JP7401743B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 51
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 146
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- -1 for example Polymers 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Led Device Packages (AREA)
Description
図1乃至図4に示すように、発光装置100Aは、上面10aおよび側面10bを有する発光素子10と、平面視において多角形に形成され、発光素子10の上面10aに下面13cを対面させて設けられる波長変換部材13と、発光素子10の側面10bの少なくとも一部を覆う導光部材20と、波長変換部材13の側面13b及び導光部材20を覆う被覆部材30と、を備えている。そして、波長変換部材13の下面13cは、発光素子10の上面10aを囲む溝部14を有している。さらに、溝部14は、多角形(図では矩形)の各辺に沿って形成されると共に、隣り合う溝部と交差して下面13cにおいて外縁まで延伸するように形成されている。また、導光部材20は、溝部14の内部を被覆するように形成されている。
ここでは、発光装置100Aは、主として、発光素子10と、下面に溝部14を有する波長変換部材13と、導光部材20と、被覆部材30と、基板40と、を備えている。以下、発光装置100Aの各構成について説明する。
発光素子10は、例えばLED等の公知の半導体発光素子である。発光素子10は、一例として、素子本体11と、第1素子電極12aおよび第2素子電極12bとを有する。この例では、発光素子10の上面は、素子本体11で構成されており、第1素子電極12a及び第2素子電極12bが、発光素子10の上面10aとは反対側となる下面10cに形成されている。発光素子10の上面視における形状は、ここでは矩形状に形成されている。この発光素子10は、上面10aの形状を波長変換部材13と相似形として矩形状に形成され、4つの側面10bを有している。
素子本体11は、例えば、サファイア基板、窒化ガリウム基板等の支持基板と、支持基板上の半導体積層構造とを含む。半導体積層構造は、活性層と、活性層を挟むn型半導体層およびp型半導体層とを含む。半導体積層構造は、紫外から可視域の発光が可能な窒化物半導体であるInXAlYGa1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)等で表されるGaN系やInGaN系を用いることができる。発光素子10は、フリップチップ実装されるものを使用することができる。
第1素子電極12a及び第2素子電極12bは、Ag、Al、Au、Cu、Ti、Ni、Pt、Pd、W等の金属または合金の単層膜または積層膜で形成され、素子本体11中の支持基板とは反対側においてn型半導体層およびp型半導体層にそれぞれ電気的に接続されている。発光素子10は、同一面側に第1素子電極12a及び第2素子電極12bとを備え、フリップチップ接続に適合するように構成されている。
波長変換部材13は、図3及び図7に示すように、発光素子10の上面に接合される板状部材である。波長変換部材13は、発光素子10の上面10aに導光部材20を介して接合される下面13cと、下面13cとは反対側に位置する上面13aと、上面13a及び下面13cに連続する側面13bを有する。波長変換部材13の厚さ、すなわち、下面13cと上面13aとの間の距離は、例えば、30μm以上300μm以下の範囲である。ここでは、波長変換部材13の上面視における形状は、発光素子10の上面10aの形状に相似する矩形に形成されている。なお、波長変換部材13は、平面視において、発光素子10の上面を内包するように、発光素子よりも大きい平面積を有するように形成されている。
波長変換部材13は、例えば、蛍光体の焼結体や、樹脂、ガラス、セラミック又は他の無機物等に蛍光体粉末を含有させたものが挙げられる。また、波長変換部材13は、樹脂、ガラス、セラミック等の成形体の下面に蛍光体を含有する樹脂層や蛍光体を含有するガラス層を形成したものでもよい。また、波長変換部材13は、目的に応じて、拡散材等のフィラーを含有してもよい。また、拡散材等のフィラーを含有する場合、波長変換部材13は、樹脂、ガラス、セラミック又は他の無機物等にフィラーを含有させたものでもよいし、樹脂、ガラス、セラミック等の成形体の表面にフィラーを含有する樹脂層やフィラーを含有するガラス層を形成したものでもよい。
蛍光体には、公知の材料を適用することができる。蛍光体の一例としては、YAG系蛍光体、KSF系蛍光体等のフッ化物系蛍光体およびCASN等の窒化物系蛍光体、βサイアロン蛍光体等である。さらに、YAG系蛍光体は、青色光を黄色光に変換する波長変換物質の例であり、KSF系蛍光体およびCASNは、青色光を赤色光に変換する波長変換物質の例であり、βサイアロン蛍光体は、青色光を緑色光に変換する波長変換物質の例である。蛍光体は、量子ドット蛍光体であってもよい。
拡散材としては、例えば、例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等を用いることができる。
図3乃至図7に示すように、波長変換部材13の下面13cには、溝部14が設けられている。溝部14は、発光素子10の上面10aを囲むように波長変換部材13の各辺に沿って設けられている。なお、本明細書における「溝部」の用語は、一方向に連続する凹部、一方向に断続する凹部により形成されるものを包含するように解釈される。ここでは、溝部14として、連続する凹部である構成を一例として説明する。溝部14の溝深さD1は、一例として、波長変換部材13の厚さの30%以上60%以下程度の範囲になるように形成されている。溝部14の溝深さD1は、ここでは、溝部14の全周にわたって一定に形成されているが、下面13c上の位置に応じて異なった深さを有していてもよい。また、溝部14の溝幅L1は、波長変換部材13の下面13cにおいて一辺の長さに対して5%以上20%以下程度の範囲であることが好ましい。具体的な例として、溝部は、20μm以上500μm以下の範囲で形成されている。
なお、波長変換部材13として、樹脂、ガラス、セラミック等の成形体の下面に蛍光体を含有する樹脂層や蛍光体を含有するガラス層を形成したものを用いる場合は、溝部14が成形体に達することのないように、溝部の溝深さは蛍光体を含有する層の厚みよりも小さくなるように形成されることが好ましい。
導光部材20は、発光素子10と波長変換部材13とを接合させる透光性の部材である。なお、ここで「透光性」、「導光」および「透光」の用語は、入射した光に対して拡散性を示すことをも包含するように解釈される。また、導光部材20は、「透明」であることに限定されない。導光部材20の表面の一部は、ここでは、被覆部材30との界面を形成するように設けられている。
導光部材20は、発光素子10の側面10bの少なくとも一部を覆う第1部分21と、波長変換部材13に形成される溝部14の内部に位置する第2部分22と、発光素子10の上面10a及び波長変換部材13の下面13cの間に位置する第3部分23とを有している。このような導光部材20は、発光素子10の上面10a、あるいは、波長変換部材13の下面13cのいずれかあるいは両方に配置し、発光素子10及び/又は波長変換部材13を押圧して接合させることで形成することができる。
第1部分21を有する導光部材20を設けることにより、発光素子10が発する光のうち、発光素子10の側面10bから出る光の一部を導光部材20の第1部分21に入射させることができる。第1部分21に入射した光は、被覆部材30との境の位置で発光素子10の上方に向けて反射され、波長変換部材13を介して発光装置100Aの外部に向けて出射する。したがって、導光部材20を設けることにより、光の取出し効率を向上させることができる。第1部分21が発光素子10の側面10bのより多くの領域を覆うと、より多くの光を発光素子10の上方に導くことができる。
なお、断面視における導光部材20は、第1部分21の外形の形状が、直線状であることや、湾曲する曲線状であってもよい
被覆部材30は、光反射性の材料から形成されている。そして、被覆部材30は、波長変換部材13の側面13b及び下面13cと、導光部材20を介して発光素子10を被覆する位置と、発光素子10の下面10c側に設けられている。ここで、「光反射性」とは、発光素子10の発光ピーク波長における反射率が60%以上であることを指す。なお、被覆部材30は、発光素子10の発光ピーク波長における反射率が70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましい。例えば、被覆部材30は、白色を有することが好ましい。
被覆部材30は、波長変換部材13の上面13aを露出するように波長変換部材13の側面13bを覆い、導光部材20を介して発光素子10を覆うように設けられている。そして、被覆部材30は、導光部材20に覆われていない発光素子10の下面10cと、第1素子電極12a及び第2素子電極12bの側周面を覆うように設けられている。
熱可塑性樹脂の場合、例えば、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、不飽和ポリエステル等を用いることができる。被覆部材30として、熱可塑性樹脂を用いた場合には、加熱、冷却することにより熱可塑性樹脂を固化する。
熱硬化性樹脂の場合、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等を用いることができる。
被覆部材30は、光を効率よく反射するために、光反射部材が含有されていてもよい。光反射部材として、例えば酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、ガラスフィラー、シリカ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムを用いることができる。また、前記した光反射部材は、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため好ましい。
基板40は、基材と、この基材の上面あるいは内部に設けられた導体配線と、を備える。基板40は、発光素子10及び電子部品等を支持する部材である。基板40は、発光装置として一般的に用いられるパッケージ基板を利用できる。例えば、AlN等のセラミック基板、Al等の金属基板、ガラスエポキシ等の樹脂基板等を挙げることができる。また、導体配線は、発光素子10及び電子部品に外部から電力を供給する配線であり、基体に所定形状にパターニングされている。また、導体配線は、基材を貫通した配線部と、基材の下面から露出した配線部とを介して外部電源に接続される。この導体配線は、金属材料を用いることができ、例えば、Ag、Al、Ni、Rh、Au、Cu、Ti、Pt、Pd、Mo、Cr、W等の単体金属またはこれらの金属を含む合金を好適に用いることができる。さらに好ましくは、光反射性に優れたAg、Al、Pt、Rh等の単体金属またはこれらの金属を含む合金を用いることができる。
(発光装置の第1製造方法)
次に、本開示の実施形態による発光装置の製造方法を説明する。なお、発光装置の3つの製造方法を説明するが、これらの製造方法に限定されるものんではない。また、各製造工程において同じ工程内容であれば適宜説明を省略する。さらに、工程名が同じ場合であっても行う工程内容が異なる場合がある。
初めに発光装置の第1製造方法について、図8A乃至図8Fを主に参照して説明する。
図8Aに示すように、発光装置の製造方法は、平面視において多角形に形成すると共に下面の各辺に沿って外縁まで延伸する溝部を有する波長変換部材を準備する準備工程S11と、溝部により囲まれる波長変換部材の下面の領域に発光素子の上面を導光部材により接合すると共に溝部内に導光部材を配置する接合工程S13と、を含むものである。そして、発光装置の製造方法は、接合工程S13の後に、発光素子を覆うと共に波長変換部材を覆う被覆部材を形成する被覆部材形成工程S14と、各発光装置に個片化する個片化工程S17とを含む。なお、第1製造方法では、接合工程S13の前に、発光素子の素子電極側を支持体に支持する支持工程S12を行ってもよく、ここでは支持工程S12を行った例として説明する。以下、発光装置100Aを例にとり、第1の製造方法において各工程を説明する。
発光素子10の上面10aに波長変換部材13の下面13cが接合されると、導光部材20は、波長変換部材13の下面13cと発光素子10の上面10aとの間で第3部分23が一定の厚みとなるように形成される。また、導光部材20は、押圧されることで、波長変換部材13の溝部14の内部に濡れ広がり、溝部14の内部を被覆する第2部分22が形成される。さらに、導光部材20は、押圧されることで、発光素子10の側面10bに沿って濡れ広がり、側面10bを被覆することで第1部分21が形成される。なお、接合工程S13の後で、必要に応じて硬化工程を行い導光部材20を強制的に短時間で硬化させてもよい。
続いて、個片化工程S17が行われる。個片化工程S17では、硬化した被覆部材30及び支持体Bdを切断して、各発光装置100Aに個片化される。支持体Bdは、個片化されることで、発光装置100Aの基板40となるように予め形成されている。
図9Aに示すように、発光装置の第2の製造方法は、準備工程S11と、支持工程S12と、接合工程S13と、被覆部材形成工程S14aと、露出工程S15aと、個片化工程S17が行われる。以下、発光装置100Aを例にとり、第2の製造方法において各工程を説明する。
準備工程S11、支持工程S12及び接合工程S13は、既に第1の製造方法で説明した工程と同じ工程である。接合工程S13が行われた後に被覆部材形成工程S14aが行われる。ここで行われる被覆部材形成工程S14aは、波長変換部材13の上面13aを被覆するように未硬化の被覆部材30が充填される。なお、被覆部材形成工程S14aでは、波長変換部材13の上面13aを覆うように未硬化の被覆部材30を充填するので、波長変換部材13の上面13aを露出する場合と比較して充填速度を速くすることができる。
続いて、個片化工程S17が行われる。個片化工程S17は、各発光装置100Aになるように被覆部材30から支持体Bdに亘って切断されることで個片化される。支持体Bdは、切断されることで発光装置の基板40となるように予め配線等が形成されている。
第2の製造方法では、露出工程S15aにより波長変換部材13の上面13aを被覆部材30を被覆した後に露出させるので、機械的な研削等の調整のみで波長変換部材13の上面13aの露出状態を設定できる。
なお、第2の製造方法では、露出工程S15aにより波長変換部材13の上面13a側
の一部が被覆部材30と共に研削加工等により除去されることを考慮して、波長変換部材13は、蛍光体を実質的に含有しない樹脂成形体の下面に蛍光体を含有する樹脂層を形成したものを用いることが好ましい。
第3の製造方法では、準備工程S11、支持工程S12b、接合工程S13b、被覆部材形成工程S14b、露出工程S15b、個片化工程S17bが行われる。以下、発光装置100Aを例にとり、第3の製造方法において各工程を説明する。なお、準備工程S11と、支持工程S12bとは、接合工程S13bの前であれば、準備工程S11の前後あるいは同じ工程に含まれていても構わない。
続いて、支持工程S12bは、波長変換部材13の上面13aを支持体Bdに接合する工程である。支持工程S12では、波長変換部材13の上面13aが支持体Bdに接合され、溝部14が形成されている下面13cが上方を向くようにする。なお、ここで使用される支持体Bdは、粘着シートなどの配線が形成されていないものが使用される。そして、接合工程S13は、波長変換部材13の下面13cに導光部材20を介して発光素子10の上面10aを接合する工程である。ここでは、波長変換部材13の溝部14の内側となる発光素子10の接合される領域内に、未硬化の導光部材20である樹脂部材Rgが滴下される。そして、発光素子10の下面10cを波長変換部材13に向かって押圧することで、発光素子10と波長変換部材13とが接合される。
露出工程S15bでは、発光素子10の第1素子電極12a及び第2素子電極12bの下端面が被覆部材30から露出するまで、被覆部材30の一部を研削して除去する。露出工程S15bでは、被覆部材30から露出する第1素子電極12aの下端面及び第2素子電極12bの下端面が、基板40と電気的な接続を行うことができるように、被覆部材30と同一平面に形成される。露出工程S15bでは、被覆部材30の厚みが薄くなるように、機械的な研削あるいは研磨により、第1素子電極12aの下面及び第2素子電極12bの下面を露出させる。そのため、露出工程S15bの後に、研削くずあるいは研磨くずを除去する洗浄工程を行うことが好ましい。
続いて、個片化工程S17bが行われる。個片化工程S17bでは、支持体Bdを除去した場合、被覆部材30を切断することで個片化される。個片化工程S17bでは、発光装置100Aの大きさに対応した大きさに被覆部材30が個片化される。
また、発光素子の平面視形状は、波長変換部材13の形状に対応して変えることとしてもよい。
る金型を、平板状の波長変換部材に押し付ける部分的な押圧によって溝部を形成してもよい。そのほか、波長変換部材に、エッチング、機械加工等によって溝部を形成してもよい。
そして、発光素子を波長変換部材に導光部材を介して接合する場合、以下のような手順としてもよい。すなわち、導光部材は、はじめに波長変換部材の下面において各辺に沿って形成した溝部内に盛り上がるようにして充填して硬化させる。つまり、波長変換部材の溝部内に充填した導光部材を波長変換部材の下面となる平坦面よりも盛り上がるように枠状に形成し、その後、その枠内に導光部材を形成する未硬化の樹脂部材を滴下して発光素子の上面を接合するようにしてもよい。このように導光部材を2段階で付与することにより、溝部に沿って配置され、硬化された導光部材を、未硬化の導光部材の流出を抑制するダムとして機能させることができる。
10a 発光素子の上面
10b 発光素子の側面
10c 発光素子の下面
11 素子本体
12a 第1素子電極
12b 第2素子電極
13、13A、13B、131、132 波長変換部材
13a 波長変換部材の上面
13b 波長変換部材の側面
13c 波長変換部材の下面
14,14A,14B,14C,14D,140,140D,140E 溝部
14a,14A1,14B1,140C11 中央溝部
14b,14A2,14B2,140C12 交差部
14c,14A3,14B3,140C13 延伸部
20 導光部材
21 第1部分
22 第2部分
23 第3部分
30 被覆部材
40 基板
100A 発光装置
130 平板状部材
140C1 凹部
140C2 間隔
14d1 溝側面
14d2 溝側面
Bd 支持体
N ノズル
Rg 樹脂部材(導光部材)
S11 準備工程
S12,S12b 支持工程
S13,S13b 接合工程
S14,14a,S14b 被覆部材形成工程
S15,S15a,S15b 露出工程
S16,S16b 支持体除去工程
S17,17b 個片化工程
Claims (15)
- 上面および側面を有する発光素子と、
平面視において多角形に形成され、前記発光素子の上面に下面を対面させて設けられる波長変換部材と、
前記発光素子の側面の少なくとも一部を覆う導光部材と、
前記波長変換部材の側面及び前記導光部材を覆う被覆部材と、を備え、
前記波長変換部材の下面は、前記発光素子の上面を囲む溝部を有し、
前記溝部は、前記多角形の各辺に沿って形成されると共に、隣り合う溝部と交差して前記下面において外縁まで延伸し、
前記導光部材は、前記溝部の内部を被覆する発光装置。 - 前記発光素子の上面と前記波長変換部材の下面とは前記導光部材を介して接合される請求項1に記載の発光装置。
- 前記溝部の溝幅方向における断面視形状は、溝中心に対して左右対称である請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 前記溝部の溝幅方向における断面視形状は、溝中心に対して左右非対称である請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 前記発光素子を囲む位置の溝部の形状は、前記発光素子の上面の形状に相似の形状である請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記溝部は、略同じ溝幅に形成されている請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記溝部は、前記発光素子の側面が溝開口に対向する位置あるいは溝開口よりも内側になるように形成されている請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記溝部は、前記発光素子の外縁に沿って設けられている請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記溝部で囲まれる領域に前記発光素子が複数設けられる請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は、平面視において四角形であり、前記四角形の各辺に沿って形成された前記溝部で囲まれる領域を2分する中央分割溝部をさらに備え、前記中央分割溝部で2分されたそれぞれの領域に前記発光素子の上面が前記導光部材を介して接合される請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の発光装置。
- 平板状部材を個片化して、平面視において多角形に形成すると共に下面の各辺に沿って外縁まで延伸する溝部を有する波長変換部材を準備する準備工程と、
前記溝部により囲まれる前記波長変換部材の下面の領域に発光素子の上面を導光部材により接合すると共に前記溝部内に前記導光部材を配置する接合工程と、を含む発光装置の製造方法。 - 前記接合工程の前に、前記波長変換部材の上面を支持体に支持する支持工程を行い、
前記接合工程の後に、
前記発光素子を覆うと共に前記波長変換部材を覆う被覆部材を形成する被覆部材形成工程と、
前記被覆部材の一部を除去して前記発光素子の素子電極を露出させる露出工程と、
をさらに含む請求項11に記載の発光装置の製造方法。 - 前記接合工程の後に、
前記発光素子を覆うと共に前記波長変換部材を覆う被覆部材を形成する被覆部材形成工程と、
前記被覆部材の一部を除去して前記波長変換部材の上面を露出させる露出工程と、をさらに含む請求項11に記載の発光装置の製造方法。 - 前記接合工程の後に、
前記波長変換部材の上面を露出し、前記発光素子と前記波長変換部材の側面を覆う被覆部材を形成する被覆部材形成工程をさらに含む請求項11に記載の発光装置の製造方法。 - 前記発光素子は複数が前記波長変換部材の下面の領域に設けられる請求項11に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019195067A JP7401743B2 (ja) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019195067A JP7401743B2 (ja) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021068856A JP2021068856A (ja) | 2021-04-30 |
JP7401743B2 true JP7401743B2 (ja) | 2023-12-20 |
Family
ID=75637533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019195067A Active JP7401743B2 (ja) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7401743B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015012081A (ja) | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US20160190406A1 (en) | 2014-12-24 | 2016-06-30 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP2017050359A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018190771A (ja) | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2019102565A (ja) | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2019165122A (ja) | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140099073A (ko) * | 2013-02-01 | 2014-08-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015012081A (ja) | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US20160190406A1 (en) | 2014-12-24 | 2016-06-30 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP2017050359A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018190771A (ja) | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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JP2019165122A (ja) | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
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