JPH10151794A - 発光装置及びその形成方法 - Google Patents

発光装置及びその形成方法

Info

Publication number
JPH10151794A
JPH10151794A JP31160496A JP31160496A JPH10151794A JP H10151794 A JPH10151794 A JP H10151794A JP 31160496 A JP31160496 A JP 31160496A JP 31160496 A JP31160496 A JP 31160496A JP H10151794 A JPH10151794 A JP H10151794A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
led chip
emitting device
transmitting
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP31160496A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3992770B2 (ja
Inventor
Genriyou Yamada
元量 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP31160496A priority Critical patent/JP3992770B2/ja
Publication of JPH10151794A publication Critical patent/JPH10151794A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3992770B2 publication Critical patent/JP3992770B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385Shape, e.g. interlocking features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】量産性が良く且つ使用環境下によらず信頼性が
高い小型化可能な発光装置の提供。 【解決手段】透光性接着剤104を介して透光性支持体
101上にLEDチップ102を配し、該LEDチップ
の前記透光性接着剤と接した面と対向する面側に有する
電極と、前記透光性支持体101に設けられた外部電極
105と、を導電性ワイヤー103によって電気的に接
続させた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本願発明は、LED表示器、
光通信機器、光プリンターヘッドや光センサーなどの各
種制御機器に用いられる光源などに利用される発光装置
に関し、特に、量産性が良く且つ使用環境下によらず信
頼性が高い発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】今日、LSIなどのシリコンテクノロジ
ーや光通信技術等の発展により、大量の情報を高速に処
理及び伝送することが可能となった。これに伴い、多量
な画像情報が処理可能なフルカラー化や高精細化した光
プリンタヘッド、表示装置や各種制御機器に用いられる
光センサーなどに対する社会の要求がますます高まりを
見せている。特に、特性が安定し小型化された発光装置
については極めて要求が高く種々開発されてきている。
このような発光装置として特開平7−231120号や
特開平7−22651号などが挙げられる。
【0003】発光装置の具体的一例を図5に示す。LE
Dチップ502の一方の電極をリードフレーム上に、A
gペースト504などを用いて接続すると共にLEDチ
ップの他方の電極を導電性ワイヤー503であるAu線
などで別途電気的に接続させてある。発光装置はLED
チップからの光を集光させ効率的に取り出すためにLE
Dチップ上にエポキシ樹脂などによりレンズ形状501
にモールドされている。導電性ワイヤーを用いて電気的
接続を行うと共にモールド部材で被覆する発光装置は、
比較的簡単に歩留まり良く小型に形成させることができ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発光面
側に導電性ワイヤーなどがあるとLEDチップが発光し
た光が導電性ワイヤー、導電性ワイヤーのボンディング
部や電極の陰になる。LEDチップに設けられた発光面
側の電極下部などで発光した光などが有効に外部にでて
こないという問題がある。また、LEDチップを感光紙
などの記録媒体に照射させる場合、LEDチップと記録
媒体間に少なくとも導電性ワイヤー分の厚みが余分にい
る。そのため導電性ワイヤーが邪魔で近接できない。ま
た、アパチャーなどの遮光部材を用いてLEDチップが
発光した光をスポット光とする場合においても、導電性
ワイヤーなどが陰になる場合もある。このため、均一な
光特性が得られず製品としては不良になるものもあっ
た。発光素子の一方の面側に正極及び負極の電極など複
数の電極を形成した場合は、上述の導電性ワイヤーが増
えるために遮光などの問題がさらに顕著な傾向となる。
【0005】また、LEDチップからの光を集光させる
場合LEDチップに樹脂などをモールド成形し一体にレ
ンズ部などを形成させる。レンズ部により集光力をより
高めようとするとLEDチップ表面からレンズ部の頂点
であるモールド部の厚みが厚くなる場合がある。導電性
ワイヤーで電気的に接続させたLEDチップをモールド
部材で一体成形させるとモールド部材の厚みが厚くなる
につれ温度差の極めて激しい使用環境下においては発光
装置の特性が劣化する傾向にある。特に、導電性ワイヤ
ーの接続部が多い発光装置においては顕著になる。
【0006】さらに気泡などの混入を防ぎ発光特性を安
定化させ、集光力を高めるためにはトランスファー成形
などにより形成させたレンズを用いることが好ましい。
しかしながら樹脂成形時に比較的高圧で所望の形状に成
形させる。冷却硬化時に生じる樹脂収縮などの形成諸条
件から導電性ワイヤーで電気的接続を取ったLEDチッ
プを一体成形させることが難しい。レンズ部と発光素子
とを密着して小型に形成させることができないという問
題を有する。
【0007】したがって、より優れた発光特性が求めら
れる今日においては上記構成の発光装置では十分ではな
く、更なる特性向上が求められている。本願発明はかか
る問題に鑑み、導電性ワイヤーによって外部電極と電気
的に接続されたLEDチップを持つ発光装置において、
使用環境によらず発光特性が安定、光利用効率、歩留ま
りが高く小型に形成しうる発光装置とすることである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願発明は、透光性接着
剤を介して透光性支持体上にLEDチップを配し、該L
EDチップの前記透光性接着剤と接した面と対向する面
側に有する電極と、前記透光性支持体に設けられた外部
電極と、を導電性ワイヤーによって電気的に接続された
発光装置である。また、LEDチップは透光性絶縁基板
に形成された半導体上にそれぞれ正極及び負極の電極を
有する発光装置であり、導電性ワイヤーを保護するため
の保護部材と、該保護部材上の反射部材と、を有する発
光装置でもある。また、透光性接着剤に蛍光物質が含有
されている発光装置である。透光性支持体上に少なくと
も一箇所の開口部を有する遮光部材を設けた発光装置で
もある。さらに、透光性支持体がLEDチップからの光
の少なくとも一部を集光するレンズ部を有する発光装置
でもある。
【0009】さらにまた、透光性支持体の凹部に透光性
接着剤を介してLEDチップを固定する工程と、LED
チップの電極と、透光性支持体に設けられた外部電極
と、を導電性ワイヤーによりワイヤーボンディングさせ
る工程と、透光性支持体の凹部内に配された導電性ワイ
ヤー、LEDチップ上に反射部材を形成する工程と、を
有する発光装置の形成方法でもある。
【0010】
【作用】光取り出し部側と電気的接続部側とをLEDチ
ップに対してそれぞれ機能分離して形成させることによ
り電気的接続部を導電性ワイヤーによって比較的容易に
信頼性を高く形成させることができる。光り取り出し部
の形成などに伴う圧力や封止部材の内部応力による電気
的接続部材の断線などを防いだ発光装置とすることがで
きる。また、特に透光性接着剤を介して固定させること
により効率よく光を導くと共に光軸を合わせることがで
きる。さらに、光取り出し部材を別途形成させることが
できる。これにより、光取り出し部を気泡の混入などが
極めて少なく集光力に優れた発光装置とさせることもで
きる。
【0011】
【発明の実施の形態】本願発明者は種々の実験の結果、
光の取り出し部位と導電性ワイヤー形成部位とを機能分
離させることにより量産性が良く、且つ使用環境によら
ず発光特性が安定な発光装置とすることができることを
見いだし、これに基づいて本願発明を成すに到った。
【0012】光の取り出し部位と導電性ワイヤー形成部
位とを分離させることにより、使用環境によらず発光特
性が安定となる理由は定かではないが導電性ワイヤーに
よって電気的に接続されたLEDチップと一体成形させ
る光の取りだし部位に関係すると考えられる。
【0013】即ち、LEDチップからの光を効率よく集
光させるためにモールド部材をレンズ形状とさせ一体成
形などさせると、集光率を高めるにつれ高温湿度サイク
ル下においては寿命が短くなるものがある。特に、LE
Dチップ表面からレンズを形成する部材の厚みが厚くな
るにつれ内部応力が大きくなる。そのため、温度差の大
きい使用環境下においてはLEDチップを構成する導電
性ワイヤーがレンズ部を形成するモールド部材の内部応
力により断線するためと考えられる。また、より集光能
力の高いレンズを形成させる場合には、樹脂の種類など
にもよるが150〜200kg/cm2ほどの成形圧力
がかかるトランスファー成形などを使用することが好ま
しい。この場合、LEDチップの電極などと電気的に接
続された導電性ワイヤーは透光性支持体成型時における
圧力で断線などが生じる場合もある。
【0014】本願発明は、LEDチップからの光を取り
出す透光性支持体と導電性ワイヤーで接続された部位と
を別体に形成させる。具体的には、図1(B)にチップ
タイプLEDの一例を示す。図1に(B)は、集光能力
の高いレンズを形成させるためにトランスファー成形に
よりレンズ部が一体成形された透光性支持体101を用
いてある。透光性支持体101中には、外部電極105
となる銀メッキされた銅板が埋め込まれている。また、
レンズ部と反対側の透光性支持体上には、LEDチップ
が配される凹部が形成されている。凹部内にはさらに底
辺が外部に向かって凸形状の凹部が設けられている。透
光性支持体101のレンズ部と光軸が合うように透光性
接着剤104としてエポキシ樹脂を用いてLEDチップ
を凹部内にダイボンディングさせてある。ダイボンド樹
脂を硬化後、透光性支持体101中から凹部内に露出し
た外部電極105と、サファイア基板上に窒化ガリウム
系化合物半導体を有するLEDチップ102の電極と、
を導電性ワイヤー103である金線を用いてそれぞれワ
イヤーボンディングさせた。その後、凹部内のLEDチ
ップ102、導電性ワイヤー103及び外部電極105
などをチタン酸バリウムを含有させたシリコンゴムを塗
布硬化させた保護部材兼反射部材106を設けることに
より発光装置を形成させた。
【0015】このような発光装置の構成とすることによ
って光の取り出し部位と、導電性ワイヤー形成部位と、
を分離させ高温度サイクルにおいても発光特性の安定し
た発光装置とすることができる。特に、本願発明におい
ては集光能力を向上させた光取り出し部位とさせること
ができる。透光性接着剤を介して透光性支持体とLED
チップとを接続させることによりLEDチップからの光
を効率よく導くと共に発光装置の光軸を容易に合わせる
こともできる。以下本願発明の各構成について詳述す
る。
【0016】(透光性支持体101、201、301、
401)本願発明に用いられる透光性支持体101とし
ては、半導体発光素子であるLEDチップ102を積置
できると共にLEDチップ102からの発光波長の少な
くとも一部或いはLEDチップ102からの光を利用し
た発光波長に対して実質的に透光性を有するものであ
る。
【0017】このような透光性支持体101は、用途や
所望に応じて種々の形状、材料を用いることができる。
具体的には、透光性支持体101に凸レンズや凹レンズ
を種々形成させることができる。また、透光性支持体に
凹状や半円状などの窪みを形成させLEDチップ102
の積置に利用させることもできる。このような窪みを利
用することによってレンズ効果を持たせることもでき
る。従って、凹部内の底辺の少なくとも一部を凸形状や
凹形状など種々の形状にし所望の配光特性を得ることが
できる。また、凹部を所望の大きさや形状に形成させる
ことによって透光性支持体101上に積置されるLED
チップ102を固定させる透光性接着材104の量を種
々制御させることもできる。透光性支持体上にはLED
チップ302を1個以上配置させても良い。この場合、
それぞれ独立して駆動させるためにはLEDチップ30
2間に遮光部材310を配置させたり着色させておくこ
とが望ましい。
【0018】本願発明の透光性支持体101は、特にL
EDチップの電気的接続部である導電性ワイヤーとは別
に自由に設計することができるため成形圧力がかかる圧
縮成形やトランスファー成形などを用いて形成すること
ができる。即ち、透光性支持体101自体に優れた光学
特性を持つレンズ部などを形成させることができる。
【0019】透光性支持体101は、LEDチップなど
からの熱の影響をうけた場合、透光性接着剤104との
密着性を考慮して熱膨張率の小さい物が好ましい。透光
性支持体101の内部表面は、エンボス加工させて接着
面積を増やしたり、プラズマ処理して透光性接着剤10
4との密着性を向上させることもできる。
【0020】このような透光性支持体101としてポリ
カーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PP
S)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、P
BT樹脂等の樹脂を用いることができる。
【0021】本願発明の透光性支持体101を形成させ
る方法は、種々の方法を用いることができるがトランス
ファー成形や圧縮成形などによって好適に形成させるこ
とができる。
【0022】トランスファー成形は、熱硬化性プラスチ
ック材料の成型法の一種である。材料をポット内で余熱
軟化しこれをプランジャーによってオリフィスを通して
密閉、加熱した金型に比較的高い成形圧で押し込む。プ
ラスチック材料を金型内で熱硬化させ形成させる。その
ため均一な硬化、寸法が正確であり本願発明の透光性支
持体の一部をレンズに成形などした場合に好適に用いる
ことができる。
【0023】一方、圧縮成形は成形材料を金型中に仕込
み金型を加熱プレスにより加圧し熱と圧力によって可塑
性流動を起こさせ成形材料をキャビティ内に均一に充填
させることによって所望形状の透光性支持体を形成させ
ることができる。
【0024】なお、本願発明において透光性とは、LE
Dチップからの発光波長の少なくとも一部或いはLED
チップからの光を利用した発光波長が実質的に透過でき
ることをいう。また、LEDチップからの発光波長の少
なくとも一部に対して透光性を有するとは、LEDチッ
プから照射された光が実質的に全て透光性支持体を透過
する場合はもちろん、透光性支持体に着色部材を含有さ
せるなどLEDチップから放出された光に対してフィル
ター効果を持たせた場合を含むことを意味する。LED
チップからの光を利用した発光波長に対して透光性を有
するとは、透光性支持体や透光性接着剤などに蛍光物質
を含有させLEDチップから放出され蛍光物質で波長変
換させた光が透光性支持体を透過する場合を含むことを
も意味する。
【0025】(発光素子102、202、302、40
2)本願発明に用いられる発光素子であるLEDチップ
102としては、液相成長法、MBE(分子線ビーム気
相成長法)やMOVPE(有機金属気相成長法)等によ
り基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、G
aP、GaAlAs、AlInGaP、InGaN、G
aN、AlN、InN、AlInGaN等の半導体を発
光層として形成させたLEDチップが好適に用いられ
る。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合や
PN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブル
へテロ構成のものなどが挙げられる。半導体発光層の材
料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光ま
で種々選択することができる。さらに、量子効果を持た
せるため発光層を単一量子井戸構造、多重量子井戸構造
とさせても良い。
【0026】一般にLEDチップは、半導体基板上に設
けられた発光層に電流を供給するため半導体を介して対
向する面側に正極及び負極の電極を形成させる。このよ
うなLEDチップを本願発明に利用する場合、一方のみ
を導電性ワイヤーによって電気的に接続させることがで
きる。他方は、透光性支持体201に設けられた透光性
の電極205上に透光性接着剤204を介して設置させ
る必要がある。また、窒化ガリウム系化合物半導体など
結晶の質を向上させるなどためにアルミナ、サファイア
などの絶縁性基板上に半導体層を形成させた場合は、同
一面側に正極及び負極の電極を形成させ電気的導通をと
ることとなる。したがって、導電性ワイヤーが少なくと
も2本以上必要となるため特に本願発明の効果が顕著に
あらわれることとなる。
【0027】半導体に形成される電極は真空蒸着法や
熱、光、放電エネルギーなどを利用した各種CVD法や
スパッタリング法を用いて所望に形成させることができ
る。電極が形成された半導体ウエハーをダイヤモンド製
の刃先を有するブレードが回転するダイシングソーによ
り直接フルカットするか、又は刃先幅よりも広い幅の溝
を切り込んだ後(ハーフカット)、外力によって半導体
ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモンド針が往
復直線運動するスクライバーにより半導体ウエハーに極
めて細いスクライブライン(経線)を例えば碁盤目状に
引いた後、外力によってウエハーを割り半導体ウエハー
からチップ状にカットさせるなどしてLEDチップ10
2を形成させることができる。
【0028】(導電性ワイヤー103、203、30
3、403)導電性ワイヤー103としては、LEDチ
ップ102の電極及び外部電極105とのオーミック
性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいもの
が求められる。熱伝導度としては0.01cal/cm
2/cm/℃以上が好ましく、より好ましくは0.5c
al/cm2/cm/℃以上である。また、作業性など
を考慮して導電性ワイヤー103の直径は、好ましく
は、Φ10μm以上、Φ45μm以下である。このよう
な導電性ワイヤー103として具体的には、金、銅、白
金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いたも
のが好適に挙げられる。このような導電性ワイヤー10
3は、各LEDチップ102の電極と、外部電極105
と、をワイヤーボンディング機器によって容易に接続さ
せることができる。
【0029】(透光性接着剤104、204、304、
404)本願発明に用いられる透光性接着剤104と
は、透光性支持体101と発光素子であるLEDチップ
102とを固定すると共にLEDチップ102からの発
光波長の少なくとも一部或いはLEDチップ102から
の光を利用した発光波長に対して実質的に透光性を有す
るものである。したがって、透光性支持体101或いは
外部電極205と密着性が良く所望の光の透過率が高い
ことが求められる。
【0030】また、半導体を介して電極が対向して配置
されたLEDチップにおいては、電極を介して光を放出
させる必要がある。そのため、透光性支持体201上に
設けられた外部電極205の少なくとも一部をSn
2、In23、ZnOやITOなどの透光性金属酸化
物や金属薄膜とさせる。外部電極205上に積置された
LEDチップ202の電極を、透光性を有する電気伝導
性部材を含有させた透光性接着剤204により固定と共
に電気的接続を行うこともできる。
【0031】さらに、透光性接着剤は、発光素子からの
放熱をパッケージ電極へと伝導させるために熱伝導性が
よいことが好ましい。熱伝導性を高めると共にLEDチ
ップの一方の電極を透光性接着剤を介して電気的に接続
させても良い。このような透光性接着剤としては、透光
性導電性部材を含有させた樹脂バインダーが好ましい。
上記要件を満たす具体的な導電性部材としてSnO2
In23、ZnOやITOなどが挙げられる。また、バ
インダーとしてエポキシ樹脂など種々のものが挙げられ
る。透光性接着剤104中には蛍光物質及び/又は着色
物質を含有させることもできる。蛍光物質を含有させる
ことにより蛍光物質からの光又は蛍光物質とLEDチッ
プからの光を所望に応じて発光させることができる。ま
た、着色染料や着色顔料などの着色物質を含有させるこ
とによってLEDチップからの発光波長を所望に調節さ
せるフィルター効果を持たせることもできる。
【0032】また、透光性支持体101の凹部形状を凸
レンズや凹レンズ形状とさせると共に透光性支持体10
1とは屈折率の異なる透光性接着剤104を注入させる
ことにより所望の光学特性を持たせることもできる。こ
のような透光性接着剤104として具体的にはエポシキ
樹脂、シリコン樹脂や水ガラスなど種々のものが挙げら
れる。
【0033】(外部電極105、205、305、40
5)本願発明に用いられる外部電極105とは、透光性
支持体101に設けられたLEDチップ102に外部か
ら電力を供給させるために用いられるためのものであ
る。外部電極105は、電気伝導性、放熱性や発光素子
などの特性などから種々の大きさや形状に形成させるこ
とができる。外部電極105は、金属板を透光性支持体
101内に挿入させたものでも良いし、透光性支持体1
01上に種々の方法で形成させたものでも良い。
【0034】外部電極105は、透光性支持体101の
形成時に金属板を入れることにより一体形成させること
ができる。また、透光性支持体301形成後に金属を蒸
着、メッキやスパッタリングにより形成させることもで
きる。また、SnO2、In23、ZnOやITOなど
の透光性金属酸化物などを外部電極105として利用す
ることもできる。
【0035】また、透光性支持体301上に複数のLE
Dチップ302を配置する場合は、LEDチップから放
出された熱を外部に放熱させるため熱伝導性がよいこと
が好ましい。また、外部電極105の一部を利用して反
射部材を形成させることにより光利用効率を高めること
もできる。この場合、透光性支持体101上に設けられ
た外部電極105は、LEDチップが放出した光に対し
て反射率が高いことが好ましい。このような外部電極1
05としては、銅や青銅板表面に銀或いは金などの貴金
属メッキを施したものが好適に用いられる。
【0036】(保護部材106、406)本願発明に用
いられる保護部材106は、発光素子であるLEDチッ
プ102やその電気的接続のための導電性ワイヤー10
3等を外部力、塵芥や水分などから保護するために設け
られることが好ましい。したがって、保護部材106と
LEDチップ102などとが密着して形成されていても
よいし、放熱性や応力緩和のため発光素子などと密着し
ていなくとも良い。保護部材106とLEDチップ10
2や導電性ワイヤー103などが密着している場合は、
導電性ワイヤーが内部応力などによって断線などしない
ように弾力性のある樹脂を用いることが望ましい。ま
た、弾力性の少ない樹脂を用いる場合は薄く形成させる
ことが望ましい。保護部材106としての具体的材料
は、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコン樹脂、フッ素
樹脂、ポリカーボネート樹脂などの耐候性に優れた樹脂
が好適に用いられる。このような保護部材106は、L
EDチップ102などを被覆するように透光性支持体の
凹部にノズルから樹脂を注入させることなどによって簡
単に形成させることができる。
【0037】(反射部材107、407)反射部材10
7とは、LEDチップ102から放出された光などを効
率よく透光性支持体側に向かわせるために設けることが
好ましい。反射部材107は、保護部材106上に形成
させることもできるし、反射部材と保護部材とを兼用構
造とさせることもできる。さらに、反射部材107のみ
を形成させることもできる。反射部材107は樹脂やガ
ラス中などに酸化チタン、チタン酸バリウムなどの高反
射率を有する部材を含有させることにより形成させるこ
とができる。また、金属を保護部材上に設け反射部材と
させても良い。
【0038】反射部材107に用いられる材料は保護部
材106と同じ部材としてもよい。また、反射部材10
7に用いられると、保護部材106に用いられる材料
と、を応力、放熱性や屈折率の異なる部材などで形成さ
せてもよい。
【0039】(バックライト)本願発明を用いて図2の
如く液晶装置などに利用できるバックライト光源を構成
することができる。図2には、本願発明の透光性支持体
201をバックライト光源の導光板などと兼用すること
ができるものを記載してある。ポリカーボネートで作成
した導光板の主面及びLEDチップ202が積置された
端面を除いて反射層210を形成させた。このような反
射層210は、酸化チタンが含有されたエポキシ樹脂板
などを張り合わせてある。反射層210を設けることに
よって、LEDチップ202から放出された光を効率よ
く導光板の主面から放出させることができる。
【0040】ここで、発光素子としてSiC基板上に窒
化ガリウム系化合物半導体を形成させたLEDチップ2
02を用いた。LEDチップ202はSiC基板面側及
び半導体発光層を介してSiC基板に対向する半導体面
側にはそれぞれスパッタリング法によりアルミニウムの
正極及び負極の電極を形成させてある。SiC基板面側
に設けられた電極は発光層で発光した光が透過できるよ
う薄く形成させてある。
【0041】導光板のLEDチップ202が積置される
端面には外部電極205として透光性を有するITOと
その上に形成されたAl膜をそれぞれ所望の形状にスッ
パタリング法により形成させてある。LEDチップ20
2の電極が形成されたSiC基板面側と、少なくともL
EDチップ下が透光性を有する外部電極205と、をS
nO2が含有された透光性接着剤204で固着すると共
に電気的に導通をとる。これによりLEDチップ202
が積置された部位以外の外部電極205は、ITO上に
Alを積層してあり反射層として働くと共に導電性を向
上させることができる。LEDチップ202の半導体面
側に設けられた他方の電極は、導電性ワイヤー203を
用いて導光板に設けられた別の外部電極とワイヤーボン
ディングしてある。こうして形成されたバックライト上
に不示図の液晶装置を配置することによって液晶表示装
置を形成させることができる。
【0042】(書き込み/読み込み光源)本願発明を用
いて図3及び図4の如く光プリンターヘッドやイメージ
スキャナーの光源などを構成することができる。本願発
明の発光装置を図3の如き光プリンターヘッドなどの書
き込み光源用に利用したものを示す。透光性支持体30
1としては、長尺のガラスを用いた。LEDチップ30
2にはサファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体
を形成させたものを用いてある。LEDチップ302上
には半導体の同一平面側にP型電極及びN型電極が形成
されている。ガラス上に遮光部材310としてCu膜を
蒸着により形成させた。遮光部材310には、少なくと
も一箇所の開口部が設けられておりアパーチャーとして
の役割を果たす。また、透光性支持体301を介して遮
光部材310が設けられた面と対向する面側には外部電
極305としてCuの導電性パターンが形成されてあ
る。
【0043】LEDチップ302のサファイア基板は、
透光性支持体301の外部電極305が設けられた面側
に透光性接着剤304であるエポキシ樹脂を用いて接着
させた。図3では、透光性支持体301上に2個のLE
Dチップ302が配置されており、一方のLEDチップ
302のP型半導体に設けられた電極と、外部電極と、
をAuワイヤー303を用いてワイヤーボンディングに
より接続されている。同様に、他方の隣接するLEDチ
ップのN型半導体に設けられた電極と、別の外部電極
と、をそれぞれワイヤーボンディングしてある。
【0044】LEDチップ302間は、直列接続させる
ために一方のLEDチップのN型半導体上に設けられた
電極と、他方のLEDチップのP型半導体上に設けられ
た電極と、を直接ワイヤーボンディングし直列接続とさ
せてある。こうして直列接続されたLEDチップに電力
を供給させるとLEDチップ302から透光性接着剤3
04、アパーチャーが設けられた透光性支持体301を
介して点発光される。これにより光取り出し部と、ワイ
ヤーが重なり陰になることもなくなり、また、感光紙な
どに密着露光させることもできる。
【0045】また、本願発明の発光装置を図4の如きフ
ルカラー光プリンターヘッドとして利用する場合、RG
B各発光波長を同一の窒化ガリウム系化合物半導体など
を利用したLEDチップ402によってそれぞれ形成さ
せることができる。即ち、窒化ガリウム系化合物半導体
の組成を代えることによって、青色系及び緑色系がそれ
ぞれ発光可能なLEDチップを形成する。レンズが形成
されRGBごとに光学的に分離された透光性支持体40
1の凹部にエポキシ樹脂などの透光性接着剤404によ
ってLEDチップ402を固定させてある。赤色系発光
部に相当する透光性支持体の凹部には、LEDチップか
らの光によって励起され赤色系が発光可能な蛍光物質を
エポキシ樹脂中に含有させた透光性接着剤411を用い
てLEDチップのサファイヤ基板側で接着させてある。
透光性支持体401の裏面側には、各LEDチップを駆
動させるための外部電極405が形成されている。各外
部電極405とLEDチップの電極とは、導電性ワイヤ
ー403である金線などでワイヤーボンドさせてある。
同様に、青色系及び緑色系は透光性接着剤に蛍光物質を
含有させない以外は同様に構成してある。LEDチップ
上の背面側には使用状況に応じて保護部材406として
の封止樹脂やリフレクターである反射部材407を設け
てもよい。
【0046】透光性支持体の凹部中に蛍光物質が含有さ
れた樹脂などの透光性接着剤411を含有させることに
よって、接着剤量や厚み等を制御することができるため
歩留まりが向上するという利点がある。特に、蛍光物質
を含有させたときは含有量、分布厚みなどを凹部形状な
どによって制御しやすい。
【0047】また、赤色系が発光可能な蛍光物質として
具体的にはaMgO・bLi2O・Sb23:cMn、
eMgO・fTiO2:gMn、pMgO・qMgF2
GeO2:rMnなどが好適に挙げられる(但し、2≦
a≦6、2≦b≦4、0.001≦c≦0.05、1≦
e≦3、1≦f≦2、0.001≦g≦0.05、2.
5≦p≦4.0、0≦q≦1、0.003≦r≦0.0
5である。)。このような蛍光物質に加えてセリウム付
活イットリウム・アルミニウム・ガーネットなどの他の
蛍光物質を混合させることもできる。また他の色は、セ
リウム付活イットリウム・アルミニウム・ガーネットで
ある(RE1-xSmx3(Al1-yGay512:Ce蛍
光物質(但し、0≦x<1、0≦y≦1、REは、Y、
Gd、Laからなる群から選択される少なくとも一種の
元素である。)など他の蛍光物質のみで構成させること
もできる。
【0048】また、センサー用光源として利用する場合
は、RGBを光学的に分離することなくRGBに相当す
る各LEDチップを近接し白色系が発光可能なように配
置することができる。各LEDチップから放出された光
は、文字、写真や図などが記載された紙などの媒体に照
射される。媒体で反射された光をそれぞれRGBに対応
したカラフィルターを介して単結晶や非単結晶シリコン
などで構成された光センサー中に入るよう光学的に構成
させてある。長尺光センサーなどに入射された光はRG
Bそれぞれの光に対応した電気信号として読みとること
ができる。
【0049】読み込み光源であるセンサー用光源など
は、光源自身を発光させていなくとも待機時間中に生ず
る予熱などにより光源の温度が昇温する場合がある。各
LEDチップを構成する半導体が異なった材質から形成
させていると、発光出力や発光波長などの温度特性が異
なる。そのため一定温度時に白色光に調整させたとして
も、温度変化によって色調がずれ正確な情報を読みとる
ことができない場合がある。同一系材料を用いた半導体
発光素子を利用して多色発光させることもできるために
温度依存性が極めて少ない発光装置とすることができる
利点がある。以下、本願発明の具体的実施例について詳
述するが本願発明はこの具体的実施例のみに限定される
ものでないことは言うまでもない。
【0050】
【実施例】(実施例1) 発光装置としてチップタイプLEDを形成させた。チッ
プタイプLEDには発光ピークが450nmのIn0.05
Ga0.95N半導体を利用したLEDチップを用いた。L
EDチップは、洗浄させたサファイヤ基板上にTMG
(トリメチルガリウム)ガス、TMI(トリメチルイン
ジュウム)ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリ
アガスと共に流し、MOCVD法で窒化ガリウム系化合
物半導体を成膜させることにより形成させた。
【0051】ドーパントガスとしてSiH4とCp2Mg
と、を切り替えることによって所望の導電型を形成させ
てある。N型導電性を有する窒化ガリウム半導体である
コンタクト層、クラッド層と、P型導電性を有する窒化
ガリウム半導体であるクラッド層、コンタクト層との間
にInGaNの活性層を形成しPN接合を形成させた。
(なお、サファイヤ基板上には低温で窒化ガリウム半導
体を形成させバッファ層とさせてある。また、P型半導
体は、成膜後400℃以上でアニールさせてある。)
【0052】エッチングによりPN各半導体表面を露出
させた後、スパッタリングにより各電極をそれぞれ形成
させた。こうして出来上がった半導体ウエハーをスクラ
イブラインを引いた後、外力により分割させ発光素子と
してLEDチップを形成させた。
【0053】一方、ポリカーボネートを用いトランスフ
ァー成形により図1(A)の如くレンズ部を有する透光
性支持体を形成させた。形成した透光性支持体には外部
電極がインサートされている。この透光性支持体の凹部
内にLEDチップのサファイア基板面がレンズ部に向く
ように光軸を合わせエポキシ樹脂でダイボンディングさ
せ150℃2時間で硬化させた。その後、透光性支持体
の外部電極と、LEDチップの各電極と、をAuワイヤ
ーを用いてそれぞれワイヤーボンディングさせた。透光
性支持体の凹部内のLEDチップ、Auワイヤーなどを
保護するためにシリコン樹脂で封止し保護部材を形成さ
せた。保護部材上にはチタン酸バリウムを含有させたシ
リコン樹脂を塗布硬化し反射部材を設けることにより発
光装置を形成させた。なお、レンズ部の頂点とLEDチ
ップ表面からの距離dが3mm(指向角60°)、6m
m(指向角30°)、9mm(指向角15°)とさせた
以外は全く同様の発光装置を100個ずつ形成させた。
【0054】こうして形成された発光装置を100個形
成し、平均軸上光度を測定した。また、5min以内に
−40℃30min、100℃30minとした熱衝撃
を1000サイクル繰り返し気相熱衝撃試験を行った。
【0055】(比較例1)図5の如く外部電極を延長し
た上にLEDチップを積置させ電気的接続を行ったもの
に樹脂を一体成形させ、それ以外は実施例1と同様にし
てレンズ部の頂点とLEDチップ表面からの距離dが3
mm(指向角60°)、6mm(指向角30°)、9m
m(指向角15°)の発光装置をそれぞれ100個ずつ
形成させた。実施例1と同様にして平均軸上光度を測定
し、実施例1と共に表1に示した。また、気相熱衝撃試
験を行い導電性ワイヤーの断線した発光装置の個数を調
べ実施例1と共に表2に示した。
【0056】
【発明の効果】上述の如く本願発明の請求項1に記載の
構成とすることによって、光取り出し部と導電性ワイヤ
ーを用いた電気的接続部とを別体に形成することができ
るため発光素子を比較的容易に信頼性を高く形成させる
ことができる。特に、光取り出し部である透光性支持体
の形成などに伴う圧力や内部応力による電気的接続部材
の断線などを防いだ発光装置とすることができる。ま
た、光取り出し部を気泡の混入などが極めて少なく集光
力に優れた発光装置とさせることもできる。
【0057】本願発明の請求項2に記載の構成とするこ
とによって、より簡便で信頼性の高い高輝度発光装置と
することができる。
【0058】本願発明の請求項3に記載の構成とするこ
とによって、外部環境下からの影響を少なくし信頼性を
高めると共により光取りだし効率の高い発光素子とする
ことができる。
【0059】本願発明の請求項4に記載の構成とするこ
とによって、LEDチップから放出された光を波長変換
させることができる。凹部内に蛍光物質を含有させると
共に接着させるため所望の蛍光物質含有量とさせること
ができ発光波長のバラツキの少ない発光装置とすること
ができる。特に発光面側に均一に一定量の蛍光物質を含
有させることができるため発光面における色むらが少な
い発光装置とすることができる。
【0060】本願発明の請求項5に記載の構成とするこ
とによって、より小さな点光源とさせることができる。
これにより隣接した発光装置の影響を極めて小さくさせ
た光プリンターヘッドなどに好適に用いることができ
る。したがって、発光装置を小型化することができると
共に導電性ワイヤーによって発光部が導電性ワイヤーに
よって陰になることがなく光取り出し効率の高い発光装
置とすることができる。
【0061】本願発明の請求項6に記載の構成とするこ
とによって、より集光力の高い発光装置とすることがで
きる。特に、光取り出し側に相当する透光性支持体にレ
ンズ部を形成させることによって導電性ワイヤーの密着
性とは関係なく集光力を向上させることができる。
【0062】本願発明の請求項7に記載の工程とするこ
とによって、容易に信頼性の高く、光取り出し効率の高
い小型化可能な発光装置を形成させることができる。
【0063】
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の発光装置の模式図を示し、図1
(A)は、本願発明のチップタイプLEDの概略断面図
であり、図1(B)は本願発明の他のチップタイプLE
Dの概略断面図である。
【図2】本願発明の発光装置をバックライト光源として
構成させた概略断面図である。
【図3】図3は、本願発明の発光装置を用いた光プリン
ターヘッドの模式的断面図である。
【図4】図4は、本願発明の別の発光装置を用いたフル
カラー光プリンターヘッドの模式的断面図である。
【図5】図5は、本願発明と比較のために示した発光素
子の模式的断面図を示す。
【符号の説明】
101、201、301、401・・・透光性支持体 102、202、302、402・・・LEDチップ 103、203、303、403・・・導電性ワイヤー 104、204、304、404・・・透光性接着剤 105、205、305、405・・・外部電極 106、406・・・保護部材 107、407・・・反射部材 210・・・反射層 310、410・・・遮光部材 411・・・蛍光物質が含有された透光性接着剤 501・・・レンズ部 502・・・LEDチップ 503・・・導電性ワイヤー 504・・・導電性接着剤 505・・・外部電極
【表1】
【表2】

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透光性接着剤を介して透光性支持体上にL
    EDチップを配し、該LEDチップの前記透光性接着剤
    と接した面と対向する面側に有する電極と、前記透光性
    支持体に設けられた外部電極と、を導電性ワイヤーによ
    って電気的に接続されていることを特徴とする発光装
    置。
  2. 【請求項2】前記LEDチップは透光性絶縁基板に形成
    された半導体上にそれぞれ正極及び負極の電極を有する
    請求項1記載の発光装置。
  3. 【請求項3】前記導電性ワイヤーを保護するための保護
    部材と、該保護部材上の反射部材と、を有する請求項1
    記載の発光装置。
  4. 【請求項4】前記透光性接着剤に蛍光物質が含有されて
    いる請求項1記載の発光装置。
  5. 【請求項5】前記透光性支持体上に少なくとも一箇所の
    開口部を有する遮光部材を設けた請求項1記載の発光装
    置。
  6. 【請求項6】前記透光性支持体が前記LEDチップから
    の光の少なくとも一部を集光するレンズ部を有する請求
    項1記載の発光装置。
  7. 【請求項7】透光性支持体の凹部に透光性接着剤を介し
    てLEDチップを固定する工程と、 該LEDチップの電極と、前記透光性支持体に設けられ
    た外部電極と、を導電性ワイヤーによりワイヤーボンデ
    ィングさせる工程と、 前記透光性支持体の凹部内に配された導電性ワイヤー、
    LEDチップ上に反射部材を形成する工程と、を有する
    ことを特徴とする発光装置の形成方法。
JP31160496A 1996-11-22 1996-11-22 発光装置及びその形成方法 Expired - Fee Related JP3992770B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31160496A JP3992770B2 (ja) 1996-11-22 1996-11-22 発光装置及びその形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31160496A JP3992770B2 (ja) 1996-11-22 1996-11-22 発光装置及びその形成方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11337844A Division JP2000164939A (ja) 1999-01-01 1999-11-29 発光装置
JP2004278872A Division JP3852462B2 (ja) 2004-09-27 2004-09-27 発光装置及びその形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10151794A true JPH10151794A (ja) 1998-06-09
JP3992770B2 JP3992770B2 (ja) 2007-10-17

Family

ID=18019257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31160496A Expired - Fee Related JP3992770B2 (ja) 1996-11-22 1996-11-22 発光装置及びその形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3992770B2 (ja)

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024238A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Citizen Electronics Co Ltd 多色発光ダイオード
WO2001009963A1 (fr) * 1999-07-29 2001-02-08 Citizen Electronics Co., Ltd. Diode electroluminescente
JP2001077430A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2001223388A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
EP1191608A2 (en) * 2000-09-12 2002-03-27 LumiLeds Lighting U.S., LLC Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2002124705A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードとその製造方法
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
EP1267420A2 (en) * 2001-06-12 2002-12-18 LumiLeds Lighting U.S., LLC Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6680568B2 (en) 2000-02-09 2004-01-20 Nippon Leiz Corporation Light source
KR20040020240A (ko) * 2002-08-30 2004-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드 램프 및 그 제조방법
JP2004158557A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi 類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ
US6835958B2 (en) 2002-02-06 2004-12-28 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device
US6878971B2 (en) 1998-08-03 2005-04-12 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting apparatus
EP1528603A2 (de) * 2003-10-31 2005-05-04 Osram Opto Semiconductors GmbH Lumineszenzdiodenchip
JP2005159296A (ja) * 2003-11-06 2005-06-16 Sharp Corp オプトデバイスのパッケージ構造
US6914267B2 (en) 1999-06-23 2005-07-05 Citizen Electronics Co. Ltd. Light emitting diode
JP2006041553A (ja) * 2005-10-03 2006-02-09 Toshiba Electronic Engineering Corp 発光装置
KR100576866B1 (ko) 2004-06-16 2006-05-10 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법
JP2006261688A (ja) * 2006-05-08 2006-09-28 Toshiba Electronic Engineering Corp 発光装置
JP2010028071A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Samsung Electro Mechanics Co Ltd 発光装置及びこれを具備するバックライトユニット
JP2010219324A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nichia Corp 発光装置
JP2010238846A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Nichia Corp 発光装置
JP2010245481A (ja) * 2009-04-10 2010-10-28 Sharp Corp 発光装置
JPWO2009066430A1 (ja) * 2007-11-19 2011-03-31 パナソニック株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2011238970A (ja) * 2003-07-31 2011-11-24 Philips Lumileds Lightng Co Llc 光取り出し効率が改善された発光装置
JP2012004303A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2012033823A (ja) * 2010-08-02 2012-02-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
US8203218B2 (en) * 2008-06-23 2012-06-19 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device package including a paste member
CN102637802A (zh) * 2011-02-14 2012-08-15 斯坦雷电气株式会社 发光装置及其制造方法
JP2012156180A (ja) * 2011-01-24 2012-08-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2012186337A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2012204438A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2013038187A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
WO2013145071A1 (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 富士機械製造株式会社 Ledパッケージ及びその製造方法
JP2013211462A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Furukawa Electric Co Ltd:The 発光ダイオード用封止樹脂フィルムおよび発光ダイオードパッケージ
JP2014197704A (ja) * 2006-12-11 2014-10-16 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 発光デバイスおよび発光デバイスの作製方法
JP2015099940A (ja) * 2015-02-23 2015-05-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102014110470A1 (de) * 2014-07-24 2016-01-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul
JP2016119494A (ja) * 2016-03-28 2016-06-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN102637802B (zh) * 2011-02-14 2016-11-30 斯坦雷电气株式会社 发光装置及其制造方法
JP2017028328A (ja) * 2009-09-17 2017-02-02 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. Ledモジュールを製造する方法
WO2017174647A1 (de) * 2016-04-06 2017-10-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines halbleiterbauelements
JP2018509290A (ja) * 2015-03-20 2018-04-05 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ Uv−c浄水装置
US10396247B2 (en) 2014-06-18 2019-08-27 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device package
JP2019175892A (ja) * 2018-03-26 2019-10-10 日亜化学工業株式会社 発光モジュール及びその製造方法
US10559724B2 (en) 2016-10-19 2020-02-11 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing same
JPWO2020137762A1 (ja) * 2018-12-27 2021-11-11 デンカ株式会社 蛍光体基板、発光基板及び照明装置

Cited By (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6878971B2 (en) 1998-08-03 2005-04-12 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting apparatus
US6914267B2 (en) 1999-06-23 2005-07-05 Citizen Electronics Co. Ltd. Light emitting diode
JP2001024238A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Citizen Electronics Co Ltd 多色発光ダイオード
WO2001009963A1 (fr) * 1999-07-29 2001-02-08 Citizen Electronics Co., Ltd. Diode electroluminescente
EP1119058A1 (en) * 1999-07-29 2001-07-25 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
EP1119058A4 (en) * 1999-07-29 2006-08-23 Citizen Electronics LIGHT-EMITTING DIODE
US6396082B1 (en) 1999-07-29 2002-05-28 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
KR100463653B1 (ko) * 1999-07-29 2004-12-29 가부시키가이샤 시티즌 덴시 발광 다이오드
JP2001077430A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US6680568B2 (en) 2000-02-09 2004-01-20 Nippon Leiz Corporation Light source
JP2001223388A (ja) * 2000-02-09 2001-08-17 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
US8628985B2 (en) 2000-09-12 2014-01-14 Philips Lumileds Lighting Company Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
EP1191608A3 (en) * 2000-09-12 2009-04-22 LumiLeds Lighting U.S., LLC Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2012256899A (ja) * 2000-09-12 2012-12-27 Philips Lumileds Lightng Co Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US8049234B2 (en) 2000-09-12 2011-11-01 Philips Lumileds Lighting Company Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
JP2002176200A (ja) * 2000-09-12 2002-06-21 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効率を有する発光ダイオード
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US8415694B2 (en) 2000-09-12 2013-04-09 Philips Lumileds Lighting Company Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US9583683B2 (en) 2000-09-12 2017-02-28 Lumileds Llc Light emitting devices with optical elements and bonding layers
EP1191608A2 (en) * 2000-09-12 2002-03-27 LumiLeds Lighting U.S., LLC Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2014013941A (ja) * 2000-09-12 2014-01-23 Philips Lumileds Lightng Co Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US10312422B2 (en) 2000-09-12 2019-06-04 Lumileds Llc Light emitting devices with optical elements and bonding layers
JP2002124705A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードとその製造方法
EP1267420A2 (en) * 2001-06-12 2002-12-18 LumiLeds Lighting U.S., LLC Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
EP1267420A3 (en) * 2001-06-12 2009-04-22 LumiLeds Lighting U.S., LLC Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6835958B2 (en) 2002-02-06 2004-12-28 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device
KR20040020240A (ko) * 2002-08-30 2004-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드 램프 및 그 제조방법
JP2004158557A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi 類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ
JP2011238970A (ja) * 2003-07-31 2011-11-24 Philips Lumileds Lightng Co Llc 光取り出し効率が改善された発光装置
EP1528603A3 (de) * 2003-10-31 2010-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Lumineszenzdiodenchip
EP1528603A2 (de) * 2003-10-31 2005-05-04 Osram Opto Semiconductors GmbH Lumineszenzdiodenchip
JP2005159296A (ja) * 2003-11-06 2005-06-16 Sharp Corp オプトデバイスのパッケージ構造
KR100576866B1 (ko) 2004-06-16 2006-05-10 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법
JP2006041553A (ja) * 2005-10-03 2006-02-09 Toshiba Electronic Engineering Corp 発光装置
JP2006261688A (ja) * 2006-05-08 2006-09-28 Toshiba Electronic Engineering Corp 発光装置
JP2014197704A (ja) * 2006-12-11 2014-10-16 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 発光デバイスおよび発光デバイスの作製方法
JPWO2009066430A1 (ja) * 2007-11-19 2011-03-31 パナソニック株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
US8552444B2 (en) 2007-11-19 2013-10-08 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same
US8674521B2 (en) 2008-06-23 2014-03-18 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device package including a paste member
US8203218B2 (en) * 2008-06-23 2012-06-19 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device package including a paste member
JP2010028071A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Samsung Electro Mechanics Co Ltd 発光装置及びこれを具備するバックライトユニット
JP2010219324A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nichia Corp 発光装置
JP2010238846A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Nichia Corp 発光装置
JP2010245481A (ja) * 2009-04-10 2010-10-28 Sharp Corp 発光装置
JP2017028328A (ja) * 2009-09-17 2017-02-02 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. Ledモジュールを製造する方法
JP2012004303A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
US8921877B2 (en) 2010-08-02 2014-12-30 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device for producing wavelength-converted light and method for manufacturing the same
JP2012033823A (ja) * 2010-08-02 2012-02-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2012156180A (ja) * 2011-01-24 2012-08-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
CN102637802A (zh) * 2011-02-14 2012-08-15 斯坦雷电气株式会社 发光装置及其制造方法
JP2012169442A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
CN102637802B (zh) * 2011-02-14 2016-11-30 斯坦雷电气株式会社 发光装置及其制造方法
JP2012186337A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2012204438A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2013038187A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
WO2013145071A1 (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 富士機械製造株式会社 Ledパッケージ及びその製造方法
JPWO2013145071A1 (ja) * 2012-03-26 2015-08-03 富士機械製造株式会社 Ledパッケージ及びその製造方法
JP2013211462A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Furukawa Electric Co Ltd:The 発光ダイオード用封止樹脂フィルムおよび発光ダイオードパッケージ
US10396247B2 (en) 2014-06-18 2019-08-27 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device package
DE102014110470A1 (de) * 2014-07-24 2016-01-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul
JP2015099940A (ja) * 2015-02-23 2015-05-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018509290A (ja) * 2015-03-20 2018-04-05 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ Uv−c浄水装置
JP2016119494A (ja) * 2016-03-28 2016-06-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2017174647A1 (de) * 2016-04-06 2017-10-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines halbleiterbauelements
US10559724B2 (en) 2016-10-19 2020-02-11 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing same
US10896998B2 (en) 2016-10-19 2021-01-19 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
US11322664B2 (en) 2016-10-19 2022-05-03 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
JP2019175892A (ja) * 2018-03-26 2019-10-10 日亜化学工業株式会社 発光モジュール及びその製造方法
JPWO2020137762A1 (ja) * 2018-12-27 2021-11-11 デンカ株式会社 蛍光体基板、発光基板及び照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3992770B2 (ja) 2007-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3992770B2 (ja) 発光装置及びその形成方法
KR100891403B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법과 그것을 이용한 발광장치
US6943433B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method for same
US20100253248A1 (en) Phosphor layer arrangement for use with light emitting diodes
US20060054913A1 (en) Light emitting device and method of producing same
KR20080049828A (ko) 발광 장치
US20200243730A1 (en) Light emitting diode packages
JPH11154766A (ja) 発光ダイオード及びそれを用いた信号機
CN111081855B (zh) 发光二极管装置及其制造方法
CN104396035A (zh) 通过透明间隔物从led分离的磷光体
JPH11251644A (ja) 半導体発光装置
EP2725630B1 (en) Light emitting device
JP3852465B2 (ja) 発光装置及びその形成方法
JP2000164939A (ja) 発光装置
US11342486B2 (en) Light-emitting device package and lighting device having same
KR101891620B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP3852462B2 (ja) 発光装置及びその形成方法
JP4820133B2 (ja) 発光装置
KR20040024747A (ko) 고휘도 발광다이오드 및 그 제조방법
JPH09307145A (ja) 光半導体装置
JP4925346B2 (ja) 発光装置
KR102629894B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치
JPH09199762A (ja) 光電装置
JP2006237652A (ja) 透光性接着剤
JP3900595B2 (ja) 光電装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040721

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040727

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040927

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050329

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070618

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070725

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110803

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110803

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130803

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees