CN114141827B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括驱动电路层、发光器件层和封装层，驱动电路层包括辅助电极和设置在辅助电极上的底切结构，底切结构上设置有底切空间，辅助电极包括搭接部，搭接部沿着底切结构的外周方向延伸，底切空间裸露搭接部；发光层和第二电极在底切结构处断开设置，第二电极连接于辅助电极的搭接部。封装层延伸至底切空间内且覆盖第二电极。由于封装层可以延伸入底切空间并包覆位于底切空间内的第二电极和发光层，进而提高了封装层的封装效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板结构包括透明阳极层，发光层和金属阴极层。为了增大顶发射的透过率，金属阴极层的厚度较薄，造成电阻较大，电流压降严重，导致显示面板有明显的亮度不均匀现象，严重影响了OLED显示装置的显示效果。为改善面板显示亮度的不均匀性，可以架设辅助电极，与较薄的金属阴极层相连。
在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，如图1所示，现有技术一般采用孔式底切(Undercut)结构Un裸露出一侧的辅助阴极01，然后采用阴极02连接孔裸露出的辅助阴极01，但是在孔式底切结构基础上形成封装层03时，封装层03容易在孔处出现裂缝，增加了封装失效的风险。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，可以提高封装效果。
本申请实施例提供一种显示面板，其包括：
基板；
驱动电路层，所述驱动电路层设置在所述基板上，所述驱动电路层包括辅助电极和设置在所述辅助电极上的底切结构，所述底切结构上设置有底切空间，所述辅助电极包括搭接部，所述搭接部沿着所述底切结构的外周方向延伸，所述底切空间裸露所述搭接部；
第一电极，所述第一电极设置在所述驱动电路层上；
发光层和第二电极，所述发光层设置在所述第一电极上，所述第二电极设置在所述发光层上，所述发光层和所述第二电极在所述底切结构处断开设置，所述第二电极连接于所述辅助电极的搭接部；
封装层，所述封装层覆盖在所述第二电极上，所述封装层延伸至所述底切空间内且覆盖所述第二电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述底切结构包括支撑部和阻挡部，所述辅助电极还包括承载部，所述搭接部连接在所述承载部的周侧，所述支撑部设置在所述承载部上，所述阻挡部包括连接部分和与所述连接部分相连的悬空部分，所述连接部分设置在所述支撑部上，所述悬空部分凸出于所述支撑部，所述悬空部分和所述支撑部的侧面形成所述底切空间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述底切空间沿着所述支撑部的外周方向延伸形成环状。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述底切空间内，自所述支撑部向第一开孔的孔壁的方向上，所述第二电极的厚度递增。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动电路层包括设置在所述基板上的钝化层和设置在所述钝化层上的平坦层，所述辅助电极还包括外围部，所述外围部连接在所述搭接部的周侧，所述钝化层覆盖所述外围部，所述第一开孔包括连通的第一分孔和第二分孔，所述第一分孔设置在所述钝化层，所述第二分孔设置在所述平坦层，所述第二分孔孔壁位于所述第一分孔孔壁的外周；
所述搭接部的宽度大于或等于4微米，所述阻挡部到所述第二分孔孔壁的距离大于或等于6微米。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动电路层还包括设置在基板上的遮光层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层和走线层；
所述钝化层设置在所述第二金属层上，所述辅助电极形成于所述第二金属层，所述支撑部形成于所述钝化层，所述阻挡层形成于所述走线层，所述平坦层设置在所述走线层上。
相应的，本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：
在基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括辅助电极；
在所述驱动电路层上形成第一电极；
蚀刻所述驱动电路层的部分，形成设置在所述辅助电极上的底切结构；所述底切结构上设置有底切空间，所述辅助电极包括搭接部，所述搭接部沿着所述底切结构的外周方向延伸，所述底切空间裸露所述搭接部；
在所述第一电极上依次形成发光层和第二电极，所述发光层和所述第二电极在所述底切结构处断开设置，所述第二电极连接于所述辅助电极的搭接部；
在所述第二电极上形成封装层，所述封装层延伸至所述底切空间内且覆盖所述第二电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在基板上形成驱动电路层，包括以下步骤：
在所述基板上形成辅助电极，所述辅助电极还包括承载部，所述搭接部连接在所述承载部的周侧；
在所述辅助电极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成阻挡部。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述蚀刻所述驱动电路层的部分，形成设置在所述辅助电极上的底切结构，包括：
在所述平坦层上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述第二分孔孔壁且裸露所述阻挡部和所述钝化层的部分；
蚀刻裸露的所述钝化层，形成底切结构和第一分孔，所述底切结构包括所述阻挡部和形成于所述钝化层的支撑部，所述支撑部设置在所述承载部上，所述阻挡部包括连接部分和与所述连接部分相连的悬空部分，所述连接部分设置在所述支撑部上，所述悬空部分凸出于所述支撑部，所述悬空部分和所述支撑部的侧面形成所述底切空间；
去除所述光刻胶层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述底切空间沿着所述支撑部的外周方向延伸形成环状。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述驱动电路层上形成发光器件层，包括以下步骤：
在所述第一电极上形成所述像素定义层；
在所述第一电极上形成所述发光层；
在所述发光层上形成所述第二电极，所述第二电极延伸至所述底切空间内，在所述底切空间内，自所述支撑部向第一开孔的孔壁的方向上，所述第二电极的厚度递增。
本申请实施例的显示面板及其制备方法采用岛式底切结构替换了现有技术中的孔式底切结构，进而提高了显示面板的封装效果。
具体的，显示面板包括驱动电路层、发光层、第二电极和封装层，驱动电路层包括辅助电极和设置在辅助电极上的底切结构，底切结构上设置有底切空间，辅助电极包括搭接部，搭接部沿着底切结构的外周方向延伸，底切空间裸露搭接部；发光层和第二电极在底切结构处断开设置，第二电极连接于辅助电极的搭接部。封装层延伸至底切空间内且覆盖第二电极。由于封装层可以延伸入底切空间并包覆位于底切空间内的第二电极和发光层，进而提高了封装层的封装效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术的显示面板的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图3是图1中A部分的放大图；
图4是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图；
图5是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B11-步骤B13的示意图；
图6是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B14的示意图；
图7是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B2的示意图；
图8是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B31的示意图；
图9是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B32-步骤B33的示意图；
图10是图9中B部分的放大图；
图11是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B41的示意图；
图12是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B42的示意图；
图13是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B43的示意图；
图14是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤B5的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，下文进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参照图2和图3，本申请实施例提供一种显示面板100，其包括基板11、驱动电路层12、发光器件层13和封装层14。
驱动电路层12设置在基板11上。驱动电路层12包括辅助电极Fd和设置在辅助电极Fd上的底切结构Uc。底切结构Uc上设置有底切空间Ck。辅助电极Fd包括搭接部f1，搭接部f1沿着底切结构Uc的外周方向延伸。底切空间Ck裸露搭接部f1。
发光器件层13包括第一电极131和设置在第一电极131上的像素定义层132、发光层133和第二电极134。第一电极131设置在驱动电路层12上。
发光层133和第二电极134在底切结构Uc处断开设置。第二电极134连接于辅助电极Fd的搭接部f1。
其中，发光层133和第二电极134的部分设置在底切结构Uc上。发光层133设置在第一电极131和像素定义层132上。第二电极134设置在发光层133上。
封装层14覆盖在发光器件层13上。具体的，封装层14覆盖在第二电极134。封装层14延伸至底切空间Ck内且覆盖第二电极134。
本申请实施例的显示面板100采用岛式底切结构Uc替换了现有技术中的孔式底切结构。具体的，由于底切结构Uc设置在辅助电极Fd的中间，底切结构Uc位于开孔内，且周边的孔壁坡度较为连续，孔壁没有现有技术中的凸出部。在进行封装层14的制备时，封装层14可以完整地覆盖整个孔壁并延伸入底切空间Ck并包覆位于底切空间Ck内的第二电极134和发光层133，进而提高了封装层14的封装效果。进而提高了显示面板100的封装效果。
可选的，请参照图3，底切结构Uc包括支撑部u1和阻挡部u2。辅助电极Fd还包括承载部f2，搭接部f1连接在承载部f2的周侧。支撑部u1设置在承载部f2上。阻挡部u2包括连接部分u21和与连接部分u21相连的悬空部分u22。连接部分u21设置在支撑部u1上。悬空部分u22凸出于支撑部u1。悬空部分u22和支撑部u1的侧面形成底切空间Ck。
其中，由于悬空部分u22到第一开孔12a的孔壁之间具有空间，该空间和底切空间Ck使得发光层133在底切结构Uc处发生断裂，并裸露出辅助电极Fd；接着通过调整第二电极134的蒸镀角度，使得第二电极134连接辅助电极Fd。
可选的，底切空间Ck沿着支撑部u1的外周方向延伸形成环状。这样以提高封装层14的封装效果。
在一些实施例中，底切空间Ck可以设置在底切结构Uc相对设置的两侧。也即底切空间Ck沿着支撑部u1外周的两侧方向延伸，形成两个隔离开的底切空间Ck。
可选的，驱动电路层12上设置有第一开孔12a。底切结构Uc设置在第一开孔12a内。在底切空间Ck内，支撑部u1向第一开孔12a的孔壁的方向X上，第二电极134的厚度递增。也就是说，第二电极134越进入底切空间Ck的深处，第二电极134的厚度递减，从而便于封装层14进入底切空间Ck深处的空间，提高封装层14包覆第二电极134的概率。
可选的，封装层14包覆位于底切空间Ck内的第二电极134，第二电极134覆盖位于底切空间Ck内的发光层133。
在底切空间Ck内，支撑部u1向第一开孔12a的孔壁的方向X上，发光层133的厚度递增。也就是说，发光层133越进入底切空间Ck的深处，发光层133的厚度递减，从而便于第二电极134进入底切空间Ck深处的空间，提高第二电极134搭接辅助电极Fd的面积。
可选的，驱动电路层12包括设置在基板11上的钝化层Pv和设置在钝化层Pv上的平坦层Pln。辅助电极Fd还包括外围部f3，外围部f3连接在搭接部f1的周侧。钝化层Pv覆盖外围部f3。第一开孔12a包括连通的第一分孔12a1和第二分孔12a2。第一分孔12a1设置在钝化层Pv。第二分孔12a2设置在平坦层Pln。第二分孔12a2孔壁位于第一分孔12a1孔壁的外周。
搭接部f1的宽度大于或等于4微米。阻挡部u2到第二分孔12a2孔壁的距离大于或等于6微米。
可选的，搭接部f1的宽度可以是4微米、5微米、6微米、8微米或10微米等；阻挡部u2到第二分孔12a2孔壁的距离可以是6微米、8微米、10微米、15微米或20微米等。
可选的，支撑部u1的厚度介于1400埃至5100埃之间，比如1400埃、1500埃、2000埃、2500埃、4000埃、5000埃或5100埃。
可选的，驱动电路层12还包括设置在基板11上的遮光层121、第一绝缘层122、有源层123、第二绝缘层124、第一金属层125、第三绝缘层126、第二金属层127和走线层128。
钝化层Pv设置在第二金属层127上。辅助电极Fd形成于第二金属层127。支撑部u1形成于钝化层Pv。阻挡层u2形成于走线层128。平坦层Pln设置在走线层128上。
将辅助电极Fd形成于第二金属层127。支撑部u1形成于钝化层Pv。阻挡层u2形成于走线层128，能达到节省步骤制程的效果。
在本实施例中，第一金属层125包括栅极。第二金属层127还包括源极和漏极。走线层128包括导电垫。有源层123的第一部分、栅极、源极和漏极形成薄膜晶体管TFT，导电垫通过过孔连接于薄膜晶体管TFT的源极。源极通过另一过孔连接于遮光层121的第一部分。遮光层121的第一部分遮挡有源层123。第一电极131连接于导电垫。
遮光层121的第二部分、有源层123的第二部分和第二金属层127的部分彼此间隔且重叠设置。
需要说明的是，本实施例的显示面板100示出的是顶栅结构的薄膜晶体管的架构，当在本申请中并不限于此，比如还可以是底栅型薄膜晶体管或双栅型薄膜晶体管架构。
可选的，阻挡部u2和走线层128的材料相同。走线层128的材料可以是金属、金属合金或金属氧化物等，比如钼(Mo)、钛(Ti)、钼钛合金等单层结构，也可以是Mo/Al/Mo、Al/Mo、Mo/Cu/Mo、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Cu/Ti和Ti/Al/Ti等多层结构。
可选的，有源层123的材料可以是金属氧化物半导体或多晶硅半导体等。
在一些实施例中，阻挡部u2和走线层128的材料也可以不相同。
可选的，钝化层Pv的厚度介于1微米至4微米之间，比如1微米、2微米、3微米或4微米。
可选的，平坦层Pln的厚度介于1微米至5微米之间，比如1微米、2微米、3微米、4微米或5微米。
当然在一些实施例中，辅助电极Fd和第二金属层127可以分步形成；支撑部u1和钝化层Pv也可以是分步形成。
在本实施例中，第一电极131为阳极，第二电极134为阴极；但不限于此。
发光层133的材料可以是有机材料或无机材料。
像素定义层132上设置有第二开孔13a。第二开孔13a设置在第一开孔12a上，且与第一开孔12a连通。
相应的，请参照图4，本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：
步骤B1：在基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括辅助电极；
步骤B2：在所述驱动电路层上形成第一电极；
步骤B3：蚀刻所述驱动电路层的部分，形成设置在所述辅助电极上的底切结构；所述底切结构上设置有底切空间，所述辅助电极包括搭接部，所述搭接部沿着所述底切结构的外周方向延伸，所述底切空间裸露所述搭接部；
步骤B4：在所述第一电极上依次形成发光层和第二电极，所述发光层和所述第二电极在所述底切结构处断开设置，所述第二电极连接于所述辅助电极的搭接部；
步骤B5：在所述第二电极上形成封装层，所述封装层延伸至所述底切空间内且覆盖所述第二电极。
本申请实施例的显示面板的制备方法采用岛式底切结构替换了现有技术中的孔式底切结构。具体的，由于底切结构设置在辅助电极的中间，底切结构位于开孔内，且周边的孔壁坡度较为连续，孔壁没有现有技术中的凸出部。在进行封装层的制备时，封装层可以完整地覆盖整个孔壁并延伸入底切空间并包覆位于底切空间内的第二电极和发光层，进而提高了封装层的封装效果。进而提高了显示面板的封装效果。
下文对显示面板的制备方法进行阐述。
步骤B1，在基板11上形成驱动电路层12。具体的，步骤B1包括以下步骤：
请参照图5，步骤B11，在基板11上形成薄膜晶体管TFT和辅助电极Fd。辅助电极Fd还包括搭接部f1和承载部f2。搭接部f1连接在承载部f2的周侧。
可选的，基板11可以是硬性基板或者柔性衬底。基板11的材质包括玻璃、蓝宝石、硅、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种。
可选的，薄膜晶体管TFT可以是顶栅型、底栅型或双栅型薄膜晶体管。本实施例以顶栅型架构为例进行示例，但不限于此。而底栅型或双栅型薄膜晶体管的架构是现有技术，此处不再赘述。
可选的，驱动电路层12还包括设置在基板11上的遮光层121、第一绝缘层122、有源层123、第二绝缘层124、第一金属层125、第三绝缘层126、第二金属层127和走线层128。
辅助电极Fd形成于第二金属层127，能达到节省步骤制程的效果。
辅助电极Fd包括搭接部f1。辅助电极Fd还包括承载部f2，搭接部f1设置在承载部f2的周侧。
在本实施例中，第一金属层125包括栅极。第二金属层127还包括源极和漏极。有源层123的第一部分、栅极、源极和漏极形成薄膜晶体管。源极通过另一过孔连接于遮光层121的第一部分。遮光层121的第一部分遮挡有源层123。遮光层121的第二部分、有源层123的第二部分和第二金属层127的部分彼此间隔且重叠设置。
可选的，有源层123的材料可以是金属氧化物半导体或多晶硅半导体等。
可选的，辅助电极Fd和第二金属层127的材料可以相同。第二金属层127的材料可以是金属、金属合金或金属氧化物等。
请参照图5，步骤B12，在辅助电极Fd上形成钝化层Pv。
可选的，钝化层Pv的材料可以包括氮化硅、氧化硅以及有机光阻中的至少一种。
钝化层Pv的厚度介于1微米至4微米之间，比如1微米、2微米、3微米或4微米。
请参照图5，步骤B13，在钝化层Pv上形成阻挡部u2。也即在钝化层Pv上形成走线层128，走线层128包括阻挡部u2和导电垫。导电垫通过过孔连接于薄膜晶体管的源极。
可选的，阻挡部u2和走线层128的材料相同。第二金属层127的材料可以是金属、金属合金或金属氧化物等，比如钼(Mo)、钛(Ti)、钼钛合金等单层结构，也可以是Mo/Al/Mo、Al/Mo、Mo/Cu/Mo、MoTi/Cu/MoTi、Ti/Cu/Ti和Ti/Al/Ti等多层结构。
在一些实施例中，阻挡部u2和走线层128的材料也可以不相同。
请参照图6，步骤B14，在阻挡部u2上形成平坦层Pln。平坦层Pln开设有第二分孔12a2，第二分孔12a2裸露阻挡部u2。
可选的，平坦层Pln的厚度介于1微米至5微米之间，比如1微米、2微米、3微米、4微米或5微米。
可选的，平坦层Pln材料可以是有机透明膜层，比如透明光刻胶，环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯等。
随后转入步骤B2。
请参照图7，步骤B2，在平坦层Pln上形成第一电极131。
可选的，第一电极131可以是阳极，其包括具有高反射率的金属材料，比如包括但不局限于氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)、氧化铟锌/银/氧化铟锌(IZO/Ag/IZO)、ITO/铝(Al)/ITO或者IZO/Al/IZO等。
第一电极131采用过孔连接于导电垫。
随后转入步骤B3。
步骤B3，蚀刻驱动电路层12的部分，形成设置在辅助电极Fd上的底切结构Uc。底切结构Uc上设置有底切空间Ck。搭接部f1沿着底切结构Uc的外周方向延伸，底切空间Ck裸露搭接部f1。
具体的，步骤B3包括以下步骤：
请参照图8，步骤B31，在平坦层Pln上形成光刻胶层Pr。光刻胶层Pr覆盖第二分孔12a2孔壁且裸露阻挡部u2和钝化层Pv的部分。
可选的，阻挡部u2到光刻胶层Pr的距离大于或等于5微米，比如5微米、6微米、7微米、8微米等。
请参照图9，步骤B32，蚀刻裸露的钝化层Pv，形成底切结构Uc和第一分孔12a1。
底切结构Uc包括阻挡部u2和形成于钝化层Pv的支撑部u1。支撑部u1设置在承载部f2上。阻挡部u2包括连接部分u21和与连接部分u21相连的悬空部分u22，连接部分u21设置在支撑部u1上。悬空部分u22凸出于支撑部u1。悬空部分u22和支撑部u1的侧面形成底切空间Ck；
请参照图9和图10，步骤B33，去除光刻胶层Pr，以形成第二分孔12a2。
驱动电路层12上设置有第一开孔12a。底切结构Uc设置在第一开孔12a内。第一开孔12a包括连通的第一分孔12a1和第二分孔12a2。第一分孔12a1形成在钝化层Pv。第二分孔12a2形成在平坦层Pln。第二分孔12a2孔壁位于第一分孔12a1孔壁的外周。
搭接部f1沿着底切结构Uc的外周方向延伸。底切空间Ck裸露搭接部f1。
辅助电极Fd还包括外围部f3，外围部f3连接在搭接部f1的周侧。钝化层Pv覆盖外围部f3。
搭接部f1的宽度大于或等于4微米。阻挡部u2到第二分孔12a2孔壁的距离D大于或等于6微米。
可选的，搭接部f1的宽度可以是4微米、5微米、6微米、8微米或10微米等；阻挡部u2到第二分孔12a2孔壁的距离可以是6微米、8微米、10微米、15微米或20微米等。
可选的，支撑部u1的厚度介于1400埃至5100埃之间，比如1400埃、1500埃、2000埃、2500埃、4000埃、5000埃或5100埃。
可选的，底切空间Ck沿着支撑部u1的外周方向延伸形成环状。这样以提高后续制程的封装层14的封装效果。
在一些实施例中，底切空间Ck可以设置在底切结构Uc相对设置的两侧。也即底切空间Ck沿着支撑部u1外周的两侧方向延伸，形成两个隔离开的底切空间Ck。
随后转入步骤B4。
步骤B4，在第一电极131上依次形成像素定义层132、发光层331和第二电极134。发光层133和第二电极134在底切结构Uc处断开设置。第二电极134连接于辅助电极Fd的搭接部f1。步骤B4包括以下步骤：
请参照图11，步骤B41，在第一电极131上形成像素定义层132。
像素定义层上132设置有第二开孔13a，第二开孔13a设置在第一开孔12a上，且与第一开孔12a连通。像素定义层132还设置有第三开孔13b，第三开孔13b裸露第一电极131。
请参照图12，步骤B42，在第一电极131上形成发光层133。
发光层133覆盖第一电极131和像素定义层132，发光层133还覆盖在第一开孔12a和第二开孔13a的孔壁，且设置在第三开孔13b内。发光层133在底切结构Uc断裂。其中发光层133的部分还设置在底切结构Uc上。
本步骤中可以通过发光层133的蒸镀角度，是发光层133无法完全覆盖下方的辅助电极Fd。
在底切空间Ck内，支撑部u1向第一开孔12a的孔壁的方向X上，发光层133的厚度递增。也就是说，发光层133越进入底切空间Ck的深处，发光层133的厚度递减，从而便于后续制程的第二电极134进入底切空间Ck深处的空间，提高第二电极134搭接辅助电极Fd的面积。
可选的，发光层133可以是有机材料。
请参照图13，步骤B43，在发光层133上形成第二电极134。
可选的，第一电极131、像素定义层132、发光层133和第二电极134形成发光器件层13。需要说明的是，发光器件层13包括但不限于第一电极131、像素定义层132、发光层133和第二电极134，比如电子传输层和空穴传输层等。
第二电极134设置在发光层133上，且第二电极134在底切结构Uc处发生断裂。其中第二电极134的部分也设置在底切结构Uc上。
第二电极134延伸至底切空间Uc内。在底切空间Ck内，自支撑部u1向第一开孔12a的孔壁的方向X上，第二电极134的厚度递增。也就是说，第二电极134越进入底切空间Ck的深处，第二电极134的厚度递减，从而便于后续制程的封装层14进入底切空间Ck深处的空间，提高封装层14包覆第二电极134的概率。
随后转入步骤B5。
请参照图14，步骤B5，在第二电极134上形成封装层14。
可选的，封装层14包覆位于底切空间Ck内的第二电极134，第二电极134覆盖位于底切空间Ck内的发光层133。
这样便完成了本实施例的显示面板100的制备过程。
本申请实施例的显示面板的制备方法采用岛式底切结构替换了现有技术中的孔式底切结构，进而提高了显示面板的封装效果。
具体的，显示面板包括驱动电路层、发光器件层和封装层，驱动电路层包括辅助电极和设置在辅助电极上的底切结构，底切结构上设置有底切空间，辅助电极包括搭接部，搭接部沿着底切结构的外周方向延伸，底切空间裸露搭接部；发光器件层包括发光层和第二电极，发光层和第二电极在底切结构处断开设置，第二电极连接于辅助电极的搭接部。封装层延伸至底切空间内且覆盖第二电极。由于封装层可以延伸入底切空间并包覆位于底切空间内的第二电极和发光层，进而提高了封装层的封装效果。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (6)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
驱动电路层，所述驱动电路层设置在所述基板上，所述驱动电路层包括辅助电极和设置在所述辅助电极上的底切结构，所述底切结构上设置有底切空间，所述辅助电极包括搭接部，所述搭接部沿着所述底切结构的外周方向延伸，所述底切空间裸露所述搭接部；
第一电极，所述第一电极设置在所述驱动电路层上；
像素定义层，所述像素定义层设置在所述第一电极上；
发光层和第二电极，所述发光层设置在所述第一电极上，所述第二电极设置在所述发光层上，所述发光层和所述第二电极在所述底切结构处断开设置，所述第二电极连接于所述辅助电极的搭接部；
封装层，所述封装层覆盖在所述第二电极上，所述封装层延伸至所述底切空间内且覆盖所述第二电极；
所述底切结构包括支撑部和阻挡部，所述辅助电极还包括承载部，所述搭接部连接在所述承载部的周侧，所述支撑部设置在所述承载部上，所述阻挡部包括连接部分和与所述连接部分相连的悬空部分，所述连接部分设置在所述支撑部上，所述悬空部分凸出于所述支撑部，所述悬空部分和所述支撑部的侧面形成所述底切空间；
所述驱动电路层上设置有第一开孔，所述底切结构设置在所述第一开孔内；所述驱动电路层包括设置在所述基板上的钝化层和设置在所述钝化层上的平坦层，所述辅助电极还包括外围部，所述外围部连接在所述搭接部的周侧，所述钝化层覆盖所述外围部，所述第一开孔包括连通的第一分孔和第二分孔，所述第一分孔设置在所述钝化层，所述第二分孔设置在所述平坦层，所述像素定义层上设置有第二开孔，所述第二分孔孔壁位于所述第一分孔孔壁的外周，所述第二开孔连通所述第二分孔，所述第二开孔的孔壁位于所述第二分孔的孔壁的外周，所述第二开孔、所述第二分孔和所述第一分孔形成阶梯孔结构；
在所述底切空间内，自所述支撑部向所述第一开孔的孔壁的方向上，所述第二电极和所述发光层的厚度递增；
在所述底切结构区域，所述第二电极的边界和所述支撑部的边界之间具有裸露所述搭接部的镂空区域，所述封装层延伸覆盖所述镂空区域且连接于所述搭接部。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述底切空间沿着所述支撑部的外周方向延伸形成环状。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述搭接部的宽度大于或等于4微米，所述阻挡部到所述第二分孔孔壁的距离大于或等于6微米。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括设置在基板上的遮光层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层和走线层；
所述钝化层设置在所述第二金属层上，所述辅助电极形成于所述第二金属层，所述支撑部形成于所述钝化层，所述阻挡部形成于所述走线层，所述平坦层设置在所述走线层上。
5.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括辅助电极；
在所述驱动电路层上形成第一电极；
蚀刻所述驱动电路层的部分，形成设置在所述辅助电极上的底切结构；所述底切结构上设置有底切空间，所述辅助电极包括搭接部，所述搭接部沿着所述底切结构的外周方向延伸，所述底切空间裸露所述搭接部；
在所述第一电极上依次形成发光层和第二电极，所述发光层和所述第二电极在所述底切结构处断开设置，所述第二电极连接于所述辅助电极的搭接部；
在所述第二电极上形成封装层，所述封装层延伸至所述底切空间内且覆盖所述第二电极；
所述在基板上形成驱动电路层，包括以下步骤：
在所述基板上形成辅助电极，所述辅助电极还包括承载部，所述搭接部连接在所述承载部的周侧；
在所述辅助电极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成阻挡部；
在所述阻挡部上形成平坦层，所述平坦层开设有第二分孔，所述第二分孔裸露所述阻挡部；
所述蚀刻所述驱动电路层的部分，形成设置在所述辅助电极上的底切结构，包括：
在所述平坦层上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述第二分孔孔壁且裸露所述阻挡部和所述钝化层的部分；
蚀刻裸露的所述钝化层，形成底切结构和第一分孔，所述第二分孔的孔壁位于所述第一分孔的孔壁的外周，所述底切结构包括所述阻挡部和形成于所述钝化层的支撑部，所述支撑部设置在所述承载部上，所述阻挡部包括连接部分和与所述连接部分相连的悬空部分，所述连接部分设置在所述支撑部上，所述悬空部分凸出于所述支撑部，所述悬空部分和所述支撑部的侧面形成所述底切空间；在所述底切结构区域，所述第二电极的边界和所述支撑部的边界之间具有裸露所述搭接部的镂空区域，所述封装层延伸覆盖所述镂空区域且连接于所述搭接部；
去除所述光刻胶层；
所述驱动电路层上设置有第一开孔，所述底切结构设置在所述第一开孔内，所述第一开孔包括所述第一分孔和所述第二分孔；
所述在所述驱动电路层上形成发光器件层，包括以下步骤：
在所述第一电极上形成像素定义层，所述像素定义层上设置有第二开孔，所述第二开孔连通所述第二分孔，所述第二开孔的孔壁位于所述第二分孔的孔壁的外周，所述第二开孔、所述第二分孔和所述第一分孔形成阶梯孔结构；
在所述第一电极上形成所述发光层；
在所述发光层上形成所述第二电极，所述第二电极延伸至所述底切空间内，在所述底切空间内，自所述支撑部向第一开孔的孔壁的方向上，所述第二电极和所述发光层的厚度递增。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述底切空间沿着所述支撑部的外周方向延伸形成环状。
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