CN214477455U - 显示结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种显示结构，包括依次层叠设置的电源层、中间层、阴极层、包括多个发光单元的发光层，所述阴极层与所述多个发光单元的发光层相连，所述中间层上设有多个过孔，所述电源层通过所述过孔与所述阴极层连接。本结构中电源层分别与阴极层的不同位置相连，不会出现电源信号从一个阴极层位置传导至另一阴极层位置，从而避免在传导过程中出现压降。另，电源层到阴极层的距离减小，从而压降也降低，避免了因为压降导致的亮度不足。
Description
技术领域
本实用新型属于OLED发光技术领域，尤其涉及一种显示结构。
背景技术
随着多媒体技术的发展，对平板显示设备性能的要求越来越高，目前，等离子显示器、场发射显示器和有机电致发光显示器为主要的显示技术。其中，有机电致发光显示器是基于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)制得的显示设备，其具有反应速度快、对比度高、视角广等优点。此外，OLED面板具有自发光的特性，无需使用背光板，从而可以节约背光模块的成本，且相比传统液晶面板更为轻薄，因此OLED在显示器等领域具有巨大的应用前景。
现有技术中，OLED上的各像素点与电源之间通过不同长度的导线连接，此时，由于导线本身具有一定电阻，导致各电源信号到达各像素点的阴极产生了不同程度的压降，因此，在电压相同的情况下，OLED的显示亮度不均匀。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是：现有OLED显示器中阴极结构的电阻过大，严重影响大尺寸显示屏幕的亮度均一性，从而提供一种亮度均一性好的显示结构。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种显示结构，包括依次层叠设置的电源层、中间层、阴极层、包括多个发光单元的发光层，所述阴极层与所述多个发光单元的发光层相连，所述中间层上设有多个过孔，所述电源层通过所述过孔与所述阴极层连接。
进一步的，所述电源层与所述阴极层通过所述过孔的连接距离相同。
进一步的，所述中间层包括封盖层、第一CVD薄膜层，所述封盖层的一侧设置有阴极层，另一侧设置有所述第一CVD薄膜层。
进一步的，所述多个发光单元的发光层包括顺次层叠设置的电子传输层、空穴阻挡层、发光单元层、空穴传输层和空穴注入层。
进一步的，所述过孔包括第一过孔、第二过孔，所述封盖层上设有所述第一过孔，所述第一CVD薄膜层上设有所述第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔连通形成所述过孔。
进一步的，所述阴极层的材质为ITO、IZO中的一种。
进一步的，所述第一CVD薄膜层的材质为SiO、SiON、SiN中的一种。
进一步的，所述电源层远离所述阴极层的一侧依次层叠有第二CVD薄膜层、有机层和第三CVD薄膜层。
进一步的，所述第一CVD薄膜层、第二CVD薄膜层与所述第三CVD薄膜层的材质相同。
本实用新型提供了一种显示结构，包括依次层叠设置的电源层、中间层、阴极层、包括多个发光单元的发光层，所述阴极层与所述多个发光单元的发光层相连，所述中间层上设有多个过孔，所述电源层通过所述过孔与所述阴极层连接。本结构中电源层分别与阴极层的不同位置相连，不会出现电源信号从一个阴极层位置传导至另一阴极层位置，从而避免在传导过程中出现压降。另，电源层到阴极层的距离减小，导致压降降低，从而不会产生因为压降导致的亮度不足。
附图说明
下面结合附图详述本实用新型的具体结构
图1为本实用新型的显示结构的整体结构示意图。
图中：1-阴极层、2-过孔、21-第一过孔、22-第二过孔、3-中间层、31-封盖层、32-第一CVD薄膜层、4-电源层、5-多个发光结构的发光层、6-第二CVD薄膜层、7-有机层、8-第三CVD薄膜层。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
请参阅图1本实用新型提供了一种显示结构，包括依次层叠设置的电源层4、中间层3、阴极层1、包括多个发光单元的发光层5，阴极层1与多个发光单元的发光层5相连，中间层3上设有多个过孔2，电源层4通过过孔2与阴极层1连接。
在本申请实施例中，阴极层1与电源层4通过中间层3的过孔2连接，相当于在阴极层1上并联一层电源层4，电源层4分别与阴极层1的不同位置相连，不会出现电源信号从一个阴极层位置传导至另一阴极层位置，从而避免在传导过程中出现压降。且，电源层4到阴极层1的距离减小，从而压降也降低，避免了因为压降导致的亮度不足。
在本实施例中，所述过孔的大小形状都是任意的，根据设计做出任意调整，所述过孔的制备方式不限制，例如FMM蒸镀、PR(光刻胶)+Etch(蚀刻)的方式、laser(镭射)，但并不仅仅只有上述列举出的几种方式；该结构还通过向上过孔搭接的方式降低了array的制程难度，同时释放搭接区域的面积给阳极增加开口率，增加相同屏幕亮度需求的像素亮度。
具体的，电源层4与阴极层1通过过孔2的连接距离相同。在本实施例中，电源层4与阴极层1每个点距离相同，则压降也相同，例如电源信号是5V，压降均为0.1V，则输送到阴极层1的电压均为4.9V，则施加到发光单元的电压均一，亮度均一化。
具体的，中间层3包括封盖层31、第一CVD薄膜层32，封盖层31的一侧设置有阴极层1，另一侧设置有第一CVD薄膜层32。其中，中间层增加一层第一CVD薄膜层32起到了保护OLED器件的作用，且第一CVD薄膜层32在保护下层OLED器件的同时通过光学折射率的搭配实现光取出的最大化；当光波(电磁波)入射到金属与电介质分界面时，金属表面的自由电子发生集体振荡，电磁波与金属表面自由电子耦合而形成的一种沿着金属表面传播的近场电磁波，如果电子的振荡频率与入射光波的频率一致就会产生共振，在共振状态下电磁场的能量被有效地转变为金属表面自由电子的集体振动能，这时就形成的一种特殊的电磁模式：电磁场被局限在金属表面很小的范围内并发生增强，这种现象就被称为表面等离激元现象。当发光层发光往外传播的时候，在金属/介质界面附件会存在表面等离激元效应，这个效应导致出射光效率降低，封盖层31可以压制这种效应。另一方面，在上下金属电极之间，OLED也形成了一个法布里-帕洛光学谐振腔。调整封盖层31，可以达到对出光效率的调整和光谱的选择。
具体的，过孔2包括第一过孔21、第二过孔22，封盖层31上设有第一过孔21，第一CVD薄膜层32上设有第二过孔22，第一过孔21与第二过孔22连通形成过孔2。在本实施例中，第一过孔21与第二过孔22的形状大小并不需要相同，只需要第一过孔21与第二过孔22连通形成一个过孔2即可，过孔2用于连接电源层4和阴极层1。
具体的，多个发光单元的发光层5包括顺次层叠设置的电子传输层、空穴阻挡层、发光单元层、空穴传输层和空穴注入层。在本实施例中，阴极层1远离电源层4的一侧还依次层叠有电子传输层、空穴阻挡层、发光单元层、空穴传输层、空穴阻挡层以及阳极，该结构为顶发光器件，阴极在上，为半反射半透射；阳极在下，为全反射。底发光，阴极为全反射，阳极全透射。顶发光器件在两个反射面之间，满足微共振腔效应下，会产生多重干涉，器件效率会得到很大提升；色纯度也会提升，对于色域扩大有正向作用。发光层的材料须需具备固态下有较强荧光、电子/空穴传输性能好、热稳定性和化学稳定性佳、量子效率高且能够真空蒸镀的特性。因为电子和空穴都需要在发光层中传输，这样才能保证有足够的电子和空穴能发生复合而发出光。
空穴注入层的要求是：降低从阴极注入电子的势垒，使电子能从阴极有效地注入到OLED器件中。降低从阳极注入空穴的势垒，使空穴能从阳极有效地注入到OLED器件中。
当电子和空穴迁移到发光层中，由于电场的存在，电子可以继续向阳极迁移，空穴可以继续向阴极迁移，导致发光区域电子/空穴浓度下降，发光效率降低。而电子/空穴阻挡层，由于其特殊的能级结构，可以对电子/空穴形成迁移的势垒，阻止其进一步迁移。
具体的，阴极层1的材质为ITO、IZO中的一种。其中，电极层需要高的透过率以及好的导电性的材质，比如IZO、ITO，但是此类型的薄膜需要PVD的方式制备。
具体的，第一CVD薄膜层32的材质包括SiO、SiON、SiN中的一种。其中，第一CVD薄膜层32在保护下层OLED器件的同时通过光学折射率的搭配实现光取出的最大化，且可以通过改变第一CVD薄膜层32的膜质的材质，比如SiO、SiON、SiN的其中一种，可以改变第一CVD薄膜层32的NK值，从而提升整个OLED器件的性能。
具体的，电源层4远离阴极层1的一侧依次层叠有第二CVD薄膜层6、有机层7和第三CVD薄膜层8。其中，在本实施例中，设有多层CVD薄膜层起到保护该OLED器件的作用。
具体的，第一CVD薄膜层32、第二CVD薄膜层6与第三CVD薄膜层8的材质相同。
本实用新型提供了一种显示结构，包括依次层叠设置的电源层、中间层、阴极层、包括多个发光单元的发光层，所述阴极层与所述多个发光单元的发光层相连，所述中间层上设有多个过孔，所述电源层通过所述过孔与所述阴极层连接。本结构中电源层分别与阴极层的不同位置相连，不会出现电源信号从一个阴极层位置传导至另一阴极层位置，从而避免在传导过程中出现压降。另，电源层到阴极层的距离减小，从而压降也降低，避免了因为压降导致的亮度不足。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种显示结构，其特征在于，包括依次层叠设置的电源层、中间层、阴极层、包括多个发光单元的发光层，所述阴极层与所述多个发光单元的发光层相连，所述中间层上设有多个过孔，所述电源层通过所述过孔与所述阴极层连接。
2.如权利要求1所述的显示结构，其特征在于，所述电源层与所述阴极层通过所述过孔的连接距离相同。
3.如权利要求1所述的显示结构，其特征在于，所述中间层包括封盖层、第一CVD薄膜层，所述封盖层的一侧设置有所述阴极层，另一侧设置有所述第一CVD薄膜层。
4.如权利要求1所述的显示结构，其特征在于，所述包括多个发光单元的发光层包括顺次层叠设置的电子传输层、空穴阻挡层、发光单元层、空穴传输层和空穴注入层。
5.如权利要求3所述的显示结构，其特征在于，所述过孔包括第一过孔、第二过孔，所述封盖层上设有所述第一过孔，所述第一CVD薄膜层上设有所述第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔连通形成所述过孔。
6.如权利要求5所述的显示结构，其特征在于，所述阴极层的材质为ITO、IZO中的一种。
7.如权利要求6所述的显示结构，其特征在于，所述第一CVD薄膜层的材质为SiO、SiON、SiN中的一种。
8.如权利要求3所述的显示结构，其特征在于，所述电源层远离所述阴极层的一侧依次层叠有第二CVD薄膜层、有机层和第三CVD薄膜层。
9.如权利要求8所述的显示结构，其特征在于，所述第一CVD薄膜层、第二CVD薄膜层与所述第三CVD薄膜层的材质相同。
Priority Applications (1)
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| CN202120169465.5U CN214477455U (zh) | 2021-01-21 | 2021-01-21 | 显示结构 |
Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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| CN202120169465.5U Active CN214477455U (zh) | 2021-01-21 | 2021-01-21 | 显示结构 |
Country Status (1)
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2021
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