JP2010238846A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010238846A JP2010238846A JP2009084101A JP2009084101A JP2010238846A JP 2010238846 A JP2010238846 A JP 2010238846A JP 2009084101 A JP2009084101 A JP 2009084101A JP 2009084101 A JP2009084101 A JP 2009084101A JP 2010238846 A JP2010238846 A JP 2010238846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- region
- incident
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 101
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 72
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 76
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 35
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 35
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 37
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 24
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 47
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 33
- 230000006870 function Effects 0.000 description 20
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006360 Si—O—N Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910014458 Ca-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100365539 Drosophila melanogaster Sesn gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
- H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】光反射性材料を含有する被覆部材30と、発光側の表面と、前記被覆部材の表面に対向し、該表面内に配置された光入射側の表面とを有する光透過部材20と、前記光透過部材の光入射側表面において、外側の反射領域に囲まれた入射領域に結合し、前記被覆部材に一部が埋め込まれた光源部に、発光素子10と、該発光素子の前記入射領域側に結合され、該発光素子に励起される波長変換部材40と、を備える。
【選択図】図1
Description
(1) 光反射性材料を含有する被覆部材と、発光側の表面と、前記被覆部材の表面に対向し、該表面内に配置された光入射側の表面とを有する光透過部材と、前記光透過部材の光入射側表面において、外側の反射領域に囲まれた入射領域に結合し、前記被覆部材に一部が埋め込まれた光源部に、発光素子と、該発光素子の前記入射領域側に結合され、該発光素子に励起される波長変換部材と、を備える発光装置。
(2) 前記光透過部材は、前記発光側が凸曲面で、前記光入射側の少なくとも反射領域が略平坦な表面であり、前記入射領域の断面幅は、前記光入射側表面の半分以下である上記(1)に記載の発光装置。
(3) 光反射性材料を含有する被覆部材と、凸曲面の発光側の表面と、前記被覆部材の表面に対向し、該表面内に配置された光入射側の表面とを有する光透過部材と、前記光透過部材の光入射側表面において、略平坦な表面の反射領域に囲まれた内側の入射領域に結合し、前記被覆部材に一部が埋め込まれた光源部が設けられて、該光源部内に設けられた発光素子と、を備え、前記入射領域の断面幅は、前記光入射側表面の半分以下である発光装置。
(4) 前記発光装置は、前記光源部に、前記発光素子の前記入射領域側に結合され、前記発光素子に励起される波長変換部材をさらに備える上記(3)に記載の発光装置。
(5) 前記波長変換部材は、互いに対向する第1及び第2の主面を有する板状体であって、前記第2の主面に複数の前記発光素子が接合されており、前記入射領域に前記第1の主面が接合されている上記(1),(2),(4)のいずれか1つに記載の発光装置。
(6) 前記反射領域は、前記被覆部材の表面と離間された前記光透過部材表面に設けられる上記(1)乃至(5)のいずれか1つに記載の発光装置。
(7) 前記発光装置は、前記光透過部材の光入射側の表面と前記被覆部材の表面とを接着させる透光性接着材を有し、前記入射領域及び反射領域は、前記透光性接着剤との界面に設けられる上記(1)乃至(6)のいずれか1つに記載の発光装置。
(8) 前記光透過部材は、前記光源部上及び前記被覆部材表面に設けられ、前記反射領域は、前記光透過部材と前記被覆部材との界面である上記(1)乃至(5)のいずれか1つに記載の発光装置。
(9) 前記入射領域は、前記反射領域より前記発光側に突出している上記(8)に記載の発光装置。
(10) 前記光透過部材の発光側の表面形状は、球面形状である上記(1)乃至(9)のいずれか1つに記載の発光装置。
(11) 前記発光装置は、前記発光素子が実装される実装基板を有し、前記発光素子は、前記入射領域側の表面に対向する実装面側で、前記実装基板と電気的に接続される上記(1)乃至(10)のいずれか1つに記載の発光装置。
(12) 前記発光装置の光源部は、前記発光素子の入射領域側表面に結合して、発光素子により励起される波長変換部材を有し、前記被覆部材は、前記入射領域から、前記光源部の側面を覆って、前記実装基板の表面上にまで延在して設けられている上記(11)に記載の発光装置。
(13) 前記被覆部材が、前記発光素子及び前記波長変換部材の側面にそれぞれ接して設けられる上記(12)に記載の発光装置。
図1、2は、本発明の実施の形態1に係る発光装置100の概略図であり、図1(a)は概略上面図の図1(b)のA−Aにおける概略断面図であり、図2は光源部周辺の概略断面図である。図1,2に示す例の発光装置100は、主として、発光素子10と、光透過部材20と、被覆部材30と、波長変換部材40と、実装基板50と、から構成される。基板50は、枠体55と、複数個(図中では2個)の発光素子10がフリップチップ実装された配線51を備えている。この波長変換部材40は、板状で互いに対向する第1および第2の面を有し、その第2の面が各発光素子10の裏面に接合されている。そして、光反射材料35を含有する被覆部材30が枠体55の内側に充填され、光源部の発光素子10と波長変換部材40は、第1の面を露出面として、被覆部材30に被覆されている。被覆部材30は、側面と第2の面の一部、さらに発光素子10の側面と、を連続して被覆する。これにより、発光素子10及び/又は波長変換部材40から出射された光は、光反射性の被覆部材30により発光側に反射、導光されて、波長変換部材40の第1の面から取り出され、この第1の面を主要な光取り出しの窓部すなわち発光面とする面発光型の光源となる。第1の面の形状、大きさでそれを光源とでき、この光源の上に、光源に対する光学素子として光透過部材20がその光入射側の一部領域の光入射領域80に接合されている。
本発明における光透過部材20、すなわち光学素子の径W、凸曲面の曲率半径rと、入射領域80の径Lとの関係について、以下にこれを詳述する。図3は、ここで検討する理論計算モデルの各発光装置の構造を示す概略断面図である。図3(A)に示す発光装置110は、一辺の長さLの正方形で厚さ100μmの直方体(板状)の光源部16を備える。また、光源部は、その上面のみを露出して、その側面及び底面を被覆部材31により被覆し、被覆部材31の反射率は100%とする。そして、図中の黒丸で示す光源部の上面の中心を曲率中心とする直径Rの半球状の光透過部材20aが、同一面の光源部及び被覆部材表面上に設けられている。光透過部材の直径R及び径Wは4mm(曲率半径2mm)とし、屈折率は1.537とする。この発光装置110は、上述の実施の形態1の発光装置100を想定している。また、図3(B)に示す発光装置120は、光透過部材20bと被覆部材32の表面との間に空隙86が設けられて、この両表面が互いに離間されているほかは、上述の発光装置110と同様である。より詳細には、光源部16より外側の光透過部材20bの平坦な表面(反射領域)に対向して、光源部の上面より下方に傾斜した傾斜面94があり、空隙86の空気の屈折率は1.000とする。この発光装置120は、後述する実施の形態2の発光装置200を想定している。
発光素子10は公知のもの、具体的には半導体発光素子を利用でき、特にGaN系半導体であれば、蛍光物質を効率良く励起できる短波長の可視光や紫外光が発光可能であるため好ましい。具体的な発光ピーク波長は240nm以上560nm以下、好ましくは380nm以上470nm以下である。なお、このほか、ZnSe系、InGaAs系、AlInGaP系半導体の発光素子でもよい。
半導体層による発光素子構造11は、図5に例示するように少なくとも第1導電型(n型)層2と第2導電型(p型)層3とにより構成され、更にその間に活性層3を有する構造が好ましい。また、電極構造は、一方の主面側に第1導電型、第2導電型の両電極6,7が設けられる同一面側電極構造が好ましいが、半導体層の各主面に対向して電極が各々設けられる対向電極構造でも良い。発光素子10の実装形態も、例えば上記同一面側電極構造では、電極形成面を実装面として、それに対向する基板1側を主な出射面とするフリップチップ実装が、その出射面と光透過部材20との光学的な接続上好ましい。この他、電極形成面側を主な出射面として、その上に透光性部材、波長変換部材を結合する実装、フェイスアップ実装、また配線構造を備えた透光性部材、波長変換部材にフリップチップ実装、上記対向電極構造で光透過部材と実装基板に接続すること、ができ、好ましくは発光素子と透光性部材、波長変換部材に配線、電極を備えない実施例の実装が良い。なお、半導体層11の成長基板1は、発光素子構造を構成しない場合には除去してもよく、成長基板が除去された半導体層に、支持基板、例えば導電性基板または別の透光性の部材・基板を接着した構造とすることもできる。この支持基板に透光性部材、波長変換部材20を用いることもでき、その他、ガラス、樹脂などの光透過性の部材により半導体層が接着・被覆されて、支持された構造の素子でもよい。成長基板の除去は、例えば支持体、装置又はサブマウントに実装又は保持して、剥離、研磨、若しくはLLO(Laser Lift Off)で実施できる。また、発光素子10は光反射構造を有することができ、具体的には、半導体層11の互いに対向する2つの主面の内、光取り出し側(出射面側)と対向する他方の主面を光反射側(図1における下側)とし、この光反射側の半導体層内や電極などに光反射構造を設けることができる。光反射構造の例として、半導体層内に多層膜反射層が設ける構造、あるいは半導体層の上にAg、Al等の光反射性の高い金属膜や誘電体多層膜を有する電極、反射層を設けた構造がある。
発光素子10の一例として、図5の窒化物半導体の発光素子10では、成長基板1であるC面サファイア基板の上に、第1の窒化物半導体層2であるn型半導体層、活性層3である発光層、第2の窒化物半導体層4であるp型半導体層が順にエピタキシャル成長されている。そして、n型層2の一部が露出されて第1の電極7であるn型パッド電極を形成し、p型層4のほぼ全面にITO等の透光性導電層5、第2の電極6であるp型パッド電極が形成されている。さらに、保護膜8をn型、p型パッド電極6,7の表面を露出し、半導体層を被覆して設けられる。なお、n型パッド電極7は、p型同様に透光性導電層を介して形成してもよい。成長基板1は、C面サファイアの他、R面、及びA面、スピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板、また炭化珪素(6H、4H、3C)、Si、ZnS、ZnO、GaAs、GaNやAlN等の半導体の導電性基板がある。窒化物半導体の例としては、一般式がInxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)の他、BやP、Asを混晶してもよい。また、n型、p型半導体層2,4は、単層、多層を特に限定されず、活性層3は単一(SQW)又は多重量子井戸構造(MQW)が好ましい。青色発光の素子構造11の例としては、サファイア基板上に、バッファ層などの窒化物半導体の下地層、例えば低温成長薄膜GaNとGaN層、を介して、n型半導体層として、例えばSiドープGaNのn型コンタクト層とGaN/InGaNのn型多層膜層が積層され、続いてInGaN/GaNのMQWの活性層、更にp型半導体層として、例えばMgドープのInGaN/AlGaNのp型多層膜層とMgドープGaNのp型コンタクト層が積層された構造がある。
図1の発光装置100は、光源部に発光素子10からの光により励起され、該入射光の少なくとも一部を波長変換可能な波長変換部材40を備える。光源部は発光素子、又はそれに接合する透光性部材を加えた構造で構成されてもよく、好ましくはその透光性部材に波長変換部材を用いる。本明細書では単に波長変換部材と記載している場合でも、波長変換機能に依らないときには透光性部材に置き換えて適用できる。これにより、光源部において発光素子10から出射された一次光が波長変換部材40で励起することで、発光素子10の発光波長とは異なった波長を持つ二次光が得られ、一次光と、波長変換された二次光の混色により、所望の色相を有する出射光を実現できる複合光源となる。この他、一次光で励起された二次光もしくはその副次的な光についてほぼその光だけを透過させる形態、例えば紫外線発光LEDの変換光(単色、混色光)、を発光する光源部、それを備えた発光装置であってもよい。
被覆部材30は、図1に示すように、光源部の一部と光透過部材の表面を被覆し、具体的には少なくとも発光素子を含む光源部を埋め込むように被覆して、加えて光透過部材の入射側表面まで延在して被覆する。さらに、光源部内の波長変換部材40の一部、具体的にはその側面を被覆し、そこから露出された光源部表面から出射面となり光透過部材へ入射する。被覆部材30の基材としては、樹脂材料であり、さらに透光性がよく、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物等を使用することが好ましいが、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の透光性を有する絶縁樹脂組成物を用いることができる。また、これらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等、耐候性に優れた封止部材も利用でき、このように透光性樹脂であると本発明における所望領域の被覆、その成形に適していが、ガラス、シリカゲル等の耐光性に優れた無機物を用いることもできる。さらに被覆部材30は、耐熱性の高い樹脂成形体とすると、光源部の発光素子や波長変換部材40の発熱に対応でき好ましい。実施の形態1では、被覆部材30を構成する基材となる樹脂にシリコーン樹脂を用いる。シリコーン樹脂は耐熱性、撥水性、電気絶縁性に優れる他、経年劣化しにくい利点を備える。さらにまた、被覆部材30表面を所望の形状、例えば図示する傾斜面、曲面の形状、として、反射領域の機能及び効果を高めて、指向性、色分布を制御し、また集光させることもでき、光透過部材の光学機能と適宜組み合わせることで、装置の発光特性を制御し得る。
光透過部材20は、発光素子10の第1の面または波長変換部材40の第1の面と接合されて光の取り出し効率を向上させることができる。光透過部材20は、少なくとも発光側の表面21と光入射側の表面とを有し、発光側の表面21は目的に応じて種々の形状に形成することができる。例えば、上述のように、発光側の表面21を凸曲面、球面(半球面)の凸レンズ形状とすることで、全方位角の光入射に対して均一な透過特性(臨界角)とでき、光を効率良く外部に取り出すことができる。また、球面に限らず、所望の曲率、凸レンズ形状、例えば砲弾型とすることで球面よりも光の放射角を小さくすることができる。このほか、凹曲面、凹レンズ形状とすることで光を拡散させてもよく、実施の形態4、図9で説明するように、所望の指向性とする光学素子としても良い。
一方、図1の発光装置100において、上記の発光素子10が実装される基板50は、少なくとも表面に素子の電極と接続される配線51を形成したものが利用でき、また外部接続用の配線52(図7,9)などが設けられても良い。基板の材料は、例として窒化アルミニウム(AlN)で構成され、単結晶、多結晶、焼結基板、他の材料としてアルミナ等のセラミック、ガラス、Si等の半金属あるいは金属基板、またそれらの積層体、複合体が使用でき、金属性、セラミックは放熱性が高いため好ましい。なお、基板50は配線が無くてもよく、例えば図5の素子で成長基板側を実装して素子の電極を装置の電極にワイヤー接続する形態、波長変換部材に配線を設けて接続する形態でもでもよい。また、図示する発光装置のように、被覆部材30が実装基板50の上に設けられる形態の他、実装基板50の外側側面も覆う形態でもよい。また実装基板50は、少なくともその表面が高反射性材料で構成されることが好ましい。図1,2に示すように、発光素子10は、導電性接着材60により配線51上に接着されて外部と電気的に接続される。導電性接着材60は、半田、Agペースト、Auバンプなどが利用できる。
図1に示す発光装置100は、枠体55を有し、被覆部材30の保持部材である。枠体55は、セラミックや樹脂などで形成することができる。光反射性の高いアルミナが好ましいが、表面に反射膜を形成すればこれに限らない。樹脂であれば、スクリーン印刷等を用いるほか、成形体を実装基板に接着してもよい。また、被覆部材30と同様に光反射性材料を用いるなどして、反射率を高くすると好ましい。また、上記添加部材同様に、枠体を目的に応じて着色してもよい。なお、この枠体は、被覆部材を充填又は成形後に、取り外すこともできる。また、枠体として、積層基板56、基材などでキャビティ構造を有する装置基体など、発光素子の実装基板に一体に形成されている形態でもよい。
発光素子10と波長変換部材40との界面には接着材15が介在されてもよく、これにより双方の部材を固着する。この接着材15は、発光素子10からの出射光を波長変換部材40側へと有効に導光でき、双方の部材を光学的に連結できる材質が好ましい。その材料としては上記各部材に用いられる樹脂材料が挙げられ、一例としてシリコーン樹脂などの透光性の接着材料を用いる。その他の各部材間、例えば実施の形態2(図7)における接着材55のように、光路上で同様な透光性の接着材を設けても良い。
図1に示される例の発光装置100の製造方法の一例として、図6を用いて以下に説明する。まず、図6(A)に示すように、基板58上または発光素子10に、バンプ60を形成し、それを介して発光素子10をフリップチップ実装する。この例ではサブマウント基板58上で、1つの発光装置に対応する領域に各々1個のLEDチップを並べて実装する(但し、LEDチップの個数は適宜変更できる)。次に、発光素子10の第1の面側(サファイア基板1裏面あるいは基板除去した場合であれば窒化物半導体11露出面)に、接着材であるシリコーン樹脂を塗布して、波長変換部材40を積層する。その後、そのシリコーン樹脂を熱硬化して、発光素子10と波長変換部材40とを接着する。さらに、発光素子10の周囲に所定の大きさ、形状の枠体57を立設させておく。ここでは、枠体57の高さは波長変換部材40の第1の面より低いが、略同じか高くしてもよい。
図7(a)は、本発明の実施の形態2に係る発光装置200の概略断面図であり、図7(b)は、その光源周辺部を説明するための概略断面図である。発光装置200において、光透過部材20を除く他の構造については実施の形態1と実質上同様であり、したがって同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。この発光装置200は、直径R(=W)の半球状に予め成形された光透過部材20が透光性接着材28を介して波長変換部材40の第1の面に接着された構成となっている。この発光装置200では、光透過部材20の光入射側の表面に、径L2で接着材28と接合する入射領域82とその外側の反射領域92とが設けられている。反射領域92と被覆部材の表面93とは離間され、その間には空隙85が設けられており、反射領域92は光透過部材20の底面であり、空気との界面を成して反射させることができ、光の取り出し効率を向上させることができる。図4に示す上述の解析結果からわかるように、本実施の形態2における発光装置200は、実施の形態1の発光装置100より光の取り出し効率が高く、特に光源が大きい場合、光透過部材が小さく、装置が小型の場合において優れた構成となっている。なお、透光性接着材28は、接合する光透過部材20とほぼ同程度の屈折率を有する材料であることが好ましい。これは、光透過部材20と透光性接着材28との界面における光の反射を低減し、光結合効率を良好にするためであり、略同じ材料で構成すると、例えば略同じ樹脂で形成するとそれを容易に実現できる。
図8は、本発明の実施の形態3に係る発光装置の光源部周辺を説明するための概略断面図である。なお、ここで説明する発光装置の光源部周辺の構造は、他の実施の形態における発光装置の構成にも適用することができる。光透過部材の入射領域83は、凹凸構造を有し、光源部の発光素子10及び/又は波長変換部材40からの入射光が散乱され、また、戻り光を反射、散乱させることができ、反射領域90による反射機能を補い、発光面からの放出光の指向性を広くでき、また、輝度ムラや色ムラが低減されやすい。特に、1つの波長変換部材40に複数の発光素子10を搭載する場合には、各発光素子10の配置の影響やそれによる配光、輝度ムラ、色ムラの影響が大きく、それが低減されるので好ましい。また、凹凸面により、光結合効率のほか両部材の密着性の向上が期待される。また、このような凹凸構造は、波長変換部材の表面だけでなく、その発光素子側表面、さらに光路上にある各部材の表面に設けて同様な効果を得ることができ、特に光源部と光透過部材との境界領域、若しくは光源部内、例えば、基板1の半導体層11側表面に設けてもよく、実施例では詳述していないがそのような構造を用いている。波長変換部材の凹凸表面43などの凹凸構造は、研磨、ドライエッチング、ウエットエッチングなどにより設けることができ、不規則な凹凸構造のほか、規則的なパターンの凹凸構造も形成できる。
図9(a)、(b)及び(c)はそれぞれ、本発明の実施の形態4に係る発光装置300、400、及び500の概略断面図である。本実施の形態4は、本発明に係る発光装置において、光透過部材20、その発光側表面の形状の変形例を示すものであって、各実施の形態に適用でき、また他の主要な構造については実施の形態1と実質上同様であるため、同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。
図10は、本発明の実施の形態5に係る発光装置600の概略断面図であり、発光素子10の実装形態を除く他の主な構造については実施の形態1と実質上同様であり、したがって同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。本発明の発光装置において、光源部は光反射性の被覆部材30に被覆されて光透過部材に光結合されおり、その被覆形態、具体的には発光素子の実装形態、被覆部材の形態については種々の形態を取ることができる。図9の発光装置600はその例であり、基板50を有さず、被覆部材30が直方体形状、板状に成形されて、この成形体が光透過部材20と共に発光装置の表出面を構成している。発光素子10の各電極に接続された導電体61を備え、被覆部材30の裏面側に達して外部接続部が形成されている。この導電体61の延伸方向、露出位置、表面は適宜変更可能であり、例えば光透過部材20と同一面側でその外側に延伸され、露出されてもよい。導電体61は、図9に示すような柱状の形態のほか、層状の形態を組み合わせてもよい。このような発光装置600であれば、光源部の入射領域80を除いて発光素子10などの光源部を被覆部材30でほぼ完全に被包することができ、光源部の出射光が実装基板50、その導体配線等により吸収、損失されることを低減することができ、光源部からの光の取り出し効率を高めることができる。
実施例1〜3の発光装置は、図7に示すような発光素子10、又は素子とそれに接合した波長変換部材40が被覆部材に側面を覆われて、露出された光源部の上面の出射面上に接着剤28を介してレンズ20を接着した構造である。具体的には、AlNのセラミックス基板50の配線51上に、発光素子10として約1mm×1mmの略正方形の青色LEDチップ1個を、バンプ60によりフリップチップ実装する。実施例1では、そのLED10の成長基板1であるサファイア基板表面の出射面が露出される状態に、その周囲に充填された被覆部材30でもってLEDチップの側面が被包されている。なお、被覆部材30は、粒径約270nmのTiO2の微粒子である光反射性材料35を約23重量パーセント濃度で含有するシリコーン樹脂である。また、実施例2及び3では、LED10の成長基板1上に、板状の波長変換部材40であるYAGの焼結体1枚を、シリコーン樹脂からなる透光性接着材15により接合する。そして、図示するように、波長変換部材40表面の出射面が露出される状態に、実施例1と同様に、被覆部材30で波長変換部材40の底面の一部および側面、LEDチップの側面等の表面が被包されている。なお、被覆部材30の表面は、図示するように光源部の出射面から連続する側面を這い上がるように表面が光源部付近で傾斜している。波長変換部材40の外形は、寸法が実施例2では約1.1mm×1.1mm、実施例3では約1.5mm×1.5mmの矩形状であり、厚みは約150μmである。そして、各実施例について、被覆部材の表面上において、発光素子10又は波長変換部材40の光源部の出射面を内包して、且つその略中心に光軸が位置するように、シリコーン樹脂からなる直径Rが約4mmの半球レンズ状の光透過部材20を、同じシリコーン樹脂からなる透光性接着材28によりその出射面にそれぞれ接合する。
次に、波長変換部材40の構成を変えて、光透過部材20の有無による発光効率への影響を以下に検証する。実施例4の発光装置は、実施例3と同様であり、実施例5,6の発光装置はそれぞれ、実施例4の波長変換部材40の構成のみ変更し、実施例5では、実施例4と同様のYAGの蛍光体をシリコーン樹脂に分散させたシートを用い、実施例6では、(Sr,Ba)2SiO4:Euのシリケートの蛍光体を実施例5と同様にシリコーン樹脂に分散させたシートである。なお、これらの樹脂のシートは、蛍光体を拡散した樹脂を、離型剤を塗布した板にスピンコートして硬化して、所定の大きさに切り出して作製する。これら実施例4〜6の発光装置において、光透過部材20の有無による発光効率の差異を図11に示す。なお、実施例4,5,6の光透過部材20搭載後をそれぞれD,E,Fとし、光透過部材20搭載前をそれぞれd,e,fとして表記する。図11に示すように、いずれの実施例においても、光透過部材20を搭載することで、同じ色度の発光において高効率化でき、発光効率の向上が確認できる。
14…保護素子、15…接着材、16…発光部、
20(20a〜d)…光透過部材(21…発光側の表面、22,24,25…反射表面、23…発光表面)26…樹脂層、28…接着材、
30〜34…被覆部材、35…光反射性材料、
40…光透過(波長変換)部材、
50,58…実装基体・基材(51〜52…配線パターン、55〜57…枠体又は積層基板又は基材)、60…導電性接着材、61…導電体、71…ディスペンサ、72…上金型
Claims (13)
- 光反射性材料を含有する被覆部材と、
発光側の表面と、前記被覆部材の表面に対向し、該表面内に配置された光入射側の表面とを有する光透過部材と、
前記光透過部材の光入射側表面において、外側の反射領域に囲まれた入射領域に結合し、前記被覆部材に一部が埋め込まれた光源部に、発光素子と、該発光素子の前記入射領域側に結合され、該発光素子に励起される波長変換部材と、
を備える発光装置。 - 前記光透過部材は、前記発光側が凸曲面で、前記光入射側の少なくとも反射領域が略平坦な表面であり、
前記入射領域の断面幅は、前記光入射側表面の半分以下である請求項1に記載の発光装置。 - 光反射性材料を含有する被覆部材と、
凸曲面の発光側の表面と、前記被覆部材の表面に対向し、該表面内に配置された光入射側の表面とを有する光透過部材と、
前記光透過部材の光入射側表面において、略平坦な表面の反射領域に囲まれた内側の入射領域に結合し、前記被覆部材に一部が埋め込まれた光源部が設けられて、該光源部内に設けられた発光素子と、を備え、
前記入射領域の断面幅は、前記光入射側表面の半分以下である発光装置。 - 前記発光装置は、前記光源部に、前記発光素子の前記入射領域側に結合され、前記発光素子に励起される波長変換部材をさらに備える前記請求項3に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は、互いに対向する第1及び第2の主面を有する板状体であって、前記第2の主面に複数の前記発光素子が接合されており、前記入射領域に前記第1の主面が接合されている請求項1,2,4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記反射領域は、前記被覆部材の表面と離間された前記光透過部材表面に設けられる請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光装置は、前記光透過部材の光入射側の表面と前記被覆部材の表面とを接着させる透光性接着材を有し、
前記入射領域及び反射領域は、前記透光性接着剤との界面に設けられる請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記光透過部材は、前記光源部上及び前記被覆部材表面に設けられ、
前記反射領域は、前記光透過部材と前記被覆部材との界面である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記入射領域は、前記反射領域より前記発光側に突出している請求項8に記載の発光装置。
- 前記光透過部材の発光側の表面形状は、球面形状である請求項1乃至9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光装置は、前記発光素子が実装される実装基板を有し、
前記発光素子は、前記入射領域側の表面に対向する実装面側で、前記実装基板と電気的に接続される請求項1乃至10のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記発光装置の光源部は、前記発光素子の入射領域側表面に結合して、発光素子により励起される波長変換部材を有し、
前記被覆部材は、前記入射領域から、前記光源部の側面を覆って、前記実装基板の表面上にまで延在して設けられている請求項11に記載の発光装置。 - 前記被覆部材が、前記発光素子及び前記波長変換部材の側面にそれぞれ接して設けられる請求項12に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009084101A JP5689225B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009084101A JP5689225B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013116842A Division JP5931006B2 (ja) | 2013-06-03 | 2013-06-03 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010238846A true JP2010238846A (ja) | 2010-10-21 |
JP5689225B2 JP5689225B2 (ja) | 2015-03-25 |
Family
ID=43092928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009084101A Active JP5689225B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5689225B2 (ja) |
Cited By (71)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011099384A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
WO2012053571A1 (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
JP2012104546A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Ushio Inc | Led素子 |
JP2012175068A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Nitto Denko Corp | 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置 |
CN102738362A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 日东电工株式会社 | 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法 |
CN102738363A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 日东电工株式会社 | 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法 |
JP2012243822A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置とその製造方法 |
JP2013004802A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置とその製造方法 |
WO2013111542A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
KR101335921B1 (ko) | 2011-10-06 | 2013-12-03 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법 |
JP2014049642A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2014072212A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US8727586B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device having magnetic member and magnet |
WO2014162650A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
JP2014225518A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | アピックヤマダ株式会社 | Led装置の製造方法、金型、樹脂成形装置、及び、led装置 |
JP2015503180A (ja) * | 2011-10-25 | 2015-01-29 | ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG | 高輝度用光変換器 |
JP2015053361A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US9123867B2 (en) | 2011-01-28 | 2015-09-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2015188053A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-29 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US9276180B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-03-01 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device and light emitting device |
US9287472B2 (en) | 2013-06-27 | 2016-03-15 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR20160083910A (ko) * | 2013-11-07 | 2016-07-12 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | Led를 둘러싸는 내부 전반사 층을 갖는 led를 위한 기판 |
JP2016525288A (ja) * | 2013-07-26 | 2016-08-22 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 内部高屈折率ピラーを有するledドーム |
US9472737B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-10-18 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
KR20170017150A (ko) * | 2015-08-05 | 2017-02-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 광원 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 |
JP2017054894A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR20170052211A (ko) * | 2015-11-04 | 2017-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
JP2017168808A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-09-21 | 株式会社カネカ | Csp−led用熱硬化性白色インク |
KR20170128298A (ko) | 2015-03-16 | 2017-11-22 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광 반사층 부착 광 반도체 소자, 및 광 반사층 및 형광체층 부착 광 반도체 소자의 제조 방법 |
JP2017212470A (ja) * | 2017-09-06 | 2017-11-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US9899576B2 (en) | 2011-03-24 | 2018-02-20 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2018049875A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び車両用灯具 |
JP2018088554A (ja) * | 2018-02-19 | 2018-06-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10096753B2 (en) | 2013-08-07 | 2018-10-09 | Nichia Corporation | Light emitting device |
WO2018185476A1 (en) * | 2017-04-03 | 2018-10-11 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
JP2018207005A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに面状ライトユニット |
US10279728B2 (en) | 2016-08-01 | 2019-05-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
KR20190087014A (ko) * | 2018-01-15 | 2019-07-24 | 네이버랩스 주식회사 | 발광 장치 |
JP2019176081A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2020021899A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
US10559724B2 (en) | 2016-10-19 | 2020-02-11 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
JP2020115584A (ja) * | 2020-04-15 | 2020-07-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
CN111913321A (zh) * | 2019-05-09 | 2020-11-10 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 背光模组及具有其的显示装置 |
JP2020188178A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2020191460A (ja) * | 2016-12-22 | 2020-11-26 | シャープ株式会社 | 表示装置および製造方法 |
JP2021009857A (ja) * | 2020-10-28 | 2021-01-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール |
JP2021057598A (ja) * | 2020-11-25 | 2021-04-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
JP2021068913A (ja) * | 2014-12-26 | 2021-04-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11016341B2 (en) | 2019-09-11 | 2021-05-25 | Reald Spark, Llc | Directional illumination apparatus and privacy display |
US11061279B2 (en) | 2017-04-03 | 2021-07-13 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
US11063193B2 (en) | 2018-05-13 | 2021-07-13 | Reald Spark, Llc | Colour micro-LED display apparatus |
US11106083B2 (en) | 2018-03-09 | 2021-08-31 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus with a catadioptric lens array that reflects and transmits light from an array of LEDs with a smaller light distribution cone |
US11163101B2 (en) | 2019-09-11 | 2021-11-02 | Reald Spark, Llc | Switchable illumination apparatus and privacy display |
US11162661B2 (en) | 2019-10-03 | 2021-11-02 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus comprising passive optical nanostructures |
JP2022036185A (ja) * | 2020-03-18 | 2022-03-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11269215B2 (en) | 2017-02-17 | 2022-03-08 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting module and light emitting module |
US11287562B2 (en) | 2020-02-20 | 2022-03-29 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus including mask with plurality of apertures and display apparatus comprising same |
US11287109B2 (en) | 2010-10-21 | 2022-03-29 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
US11294233B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-04-05 | ReaID Spark, LLC | Directional illumination apparatus and privacy display |
US11329203B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-05-10 | Nichia Corporation | Light emitting device including covering member and optical member |
US11422344B2 (en) | 2018-01-14 | 2022-08-23 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
US11506934B2 (en) | 2020-08-31 | 2022-11-22 | Nichia Corporation | Light-emitting device and planar light source |
JP2023016550A (ja) * | 2021-07-21 | 2023-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換モジュール |
US11573437B2 (en) | 2019-07-02 | 2023-02-07 | Reald Spark, Llc | Directional display apparatus |
US11594665B2 (en) | 2019-08-02 | 2023-02-28 | Nichia Corporation | Light-emitting unit and surface-emission light source |
US11652195B2 (en) | 2019-10-03 | 2023-05-16 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus comprising passive optical nanostructures |
WO2023176301A1 (ja) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
US11767967B2 (en) | 2021-12-24 | 2023-09-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US11843078B2 (en) | 2019-12-26 | 2023-12-12 | Nichia Corporation | Light emitting device with good visibility |
JP7417067B2 (ja) | 2020-01-30 | 2024-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US12002789B2 (en) | 2017-11-05 | 2024-06-04 | Optovate Limited | Display apparatus |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10151794A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその形成方法 |
JP2006237191A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Asahi Rubber:Kk | 発光ダイオード用レンズ及び発光ダイオード光源装置 |
JP2006269986A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP2006352061A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-12-28 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光素子への光学要素の結合 |
JP2006351809A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2007019096A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
WO2009069671A1 (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Nichia Corporation | 発光装置及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2009084101A patent/JP5689225B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10151794A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその形成方法 |
JP2006352061A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-12-28 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光素子への光学要素の結合 |
JP2006237191A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Asahi Rubber:Kk | 発光ダイオード用レンズ及び発光ダイオード光源装置 |
JP2006269986A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP2006351809A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2007019096A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
WO2009069671A1 (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Nichia Corporation | 発光装置及びその製造方法 |
Cited By (128)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9196805B2 (en) | 2010-02-09 | 2015-11-24 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing light emitting device |
WO2011099384A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
US10230034B2 (en) | 2010-02-09 | 2019-03-12 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing light emitting device |
US9887329B2 (en) | 2010-02-09 | 2018-02-06 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing light emitting device |
US11994268B2 (en) | 2010-10-21 | 2024-05-28 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
US11629847B2 (en) | 2010-10-21 | 2023-04-18 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
US11287109B2 (en) | 2010-10-21 | 2022-03-29 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
WO2012053571A1 (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
US9349991B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
US8969896B2 (en) | 2010-10-22 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
US8727586B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device having magnetic member and magnet |
JP2012104546A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Ushio Inc | Led素子 |
US9123867B2 (en) | 2011-01-28 | 2015-09-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2012175068A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Nitto Denko Corp | 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置 |
US8890190B2 (en) | 2011-02-24 | 2014-11-18 | Nitto Denko Corporation | Light-emitting diode element in which an optical semiconductor element is encapsulated by an encapsulating resin layer containing a light reflection component |
US9899576B2 (en) | 2011-03-24 | 2018-02-20 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
EP2511966A3 (en) * | 2011-04-14 | 2014-08-20 | Nitto Denko Corporation | Reflecting resin sheet, light emitting diode device and producing method thereof |
US9214611B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-12-15 | Nitto Denko Corporation | Reflecting resin sheet, light emitting diode device and producing method thereof |
EP2511965A3 (en) * | 2011-04-14 | 2014-08-27 | Nitto Denko Corporation | Reflecting resin sheet, light emitting diode device and producing method thereof |
CN102738362A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 日东电工株式会社 | 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法 |
CN102738363A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 日东电工株式会社 | 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法 |
JP2012222315A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Nitto Denko Corp | 反射樹脂シート、発光ダイオード装置およびその製造方法 |
JP2012222317A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Nitto Denko Corp | 反射樹脂シート、発光ダイオード装置およびその製造方法 |
US9450160B2 (en) | 2011-04-14 | 2016-09-20 | Nitto Denko Corporation | Reflecting resin sheet, light emitting diode device and producing method thereof |
CN102738363B (zh) * | 2011-04-14 | 2016-07-06 | 日东电工株式会社 | 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法 |
JP2012243822A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置とその製造方法 |
US9117982B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-08-25 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device including transparent resin with curved surface arranged at side facing light-emitting diode element |
JP2013004802A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置とその製造方法 |
KR101335921B1 (ko) | 2011-10-06 | 2013-12-03 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법 |
US8907361B2 (en) | 2011-10-06 | 2014-12-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package and fabrication method thereof |
JP2015503180A (ja) * | 2011-10-25 | 2015-01-29 | ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG | 高輝度用光変換器 |
JP2018185542A (ja) * | 2011-10-25 | 2018-11-22 | ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG | 高輝度用光変換器 |
US9738828B2 (en) | 2011-10-25 | 2017-08-22 | Schott Ag | Optical converter for high luminances |
JPWO2013111542A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2015-05-11 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
US8896001B2 (en) | 2012-01-23 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor light emitting device |
WO2013111542A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
JP2014049642A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2014072212A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US9276180B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-03-01 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device and light emitting device |
US9349664B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-05-24 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device and light emitting device |
WO2014162650A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
JP2014225518A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | アピックヤマダ株式会社 | Led装置の製造方法、金型、樹脂成形装置、及び、led装置 |
US9929324B2 (en) | 2013-06-27 | 2018-03-27 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US10230029B2 (en) | 2013-06-27 | 2019-03-12 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9287472B2 (en) | 2013-06-27 | 2016-03-15 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2016525288A (ja) * | 2013-07-26 | 2016-08-22 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 内部高屈折率ピラーを有するledドーム |
US10096753B2 (en) | 2013-08-07 | 2018-10-09 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2015053361A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
KR102304741B1 (ko) * | 2013-11-07 | 2021-09-24 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | Led를 둘러싸는 내부 전반사 층을 갖는 led를 위한 기판 |
KR20160083910A (ko) * | 2013-11-07 | 2016-07-12 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | Led를 둘러싸는 내부 전반사 층을 갖는 led를 위한 기판 |
JP2015188053A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-29 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US9722153B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-08-01 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing same |
US9954153B2 (en) | 2014-03-14 | 2018-04-24 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing same |
US9472737B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-10-18 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
JP7096512B2 (ja) | 2014-12-26 | 2022-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2021068913A (ja) * | 2014-12-26 | 2021-04-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10424703B2 (en) | 2015-03-16 | 2019-09-24 | Epistar Corporation | Method of producing an optical semiconductor device |
KR20170128298A (ko) | 2015-03-16 | 2017-11-22 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광 반사층 부착 광 반도체 소자, 및 광 반사층 및 형광체층 부착 광 반도체 소자의 제조 방법 |
US10923639B2 (en) | 2015-03-16 | 2021-02-16 | Epistar Corporation | Method for producing an optical semiconductor device |
KR20170017150A (ko) * | 2015-08-05 | 2017-02-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 광원 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 |
KR102407329B1 (ko) * | 2015-08-05 | 2022-06-13 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 광원 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 |
JP2017054894A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10347797B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-07-09 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US9842970B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-12-12 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10615315B2 (en) | 2015-09-08 | 2020-04-07 | Nichia Corporation | Light emitting device |
KR102486032B1 (ko) | 2015-11-04 | 2023-01-11 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
KR20170052211A (ko) * | 2015-11-04 | 2017-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
JP2017168808A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-09-21 | 株式会社カネカ | Csp−led用熱硬化性白色インク |
US10279728B2 (en) | 2016-08-01 | 2019-05-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2018049875A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び車両用灯具 |
US11322664B2 (en) | 2016-10-19 | 2022-05-03 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
US10896998B2 (en) | 2016-10-19 | 2021-01-19 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
US10559724B2 (en) | 2016-10-19 | 2020-02-11 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing same |
JP2020191460A (ja) * | 2016-12-22 | 2020-11-26 | シャープ株式会社 | 表示装置および製造方法 |
JP7033172B2 (ja) | 2016-12-22 | 2022-03-09 | シャープ株式会社 | 表示装置および製造方法 |
US11269215B2 (en) | 2017-02-17 | 2022-03-08 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting module and light emitting module |
CN110959129B (zh) * | 2017-04-03 | 2022-07-08 | 奥普托维特有限公司 | 照明设备 |
US11061279B2 (en) | 2017-04-03 | 2021-07-13 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
CN110959129A (zh) * | 2017-04-03 | 2020-04-03 | 奥普托维特有限公司 | 照明设备 |
WO2018185476A1 (en) * | 2017-04-03 | 2018-10-11 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
US11231568B2 (en) | 2017-04-03 | 2022-01-25 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus |
JP2018207005A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに面状ライトユニット |
US11329203B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-05-10 | Nichia Corporation | Light emitting device including covering member and optical member |
JP2017212470A (ja) * | 2017-09-06 | 2017-11-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US12002789B2 (en) | 2017-11-05 | 2024-06-04 | Optovate Limited | Display apparatus |
US11422344B2 (en) | 2018-01-14 | 2022-08-23 | Optovate Limited | Illumination apparatus |
KR20190087014A (ko) * | 2018-01-15 | 2019-07-24 | 네이버랩스 주식회사 | 발광 장치 |
KR102098235B1 (ko) | 2018-01-15 | 2020-04-07 | 네이버랩스 주식회사 | 발광 장치 |
JP2018088554A (ja) * | 2018-02-19 | 2018-06-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11106083B2 (en) | 2018-03-09 | 2021-08-31 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus with a catadioptric lens array that reflects and transmits light from an array of LEDs with a smaller light distribution cone |
JP2019176081A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP7082279B2 (ja) | 2018-03-29 | 2022-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US11424384B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-08-23 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
US11742466B2 (en) | 2018-05-13 | 2023-08-29 | Optovate Limited | Colour micro-LED display apparatus |
US11063193B2 (en) | 2018-05-13 | 2021-07-13 | Reald Spark, Llc | Colour micro-LED display apparatus |
US11508881B2 (en) | 2018-08-03 | 2022-11-22 | Nichia Corporation | Light emitting module and method of manufacturing the same |
JP2020021899A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
US10971657B2 (en) | 2018-08-03 | 2021-04-06 | Nichia Corporation | Light emitting module and method of manufacturing the same |
CN111913321A (zh) * | 2019-05-09 | 2020-11-10 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 背光模组及具有其的显示装置 |
JP2020188001A (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-19 | フォーシャン・ネーションスター・オプトエレクトロニクス・カンパニー・リミテッド | バックライトモジュールおよびそれを備えた表示装置 |
JP7257247B2 (ja) | 2019-05-16 | 2023-04-13 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2020188178A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
US11874541B2 (en) | 2019-07-02 | 2024-01-16 | Reald Spark, Llc | Directional display apparatus |
US11573437B2 (en) | 2019-07-02 | 2023-02-07 | Reald Spark, Llc | Directional display apparatus |
US11594665B2 (en) | 2019-08-02 | 2023-02-28 | Nichia Corporation | Light-emitting unit and surface-emission light source |
US11901498B2 (en) | 2019-08-02 | 2024-02-13 | Nichia Corporation | Light-emitting unit and surface-emission light source |
US11294233B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-04-05 | ReaID Spark, LLC | Directional illumination apparatus and privacy display |
US11016341B2 (en) | 2019-09-11 | 2021-05-25 | Reald Spark, Llc | Directional illumination apparatus and privacy display |
US11163101B2 (en) | 2019-09-11 | 2021-11-02 | Reald Spark, Llc | Switchable illumination apparatus and privacy display |
US11450649B2 (en) | 2019-10-03 | 2022-09-20 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus comprising passive optical nanostructures |
US11162661B2 (en) | 2019-10-03 | 2021-11-02 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus comprising passive optical nanostructures |
US11652195B2 (en) | 2019-10-03 | 2023-05-16 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus comprising passive optical nanostructures |
US11843078B2 (en) | 2019-12-26 | 2023-12-12 | Nichia Corporation | Light emitting device with good visibility |
JP7417067B2 (ja) | 2020-01-30 | 2024-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11656398B2 (en) | 2020-02-20 | 2023-05-23 | Reald Spark, Llc | Illumination and display apparatus |
US11287562B2 (en) | 2020-02-20 | 2022-03-29 | Reald Spark, Llc | Illumination apparatus including mask with plurality of apertures and display apparatus comprising same |
JP2022036185A (ja) * | 2020-03-18 | 2022-03-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020115584A (ja) * | 2020-04-15 | 2020-07-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP7007606B2 (ja) | 2020-04-15 | 2022-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US11506934B2 (en) | 2020-08-31 | 2022-11-22 | Nichia Corporation | Light-emitting device and planar light source |
JP2021009857A (ja) * | 2020-10-28 | 2021-01-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール |
JP7068594B2 (ja) | 2020-10-28 | 2022-05-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール |
JP2021057598A (ja) * | 2020-11-25 | 2021-04-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
JP7001945B2 (ja) | 2020-11-25 | 2022-01-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
JP7401790B2 (ja) | 2021-07-21 | 2023-12-20 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換モジュール |
JP2023016550A (ja) * | 2021-07-21 | 2023-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換モジュール |
US11767967B2 (en) | 2021-12-24 | 2023-09-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
WO2023176301A1 (ja) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5689225B2 (ja) | 2015-03-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5689225B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5326705B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5326837B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5799988B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5463901B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5521325B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6020657B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5967269B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5610036B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2011138815A (ja) | 発光装置 | |
JP2015099940A (ja) | 発光装置 | |
JP6665143B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2015026871A (ja) | 発光装置 | |
JP6222325B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6680302B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2024083405A (ja) | 発光装置 | |
JP5761391B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5644967B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5931006B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6274240B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6825636B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2016189488A (ja) | 発光装置 | |
JP7011196B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7299537B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2023105255A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120329 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131216 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140425 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140512 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5689225 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |