TW202327085A - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

陰極電極經由被界定於突出結構下方的切槽被用來接觸輔助電極，基於有機發光層以及陰極電極的沉積特性的不同，以此減少陰極電極的電阻。基於上述，低電位電力上升（VSS rise）的事件因為陰極電極的電阻減少而減少，使得顯示裝置亮度不一致的問題減少。

Description

顯示裝置

本揭露係關於可以減少亮度不一致的顯示裝置。

顯示裝置可以用多種形式來實施，例如液晶顯示裝置（LCD）、有機發光顯示裝置（OLED）、微型發光二極體顯示裝置以及類似物。

有機發光顯示裝置包含有機發光元件作為自發光元件，並因此不需要分開的光源，因此大幅減少顯示裝置的厚度以及重量。

有機發光顯示裝置可具有用來發光的有機發光元件被設置在陽極電極和陰極電極之間。

有機發光元件與陽極電極和陰極電極接觸的區域可是發光區域。

有機發光顯示裝置可被分類為發光區域發出的光傳輸至基板的下方發射OLED、發光區域的光傳輸至遠離基板方向的上方發射OLED、發光區域發出的光傳輸至基板以及遠離基板方向的雙重發射OLED，以及透明OLED。

在上方發射OLED或雙重發射OLED中，作為上方電極被設置在有機發光元件的上表面上方的陰極電極的透射率可以增加，以使發光區域發出的光可以向上方向傳輸。

舉例來說，陰極電極可以做為傳輸電極或是半傳輸電極來實施。

即使在包含光透射區域以及光傳輸區域的透明OLED中，陰極電極可以做為實質透明的電極來實施，以實現光透射區域。

因此。陰極電極可使用有高透射率的材料製作。通常有高透射率的材料具有高電阻。

更進一步，為了要改善陰極電極的透射率，陰極電極的厚度會被減少。當陰極電極的厚度減少時，陰極電極的電阻就會增加。

當陰極電極的電阻如上面所述的增加時，低電位電力上升（VSS上升現象）可能會發生，使顯示裝置的亮度可能變成不一致。

因此，本揭露的發明者經過一系列的實驗後發明了可以減少低電位電力上升（VSS上升現象）的顯示裝置，以此減少亮度不一致的現象。

根據本揭露的實施例要達成的目的是提供一種能夠減少亮度不一致現象的顯示裝置。

根據本揭露的實施例要達成的目的是提供一種減少陰極電極和輔助電極之間接觸區域各個層次發生變形、撕裂或隆起瑕疵（lifting defect）的顯示裝置。

根據本揭露的實施例要達成的目的是提供具有可以在陰極電極和輔助電極之間的接觸區域簡單執行清潔程序的結構的顯示裝置。

根據本揭露實施例要達成的目的是提供可以減少陰極電極和輔助電極之間的接觸區域發生靜電的顯示裝置。

根據本揭露實施例要達成的目的是要提供可以在過程中不被基板的移動以及方向性影響且同時能夠減少陰極電極以及輔助電機的不良接觸的顯示裝置。

根據本揭露實施例要達成的目的是提供具有可以在陰極電極以及輔助電極之間的接觸區域促進輔助電極和陰極電極之間接觸的輔助電極結構的顯示裝置。

本揭露的多個目的不限於上述的目的。本揭露其他未提及的目的以及優點可以透過以下說明了解，並且可以基於本揭露的實施例更加清楚地了解。更進一步說，應該輕易理解本揭露的目的以及優勢可以透過申請專利範圍中示出的方法以及它們的結合來實施。

根據本揭露的實施例的顯示裝置包含基板；設置在基板上方的輔助電極；鈍化層設置於輔助電極上方且其中具有第一孔限界在此，輔助電極的至少一部分透過第一孔被暴露；覆蓋層設置在鈍化層上方且其中具有第二孔限界在此，輔助電極的至少一部分透過第二孔被暴露；以及岸堤層設置在覆蓋層上方且其中具有第三孔限界在此，輔助電極的至少一部分透過第三孔被暴露。

在此情況之下，第一孔、第二孔及第三孔被佈置使得在裝置的平面圖中各自的至少一部分互相重疊，其中第一孔在第一方向的中間區域重疊於該第二孔在第二方向的中間區域，其中第一方向與第二方向相交。第一方向可為平行於輔助電極的長距離延伸的方向。第二方向可為垂直於第一方向的方向。

更進一步說，根據本揭露的實施例的顯示裝置包含基板；輔助電極，設置於基板上方；鈍化層，設置於輔助電極上方；覆蓋層，設置於鈍化層上方；岸堤層，設置於覆蓋層上方；有機發光層設置於岸堤層上方；以及陰極電極，設置在有機發光層上方。

在此情況之下，輔助電極包含輔助電極觸點，其中輔助電極觸點的至少一部分透過分別延伸通過鈍化層、覆蓋層以及岸堤層的多個孔被暴露，其中有機發光層以及陰極電極延伸至輔助電極觸點，其中圍繞輔助電極觸點的覆蓋層的一部分包含一對的覆蓋突出結構。

根據本揭露的實施例，陰極電極基於有機發光層以及陰極電極的沉積特性的不同以及突出結構被用來接觸輔助電極，使得陰極電極的電阻可以被減少。

因此，根據本揭露的實施例，發生低電位電力上升可以透過減少陰極電極電阻而被減少，使得顯示裝置發生亮度不一致可以被減少。

更進一步，根據本揭露的實施例，當用來使陰極電極以及輔助電極互相接觸的突出結構被形成時，鈍化層、覆蓋層、以及岸堤層可被依序堆疊，且覆蓋層可包含一對的覆蓋突出結構，並且岸堤突出可以被設置在各個覆蓋突出結構上方。

因此，根據本揭露的實施例，並非岸堤層而是覆蓋層可以被設置在鈍化層上方，以此減少岸堤層和鈍化層之間因為黏合問題導致的撕扯缺陷。岸堤層可以被設置在覆蓋層上表面的上方，以此減少因為壓力導致覆蓋層變形或是因為壓力導致覆蓋突出結構剝離的發生。

更進一步，根據本揭露的實施例，當用來使陰極電極以及輔助電極互相接觸的突出結構被形成時，突出結構由覆蓋層組成，且岸堤層在覆蓋層上形成。因此，突出結構的厚度可以被實質增加，進而形成可以簡單執行清潔程序的強健結構。

更進一步，根據本揭露的實施例，當用來使陰極電極以及輔助電極互相接觸的突出結構被形成時，突出結構是由非導電材料製成的覆蓋層形成的，且岸堤層形成在覆蓋層上，以此減少可能出現在區域內的靜電缺陷的發生。

更進一步，根據本揭露的實施例，當用來使陰極電極以及輔助電極互相接觸的突出結構被形成時，一對的切槽被分別設置在鈍化層的孔的中間區域的相對側，並且以對稱彼此的方式被擺放。因此，在形成有機發光層的過程中根據基板的移動方向發生缺陷的可能性可以被降低。

更進一步，根據本揭露的實施例，在裝置的平面圖中，鈍化層的孔、覆蓋層的孔以及岸堤層的孔位於對應輔助電極具有平坦表面的區域之中。因此，切槽可以被設置在輔助電極的平坦表面上方。因此，切槽區域的曲率可以被減少且陰極電極可以用連續的方式與輔助電極接觸。

本揭露的功效並不限制於上述提到的功效，且其他尚未提及的功效透過以下說明對於在本領域中具有通常知識者可以清楚理解。

本揭露的優點和特色以及達成這些優點和特色的方法將會在以下參照實施例說明以及附圖一起詳細說明而變得明顯。然而本揭露並不限制於以下所揭露的實施例，而是可以有多種不同形式的實施方式。因此，這些實施例只是為了使本揭露完整而被闡述，並且完整告知本技術所屬範圍具有通常知識者本揭露的範圍，並且本揭露只由請求項的範圍來界定。

在本揭露的實施例中為了說明所揭露的形狀、尺寸、比例、角度等都是說明性的，且本揭露並不限制於此。在本文中相同的數字符號代表相同的元件。更進一步，說明中已悉知的步驟及元件將會為了簡化說明而被省略，在本揭露以下的詳細說明中，數個特定細節將會為了提供本揭露徹底的理解而被闡述。然而，應瞭解即使沒有這些特定細節本揭露依然可以被實踐。在其他情況下，已悉知的方法、步驟、組件以及電路並未被詳細說明以不會非必要的模糊本揭露的觀點。

在本文中使用到的特定術語只是為了說明特定實施例並不是為了要限制本揭露。在本文中單個組件所使用的「一」和「一個」同時也包含多個組件，除非內文清楚指出。並且應更進一步了解「包含」、「包括」在此規範使用下，指定了所述特徵、整體、操作、元件，以及/或構件存在，但是並不排除在其的其他附加的特徵、整體、操作、元件，以及/部分。如本文所用，詞語「及/或」包括任何一個或以上列出物件的組合。像是在一列表的元件之前的「至少一個」的表達可修飾整個列表的元件而不是修飾所列出的單個元件。在解釋數值時，即使該處沒有明顯說明也可能發生錯誤或是公差。

此外，應了解當第一元件或層被指出現在第二元件或層「之上」時，第一元件可被直接設置在第二元件上，或可間接地被放置在第二元件或層上且有第三元件或層放置在第一及第二元件或層之間。應理解當零件或層被指「連接於」或「耦合於」另一元件或層時，其可以是直接在、連接於或是耦合於另一元件或層，或是一個或以上介入元件或層可能會出現。此外，應理解當元件或層被指在兩個元件或層「之間」時，其可能是兩元件或層之間唯一的元件或層，或是有一個或以上介入元件可能會出現。

更進一步，如在本文中使用，當層、膜、區域、板或是其他類似物被設置在另一層、膜、區域、板或是其他類似物「上」或是「之上」時，前者可直接接觸後者，或同樣有另一層、膜、區域、板或是其他類似物可能在前者與後者之間。如在本文中使用，當層、膜、區域、板或是其他類似物被直接設置在另一層、膜、區域、板或是其他類似「上」或是「之上」時，前者可直接接觸於後者並且沒有又另一層、膜、區域、板或是其他類似物設置在前者與後者之間。更進一步，當層、膜、區域、板或是其他類似可被設置在另一層、膜、區域、板或是其他類似「下」或「之下」時，前者可以直接接觸於後者或另一層、膜、區域、板或是其他類似物可以被設置在前者與後者之間。如本文所用，當層、膜、區域、板或是其他類似物可被直接設置在另一層、膜、區域、板或是其他類似「下」或「之下」時，前者可直接接觸於後者並且又另一層、膜、區域、板或是其他類似物並不設置在前者與後者之間。

應了解，即使詞語「第一」、「第二」、「第三」等等在本文可被用於說明多種元件、構件、區域、層以及/或部分，這些元件、構件、區域、層以及/或部分並不被這些詞語限制。這些詞語是用來區分一個元件、構件、區域、層或部分。因此，以下說明中的第一元件、構件、區域、層或區域可在不脫離本揭露之精神以及範圍的情況下被稱為第二元件、構件、區域、層或部分。

在解釋數值時，即使該處並沒有另外明確標註，被解釋的數值都包含誤差範圍。

本揭露的實施例的多個特徵可以部分或完全地互相結合，且可以技術上彼此關聯或互相運行。實施例可各自單獨實施也可在結合的關係下一起實施。

在形容時間上的關係時，舉例來說，時間上的前例關係，像是「之後」、「以後」、「之前」等，除非「直接……之後、「直接……以後」或是「直接……之前」被指示，否則另一事件可能會發生於其之間。

除非另外定義，所有包含技術或科學的詞語都與本發明概念所屬領域中具有通常知識者所了解的意義相同。應更進一步了解，像是被通常字典所定義的詞語除非特別在本文中有定義，應被解釋為符合相關技術上下文的意思而不是解釋成過度理想或是過度正式的意味。

在下文中，基於本揭露實施例的顯示裝置會參照附圖詳細說明。

在下文中，將會詳細說明可以減少亮度不一致的顯示裝的多種組態。

圖1為根據本揭露一實施例繪示的顯示裝置的平面圖。

在下文中，由包含光透射區域以及包含有機發光元件的發光區域的透明有機發光顯示裝置（OLED）實施的顯示裝置的例子將會被說明。然而，根據本揭露實施例的顯示裝置並不限制於此。

顯示裝置1可包含基板110，並且基板110可包含顯示區域DA以及設置為圍繞顯示區域DA的非顯示區域NDA。

顯示區域DA可包含以矩陣形式被佈置的至少一發光區域EA以及至少一光傳輸區域TA。

舉例來說，發光區域EA可包含分別渲染紅色R、綠色G以及藍色B的第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3，或是可包含分別渲染紅色R、綠色G、藍色B以及白色W的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3以及第四子像素SP4。

為了施加多種訊號到顯示區域DA的發光區域EA的資料驅動器以及閘極驅動器的至少一資料墊區域DPAD以及至少一閘極墊區域GPAD可以被分別連接，且可設置在非顯示區域NDA中。

在下文中，參照圖2、圖3A至圖3C進行說明。

圖2是根據本揭露一實施例所繪示包含發光區域以及光傳輸區域的顯示裝置的放大平面圖。特別來說，圖2為圖1的區域A的放大平面圖。

圖3A為根據本揭露一實施例繪示的對應於顯示裝置的部分區域的截面圖。特別來說，圖3A為沿圖1的線I-I’以及圖2的線II-II’以及線III-III’的截面圖。圖3B為對應於輔助電極區域的放大截面圖。特別來說，圖3B為圖3A的截面圖III-III’的放大圖。圖3C為對應於輔助電極區域的區域的放大圖。

基板110可作為顯示裝置1的底座基板，並且可以用玻璃基板來實施。然而，本揭露並不限制於此，並且具有彈性的聚亞醯胺可以被使用作為基板10。

墊區域PAD區域、薄膜電晶體區域TFT區域、以及輔助電極區域可以形成於基板110上。

薄膜電晶體區域TFT區域可包含發光區域EA。

包含主動層121、閘極電極124、第一電極126a，以及第二電極126b的薄膜電晶體TFT可設置在基板110上以及薄膜電晶體區域TFT區域中。

能夠阻擋入射到薄膜電晶體TFT的主動層121上的光阻擋層111可以設置在薄膜電晶體TFT以及基板110之間。

緩衝層113可以被設置在光阻擋層111以及薄膜電晶體TFT之間。

能夠使主動層121及閘極電極124彼此電絕緣的閘極絕緣層123可以被設置在主動層121以及閘極電極124之間。

電容器電極122可以被設置在主動層121被設置的層中並且可重疊光阻擋層111且可構成電容器。

層間絕緣層125可以被設置在主動層121以及閘極電極124上方。第一電極126a以及第二電極126b可以分別透過延伸通過層間絕緣層125的接觸孔電性連接主動層121。

第一電極126a可以是源極電極，且第二電極126b可以是汲極電極。

第二電極126b可透過通過層間絕緣層125以及緩衝層113的接觸孔電性連接於光阻擋層111。

發光元件包含電性連接於薄膜電晶體TFT的陽極電極150、有機發光層170，以及可以設置在薄膜電晶體TFT上方的陰極電極180。

由無機絕緣材料製成的鈍化層130可以設置在薄膜電晶體TFT以及陽極電極150之間。

更進一步，由有機絕緣材料製成的覆蓋層140可以被設置在鈍化層130以及陽極電極150之間。

覆蓋層140可以作為平坦化層的功能，使得設置在覆蓋層上方的電極以及層可以平均地被形成於其平坦化的表面上。

陽極電極150可以透過延伸通過鈍化層130以及覆蓋層140的接觸孔電性連接於薄膜電晶體TFT的第二電極126b。

光可從陽極電極150、有機發光層170以及陰極電極180彼此重疊的區域發射。因此，陽極電極150、有機發光層170以及陰極電極180彼此重疊的區域可被定義為發光區域EA。

跨越多個像素，有機發光層170可以發出相同顏色的光像是白色的光。或者，跨越多個像素，有機發光層170可以發出不同顏色的光，像是紅色、綠色以及藍色的光。

岸堤層160可以被設置在多個發光區域EA之間的邊界來減少顯示不同顏色的發光區域EA之間的多個顏色混合。

岸堤層160可由有機絕緣材料製成。岸堤層160可由與覆蓋層140不同的有機絕緣材料製作而成。然而，本揭露不限制於此。

密封層（未表示）可以另外設置在發光元件上方，來減少濕氣以及外部物質穿透進入有機發光層170。

墊區域PAD區域將以舉例方式基於閘極墊區域GPAD說明。

在墊區域PAD區域中，緩衝層113可以被設置在基板110上方，且墊電極324可以被設置在緩衝層113上方。墊電極324可由與閘極電極124相同的材料製成。

墊連接電極326可以被設置在層間絕緣層125上方以及可以透過延伸通過層間絕緣層125的接觸孔電性連接於墊電極324。

墊連接電極326可以由各第一電極126a以及第二電極126b相同的製作材料製成。

墊接觸電極350可以設置在鈍化層130上方且可以透過延伸通過鈍化層130的接觸孔電性連接於墊連接電極326。

墊接觸電極350可由與陽極電極150相同的材料製成。

在下文中，輔助電極區域將會被說明。

在根據本揭露實施例的顯示裝置1中，由有機發光層170發出的光可在相反於朝向基板110方向的方向傳播，也就是說，可朝向陰極電極180傳播。

因此，可減少陰極電極180的厚度以增加其透射率。

陰極電極180可以由，舉例來說，透明導電氧化物（TCO）像是銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）、銦鋅錫氧化物（ITZO）等製成，並且可以做為具有高透射率的透射電極或是半透射電極。

然而，當陰極電極180的厚度減少時，其電阻增加。當陰極電極180由高透射率材料製成，陰極電極可能有高電阻。

當陰極電極180的電阻如上述增加時，顯示裝置的亮度可能因為低電位電力上升（VSS上升）而變得不一致。

因此，在根據本揭露的顯示裝置1中，輔助電極226可以電性連接於陰極電極180，藉此降低陰極電極180的電阻。

輔助電極區域可代表輔助電極226被佈置在的一區域。例如，輔助電極區域可包含陰極電極180及輔助電極226直接接觸彼此的區域。

陰極電極180的一側表面或一末端表面181直接地接觸輔助電極226的上表面227。陰極電極180的側表面181與輔助電極226的上表面227之間的充分接觸減少陰極電極180的電阻。此在圖3A、3B以及4中被表示。於圖4中，其表示了在「正常情況」下陰極電極180的側表面181與輔助電極226的上表面227具有充分接觸。然而，在「缺陷情況」之下，陰極電極180的側表面181與輔助電極226的上表面227仍接觸且至製造電性連接以減少陰極電極180的電阻。然而，如表示的，陰極電極180的側表面181接觸輔助電極226的上表面227的接觸區域相較於「正常情況」被減少。因此，這可能導致不良的物理接觸及/或不良的電性接觸，且可增加至陰極電極180的接觸的電性電阻。

在一些實施例中，陰極電極180的側表面181與輔助電極226及上表面227之間的充分接觸可被建立在如果接觸輔助電極226的上表面227的陰極電極180的側表面181的距離D1或長度D1等於或大於陰極電極180的厚度Th。此為充分接觸的一個例子，但本揭露並不受限於此一個例子。請參照圖4，在缺陷情況中，接觸輔助電極226的上表面227的陰極電極180的側表面181的距離D2或長度D2小於陰極電極180的厚度Th。在圖4的繪示中，長度D2明顯地小於陰極電極180的厚度Th，且接觸區域明顯地小於正常情況。

緩衝層113以及層間絕緣層125可被設置在基板110上方以及輔助電極區域中。

輔助電極226可被設置在層間絕緣層125上方以及輔助電極區域中。

輔助電極226可被設置在薄膜電晶體TFT的第一電極126a以及第二電極126b被設置的同一層中，且可由與薄膜電晶體的第一電極126a以及第二電極126各相同的材料製成。

輔助電極可由銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉻（Cr），或是其中任一合金製成。然而，本發明並不限制於此。

具有第一孔130h限界於其中的鈍化層130可被設置在輔助電極上方226。

具有第二孔140h限界於其中的覆蓋層140可被設置在鈍化層130上方。

第二孔140h可被形成為面積大於第一孔130h的區域，並且第一孔130h可被定位於第二孔140h內。

更進一步，包含陽極突出結構151的陽極電極150可被設置在鈍化層130之上。

輔助電極區域中的陽極電極150的一部分可為在發光區域EA中延伸陽極電極一部分的一部分。然而，本揭露不限制於此。在發光區域EA中與陽極電極150間隔分開的分離電極可以在輔助電極區域作為陽極電極150。

輔助電極區域中的陽極電極150以及在發光區域EA中的陽極電極150可由相同材料製造且可由相同製程形成並且可被設置在同一層。

在輔助電極區域中的陽極電極150可包含向鈍化層130的第一孔130h內側突出預定距離（或在一些實施例中，任何被選擇的距離）的陽極突出結構151。

在圖3B中，陽極電極150包含接觸輔助電極226的上表面227的第一部分。第一部分被指為陽極電極150的電性接觸輔助電極226的溝槽行部分或凹陷部分。陽極電極150也包含與輔助電極226的上表面227相隔的第二部分。第二部分也被指為是陽極突出結構151。第一部分及第二部分連續且鄰接於彼此。

切槽130u可被形成在陽極電極150的陽極突出結構151之下的鈍化層130的一部分中。

因為切槽130u形成於第一孔130h的內部，切槽可對應於被部分移除的鈍化層130的區域。

因為陽極突出結構151從鈍化層130的第一孔130h向內突出，切槽130u可為被陽極突出結構151遮擋的區域，並因此在俯視圖中不暴露於外面。

鈍化層130的第一孔130h可包含第一中間區域130c以及分別設置在第一中間區域130c相對兩端的一對切槽130u。

一對的切槽130u可被設置在或相鄰於第一中間區域130c以面對彼此，並且可分別被設置在對稱彼此的位置。例如，一對的切槽130u可相對於第一中間區域130c的中心對稱地被設置。

更進一步，一對的切槽130u可被形成具有相同的形狀及可分別有在第一中間區域130c周圍對稱於彼此的形狀。

具有第三孔160h限界於其中的岸堤層160可被設置於陽極電極150以及覆蓋層140的上方。

第三孔160h可被形成為面積大於第一孔130h以及第二孔140h的每一者的區域。第一孔130h以及第二孔140h可在平面圖中位於第三孔160h的內部。

岸堤層160的第三孔160h可不重疊輔助電極區域的陽極突出結構151，並且可通過第三孔暴露陽極突出結構151至外部。

在沒有形成一對的切槽130u的每一者的區域中，鈍化階梯130s、覆蓋階梯140s以及岸堤階梯160可被依序堆疊。

舉例來說，在鈍化層130上包含鈍化階梯130s、透過其暴露鈍化階梯130s以及包含覆蓋階梯140s的覆蓋層140可以被設置。於包含覆蓋階梯140s的覆蓋層140上，包含岸堤階梯160s且透過其暴露覆蓋階梯140s的岸堤層160可被設置

鈍化階梯130s、覆蓋階梯140s以及岸堤階梯160s可依序堆疊在輔助電極226上方。

也就是說，鈍化階梯130s以及輔助電極226之間的間隔可為最小的，且岸堤階梯160s以及輔助電極226之間的間隔可為最大的。

更進一步，岸堤階梯160s、覆蓋階梯140s以及鈍化階梯130s可具有一椎體形狀，所述椎體形狀於上表面的水平維度小於於下表面的水平維度，並因此可以階梯方式被堆疊。

有機發光層170可形成於岸堤層160上，且陰極電極180可被形成在有機發光層170上。

輔助電極226的一部分透過第一孔130h被暴露，且可以作為輔助電極觸點226c。

有機發光層170以及陰極電極180可被形成在輔助電極觸點226上並且可接觸輔助電極觸電226c及彼此。

輔助電極226可電性連接於延伸跨越顯示區域DA的低電位電力線VSSL。

舉例來說，輔助電極226可與低電位電力線VSSL一體形成，並且輔助電極226可被形成以從低電位電力線VSSL朝光透射區域TA凸出。

至少一部分的低電位電力線VSSL可被設置為重疊岸堤層160且不重疊發光區域EA以及光透射區域TA，並且為了提供低電位至發光區域EA可電性連接於發光區域EA。

如以上說明，低電位電力線VSSL並不重疊於發光區域EA以及光透射區域TA，但至少一部分的低電位電力線VSSL重疊於岸堤層160，使得因為低對位電力線VSSL而損失的發光區域以及透射區域可以被減少。

根據本揭露的一實施例，為了在輔助電極觸點226c電性連接輔助電極226以及陰極電極180於彼此，可使用有機發光層170及陰極電極180不同的沉積特性，並且可使用具有突出結構的陽極突出結構151。

有機發光層170以及陰極電極180可使用沉積製程來形成。關於這點，有機發光層170及陰極電極180可沿著岸堤階梯160s、覆蓋層140s以及鈍化層130s延伸被形成，並且可接著被形成在輔助電極觸點226c上。

因為有機發光層170在其沉積的期間具有很強的直度（straightness），在其進入到陽極突出結構151下方的切槽130u的入侵距離可為小的。然而，陰極電極180在其沉積的期間不具有很強的直度，使得其進入陽極突出結構151底下的切槽130u的入侵距離可能很大。

因此，陰極電極180可出現在切槽130u中且可直接接觸於輔助電極觸點226c，以便陰極電極180可電性連接於輔助電極226。

因為陽極突出結構151與位於其下方的輔助電極226相隔預定距離（或在一些實施例中，任何被選擇的距離），被形成在陽極突出結構151上的有機發光層170以及陰極電極180可不延伸至輔助電極觸點226c，並因此被形成在陽極突出結構151上的有機發光層170以及陰極電極180可終止於陽極突出結構151上。

如上述說明，根據本揭露一實施例，陽極電極180可透過被限界在突出結構之下的切槽被引至與輔助電極226接觸，基於有機發光層170及陰極電極180的不同沉積特性，以此減少陰極電極180的電阻。

因此，基於本發明的一實施例，低電位電力上升的發生可以藉由減少陰極電極180的電阻而減少，以減少顯示裝置亮度不一致的發生。

更進一步，根據本揭露的一實施例，當為了使陰極電極180以及輔助電極226可彼此接觸的突出結構被形成時，鈍化層130的第一孔130h包含具有對稱結構的一對切槽130u且分別設置於第一中間區域130c的相對兩邊。因此，有機發光層170形成過程中根據基板移動方向發生的缺陷可以被減少。

圖4是根據顯示裝置的基板轉移方向比較在正常情況以及缺陷情況下陰極電極以及陽極電極之間的接觸的圖。參考圖4，在鈍化層130設置在輔助電極226上方，且包含陽極突出結構151的陽極電極150被設置在鈍化層130之上使得切槽130u被限界在陽極突出結構151下方的配置中，根據有機發光元件沉積期間的基板轉移的輔助電極226以及陰極電極180之間的正常以及缺陷接觸被互相比較。

當有機發光層170被形成在包含陽極突出結構151的陽極電極150上時，可在把基板轉移至一個方向的同時使用有機發光材料沉積過程形成有機發光層170。

在此情況之下，因為基板往一方向移動，有機發光元件的沉積方向可被基板的移動方向影響，並因此有機發光元件可能沉積在傾斜方向。

舉例來說，如在圖4中表示的正常情況之下，當切槽130u的入口朝向基板的轉移方向時，切槽130u可以陽極突出結構151與有機發光元件的沉積隔離。

因此，在正常情況下，因為位在切槽130u上的陽極突出結構151，可阻擋有機發光元件深層沉積而進入切槽130u。

因此，當陰極電極180是在有機發光層170被沉積之後沉積時，在正常情況之下，陰極電極180可比有機發光層170可沉積的位置沉積在更深處。因此，陰極電極180可正常地接觸於輔助電極226。

對比之下，如圖4所表示的缺陷情況下，當切槽130u的入口朝向基板轉移的相反方向時，切槽130u可能不被以陽極突出結構151與有機發光元件的沉積隔離。

因此，在缺陷情況下，因為位於切槽130u上的陽極突出結構151，可能無法避免有機發光元件的進入切槽130u的深處沉積，。

更進一步，在缺陷情況下，有機發光元件的根據基板移動方向的沉積方向成為使有機發光元件的深度沉積可輕易進入溝槽130u的對角線方向。因此，有機發光層170可被深入形成在切槽130u中。

因此，當陰極電極180在有機發光層170被沉積之後沉積時，陰極電極180與輔助電極226在切槽130u互相接觸的區域可因為有機發光層170被減少。這可能會導致不良接觸。

因此，根據本揭露的一實施例，當為了使陰極電極180以及輔助電極226互相接觸的突出結構被形成時，鈍化層130的第一孔130h包含彼此具有對稱結構且各自分別設置在第一中間區域130c相對兩端的一對切槽130u。因此，即使當一個切槽130u因為基板移動方向而有缺陷當，另一切槽130u的接觸可為正常的。

因此，一對的切槽130u可在形成有機發光層170時沿著基板的移動方向被佈置。

因此，形成有機發光層170的過程可以不受到基板移動方向的影響，且因此可能發生在切槽130u中陰極電極180以及輔助電極226c的不良接觸的可能性可以被減少。

參考圖4，其表示有機發光層170接觸陽極突出結構151的上表面151T但並不接觸陽極突出結構151的側表面151S。陰極電極180包含側表面180S，且陰極電極180的側表面180S接觸陽極突出結構151的側表面151S。於此，陰極電極180並不接觸陽極突出結構151的上表面151T。

更進一步，根據本揭露的一實施例，在裝置的平面圖中，鈍化層130的第一孔130h、覆蓋層140的第二孔140h以及岸堤層160的第三孔160h可位於對應於具有的平坦平面的輔助電極226的區域中。因此，切槽130u亦可位於輔助電極226的平坦平面上，使得切槽130u的曲率可被減少以及因此陰極電極180可以用連續的方式與輔助電極226接觸。在此連接中，「切槽130u的曲率」可代表於對應於切槽130u的區域中的輔助電極226的上表面的曲率，例如，參考圖3B，由陽極電極150重疊的區域中的輔助電極226的上表面的曲率。

在下文中，根據本揭露的另一實施例的顯示裝置會參照圖5及圖6A到圖6C被說明。

圖5是根據本揭露另一實施例包含發光區域以及光透射區域的顯示裝置的放大平面圖。

圖6A為根據本揭露另一實施例對應於顯示裝置的部分區域的截面圖。特別來說，圖6A為沿圖1的線I-I’，以及圖5的線II-II’以及III-III’的截面圖。圖6B是對應於輔助電極區域的區域的截面放大圖。特別來說，圖6B為圖6A的截面圖III-III’的放大圖。圖6C是對應於輔助電極區域的區域的放大平面圖。

在這方面，與上述參照圖2以圖3A至圖3C根據本揭露實施例說明的顯示裝置的重複說明可被省略。確切的說，以下說明是基於兩者之間的不同。被省略的說明可以相同地套用在本揭露的其他多個實施例。

因此，墊區域PAD區域以及薄膜電晶體區域TFT區域將不會多加說明，但是輔助電極區域將會詳細說明。

根據本揭露的一實施例的顯示裝置1可包含基板110以及設置在基板110的上方及在輔助電極區域中的輔助電極226。

包含輔助電極226的至少一部分透過其被暴露的第一孔130h的鈍化層130可以被設置在輔助電極226上方。

包含輔助電極226的至少一部分透過其被暴露的第二孔140h的覆蓋層140可以被設置在鈍化層130上方。

包含輔助電極226的至少一部分透過其被暴露的第三孔160h的岸堤層160可以被設置在覆蓋層140上方。

覆蓋層140的底面可以直接接觸於鈍化層130，且覆蓋層140的頂面可以直接接觸於岸堤層160。

第一孔130h、第二孔140h以及第三孔160h可被佈置使其至少一部分重疊彼此。第一孔130h及第二孔140h可被設置以在第一方向以及第二方向中相交於彼此以重疊第一孔130h的中間區域以及第二孔140h的中間區域。第一方向可為平行於輔助電極226的長距離延伸的方向。第二方向可垂直於第一方向。

根據本揭露，第一孔130h以及第二孔140h之間相交可不代表第一孔130h及第二孔140h其中之一完全環繞另一個，而是可代表第一孔130h的中間區域以及第二孔140h的中間區域彼此重疊，而於第一孔中在第一方向的兩相對其他區域不重疊第二孔，且於第二孔的在第二方向的兩相對其他區域不重疊第一孔。

舉例來說，第一孔130h以及第二孔140h可以垂直的方式彼此相交。本揭露不限制於此。其之間的相交方式可依照孔的形狀而有所不同。

在圖6C的平面圖中的第一孔130h以及第二孔140h可被第三孔160h環繞。

輔助電極226可包含輔助電極觸點226c作為輔助電極的一部分，其透過第一孔130h、第二孔140h以及第三孔160h被暴露，所述第一孔130h、第二孔140h以及第三孔160h分別延伸通過鈍化層130、覆蓋層140以及岸堤層160。

有機發光層170以及陰極電極180可延伸至輔助電極觸點226C，且圍繞輔助電極觸點226c的覆蓋層140可包含一對的覆蓋突出結構141。

藉由移除部分的鈍化層130u形成的一對的切槽130u可被分別限界在一對的覆蓋突出結構141下方。

因此，鈍化層130h的第一孔130包含第一中間區域以及分別設置在中間區域130c的第一方向中的相對兩端的一對的切槽130u。覆蓋層140設置為覆蓋一對的切槽130u，使得一對的切槽130u可不會被暴露於外部。

一對的切槽130u可被設置在或相鄰於第一中間區域130c以面對彼此，且可分別被設置在對稱彼此的位置。例如，一對的切槽130u可相對於第一中間區域130c的中心對稱地被設置。

更進一步，一對的切槽130u可形成為相同的形狀及可分別具有在第一中間區域130c周圍對稱彼此的形狀。

參照圖5，第一方向X可為發光區域EA以及光透射區域TA交互佈置於彼此的方向。

舉例來說，在第一方向，一個發光區域EA可被設置在不同相鄰光透射區域TA之間，同時一個光透射區域TA可被設置在不同相鄰發光區域EA之間。

因此，一對的切槽130u為了沿著發光區域EA以及光傳輸區域TA交互佈置於彼此的方向面對彼此可被佈置。

第二孔140h包含第二中間區域140c及分別設置在第二中間區域140c的第二方向相對兩側的一對的鈍化暴露區域140e。鈍化暴露區域140e可透過其暴露鈍化層130。

一對的鈍化暴露區域140e可被設置在或相鄰於第二中間區域140c以面對彼此，且可分別被設置在對稱於彼此的位置。例如，一對的鈍化區域140e可相對於第二中間區域140c的中心對稱地被設置。

更進一步，一對的鈍化暴露區域140e可具有彼此相同的形狀，且可在第二中間區域140c周圍分別具有彼此對稱的形狀。

參照圖5，第二方向可為多個發光區域EA連續佈置的方向或是多個光透射區域TA連續佈置的方向。

舉例來說，在第二方向中，一個發光區域可被設置在多個不同發光區域EA之間，及一個光傳輸區域TA可被設置在多個不同光透射區域TA之間。

因此，一對的鈍化暴露區域140e可被佈置為在沿著多個發光區域EA連續佈置的方向或多個光透射區域TA被連續佈置的方向面對彼此。

岸堤層160可被設置在覆蓋層140上方。

岸堤層160可包含岸堤突出161，且岸堤突出161可被設置在覆蓋突出結構141上方。

覆蓋突出結構141可被形成突出超過岸堤突出141。

有機發光層170可被設置在岸堤層160上方，且陰極電極180可被設置在有機發光層170上方。有機發光層170以及陰極電極180可沿著至少一個（例如，沿著其中一個；例如沿兩個）鈍化暴露區域140e延伸接著被設置在輔助電極226上方。

有機發光層170以及陰極電極180可沿著至少一個（例如，沿其中一個；例如沿兩個）鈍化暴露區域140e延伸且進入至少一個（例如，沿其中一個；例如沿兩個）切槽130u。位在至少一個（例如，沿其中一個；例如沿兩個）切槽130u中的陰極電極180可延伸超過有機發光層170且可直接接觸於輔助電極226。

在一對的切槽130u不被形成的區域中，鈍化階梯130s、覆蓋階梯140s以及岸堤階梯160s可被依序堆疊。

鈍化階梯130s可對應於鈍化暴露區域140e。鈍化階梯130s、覆蓋階梯140s以及岸堤階梯160s各自可沿著第二方向延伸。

舉例來說，鈍化層130上包含鈍化階梯130s、透過其暴露鈍化階梯130s且包含覆蓋層階梯140s的覆蓋層140可被設置。覆蓋層140上包含覆蓋階梯140s、透過其暴露覆蓋階梯140s且包含岸堤階梯160s的岸堤層160可被設置。

因此，圍繞輔助電極觸點226c的覆蓋層140可包含覆蓋階梯140s。岸堤階梯160s可被設置在覆蓋階梯140s的上方使得覆蓋層部分被暴露。鈍化階梯130s可被設置在覆蓋層140s下方使得輔助電極觸點226c被部分暴露。

鈍化階梯130s、覆蓋階梯140s以及岸堤階梯160s可以此順序依序堆疊在輔助電極226上方。

亦即，鈍化階梯130s以及輔助電極226之間的間隔可是最小的，且岸堤階梯160s以及輔助電極226之的間隔可以是最大的。

更進一步，岸堤階梯160s、覆蓋階梯140s以及鈍化階梯130s可具有一椎體形狀，該椎體形狀於上表面的水平維度小於於下表面的水平維度，且因此可以階梯方式被堆疊。

有機發光層170以及陰極電極180可沿著岸堤階梯160s、覆蓋階梯140s、以及鈍化階梯130s延伸，接著可被設置在輔助電極觸點226c上方。

設置在輔助電極226c上方的陰極電極180可在對應切槽130u的區域中與輔助電極226接觸。

第一孔130h、第二孔140h以及第三孔160h在平面圖中可位於輔助電極226中。

在此情況之下，輔助電極226對應第一孔130h、第二孔140h，第三孔160h的一部分可具有平坦化的表面。

基板110可包含顯示區域DA以及非顯示區域NDA。顯示區域DA可包含發光區域EA以及光透射區域TA。輔助電極226的至少一部分可重疊於光透射區域TA。

輔助電極226可以被形成為從低電位電力線VSSL突出朝光透射區域TA延伸穿過顯示區域DA，以不重疊發光區域EA。

根據本揭露的一實施例，為了在輔助電極觸點226c電性連接輔助電極226以及陰極電極180於彼此，有機發光層170及陰極電極180的不同沉積特性以及具有突出結構的覆蓋突出結構141可被使用。

有機發光層170以及陰極電極180可使用沉積過程來形成。關於這點，有機發光層170以及陰極電極可沿著岸堤階梯160s、覆蓋階梯140s以及鈍化階梯130s被形成接著可被形成在輔助電極觸點226c上。

因為有機發光層170在沉積期間其具有強的直度，其進入在覆蓋突出結構141下方的切槽130u的入侵距離可是小的。然而，陰極電極180在其沉積期間不具有強的直度，使得其進入覆蓋突出結構141下方的切槽130u的入侵距離可是大的。

因此，陰極電極180可出現在切槽130u中且可直接接觸輔助電極226c，以便陰極電極180可電性連接於輔助電極226。

因為覆蓋突出結構141與位於其下方的輔助電極226相隔預定距離（或在一些實施例中，任何被選擇的距離），形成在覆蓋突出結構141上的有機發光層170以及陰極電極180可不延伸至輔助電極觸點226c並因此形成在覆蓋突出結構141上的有機發光層170以及陰極電極180可終止於覆蓋突出結構141上。

請參考圖6B，鈍化層130暴露輔助電極226的上表面226ETS。覆蓋層140在鈍化層130之上。覆蓋層140包含覆蓋突出結構141，且覆蓋突出結構141重疊被暴露的輔助電極226的上表面226ETS。覆蓋突出結構141的上表面141TS由有機發光層170覆蓋。

如圖6B右側所示，覆蓋層140暴露鈍化層130的上表面130TS。同樣地，岸堤層160暴露覆蓋層140的上表面140TS。有機發光層170覆蓋覆蓋層140被暴露的上表面140TS，及覆蓋鈍化層130被暴露的上表面130TS以及鈍化層130的側表面130SS。

如上述說明，基於有機發光層170以及陰極電極180的沉積特性之間的差異，根據本揭露的一實施例，陰極電極180可透過覆蓋突出結構141被引至與輔助電極226接觸，藉此減少陰極電極180的電阻。

因此，根據本揭露的一實施例，低電位電力上升的發生可藉由減少陰極電極180的電阻而減少，使得顯示裝置發生亮度不一致的狀況可以被減少。

更進一步，根據本揭露的一實施例，當為了使陰極電極180以及輔助電極226彼此接觸的突出結構被形成時，鈍化層130、覆蓋層140以及岸堤層160可用這個順序依序堆疊，且覆蓋層140可包含一對的覆蓋突出結構141，並且岸堤突出161可被設置在覆蓋突出結構141上方。

根據本揭露的一實施例，並非岸堤層160而是覆蓋層140可被設置在鈍化層130上方，藉此減少因為岸堤層160以及鈍化層130之間不良黏合而發生的撕裂缺陷。

更進一步，岸堤層160設置在覆蓋層140上方，藉此減少因為壓力發生覆蓋層140的形變或覆蓋突出結構141的剝離。

圖7A為根據本揭露另一實施例的對應於顯示裝置的部分區域的截面圖。圖7B為對應於輔助電極區域的一區域的放大截面圖。圖7C為對應於輔助電極區域的區域的放大平面圖。

在這方面，可以省略與如上參考圖6A至圖6C描述的根據本揭露實施例的顯示裝置的重複說明。並且，以下的說明是基於兩者之間的不同。被省略的說明可同樣地被應用在本揭露的其他實施例。

因此，墊區域PAD區域以及薄膜電晶體區域TFT區域將不被額外地說明，但輔助電極區域將被詳細說明。

根據本揭露一實施例的顯示裝置1可包含基板110以及被設置在基板110上以及輔助電極區域中的輔助電極226。

包含第一孔130h的鈍化層130可被設置在輔助電極226上，至少一部分的輔助電極226透過所述第一孔130h被暴露。

包含第二孔140h的覆蓋層140可被設置在鈍化層130上，至少一部份的輔助電極226透過所述第二孔140h被暴露。

第一孔130h以及第二孔140h可被佈置使得它們的至少一部分彼此重疊。第一孔130h以及第二孔140h可被設置以在第一方向以及第二方向中彼此相交以重疊第一孔130h的中間區域以及第二孔140h的中間區域。第一方向可為平行於輔助電極226長距離延伸的方向。第二方向可垂直於第一方向。

根據本揭露，第一孔130h與第二孔140h之間相交可不代表第一孔130h及第二孔140h的其中一者完全圍繞另一者，而是可代表第一孔130h的中間區域以及第二孔140h的中間區域重疊彼此，而第一孔130h的第一方向中的兩相對區域不重疊第二孔140h，且第二孔140h的第二方向中的兩相對區域不重疊第一孔130h。

例如，第一孔130h以及第二孔140h可用彼此垂直的方式彼此相交。本揭露並不受前述限制。第一孔130h以及第二孔140h之間的相交可依照孔的形狀不同地改變。

輔助電極226可包含輔助電極觸點226c作為輔助電極226的一部分，所述部分透過分別延伸通過鈍化層130以及覆蓋層140的第一孔130h以及第二孔140h被暴露。

有機發光層170以及陰極電極180可延伸至輔助電極觸點226c，且圍繞輔助電極觸點226c的覆蓋層140可包含一對的覆蓋突出結構141。

透過部分地移除鈍化層130而被形成的一對的切槽130u可分別被限界在一對的覆蓋突出結構141的下方。

因此，鈍化層130h的第一孔130包含第一中間區域130c以及分別被設置在第一中間區域130c的第一方向的相對側的一對的切槽130u。覆蓋層140被設置以覆蓋一對的切槽130u使得一對的切槽130u不被暴露到外部。

一對的切槽130u可被設置在或相鄰於第一中間區域以面對彼此，且可分別被設置在對稱於彼此的位置。例如，一對的切槽130u可相對於第一中間區域130的中心對稱地被設置。

更進一步，一對的切槽130u可被形成為相同的形狀且可分別具有對稱彼此的形狀。

例如，於第一方向中，一個發光區域EA可被設置在不同相鄰光透射區域TA之間，而一個光透射區域TA可被設置在不同的相鄰發光區域EA之間。

因此，一對的切槽130u可被佈置以沿著發光區域EA以及光透射區域TA被彼此交替佈置的方向面對彼此。

第二孔140h可包含第二中間區域140c以及分別被設置在第二中間區域140c的第二方向中的相對側的一對鈍化暴露區域140e。鈍化暴露區域140e可透過其暴露鈍化層130。

一對的鈍化暴露區域140e可被設置在或相鄰於第二中間區域140c以面對彼此，且可分別被設置在對稱於彼此的位置。例如，一對的鈍化暴露區域140e可相對於第二中間區域140c的中心被對稱地設置。

更進一步，一對的鈍化暴露區140e可具有彼此相同的形狀且可分別具有對稱彼此的形狀。

例如，於第二方向中，一個發光區域EA可被設置在不同的相鄰發光區域EA之間，且一個光透射區域TA可被設置在不同的相鄰光透射區域TA之間。

因此，一對的鈍化暴露區域140e可沿連續佈置多個發光區域EA的方向或在連續佈置多個光透射區域TA的方向被佈置以面對彼此。

有機發光層170可被設置在覆蓋層140上，且陰極電極180可被設置在有機發光層170上。有機發光層170的底面可直接地接觸覆蓋層140。有機發光層170以及陰極電極180可沿至少一個（例如，沿一個；例如，沿兩個）鈍化暴露區域140e延伸，且可被設置在輔助電極226上。

圖8A表示輔助電極因為岸堤層的突出結構被暴露的正常情況的例子。

舉例來說，在正常情況，當岸堤層被形成為直接接觸鈍化層，且突出結構被從岸堤層形成時，突出結構不被撕裂。

圖8B表示輔助電極因為岸堤層的突出結構被暴露的缺陷情況。

舉例來說，在缺陷情況，當覆蓋層被形成為直接接觸鈍化層，且突出結構被從覆蓋層形成時，突出結構被剝離。

在缺陷情況，當岸堤層被形成以直接地接觸鈍化層，且突出結構自岸堤層被形成時，突出結構的撕裂可由於鈍化層以及岸堤層之間的不良黏合而發生。

然而，根據本揭露一實施例，與鈍化層具有良好黏合的覆蓋層被形成在鈍化層上以直接接觸鈍化層。更進一步，突出結構自覆蓋層被形成。因此，突出結構的撕裂可被減少。

在一個例子中，圖9A表示輔助電極因為覆蓋層的突出結構被暴露的正常情況。

舉例來說，在正常情況中，當覆蓋層被形成以直接地接觸鈍化層時，有機發光層被形成在覆蓋層上，且突出結構自覆蓋層被形成，突出結構的抬起（lift-off）不發生。

圖8B表示輔助電極因為覆蓋層的突出結構暴露的缺陷情況的例子。

例如，在缺陷例子中，當覆蓋層被形成以直接地接觸鈍化層時，有機發光層被形成在覆蓋層上，且突出結構自覆蓋層被形成，突出結構的抬起發生。

當突出結構只由覆蓋層組成的時候，覆蓋層可能因為壓力變形或覆蓋層的突出結構可能因為壓力被抬起。

然而，根據本揭露的一實施例，岸堤層被形成為與覆蓋層接觸，且岸堤突出被形成於覆蓋突出結構上，使得覆蓋層可不因壓力形變或是覆蓋突出結構剝離的發生可被減少。

也就是說，覆蓋層增強了對鈍化層的黏合，且岸堤層用於抑制覆蓋層的形變。因此，與只有覆蓋層或岸堤層單獨被形成於鈍化層上的情況相比，覆蓋層以及岸堤層的雙層結構可有覆蓋層以及岸堤層的優點，同時覆蓋層及岸堤層的其中之一補償另一個的缺點。

更進一步，根據本揭露的另一實施例，當為了使陰極電極180以及輔助電極226互相接觸的突出結構被形成時，突出結構由覆蓋層140組成作為絕緣層而不是導電像素電極，且岸堤層160被形成在覆蓋層140上。因此，突出結構的厚度可實質性地增加，以此可以更輕鬆執行清理過程的強壯的結構可被達成。

舉例而言，當突出結構由作為具有相對小厚度的像素電極的陽極電極組成時，突出結構可能因為清理過程被損壞。相反地，根據本揭露的實施例，突出結構可由覆蓋層140以及岸堤層160組成，藉此增加突出結構的厚度使得更加強壯的結構可被形成。

更進一步，根據本揭露的一實施例，當為了使陰極電極180以及輔助電極226互相接觸的突出結構被形成時，突出結構是由非導電材料（而非導電像素電極）製成的覆蓋層140組成，且岸堤層160被形成在覆蓋層140上。因此，可能發生在區域中的多個靜電缺陷的產生可被減少。

更進一步，根據本揭露的一實施例，當為了使陰極電極180以及輔助電極226互相接觸的突出結構被形成時，鈍化層130的第一孔130h包含被分別設置在第一中間區域130c相對兩邊且被以彼此對稱方式放置的一對的切槽130u。因此，根據在有機發光層170形成過程中基板移動方向而發生缺陷的可能性可被減少。

當有機發光層170被形成在突出結構上時，有機發光層170可藉由在基板轉移過程的期間沉積有機發光材料被形成。

因為基板在一個方向移動，有機發光元件的沉積的方向可被基板移動方向影響，且因此可能是傾斜方向。

在此情況之下，當切槽130u的入口面對基板轉移方向時，切槽130u可被覆蓋突出結構141遮蔽以與有機發光元件的沉積相隔。

因此，有機發光元件進入切槽130u的深度沉積可因為位在切槽130u上的覆蓋突出結構141而被避免。

所以，當陰極電極180在有機發光層170被沉積之後沉積時，陰極電極180比起有機發光層170可更深地被沉積進入切槽130u。因此，陰極電極180可正常地與輔助電極226接觸。

然而，基板的轉移方向可根據過程被改變。因此，為了不論基板的轉移方向促成陰極電極180以及輔助電極226在切槽226中接觸，一對的切槽130u可分別被設置在中間區域的相對兩邊，且可位在彼此對稱的位置，且可面對彼此，並且可具有相同的形狀。

因此，根據本揭露的一實施例，有機發光層170沉積過程的方向上的影響可以被減少。因此，形成有機發光層170的過程可不被基板移動方向影響，且陰極電極180及輔助電極226之間在切槽130u之中的不良接觸的可能性可以被減少。

舉例來說，當為了使陰極電極180以及輔助電極226互相接觸的突出結構被形成時，鈍化層130的第一孔130h包含被分別設置在第一中間區域130c的兩側且以對稱方式被射製的一對的切槽130u。因此，即使當根據基板移動方向的缺陷接觸發生在一個切槽130u中，正常的接觸可發生在另一切槽130u中。

因此，一對的切槽130u可沿著有機發光層170形成過程中基板移動方向被佈置。

因此，形成有機發光層170的過程可不被基板移動方向影響，且在切槽130u中陰極電極180以及輔助電極226發生不良接觸的可能性可被減少。

更進一步，根據本揭露的一實施，在裝置的一平面圖中，鈍化層130的第一孔130h、覆蓋層140的第二孔140h以及岸堤層160的第三孔160h可被置於對應具有平坦化表面的輔助電極226的區域內。因此，切槽130u亦可被置於輔助電極226的平坦化表面上，使得切槽130u的曲率可被減少且因此陰極電極180可用連續方式與輔助電極226接觸。

舉例來說，在裝置的平面圖中，鈍化層130的第一孔130h、覆蓋層140的第二孔140h以及岸堤層160的第三孔160h可被置於對應輔助電極226的區域中。因此，具有一椎體形狀的岸堤階梯160s、覆蓋階梯140s以及鈍化階梯130s可被輕易地形成，其中所述椎體形狀於上表面的水平維度小於於下表面的水平維度。因此，陰極電極180可用連續的方式接觸輔助電極226。

根據本揭露的一實施例的顯示裝置可在以下被說明。

本揭露的第一層面提供一種顯示裝置包含：基板:輔助電極設置在基板上方；鈍化層設置在輔助電極上方且其中具有第一孔限界在此，輔助電極的至少一部分透過第一孔被暴露；覆蓋層，設置在鈍化層上方且其中具有一第二孔限界在此，輔助電極的至少一部分透過第二孔被暴露；以及岸堤層，設置在覆蓋層上方且其中具有一第三孔限界在此，輔助電極的至少一部分透過第三孔被暴露，其中第一孔、第二孔及第三孔被佈置使得在裝置的平面圖中各自的至少一部分互相重疊，其中第一孔在第一方向的中間區域重疊於第二孔在第二方向的中間區域，其中第一方向與第二方向相交。

在第一層面中的一實現方式中，第一孔包含：第一中間區域在其第一方向中；以及一對的切槽，分別設置在第一中間區域的第一方向的相對的兩側，其中覆蓋層設置為覆蓋一對的切槽，以使一對的切槽不暴露於外部。

在第一層面的一實現方式中，一對的切槽以彼此對稱的方式被佈置在第一中間區域周遭。

在第一層面的一實現方式中，第二孔包含：在其第二方向上的第二中間區域；以及分別被設置在第二中間區域的第二方向的相對兩邊的一對的鈍化暴露區域，其中鈍化暴露區域透過其暴露鈍化層。

在第一層面的一實現方式中，一對的鈍化暴露區域在第二中間區域周遭以對稱彼此的方式被佈置。

在第一層面的實現方式中，裝置更進一步包含：有機發光層設置在岸堤層上方；以及陰極電極設置在有機發光層上方，其中有機發光層以及陰極電極沿著鈍化暴露區域延伸且接著被設置在輔助電極上方。

在第一層面的一實現方式中，有機發光層以及陰極電極沿著鈍化暴露區域延伸進入切槽中，其中位於切槽中的陰極電極的一部分延伸超過有機發光層且因此直接與輔助電極接觸。

在第一層面的一實現方式中，第一孔、第二孔以及第三孔被置於裝置的平面圖對應於輔助電極的區域中。

在第一層面的一實現方式中，在裝置平面圖中對應於第一孔、第二孔以及第三孔的輔助電極的一部分具有一平坦面。

在第一層面的一實現方式中，第一孔以及第二孔的每一者位於一區域內部，該區域於裝置的平面圖中對應於第三孔。

在第一層面的一實現方式中，基板包含顯示區域及非顯示區域，其中顯示區域包含發光區域以及光透射區域；其中輔助電極的至少一部分重疊在裝置平面圖中的光透射區域。

在第一層面的一實現方式中，裝置更進一步包含低電位電力線延伸穿過顯示區域，以不重疊該發光區域，其中輔助電極從低電位電力線朝光透射層凸出。

在第一層面的一實現方式中，基板包含多個發光區域以及多個光透射區域，其中多個發光區域以及多個光透射區域交替佈置於第一方向中，其中一對的切槽沿著第一方向面對於彼此。

在第一層面的一實現方式中，基板包含多個發光區域以及多個光透射區域，其中該些發光區域連續地置於第二方向，其中該些光透射區域連續佈置於該第二方向，其中一對的鈍化暴露區域沿著第二方向面對於彼此。

本揭露的第二層面提供一種顯示裝置包含:基板；輔助電極設置在基板上方；鈍化層設置在輔助電極上方；覆蓋層設置在鈍化層上方；岸堤層設置在覆蓋層上方；有機發光層設置在岸堤層上方；以及陰極電極設置在有機發光層上方，其中輔助電極包含輔助電極觸點，其中輔助電極觸點的至少一部分透過分別延伸通過鈍化層、覆蓋層以及岸堤層的多個孔被暴露，其中有機發光層以及陰極電極延伸至輔助電極觸點，其中圍繞輔助電極觸點的覆蓋層的一部分包含一對的覆蓋突出結構。

在第二層面的一實現方式中，一對的切槽分別被限界在一對的覆蓋突出結構下方，其中一對的切槽透過部分地移除鈍化層被形成。

在第二層面的一實現方式中，一對的切槽面對彼此地被佈置。

在第二層面的一實現方式中，來自岸堤層的岸堤突出被設置在覆蓋突出結構的每一者上方，其中覆蓋突出結構突出超過岸堤突出。

在第二層面的一實現方式中，圍繞輔助電極觸點的覆蓋層的一部分包含覆蓋階梯，其中岸堤階梯設置在覆蓋階梯上方使得覆蓋層部分地被暴露，其中鈍化階梯設置在覆蓋階梯下方使得鈍化層部分地被暴露，其中有機發光層以及陰極電極沿著岸堤階梯、覆蓋階梯以及鈍化階梯且在其上延伸並且接著被設置輔助電極觸點上方。

在第二層面的實現方式中，岸堤階梯、覆蓋階梯以及鈍化階梯各具有一椎體形狀，所述椎體形狀於上表面的水平維度小於下表面的水平維度。

在第二層面的實現方式中，岸堤階梯、覆蓋階梯以及鈍化階梯依序被堆疊使得岸堤階梯以及輔助電極之間的第一間隔大於覆蓋階梯以及輔助電極之間的第二間隔，且第二間隔大於鈍化階梯以及輔助電極之間的第三間隔。

在第二層面的一實現方式中，被設置在輔助電極觸點之上的陰極電極的一部分與在對應於切槽的區域中的輔助電極接觸。

在第二層面的一實現方式中，覆蓋層的底面直接地接觸鈍化層，其中覆蓋層的一頂面直接地接觸於岸堤層。

本揭露的保護範圍應由請求項的範圍來解釋，且所有在同等範圍中的所有技術思想都應被解釋為包含於本揭露的範圍之中。即使本揭露的多個實施例參照多個附圖被以更多細節說明，本揭露並不一定受限於這些多個實施例。本揭露在不脫離本揭露技術思想下可有多種改造實施方式。因此，本揭露中被揭露的多個實施例並不是為了要限制本揭露的技術思想，而是要說明本揭露。本揭露技術思想的範圍並不被多個實施例限制。所以，應理解所有上述的實施方式都是說明性質的且在所有方面都是沒有限制性的。本揭露的保護範圍應藉由多個請求項解釋，且所有在本揭露範圍中的所有技術思想應被解釋為被包含在本揭露的範圍中。

TA:光透射區域 A:區域 DPAD:資料墊區域 EA:發光區域 SP1:第一子像素 SP2:第二子像素 SP3:第三子像素 SP4:第四子像素 DA:顯示區域 GPAD:閘極墊區域 NDA:非顯示區域 VSSL:低電位電力線 1:顯示裝置 110:基板 111:光阻擋層 113:緩衝層 121:主動層 122:電容器電極 123:閘極絕緣層 124:閘極電極 125:層間絕緣層 126a:第一電極 126b:第二電極 130:鈍化層 130c:第一中間區域 130h:第一孔 130u:切槽 130s:鈍化階梯 130TS:上表面 130SS:側表面 140:覆蓋層 140e:鈍化暴露區域 140c:第二中間區域 140h:第二孔 140s:覆蓋階梯 140TS:上表面 141:覆蓋突出結構 141TS:上表面 150:陽極電極 151:陽極突出結構 160:岸堤層 160s:岸堤階梯 160h:第三孔 161:岸堤突出 170:有機發光層 180:陰極電極 180S:側表面 181:側表面 D1:距離 Th:厚度 226:輔助電極 226c:輔助電極觸點 226ETS:上表面 227:上表面 324:墊電極 326:墊連接電極 350:墊接觸電極

圖1是根據本揭露的實施例的顯示裝置的平面圖。 圖2是根據本揭露的實施例的包含發光區域以及光透射區域的顯示裝置的放大平面圖。 圖3A是根據本揭露的實施例的對應顯示裝置的部分區域的截面圖，圖3B是對應輔助電極區域的放大截面圖以及圖3C是對應輔助電極區域的放大平面圖。 圖4是根據顯示裝置的基板的傳輸方向比較正常情況下以及不良情況下輔助電極以及陰極電極之間的接觸。 圖5是根據本揭露另一實施例包含發光區域以及光透射區域的顯示裝置的放大平面圖。 圖6A是根據本揭露另一實施例，對應顯示裝置的部分區域的截面圖，圖6B是對應輔助電極區域的放大截面圖，以及圖6C是對應輔助電極區域的區域的放大平面圖。 圖7A為根據本揭露另一實施例繪示的對應於顯示裝置部分區域的截面圖，圖7B為對應於輔助電極區域的一區域的放大截面圖，且圖7C為對應於輔助電極區域的區域的放大平面圖。 圖8A及圖8B分別繪示堤岸層的突出結構並未撕裂的正常情況以及堤岸層的突出結構被撕裂的不良情況。 圖9A及圖9B分別繪示並未發生覆蓋層的突出結構剝離的正常情況以及發生覆蓋層的突出結構剝離的不良情況。

110:基板

111:光阻擋層

113:緩衝層

121:主動層

123:閘極絕緣層

124:閘極電極

125:層間絕緣層

130:鈍化層

140:覆蓋層

150:陽極電極

160:岸堤層

170:有機發光層

180:陰極電極

226:輔助電極

324:墊電極

326:墊連接電極

350:墊接觸電極

Claims (24)

1. 一種顯示裝置包含： 一基板； 一輔助電極，設置在該基板上方； 一鈍化層，設置在該輔助電極上方且其中具有一第一孔限界在此，該輔助電極的至少一部分透過該第一孔被暴露； 一覆蓋層，設置在鈍化層上方且其中具有一第二孔限界在此，該輔助電極的該至少一部分透過該第二孔被暴露；以及 一岸堤層，設置在該覆蓋層上方且其中具有一第三孔限界在此，該輔助電極的該至少一部分透過該第三孔被暴露， 其中該第一孔、該第二孔及該第三孔被佈置使得各自的至少一部分互相重疊， 其中該第一孔在一第一方向的一中間區域重疊於該第二孔在一第二方向的一中間區域，其中該第一方向與該第二方向相交。
2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一孔包含： 一第一中間區域；以及 一對的切槽，分別設置在該第一中間區域的該第一方向的兩個相反側， 其中該覆蓋層被設置以覆蓋該對的切槽，及該對的切槽不暴露於外部。
3. 如請求項中2所述的顯示裝置，其中該對的切槽以彼此對稱的方式被佈置在該第一中間區域周遭。
4. 如請求項2所述的顯示裝置，其中該第二孔包含： 一第二中間區域；以及 一對的鈍化暴露區域，分別設置在該第二中間區域的該第二方向的兩個相反側， 其中該些鈍化暴露區域透過其暴露該鈍化層。
5. 如請求項4所述的顯示裝置，其中該對的鈍化暴露區域以對稱的方式被佈置在該第二中間區域周遭。
6. 如請求項4所述的顯示裝置，其中該顯示裝置進一步包含： 一有機發光層，設置在該岸堤層上方；以及 一陰極電極，設置在該有機發光層上方， 其中該有機發光層以及該陰極電極沿著該些鈍化暴露區域的至少一者延伸並且接著被設置在該輔助電極上方。
7. 如請求項6所述的顯示裝置，其中該有機發光層以及該陰極電極延伸並且進入該些切槽的至少一者， 其中位於該些切槽的該至少一者中的該陰極電極的一部分延伸超越該有機發光層，並直接與該輔助電極接觸。
8. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一孔、第二孔以及該第三孔位於對應該輔助電極的一區域之中。
9. 如請求項1所述的顯示裝置，其中對應該第一孔、該第二孔以及該第三孔的該輔助電極的一部分具有一平坦面。
10. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一孔以及該第二孔各自位於對應該第三孔的一區域中。
11. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該基板包含一顯示區域及一非顯示區域， 其中該顯示區域包含一發光區域以及一光透射區域； 其中該輔助電極的至少一部分重疊該光透射區域。
12. 如請求項11所述的顯示裝置，其中該顯示裝置更進一步包含一低電位電力線延伸穿過該顯示區域，且不重疊該發光區域， 其中該輔助電極從該低電位電力線朝該光透射層凸出。
13. 如請求項2所述的顯示裝置，其中該基板包含多個發光區域以及多個光透射區域， 其中該些發光區域以及該些光透射區域交替佈置於該第一方向中， 其中該對的切槽沿著該第一方向面對於彼此。
14. 如請求項中2所述的顯示裝置，其中該基板包含多個發光區域以及多個光透射區域， 其中該些發光區域連續佈置於該第二方向，或該些光透射區域連續佈置於該第二方向， 其中該對的鈍化暴露區域沿著該第二方向面對於彼此。
15. 一種顯示裝置，包含： 一基板； 一輔助電極，設置在該基板上方； 一鈍化層，設置在該輔助電極上方； 一覆蓋層，設置在該鈍化層上方； 一岸堤層，設置在該覆蓋層上方； 一有機發光層，設置在該岸堤層上方；以及 一陰極電極，設置在該有機發光層上方， 其中該輔助電極包含一輔助電極觸點，其中該輔助電極觸點的至少一部分透過分別延伸通過該鈍化層、該覆蓋層以及該岸堤層的多個孔被暴露， 其中該有機發光層以及該陰極電極延伸至該輔助電極觸點，以及 其中圍繞該輔助電極觸點的該覆蓋層的一部分包含一對的覆蓋突出結構。
16. 如請求項15所述的顯示裝置，其中一對的切槽分別限界於該對的覆蓋突出結構之下， 其中該對的切槽透過移除部分的該鈍化層來形成。
17. 如請求項16所述的顯示裝置，其中該對的切槽被佈置為面對彼此。
18. 如請求項15所述的顯示裝置，其中自該岸堤層的一岸堤突出被設置在該些覆蓋突出構造的每一者上方， 其中該覆蓋突出構造凸出超過該岸堤突出。
19. 如請求項15所述的顯示裝置，其中圍繞該輔助電極觸點的該覆蓋層的一部包含一覆蓋階梯， 其中一岸堤階梯被設置於該覆蓋階梯上方，使得該覆蓋層被部分暴露， 其中一鈍化階梯被設置於該覆蓋階梯之下，使得該鈍化膜被部分暴露， 其中該有機發光層以及該陰極電極沿著該岸堤階梯、該覆蓋階梯以及該鈍化階梯之上延伸並且接著被設置在該輔助電極觸點上方。
20. 如請求項19所述的顯示裝置，其中該岸堤階梯、該覆蓋階梯以及該鈍化階梯各具有一椎體形狀，該椎體形狀的一上表面的一水平維度小於該椎體形狀的一下表面的一水平維度。
21. 如請求項19中的顯示裝置，其中該岸堤階梯、該覆蓋階梯以及該鈍化階梯依序被堆疊以使該岸堤階梯以及該輔助電極之間的一第一間隔大於該覆蓋階梯以及該輔助電極之間的一第二間隔，並且該第二間隔大於鈍化階梯以及該輔助電極之間的一第三間隔。
22. 如請求項19所述的顯示裝置，其中設置於該輔助電極觸點之上的該陰極電極的一部分接觸對應該些切槽的至少一者的一區域中的該輔助電極。
23. 如請求項15所述的顯示裝置，其中該覆蓋層的一底面直接接觸該鈍化層， 其中該覆蓋層的一頂面直接接觸於該岸堤層。
24. 一種顯示裝置，包含： 一基板； 一輔助電極，被設置在該基板上； 一鈍化層，被設置在該輔助電極上，且具有一第一孔限界在該鈍化層中，該輔助電極的至少一部分透過該第一孔被暴露；以及 一覆蓋層，被設置在該鈍化層上，且具有一第二孔被限界在該覆蓋層中，該輔助電極的該至少一部分透過該第二孔被暴露；及 其中該第一孔以及該第二孔被佈置使得該第一孔以及該第二孔的至少一部分於該顯示裝置的平面圖中彼此重疊， 其中該第一孔的於一第一方向的一中間區域重疊該第二孔的於一第二方向的一中間區域，其中該第一方向與該第二方向相交。

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