TW201242113A - Reflecting resin sheet, light emitting diode device and producing method thereof - Google Patents

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TW201242113A
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light
emitting diode
reflective resin
resin layer
substrate
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TW101112858A
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Inventor
Yasunari Ooyabu
Tsutomu Nishioka
Hisataka Ito
Toshiki Naito
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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201242113 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種反射樹脂片材、發光二極體裝置及其 製造方法，詳細而言，本發明係關於一種發光二極體裝置 之製造方法、其所使用之反射樹脂片材、及藉由發光二極 體裝置之製造方法而獲得之發光二極體裝置。 【先前技術】 近年來’作為可發出高能量之光之發光裝置，已知有白 色發光裝置。於白色發光裝置中例如設置有二極體基板、 積層於其上且發出藍色光之LED(Light-emitting Diode，發 光二極體）、可將藍色光轉換成黃色光且被覆LED之螢光體 層、及密封LED之密封層。此種白色發光裝置係由藉由密 封層而密封且自二極體基板供給電力之LED發光，藉由將 穿透密封層及螢光體層之藍色光與螢光體層中藍色光之一 部分經波長轉換而成之黃色光進行混色而發出高能量之白 色光。 作為製造此種白色發光裝置之方法，例如提出有如下方 法（例如參照曰本專利特開2〇〇5·〗9丨42〇號公報）。 即，提出有如下方法··首先，形成包含基板部、及自其 周。卩朝上側突出之白色之反射框部的基體，繼而，以於反 射框部之内侧隔開間隔之方式將半導體發光元件打線接合 (Wire Bonding)於基板部之t央藉由反射框部而形成之0 部之底部。 /凹 繼而，將螢光體與液狀之環氧樹脂之混合物藉由塗佈填 160904.doc 201242113 充於凹部，繼而，使螢光體自然沈澱於凹部之底部，其 後’使環氧樹脂加熱硬化。 ' 於藉由曰本專利特開2005-1 91420號公報所提出之方法 而獲付之白色發光裝置中，藉由沈澱而形成之以高濃度含 有螢光體之螢光體層（波長轉換層）劃分為半導體發光元件 之上側之區域，以高濃度含有環氧樹脂之密封部劃分為螢 光體層之上侧之區域。 並且，於該白色發光裝|中，+導體^元件放射狀地 發出藍色光，其令，自半導體發光元件朝上方發出之藍色 光之一部分於榮光體層中轉換成黃色光，同時剩餘部分通 過螢光體層。又，自半導體發光元件朝側方發出之藍色光 於反射框部反射，繼而朝上側照射。並且，日本專利特開 2005-19 1420號公報之白色發光裝置藉由將該等藍色光及 黃色光進行混色而發出白色光。 【發明内容】 然而，於藉由日本專利特開2〇〇5_19142〇號公報之製造 方法而獲得之白色發光裝置中，光半導體發光元件與反射 框部係隔開間隔而配置，&而自光半導體發光元件朝側方 發出之光之一部分於反射框部反射前被密封部吸收。其結 果，存在光之提取效率降低之不良情況。 本發明之目的在於提供一種可提高光之提取效率之發光 二極體裝置、其製造方法及其所使用之反射樹脂片材。 本發明之反射樹脂片材之特徵在於：其係用以將反射樹 脂層設置於發光二極體元件之側方者，且包含脫模基材、 160904.doc
S 201242113 及設置於上述脫模基材之厚度方向之—面上的上述反射樹 脂層，上述反射樹脂層以可與上述發光二極體元件密接之 方式對應於上述發光二極體元件而形成。 又，於本發明之反射樹脂片#中，車交佳為於上述脫模基 材之上述厚度方向之一面上，設置有上述反射樹脂層之部 刀朝上述厚度方向之另一方凹陷0 又，本發明之反射樹脂片材之製造方法之特徵在於包含 如下步驟·藉由將反射樹脂層設置於脫模基材之厚度方向 之-面上而準備上述反射樹脂諸；將發光二極體元件設 置於一極體基板之厚度方向之—面上；以及將上述反射樹 脂片材以上述反射樹脂層密接於上述發光二極體元件之側 面之方式積層於上述二極體基板上。 又，於本發明之發光二極體裝置之製造方法中，較佳為 於將上述反射樹脂片材積層於上述二極體基板上之步驟 中，使上述脫模基材中自上述反射樹脂層露出之露出部密 接於上述發光二極體元件之厚度方向之一面上。 又，於本發明之發光二極體裝置之製造方法中，較佳為 準備上述反射樹脂片材之步驟係包含如下步驟：將形成有 包含以對應於上述露出部之方式相互隔開間隔而配置之複 數個被覆部與架設各上述被覆部之架設部的圖案之遮罩以 上述被覆部與上述露出部相對向之方式配置於上述脫模基 材之上述厚度方向之一方；藉由將用以形成上述反射樹脂 層之反射樹脂組合物經由上述遮罩㈣於上料模基材 上，而以上述被覆部之相反圆案形成上述反射樹脂層；以 J60904.doc 201242113 及去除上述遮罩。 又，本發明之發光二極體I置之製造方法之特徵在於包 各如下步驟：將發光二極體元 瓶几件δ又置於基材之厚度方向之 一面上；於上述基材之厚度方 于厌万向之一面上，將反射樹脂層 設置於上述發光二極體元件之你 仟之側方，以及藉由使對應於上 述反射樹脂層而形成有朝厚度方向之另一方凹陷之凹部的 推壓構件之上述凹部推壓上述反射樹脂層，而使上述反射 樹脂層密接於上述發光二極體元件之側面。 又，於本發明之發光二極體裝置之製造方法中，較佳為 設置上述反射樹脂層之步驟係包含如下步驟：將形成有包 含以對應於上述發光二極體元件之方式互相隔開間隔而配 置之複數個被覆部與架設各上述被覆部之架設部的圖案之 遮罩以上述被覆部與上述發光二極體元件相對向之方式配 置於上述基材之上述厚度方向之一方；藉由將用以形成上 述反射樹脂層之反射樹脂組合物經由上述遮罩塗佈於上述 基材上，而以上述被覆部之相反圖案形成上述反射樹脂 層；以及去除上述遮罩。 又，本發明之發光二極體裝置之特徵在於包含：二極體 基板、設置於上述二極體基板之厚度方向之一面上之發光 二極體元件、及密接於上述發光二極體元件之側面之反射 樹脂層。 又’於本發明之發光二極體裝置中，較佳為上述反射樹 脂層形成為比上述發光二極體元件厚。 又，本發明之發光二極體裝置較佳為進而包含形成於上 160904.doc
S 201242113 述發光二極體元件之上述厚度方向之一面上之螢光體層。 根據使用本發明之反射樹脂片材的本發明之發光二極體 裝置之製造方法，將反射樹脂片材以反射樹脂層密接於發 光二極體元件之側面之方式積層於二極體基板上。 因此’於藉由上述方法而獲得之本發明之發光二極體裝 置中，自發光二極體元件發出之光於被其他構件吸收前被 反射樹脂層反射。 其結果’可提高光之提取效率。 【實施方式】 圖1係本發明之發光二極體裝置之一實施形態之平面 圖，圖2及圖3係說明本發明之發光二極體裝置之製造方法 之一實施形態的製造步驟圖，圖4係說明圖2(a)之準備反射 樹脂片材之步驟的製造步驟圖，圖5係表示圖4(b)之步驟所 配置之遮罩之平面圖。 於圖1及圖3(f)中，該發光二極體裝置丨包含：二極體基 板2、覆晶安裝於二極體基板2上之發光二極體元件3、設 置於發光二極體元件3之側方之反射樹脂層4、及設置於發 光二極體元件3(厚度方向之一面）上之螢光體層5。 又，發光二極體裝置1係於面方向（具體為圖3(f)中之紙 面左右方向及紙面上下方向）上相互隔開間隔而設置有複 數個。 二極體基板2呈大致平板狀，具體而言係由在絕緣基板 上積層導體層作為電路圖案而成之積層板形成。絕緣基板 例如包含矽基板、陶瓷基板、聚醯亞胺樹脂基板等，較佳 160904.doc 201242113 為包含陶瓷基板’具體而言包含藍寶石（Α12〇3)基板。導體 層例如由金、銅、銀、鎳等導體形成。該等導體可單獨使 用或併用。 又，導體層包含端子6。 食而子ό係於絕緣基板之上表面上，在面方而卜π 你1^力问上隔開間隔 而形成’形成為對應於下述電極部8之圖案。再者，雖未 圖示，但端子6經由導體層而電性連接於電力供給部。 發光二極體元件3設置於二極體基板2之上表面（厚度方 向之一面）上’形成為俯視大致矩形狀。又，發光二極體 元件3於一個二極體基板2之上表面上，在面方向上相互隔 開間隔而設置有複數個。 發光二極體元件3包含光半導體層7與形成於其下表面之 電極部8。 光半導體層7形成為對應於發光二極體元件3之外形形狀 之俯視大致矩形狀，又，形成為面方向上較長之剖面觀察 大致矩形狀。 雖未圖示，但光半導體層7例如包含於厚度方向上依序 積層之緩衝層、Ν形半導體層、發光層及ρ形半導體層。光 半導體層7由公知之半導體材料形成，並藉由磊晶成長法 等公知之成長法而形成。光半導體層7之厚度例如為 0.1 〜500 μπι、較佳為 〇.2 〜2〇〇 μηι。 電極部8電性連接於光半導體層7，以於厚度方向投影時 包含於光半導體層7中之方式形成。又，電極部8例如包含 連接於Ρ形半導體層之陽極電極、及形成於Ν形半導體層上 160904.doc 201242113 之陰極電極。 電極部8由公知之導體材料形成，其厚度例如為ι〇〜ι〇〇〇 nm 〇 反射樹脂層4形成於二極體基板2之上表面上俯視時形成 有發光二極體元件3之區域（基板側二極體區域）9以外之區 域（基板側反射區域）1 〇上β 基板側反射區域1 0係於基板側二極體區域9之周圍藉由 基板側二極體區域9而劃分為其外側之區域，包含於前後 方向延伸之區域、及於左右方向延伸之區域，該等區域相 互正交（交又），形成為俯視大致格子狀。 反射樹脂層4設置於發光二極體元件3之外側，具體而 言’設置於各發光二極體元件3之左右方向兩個外側及前 後方向兩個外側。 並且’如圖3(f)所示’反射樹脂層4密接於發光二極體元 件3之外側面，具體而言，密接於各發光二極體元件3之左 表面、右表面、前表面（參照圖1)及後表面（參照圖丨）之各 面。藉此，反射樹脂層4使發光二極體元件3之上表面露 出。 又，如圖1所示，反射樹脂層4連續形成一體，藉此例如 圖3(f)所示’形成於在左右方向隔開間隔而配置之兩個發 光一極體元件3(3Α及3Β)之間的反射樹脂層4之左端部與配 置於反射樹脂層4之左側之發光二極體元件3 a之右端面密 接’並且反射樹脂層4之右端部與配置於反射樹脂層4之右 側之發光二極體元件3B之左端面密接。又，如參照圖1， 160904.doc 201242113 形成於在前後方向隔開間隔而配置之兩個發光二極體元件 3之間的反射樹脂層4亦與上述同樣地分別密接於發光二極 體元件3之前表面及後表面，具體而言，反射樹脂層4之前 端部及後端部分別密接於配置於該等前側及後側之發光二 極體元件3之前表面及後表面。 又，如圖3(f)所示，於反射樹脂層4之上表面上形成有藉 由下述反射樹脂片材13之推壓（參照圖3(d)之箭頭）而形成 之樹脂凹部11。 即，於反射樹脂層4上，樹脂凹部丨丨之上表面形成為平 坦狀，形成於發光二極體元件3之周端部之部分形成為高 於樹脂凹部1 1。 上述反射樹脂層4例如含有光反射成分，具體而言，反 射樹脂層4由含有樹脂及光反射成分之反射樹脂組合物形 成0 作為樹脂，例如可列舉：熱硬化性聚錢樹脂、環氧樹 脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂、㈣脂、⑽脂、4氛胺 樹脂、不飽和聚醋樹脂、鄰笨二甲酸二婦丙_脂、1更 化性胺基甲酸酯樹脂等熱硬化性樹脂，較佳為列舉熱硬化 性聚^夕氧樹脂、環氧樹脂。 ' 光反射成分例如為白色之化合物，作為此種 物，具體而言可列舉白色顏料。 巴之化。 作為白色顏料，例如可列舉白色無 色無機顏料，，列舉例如氧化鈦、氧化=白 物，例如妒白r雄舻此、 〒氣化錯專氧化 馱釔）、碳酸鈣等碳酸鹽，例如高嶺土（高 160904.doc 201242113 嶺石）等黏土鑛物等。 進而較佳為列 作為白色無機顏料，較佳為列舉氧化物 舉氧化欽。 若為氧化鈦，則可獲得較高之白度、較高之光反射性、 優異之隱蔽性（隱蔽力）、優異之著色性（著色力）、較高之 分散性、優異之耐候性、較高之化學穩定性等特性。 此種氧化鈦具體為Ti〇2(氧化鈦（1¥)、二氧化鈦）。 氧化鈦之結晶結構並無特別限定，例如為金紅石、板鈦 礦（Brookite)、銳鈦礦（Anatase)等，較佳為金紅石。 又，氧化鈦之晶系並無特別限定，例如為正方晶系、斜 方晶系等，較佳為正方晶系。 氧化鈦之結晶結構及晶系只要為金紅石及正方晶系，則 即便於反射樹脂層4長期曝露於高溫下之情形時，亦可有 效地防止對於光（具體而言$可見光，尤其是波長為45〇 nm附近之光）之反射率降低。 光反射成分為粒子狀，其形狀並無限定，例如可列舉球 狀、板狀、針狀等。光反射成分之最大長度之平均值（於 球狀之情形時為其平均粒徑）例如為丨〜⑺⑽nm。最大長度 之平均值係使用雷射繞射散射式粒度分佈計而測定。 光反射成分之調配比例相對於樹脂丨〇〇質量份，例如為 0.5〜90質量份，就著色性、光反射性及反射樹脂組合物之 操作性之觀點而言，較佳為15〜7〇質量份。 上述光反射成分均勻地分散混合於樹脂中。 又’於反射樹脂組合物中亦可進而添加填充劑。即，可 160904.doc 201242113 將填充劑與光反射成分（具體而言為白色顏料）併用。 填=劑可列舉除上述白色顏料以外之公知之填充劑，具 體而。’可列舉無機填充劑，作為此種無機填充劑，例如 可列舉二氧化石夕粉末、滑石粉末、氧化銘粉末、氮化紹粉 末、氮化矽粉末等。 2為填充劑，就降低反射樹脂層4之線膨脹係數之觀點 而。，較佳為列舉二氧化石夕粉末。 曰作為二氧化石夕粉末’例如可列舉溶融二氧化石夕粉末、結 氧化矽粕末等，較佳為列舉熔融二氧化矽粉末（即石 央玻璃粉末）。 一作為填充劑之形狀’例如可列舉球狀、板狀、針狀等。 就優異之填充性及流動性之觀點而言，較佳為列舉球狀。 因此’作為二氧切粉末，較佳.為列舉球狀熔融 矽粉末。 填充劑之最大長度之平均值（於球狀之情形時為平均粒 徑）例如為5〜60 μηι，較佳為15〜45 μιη。最大長度之平均值 係使用雷射繞射散射式粒度分佈計而測定。 填充劑之添加比例係…真錢及光反射成分之總量例如 相對於樹脂⑽質量份成為1Q〜8Gf量份之方式加以調整， 就降低線膨脹係數及確保流動性之觀點而言，以相對於樹 脂⑽質量份較佳為成為25〜75質量份 ㈣〇質量份之方式加以調整。 ^佳為成為 反射樹脂組合物係藉由調配上述樹脂、光反射成分、及 根據需要而添加之填充劑並均勻混合而製備。 160904.doc
S 12- 201242113 又，反射樹脂組合物係製備為B階段狀態。 其動 此種反射樹脂組合物例㈣成為液狀/半固體狀 黏度例如為10〜30 mm2/s。 發光二極體元件3之外側面由反射 以如上所述之方式 樹脂層4所密封。 再者，於光半導體層7之下側形成有對應於電極部8之厚 度之下部間隙12(參照圖2(b))，於該下部間隙12中填充有 反射樹脂層4,該反射樹脂層4亦密接於自電極部8露出之 光半導體層7之下表面及電極部8之側面。 如圖3(f)所示’反射樹脂層4之端部之厚度τι與上述發光 二極體元件3之厚度（光半導體層7及電極部8之總厚度）相 同。又，反射樹脂層4之t央部之厚度T2相對於端部之厚 度Τ1，例如為50%以上，較佳為9〇%以上，進而較佳為 95%以上，通常為未達 丹體而έ ，例如為1〇〜5〇〇 μηι ’ 較佳為 is〜500 μιη。 螢光體層5形成於發光二極體元件3之整個上表面（厚度 方向之-面)上’纟以於厚度方向投影時與發光二極體元 件3之外形形狀相同之圖案形成。 螢光體層5例如由含有螢光體之螢光體組合物形成。 螢光體組合物較佳為含有螢光體及樹脂。 作為螢光體’例如可列舉可將藍色光轉換成黃色光之黃 色螢光體。作為此種螢光體’例如可列舉於複合金屬氧化 物或金屬硫化物等中摻雜有例㈣（Ce)或銪（Eu)等金屬原 子之螢光體。 160904.doc 13 201242113 具體而言’作為螢光體，可列舉例如Y3Al5〇i2:Ce (YAG(Yttrium Aluminum Garnet，紀.紹.石權石）：ce)、（Y， Gd)3Al50,2:Ce、Tb3Al30,2:Ce、Ca3Sc2Si30,2:Ce、Lu2CaMg2 (Si, Ge)3〇!2:Ce等具有石榴石型結晶結構之石權石型榮光 體’例如（Sr, Ba)2Si04:Eu、Ca3Si04Cl2:Eu、Sr3Si05:Eu、
Li2SrSi04:Eu、Ca3Si207:Eu等矽酸鹽螢光體，例如 CaAl丨2〇ι9:Μη、SrAl204:Eu等鋁酸鹽螢光體，例如ZnS: cu, A1、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu 等硫化物螢光體、 例如 CaSi202N2:Eu、SrSi2〇2N2:Eu、BaSi202N2:Eu、Ca-α·
SiA】〇N等氮氧化物螢光體，例如CaA1SiN3:Eu、 CaSi5N8:Eu等氮化物螢光體，例如 K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mn 等氟化物系螢光體等。較佳為列舉石榴石型螢光體，進而 較佳為列舉 Y3Al5〇12:Ce(YA(}>。 螢光體可單獨使用或併用兩種以上。 螢光體之調配比例例如相對於螢光體組合物，例如為 1〜50質量％，較佳為5〜3()質量％。又，螢光體相對於樹脂 100質量份之調配比例例如為H00質量份，較佳為5〜4〇質 量份。 树月曰為使螢光體分散之基質，例如可列舉聚矽氧樹脂、 衣氧树月曰、丙烯酸系樹脂等透明樹脂等。就耐久性之觀點 而言，較佳為列舉聚矽氧樹脂。 ’’ 聚石夕氧樹脂於分子内主要含有包切氧鍵（_si_〇_si_)之 ，鏈、及與主鏈切原子⑶）鍵結之包含烧基（例如甲基 等)或烷氧基(例如曱氧基)等有機基之支鏈。 160904.doc 201242113 广言，作為聚彻脂’例如可列舉脫水縮合型聚 夕氧樹脂、加成反應型聚石夕氧樹脂、過氧化物硬化型聚石夕 氧樹腊、濕，氣硬化型聚石夕氧樹脂、硬化型 較佳為列舉加成反應型聚石夕氧樹脂等。 氧树月3等 聚石夕氧樹脂於251下之動黏度例如為} 〇〜3〇。 樹脂可單獨使用或併用兩種以上。 曰樹脂之調配比例相對於螢光體纽合物，例如為50〜99質 量％ ’較佳為70〜95質量％。 、螢光體組合物係藉由以上述調配比例調配勞光體及樹脂 並授掉混合而製備。 繼而’參照圖2〜圖5 ’冑製造上述發光二極體裝置1之方 法進行說明。 於亥方法中，首先，如圖2⑷所示，準備反射樹脂片材 13 ° 反射树月曰片材13係用以將反射樹脂層4設置於發光二極 體元件3之側方之轉印片材。反射樹脂片材η係對應於上 述發光一極體元件3而形成為可於下述推壓（圖3(d乃中與發 光二極體元件3密接之圖案。 反射樹脂片材13包含作為脫模基材之第1脫模基材14、 及X置於其上表面（厚度方向之一面）上之反射樹脂層4。 此種反射樹脂片材13可藉由將反射樹脂層4設置於第1脫 模基材14之上表面上而獲得。 為將反射樹脂層4設置於第1脫模基材14之上表面上，首 先，如圖4(a)所示，準備第丨脫模基材14。 160904.doc .15- 201242113 第1脫模基材14例如為大致矩形狀之脫模片材（脫模 膜），上表面及下表面形成為平坦狀。 第1脫模基材14由如下成分形成：例如聚烯烴（具體而言 為聚乙稀、聚丙婦）、乙稀-乙酸乙稀酿共聚物（EVA， Ethylene-Vinyl Acetate)等乙婶基聚合物，例如聚對苯二曱 酸乙二酯、聚碳酸酯等聚酯’例如聚四氟乙稀等氟樹脂等 樹脂材料等。又，第1脫模基材14亦可由例如鐵、鋁、不 鏽鋼等金屬材料等形成。 又’亦可由可藉由加熱而自反射樹脂層4容易地剝離之 熱剝離片材形成第1脫模基材14。例如圖4(a)之虛線所示， 熱剝離片材包含支持層15、及積層於支持層15之上表面上 之黏著層1 6。 支持層15例如由聚酯等耐熱性樹脂形成。 黏著層16例如由常溫（25°C )下具有黏著性，加熱時黏著 性降低（或失去黏著性）之熱膨脹性黏著劑等形成。 上述熱剝離片材可使用市售品，具體而言，可使用 Revalpha系列（註冊商標，曰東電工公司製造）等。 熱剝離片材藉由支持層15而經由黏著層16確實地支持反 射樹脂層4，並且基於由其後之加熱及熱膨脹引起的黏著 層16之黏著性之降低而自反射樹脂層4剝離。 第1脫模基材14之厚度例如為10〜1〇〇〇 μηι。 繼而，如圖4(b)所示，將遮罩2〇配置於第i脫模基材14 上（厚度方向之一面 如圖5所不，遮罩2〇形成為整體包含框部17、隔開間隔 160904.doc
S -16 - 201242113 而配置於框部17之面方向内側之被覆部1 8、架設框部1 7及 被覆部18之架設部19的圖案。 框部1 7形成為俯視大致矩形框狀。又，框部17以可經由 架設部19而支持被覆部18之寬度（可確保強度之寬度）而形 成。 被覆部18以對應於上述發光二極體元件3(參照圖1)之方 式相互隔開間隔而配置複數個。即，各被覆部丨8係獨立地 形成。 各被覆部1 8形成為俯視時其外形形狀稍大於發光二極體 元件3之外形形狀之相似形狀（具體而言為俯視大致矩形 狀）。又’被覆部18之最大長度L1為L2(發光二極體元件3 之最大長度）+0.22 mm以下，較佳為L2+0.15 mm以下，通 常例如為L2以上，具體而言例如為〇 3〜3 mm ,較佳為 0.42〜2.1 mm。 架設部19架設框部17及被覆部18，並且架設於面方向上 鄰接之被覆部18彼此。各架設部19呈俯視大致χ字狀，例 如以將於面方向上鄰接之4個被覆部18(18Α、18Β、18C及 18D)之左右方向及前後方向端部連接之方式架設。 又，架設部19例如包含導線等線狀構件，以相對於被覆 部18之最大長度L1明顯較窄之寬度形成，具體而言，例如 為100 μπι以下，較佳為50 μηι以下，通常例如為25 上。 遮罩2 0由例如不鏽鋼、鐵等金屬材料、例如聚對苯二甲 酸乙二酯等樹脂材料所形成。較佳為由金屬材料形成。 160904.doc 17 201242113 遮罩20例如可藉由蝕刻、雷射加工等公知之圖案形成法 形成為上述圖案。 遮罩20之厚度例如為20〜500 μηι。 如圖4(b)所示，將上述遮罩2〇以被覆部18與第i脫模基 材14之上表面上對應於基板側二極體區域9(參照圖2(b))之 區域（脫模基材側二極體區域21)於厚度方向上對向配置之 方式配置（載置）於第1脫模基材14之上表面上。再者，被覆 部1 8以於俯視時周端部包圍脫模基材側二極體區域2丨之方 式與脫模基材側二極體區域21對向配置。 繼而’於該方法中，如圖4(c)所示，將反射樹脂組合物 經由遮罩20而塗佈於第1脫模基材14上。 為塗佈反射樹脂組合物，例如可使用印刷、分注器等塗 佈方法。 藉此’可以遮罩20之相反圖案使包含反射樹脂組合物之 反射皮膜22形成於第1脫模基材14之上表面上。再者，反 射皮膜22亦形成於遮罩20之上表面上。 繼而，如圖4(c)之虛線之箭頭所示，將遮罩2〇自第i脫模 基材14去除。具體而言，將遮罩2〇朝上方提拉。 藉由將遮罩20朝上方提拉，可去除形成於被覆部18之上 表面上之反射皮膜22。 再者，藉由提拉上述遮罩20，架設部i 9(參照圖5)之周 圍之反射皮膜22(具·體而言為形成於架設部19之側面之反 射树脂組合物）稍有流動’藉此，配置有架設部丨9之區域 不露出而由反射皮族22所被覆（填充）。 -18· 160904.doc
S 201242113 藉此，如圖2(a)所示，以被覆部18(參照圖5)之相反圖案 (參照圖2(b))形成反射皮膜22。即，反射皮膜22係形成於 第1脫模基材14之上表面上對應於基板側反射區域10之區 域（脫模基材側反射區域）23上。 並且，藉由加熱上述圖案之反射皮膜22(下述），可獲得 上述圖案之B階段狀態之反射樹脂層4。 參照下述圖2(b)，反射樹脂層4形成為於反射樹脂片材 13上下反轉，經反轉之反射樹脂片材13對向配置於二極體 基板2上時，自反射樹脂層4露出之第1脫模基材14之下表 面（露出部25)於厚度方向上投影時包含發光二極體元件3的 圖案。更具體而言’參照下述圖2(c)，反射樹脂層4形成為 於將以下說明之反射樹脂片材13積層於二極體基板2上 時，與二極體基板2接觸之圖案。 藉此’獲得包含反射樹脂層4及第1脫模基材14之反射樹 脂片材13 。 另外，於該方法中，如圖2(b)之下部所示，將發光二極 體元件3設置於二極體基板2之上表面（厚度方向之一面） 上。 具體而& ’電性連接電極部8與端子6，將發光二極體元 件3覆晶封裝（覆晶封裝亦可稱為覆晶安裝）於二極體基板2 上。 繼而，於該方法中，如圖2(b)所示，將反射樹脂片材13 對向配置於二極體基板2之上方。 具體而言，首先，將反射樹脂片材13自圖2(幻之狀態上 下反轉，繼而，以與二極體基板2之上表面之基板側反射 160904.doc 19 201242113 區域10相對向之方式配置反射樹脂層4。 又’於第1脫模基材14之上表面上設置緩衝片材26。 緩衝片材26係於以下說明之推壓（參照圖3(d)之箭頭） 中’以不對發光二極體元件3不均勻地施加推壓力之方式 緩衝此種推壓力之片材（Cushion Sheet，緩衝片材），例如 由彈性片材（膜）等形成。 作為形成緩衝片材26之緩衝材料，由與形成上述第i脫 模基材之樹脂材料相同之樹脂材料所形成，較佳為由乙烯 基聚合物形成，進而較佳為由EVA形成。 緩衝片材26之厚度例如為o.chm mm，較佳為〇 〇5〜〇 2 mm 〇 繼而，於該方法中，如圖2(c)及圖3(d)所示，將反射樹 脂片材13積層於二極體基板2上。 即，首先，#圖2(c)所#，使反射樹脂層4之下表面接觸 於二極體基板2之基板側反射區域1〇上，並且使露出部乃 接觸於發光二極體元件3之上表面上。 即，反射樹脂層4及發光二極體元件3均於厚度方向上由 第1脫模基材14及二極體基板2所夾持。 再者，於上述接觸時’於面方向上之反射樹脂層彳與發 光二極體元件3之間形成有微小之側部間隙27。側部間隙 27係作為將反射樹脂層4與發光二極體元件3於面方向上稍 微隔開之空間而形成。 繼而，如圖3(d)之箭頭所示’將反射樹脂片㈣朝下方 -20- 160904.doc
201242113 八體而。，例如藉由加壓機等，經由緩衝片材26將反射 樹脂片材13朝二極體基板2進行推壓。 壓力例如為0.01〜7 MPa，較佳為0.05〜4 MPa。 又亦可根據需要將上述推壓與加熱一併實施，即亦可 進行熱壓（具體為藉由熱板進行推壓之熱壓等）^ 加熱溫度例如為25〜140°C。 藉此，第1脫模基材14之露出部25密接於發光二極體元 件3之上表面（厚度方向之一面）。 與此同時，反射樹脂層4向側方流動，具體而言，向面 方向外方（左方、右方、前方及後方）流動。因此，側部間 隙27(參照圖2(c))由反射樹脂層4所填充。又，下部間隙 12(參照圖2(c))亦由反射樹脂層4所填充。 藉此，反射樹脂層4密接於發光二極體元件3之側面（左 表面、右表面、前表面及後表面）。 又’樹脂凹部11形成於反射樹脂層4上。 繼而’如圖3(e)所示，將第1脫模基材14自反射樹脂層4 及發光二極體元件3剝離。第1脫模基材14與緩衝片材26 — 併去除。 藉此，反射樹脂層4自第1脫模基材14轉印至二極體基板 2上。 其後，加熱B階段狀之反射樹脂層4而使其硬化。 加熱溫度例如為40〜15(TC，較佳為50〜140°C，加熱時間 例如為1〜60分鐘，較佳為3~20分鐘。 繼而，如圖3(f)所示，將螢光體層5設置於發光二極體元 160904.doc 21 201242113 件3之上表面上。 為設置螢光體層5 ’例如首先將上述螢光體組合物於發 光二極體元件3之上表面上塗佈成上述圖案，形成螢光體 皮膜（未圖示）。 其後，將螢光體皮膜例如加熱至別〜〗5〇〇c而乾燥，藉此 形成上述圖案。 藉此，可獲得包含二極體基板2、覆晶安裝於二極體基 板2上之發光二極體元件3、密接於發光二極體元件3之側 面之反射樹脂層4 '及設置於發光二極體元件3之上表面上 之螢光體層5的發光二極體裝置丨作為集合體片材。 其後，如圖3(f)之單點虛線所示，對各發光二極體元件] 間之反射樹脂層4及形成於其下之二極體基板2進行切斷 (切割）加工。即，沿厚度方向切割反射樹脂層4及二極體基 板2而切分成複數個發光二極體元件3。即，將發光二極體 元件3單個化（單片化）。 並且’根據上述方法’如圖3(d)所示，將反射樹脂片材 13以反射樹脂層4密接於發光二極體元件3之側面之方式積 層於二極體基板2上。 因此，於藉由上述方法而獲得之發光二極體裝置丨中， 自發光二極體7G件3所發出之光於被其他構件吸收前被反 射樹脂層4反射。 其結果，可提高光之提取效率。 進而’於圖3(d)之實施形態中，使第丨脫模基材14之露 出部25密接於發光二極體元件3之上表面，故而可防止反 160904.doc
S -22· 201242113 射樹脂層4滲入（流入）至發光二極體元件3之上表面。因 此’如圖3(f)所示’可將螢光體層5直接積層於發光二極體 元件3之上表面上。 其結果’可確實地防止自發光二極體元件3向上所發出 之光由於反射樹脂層4而反射至下方及/或側方而將該光藉 由螢光體層5有效地進行波長轉換，提高光之提取效率。 於圖4(b)及圖4(c)之實施形態中，使用遮罩2〇形成反射 樹脂層4(參照圖2(a)) ’於例如樹脂為粉末狀之熱硬化性樹 脂之情形時，亦可參照圖2(a)，藉由一面加熱一面利用壓 縮成形機將樹脂組合物壓縮成形而使其硬化，形成於第1 脫模基材14之整個上表面上後，利用蝕刻等使反射樹脂層 4形成為上述圖案。 另一方面’若使用遮罩20形成反射樹脂層4，則可將於 提拉遮罩20時附著於遮罩20之上表面上之反射樹脂組合物 作為原料回收’故而可提高反射樹脂組合物之良率。 又，於圖2(b)〜圖3(f)之實施形態中，將發光二極體元件 3預先覆晶安裝於二極體基板2上，再將反射樹脂層4轉印 至該二極體基板2上’亦可例如參照圖2(b)~圖3(f)之括娘 内所示之符號33，首先’準備第2脫模基材33代替二極體 基板2，於其上表面上設置發光二極體元件3，其後，將反 射樹脂層4轉印至第2脫模基材3 3上後，將發光二極體元件 3及反射樹脂層4轉印至另外準備之二極體基板2上。 於該情形時’第2脫模基材33由與上述第1脫模基材14相 同之脫模基材形成。 I60904.doc •23· 201242113 於上述情形時，參照圖2(b)之括弧内之符號33，將反射 樹月曰層4配置於第2脫模基材33上，參照圖2(c)及圖3(d)， 將反射樹脂片材13對向配置於第2脫模基材33上，繼而推 壓，藉此使反射樹脂層4與發光二極體元件3之側面密接。 其後’參照圖3(e) ’將第1脫模基材14自反射樹脂層4(參 照圖3(d))及發光二極體元件3剝離，繼而，參照圖3(f)，將 螢光體層5設置於發光二極體元件3之上表面上。 繼而，如圖3(f)之單點虛線所示，藉由沿厚度方向切割 反射樹脂層4及第2脫模基材33，而將發光二極體元件3單 個化（單片化）。 其後，如圖3(f)之虛線所示，將第2脫模基材33自反射樹 月曰層4及發光一極體元件3剝離’繼而’將側面藉由反射樹 脂層4密接之發光二極體元件3覆晶安裝至參照圖2(b)之下 部之二極體基板2上。 藉此，獲得發光二極體裝置1 » 根據使用第2脫模基材33之實施形態，亦可發揮與將發 光二極體元件3預先覆晶安裝於二極體基板2上之實施形態 相同之作用效果。 進而，於使用第2脫模基材33之實施形態中，無需將發 光二極體元件3預先覆晶安裝至二極體基板2上，故而可藉 由反射樹脂層4而簡便地密接發光二極體元件3之側面》 另一方面，於將發光二極體元件3預先覆晶安裝於二極 體基板2上之實施形態中，於藉由反射樹脂層4密接預先覆 晶安裝於二極體基板2上之發光二極體元件3之側面後，無 •24· 160904.doc
S 201242113 需另外覆晶安裝於二極體基板2上，故而可簡便地製造發 光二極體裝置1。 又’於圖3(d)之箭頭所示之推壓反射樹脂片材13之步驟 中’經由緩衝片材26朝二極體基板2推壓反射樹脂片材 13 °然而’亦可不設置緩衝片材26(參照圖2(c))，而參照 圖3(d)之括弧内之符號28 ’直接對反射樹脂片材13進行熱 壓。 於熱廢中’如圖3(d)所示，藉由使用熱板28代替缓衝片 材26 ’由此來推壓第1脫模基材14而實施。 於藉由熱板28推壓第1脫模基材14之實施形態中，無需 預先設置緩衝片材26 ’故而可相應地簡化製造步驟。 另一方面’於經由緩衝片材26而朝二極體基板2推壓反 射樹脂片材13之實施形態中，可有效地防止由不均勻之推 壓力而引起之發光二極體元件3之損傷。 圖6及圖7係表示說明本發明之發光二極體裝置之製造方 法的另一實施形態（於第丨脫模基材上設置有凹部之態樣）之 製造步驟圖。 再者’於以下之各圖式中’對與上述各部分對應之構件 標註相同之參照符號並省略其詳細之說明。 於圖3(e)及圖3(f)之實施形態中，以與發光二極體元件3 相同之厚度或比其較薄地形成反射樹脂層4，亦可例如圖 7(d)及圖7(e)所示，比發光二極體元件3較厚地形成反射樹 脂層4。 如圖7(d)及圖7(e)所示，反射樹脂層4以於面方向上投影 160904.doc -25- 201242113 時，上部29自發光二極體元件3朝上方突出之方式形成。 又’上部29之角經去角。 上部29之厚度相對於發光二極體元件3之厚度，例如為 100〜2〇0%，較佳為150〜200%，具體而言，例如為2〇〜1〇〇〇 μπι，較佳為50〜600 μπι 0 榮光體層5以於發光二極體元件3上填充於鄰接之上部29 間之方式而形成。 繼而，參照圖6及圖7對製造圖7(e)所示之發光二極體裝 置1之方法進行說明。 於該方法中，首先，如圖6(a)所示，形成反射樹脂片材 13 〇 為形成反射樹脂片材13’首先，準備第1脫模基材14。 第1脫模基材14係以脫模基材側反射區域2 3凹陷之方式 而形成。 具體而言，於第1脫模基材14之上表面（厚度方向之一 面）上’脫模基材側反射區域23係朝下方（厚度方向之另一 方）凹陷之凹部30，脫模基材側二極體區域21係自凹部3〇 之周端部朝上方突出之突出部31(露出部25)。 即’第1脫模基材14形成為突出部31(對應於基板側反射 區域10之區域，參照圖1)配置成俯視大致格子狀，並且凹 部30(對應於基板側二極體區域9之區域，參照圖丨）由突出 部31包圍之凹凸形狀。 第1脫模基材14例如藉由壓紋加工等公知之成形加工而 形成。 -26 - I60904.doc
S 201242113 繼而，如圖6⑷所示，依照與上述相同之方法將反射樹 脂層4設置於第1脫模基材14之上表面上。 藉此’形成反射樹脂片材13。 另外，如圖6(b)之下部所示，將發光二極體元件3覆晶 安裝至二極體基板2上。繼而，將反射樹脂片材13對向配 置於二極體基板2之上方。 繼而，如圖6⑷所示，將反射樹脂片材13積層於二極體 基板2上’、繼而，冑反射档m片材13朝二極體基板2推壓 (或熱壓）。 藉由上述推壓，反射樹脂層4以對應於凹部儿之形狀之 方式’且以上部29之角經去角之方式形成。 繼而，如圖7⑷所示，將第！脫模基材14(參照圖6⑼自 反射樹脂層4及發光二極體元件3剝離，其後，如圖7(约所 示，於發光二極體元件3之上表面上，於鄰接之上部“之 間填充螢光體層5。 藉此，獲得發光二極體裝置1。 圖7(e)所示之實施形態可發揮與圖3(f)所示之實施形態 相同之作用效果。 進而，於圖7⑷所示之實施形態中，反射樹脂層4形成為 比發光二極體元件3厚，故而可藉由反射樹脂層4之上部29 反射自發光二極體元件3朝側方斜上側所發出之光。 其結果’可進一步提高光之提取效率。 圖8及圖9係表示說明本發明之發光二極體裝置之製造方 法的其他實施形態(將反射樹脂層直接設置於二極體基板 160904.doc •27· 201242113 上之態樣）之製造步驟圖。 於圖2、圖3、圖6及圖7之實施形態中，使用反射樹脂片 材（轉印片材）13將反射樹脂層4轉印至二極體基板2上，亦 可例如圖8及圖9所示，不使用反射樹脂片材（轉印片材 而直接設置於二極體基板2上。 於該方法中，首先，如圖8(a)所示，將發光二極體元件3 5又置於作為基材之·一極體基板2之上表面（厚度方向之一面） 上。 繼而，如圖8(b)所示，將反射樹脂層4設置於二極體基 板2之上表面（厚度方向之一面）上發光二極體元件3之側 方’具體而吕為面方向外方上〇 反射樹脂層4係以於面方向上’於反射樹脂層4與發光二 極體元件3之間形成有側部間隙27之方式而設置。 為將反射樹脂層4設置於二極體基板2之上表面上，可使 用例如經由圖5所示之遮罩20的反射樹脂組合物之塗佈、 例如壓縮成形等方法。 繼而，於該方法中，如圖8(c)之虛線所示，準備作為推 壓構件之推壓板32。 推壓板32形成為與圖所示之設置有凹部3〇及突出部 3 1之第1脫模基材14相同之形狀。 推壓板32由與圖6(b)所示之第丨脫模基材14相同之材料 形成，較佳為由金屬材料形《。若為金屬材才斗，則可於推 壓反射樹脂層4時（參„8⑷之實線）確保確實之推壓。 又亦可對推壓板32之下表面實施公知之脫模處理（表 160904.doc •28· 201242113 面處理）。 如圖8⑷之虛線所示’以凹部3〇與反射樹月旨層4相對向 且突出料與發光二極體元件3相對向之方式，將推麼板 32配置於二極體基板2上。 繼而，於該方法中，如圖8(c)之虛绩 施琛之前碩及實線所 示’藉由推壓板32推壓反射樹脂層4。 具體而f ’藉由使推壓板32朝二極體基板2下降，而使 突出部31密接於發光二極體元件3之上表面，並且凹部％ 將反射樹脂層4朝下方推壓。 藉此，反射樹脂層4密接於發光二極體元件3之各側面。 再者，於反射樹脂層4中，自發光二極體元件3朝上方突 出之上部29形成為對應於推壓板32之凹部3〇之形狀。 繼而，如圖9(d)所示，去除推壓板32(參照圖8(c))。 繼而’如圖9(e)所示’於發光二極體元件3之上表面上， 於鄰接之上部29之間填充螢光體層5。 其後，如圖9(e)之單點虛線所示，藉由沿厚度方向切割 反射樹脂層4及二極體基板2而將發光二極體元件3單個化 (單片化）。 藉此’獲得發光二極體裝置1。 於圖8及圖9之實施形態中，不使用轉印片材（反射樹脂 片材）13而將反射樹脂層4以密接於發光二極體元件3之側 面之方式設置於二極體基板2上，故而可不準備轉印片材 13而相應地簡化製造步驟。 另一方面，於圖2、圖3 '圖6及圖7之實施形態中，使用 160904.doc -29- 201242113 反射樹脂層4形成為特定圖案之反射樹脂片材13作為轉印 片材’故而可將反射樹脂層4以密接於發光二極體元件3之 側面之方式確實且簡便地設置於二極體基板2上。 又’於圖8及圖9之實施形態中，如圖8(a)所示，將本發 月之基材作為一極體基板2進行說明，亦可例如參照圖 8(a)〜圖9(e)之括弧内所示之符號33，使用第2脫模基材33 代替二極體基板2，於其上表面上直接設置發光二極體元 件3。 於該情形時，參照圖8(a)之括弧内之符號33，將發光二 極體元件3設置於第2脫模基材33之上表面上，繼而，參照 圖8(b) ’將反射樹脂層4積層於第2脫模基材33之上表面 上，繼而，參照圖8(c)，將推壓板32對反射樹脂層4朝下方 推壓’藉此使反射樹脂層4與發光二極體元件3之側面密 接。 其後’參照圖9(d) ’去除推壓板32，繼而，參照圖 9(e)，將螢光體層5設置於發光二極體元件3之上表面上。 繼而，如圖9(e)之單點虛線所示，藉由沿厚度方向切割 反射樹脂層4及第2脫模基材33而將發光二極體元件3單個 化（單片化）。 其後，參照圖9(e)之虛線，將第2脫模基材33自反射樹脂 層4及發光二極體元件3剝離，繼而，將側面藉由反射樹脂 層4密接之發光二極體元件3覆晶安裝於參照圖8(幻之二極 體基板2上。 藉此，獲得發光二極體裝置1。 •30· 160904.doc
S 201242113 藉由將基材用作第2脫模基材33之實施形態亦可發揮與 將基材用作二極體基板2之實施形態相同之作用效果。 進而，於將基材用作第2脫模基材33之實施形態中，無 需將發光二極體元件3預先覆晶安裝至二極體基板2上，故 而可藉由反射樹脂層4簡便地密接發光二極體元件3之側 面。 另一方面’於將基材用作二極體基板2之實施形態中， 於藉由反射樹脂層4密接發光二極體元件3之側面後，無需 另外覆晶安裝至二極體基板2上，故而可簡便地製造發光 二極體裝置1。 實施例 以下表示實施例對本發明進行更加具體之說明，但本發 明並不限定於該等。 實施例1 (圖2及圖3之態樣） 首先，準備反射樹脂片材（參照圖2(a))。 即’準備上表面及下表面形成平坦狀，且包含氟樹脂之 厚度為50 μπι之第1脫模基材（參照圖4(a))。 繼而’將包含不鏽鋼之厚度為100 μιη之遮罩配置於第1 脫模基材之上表面（參照圖4(b))。 遮罩係形成為整體包含框部、被覆部及架設部之圖案 (參照圖5)。再者’被覆部為俯視大致矩形狀，最大長度 (L1)為 0.56 mm 〇 繼而’製備反射樹脂組合物，經由遮罩將該反射樹脂組 合物藉由印刷塗佈於第1脫模基材上（參照圖4(c))。 160904.doc •31 · 201242113 反射樹脂組合物係藉由將熱硬化性聚矽氧樹脂丨〇〇質量 份、及球狀且平均粒徑為300 nm之氧化鈦（Ti〇2 :金紅石 之正方晶系）粒子20質量份均勻地混合而製備。 藉此’可以遮罩之相反圆案形成包含反射樹脂組合物之 反射皮膜。 繼而，將遮罩自第1脫模基材去除（參照圖4(c)之虛線之 箭頭）。藉此，藉由架設部之周圍之反射皮膜稍有流動， 而使反射皮膜配置於配置有架設部之區域。藉此，以被覆 部之相反圖案形成反射皮膜。再者，將反射皮膜製成8階 段狀態。 藉此，形成包含第1脫模基材、及含有反射皮膜之反射 樹脂層的反射樹脂片材（轉印片材）。 繼而，將第1脫模基材上下反轉，於該第丨脫模基材之上 表面上設置包含EVA之厚度為0.12 mm之緩衝片材（參照圖 2(b)) 〇 又，另外將含有包含緩衝層（GaN)、N形半導體層 GaN)、發光層（InGaN)及P形半導體層（p_GaN : Mg)之光半 導體層、與包含陽極電極及陰極電極之電極部的厚度為 (M mm、最大長度(L2)為〇·42 _之發光二極體元件；晶 安裝於厚度為i mm之二極體基板之上表面上(參照_ 之下部）。再者，二極體基板具備包含藍寶石之絕緣基 板、及於其上表面上含有包含鋼、鎳及金之端子之導體 層。 繼而，將反射樹脂片材積層於二極體基板上（參照圖叫 160904.doc
S -32· 201242113 及圖3(d))。 具體而f，使反射樹脂層之下表面接觸於二極體基板之 基板側反射區域，並且使露出部接觸於發光二極體元件之 上表面（參照圖2(c))。 繼而，將反射樹脂片材朝下方推壓（參照圖3(d)之箭 頭）。具體而言’藉由加壓機，、經由緩衝片材，以壓力〇3 MPa將反射樹脂片材朝二極體基板推壓。 藉此，第1脫模基材之露出部密接於發光二極體元件之 上表面，並且反射樹脂層密接於發光二極體元件之側面。 又，樹脂凹部形成於反射樹脂層之上表面之中央部。再 者，樹脂凹部之厚度（T2)為90 μηι。 繼而，將第1脫模基材與緩衝片材一併自反射樹脂層及 發光二極體元件去除（參照圖3 (e))。 藉此，將反射樹脂層自第1脫模基材轉印至二極體基板 上。 其後’藉由加熱使反射樹脂層硬化^ 繼而，將螢光體層設置於發光二極體元件之上表面上 (參照圖3(f))。 詳細而言’藉由調配包含丫3八丨5〇12 : Ce之螢光體粒子 (球形狀，平均粒徑為8 μΓη)26質量份、及聚矽氧樹脂（加成 反應型聚矽氧樹脂，動黏度（25〇c )為2〇 mm2/s，Wacker Asahikasei Silicone公司製造）74質量份並均勻攪拌，從而 製備螢光體組合物。 繼而’藉由印刷將製備之螢光體組合物塗佈於發光二極 I60904.doc -33- 201242113 體元件之上表面上而形成螢光體皮膜後，使螢光體皮膜於 100°c下乾燥而形成螢光體層。 其後，沿厚度方向切割反射樹脂層及二極體基板，藉此 製造包含二極體基板、發光二極體元件、反射樹脂層及螢 光體層之發光二極體裝置（參照圖3(f)之單點虛線）。 實施例2 (圖6及圖7之態樣） 於第1脫模基材之上表面上形成凹部及突出部（參照圖 6(a)) ’並且將緩衝片材設置於第1脫模基材之上表面上， 除此以外’與實施例1同樣地進行處理，製造發光二極體 裝置。 即，於反射樹脂片材中，使反射樹脂層形成於第丨脫模 基材之凹部（參照圖6(a))，繼而’將發光二極體元件覆晶 女裝於二極體基板上（參照圖6(b))，繼而，將反射樹脂片 材積層於一極體基板上，繼而，對二極體基板推壓反射樹 脂片材（參照圖6(c))。 藉此，使反射樹脂層之上部形成為對應於凹部之楔狀。 繼而，將第1脫模基材自反射樹脂層及發光二極體元件 剝離（參照圖7(d)) ’其後，於發光二極體元件之上表面 上，於鄰接之上部之間填充螢光體層（參照圖7(e))。 其後，沿厚度方向切割反射樹脂層及二極體基板，藉此 製造發光二極體裝置（圖7(e)之單點虛線）。 實施例3 (圖8及圖9之態樣） 不使用反射樹脂片材（轉印片材）而將反射樹脂層直接設 置於二極體基板上（參照圖8(a))，並且於推壓反射樹脂層 160904.doc -34· 201242113 時使用推壓板（參照圖8(c))，除此以外，與實施例1同樣地 進行處理’獲得發光二極體裝置（參照圖9(e))。 即’首先’將發光二極體元件設置於二極體基板之上表 面上（參照圖8(a))。 繼而，於二極體基板之上表面上，使用遮罩（參照圖 5) ’以於發光二極體元件之面方向外方形成有側部間隙之 方式設置反射樹脂層（參照圖8(b))。 繼而，於該方法中，準備設置有凹部及突出部之包含不 鏽鋼之推壓板（參照圖8(c)之虛線）。 繼而，藉由推壓板來推壓反射樹脂層（參照圖8(c)之虛線 之箭頭及實線）。 藉此，使反射樹脂層密接於發光二極體元件之各側面， 並且於反射樹脂層之上部形成對應於推壓板之凹部之形 狀。 繼而，去除推壓板（參照圖9(d))，其後，於發光二極體 兀件之上表面上，於鄰接之上部之間填充螢光體層（參照 圖 9(e)) 〇 其後’沿#度方向切割反射樹脂層及二極體基板，藉此 將發光二極體元件單片化而獲得發光二極體裝置(參照圖 9(e)之單點虛線）。 再者，上述说明係作為本發明之例示之實施形態而提 供’其僅為例示’不可限定地加以解釋。該技術領域之業 者所b曉之本發明之變形例包含於下述中請專利範圍中。 【圖式簡單說明】 160904.doc -35· 201242113 圖1係表示本發明之發光二極體裝置之一實施形態之平 面圖。 圖2係說明本發明之發光二極體裝置之製造方法之—實 施形態的製造步驟圖， (a) 表示準備反射樹脂片材之步驟， (b) 表示將反射樹脂片材配置於二極體基板上之步驟， (c) 表示使露出部接觸於發光二極體元件之上表面之步 驟。 圖3係繼圖2說明本發明之發光二極體裝置之製造方法之 一實施形態的製造步驟圖， (d) 表示推壓反射樹脂片材之步驟， (e) 表示剝離第1脫模基材之步驟， (f) 表示形成螢光體層之步驟。 圖4係說明圖2(a)之準備反射樹脂片材之步驟之製造步驟 圖， (a) 表示準備第1脫模基材之步驟， (b) 表示將遮罩配置於第1脫模基材上之步驟， (c) 表示將反射樹脂組合物經由遮罩塗佈於第1脫模基材 上，繼而去除遮罩之步驟。 圖5係表示圖4(b)之步驟中所配置之遮罩之平面圖。 圖6係說明本發明之發光二極體裝置之製造方法之另一 實施形態（於第1脫模基材上設置有凹部之態樣）的製造步驟 圖， (a)表示將反射樹脂層設置於第1脫模基材之凹部之步 I60904.doc
S -36· 201242113 驟， (b) 表示將反射樹脂片材配置於二極體基板上之步驟， (c) 表示將反射樹脂片材積層於二極體基板上並推壓之步 驟。 ·' 圖7係繼圖6說明本發明之發光二極體裝置之製造方法之 另一實施形態（於第1脫模基材上設置有凹部之態樣）的製造 步驟圖， (d) 表示剝離第1脫模基材之步驟， (e) 表示形成螢光體層之步驟。 圖8係說明本發明之發光二極體裝置之製造方法之其他 實施形態（將反射樹脂層直接設置於二極體基板上之態樣） 的製造步驟圖， (a) 表示將發光二極體元件設置於二極體基板上之步驟， (b) 表示將反射樹脂層設置於二極體基板上之步驟， (c) 表示藉由推壓板來推壓反射樹脂層之步驟。 圖9係繼圖8說明本發明之發光二極體裝置之製造方法之 其他實施形態（將反射樹脂層直接設置於二極體基板上之 態樣）的製造步驟圖， • (d)表示去除推壓板之步驟， : (e)表示設置螢光體層之步驟。 【主要元件符號說明】 1 發光二極體裝置 2 二極體基板 3 發光二極體元件 160904.doc ^ 201242113 3A 發光二極體元件 3B 發光二極體元件 4 反射樹脂層 5 螢光體層 6 端子 7 光半導體層 8 電極部 9 基板側二極體區域 10 基板側反射區域 11 樹脂凹部 12 下部間隙 13 反射樹脂片材 14 第1脫模基材 15 支持層 16 黏著層 17 框部 18 被覆部 18A 被覆部 18B 被覆部 18C 被覆部 18D 被覆部 19 架設部 20 遮罩 21 脫模基材側二極體區域 -38-
160904.doc 201242113 22 反射皮膜 23 脫模基材側反射區域 25 露出部 26 缓衝片材 27 側部間隙 28 熱板 29 上部 30 凹部 31 突出部 32 推壓板 33 第2脫模基材 L1 被覆部之最大長度 L2 發光二極體元件之最大長度 T1 反射樹脂層之端部之厚度 T2 反射樹脂層之中央部之厚度 160904.doc •39·

Claims (1)

  1. 201242113 七、申請專利範圍： 1.—種反射樹脂片材，其特徵在於：其係用以將反射樹脂 層設置於發光二極體元件之側方者，且包含： 脫模基材、及 設置於上述脫模基材之厚度方向之一面上的上述反射 樹脂層，且 上述反射樹脂層以可與上述發光二極體元件密接之方 式對應於上述發光二極體元件而形成。 2·如請求们之反射樹脂片材’其中於上述脫模基材之上 述厚度方向之-面上，設置有上述反射樹脂層之部分朝 上述厚度方向之另一方凹陷。 3· -種發光二極體裝置之製造方法，其特徵在於包含如下 •藉由將以與發光二極體元件密接之方式對應上述發光 極體兀件而形成之反射樹脂層設置於脫模基材之厚度 方向之一面上而準備反射樹脂片材； 又 二極體基板之厚度方向之 將發光二極體元件設置於 面上；以及 光反:樹脂片材以上述反射樹脂層密接於上述發 4如-长二之側面之方式積層於上述二極體基板上。 …項3之發光二極體裝置之製造 =射樹脂片材積層於上述二極體基板上之二= 广模基材中自上述反射樹脂層露 上述發光二極體元件之厚度方向之一^ Μ接於 I60904.doc 201242113 5·如請求項4之發光二極體裝置之製 述反射樹脂片材之步驟包含如下步驟： ”中準備上 將形成有包含以對應於上述露出部之方式相互隔 &而配置之複數個被覆部與架設各上述被覆部之架 的圖案之遮罩以上述被覆部與上述露出部相對向之;又： 配置於上述脫模基材之上述厚度方向之一方. 式 藉由將用以形成上述反射樹脂層之反射樹脂組合物瘦 由上述遮罩塗佈於上述脫模基材上，而以上述㈣部之 相反圖案形成上述反射樹脂層；以及 去除上述遮罩。 6. 一種發光二極體裝置之製造方法，其特徵在於包含如下 步驟： 將發光二極體元件設置於基材之厚度方向之一面上； 於上述基材之厚度方向之一面上，將反射樹脂層設置 於上述發光二極體元件之側方；以及 藉由使對應於上述反射樹脂層而形成有朝厚度方向之 另一方凹陷之凹部的推壓構件之上述凹部推壓上述反射 樹脂層，而使上述反射樹脂層密接於上述發光二極體元 件之側面。 如請求項6之發光二極體裝置之製造方法，其中設置上 述反射樹脂層之步驟包含如下步驟： 將形成有包含以對應於上述發光二極體元件之方式相 互隔開間隔而配置之複數個被覆部與架設各上述被覆部 之架設部的圖案之遮罩以上述被覆部與上述發光二極體 160904.doc S 201242113 元件相對向之方式配置於上述基材之上述厚度方向之一 方； 藉由將用以形成上述反射樹脂層之反射樹脂組合物經 由上述遮罩塗佈於上述基材上，而以上述被覆部之相反 圖案形成上述反射樹脂層；以及 去除上述遮罩。 8. 一種發光二極體裝置，其特徵在於包含： 二極體基板、 設置於上述二極體基板之厚度方向之-面上的發光二 極體元件、及 密接於上述發光二極體 0 , . 兀件之側面之反射樹脂層。 如Μ未項8之發光二極體裝置，1 + ^ Λ + 置其中上述反射樹脂層形 成為比上述發光二極體元件厚。 10.如請求項8之發光二極體裝 朵一极 其更包含形成於上述發 先一極體元件之上述厚度方 白之—面上之螢光體層。 160904.doc
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10141482B2 (en) 2015-08-03 2018-11-27 Alpad Corporation Semiconductor light emitting device

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5670249B2 (ja) * 2011-04-14 2015-02-18 日東電工株式会社 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置
CN102795005B (zh) * 2012-07-09 2015-12-02 厦门飞德利照明科技有限公司 一种led模组的荧光粉丝网印刷工艺
CN102938442B (zh) * 2012-11-27 2015-06-24 北京半导体照明科技促进中心 Led封装单元及包括其的led封装系统
KR20140075351A (ko) * 2012-12-11 2014-06-19 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지의 제조 방법
DE102012113003A1 (de) * 2012-12-21 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102013202902B4 (de) * 2013-02-22 2021-06-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102013202906A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
CN105378950A (zh) * 2013-04-11 2016-03-02 皇家飞利浦有限公司 顶发射式半导体发光器件
US9660154B2 (en) * 2013-05-20 2017-05-23 Koninklijke Philips N.V. Chip scale light emitting device package with dome
JP5825650B2 (ja) * 2013-06-13 2015-12-02 日東電工株式会社 光半導体リフレクタ用エポキシ樹脂組成物、光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置
JP6248431B2 (ja) * 2013-06-28 2017-12-20 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置の製造方法
KR102123039B1 (ko) * 2013-07-19 2020-06-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
US9673364B2 (en) * 2013-07-19 2017-06-06 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
EP3044809B1 (en) * 2013-09-13 2019-04-24 Lumileds Holding B.V. Frame based package for flip-chip led
JP6252302B2 (ja) * 2014-03-28 2017-12-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6017492B2 (ja) * 2014-04-24 2016-11-02 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、及び樹脂封止電子部品
KR20150129356A (ko) 2014-05-12 2015-11-20 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
JP5944445B2 (ja) 2014-07-18 2016-07-05 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、樹脂封止電子部品、及び突起電極付き板状部材の製造方法
DE102014111106A1 (de) 2014-08-05 2016-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement, Bauelementeanordnung und Verfahren zur Herstellung eines elektronisches Bauelements
US20160190406A1 (en) * 2014-12-24 2016-06-30 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP6762736B2 (ja) * 2015-03-16 2020-09-30 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
DE102015105486A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP3217442B1 (en) * 2015-05-29 2021-03-03 Hongli Zhihui Group Co., Ltd Encapsulation method of csp led and csp led
JP6554914B2 (ja) 2015-06-01 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
JP6623577B2 (ja) * 2015-06-30 2019-12-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6288009B2 (ja) 2015-08-31 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102015114849B4 (de) * 2015-09-04 2022-01-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von Leuchtdiodenfilamenten und Leuchtdiodenfilament
US10840420B2 (en) * 2015-10-30 2020-11-17 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
JP6593237B2 (ja) * 2016-03-22 2019-10-23 豊田合成株式会社 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法
JP2017208421A (ja) * 2016-05-17 2017-11-24 ローム株式会社 半導体装置
JP6809203B2 (ja) 2016-12-20 2021-01-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
WO2018116814A1 (ja) * 2016-12-22 2018-06-28 シャープ株式会社 表示装置および製造方法
JP6862819B2 (ja) * 2016-12-22 2021-04-21 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR101847100B1 (ko) * 2017-01-02 2018-04-09 박승환 Uv 임프린팅 기술을 이용한 투명 발광장치 제조 방법 및 그에 따라 제조되는 투명 발광장치
KR102425807B1 (ko) * 2017-09-25 2022-07-28 엘지전자 주식회사 디스플레이 디바이스
JP2019071352A (ja) * 2017-10-10 2019-05-09 シチズン電子株式会社 照明装置とその製造方法
KR20190060350A (ko) * 2017-11-24 2019-06-03 주식회사 루멘스 엘이디 패키지 및 그 제조방법
CN108258006B (zh) * 2017-12-21 2021-04-06 厦门市三安光电科技有限公司 微发光元件
JP6521119B2 (ja) * 2018-02-19 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102555234B1 (ko) * 2018-04-27 2023-07-14 주식회사 루멘스 플렉시블 엘이디 조명 장치
CN110546751A (zh) * 2018-06-11 2019-12-06 厦门三安光电有限公司 发光组件
TWI660524B (zh) * 2018-07-17 2019-05-21 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
US11664363B2 (en) * 2018-10-17 2023-05-30 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR102453053B1 (ko) 2018-11-02 2022-10-11 주식회사 엘지에너지솔루션 이차전지 내부 단락 평가 방법
JP6978708B2 (ja) * 2018-11-05 2021-12-08 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP6743866B2 (ja) * 2018-11-05 2020-08-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP6849139B1 (ja) * 2019-08-02 2021-03-24 日亜化学工業株式会社 発光装置および面発光光源
JP6885494B1 (ja) * 2019-09-27 2021-06-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102021132004A1 (de) * 2021-12-06 2023-06-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtstoff, leuchtstoffmischung, verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs und strahlungsemittierendes bauelement

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005179496A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Nitto Denko Corp 加熱剥離型粘着シート
JP2005191420A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
DE102005030128B4 (de) 2004-06-28 2011-02-03 Kyocera Corp. Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
JP2006117919A (ja) * 2004-09-24 2006-05-11 Nagase & Co Ltd 半導体封止用３次元シート状接着体
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
US9944031B2 (en) 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
US8330176B2 (en) 2007-02-13 2012-12-11 3M Innovative Properties Company LED devices having lenses and methods of making same
RU2489774C2 (ru) * 2007-11-29 2013-08-10 Нития Корпорейшн Светоизлучающее устройство и способ его изготовления
CN104650020B (zh) * 2008-01-09 2017-11-17 日立化成株式会社 多元羧酸缩合体及其制造方法、环氧树脂用固化剂及其制造方法以及聚酰胺树脂、聚酯树脂
JP5078644B2 (ja) * 2008-02-06 2012-11-21 日東電工株式会社 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
JP5388167B2 (ja) * 2008-09-08 2014-01-15 日東電工株式会社 光半導体素子封止用シート及びそれを用いてなる光半導体装置
JP5440010B2 (ja) * 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP5190993B2 (ja) * 2008-11-20 2013-04-24 日東電工株式会社 光半導体封止用シート
JP4808244B2 (ja) * 2008-12-09 2011-11-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP5366587B2 (ja) * 2009-02-20 2013-12-11 日東電工株式会社 光半導体封止用加工シート
JP5689225B2 (ja) * 2009-03-31 2015-03-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5482378B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI416767B (zh) * 2009-06-03 2013-11-21 Kwo Ger Metal Technology Inc LED luminous module process method
JP5701523B2 (ja) 2010-06-22 2015-04-15 日東電工株式会社 半導体発光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10141482B2 (en) 2015-08-03 2018-11-27 Alpad Corporation Semiconductor light emitting device
TWI663751B (zh) * 2015-08-03 2019-06-21 日商阿爾發得股份有限公司 Semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
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US9450160B2 (en) 2016-09-20
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CN102738362A (zh) 2012-10-17
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US20150357536A1 (en) 2015-12-10

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