋涂制得的，但不局限于此。
相比于现有的量子点发光二极管(如图1所示)，本申请实施例中的量子点发光二极管在量子点发光层300和空穴注入层600之间增设了电子阻挡层400，其层结构中含有三苯胺类衍生物。由于三苯胺类衍生物的LUMO能级较高，一般大于2eV，能够有效地阻止电子穿越量子点发光层300，使电子停留在发光层中，进而提高空穴和电子在量子点发光层300中结合的几率，增加量子点发光二极管的发光效率。而且三苯胺类衍生物的LUMO能级较高，也不会影响空穴穿过电子阻挡层400到达量子点发光层300。具体的，三苯胺类衍生物为4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](结构式为
)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-乙基苯基)苯胺](结构式为
)、N,N’-(环己基-4,1-亚苯基)双[N-1,1’-联苯]-4-基-[1,1’-联苯]-4-胺(结构式为
)、4,4’-(4-苯基亚环己基)二[N,N-二(4-乙基苯基)苯胺](结构式为
)、N,N’-(环己基-4,1-亚苯基)双[N-1,1’-联苯]-4-基-4’-乙烯基-[1,1’-联苯]-4-胺(结构式为
)中的至少一种。其中4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、4,4'-环己基二[N,N-二(4-乙基苯基)苯胺]较好，能够很大程度上提升量子点发光二极管的发光效率。而且本申请实施例中，电子阻挡层400的厚度一般在5～30nm之间，合适厚度的电子阻挡层400既能有效的阻挡电子的传输，又不会影响空穴的传输，同时也有利于降低二极管的制作成本。具体地，本申请实施例中，电子阻挡层400的厚度为20nm。
空穴传输层500靠近空穴注入层600，能使得从阳极700注入的空穴穿过并流至量子点发光层300，同时也能在一定程度上阻挡电子穿过空穴传输层500到达阳极700。空穴传输层500的材料为领域常见的空穴传输材料，例如，其可以是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(Poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine,TFB)、聚乙烯基咔唑、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,6-二(二苯基膦)吩嗪中的至少一种。作为示例性的，本实施例中使用聚乙烯基咔唑(Poly(N-vinylcarbazole)，PVK)。而且本申请实施例中，空穴传输层500的厚度一般在5～30nm之间，合适厚度的空穴传输层500可以使得空穴快速传输至量子点发光层中，也可以与电子阻挡层400协同作用，阻挡电子向阳极传输。具体地，本申请实施例中，空穴传输层500的厚度为20nm。
上述量子点发光二极管的制备方法如下：
在ITO玻璃基板800上旋涂PEDOT:PSS溶液形成空穴注入层600，在旋涂形成空穴注入层600后，还可以在60～250℃下处理0.1～6h，以除去空穴注入层600中残余的溶剂，避免对后续的制备过程造成影响。具体的，温度一般在100～200℃范围内，可以是100℃、120℃、140℃、150℃、170℃或200℃；处理时间一般在0.1～2h，可以是0.1h、0.3h、0.5h、0.8h、1.2h或2h；然后在空穴注入层600的表面旋涂空穴传输材料的有机溶液形成空穴传输层500；之后在空穴传输层500的表面旋涂三苯胺类衍生物的有机溶液形成电子阻挡层400，在旋涂形成电子阻挡层400后，还可以将电子阻挡层400在60～250℃下处理0.1～6h，以除去空穴注入层600中残余的溶剂，避免对后续的制备过程造成影响；同时也可以使得电子传输层200的表面更平整，形貌更好，以增加量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。具体的，温度一般在100～200℃范围内，可以是100℃、120℃、140℃、150℃、170℃或200℃；处理时间一般在0.1～2h，可以是0.1h、0.3h、0.5h、0.8h、1.2h或2h；再在电子阻挡层400的表面旋涂量子点溶液形成量子点发光层300，再然后在量子点发光层300表面旋涂ZnO材料形成电子传输层200；然后再在电子传输层200的表面蒸镀Al形成阴极100。
本申请实施例中，使用溶液旋涂法制备除阴极100和阳极700之外的各个层结构，其操作简单，制备成本低，能快速制备量子点发光二极管；当然，在其他一些实施例中，也可以使用诸如蒸镀之类的制备方法。本实例中，溶液旋涂法中，旋涂速度一般选用100～10000rpm/min范围内的任一速度，具体地，可以为2000～8000rpm/min内的任一速度，例如，可以是2000rpm/min、3000rpm/min、5000rpm/min、7000rpm/min或8000rpm/min。
在上述实现过程中，在配制空穴传输材料的有机溶液或配制三苯胺类衍生物的有机溶液时，溶剂为有机溶剂，可选用氯苯、甲苯、苯、氯仿、丙酮、乙酸乙酯、乙酰丙酮中的至少一种。作为示例性地，本申请实施例中选用氯苯作为溶剂，其溶解性较好，对生物体的毒性相对较小。另外，在配制溶液时，三苯胺类衍生物的浓度为0.01～100mg/mL，具体地，可以为10～50mg/mL，例如，可以是10mg/mL、20mg/mL、30mg/mL、40mg/mL或50mg/mL；空穴传输材料的浓度为0.01～100mg/mL，优选为10～50mg/mL，例如，可以是10mg/mL、20mg/mL、30mg/mL、40mg/mL或50mg/mL。
在上述实现过程中，量子点溶液中的量子点一般为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。
以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法如下：
(1)在ITO玻璃基板800上以5000rpm/min的速度旋涂PEDOT：PSS溶液形成空穴注入层600，旋涂完成后150℃热处理30min。
(2)将8mg的TFB完全溶解于1mL的氯苯中，并将TFB的氯苯溶液以3000rpm/min的速度旋涂于空穴注入层600的表面形成空穴传输层500。
(3)将30mg的4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]完全溶解于1ml的氯苯溶液中，再将4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]的氯苯溶液以3000rpm/min的速度旋涂于空穴传输层500的表面形成电子阻挡层400，旋涂完成后以150℃的温度处理30min。
(4)以3000rpm/min的速度将CdSe/ZnS(红)量子点溶液旋涂于电子阻挡层400的表面形成量子点发光层300，旋涂完成后150℃热处理30min。
(5)以3000rpm/min的速度将ZnO旋涂于量子点发光层300的表面形成电子传输层200。
(6)在电子传输层200的表面蒸镀Al电极，随后进行封装。
实施例2
本实施例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法相比于实施例1，主要区别在于：
步骤(3)中，使用相同质量的4,4'-环己基二[N,N-二(4-乙基苯基)苯胺]代替4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]制备电子阻挡层400；
步骤(4)中，使用CdSe/ZnS(绿)量子点溶液代替CdSe/ZnS(红)量子点溶液制备量子点发光层300。
实施例3
本实施例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法相比于实施例1，主要区别在于：
步骤(4)中，使用InP/ZnSe/ZnS(绿)量子点溶液代替CdSe/ZnS(红)量子点溶液制备量子点发光层300。
实施例4
本实施例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法相比于实施例2，主要区别在于：
步骤(4)中，使用InP/ZnSe/ZnS(红)量子点溶液代替CdSe/ZnS(绿)量子点溶液制备量子点发光层300。
实施例5
本实施例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法相比于实施例1，主要区别在于：
步骤(3)中，使用相同质量的N,N’-(环己基-4,1-亚苯基)双[N-1,1’-联苯]-4-基-[1,1’-联苯]-4-胺代替4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]制备电子阻挡层400。
对比例1
本对比例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法如下：
(1)在ITO玻璃基板800上以5000rpm/min的速度旋涂PEDOT：PSS溶液形成空穴注入层600，旋涂完成后150℃热处理30min。
(2)将8mg的TFB完全溶解于1mL的氯苯中，并将TFB的氯苯溶液以3000rpm/min的速度旋涂于空穴注入层600的表面形成空穴传输层500，之后以150℃的温度处理30min。
(3)以3000rpm/min的速度将CdSe/ZnS(红)量子点溶液旋涂于空穴传输层500的表面形成量子点发光层300，旋涂完成后150℃热处理30min。
(4)以3000rpm/min的速度将ZnO旋涂于量子点发光层300的表面形成电子传输层200。
(5)在电子传输层200的表面蒸镀Al电极，随后进行封装。
本对比例的量子点发光二极管相比于实施例1中的量子点发光二极管，没有电子阻挡层400。
对比例2
本对比例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法相比于对比例1，主要区别在于：
步骤(3)中，使用CdSe/ZnS(绿)量子点溶液代替CdSe/ZnS(红)量子点溶液制备量子点发光层300。
本对比例的量子点发光二极管相比于实施例2中的量子点发光二极管，没有电子阻挡层400。
对比例3
本对比例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法相比于对比例1，主要区别在于：
步骤(3)中，使用InP/ZnSe/ZnS(绿)量子点溶液代替CdSe/ZnS(红)量子点溶液制备量子点发光层300。
本对比例中的量子点发光二极管相比于实施例3，没有电子阻挡层400。
对比例4
本对比例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法相比于对比例1，主要区别在于：
步骤(3)中，使用InP/ZnSe/ZnS(红)量子点溶液代替CdSe/ZnS(绿)量子点溶液制备量子点发光层300。
本对比例中的量子点发光二极管相比于实施例4，没有电子阻挡层400。
对比例5
本对比例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法相比于实施例1，主要区别在于：
步骤(3)中，使用相同质量的TFB代替4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]制备电子阻挡层400。
本对比例中的量子点发光二极管相比于实施例1，使用TFB制备电子阻挡层400。
对比例6
本对比例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法如下：
(1)在ITO玻璃基板800上以5000rpm/min的速度旋涂PEDOT：PSS溶液形成空穴注入层600，旋涂完成后150℃热处理30min。
(2)将30mg的4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]完全溶解于1ml的氯苯溶液中，再将4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]的氯苯溶液以3000rpm/min的速度旋涂于空穴注入层600的表面形成电子阻挡层400。
(3)将8mg的TFB完全溶解于1mL的氯苯中，并将TFB的氯苯溶液以3000rpm/min的速度旋涂于电子阻挡层400的表面形成空穴注入层600，旋涂完成后以150℃的温度处理30min。
(4)以3000rpm/min的速度将CdSe/ZnS(红)量子点溶液旋涂于空穴注入层600的表面形成量子点发光层300，旋涂完成后150℃热处理30min。
(5)以3000rpm/min的速度将ZnO旋涂于量子点发光层300的表面形成电子传输层200。
(6)在电子传输层200的表面蒸镀Al电极，随后进行封装。
本对比例的量子点发光二极管相比于实施例1，调换了空穴传输层500和电子阻挡层400的顺序。
对比例8
本对比例提供了一种量子点发光二极管，其制备方法如下：
(1)在ITO玻璃基板800上以5000rpm/min的速度旋涂PEDOT：PSS溶液形成空穴注入层600，旋涂完成后150℃热处理30min。
(2)将30mg的4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]完全溶解于1ml的氯苯溶液中，再将4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]的氯苯溶液以3000rpm/min的速度旋涂于空穴注入层600的表面形成电子阻挡层400，旋涂完成后以150℃的温度处理30min。
(3)以3000rpm/min的速度将CdSe/ZnS(红)量子点溶液旋涂于电子阻挡层400的表面形成量子点发光层300，旋涂完成后150℃热处理30min。
(4)以3000rpm/min的速度将ZnO旋涂于量子点发光层300的表面形成电子传输层200。
(5)在电子传输层200的表面蒸镀Al电极，随后进行封装。
本对比例的量子点发光二极管相比于实施例1，没有空穴传输层500。
应用例
使用横电流法测各个器件的寿命，调变电压得到各个器件的外量子效率，对实施例1～5和对比例1～8中的量子点发光二极管进行测试，其性能数据的表征如下：
表1实施例1～5和对比例1～8的发光效率和使用寿命
| 组别 | 外量子效率 | 寿命(h) |
| 实施例1 | 17％ | 10000 |
| 实施例2 | 12％ | 600 |
| 实施例3 | 10％ | 200 |
| 实施例4 | 15％ | 1200 |
| 实施例5 | 15％ | 8000 |
| 对比例1 | 10％ | 4000 |
| 对比例2 | 5％ | 200 |
| 对比例3 | 6％ | 100 |
| 对比例4 | 10％ | 700 |
| 对比例5 | 9％ | 5000 |
| 对比例6 | 10％ | 6000 |
| 对比例7 | 12％ | 7500 |
综上所述，本申请实施例的量子点发光二极管发光效率好，使用寿命长。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，其包括依次叠加设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、量子点发光层和电子传输层，所述电子阻挡层中含有三苯胺类衍生物。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述三苯胺类衍生物为4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、4,4'-环己基二[N,N-二(4-乙基苯基)苯胺]、N,N’-(环己基-4,1-亚苯基)双[N-1,1’-联苯]-4-基-[1,1’-联苯]-4-胺、4,4’-(4-苯基亚环己基)二[N,N-二(4-乙基苯基)苯胺]、N,N’-(环己基-4,1-亚苯基)双[N-1,1’-联苯]-4-基-4’-乙烯基-[1,1’-联苯]-4-胺中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述三苯胺类衍生物为4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、4,4'-环己基二[N,N-二(4-乙基苯基)苯胺]中的一种或两种。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的材料为聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯基咔唑、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,6-二(二苯基膦)吩嗪中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的材料为聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯基咔唑中的一种或两种。
6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层远离所述空穴传输层的表面设有阳极，所述电子传输层远离所述量子点发光层的表面设有阴极；可选地，所述阴极的材料为Al、Au、Ag、Cu、Pt、Pd中的至少一种；可选地，所述阳极的材料为ITO、FTO、PEDOT：PSS中的至少一种；可选地，所述电子传输层的材料为ZnO、SnO2、TiO2中的至少一种。
7.一种如权利要求1～6任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
在ITO玻璃基板上依次制备形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、量子点发光层和电子传输层；在电子传输层的表面蒸镀形成阴极。
8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，制备所电子阻挡层的步骤包括：
将三苯胺类衍生物配制成溶液，并将三苯胺类衍生物溶液旋涂于所述空穴传输层表面形成电子阻挡层。
9.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，形成所述电子阻挡层后，还在60～250℃条件下处理0.1～6h。
10.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述三苯胺类衍生物溶液的浓度为0.01～100mg/mL；和/或，所述三苯胺类衍生物溶液的溶剂为氯苯、甲苯、苯、氯仿、丙酮、乙酸乙酯、乙酰丙酮中的至少一种。
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