CN102738362A - 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法。反射树脂片是用于将反射树脂层设置在发光二极管元件的侧方的反射树脂片。该反射树脂片包括离型基材及设在离型基材的厚度方向一侧面上的反射树脂层。反射树脂层以能够与发光二极管元件密合的方式与发光二极管元件相对应地形成。

Description

反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法，详细来说，本发明涉及发光二极管装置的制造方法、该发光二极管装置的制造方法所使用的反射树脂片、及利用发光二极管装置的制造方法获得的发光二极管装置。
背景技术
近年来，作为能够发出高能量的光的发光装置，公知有白色发光装置。在白色发光装置中例如设有二极管基板、层叠在该二极管基板上并发出蓝色光的LED(发光二极管)、能够将蓝色光改变为黄色光并覆盖LED的荧光体层、密封LED的密封层。上述白色发光装置通过使从被密封层密封并自二极管基板供电的LED发出的、透过了密封层及荧光体层的蓝色光与在荧光体层中改变一部分蓝色光的波长而得到的黄色光混合，从而发出高能量的白色光。
作为制造上述白色发光装置的方法，例如，提出了下述方法(例如，参照日本特开2005-191420号公报)。
即，首先，形成由基板部与从该基板部的周部向上侧突出的白色的反射框部构成的基体，接下来，与反射框部的内侧隔开间隔地将半导体发光元件引线接合于基板部的中央处的由反射框部形成的凹部的底部。
接下来，提出了下述方法，即，通过涂敷而将荧光体与液体状的环氧树脂的混合物填充到凹部中，接着，使荧光体自然沉降到凹部的底部，之后，使环氧树脂加热固化。
在利用日本特开2005-191420号公报所提出的方法获得的白色发光装置中，高浓度地含有由沉降形成的荧光体的荧光体层(波长改变层)被划分为半导体发光元件的上侧区域，高浓度地含有环氧树脂的密封部被划分为荧光体层的上侧区域。
而且，在该白色发光装置中，光半导体发光元件呈放射状发出蓝色光，其中，从光半导体发光元件朝向上方发出的蓝色光的一部分在荧光体层处被改变为黄色光，并且剩余部分的蓝色光通过荧光体层。此外，从光半导体发光元件朝向侧向发出的蓝色光被反射框部反射，接着，朝向上侧照射。于是，日本特开2005-191420号公报的白色发光装置通过上述蓝色光及黄色光的混色来发出白色光。
然而，在利用日本特开2005-191420号公报的制造方法获得的白色发光装置中，由于隔开间隔地配置光半导体发光元件与反射框部，因此从光半导体发光元件朝向侧向发出的光的一部分在被反射框部反射之前被密封部吸收。其结果，存在降低了光的取出效率这样的不良情况。
发明内容
本发明的目的在于提供能够提高光的取出效率的发光二极管装置、该发光二极管装置的制造方法及该发光二极管装置的的制造方法所使用的反射树脂片。
本发明的反射树脂片是用于将反射树脂层设置在发光二极管元件的侧方的反射树脂片，其包括离型基材及设在上述离型基材的厚度方向一侧面上的上述反射树脂层，上述反射树脂层以能够与上述发光二极管元件密合的方式与上述发光二极管元件相对应地形成。
此外，在本发明的反射树脂片中，优选在上述离型基材的上述厚度方向一侧面上，设有上述反射树脂层的部分朝向上述厚度方向另一侧凹陷。
此外，本发明的反射树脂片的制造方法的特征在于，该制造方法包括：通过在离型基材的厚度方向一侧面上设置反射树脂层来准备上述反射树脂片的工序；在二极管基板的厚度方向一侧面上设置发光二极管元件的工序；以使上述反射树脂层与上述发光二极管元件的侧表面密合的方式在上述二极管基板上层叠上述反射树脂片的工序。
此外，在本发明的发光二极管装置的制造方法中，在将上述反射树脂片层叠到上述二极管基板上的工序中，优选使上述离型基材中的从上述反射树脂层暴露出的暴露部与上述发光二极管元件的厚度方向一侧面密合。
此外，在本发明的发光二极管装置的制造方法中，优选准备上述反射树脂片的工序包括：将形成有图案的掩模以使覆盖部与上述暴露部相对的方式配置在上述离型基材的上述厚度方向一侧的工序，其中，该图案包括以与上述暴露部相对应的方式彼此隔开间隔地配置的多个覆盖部和用于架设各个上述覆盖部的架设部；隔着上述掩模将用于形成上述反射树脂层的反射树脂组成物涂敷在上述离型基材上、从而以上述覆盖部的相反图案形成上述反射树脂层的工序；除去上述掩模的工序。
此外，本发明的发光二极管装置的制造方法的特征在于，该制造方法包括：将发光二极管元件设置到基材的厚度方向一侧面上的工序；在上述基材的厚度方向一侧面上，将反射树脂层设在上述发光二极管元件的侧方的工序；通过使形成有与上述反射树脂层相对应地向厚度方向另一侧凹陷的凹部的按压构件的上述凹部按压上述反射树脂层、从而使上述反射树脂层与上述发光二极管元件的侧表面密合的工序。
此外，在本发明的发光二极管装置的制造方法中，优选设置上述反射树脂层的工序包括：将形成有图案的掩模以使覆盖部与上述发光二极管元件相对的方式配置在上述基材的上述厚度方向一侧的工序，其中，该图案包括以与上述发光二极管元件相对应的方式彼此隔开间隔地配置的多个覆盖部和用于架设各个上述覆盖部的架设部；隔着上述掩模向上述基材涂覆用于形成上述反射树脂层的反射树脂组成物、从而以上述覆盖部的相反图案形成上述反射树脂层的工序；除去上述掩模的工序。
此外，本发明的发光二极管装置的特征在于，该发光二极管装置包括：二极管基板；设在上述二极管基板的厚度方向一侧面上的发光二极管元件；与上述发光二极管元件的侧表面密合的反射树脂层。
此外，在本发明的发光二极管装置中，优选上述反射树脂层形成得比上述发光二极管元件的厚度厚。
此外，优选本发明的发光二极管装置还包括形成在上述发光二极管元件的上述厚度方向一侧面上的荧光体层。
若采用使用了本发明的反射树脂片的本发明的发光二极管装置的制造方法，则以使反射树脂层与发光二极管元件的侧表面密合的方式将反射树脂片层叠在二极管基板上。
因此，在由上述方法获得的本发明的发光二极管装置中，自发光二极管元件发出的光在被其它构件吸收之前被反射树脂层反射。
其结果，能够提高光取出效率。
附图说明
图1表示本发明的发光二极管装置的一实施方式的俯视图。
图2是用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的一实施方式的制造工序图，
图2的(a)表示准备反射树脂片的工序，
图2的(b)表示将反射树脂片配置在二极管基板之上的工序，
图2的(c)表示使暴露部与发光二极管元件的上表面接触的工序。
图3是接着图2来说明本发明的发光二极管装置的制造方法的一实施方式的制造工序图，
图3的(d)表示按压反射树脂片的工序，
图3的(e)表示剥下第1离型基材的工序，
图3的(f)表示形成荧光体层的工序。
图4是用于说明准备图2的(a)的反射树脂片的工序的制造工序图，
图4的(a)表示准备第1离型基材的工序，
图4的(b)表示将掩模配置在第1离型基材上的工序，
图4的(c)表示借助掩模将反射树脂组成物涂敷到第1离型基材上、接着除去掩模的工序。
图5表示以图4的(b)的工序配置的掩模的俯视图。
图6是用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的其它实施方式(在第1离型基材上设置凹部的技术方案)的制造工序图，
图6的(a)表示将反射树脂层设在第1离型基材的凹部的工序，
图6的(b)表示将反射树脂片配置在二极管基板之上的工序，
图6的(c)表示将反射树脂片层叠并按压在二极管基板上的工序。
图7是接着图6来说明本发明的发光二极管装置的制造方法的其它实施方式(在第1离型基材上设置凹部的技术方案)的制造工序图，
图7的(d)表示剥下第1离型基材的工序，
图7的(e)表示形成荧光体层的工序。
图8是用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的其它实施方式(将反射树脂层直接设在二极管基板上的技术方案)的制造工序图，
图8的(a)表示将发光二极管元件设在二极管基板上的工序，
图8的(b)表示将反射树脂层设在二极管基板上的工序，
图8的(c)表示利用按压板按压反射树脂层的工序。
图9是接着图8来说明本发明的发光二极管装置的制造方法的其它实施方式(将反射树脂层直接设在二极管基板上的技术方案)的制造工序图，
图9的(d)表示除去按压板的工序，
图9的(e)表示设置荧光体层的工序。
具体实施方式
图1表示本发明的发光二极管装置的一实施方式的俯视图，图2及图3表示用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的一实施方式的制造工序图，图4表示用于说明准备图2的(a)的反射树脂片的工序的制造工序图，图5表示以图4的(b)的工序配置的掩模的俯视图。
在图1及图3的(f)中，该发光二极管装置1包括：二极管基板2、倒装安装在二极管基板2上的发光二极管元件3、设在发光二极管元件3的侧方的反射树脂层4、设在发光二极管元件3之上(厚度方向一侧)的荧光体层5。
此外，发光二极管装置1在面方向(具体来说为图3的(f)中的纸面左右方向及纸面上下方向)上彼此隔开间隔地设有多个。
二极管基板2呈大致平板状，具体来说，二极管基板2是由在绝缘基板上层叠有作为电路图案的导体层而成的层叠板形成的。绝缘基板例如由硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板等构成，优选由陶瓷基板、具体来说为蓝宝石(Al2O3)基板构成。导体层例如由金、铜、银、镍等导体形成。上述导体能够单独使用或者组合使用。
此外，导体层含有端子6。
端子6在面方向上隔开间隔地形成在绝缘基板的上表面上，形成为与后述的电极部8相对应的图案。此外，虽未图示，端子6经由导体层与电力供给部电连接。
发光二极管元件3设在二极管基板2的上表面(厚度方向一侧面)上，形成为俯视大致矩形状。此外，在一个二极管基板2的上表面上，在面方向上彼此隔开间隔地设有多个发光二极管元件3。
发光二极管元件3包括光半导体层7及形成在该光半导体层7的下表面上的电极部8。
光半导体层7形成为与发光二极管元件3的外形形状相对应的俯视大致矩形状，此外，该光半导体层7形成为在面方向上较长的剖视大致矩形状。
虽未图示，光半导体层7例如包括在厚度方向上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层。光半导体层7由公知的半导体材料形成，利用外延生长法等公知的生长法形成。光半导体层7的厚度例如为0.1μm～500μm，优选为0.2μm～200μm。
电极部8与光半导体层7电连接，该电极部8在向厚度方向投影时被包含于光半导体层7。此外，电极部8例如包括与P型半导体层相连接的正极电极和形成在N型半导体层上的负极电极。
电极部8由公知的导体材料形成，其厚度例如为10nm～1000nm。
在二极管基板2的上表面上，反射树脂层4俯视看来形成在形成有发光二极管元件3的区域(基板侧二极管区域)9以外的区域(基板侧反射区域)10中。
基板侧反射区域10是在基板侧二极管区域9的周围被基板侧二极管区域9划分到该基板侧二极管区域9的外侧的区域，该基板侧反射区域10由沿前后方向延伸的区域与沿左右方向延伸的区域构成，上述区域形成为彼此正交(交叉)的、俯视大致网格状。
反射树脂层4设在发光二极管元件3的外侧，具体来说，其设在各个发光二极管元件3的左右方向两外侧及前后方向两外侧。
而且，如图3的(f)所示，反射树脂层4密合在发光二极管元件3的外侧表面上，具体来说，该反射树脂层4密合在各个发光二极管元件3的左表面、右表面、前表面(参照图1)及后表面(参照图1)的各表面上。由此，反射树脂层4使发光二极管元件3的上表面暴露出。
此外，如图1所示，反射树脂层4连续地形成为一体，由此，例如，如图3的(f)所示，反射树脂层4的左端部与配置在反射树脂层4的左侧的发光二极管元件3A的右端面密合，并且反射树脂层4的右端部与配置在反射树脂层4的右侧的发光二极管元件3B的左端面密合，该反射树脂层4形成于沿左右方向隔开间隔地配置的两个发光二极管元件3(3A及3B)之间。此外，参照图1，形成于沿前后方向隔开间隔地配置的两个发光二极管元件3之间的反射树脂层4也与上述内容相同地分别与发光二极管元件3的前表面及后表面密合，具体来说，反射树脂层4的前端部与配置在该反射树脂层4的前侧的发光二极管元件3的后表面密合，反射树脂层4的后端部与配置在该反射树脂层4的后侧的发光二极管元件3的前表面密合。
此外，如图3的(f)所示，在反射树脂层4的上表面上形成有树脂凹部11，该树脂凹部11是由后述的反射树脂片13的按压(参照图3的(d)的箭头)形成的。
也就是说，在反射树脂层4中，树脂凹部11的上表面形成为平坦状，形成在发光二极管元件3的周端部的部分形成得比树脂凹部11高。
上述反射树脂层4例如含有光反射成分，具体来说，反射树脂层4由含有树脂、光反射成分的反射树脂组成物形成。
作为树脂，例如列举出热固化性有机硅树脂、环氧树脂、热固化性聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、脲醛树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙基酯树脂、热固化性聚氨酯树脂等热固化性树脂，优选列举出热固化性有机硅树脂、环氧树脂。
光反射成分例如为白色的化合物，作为上述白色的化合物，具体来说，列举出白色颜料。
作为白色颜料，例如列举出白色无机颜料，作为上述白色无机颜料，例如列举出氧化钛、氧化锌、氧化锆等氧化物，例如列举出铅白(碱式碳酸铅)、碳酸钙等碳酸盐，例如列举出高岭土(高岭石)等黏土矿物等。
作为白色无机颜料，优选列举出氧化物，进一步优选列举出氧化钛。
若采用氧化钛，能够获得较高的白度、较高的光反射性、优良的遮盖性(遮盖力)、优良的着色性(着色能力)、较高的分散性、优良的耐候性、较高的化学稳定性等特性。
上述氧化钛具体来说为TiO2(氧化钛(IV)，二氧化钛)。
氧化钛的晶体构造没有特别限定，例如为金红石、板钛矿(板钛石)、锐钛矿(anatase)等，优选为金红石。
此外，氧化钛的晶系没有特别限定，例如为四方晶系、斜方晶系等，优选为四方晶系。
若氧化钛的晶体构造及晶系是金红石及四方晶系，则即使在使密封树脂层4长时间处于高温的情况下，也能够有效地防止对光(具体来说，可见光，特别是波长450nm附近的光)的反射率降低。
光反射成分为颗粒状，但是并不限定于该形状，例如列举出球状、板状、针状等。光反射成分的最大长度的平均值(在为球状的情况下为其平均粒径)例如为1nm～1000nm。最大长度的平均值是使用激光衍射散射式粒度分布仪测定的。
光反射成分的配合比例相对于100质量份的树脂例如为0.5质量份～90质量份，从着色性、光反射性及反射树脂组成物的处理性的观点来说，优选为1.5质量份～70质量份。
上述光反射成分均匀地分散混合到树脂中。
此外，也能够在反射树脂组成物中进一步添加填充剂。也就是说，能够组合使用填充剂与光反射成分(具体来说为白色颜料)。
作为填充剂，除上述的白色颜料之外，可以列举出公知的填充剂，具体来说，列举出无机填充剂，作为上述无机填充剂例如列举出二氧化硅粉末、滑石粉末、氧化铝粉末、氮化铝粉末、氮化硅粉末等。
作为填充剂，从降低反射树脂层4的线膨胀率的观点来说，优选列举出二氧化硅粉末。
作为二氧化硅粉末，例如列举出熔融二氧化硅粉末、晶体二氧化硅粉末等，优选列举出熔融二氧化硅粉末(即，石英玻璃粉末)。
作为填充剂的形状，例如列举出球状、板状、针状等。从优良的填充性及流动性的观点来说，优选列举出球状。
从而，作为二氧化硅粉末，优选列举出球状熔融二氧化硅粉末。
填充剂的最大长度的平均值(在为球状的情况下为平均粒径)例如为5μm～60μm，优选为15μm～45μm。最大长度的平均值是用激光衍射散射式粒度分布仪测定的。
调整填充剂的添加比例，使得填充剂及光反射成分的总量例如相对于100质量份的树脂为10质量份～80质量份，从降低线膨胀率及确保流动性的观点来说，调整填充剂的添加比例，使得填充剂及光反射成分的总量相对于100质量份的树脂优选为25质量份～75质量份，进一步优选为40质量份～60质量份。
反射树脂组成物是通过配合上述树脂、光反射成分、根据需要添加的填充剂并使其均匀混合来制备的。
此外，反射树脂组成物是以B阶段状态制备的。
上述反射树脂组成物例如形成为液体状或者半固体状，其运动粘度例如为10mm2/s～30mm2/s。
如上所述，发光元件3的外侧面被反射树脂层4密封。
此外，在光半导体层7的下侧形成有与电极部8的厚度相对应的下部间隙12(参照图2的(b))，在该下部间隙12中填充有反射树脂层4，该反射树脂层4也与自电极部8暴露出的光半导体层7的下表面及电极部8的侧表面密合。
如图3的(f)所示，反射树脂层4的端部的厚度T1与上述发光二极管元件3的厚度(光半导体层7及电极部8的总厚度)相同。此外，反射树脂层4的中央部的厚度T2相对于端部的厚度T1例如为50％以上，优选为90％以上，进一步优选为95％以上，通常不足100％，具体来说，例如为10μm～500μm，优选为15μm～500μm。
荧光体层5形成在发光二极管元件3的整个上表面(厚度方向一侧面)上，在向厚度方向投影时，该荧光体层5形成为与发光二极管元件3的外形形状相同的图案。
荧光体层5例如由含有荧光体的荧光体组成物形成。
优选荧光体组成物含有荧光体及树脂。
作为荧光体，例如列举出能够将蓝色光改变为黄色光的黄色荧光体。作为上述荧光体，例如列举出在复合金属氧化物、金属硫化物等中例如掺杂有铈(Ce)、铕(Eu)等金属原子的荧光体。
具体来说，作为荧光体，例如列举出具有Y3Al5O12:Ce(YAG(钇铝石榴石):Ce)、(Y，Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2(Si，Ge)3O12:Ce等石榴石型晶体构造的石榴石型荧光体，例如(Sr，Ba)2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Eu等硅酸盐荧光体，例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等铝酸盐荧光体，例如ZnS:Cu，Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu等硫化物荧光体，例如CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体，例如CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu等氮化物荧光体，例如K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mn等氟化物系荧光体等。优选列举出石榴石型荧光体，进一步优选列举出Y3Al5O12:Ce(YAG)。
荧光体能够单独使用或者两种以上组合使用。
对于荧光体的配合比例，例如相对于荧光体组成物、例如为1质量％～50质量％，优选为5质量％～30质量％。此外，荧光体相对于100质量份的树脂的配合比例例如为1质量份～100质量份，优选为5质量份～40质量份。
树脂是使荧光体分散的基体，例如列举出有机硅树脂、环氧树脂、丙烯树脂等透明树脂等。从耐久性的观点来说，优选列举出有机硅树脂。
有机硅树脂主要在分子内具有由硅氧烷键(-Si-O-Si-)构成的主链和与主链的硅原子(Si)相结合的、由烷基(例如甲基等)或者烷氧基(例如甲氧基)等有机基构成的侧链。
具体来说，作为有机硅树脂，例如列举出脱水缩合型有机硅树脂、加成反应型有机硅树脂、过氧化物固化型有机硅树脂、潮气固化型有机硅树脂、固化型有机硅树脂等。优选列举出加成反应型有机硅树脂等。
有机硅树脂的25℃时的运动粘度例如为10mm2/s～30mm2/s。
树脂能够单独使用或者两种以上组合使用。
树脂的配合比例相对于荧光体组成物例如为50质量％～99质量％，优选为70质量％～95质量％。
荧光体组成物是通过以上述配合比例配合荧光体及树脂并进行搅拌混合来制备的。
接下来，参照图2～图5对制造上述发光二极管装置1的方法进行说明。
在该方法中，首先，如图2的(a)所示，准备反射树脂片13。
反射树脂片13是用于将反射树脂层4设置在发光二极管元件3的侧方的转印片。反射树脂片13以与上述发光二极管元件3相对应的方式形成为能够在后述的按压(图3的(d))下与发光二极管元件3密合的图案。
反射树脂片13包括作为离型基材的第1离型基材14、设在该第1离型基材14的上表面(厚度方向一侧面)上的反射树脂层4。
能够通过将反射树脂层4设在第1离型基材14的上表面上来获得上述反射树脂片13。
为了将反射树脂层4设在第1离型基材14的上表面上，首先，如图4的(a)所示，准备第1离型基材14。
第1离型基材14例如是大致矩形状的离型片(离型薄膜)，其上表面及下表面形成为平坦状。
第1离型基材14由例如聚烯烃(具体来说为聚乙烯、聚丙烯)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等乙烯共聚物、例如聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯等聚酯、例如聚四氟乙烯等氟树脂等树脂材料等形成。此外，第1离型基材14例如也能够由铁、铝、不锈钢等金属材料等形成。
此外，第1离型基材14也能够由热剥离片形成，该热剥离片能够利用加热容易自反射树脂层4剥离。如图4的(a)的虚拟线所示，热剥离片例如包括支承层15、层叠在支承层15的上表面上的粘合层16。
支承层15例如由聚酯等耐热性树脂形成。
粘合层16例如由在常温(25℃)下具有粘合性、在加热时粘合性降低(或者丧失粘合性)的热膨胀性粘合剂等形成。
作为上述热剥离片，能够使用市面上销售的商品，具体来说，能够使用リバアルフア(REVALPHA)系(注册商标，日东电工株式会社制)等。
热剥离片利用支承层15隔着粘合层16可靠地支承反射树脂层4，并且基于之后的加热及热膨胀所导致的粘合层16的粘合性下降，自反射树脂层4剥离。
第1离型基材14的厚度例如为10μm～1000μm。
接下来，如图4的(b)所示，将掩模20配置在第1离型基材14之上(厚度方向一侧)。
如图5所示，掩模20形成为一体地具有框部17、隔开间隔配置在框部17的面方向内侧的覆盖部18、用于架设框部17及覆盖部18的架设部19的图案。
框部17形成为俯视大致矩形框状。此外，框部17以能够借助架设部19支承覆盖部18的宽度(能够确保强度的宽度)形成。
与上述发光二极管元件3(参照图1)相对应地彼此隔开间隔地配置有多个覆盖部18。也就是说，各个覆盖部18独立地形成。
各个覆盖部18形成为俯视看来其外形形状稍微大于发光二极管元件3的外形形状的相似形状(具体来说为俯视大致矩形状)。此外，覆盖部18的最大长度L1为L2(发光二极管元件3的最大长度)+0.22mm以下，优选为L2+0.15mm以下，通常例如为L2以上，具体来说，例如为0.3mm～3mm，优选为0.42mm～2.1mm。
架设部19用于架设框部17及覆盖部18，并且用于对在面方向上相邻接的覆盖部18彼此进行架设。各个架设部19呈俯视大致X字状，各个架设部19以例如将面方向上相邻接的四个覆盖部18(18A、18B、18C及18D)的左右方向端部及前后方向端部连接起来的方式架设。
此外，架设部19例如由电线等线状构件构成，该架设部19以显著窄于覆盖部18的最大长度L1的宽度形成，具体来说，例如该宽度为100μm以下，优选为50μm以下，通常，例如为25μm以上。
掩模20由例如不锈钢、铁等金属材料、例如聚对苯二甲酸乙二酯等树脂材料形成。优选由金属材料形成。
掩模20例如通过蚀刻、激光加工等公知的图案形成法而形成为上述图案。
掩模20的厚度例如为20μm～500μm。
如图4的(b)所示，以使覆盖部18和在第1离型基材14的上表面上与基板侧二极管区域9(参照图2的(b))相对应的区域(离型基材侧二极管区域21)在厚度方向上相对配置的方式将上述掩模20配置(载置)在第1离型基材14的上表面上。此外，覆盖部18以在俯视看来其周端部包围离型基材侧二极管区域21的方式与离型基材侧二极管区域21相对配置。
接下来，在该方法中，如图4的(c)所示，借助掩模20在第1离型基材14之上涂敷反射树脂组成物。
在反射树脂组成物的涂敷过程中，例如使用印刷、分配器(dispenser)等的涂敷方法。
由此，在第1离型基材14的上表面上以掩模20的相反图案形成由反射树脂组成物构成的反射皮膜22。此外，反射皮膜22也形成在掩模20的上表面上。
接下来，如图4的(c)的虚拟线的箭头所示，从第1离型基材14除去掩模20。具体来说，向上方提起掩模20。
通过向上方提起掩模20，从而除去被形成在覆盖部18的上表面上的反射皮膜22。
此外，通过提起上述掩模20，使得架设部19(参照图5)的周围的反射皮膜22(具体来说为形成在架设部19的侧表面上的反射树脂组成物)稍微流动，由此，不会使配置有架设部19的区域暴露出，配置有架设部19的区域被反射皮膜22覆盖(填充)。
由此，如图2的(a)所示，以覆盖部18(参照图5)的相反图案(参照图2的(b))形成反射皮膜22。也就是说，反射皮膜22在第1离型基材14的上表面上形成在与基板侧反射区域10相对应的区域(离型基材侧反射区域)23上。
然后，通过加热(后述)上述图案的反射皮膜22，从而获得上述图案的B阶段状态的反射树脂层4。
反射树脂层4形成为下述图案，即，参照后述的图2的(b)，使反射树脂片13上下翻转，在翻转的反射树脂片13与二极管基板2相对配置时，自反射树脂层4暴露出的第1离型基材14的下表面(暴露部25)在向厚度方向投影时包含发光二极管元件3。更具体来说，参照后述的图2的(c)，反射树脂层4形成为在将接下来说明的反射树脂片13层叠在二极管基板2上时与二极管基板2接触的图案。
由此，获得包括反射树脂层4及第1离型基材14的反射树脂片13。
另一方面，在该方法中，如图2的(b)的下部所示，将发光二极管元件3设在二极管基板2的上表面(厚度方向一侧面)上。
具体来说，电极部8与端子6电连接起来，将发光二极管元件3倒装片安装(倒装片安装也称为倒装安装)在二极管基板2上。
接下来，在该方法中，如图2的(b)所示，将反射树脂片13相对配置在二极管基板2的上方。
具体来说，首先，使反射树脂片13自图2的(a)的状态上下翻转，接着，与二极管基板2的上表面的基板侧反射区域10相对地配置反射树脂层4。
此外，将缓冲片26设在第1离型基材14的上表面上。
缓冲片26是用于在接下来说明的按压(参照图3的(d)的箭头)中缓冲按压力的片(垫片)，该缓冲片通过缓冲使得该按压力不会不均匀地施加于发光二极管元件3，该缓冲片26例如由弹性片(薄膜)等形成。
作为形成缓冲片26的缓冲材料，利用与形成上述第1离型基材的树脂材料相同的树脂材料形成该缓冲片26，优选由乙烯聚合物形成，进一步优选由EVA形成。
缓冲片26的厚度例如为0.01mm～1mm，优选为0.05mm～0.2mm。
接下来，在该方法中，如图2的(c)及图3的(d)所示，将反射树脂片13层叠在二极管基板2上。
即，首先，如图2的(c)所示，使反射树脂层4的下表面与二极管基板2的基板侧反射区域10接触，并且使暴露部25与发光二极管元件3的上表面接触。
也就是说，将反射树脂层4及发光二极管元件3在厚度方向上共同夹在第1离型基材14及二极管基板2之间。
此外，在进行上述的接触时，在面方向上的反射树脂层4与发光二极管元件3之间形成有微小的侧部间隙27。侧部间隙27形成为在面方向上稍微隔开反射树脂层4与发光二极管元件3的空间。
接下来，如图3的(d)的箭头所示，朝向下方按压反射树脂片13。
具体来说，例如，利用压力机等隔着缓冲片26将反射树脂片13按压于二极管基板2。
压力例如为0.01MPa～7MPa，优选为0.05MPa～4MPa。
此外，可以根据需要一边加热一边实施上述按压，也就是说，也能够进行热压(具体来说，利用热板进行按压的热压等)。
加热温度例如为25℃～140℃。
由此，第1离型基材14的暴露部25与发光二极管元件3的上表面(厚度方向一侧面)密合。
与此同时，反射树脂层4向侧向、具体来说向面方向外方(左侧方向、右侧方向、前侧方向及后侧方向)流动。因此，侧部间隙27(参照图2的(c))被反射树脂层4填充。此外，下部间隙12(参照图2的(c))也被反射树脂层4填充。
由此，反射树脂层4与发光二极管元件3的侧表面(左表面、右表面、前表面及后表面)密合。
此外，树脂凹部11形成在反射树脂层4上。
接下来，如图3的(e)所示，从反射树脂层4及发光二极管元件3剥下第1离型基材14。一同除去第1离型基材14与缓冲片26。
由此，将反射树脂层4从第1离型基材14转印到二极管基板2上。
之后，加热B阶段状的反射树脂层4并使其固化。
加热温度例如为40℃～150℃，优选为50℃～140℃，加热时间例如为1分钟～60分钟，优选为3分钟～20分钟。
接下来，如图3的(f)所示，将荧光体层5设在发光二极管元件3的上表面上。
为了设置荧光体层5，例如，首先，在发光二极管元件3的上表面上将上述荧光体组成物涂敷为上述图案，从而形成荧光体皮膜(未图示)。
之后，通过例如将荧光体皮膜加热成50℃～150℃并使其干燥，从而使荧光体皮膜形成为上述图案。
由此，作为聚合体片获得了发光二极管装置1，该发光二极管装置1包括二极管基板2、倒装安装在二极管基板2上的发光二极管元件3、与发光二极管元件3的侧表面密合的反射树脂层4、设在发光二极管元件3的上表面上的荧光体层5。
之后，如图3的(f)的单点划线所示，对各个发光二极管元件3之间的反射树脂层4及形成在该反射树脂层4之下的二极管基板2进行切断(切割)加工。也就是说，沿厚度方向切割反射树脂层4及二极管基板2，切分出多个发光二极管元件3。即，使发光二极管元件3个体化(单片化)。
并且，采用上述方法，如图3的(d)所示，将反射树脂片13以反射树脂层4与发光二极管元件3的侧表面密合的方式层叠在二极管基板2上。
因此，在由上述方法获得的发光二极管装置1中，从发光二极管元件3发出的光在被其它构件吸收之前被反射树脂层4反射。
其结果，能够提高光取出效率。
另外，在图3的(d)的实施方式中，使第1离型基材14的暴露部25与发光二极管元件3的上表面密合，因此可以防止反射树脂层4进入到发光二极管元件3的上表面上(流入的情况)。因此，如图3的(f)所示，能够将荧光体层5直接层叠在发光二极管元件3的上表面上。
其结果，能够可靠地防止自发光二极管元件3朝向上方发出的光被反射树脂层4反射到下方及/或侧方，利用荧光体层5有效地对上述光进行波长转换，提高光的取出效率。
虽然在图4的(b)及图4的(c)的实施方式中，使用掩模20形成反射树脂层4(参照图2的(a))，但是例如在树脂为粉末状的热固化性树脂的情况下，参照图2的(a)，也能够通过利用压缩成形机对树脂组成物进行加热及压缩成形来使其固化，在该反射树脂层4形成在第1离型基材14的整个上表面上之后，利用蚀刻等使其形成为上述图案。
另一方面，若使用掩模20形成反射树脂层4，由于能够在提起掩模20时作为原料回收附着在掩模20的上表面上的反射树脂组成物，因此能够提高反射树脂组成物的成品率。
此外，在图2的(b)～图3的(f)的实施方式中，虽然将发光二极管元件3预先倒装安装在二极管基板2上，将反射树脂层4转印到该二极管基板2上，但是，例如也能够参照图2的(b)～图3的(f)的括号表示的附图标记33，代替二极管基板2，首先准备第2离型基材33，在其上表面上设置发光二极管元件3，之后，在将反射树脂层4转印到第2离型基材33上后，将发光二极管元件3及反射树脂层4转印到另外准备的二极管基板2上。
在该情况下，第2离型基材33由与上述第1离型基材14相同的离型基材形成。
在上述情况下，参照图2的(b)的括号中的附图标记33，将反射树脂层4配置在第2离型基材33之上，参照图2的(c)及图3的(d)，使反射树脂片13与第2离型基材33相对配置，接着，通过按压使反射树脂层4与发光二极管元件3的侧表面密合。
之后，参照图3的(e)，自反射树脂层4(参照图3的(d))及发光二极管元件3剥下第1离型基材14，接下来，参照图3的(f)，将荧光体层5设在发光二极管元件3的上表面上。
接下来，如图3的(f)的单点划线所示，通过沿厚度方向切割反射树脂层4及第2离型基材33，从而使发光二极管元件3个体化(单片化)。
之后，如图3的(f)的虚拟线所示，自反射树脂层4及发光二极管元件3剥离第2离型基材33，接下来，参照图2的(b)的下部，将侧表面被反射树脂层4密合的发光二极管元件3倒装安装在二极管基板2上。
由此，获得发光二极管装置1。
利用使用第2离型基材33的实施方式，也能够获得与将发光二极管元件3预先倒装安装到二极管基板2上的实施方式相同的作用效果。
另外，在使用第2离型基材33的实施方式中，由于不需要将发光二极管元件3预先倒装安装在二极管基板2上，因此能够简便地使反射树脂层4与发光二极管元件3的侧表面密合。
另一方面，在二极管基板2上预先倒装安装发光二极管元件3的实施方式中，由于在使反射树脂层4与预先倒装安装于二极管基板2的发光二极管元件3的侧表面密合后，不需要另行将发光二极管元件3倒装安装在二极管基板2上，因此能够简便地制造发光二极管装置1。
此外，在图3的(d)的箭头所示的按压反射树脂片13的工序中，隔着缓冲片26将反射树脂片13按压于二极管基板2。然而，也能够不设置缓冲片26(参照图2的(c))就参照图3的(d)的括号中的附图标记28那样对反射树脂片13进行直接热压。
如图3的(d)所示，该热压是通过使用热板28来代替缓冲片26、并按压第1离型基材14来实施的。
在利用热板28按压第1离型基材14的实施方式中，不需要预先设置缓冲片26，因此，能够相应地简化制造工序。
另一方面，在隔着缓冲片26将反射树脂片13按压于二极管基板2的实施方式中，能够有效地防止发光二极管元件3的因按压力不均匀所引起的损伤。
图6及图7表示用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的其它实施方式(在第1离型基材上设有凹部的技术方案)的制造工序图。
此外，在之后的各个附图中，对与上述各部分相对应的构件标注相同的附图标记，省略其详细说明。
虽然在图3的(e)及图3的(f)的实施方式中，反射树脂层4以与发光二极管元件3相同的厚度或者薄于该发光二极管元件3的厚度形成，但是，例如，也能够如图7的(d)及图7的(e)所示，以厚于发光二极管元件3的厚度形成。
如图7的(d)及图7的(e)所示，在向面方向进行投影时，反射树脂层4以其上部29自发光二极管元件3朝向上方突出的方式形成。此外，对上部29的角进行倒角。
上部29的厚度为发光二极管元件3的厚度的例如100％～200％，优选为150％～200％，具体来说，该上部29的厚度例如为20μm～1000μm，优选为50μm～600μm。
荧光体层5以在发光二极管元件3之上填充到相邻的上部29之间的方式形成。
接下来，参照图6及图7对用于制造图7的(e)所示的发光二极管装置1的方法进行说明。
在该方法中，首先，如图6的(a)所示，形成反射树脂片13。
为了形成反射树脂片13，首先，准备第1离型基材14。
第1离型基材14以使离型基材侧反射区域23凹陷的方式形成。
具体来说，在第1离型基材14的上表面(厚度方向一侧面)上使离型基材侧反射区域23成为朝向下方(厚度方向另一侧)凹陷的凹部30，离型基材侧二极管区域21成为自凹部30的周端部向上方突出的突出部31(暴露部25)。
即，第1离型基材14形成为如下的凹凸形状：俯视大致网格状配置突出部31(与基板侧反射区域10相对应的区域，参照图1)、并利用突出部31包围凹部30(与基板侧二极管区域9相对应的区域，参照图1)。
第1离型基材14是例如利用压花加工等公知的成形加工来形成的。
接下来，如图6的(a)所示，按照与上述相同的方法，在第1离型基材14的上表面上设置反射树脂层4。
由此，形成反射树脂片13。
另一方面，如图6的(b)的下部所示，将发光二极管元件3倒装安装在二极管基板2上。接下来，使反射树脂片13相对配置于二极管基板2的上方。
接下来，如图6的(c)所示，将反射树脂片13层叠在二极管基板2上，接下来，将反射树脂片13按压(或者热压)于二极管基板2。
由于上述按压，反射树脂层4以与凹部30的形状相对应地对上部29的角进行倒角的方式形成。
接下来，如图7的(d)所示，从反射树脂层4及发光二极管元件3剥下第1离型基材14(参照图6的(c))，之后，如图7的(e)所示，在发光二极管元件3的上表面上将荧光体层5填充到相邻的上部29之间。
由此，获得发光二极管装置1。
图7的(e)所示的实施方式能够发挥与图3的(f)所示的实施方式相同的作用效果。
另外，在图7的(e)所示的实施方式中，由于反射树脂层4以厚于发光二极管元件3的方式形成，因此，能够利用反射树脂层4的上部29来使自发光二极管元件3朝向侧向倾斜上侧发出的光反射。
其结果，能够进一步提高光的取出效率。
图8及图9表示用于说明本发明的发光二极管装置的制造方法的其它实施方式(将反射树脂层直接设置在二极管基板上的技术方案)的制造工序图。
在图2、图3、图6及图7的实施方式中，虽然使用反射树脂片(转印片)13而将反射树脂层4转印到二极管基板2上，但是，例如，也能够如图8及图9所示，不使用反射树脂片(转印片)13而将反射树脂层4直接设置在二极管基板2上。
接下来，参照图8及图9对通过将反射树脂层4直接设置在二极管基板2上来获得发光二极管装置1的方法进行说明。
在该方法中，首先，如图8的(a)所示，将发光二极管元件3设在作为基材的二极管基板2的上表面(厚度方向一侧面)上。
接下来，如图8的(b)所示，在二极管基板2的上表面(厚度方向一侧面)上，将反射树脂层4设在发光二极管元件3的侧方、具体来说为面方向外侧。
反射树脂层4是以在面方向上与发光二极管元件3之间形成有侧部间隙27的方式设置的。
为了在二极管基板2的上表面上设置反射树脂层4，例如使用涂敷、压缩成形等方法，上述涂敷是借助图5所示的掩模20进行的反射树脂组成物的涂敷。
接下来，在该方法中，如图8的(c)的虚拟线所示，准备作为按压构件的按压板32。
按压板32形成为与图6的(b)所示的设有凹部30及突出部31的第1离型基材14相同的形状。
按压板32由与图6的(b)所示的第1离型基材14相同的材料形成，优选由金属材料形成。若是金属材料，则能够在按压反射树脂层4时(参照图8的(c)的实线)确保可靠的按压。
此外，也能够对按压板32的下表面实施公知的离型处理(表面处理)。
如图8的(c)的虚拟线所示，以使凹部30与反射树脂层4相对、且使突出部31与发光二极管元件3相对的方式在二极管基板2之上配置按压板32。
接下来，在该方法中，如图8的(c)的虚拟线的箭头及实线所示，利用按压板32按压反射树脂层4。
具体来说，通过使按压板32朝向二极管基板2下降，从而使突出部31与发光二极管元件3的上表面密合，并且使凹部30朝向下方来按压反射树脂层4。
由此，反射树脂层4与发光二极管元件3的各侧表面密合。
此外，在反射树脂层4中，自发光二极管元件3朝向上方突出的上部29形成为与按压板32的凹部30相对应的形状。
接下来，如图9的(d)所示，除去按压板32(参照图8的(c))。
接下来，如图9的(e)所示，在发光二极管元件3的上表面上，将荧光体层5填充到相邻的上部29之间。
之后，如图9的(e)的单点划线所示，通过沿厚度方向切割反射树脂层4及二极管基板2，从而使发光二极管元件3个体化(单片化)。
由此，获得发光二极管装置1。
在图8及图9的实施方式中，由于不使用转印片(反射树脂片)13而以在二极管基板2之上与发光二极管元件3的侧表面密合的方式设置反射树脂层4，因此，不需要准备转印片13，从而能够相应地简化制造工序。
另一方面，在图2、图3、图6及图7的实施方式中，由于将反射树脂层4形成为规定图案的反射树脂片13用作转印片，因此，能够以与发光二极管元件3的侧表面密合的方式可靠且简便地在二极管基板2之上设置反射树脂层4。
此外，在图8及图9的实施方式中，虽然如图8的(a)所示，对本发明的基材为二极管基板2的情况进行了说明，但是，例如参照图8的(a)～图9的(e)的括号表示的附图标记33，也能够代替二极管基板2而使用第2离型基材33，在该第2离型基材33的上表面上直接设置发光二极管元件3。
在该情况下，参照图8的(a)的带括号的附图标记33，将发光二极管元件3设在第2离型基材33的上表面上，接下来，参照图8的(b)，将反射树脂层4层叠到第2离型基材33的上表面上，接下来，参照图8的(c)，通过将按压板32朝向下方而按压于反射树脂层4，使反射树脂层4与发光二极管元件3的侧表面密合。
之后，参照图9的(d)，除去按压板32，接下来，参照图9的(e)，将荧光体层5设在发光二极管元件3的上表面上。
接下来，如图9的(e)的单点划线所示，通过沿厚度方向切割反射树脂层4及第2离型基材33，从而使发光二极管元件3个体化(单片化)。
之后，参照图9的(e)的虚拟线，自反射树脂层4及发光二极管元件3剥离第2离型基材33，接下来，将侧表面被反射树脂层4密合的发光二极管元件3倒装安装在参照图8的(a)的二极管基板2上。
由此，获得发光二极管装置1。
即使采用将第2离型基材33用作基材的实施方式，也能够实现与将二极管基板2用作基材的实施方式相同的作用效果。
另外，在将第2离型基材33用作基材的实施方式中，不需要将发光二极管元件3预先倒装安装在二极管基板2上，因此能够简便地使发光二极管元件3的侧表面与反射树脂层4密合。
另一方面，在将二极管基板2用作基材的实施方式中，由于在使发光二极管元件3的侧表面与反射树脂层4密合之后，不需要另行将上述结构倒装安装在二极管基板2上，因此，能够简便地制造发光二极管装置1。
实施例
以下表示实施例，进一步具体地说明本发明，但是本发明并不限定于下述实施例。
实施例1(图2及图3的技术方案)
首先，准备反射树脂片(参照图2的(a))。
即，准备上表面及下表面形成为平坦状、由氟树脂构成的厚度50μm的第1离型基材(参照图4的(a))。
接下来，将由不锈钢构成的厚度100μm的掩模配置到第1离型基材的上表面上(参照图4的(b))。
掩模形成为一体地包括框部、覆盖部及架设部的图案(参照图5)。此外，覆盖部为俯视大致矩形状，其最大长度(L1)为0.56mm。
接下来，制备反射树脂组成物，利用印刷将该反射树脂组成物借助掩模涂覆到第1离型基材之上(参照图4的(c))。
反射树脂组成物是通过均匀地混合100质量份的热固化性有机硅树脂及20质量份的球状的平均粒径300nm的氧化钛(TiO2：金红石的四方晶系)颗粒来制备的。
由此，以掩模的相反图案形成由反射树脂组成物构成的反射皮膜。
接下来，自第1离型基材除去掩模(参照图4的(c)的虚拟线的箭头)。由此，通过使架设部的周围的反射皮膜稍微流动，从而将反射皮膜配置到配置有架设部的区域中。由此，以覆盖部的相反图案形成了反射皮膜。此外，反射皮膜处于B阶段状态。
由此，形成了具有由第1离型基材及反射皮膜构成的反射树脂层的反射树脂片(转印片)。
接下来，使第1离型基材上下翻转，在该第1离型基材的上表面上设置由EVA构成的厚度0.12mm的缓冲片(参照图2的(b))。
此外，另行将厚度0.1mm、最大长度(L2)0.42mm的发光二极管元件倒装安装在厚度1mm的二极管基板的上表面上(参照图2的(b)的下部)，该发光二极管元件包括：包含缓冲层(GaN)、N型半导体层(n-GaN)、发光层(InGaN)及P型半导体层(P-GaN:Mg)的光半导体层；包含正极电极及负极电极的电极部。此外，二极管基板包括由蓝宝石构成的绝缘基板和导体层，该导体层在该绝缘基板的上表面上，该导体层包含由铜、镍及金构成的端子。
接下来，将反射树脂片层叠到二极管基板上(参照图2的(c)及图3的(d))。
具体来说，使反射树脂层的下表面与二极管基板的基板侧反射区域接触，并且使暴露部与发光二极管元件的上表面接触(参照图2的(c))。
接下来，朝向下方按压反射树脂片(参照图3的(d)的箭头)。具体来说，利用压力机，隔着缓冲片以0.3MPa的压力将反射树脂片按压于二极管基板。
由此，第1离型基材的暴露部与发光二极管元件的上表面密合，并且反射树脂层与发光二极管元件的侧表面密合。
此外，树脂凹部形成于反射树脂层的上表面的中央部。此外，树脂凹部的厚度(T2)为90μm。
接下来，自反射树脂层及发光二极管元件除去第1离型基材及缓冲片(参照图3的(e))。
由此，将反射树脂层从第1离型基材转印到二极管基板上。
之后，利用加热使反射树脂层固化。
接下来，将荧光体层设在发光二极管元件的上表面上(参照图3的(f))。
详细来说，通过配合26质量份的由Y3Al5O12:Ce构成的荧光体颗粒(球形状，平均粒径8μm)及74质量份的有机硅树脂(加成反应型有机硅树脂，动态粘度(25℃)20mm2/s，WACKER ASAHIKASEI SILICON CO.，LTD.制)并进行均匀搅拌，从而制备了荧光体组成物。
接下来，在利用印刷将制备的荧光体组成物涂覆到发光二极管元件的上表面上而形成了荧光体皮膜之后，以100℃使荧光体皮膜干燥而形成荧光体层。
之后，通过沿厚度方向切割反射树脂层及二极管基板，从而制造了包括二极管基板、发光二极管元件、反射树脂层及荧光体层的发光二极管装置(图3的(f)的单点划线)。
实施例2(图6及图7的技术方案)
除了在第1离型基材的上表面上形成凹部及突出部(参照图6的(a))并在第1离型基材的上表面上不设置缓冲片之外，与实施例1同样进行处理，从而制造了发光二极管装置。
即，在反射树脂片中，将反射树脂层形成在第1离型基材的凹部上(参照图6的(a))，接下来，将发光二极管元件倒装安装在二极管基板上(参照图6的(b))，接下来，将反射树脂片层叠到二极管基板上，接下来，将反射树脂片按压于二极管基板(参照图6的(c))。
由此，将反射树脂层的上部形成为与凹部相对应的锥状。
接下来，自反射树脂层及发光二极管元件剥下第1离型基材(参照图7的(d))，之后，在发光二极管元件的上表面上将荧光体层填充在相邻的上部之间(参照图7的(e))。
之后，通过沿厚度方向切割反射树脂层及二极管基板，从而制造了发光二极管装置(图7的(e)的单点划线)。
实施例3(图8及图9的技术方案)
除了不使用反射树脂片(转印片)而将反射树脂层直接设在二极管基板上(参照图8的(a))、并在反射树脂层的按压过程中使用按压板(参照图8的(c))以外，与实施例1同样进行处理，从而获得了发光二极管装置(参照图9的(e))。
即，首先，将发光二极管元件设置到二极管基板的上表面上(参照图8的(a))。
接下来，在二极管基板的上表面上，使用掩模(参照图5)，以在发光二极管元件的面方向外方形成侧部间隙的方式设置反射树脂层(参照图8的(b))。
接下来，在该方法中，准备设有凹部及突出部的由不锈钢构成的按压板(参照图8的(c)的虚拟线)。
接下来，利用按压板按压反射树脂层(参照图8的(c)的虚拟线的箭头及实线)。
由此，使反射树脂层与发光二极管元件的各侧表面密合，并且使反射树脂层的上部形成为与按压板的凹部相对应的形状。
接下来，除去按压板(参照图9的(d))，之后，在发光二极管元件的上表面上，将荧光体层填充在相邻的上部之间(参照图9的(e))。
之后，通过沿厚度方向切割反射树脂层及二极管基板，从而使发光二极管元件单片化，获得了发光二极管装置(参照图9的(e)的单点划线)。
此外，上述说明是作为本发明的示例的实施方式提供的，但是该说明只是示例，不能进行限定性解释。对于本技术领域的从业人员来说可以明确得知的本发明的变形例包含在权利要求书中。

Claims (10)

1.一种反射树脂片，该反射树脂片用于将反射树脂层设置在发光二极管元件的侧方，其特征在于，
该反射树脂片包括：
离型基材；
上述反射树脂层，其设在上述离型基材的厚度方向一侧面上；
上述反射树脂层是以能够与上述发光二极管元件密合的方式与上述发光二极管元件相对应地形成的。
2.根据权利要求1所述的反射树脂片，其特征在于，
在上述离型基材的上述厚度方向一侧面上，设有上述反射树脂层的部分朝向上述厚度方向另一侧凹陷。
3.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，
该发光二极管装置的制造方法包括：
通过在离型基材的厚度方向一侧面设置以能够与发光二极管元件密合的方式与上述发光二极管元件相对应地形成的反射树脂层来准备反射树脂片的工序；
将发光二极管元件设在二极管基板的厚度方向一侧面上的工序；
以使上述反射树脂层与上述发光二极管元件的侧表面密合的方式将上述反射树脂片层叠到上述二极管基板上的工序。
4.根据权利要求3所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，
在将上述反射树脂片层叠到上述二极管基板上的工序中，使上述离型基材中的自上述反射树脂层暴露出的暴露部与上述发光二极管元件的厚度方向一侧面密合。
5.根据权利要求4所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，
准备上述反射树脂片的工序包括：
将形成有图案的掩模以使覆盖部与上述暴露部相对的方式配置在上述离型基材的上述厚度方向一侧的工序，其中，该图案包括以与上述暴露部相对应的方式彼此隔开间隔地配置的多个覆盖部和用于架设各个上述覆盖部的架设部；
隔着上述掩模将用于形成上述反射树脂层的反射树脂组成物涂敷在上述离型基材上、从而以上述覆盖部的相反图案形成上述反射树脂层的工序；
除去上述掩模的工序。
6.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，
该发光二极管装置的制造方法包括：
将发光二极管元件设置到基材的厚度方向一侧面上的工序；
在上述基材的厚度方向一侧面上，将反射树脂层设在上述发光二极管元件的侧方的工序；
通过使形成有与上述反射树脂层相对应地向厚度方向另一侧凹陷的凹部的按压构件的上述凹部按压上述反射树脂层、从而使上述反射树脂层与上述发光二极管元件的侧表面密合的工序。
7.根据权利要求6所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，
设置上述反射树脂层的工序包括：
将形成有图案的掩模以使覆盖部与上述发光二极管元件相对的方式配置在上述基材的上述厚度方向一侧的工序，其中，该图案包括以与上述发光二极管元件相对应的方式彼此隔开间隔地配置的多个覆盖部和用于架设各个上述覆盖部的架设部；
隔着上述掩模向上述基材涂覆用于形成上述反射树脂层的反射树脂组成物、从而以上述覆盖部的相反图案形成上述反射树脂层的工序；
除去上述掩模的工序。
8.一种发光二极管装置，其特征在于，
该发光二极管装置包括：
二极管基板；
设于上述二极管基板的厚度方向一侧面的发光二极管元件；
与上述发光二极管元件的侧表面密合的反射树脂层。
9.根据权利要求8所述的发光二极管装置，其特征在于，
上述反射树脂层形成得比上述发光二极管元件的厚度厚。
10.根据权利要求8所述的发光二极管装置，其特征在于，
该发光二极管装置还包括形成在上述发光二极管元件的上述厚度方向一侧面上的荧光体层。
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