CN114628481A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 66
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 26
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 25
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 125000000123 silicon containing inorganic group Chemical group 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- -1 that is Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括衬底基板以及在衬底基板一侧阵列排布的多个像素单元，像素单元包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机功能层，第二电极相对于第一电极远离衬底基板；显示面板包括透明显示区，透明显示区包括像素区和走线区，像素单元设置于像素区，走线区与像素区相邻；显示面板还包括位于走线区的辅助走线，辅助走线采用透明导电材料制作，且延伸至透明显示区外侧与第二电极信号线相连；第二电极搭接于辅助走线。如此设计，透明导电材料导电性更好，第二电极与辅助走线接触面积可以更大，能够改善搭接电阻过大问题；在不降低透过率前提下，提高显示面板的光学均一性及信赖性。
Description
技术领域
本申请实施例涉及透明显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及电子设备。
背景技术
OLED(organic light emitting diode，有机发光二极管)显示面板因其自发光、宽视角及响应速度快等优点被广泛应用于各种显示领域中。
透明显示是OLED显示面板的一个重要发展方向，在OLED透明显示面板中，为了提高透过率，像素单元的阴极通常采用FMM(Fine Metal Mask，精细金属掩模版)工艺制作，阴极之间的连接也是以图案化的阴极材料进行连接，即以阴极材料作为连接线，将透明显示区中与像素单元对应的阴极连接起来。
然而，阴极材料电阻比较大，并且为了提升透过率，会尽可能会压缩阴极之间连接线的宽度，会进一步导致阴极搭接电阻过大的问题，进而导致透明显示区中亮度均一性和信赖性较差的问题。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例的目的在于提出一种显示面板及显示装置。
第一方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括衬底基板以及在所述衬底基板一侧阵列排布的多个像素单元，所述像素单元包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机功能层，所述第二电极相对于所述第一电极远离所述衬底基板；
所述显示面板包括透明显示区，所述透明显示区包括像素区和走线区，所述像素单元设置于所述像素区，所述走线区与所述像素区相邻；
所述显示面板还包括位于所述走线区的辅助走线，所述辅助走线采用透明导电材料制作，且延伸至所述透明显示区外侧与第二电极信号线相连；所述第二电极搭接于所述辅助走线。
如此设计，相较于现有技术中采用阴极材料形成的连接线连接阴极的方式，透明导电材料导电性更好，第二电极与辅助走线接触面积可以更大，能够有效改善阴极搭接电阻过大问题；而且透明导体材料能够确保不影响透明显示区的透过率，即在不降低透过率的前提下，提高显示面板及显示装置的光学均一性及信赖性。
在一种可能的实施方式中，在向所述衬底基板的正投影中，所述第二电极与所述辅助走线部分交叠。
在一种可能的实施方式中，所述第二电极包括电极本体和搭接部，所述搭接部自所述电极本体向所述辅助走线延伸；
在向所述衬底基板的正投影中，所述电极本体与所述辅助走线不交叠，所述搭接部与所述辅助走线至少部分交叠。
在一种可能的实施方式中，所述辅助走线包括交叉延伸的第一辅助走线和第二辅助走线；
在向所述衬底基板的正投影中，所述第一辅助走线和所述第二辅助走线的正投影在交叉区交叠，所述搭接部的正投影与所述交叉区交叠。
在一种可能的实施方式中，所述像素单元包括多个子像素，所述第一电极包括与所述子像素一一对应的第一子电极，所述第二电极为与所述像素单元中所述子像素对应的公共电极，所述有机功能层包括与所述子像素对应的有机发光层。
在一种可能的实施方式中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述辅助走线与所述第一电极处于同一层；所述辅助走线为透明导电材料晶化后形成。
在一种可能的实施方式中，所述透明导电材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂氧化锌和透明导电膜中的至少一种，且厚度大于1nm。
在一种可能的实施方式中，在向所述衬底基板的正投影中，所述有机功能层与所述辅助走线在所述衬底基板的正投影具有交叠的部分；
所述辅助走线远离所述衬底基板的一侧设置有隔离柱，所述有机功能层在所述隔离柱位置断开。
在一种可能的实施方式中，所述第二电极与所述辅助走线的搭接位置为第一搭接位置，所述隔离柱的设置位置相对于所述第一搭接位置靠近所述像素区。
在一种可能的实施方式中，所述隔离柱的外周柱面相对于所述衬底基板的外倾角大于70度。
在一种可能的实施方式中，所述隔离柱为相对于所述衬底基板的底切结构。
在一种可能的实施方式中，所述隔离柱沿垂直于所述衬底基板方向的延伸距离小于
沿平行于所述衬底基板的方向，所述隔离柱的底切深度小于0.5um。
在一种可能的实施方式中，所述隔离柱为钛/铝/钛层叠的结构，或者，为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅任意组合的层叠结构。
在一种可能的实施方式中，所述显示面板包括所述衬底基板以及设置于所述衬底基板一侧的阻挡层，在所述像素区，所述显示面板还包括在所述阻挡层远离所述衬底基板一侧层叠设置的驱动电路层、平坦层、像素界定层、所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极；
在所述走线区，所述显示面板还包括设置于所述阻挡层远离所述衬底基板一侧的所述辅助走线。
第二方面，本申请实施例同时提供了一种显示装置，包括第一方面实施例中任一项所述的显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的正面示意图；
图2为本申请实施例提供的一种显示面板的层级示意图；
图3为本申请实施例提供的OLED像素单元与辅助走线的示意图；
图4为图2中隔离柱不同实施方式的结构示意图；
图5为本申请另一种实施例提供的OLED像素单元与辅助走线的示意图；
图6为本申请另一种实施例提供的OLED像素单元与辅助走线的示意图；
图7为本申请另一种实施例提供的OLED像素单元与辅助走线的示意图。
附图标记说明：
1-显示区、2-外周区、3-OLED像素单元、4-辅助走线、5-衬底基板、6-阻挡层、7-第二电极、8-隔离柱、9-有机功能层、10-像素界定层、11-第一电极、12-平坦层、13-驱动电路层、14-第一蒸镀区域、15-第二蒸镀区域、16-电极本体、17-搭接部；
100：像素区、200：走线区。
具体实施方式
在相关技术提供的OLED透明显示面板中，OLED像素单元的阴极通常采用FMM(FineMetal Mask，精细金属掩模版)工艺制作，阴极之间也是通过图案化的阴极材料进行连接。阴极材料作为连接线，将透明显示区中与像素单元对应的阴极连接起来。
然而，阴极材料电阻比较大，并且为了提升透过率，会尽可能会压缩阴极之间连接线的宽度，会进一步导致阴极搭接电阻过大的问题，进而导致透明显示区中亮度均一性和信赖性较差的问题。
鉴于此，本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，在该显示面板的透明显示区中，使用透明导电材料在像素单元之间制作辅助走线，辅助走线延伸至透明显示区外侧与第二电极信号线连接，像素单元中的阴极直接搭接于辅助走线，第二电极信号线通过辅助走线为透明显示区中的阴极提供电源信号。如此设计，能够保证阴极与辅助走线有较大的搭接面积，有效改善阴极搭接电阻过大问题；而且透明导体材料能够确保不影响透明显示区的透过率，即在不降低透过率的前提下在保证，提高显示面板及显示装置的光学均一性及信赖性。
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的正面示意图，如图1所示，该显示面板包括显示区1(Active Area，简称AA区)和位于显示区1外侧的外周区2。显示区1即该显示面板用于实现显示的区域，该显示面板在显示区1内设置有多个像素单元，多个像素单元阵列排布形成像素阵列。
像素阵列包括多个像素单元沿第一方向排列成的像素行，以及，多个像素单元沿第二方向排列成的像素列，第一方向与第二方向垂直，以图1中所示方位为例，第一方向为横向方向，第二方向为纵向方向。在像素阵列中，具有多个沿第二方向排布的像素行，多个沿第一方向排布的像素列。第一方向即像素阵列的像素行方向，第二方向即像素阵列的像素列方向。
像素单元为OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)像素单元3，每个OLED像素单元3均包括多种OLED子像素，每种OLED子像素为能够发出单一色彩的发光器件，在该显示面板进行显示时，通过控制每个OLED像素单元3中OLED子像素的发光实现彩色显示。
在一些可能的实施方式中，OLED像素单元3包括第一OLED子像素、第二OLED子像素和第三OLED子像素，第一OLED子像素为能够发出绿(Green)光的G子像素，第二OLED子像素为能够发出红(Red)光的R子像素，第三OLED子像素为能够发出蓝(Blue)光的B子像素。
OLED像素单元3中OLED子像素的排列方式也可以为多种，例如，可以为RGB排列、PenTile排列(简称P排)、Delta排列(简称D排)、钻石排列和RGB-Delta排列等。
在叠层结构上，OLED像素单元3包括第一电极、有机功能层和第二电极，有机功能层位于第一电极和第二电极之间，通过控制第一电极和第二电极，可以实现有机功能层的发光。第一电极和第二电极两者中的一方为阳极，第一电极和第二电极两者中的另一方为阴极。在本实施例中，以第一电极为阳极，第二电极为阴极为例进行描述。
第一电极包括与OLED像素单元3中所有OLED子像素一一对应的第一子电极，第二电极为与OLED像素单元3中所有OLED子像素对应的公共电极。有机功能层包括与OLED像素单元3中所有OLED子像素对应的有机发光层，与不同颜色OLED子像素对应的有机发光层不同。
有机功能层还可以包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)中的至少一个，以提高有机发光层的发光效率。空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)通常作为OLED像素单元3中共用层，与所有OLED子像素对应。
该显示面板包括控制OLED子像素的驱动电路，该驱动电路包括交叉设置的多根扫描线(Gate)和多根数据线(Data)，还包括多个与OLED子像素对应的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，缩写TFT)。薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，薄膜晶体管的漏极与对应OLED子像素的第一子电极相连，薄膜晶体管的栅极与扫描线连接，薄膜晶体管的源极和数据线连接。
OLED像素单元3中的第二电极通过走线与第二电极信号线，第二电极信号线即电源信号线VSS，电源信号线VSS通过第二电极为OLED像素单元3中所有OLED子像素提供公共电压。
本申请实施例提供的显示面板为透明显示面板，在显示区1中应当至少部分区域为透明显示区，或者，整个显示区1均为透明显示区。本实施例以整个显示区1均为透明显示区为例进行描述。
该显示面板在显示区1中包括像素区和走线区，本文定义显示面板中与像素单元对应的区域为像素区，该像素区一般是指该OLED像素单元3的发光区域，也可以理解为与OLED像素单元3中第一电极对应的区域。走线区为与像素区相邻的区域，位于OLED像素单元3的外周。通过上文描述可知，走线区包括在相邻像素行之间沿像素行方向延伸的第一区域，以及在相邻像素列之间沿像素列方向延伸的第二区域；第一区域和第二区域形成多条交叉连通的区域。
该显示面板在走线区中设置有透明导电材料制成的辅助走线4，辅助走线4在走线区中的第一区域沿像素行方向延伸，在走线区的第二区域中沿像素列方向延伸，形成多条交叉的走线结构。在向衬底基板的投影中，OLED像素单元3的第二电极在至少一侧与走线区中的辅助走线4交叠，第二电极直接搭接于辅助走线4。
该显示面板在外周区2设置有第二电极信号线，辅助走线4延伸至显示区1外侧，并通过转接结构与第二电极信号线相连，从而实现第二电极信号线与显示区1中OLED子像素中第二电极的连接。
图2为本申请实施例提供的一种显示面板的层级示意图，如图2所示，该显示面板包括衬底基板5，以及在衬底基板5一侧设置的阻挡层(Buffer)6。其中，衬底基板5可以为刚性板，例如可以为玻璃板、石英板或亚克力板；衬底基板5还为能够弯折的柔性基板，柔性基板可以采用聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料制作。
阻挡层6设置于衬底基板5的一侧，为无机绝缘膜层，可以采用含硅无机材料制作，并且可以为多层或者单层结构，含硅无机材料可以为氧化硅SiO2、氮化硅SiNx和氮氧化硅SiON中的至少一种。如此设计，利用无机材料的材料特性，隔离衬底基板5和衬底基板5上的结构，减小或者阻断外来物质、湿气、或者外界空气从衬底基板5渗透，并且可以提供平坦表面。
在像素区100，该显示面板包括在阻挡层6远离衬底基板5一侧层叠设置的驱动电路层13、平坦层12(Planarization，缩写PLN)、像素界定层(Pixel Definition Layer，缩写PDL)10、第一电极11、有机功能层9和第二电极7。
其中，驱动电路层13位于阻挡层6远离衬底基板5的一侧，包括薄膜晶体管，以及交叉设置的数据线和扫描线。薄膜晶体管在结构类型上可以为顶栅型、底栅型或双栅型，在材料类型上，可以为LTPS-TFT(低温多晶硅薄膜晶体管)、IGZO-TFT(铟镓锌氧化物薄膜晶体管)及LTPO-TFT(低温多晶氧化物薄膜晶体管)等。
驱动电路层13远离阻挡层6的一侧设置有平坦层12，平坦层12覆盖驱动电路层13，在远离驱动电路层13的一侧具有平坦的表面，该平坦的表面方便其上方结构的制作成型。
平坦层12远离驱动电路层13的一侧设置有像素界定层10，像素界定层10具有像素开口。OLED子像素中的第一子电极设置于像素界定层10和平坦层12之间，通过过孔与驱动电路层13中的薄膜晶体管相连，且通过像素开口露出；像素界定层10对第一子电极包边。
有机功能层9设置于像素区100，其中有机发光层对应像素开口设置，公共电极设置于有机功能层9远离第一电极11的一侧，并延伸至走线区的辅助走线4，与辅助走线4直接搭接。
有机功能层9和第二电极7均可以通过开放式掩膜版(Open Mask，简称OPM)的蒸镀工艺制作。在制作有机功能层9的第一掩膜版中，几个OLED子像素为一组，一组开一个蒸镀孔，通过该蒸镀孔同时蒸镀该组内OLED子像素中的有机功能层9。
例如，在本实施例中，第一掩膜版包括与每个OLED像素单元3对应的第一蒸镀区域，每个OLED像素单元3中的所有OLED子像素为一组，共同开一个第一蒸镀区域，通过该第一蒸镀区域蒸镀OLED像素单元3中所有OLED子像素的有机功能层9，如此设计，便于减少第一掩膜板的开口数目，同时提高蒸镀效率。
通过上文描述可知，OLED像素单元3中OLED子像素采用同一第二电极7，在制作该第二电极7的第二掩膜版中，包含第二蒸镀区域，通过该第二蒸镀区域制作与OLED像素单元3对应的第二电极7。
在该显示面板的走线区200，该显示面板包括在阻挡层6远离衬底基板5一侧设置的辅助走线4。也就是说，该显示面板在像素区100保留膜层结构，在走线区200尽可能地挖掉有机/无机/金属膜层，用于透过率提升。辅助走线4采用透明导电材料制成，如此设计，可以保证辅助走线4的设置不影响透过率。透明导电材料可以为氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO和铝掺杂氧化锌AZO中的至少一种。
本实施例以ITO为例，厚度大于0.1nm。ITO高温(大于200℃)烘烤后产生晶化，第一电极11在辅助走线4晶化后制作，如此设计，使得辅助走线4可以与第一电极11同层，第一电极11制作过程的刻蚀液不会刻蚀掉晶化后的ITO，从而节省工艺流程。
图3为本申请实施例提供的OLED像素单元与辅助走线的示意图，如图3所示，图中包括第一蒸镀区域14、第二蒸镀区域15以及通过第一蒸镀区域14和第二蒸镀区域15制作的有机功能层和第二电极。在向衬底基板5的正投影中，第二蒸镀区域15覆盖第一蒸镀区域14，且具有超出部分，该超出的部分与辅助走线4的投影至少部分交叠；从而使得通过第一蒸镀区域14和第二蒸镀区域15制作的有机功能层9和公共电极满足：
第二电极覆盖有机功能层，且具有超出的部分；第二电极超出有机功能层的部分与辅助走线4直接搭接。相较于现有技术中采用阴极材料形成的连接线连接阴极的方式，透明导电材料导电性更好，第二电极与辅助走线4接触面积更大，能够有效改善阴极搭接电阻过大问题；而且透明导体材料能够确保不影响透明显示区的透过率，即在不降低透过率的前提下在保证，提高显示面板及显示装置的光学均一性及信赖性。
请同时参考图2，本文中定义第二蒸镀区域15包括第一子区域和位于第一子区域外侧的第二子区域，在向衬底基板5的正投影中，第一子区域与第一蒸镀区域14完全重合，且第一蒸镀区域14和第二子区域均具有与辅助走线4交叠的部分，即第二电极7与有机功能层9均与辅助走线4搭接，定义第二电极7与辅助走线4的搭接位置为第一搭接位置，有机功能层9与辅助走线4的搭接位置为第二搭接位置，第一搭接位置相对于第一搭接位置远离像素区100。
由于第二电极7与有机功能层9均与辅助走线4搭接，且有机功能层9为导电性较好的膜层，使得第一电极11和第二电极7之间的信号距离较近，通常小于20um，容易产生漏电的问题。鉴于此，辅助走线4上设置有隔离柱8，有机功能层9在隔离柱8位置断开，隔离柱8隔断有机功能层9在像素区100和走线区200之间的延伸，同时使得第二电极7保持连接，改善由于第一电极11和第二电极7信号距离较近产生的漏电问题。
在本实施例中，隔离柱8设置于第二搭接位置，为沿垂直衬底基板5的方向延伸的柱状结构，其外周柱面相对于衬底基板5的外倾角大于70度，以保证对有机功能层9较好的隔断作用。
图4为图2中隔离柱不同实施方式的结构示意图；在另外可能的实施方式中，隔离柱8为相对于衬底基板5的底切结构(undercut)。示例性地，隔离柱8沿垂直于衬底基板5方向的延伸距离小于
沿平行于衬底基板5的方向，隔离柱8的底切深度小于0.5um。
隔离柱8可以是钛Ti/铝Al/钛Ti，通过干刻+湿刻工艺形成的undercut结构，也可以是利用无机氧化硅SiOx、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiON自由组合，利用干刻工艺形成的undercut结构。
图4为图2中隔离柱不同实施方式的截面示意图，如图4所示，本申请实施例提供了三种隔离柱8的实施方式，三种隔离柱8的截面形状分别为：一种为截面图形为长边在远离衬底基板一侧的倒梯形，一种中部内凹的“工”形，一种为“顶大底小”的T形。
针对上述实施例中的显示面板，本申请实施例同时提供了一种显示面板的制作方法，该制作方法包括：
步骤S10：提供衬底基板5，在衬底基板5制作阻挡层6、驱动电路层13和平坦层12；
步骤S20：显示面板包括与像素单元对应的像素区100以及与像素区100相邻的走线区200；在走线区200，去除阻挡层6远离衬底基板5一侧的有机/无机/金属膜层；
步骤S30：采用ITO图案化处理，制作位于走线区的辅助走线4；并高温烘烤使ITO辅助走线4晶化；
步骤S40：在ITO辅助走线4远离衬底基板5的一侧隔离柱8；
步骤S50：制作第一电极11；
由于ITO辅助走线4晶化，能够避免第一电极11刻蚀液刻蚀掉晶化后的ITO辅助走线4；从而使得ITO辅助走线4保留，第一电极11形成需要的图案；
步骤S60：制作像素界定层10；
制作像素界定层10，形成露出第一电极11的像素开口，其余区域若不需要像素界定层10保护，均可去除掉，以提高透过率；
步骤S70：蒸镀有机功能层9和第二电极7。
第二电极7与辅助走线4直接搭接。
在本申请实施例提供的上述制作方法中，ITO辅助走线4蒸镀前始终露出，且在有机功能层9及第二电极7设计时，始终确保蒸镀部分第二电极7材料与ITO辅助走线4(接VSS走线)直接搭接，且搭接面积确保不影响光学均一性及信赖性等。
上述实施例中以有机功能层9和第二电极7均采用蒸镀的方式制作，但是本申请并不局限于此，例如，可以采用喷墨打印、激光热转印、旋转涂覆、真空蒸镀等工艺实现，满足上述结构特征即可。
图5为本申请另一种实施例提供的OLED像素单元与辅助走线的示意图，如图5所示，在一种可能的实施方式中，第二电极7包括电极本体16和搭接部17，在向衬底基板的正投影中，电极本体16与有机功能层9均与辅助走线4不交叠，搭接部17与辅助走线4至少部分交叠。即搭接部17自电极本体16朝向辅助走线4延伸，形成类似于“尾巴”的结构，以实现搭接。如此设计，在保证第二电极7与辅助走线4正常搭接的同时，可以不制作隔离柱8。
可选的，辅助走线4包括交叉延伸的第一辅助走线和第二辅助走线，在向衬底基板的正投影中，第一辅助走线和第二辅助走线的正投影在交叉区交叠，搭接部17的正投影与交叉区交叠。
图6为本申请另一种实施例提供的OLED像素单元与辅助走线的示意图，图7为本申请另一种实施例提供的OLED像素单元与辅助走线的示意图，在图6和图7中，均包括第一蒸镀区域14、第二蒸镀区域15以及通过第一掩膜版和第二掩膜版制作的有机功能层和第二电极，还包括辅助走线4；其与图3实施方式中的区别在于，OLED像素单元3中OLED子像素的像素排列形式。
本申请实施例同时提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中的显示面板，该显示装置可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器、电视、户外大屏、会议室平板或智能穿戴设备等。
在本申请实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。
此外，上文所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本申请的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本申请的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本申请的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征作出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本申请的保护范围之内。
Claims (15)
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板以及在所述衬底基板一侧阵列排布的多个像素单元，所述像素单元包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机功能层，所述第二电极相对于所述第一电极远离所述衬底基板；
所述显示面板包括透明显示区，所述透明显示区包括像素区和走线区，所述像素单元设置于所述像素区，所述走线区与所述像素区相邻；
所述显示面板还包括位于所述走线区的辅助走线，所述辅助走线采用透明导电材料制作，且延伸至所述透明显示区外侧与第二电极信号线相连；所述第二电极搭接于所述辅助走线。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在向所述衬底基板的正投影中，所述第二电极与所述辅助走线部分交叠。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极包括电极本体和搭接部，所述搭接部自所述电极本体向所述辅助走线延伸；
在向所述衬底基板的正投影中，所述电极本体与所述辅助走线不交叠，所述搭接部与所述辅助走线至少部分交叠。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述辅助走线包括交叉延伸的第一辅助走线和第二辅助走线；
在向所述衬底基板的正投影中，所述第一辅助走线和所述第二辅助走线的正投影在交叉区交叠，所述搭接部的正投影与所述交叉区交叠。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素单元包括多个子像素，所述第一电极包括与所述子像素一一对应的第一子电极，所述第二电极为与所述像素单元中所述子像素对应的公共电极，所述有机功能层包括与所述子像素对应的有机发光层。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述辅助走线与所述第一电极处于同一层；所述辅助走线为透明导电材料晶化后形成。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述透明导电材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂氧化锌和透明导电膜中的至少一种，且厚度大于1nm。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在向所述衬底基板的正投影中，所述有机功能层与所述辅助走线在所述衬底基板的正投影具有交叠的部分；
所述辅助走线远离所述衬底基板的一侧设置有隔离柱，所述有机功能层在所述隔离柱位置断开。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极与所述辅助走线的搭接位置为第一搭接位置，所述隔离柱的设置位置相对于所述第一搭接位置靠近所述像素区。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述隔离柱的外周柱面相对于所述衬底基板的外倾角大于70度。
11.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述隔离柱为相对于所述衬底基板的底切结构。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述隔离柱沿垂直于所述衬底基板方向的延伸距离小于
沿平行于所述衬底基板的方向，所述隔离柱的底切深度小于0.5um。
13.根据权利要求8-12中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述隔离柱为钛/铝/钛层叠的结构，或者，为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅任意组合的层叠结构。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括所述衬底基板以及设置于所述衬底基板一侧的阻挡层，在所述像素区，所述显示面板还包括在所述阻挡层远离所述衬底基板一侧层叠设置的驱动电路层、平坦层、像素界定层、所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极；
在所述走线区，所述显示面板还包括设置于所述阻挡层远离所述衬底基板一侧的所述辅助走线。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-14中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210321870.3A CN114628481A (zh) | 2022-03-25 | 2022-03-25 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202210321870.3A CN114628481A (zh) | 2022-03-25 | 2022-03-25 | 显示面板及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114628481A true CN114628481A (zh) | 2022-06-14 |
Family
ID=81903774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210321870.3A Pending CN114628481A (zh) | 2022-03-25 | 2022-03-25 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114628481A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115207248A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-10-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| WO2023225856A1 (zh) * | 2022-05-24 | 2023-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 透明显示面板及显示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107579102A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-12 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| US20190140037A1 (en) * | 2017-11-07 | 2019-05-09 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| CN110299387A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-10-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及制备方法 |
| CN112599712A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-02 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制备方法 |
| CN218353029U (zh) * | 2022-03-25 | 2023-01-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2022
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107579102A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-12 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| US20190140037A1 (en) * | 2017-11-07 | 2019-05-09 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| CN110299387A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-10-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及制备方法 |
| CN112599712A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-02 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制备方法 |
| CN218353029U (zh) * | 2022-03-25 | 2023-01-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023225856A1 (zh) * | 2022-05-24 | 2023-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 透明显示面板及显示装置 |
| CN115207248A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-10-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN115207248B (zh) * | 2022-07-15 | 2024-01-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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