JPWO2020137762A1 - 蛍光体基板、発光基板及び照明装置 - Google Patents

蛍光体基板、発光基板及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020137762A1
JPWO2020137762A1 JP2020563143A JP2020563143A JPWO2020137762A1 JP WO2020137762 A1 JPWO2020137762 A1 JP WO2020137762A1 JP 2020563143 A JP2020563143 A JP 2020563143A JP 2020563143 A JP2020563143 A JP 2020563143A JP WO2020137762 A1 JPWO2020137762 A1 JP WO2020137762A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light emitting
substrate
light
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020563143A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7410881B2 (ja
Inventor
正宏 小西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Original Assignee
Denka Co Ltd
Denki Kagaku Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denka Co Ltd, Denki Kagaku Kogyo KK filed Critical Denka Co Ltd
Publication of JPWO2020137762A1 publication Critical patent/JPWO2020137762A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7410881B2 publication Critical patent/JP7410881B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0112—Absorbing light, e.g. dielectric layer with carbon filler for laser processing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0175—Inorganic, non-metallic layer, e.g. resist or dielectric for printed capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0179—Thin film deposited insulating layer, e.g. inorganic layer for printed capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09063—Holes or slots in insulating substrate not used for electrical connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/09409—Multiple rows of pads, lands, terminals or dummy patterns; Multiple rows of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10409—Screws
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0369—Etching selective parts of a metal substrate through part of its thickness, e.g. using etch resist
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1572—Processing both sides of a PCB by the same process; Providing a similar arrangement of components on both sides; Making interlayer connections from two sides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

本発明の蛍光体基板は、一面に少なくとも一つの発光素子が搭載される蛍光体基板であって、絶縁基板と、前記絶縁基板の一面に配置され、前記発光素子に接合される電極層と、前記絶縁基板の一面に配置され、前記発光素子の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層と、を備え、前記電極層の前記絶縁基板の厚み方向外側に向く面は、平面とされ、前記蛍光体層の少なくとも一部は、前記電極層における発光素子との接合部分の周囲に配置されている。

Description

本発明は、蛍光体基板、発光基板及び照明装置に関する。
特許文献１には、発光素子（ＬＥＤ素子）が搭載された基板を備えるＬＥＤ照明器具が開示されている。このＬＥＤ照明器具は、基板の表面に反射材を設けて、発光効率を向上させている。
中国特許公開１０６１６３１１３号公報
しかしながら、特許文献１に開示されている構成の場合、反射材を利用してＬＥＤ照明器具が発光する光を発光素子が発光する光と異なる発光色の光に調整することができない。
本発明は、発光素子が搭載された場合に蛍光体基板から発光される光を発光素子が発光する光と異なる発光色の光に調整することができる蛍光体基板の提供を目的とする。
本発明の第１態様の蛍光体基板は、一面に少なくとも一つの発光素子が搭載される蛍光体基板であって、絶縁基板と、前記絶縁基板の一面に配置され、前記発光素子に接合される電極層と、前記絶縁基板の一面に配置され、前記発光素子の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層と、を備え、前記電極層の前記絶縁基板の厚み方向外側に向く面は、平面とされ、前記蛍光体層の少なくとも一部は、前記電極層における発光素子との接合部分の周囲に配置されている。
本発明の第２態様の蛍光体基板は、一面に複数の発光素子が搭載される蛍光体基板であって、絶縁基板と、前記絶縁基板の一面に配置され、前記複数の発光素子にそれぞれ接合される電極層と、前記絶縁基板の一面に設けられ、前記複数の発光素子の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層と、を備え、前記電極層の前記絶縁基板の厚み方向外側に向く面は、平面とされ、前記蛍光体層の少なくとも一部は、前記電極層における前記発光素子との接合部分の周囲に配置されている。
本発明の第３態様の蛍光体基板は、第２態様の蛍光体基板であって、前記蛍光体層の少なくとも一部は、前記絶縁基板の一面における前記電極層が配置されている領域以外の領域に配置されている。
本発明の第４態様の蛍光体基板は、第２又は第３態様の蛍光体基板であって、前記蛍光体層の少なくとも一部は、前記電極層における前記接合部分以外の部分に配置されている。
本発明の第５態様の蛍光体基板は、第１〜第４態様のいずれか一態様の蛍光体基板であって、前記蛍光体層における前記厚み方向外側の面は、前記平面よりも前記厚み方向外側に位置している。
本発明の第６態様の蛍光体基板は、第１〜第５態様のいずれか一態様の蛍光体基板であって、前記発光素子は、ＬＥＤが組み込まれ、チップサイズにパッケージされたＣＳＰとされている。
本発明の第７態様の蛍光体基板は、第６態様の蛍光体基板であって、前記蛍光体の相関色温度は、前記ＣＳＰに含まれる蛍光体の相関色温度と異なる相関色温度とされている。
ここで、「蛍光体の相関色温度」とは、当該蛍光体の発光色の相関色温度という意味である（以下、同じ）。
本発明の第８態様の蛍光体基板は、第６態様の蛍光体基板であって、前記蛍光体の相関色温度は、前記ＣＳＰに含まれる蛍光体の相関色温度と同じ相関色温度とされている。
本発明の第９態様の蛍光体基板は、第１〜第８態様のいずれか一態様の蛍光体基板であって、前記電極層は、銅製又は少なくとも表面に銅を有し、前記蛍光体層が発光する光の波長は、６００ｎｍ以上とされている。
本発明の第１態様の発光基板は、第１〜第９態様のいずれか一態様の蛍光体基板と、前記接合部分に接合する少なくとも一つの発光素子と、を備える。
本発明の第２態様の発光基板は、第１態様の発光基板であって、前記発光素子は、ＬＥＤが組み込まれ、チップサイズにパッケージされたＣＳＰとされている。
本発明の第３態様の発光基板は、第２態様の発光基板であって、前記蛍光体の相関色温度は、前記ＣＳＰに含まれる蛍光体の相関色温度と異なる相関色温度とされている。
本発明の第４態様の発光基板は、第２態様の発光基板であって、前記蛍光体の相関色温度は、前記ＣＳＰに含まれる蛍光体の相関色温度と同じ相関色温度とされている。
本発明の第４態様の発光基板は、第１〜第３態様のいずれか一態様の発光基板であって、前記電極層は、銅製又は少なくとも表面に銅を有し、前記蛍光体層が発光する光の波長は、６００ｎｍ以上とされている。
本発明の照明装置は、第１〜第４態様のいずれか一態様の発光基板と、前記発光素子を発光させるための電力を供給する電源と、を備える。
本発明の第１〜第９態様の蛍光体基板は、発光素子が搭載された場合に蛍光体基板から発光される光を発光素子が発光する光と異なる発光色の光に調整することができる。
また、本発明の第２〜第８態様の蛍光体基板は、発光素子が搭載された場合に、蛍光体基板から発光される光を発光素子が発光する光と異なる発光色の光に調整しつつ、グレアを低減することができる。さらに、本発明の第８態様の蛍光体基板は、搭載される発光素子の色度ばらつきを蛍光体層により緩和する効果も発現できる。
また、本発明の発光基板は、蛍光体基板から発光される光を発光素子が発光する光と異なる発光色の光に調整することができる。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
本実施形態の発光基板の平面図である。 本実施形態の発光基板の底面図である。 図１Ａの１Ｃ−１Ｃ切断線により切断した発光基板の部分断面図である。 本実施形態の蛍光体基板（蛍光体層を省略）の平面図である。 本実施形態の蛍光体基板の平面図である。 本実施形態の発光基板の製造方法における第１工程の説明図である。 本実施形態の発光基板の製造方法における第２工程の説明図である。 本実施形態の発光基板の製造方法における第３工程の説明図である。 本実施形態の発光基板の製造方法における第４工程の説明図である。 本実施形態の発光基板の発光動作を説明するための図である。 比較形態の発光基板の発光動作を説明するための図である。 本実施形態の発光基板の相関色温度の第１試験の結果を表すグラフである。 本実施形態の発光基板の相関色温度の第２試験の結果を表すグラフである。
≪概要≫
以下、本実施形態の発光基板１０の構成及び機能について図１Ａ〜図１Ｃ、２Ａ、２Ｂを参照しながら説明する。次いで、本実施形態の発光基板１０の製造方法について図３Ａ〜図３Ｅを参照しながら説明する。次いで、本実施形態の発光基板１０の発光動作について図４を参照しながら説明する。次いで、本実施形態の効果について図４〜図７等を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照するすべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
≪本実施形態の発光基板の構成及び機能≫
図１Ａは本実施形態の発光基板１０の平面図（表面３１から見た図）、図１Ｂは本実施形態の発光基板１０の底面図（裏面３３から見た図）である。図１Ｃは、図１Ａの１Ｃ−１Ｃ切断線により切断した発光基板１０の部分断面図である。
本実施形態の発光基板１０は、表面３１及び裏面３３から見て、一例として矩形とされている。また、本実施形態の発光基板１０は、複数の発光素子２０と、蛍光体基板３０と、コネクタ、ドライバＩＣ等の電子部品（図示省略）とを備えている。すなわち、本実施形態の発光基板１０は、蛍光体基板３０に、複数の発光素子２０及び上記電子部品が搭載されたものとされている。
本実施形態の発光基板１０は、リード線の直付けにより又はコネクタを介して外部電源（図示省略）から給電されると、発光する機能を有する。そのため、本実施形態の発光基板１０は、例えば照明装置（図示省略）等における主要な光学部品として利用される。
＜複数の発光素子＞
複数の発光素子２０は、それぞれ、一例として、フリップチップＬＥＤ２２（以下、ＬＥＤ２２という。）が組み込まれたＣＳＰ（Chip Scale Package）とされている（図１Ｃ参照）。ＣＳＰとして、図１Ｃに示すように、ＬＥＤ２２の底面を除く全周囲（５面）が蛍光体封止層２４により覆われていることが好ましい。蛍光体封止層２４には蛍光体が含まれ、ＬＥＤ２２の光は蛍光体封止層２４の蛍光体により色変換されて外部に出射する。複数の発光素子２０は、図１Ａに示されるように、蛍光体基板３０の表面３１（一面の一例）に、表面３１の全体に亘って規則的に並べられた状態で、蛍光体基板３０に搭載されている。なお、本実施形態の各発光素子２０が発光する光の相関色温度は、一例として３，０１８Ｋとされている。また、複数の発光素子２０は、発光動作時に、ヒートシンク（図示省略）や冷却ファン（図示省略）を用いることで、蛍光体基板３０を一例として常温から５０℃〜１００℃に収まるように放熱（冷却）されるようになっている。ここで、本明細書で数値範囲に使用する「〜」の意味について補足すると、例えば「５０℃〜１００℃」は「５０℃以上１００℃以下」を意味する。そして、本明細書で数値範囲に使用する「〜」は、「『〜』の前の記載部分以上『〜』の後の記載部分以下」を意味する。
＜蛍光体基板＞
図２Ａは、本実施形態の蛍光体基板３０の図であって、蛍光体層３６を省略して図示した平面図（表面３１から見た図）である。図２Ｂは、本実施形態の蛍光体基板３０の平面図（表面３１から見た図）である。なお、本実施形態の蛍光体基板３０の底面図は、発光基板１０を裏面３３から見た図と同じである。また、本実施形態の蛍光体基板３０の部分断面図は、図１Ｃの部分断面図から発光素子２０を除いた場合の図と同じである。すなわち、本実施形態の蛍光体基板３０は、表面３１及び裏面３３から見て、一例として矩形とされている。
なお、図２Ａには、後述する複数の電極対３４Ａと、複数の電極対３４Ａ以外の部分である配線部分３４Ｂとの範囲が図示されているが、実際のところ、両者は同じ平面を有するため、図２Ａのように蛍光体層３６を除いた図面において、両者の境界は存在しない。しかしながら、両者の位置関係を明確化するために、図２Ａは、複数の電極対３４Ａ及び配線部分３４Ｂの符号を入れた図としている。
本実施形態の蛍光体基板３０は、絶縁層３２（絶縁基板の一例）と、電極層３４と、蛍光体層３６と、裏面パターン層３８とを備えている（図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ及び図２Ｂ参照）。なお、図２Ａでは蛍光体層３６が省略されているが、蛍光体層３６は、図２Ｂに示されるように、一例として、絶縁層３２及び電極層３４の表面３１における、後述する複数の電極対３４Ａ以外の部分に配置されている。
また、蛍光体基板３０には、図１Ｂ及び図２Ａに示されるように、四つ角付近の４箇所及び中央付近の２箇所の６箇所に貫通孔３９が形成されている。６箇所の貫通孔３９は、蛍光体基板３０及び発光基板１０の製造時に位置決め孔として利用されるようになっている。あわせて、６箇所の貫通孔３９は、（発光）灯具筐体への熱引き効果確保（基板反り及び浮き防止）のための取り付け用のネジ穴として利用される。なお、本実施形態の蛍光体基板３０は、後述するように、絶縁板の両面に銅箔層が設けられた両面板（以下、マザーボードＭＢという。図３Ａ参照）を加工（エッチング等）して製造されるが、マザーボードＭＢは一例として利昌工業株式会社製のＣＳ−３３０５Ａが用いられる。
〔絶縁層〕
以下、本実施形態の絶縁層３２の主な特徴について説明する。
形状は、前述のとおり、一例として表面３１及び裏面３３から見て矩形である。
材質は、一例としてビスマレイミド樹脂及びガラスクロスを含む絶縁材である。
厚みは、一例として１００μｍ〜２００μｍである。
縦方向及び横方向の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、それぞれ、一例として、５０℃〜１００℃の範囲において１０ｐｐｍ／℃以下である。また、別の見方をすると、縦方向及び横方向の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、それぞれ、一例として、６ｐｐｍ／Ｋである。この値は、本実施形態の発光素子２０の場合とほぼ同等（９０％〜１１０％、すなわち±１０％以内）である。
ガラス転移温度は、一例として、３００℃よりも高い。
貯蔵弾性率は、一例として、１００℃〜３００℃の範囲において、１．０×１０１０Ｐａよりも大きく１．０×１０１１Ｐａよりも小さい。
〔電極層〕
本実施形態の電極層３４は、絶縁層３２の表面３１側に設けられた金属層とされている。本実施形態の電極層３４は一例として銅箔層（Ｃｕ製の層）とされている。別言すれば、本実施形態の電極層３４は、少なくともその表面（絶縁層３２の厚み方向外側に向く面）が銅を含んで形成された平面とされている。
電極層３４は、絶縁層３２に設けられたパターンとされ、コネクタ（図示省略）が接合される端子（図示省略）と導通している。そして、電極層３４は、コネクタを介して外部電源（図示省略）から給電された電力を、発光基板１０の構成時の複数の発光素子２０に供給するようになっている。そのため、電極層３４の一部は、複数の発光素子２０がそれぞれ接合される複数の電極対３４Ａとされている。すなわち、本実施形態の発光基板１０の電極層３４は、絶縁層３２に配置され、各発光素子２０に接続されている。また、別の見方をすると、本実施形態の蛍光体基板３０の電極層３４は、絶縁層３２に配置され、各電極対３４Ａで各発光素子２０に接続される。ここで、本明細書では、各電極対３４Ａの表面を接合面３４Ａ１（接合部分の一例）という。
また、前述のとおり、本実施形態の発光基板１０における複数の発光素子２０は表面３１の全体に亘って規則的に並べられていることから、複数の電極対３４Ａも表面３１の全体に亘って規則的に並べられている（図２Ａ参照）。電極層３４における複数の電極対３４Ａ以外の部分を、配線部分３４Ｂという。ここで、配線部分３４Ｂは各発光素子２０に接合される部分ではないことから、本明細書において配線部分３４Ｂの表面を非接合面３４Ｂ１（電極層３４における接触部分以外の部分の一例）という。
なお、絶縁層３２の表面３１における電極層３４が配置されている領域（電極層３４の専有面積）は、一例として、絶縁層３２の表面３１の６０％以上の領域（面積）とされている（図２Ａ参照）。
〔蛍光体層〕
本実施形態の蛍光体層３６は、図２Ｂに示されるように、一例として、絶縁層３２及び電極層３４の表面３１における、複数の電極対３４Ａ以外の部分に配置されている。すなわち、蛍光体層３６は、電極層３４における複数の電極対３４Ａ以外の領域に配置されている。別言すると、蛍光体層３６の少なくとも一部は、表面３１における、各接合部３４Ａ１以外の部分である各接合面３４Ａ１の周囲に配置されている（図１Ｃ及び図２Ｂ参照）。さらに、別の見方をすると、蛍光体層３６の少なくとも一部は、表面３１側から見て、各接合面３４Ａ１の周りを全周に亘って囲むように配置されており、結果的には、蛍光体層３６の各開口部により複数の接合部３４Ａ１が設定されている。そして、本実施形態では、絶縁層３２の表面３１における蛍光体層３６が配置されている領域は、一例として、絶縁層３２の表面３１における８０％以上の領域とされている。
なお、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面は、電極層３４の接合面３４Ａ１よりも当該厚み方向外側に位置している（図１Ｃ及び図３Ｄ参照）。
本実施形態の蛍光体層３６は、一例として、後述する蛍光体とバインダーとを含む絶縁層とされている。蛍光体層３６に含まれる蛍光体は、バインダーに分散された状態で保持されている微粒子とされ、各発光素子２０のＬＥＤ２２の発光を励起光として励起する性質を有する。具体的には、本実施形態の蛍光体は、発光素子２０の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある性質を有する。なお、バインダーは、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等で、ソルダーレジストに含まれるバインダーと同等の絶縁性を有するものであればよい。
（蛍光体の具体例）
ここで、本実施形態の蛍光体層３６に含まれる蛍光体は、一例として、Ｅｕを含有するα型サイアロン蛍光体、Ｅｕを含有するβ型サイアロン蛍光体、Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体及びＥｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体からなる群から選ばれる少なくとも一種以上の蛍光体とされている。なお、前述の蛍光体は、本実施形態の一例であり、ＹＡＧ、ＬｕＡＧ、ＢＯＳその他の可視光励起の蛍光体のように、前述の蛍光体以外の蛍光体であってもよい。
Ｅｕを含有するα型サイアロン蛍光体は、一般式：ＭｘＥｕｙＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎで表される。上記一般式中、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ及びランタニド元素（ただし、ＬａとＣｅを除く）からなる群から選ばれる、少なくともＣａを含む１種以上の元素であり、Ｍの価数をａとしたとき、ａｘ＋２ｙ＝ｍであり、ｘが０＜ｘ≦１．５であり、０．３≦ｍ＜４．５、０＜ｎ＜２．２５である。
Ｅｕを含有するβ型サイアロン蛍光体は、一般式：Ｓｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ（ｚ＝０．００５〜１）で表されるβ型サイアロンに発光中心として二価のユーロピウム（Ｅｕ２＋）を固溶した蛍光体である。
また、窒化物蛍光体として、Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体、Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体等が挙げられる。
Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体（窒化物蛍光体の一例）は、例えば、式ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋で表され、Ｅｕ２＋を付活剤とし、アルカリ土類ケイ窒化物からなる結晶を母体とする赤色蛍光体をいう。なお、本明細書におけるＥｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体の定義では、Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体が除かれる。
Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体（窒化物蛍光体の一例）は、例えば、式（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋で表され、Ｅｕ２＋を付活剤とし、アルカリ土類ケイ窒化物からなる結晶を母体とする赤色蛍光体をいう。
〔裏面パターン層〕
本実施形態の裏面パターン層３８は、絶縁層３２の裏面３３側に設けられた金属層とされている。本実施形態の裏面パターン層３８は一例として銅箔層（Ｃｕ製の層）とされている。
裏面パターン層３８は、図１Ｂに示されるように、絶縁層３２の長手方向に沿って直線状に並べられている複数の矩形部分の塊が短手方向において位相をずらしたよう隣接して並べられている層とされている。
なお、裏面パターン層３８は、一例として、独立フローティング層とされている。また、裏面パターン層３８は、絶縁層３２（蛍光体基板３０）の厚み方向において、一例として、表面３１に配置されている電極層３４の８０％以上の領域と重なっている。
以上が、本実施形態の発光基板１０及び蛍光体基板３０の構成についての説明である。
≪本実施形態の発光基板の製造方法≫
次に、本実施形態の発光基板１０の製造方法について図３Ａ〜図３Ｄを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０の製造方法は第１工程、第２工程、第３工程及び第４工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
＜第１工程＞
図３Ａは、第１工程の開始時及び終了時を示す図である。第１工程は、マザーボードＭＢの表面３１に厚み方向から見て電極層３４と同じパターン３４Ｃを、裏面３３に裏面パターン層３８を形成する工程である。本工程は、例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングにより行われる。
＜第２工程＞
図３Ｂは、第２工程の開始時及び終了時を示す図である。第２工程は、絶縁層３２の表面３１、すなわち電極層３４が形成された面の全面に蛍光体塗料３６Ｃを塗布する工程である。本工程では、例えば、印刷により蛍光体塗料３６Ｃを塗布する。この場合、蛍光体塗料３６Ｃを電極層３４よりも厚く塗布する。
＜第３工程＞
図３Ｃは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程は、蛍光体塗料３６Ｃが硬化した蛍光体層３６の一部を除去して、すべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。ここで、蛍光体塗料３６Ｃのバインダーが例えば熱硬化性樹脂である場合は、加熱により蛍光体塗料３６Ｃを硬化させた後に２次元レーザー加工装置（図示省略）を用いて蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分に選択的にレーザー光を照射する。その結果、蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分がアブレーションされて、各接合面３４Ａ１が露出する。以上の結果、本実施形態の蛍光体基板３０が製造される。
なお、本工程は、上記の方法の他に、例えば、以下の方法により行ってもよい。蛍光体塗料３６Ｃのバインダーが例えばＵＶ硬化性樹脂（感光性樹脂）である場合、各接合面３４Ａ１と重なる部分（塗料開口部）にマスクパターンをかけて、ＵＶ光を露光し、当該マスクパターン以外をＵＶ硬化させ、非露光部（未硬化部）を樹脂除去液により取り除くことで、各接合面３４Ａ１を露出させる。その後、一般的には、熱をかけてアフターキュアを行う（写真現像法）。
また、第２工程及び第３工程に換えて、予め開口部が設定されたスクリーンマスク（図示省略）を用いたスクリーン印刷により蛍光体層３６を形成してもよい（スクリーン印刷法）。この場合、スクリーンマスクにおける接合面３４Ａ１に重なる部分の蛍光体塗料開口部を根づまりさせておけばよい。
＜第４工程＞
図３Ｄは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体基板３０に複数の発光素子２０を搭載する工程である。本工程は、蛍光体基板３０の各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し、各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０の各電極を位置合わせした状態ではんだペーストＳＰを溶かす。その後、はんだペーストＳＰが冷却された固化すると、各電極対３４Ａ（各接合面３４Ａ１）に各発光素子２０が接合される。すなわち、本工程は、一例としてリフロー工程により行われる。
以上が、本実施形態の発光基板１０の製造方法についての説明である。
≪本実施形態の発光基板の発光動作≫
次に、本実施形態の発光基板１０の発光動作について図４を参照しながら説明する。ここで、図４は、本実施形態の発光基板１０の発光動作を説明するための図である。
まず、複数の発光素子２０を作動させる作動スイッチ（図示省略）がオンになると、コネクタ（図示省略）を介して外部電源（図示省略）から電極層３４への給電が開始され、複数の発光素子２０は光Ｌを放射状に発散出射し、その光Ｌの一部は蛍光体基板３０の表面３１に到達する。以下、出射された光Ｌの進行方向に分けて光Ｌの挙動について説明する。
各発光素子２０から出射された光Ｌの一部は、蛍光体層３６に入射することなく外部に出射される。この場合、光Ｌの波長は、各発光素子２０から出射された際の光Ｌの波長と同じままである。
また、各発光素子２０から出射された光Ｌの一部分の中のＬＥＤ２２自身の光は、蛍光体層３６に入射する。ここで、前述の「光Ｌの一部分の中のＬＥＤ２２自身の光」とは、出射された光Ｌのうち各発光素子２０（ＣＳＰ自身）の蛍光体（蛍光体封止層２４）により色変換されていない光、すなわち、ＬＥＤ２２自身の光（一例として青色（波長が４７０ｎｍ近傍）の光）を意味する。そして、ＬＥＤ２２自身の光Ｌが蛍光体層３６に分散されている蛍光体に衝突すると、蛍光体が励起して励起光を発する。ここで、蛍光体が励起する理由は、蛍光体層３６に分散されている蛍光体が青色の光に励起ピークを持つ蛍光体（可視光励起蛍光体）を使用しているためである。これに伴い、光Ｌのエネルギーの一部は蛍光体の励起に使われることで、光Ｌはエネルギーの一部を失う。その結果、光Ｌの波長が変換される（波長変換がなされる）。例えば、蛍光体層３６の蛍光体の種類によっては（例えば、蛍光体に赤色系ＣＡＳＮを用いた場合には）光Ｌの波長が長くなる（例えば６５０ｎｍ等）。また、蛍光体層３６での励起光はそのまま蛍光体層３６から出射するものもあるが、一部の励起光は下側の電極層３４に向かう。そして、一部の励起光は電極層３４での反射により外部に出射する。以上のように、蛍光体層３６の蛍光体による励起光の波長が６００ｎｍ以上の場合、電極層３４がＣｕでも反射効果が望める。なお、蛍光体層３６の蛍光体の種類によっては光Ｌの波長が前述の例と異なるが、いずれの場合であっても光Ｌの波長変換がなされることになる。例えば、励起光の波長が６００ｎｍ未満の場合、電極層３４又はその表面を例えばＡｇ（鍍金）とすれば反射効果が望める。また、蛍光体層３６の下側（絶縁層３２側）に白色の反射層が設けられてもよい。反射層は、例えば、酸化チタンフィラー等の白色塗料により設けられる。
以上のとおり、各発光素子２０が出射した光Ｌ（各発光素子２０が放射状に出射した光Ｌ）は、それぞれ、上記のような複数の光路を経由して上記励起光とともに外部に照射される。そのため、蛍光体層３６に含まれる蛍光体の発光波長と、発光素子２０（ＣＳＰ）におけるＬＥＤ２２を封止した（又は覆う）蛍光体（蛍光体封止層２４）の発光波長とが異なる場合、本実施形態の発光基板１０は、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの束を、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの波長と異なる波長の光Ｌを含む光Ｌの束として上記励起光とともに照射する。例えば、本実施形態の発光基板１０は、発光素子２０が出射した光（波長）と蛍光体層３６より出射された光（波長）との合成光を照射する。
これに対して、蛍光体層３６に含まれる蛍光体の発光波長と、発光素子２０（ＣＳＰ）におけるＬＥＤ２２を封止した（又は覆う）蛍光体（蛍光体封止層２４）の発光波長とが同じ場合（同じ相関色温度の場合）、本実施形態の発光基板１０は、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの束を、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの波長と同じ波長の光Ｌを含む光Ｌの束として上記励起光とともに照射する。
以上が、本実施形態の発光基板１０の発光動作についての説明である。
≪本実施形態の効果≫
次に、本実施形態の効果について図面を参照しながら説明する。
＜第１の効果＞
第１の効果については、本実施形態を以下に説明する比較形態（図５参照）と比較して説明する。ここで、比較形態の説明において、本実施形態と同じ構成要素等を用いる場合は、その構成要素等に本実施形態の場合と同じ名称、符号等を用いることとする。図５は、比較形態の発光基板１０Ａの発光動作を説明するための図である。比較形態の発光基板１０Ａ（複数の発光素子２０を搭載する基板３０Ａ）は、蛍光体層３６を備えていない点以外は、本実施形態の発光基板１０（蛍光体基板３０）と同じ構成とされている。
比較形態の発光基板１０Ａの場合、各発光素子２０から出射され、基板３０Ａの表面３１に入射した光Ｌは、波長が変換されることなく反射又は散乱する。そのため、比較形態の基板３０Ａの場合、発光素子２０が搭載された場合に発光素子２０が発光する光と異なる発光色の光に調整することができない。すなわち、比較形態の発光基板１０Ａの場合、発光素子２０が発光する光と異なる発光色の光に調整することができない。
これに対して、本実施形態の場合、絶縁層３２の厚み方向から見て、絶縁層３２の表面３１であって、各発光素子２０との各接合面３４Ａ１の周囲には蛍光体層３６が配置されている。そのため、各発光素子２０から放射状に出射された光Ｌの一部は、蛍光体層３６に入射して、蛍光体層３６により波長変換されて、外部に照射される。この場合、各発光素子２０から放射状に出射された光Ｌの一部は、蛍光体層３６に入射して、蛍光体層３６に含まれる蛍光体を励起させ、励起光を発生させる。
ここで、図６は、本実施形態の発光基板１０の相関色温度の第１試験の結果を表すグラフである。また、図７は、本実施形態の発光基板１０の相関色温度の第２試験の結果を表すグラフである。
第１試験は、相関色温度が２２００Ｋ〜２３００Ｋ相当である複数の発光素子２０を備えた発光基板１０に給電して発光させた場合における、複数の発光素子２０に電流（ｍＡ）と、相関色温度（Ｋ）との関係を調べて結果である。ここで、ＦＬＴ（１）及びＦＬＴ（２）は電極層３４の構造が本実施形態と同じ構造の場合を示し、ＨＥ（１）及びＨＥ（２）は電極層３４の構造において本実施形態と異なり各接合面３４Ａ１が非接合面３４Ｂ１よりも突出している形態（参考例）の場合を示す。図６の結果のとおり、いずれの場合であっても、発光基板１０が発光する光Ｌの相関色温度は、複数の発光素子２０の相関色温度よりも低くなっている。すなわち、本実施形態（上記参考例も含む）の場合、蛍光体層３６を備えることで相関色温度をシフトさせることができていた。
また、第２試験は、相関色温度が２９００Ｋ〜３０００Ｋ相当である複数の発光素子２０を備えた発光基板１０に給電して発光させた場合における、複数の発光素子２０に電流（ｍＡ）と、相関色温度（Ｋ）との関係を調べて結果である。ここで、ＦＬＴ（１）及びＦＬＴ（２）は電極層３４の構造が本実施形態と同じ構造の場合を示し、ＨＥ（１）は電極層３４の構造において本実施形態と異なり各接合面３４Ａ１が非接合面３４Ｂ１よりも突出している形態（参考例）を示す。図７の結果のとおり、いずれの場合であっても、発光基板１０が発光する光Ｌの相関色温度は、複数の発光素子２０の相関色温度よりも低くなっている。すなわち、本実施形態（上記参考例も含む）の場合、蛍光体層３６を備えることで相関色温度をシフトさせることができていた。
したがって、本実施形態の蛍光体基板３０によれば、発光素子２０が搭載された場合に、蛍光体基板３０から発光される光Ｌを発光素子２０が発光する光Ｌと異なる発光色の光に調整することができる。これに伴い、本実施形態の発光基板１０によれば、蛍光体基板３０から発光される光Ｌを発光素子２０が発光する光Ｌと異なる発光色の光Ｌに調整することができる。別の見方をすると、本実施形態の発光基板１０によれば、発光素子２０が発光する光Ｌと異なる発光色の光Ｌを外部に照射することができる。
なお、第１試験及び第２試験の結果のとおり、本実施形態の場合は、各参考例の場合に比べて、相関色温度をより低い側にシフトさせることができていた。すなわち、本実施形態は、参考例（電極層３４の構造において各接合面３４Ａ１が非接合面３４Ｂ１よりも突出している形態）に比べて、相関色温度を更に低くすることができるといえる。これは、ＣＡＳＮのように発光波長が長い場合に、電極層３４のＣｕによる反射効果が得られることを示している。そして、蛍光体層３６に含まれる蛍光体の発光波長が６００ｎｍ以上の場合、電極層３４のＣｕパターンをそのまま反射膜として使用することが提案できる。
また、蛍光体層３６に含まれる蛍光体の発光波長と、発光素子２０（ＣＳＰ）におけるＬＥＤ２２を封止した（又は覆う）蛍光体（蛍光体封止層２４）の発光波長とが同じ場合（同じ相関色温度の場合）、本実施形態の発光基板１０は、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの束を、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの波長と同じ波長の光Ｌを含む光Ｌの束として上記励起光とともに照射する。この場合、搭載される発光素子２０の色度ばらつきを蛍光体層３６により緩和する効果も発現できる。
＜第２の効果＞
比較形態の場合、図５に示されるように、各発光素子２０の配置間隔に起因して外部に照射される光Ｌに斑が発生する。ここで、光Ｌの斑が大きいほど、グレアが大きいという。
これに対して、本実施形態の場合、図２Ｂに示されるように、各接合面３４Ａ１の周囲を（全周に亘って）蛍光体層３６に囲まれたうえで、さらに隣接する発光素子２０同士の間にも蛍光体層３６が設けられている。そのため、各接合面３４Ａ１の周囲（各発光素子２０の周囲）からも励起光が発光される。
したがって、本実施形態によれば、比較形態に比べて、グレアを小さくすることができる。
特に、本効果は、蛍光体層３６が絶縁層３２の全面に亘って設けられている場合、具体的には、絶縁層３２の表面３１における蛍光体層３６が配置されている領域が表面１３の８０％以上の領域のような場合に有効である。
＜第３の効果＞
また、本実施形態では、前述の説明のとおり、隣接する発光素子２０同士の間に蛍光体層３６が設けられている（図２Ｂ）。また、蛍光体層３６のバインダーは、例えばソルダーレジストに含まれるバインダーと同等の絶縁性を有する。すなわち、本実施形態の場合、蛍光体層３６がソルダーレジストの機能を果たす。
＜第４の効果＞
また、本実施形態の場合、例えば、蛍光体層３６に含まれる蛍光体をＥｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体とし、蛍光体層３６をＣｕ製の配線部分３４Ｂ上に設けている。そのため、例えば、各発光素子２０が白色系の光Ｌを出射した場合に、例えば、蛍光体層３６に含まれるＣＡＳＮ蛍光体による励起光の発生と、光ＬのＣｕによる反射の影響により、白色系の光Ｌをより暖かい色系の光Ｌ（相関色温度が低温側にシフトした色）に調整することができる（図６及び図７参照）。
以上が、本実施形態の効果についての説明である。
以上のとおり、本発明について前述の実施形態及び実施例を例として説明したが、本発明は前述の実施形態及び実施例に限定されるものではない。本発明の技術的範囲には、例えば、下記のような形態（変形例）も含まれる。
例えば、本実施形態の説明では、発光素子２０の一例をＣＳＰであるとした。しかしながら、発光素子２０の一例はＣＳＰ以外でもよい。例えば、単にフリップチップを搭載したものでもよい。また、ＣＯＢデバイスの基板自身に応用することもできる。
また、本実施形態の説明では、蛍光体基板３０には複数の発光素子２０が搭載され、発光基板１０は複数の発光素子２０を備えているとした。しかしながら、前述の第１の効果の説明のメカニズムを考慮すると、発光素子２０が１つであっても第１の効果を奏することは明らかである。したがって、蛍光体基板３０に搭載される発光素子２０の数は少なくとも１つ以上であればよい。また、発光基板１０に搭載されている発光素子２０は少なくとも１つ以上であればよい。
また、本実施形態の説明では、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面は、電極層３４よりも当該厚み方向外側に位置しているとした（図１Ｃ及び図３Ｄ参照）。しかしながら、前述の第１の効果の説明のメカニズムを考慮すると、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面が電極層３４の接合面３４Ａ１と当該厚み方向において同じ又は接合面３４Ａ１よりも当該厚み方向内側の位置としても第１の効果を奏することは明らかである。
また、本実施形態の説明では、蛍光体基板３０の裏面３３に裏面パターン層３８が備えられているとした（図１Ｂ参照）。しかしながら、前述の第１の効果の説明のメカニズムを考慮すると、蛍光体基板３０の裏面３３に裏面パターン層３８が備えられていなくても第１の効果を奏することは明らかである。したがって、裏面３３に裏面パターン層３８がない点のみ本実施形態の蛍光体基板３０及び発光基板１０と異なる形態であっても、当該形態は本発明の技術的範囲に属するといえる。
また、本実施形態の説明では、蛍光体層３６は、絶縁層３２及び電極層３４の表面３１における、複数の電極対３４Ａ以外の部分に配置されているとした（図２Ｂ参照）。しかしながら、前述の第１の効果の説明のメカニズムを考慮すると、蛍光体基板３０の表面３１における複数の電極対３４Ａ以外の部分の全域に亘って配置されていなくても第１の効果を奏することは明らかである。したがって、本実施形態の場合と異なる表面３１の範囲に蛍光体層３６が配置されている点のみ本実施形態の蛍光体基板３０及び発光基板１０と異なる形態であっても、当該形態は本発明の技術的範囲に属するといえる。
また、本実施形態の説明では、蛍光体基板３０及び発光基板１０を製造するに当たり、利昌工業株式会社製のＣＳ−３３０５ＡをマザーボードＭＢとして用いると説明した。しかしながら、これは一例であり、異なるマザーボードＭＢを用いてもよい。例えば、利昌工業株式会社製のＣＳ−３３０５Ａの絶縁層厚、銅箔厚等の標準仕様にこだわるものではなく、特に銅箔圧は更に厚いものを用いてもよい。
なお、本実施形態の発光基板１０（その変形例も含む）は、他の構成要素と組み合せて、照明装置に応用することができる。この場合における他の構成要素は、発光基板１０の発光素子２０を発光させるための電力を供給する電源等である。
この出願は、２０１８年１２月２７日に出願された日本出願特願２０１８−２４４５４４号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (15)

  1. 一面に少なくとも一つの発光素子が搭載される蛍光体基板であって、
    絶縁基板と、
    前記絶縁基板の一面に配置され、前記発光素子に接合される電極層と、
    前記絶縁基板の一面に配置され、前記発光素子の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層と、
    を備え、
    前記電極層の前記絶縁基板の厚み方向外側に向く面は、平面とされ、
    前記蛍光体層の少なくとも一部は、前記電極層における発光素子との接合部分の周囲に配置されている、
    蛍光体基板。
  2. 一面に複数の発光素子が搭載される蛍光体基板であって、
    絶縁基板と、
    前記絶縁基板の一面に配置され、前記複数の発光素子にそれぞれ接合される電極層と、
    前記絶縁基板の一面に設けられ、前記複数の発光素子の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層と、
    を備え、
    前記電極層の前記絶縁基板の厚み方向外側に向く面は、平面とされ、
    前記蛍光体層の少なくとも一部は、前記電極層における前記発光素子との接合部分の周囲に配置されている、
    蛍光体基板。
  3. 前記蛍光体層の少なくとも一部は、前記絶縁基板の一面における前記電極層が配置されている領域以外の領域に配置されている、
    請求項２に記載の蛍光体基板。
  4. 前記蛍光体層の少なくとも一部は、前記電極層における前記接合部分以外の部分に配置されている、
    請求項２又は３に記載の蛍光体基板。
  5. 前記蛍光体層における前記厚み方向外側の面は、前記平面よりも前記厚み方向外側に位置している、
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の蛍光体基板。
  6. 前記発光素子は、ＬＥＤが組み込まれ、チップサイズにパッケージされたＣＳＰとされている、
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の蛍光体基板。
  7. 前記蛍光体の相関色温度は、前記ＣＳＰに含まれる蛍光体の相関色温度と異なる相関色温度とされている、
    請求項６に記載の蛍光体基板。
  8. 前記蛍光体の相関色温度は、前記ＣＳＰに含まれる蛍光体の相関色温度と同じ相関色温度とされている、
    請求項６に記載の蛍光体基板。
  9. 前記電極層は、銅製又は少なくとも表面に銅を有し、
    前記蛍光体層が発光する光の波長は、６００ｎｍ以上とされている、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の蛍光体基板。
  10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の蛍光体基板と、
    前記接合部分に接合する少なくとも一つの発光素子と、
    を備える発光基板。
  11. 前記発光素子は、ＬＥＤが組み込まれ、チップサイズにパッケージされたＣＳＰとされている、
    請求項１０に記載の発光基板。
  12. 前記蛍光体の相関色温度は、前記ＣＳＰに含まれる蛍光体の相関色温度と異なる相関色温度とされている、
    請求項１１に記載の発光基板。
  13. 前記蛍光体の相関色温度は、前記ＣＳＰに含まれる蛍光体の相関色温度と同じ相関色温度とされている、
    請求項１１に記載の発光基板。
  14. 前記電極層は、銅製又は少なくとも表面に銅を有し、
    前記蛍光体層が発光する光の波長は、６００ｎｍ以上とされている、
    請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の発光基板。
  15. 請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の発光基板と、
    前記発光素子を発光させるための電力を供給する電源と、
    を備える照明装置。
JP2020563143A 2018-12-27 2019-12-18 蛍光体基板、発光基板及び照明装置 Active JP7410881B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018244544 2018-12-27
JP2018244544 2018-12-27
PCT/JP2019/049689 WO2020137762A1 (ja) 2018-12-27 2019-12-18 蛍光体基板、発光基板及び照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020137762A1 true JPWO2020137762A1 (ja) 2021-11-11
JP7410881B2 JP7410881B2 (ja) 2024-01-10

Family

ID=71129752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020563143A Active JP7410881B2 (ja) 2018-12-27 2019-12-18 蛍光体基板、発光基板及び照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220278257A1 (ja)
EP (1) EP3905347B1 (ja)
JP (1) JP7410881B2 (ja)
KR (1) KR20210106433A (ja)
CN (1) CN113228315A (ja)
WO (1) WO2020137762A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7430650B2 (ja) 2018-12-27 2024-02-13 デンカ株式会社 蛍光体基板、発光基板及び照明装置
US20230335685A1 (en) * 2020-08-28 2023-10-19 Denka Company Limited Phosphor board, light-emitting substrate, and lighting apparatus
US20240167651A1 (en) * 2021-03-22 2024-05-23 Denka Company Limited Light source unit and road illumination device equipped with light source unit

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10151794A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその形成方法
JP2000011953A (ja) * 1998-06-25 2000-01-14 Nec Corp 多重管からなる蛍光ランプ
JP2003258311A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007080994A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Sumita Optical Glass Inc 固体素子デバイス及びこれを用いた発光装置
JP2009267289A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2013012607A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191420A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
JP2008066691A (ja) * 2006-03-10 2008-03-21 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
KR101601622B1 (ko) * 2009-10-13 2016-03-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법
JP5661552B2 (ja) * 2010-12-24 2015-01-28 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2013153739A (ja) 2012-01-30 2013-08-15 Sato Shokuhin Kogyo Kk 茶エキス入り粉末組成物
KR20130104975A (ko) * 2012-03-16 2013-09-25 삼성전자주식회사 발광장치
EP3008374B1 (en) * 2013-08-01 2017-04-05 Philips Lighting Holding B.V. Light emitting arrangement with adapted output spectrum
KR102098245B1 (ko) * 2014-02-11 2020-04-07 삼성전자 주식회사 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치
US9660161B2 (en) * 2014-07-07 2017-05-23 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components including contact expansion frame
CN106163113A (zh) 2015-03-23 2016-11-23 李玉俊 Led灯安装灯珠用电路板表面反光层制作工艺
CN206558500U (zh) * 2016-09-30 2017-10-13 深圳市玲涛光电科技有限公司 发光元件、背光源模组及电子设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10151794A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその形成方法
JP2000011953A (ja) * 1998-06-25 2000-01-14 Nec Corp 多重管からなる蛍光ランプ
JP2003258311A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007080994A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Sumita Optical Glass Inc 固体素子デバイス及びこれを用いた発光装置
JP2009267289A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2013012607A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020137762A1 (ja) 2020-07-02
EP3905347A4 (en) 2022-02-16
US20220278257A1 (en) 2022-09-01
KR20210106433A (ko) 2021-08-30
EP3905347A1 (en) 2021-11-03
EP3905347B1 (en) 2024-02-21
TW202031871A (zh) 2020-09-01
CN113228315A (zh) 2021-08-06
JP7410881B2 (ja) 2024-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7410881B2 (ja) 蛍光体基板、発光基板及び照明装置
EP3905346B1 (en) Light-emitting substrate, and lighting device
WO2022045017A1 (ja) 蛍光体基板の製造方法及び発光基板の製造方法
JP7425750B2 (ja) 蛍光体基板、発光基板及び照明装置
JP7491849B2 (ja) 蛍光体基板、発光基板及び照明装置
TWI825278B (zh) 螢光體基板、發光基板、照明裝置、螢光體基板的製造方法及發光基板的製造方法
JP7430650B2 (ja) 蛍光体基板、発光基板及び照明装置
TWI842799B (zh) 螢光體基板、發光基板及照明裝置
WO2022045013A1 (ja) 蛍光体基板、発光基板及び照明装置
JPWO2020170968A1 (ja) 回路基板、実装基板、照明装置、回路基板の製造方法及び実装基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230718

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230904

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7410881

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150