KR20140075351A - 발광 다이오드 패키지의 제조 방법 - Google Patents

발광 다이오드 패키지의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140075351A
KR20140075351A KR1020120143601A KR20120143601A KR20140075351A KR 20140075351 A KR20140075351 A KR 20140075351A KR 1020120143601 A KR1020120143601 A KR 1020120143601A KR 20120143601 A KR20120143601 A KR 20120143601A KR 20140075351 A KR20140075351 A KR 20140075351A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
substrate
light reflection
light
Prior art date
Application number
KR1020120143601A
Other languages
English (en)
Inventor
용감한
감동혁
이상현
홍진기
황성덕
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020120143601A priority Critical patent/KR20140075351A/ko
Publication of KR20140075351A publication Critical patent/KR20140075351A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광 다이오드 패키지의 제조 방법은 마운트 기판 상에 서로 떨어져 있는 복수개의 발광 다이오드 칩들을 부착하는 단계와, 기판 레벨로 상기 발광 다이오드 칩들과 이격하여 양측에 위치하는 광반사 패턴들을 형성하는 단계와, 상기 발광 다이오드 칩들 및 광반사 패턴들 상에 형광체층을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

발광 다이오드 패키지의 제조 방법{Manufacturing method of Light Emitting diode package}
본 발명의 기술적 사상은 발광 다이오드 패키지의 제조방법에 관한 것으로, 특히 보다 상세하게는 균일한 광을 외부로 방출할 수 있는 발광 다이오드 패키지의 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드는 화합물 반도체로 이루어진 활성층에 주입된 전자와 정공들이 결합하여 광을 방출한다. 발광 다이오드는 마운트 기판에 탑재하여 발광 다이오드 패키지로 만들어 사용한다. 그런데, 발광 다이오드에서 방출되는 광은 발광 다이오드 패키지의 구조로 인하여 균일하게 외부로 방출되지 않을 수 있다. 이에 따라, 균일한 광을 외부로 방출할 수 있는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법의 다양한 기술이 필요하다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 균일한 광을 외부로 방출할 수 있는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 기술적 사상의 일 예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은 마운트 기판 상에 서로 떨어져 있는 복수개의 발광 다이오드 칩들을 부착하는 단계와, 기판 레벨로 상기 발광 다이오드 칩들과 이격하여 양측에 위치하는 광반사 패턴들을 형성하는 단계와, 상기 발광 다이오드 칩들 및 광반사 패턴들 상에 형광체층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 기판 레벨로 상기 광반사 패턴들을 형성하는 단계는, 지지 기판 상에 상기 발광 다이오드 칩들에 대응하여 배치되는 복수개의 광반사 패턴들을 형성하는 단계와, 기판 레벨에서 상기 발광 다이오드 칩들과 떨어져 상기 광반사 패턴들이 양측에 위치하도록 상기 마운트 기판 상에 상기 지지 기판을 탑재하는 단계와, 상기 지지 기판을 분리 및 제거하여 상기 마운트 기판 상에 상기 광반사 패턴들을 남기는 단계를 포함할 수 있다.
상기 지지 기판 상에 광반사 패턴들을 형성하는 단계는, 상기 지지 기판 상에 광반사층을 형성하는 단계와, 상기 광반사층이 형성된 지지 기판을 큐어링하는 단계와, 상기 큐어링된 광반사층을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 지지 기판의 분리는 상기 지지 기판에 광을 조사하여 수행할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 광반사 패턴들은 상기 발광 다이오드 칩들의 높이보다 높거나 낮게 형성할 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩들은 상기 마운트 기판 상에 플립칩 방법으로 부착할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 있어서, 상기 마운트 기판에 복수개의 비아홀들을 형성하고, 상기 광반사 패턴들은 상기 비아홀들 상에 형성할 수 있다. 상기 형광체층은 스프레이 도포 방식, 필름 부착 방식, 디스펜스 방식 또는 스크린 프린팅 방식을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 형광체층을 형성할 때, 상기 마운트 기판 상에도 형광체층을 더 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 기술적 사상의 일 예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은 마운트 기판 상에 플립칩 방식으로 서로 떨어져 있는 복수개의 발광 다이오드 칩들을 부착하는 단계와, 지지 기판 상에 상기 발광 다이오드 칩들에 대응하여 배치되는 복수개의 광반사 패턴들을 형성하는 단계와, 기판 레벨에서 상기 발광 다이오드 칩들과 이격하여 양측에 상기 광반사 패턴들이 위치하도록 상기 마운트 기판 상에 상기 지지 기판을 탑재하는 단계와, 상기 지지 기판을 분리 및 제거하여 상기 마운트 기판 상에 상기 광반사 패턴들을 남기는 단계와, 상기 발광 다이오드 칩들 및 광반사 패턴들 상에 형광체층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은 마운트 기판 상에 서로 떨어져 있는 복수개의 발광 다이오드 칩들을 부착하고, 기판 레벨로 발광 다이오드 칩들과 이격하여 양측에 위치하는 광반사 패턴들을 형성하는 것을 포함한다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩들에서 출사하는 광이 광반사 패턴들에서 반사되어 외부로 균일한 광을 방출시킬 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의해 제조된 발광 다이오드 패키지에서, 발광 다이오드 칩이 청색 발광 다이오드 칩일 경우, 청색 발광 다이오드 칩에서 출사되는 청색광이 광반사 패턴들에서 반사되어 형광체층을 통하여 백색광을 방출시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은 마운트 기판에 형성된 비아홀 상에 광반사 패턴을 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은 렌즈 몰딩시 렌즈 몰딩용 수지가 비아홀로 새는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이고,
도 2, 4 및 6은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 일단면도들이고,
도 3 및 5는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이고,
도 7은 도 1의 기판 레벨로 광반사 패턴들을 마운트 기판 상에 형성하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이고,
도 8 및 도 9는 도 1의 기판 레벨로 광반사 패턴들을 마운트 기판 상에 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이고,
도 10은 도 7의 광반사 패턴의 형성방법을 설명하기 위한 흐름도이고,
도 11 및 도 12는 도 7의 광반사 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이고,
도 13은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이고,
도 14는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 형태의 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것으로, 아래의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하며 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 영역, 층들, 부위 및/또는 구성 요소들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들, 부위 및/또는 구성 요소들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 특정 순서나 상하, 또는 우열을 의미하지 않으며, 하나의 부재, 영역, 부위, 또는 구성 요소를 다른 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소와 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소는 본 발명의 교시로부터 벗어나지 않고서도 제2 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 지닌다. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.
첨부 도면에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상의 실시예들은 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조 과정에서 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 이하 실시예들은 어느 하나의 형태로 구현될 수도 있고, 실시예들의 내용을 조합하여 구성할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 2, 4 및 6은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 일단면도들이고, 도 3 및 5는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 1, 2 및 3을 참조하면, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 마운트 기판(100) 상에 복수개의 발광 다이오드 칩들(102)을 부착한다(S100 스텝). 마운트 기판(100)은 실리콘(Silicon), 알루미늄 산화물(Al2O3), 또는 알루미늄 질화물(AlN)로 형성될 수 있다. 마운트 기판(100)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 마운트 기판(100)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.
발광 다이오드 칩(102)은 하면에 전극 패드(104, 106)가 형성될 수 있다. 발광 다이오드 칩(102)은 수직형(Vertical Type)일 수 있다. 전극 패드(104, 106)는 양극 패드 및 음극 패드일 수 있다. 발광 다이오드 칩들(102)은 마운트 기판(100)에 플립칩(flip chip) 방법으로 부착될 수 있다. 즉, 발광 다이오드 칩(102)의 하면에 전극 패드(104, 106)가 위치하고, 전극 패드(104, 106)가 마운트 기판(100) 상에 탑재된다. 도 2의 마운트 기판(100) 상에는 발광 다이오드 칩(102)의 전극 패드(104, 106)에 전압 및 전류를 공급할 수 있는 배선 및 전극 단자가 형성될 수 있으나, 편의상 도 2에서는 도시하지 않는다.
발광 다이오드 칩(102)은 청색의 광을 발광하는 청색 발광 다이오드 칩일 수 있다. 물론, 발광 다이오드 칩(102)은 다른 색, 예컨대 적색, 황색 또는 녹색의 광을 발광하는 발광 다이오드 칩일 수도 있다.
도 3의 일예로 도시한 바와 같이 마운트 기판(100) 상에 다양한 형태로 발광 다이오드 칩들(102)이 배열될 수 있다. 도 3의 발광 다이오드 칩들(102)의 배열 상태는 예시적인 것이며, 설명의 편의상 확대하여 도시한 것이다. 또한, 도 3의 마운트 기판(100)은 원형 형태로 도시하였으나, 플랫존을 갖는 웨이퍼 형태일 수도 있고, 다각형, 예컨대 사각형 형태일 수도 있다.
도 1, 도 4 및 도 5를 참조하면, 기판 레벨로 발광 다이오드 칩들(102)의 양측에 광반사 패턴들(206)을 형성한다(S200 스텝). 발광 다이오드 칩들(102)의 양측에는 거리(d)만큼 이격시켜 광반사 패턴들(206)을 형성한다. 광반사 패턴들(206)의 높이(h)는 발광 다이오드 칩들(102)의 높이보다 높거나 낮을 수 있다. 광반사 패턴들(206)은 산화 티타늄(TiO2), 산화 알루미늄(Al2O3) 또는 은(Ag)으로 형성할 수 있다. 바람직하게는, 광반사 패턴들(206)은 산화 티타늄(TiO2)으로 형성할 수 있다.
광반사 패턴들(206)은 도 5에 도시한 바와 같이 기판 레벨로 발광 다이오드 칩들(102)의 양측에 형성한다. 기판 레벨은 웨이퍼 레벨을 의미할 수 있다. 도 5의 광반사 패턴들(206)은 발광 다이오드 칩들(102)의 배열 상태에 연동되어 형성될 수 있다. 다시 말해, 광반사 패턴들(206)은 발광 다이오드 칩들(102)의 배열 상태가 변경되면 이에 따라 변경될 수 있다.
또한, 도 3의 마운트 기판(100)의 모양에 따라 광반사 패턴들(206)을 전사시킬 수 있는 지지 기판의 모양은 다양하게 변경될 수 있다. 기판 레벨로 발광 다이오드 칩들(102)의 양측에 광반사 패턴들(206)의 형성 방법은 후에 보다 자세히 설명한다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 발광 다이오드 칩들(102) 및 광반사 패턴들(206) 상에 형광체층(300)을 형성한다(S300 스텝). 형광체층(300)은 실리콘 수지나 에폭시 수지와 같은 투광성 수지에 형광체를 분산시켜 형성할 수 있다.
발광 다이오드 칩(102)이 청색 발광 다이오드 칩일 경우, 투광성 수지에 포함된 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
투광성 수지에 황색 계열의 형광체만을 포함되도록 하여 자연광(백색광)을 구현할 수 있지만, 연색지수의 향상과 색온도의 저감을 위해 녹색 계열의 형광체나 적색 계열을 형광체를 더 포함할 수 있다. 또한, 투광성 수지에 여러 종류의 형광체들이 혼합된 경우, 형광체의 색상에 따른 첨가 비율은 적색 계열의 형광체보다는 녹색 계열의 형광체를, 녹색 계열의 형광체보다는 황색 계열의 형광체를 더 많이 사용할 수 있다.
황색 계열의 형광체로는 가넷계의 YAG, 실리케이트계, 옥시나이트라이드계를 사용하고, 녹색 계열의 형광체로는 실리케이트계, 옥시나이트라이드계를 사용하고, 적색 계열의 형광체는 나이트라이드계를 사용할 수 있다. 투광성 수지에 여러 종류의 형광체들이 혼합된 것 이외에도, 적색 계열의 형광체를 갖는 층, 녹색 계열의 형광체를 갖는 층 및 황색 계열의 형광체를 갖는 층이 각각 별개로 나뉘어 구성될 수 있다.
형광체층(300)은 스프레이 도포 방식, 필름 부착 방식, 디스펜스 방식 또는 스크린 프린팅 방식을 이용하여 형성될 수 있다. 형광체층(300)은 발광 다이오드 칩들(102)의 상부 및 발광 다이오드 칩들(102)의 양측에 위치하는 광반사 패턴들(206)의 일부 상에 지지되어 형성될 수 있다.
이와 같이 구성될 경우, 발광 다이오드 칩들(102)에서 출사하는 광이 양측에 위치하는 광반사 패턴들(206)에서 반사되어 외부로 균일한 광을 방출시킬 수 있다. 또한, 발광 다이오드 칩(102)이 청색 발광 다이오드 칩일 경우, 청색 발광 다이오드 칩(102)에서 출사되는 청색광이 광반사 패턴들(206)에서 반사되어 형광체층(300)을 통하여 백색광을 방출시킬 수 있다.
계속하여, 발광 다이오드 칩들(102), 광반사 패턴들(206) 및 형광체층(300)이 형성된 마운트 기판 상에 렌즈 몰드층(미도시), 예컨대 수지층을 더 형성하여 발광 다이오드 패키지를 완성할 수 있다.
도 7은 도 1의 기판 레벨로 광반사 패턴들을 마운트 기판 상에 형성하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 8 및 도 9는 도 1의 기판 레벨로 광반사 패턴들을 마운트 기판 상에 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이고, 도 10은 도 7의 광반사 패턴의 형성방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 11 및 도 12는 도 7의 광반사 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7, 도 10, 도 11 및 도 12를 참조하면, 기판 레벨로 광반사 패턴들(206)을 마운트 기판(100) 상에 형성하는 방법은 도 7과 같이 진행하여 형성될 수 있다. 도 7 및 도 12에 도시한 바와 같이 지지 기판(200) 상에 광반사 패턴들(206)을 형성한다(S200a 스텝). 여기서, 광반사 패턴들(206)의 형성 방법을 설명한다.
도 10 및 도 11에 도시한 바와 같이, 지지 기판(200) 상에 광반사층(202)을 형성한다(S200a-1 스텝). 지지 기판(200)은 필름 형태의 기판일 수 있다. 광반사층(202)은 산화 티타늄(TiO2), 산화 알루미늄(Al2O3) 또는 은(Ag)으로 형성한다. 바람직하게는, 광반사층(202)은 산화 티타늄(TiO2)으로 형성한다. 광반사층(202)의 배치는 마운트 기판(100)에 형성된 발광 다이오드 칩들(102)의 배치에 대응하여 형성될 수 있다.
광반사층(202)이 형성된 지지 기판(200)을 큐어링(curing)할 수 있다(S200a-2 스텝). 큐어링 공정은 광반사층(202)을 경화시켜 광반사층(202)이 지지 기판(200)에 안정적으로 형성하기 위함이다. 계속하여, 도 10 및 도 12에 도시한 바와 같이, 큐어링된 광반사층(202)을 패터닝하여 광반사층 패턴들(206)을 형성한다(S200a-3 스텝). 광반사 패턴들(206)은 앞서 설명한 바와 같이 마운트 기판(100) 상에 부착된 발광 다이오드 칩들(102)에 대응하여 배치될 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 기판 레벨에서 마운트 기판(100) 상에 광반사 패턴들(206)이 형성된 지지 기판(200)을 탑재한다(S200b 스텝). 기판 레벨에서 발광 다이오드 칩들(102)과 떨어져 광반사 패턴들(206)이 양측에 위치하도록 마운트 기판(100) 상에 지지 기판(200)을 탑재한다.
도 7 및 도 9를 참조하면, 지지 기판(200)을 분리 및 제거하여 마운트 기판(100) 상에 광반사 패턴들(206)을 남긴다(S200c 스텝). 지지 기판(200)에 광(208), 예컨대 자외선을 조사하여 광반사 패턴들(206)과 지지 기판(200)을 분리한다. 이렇게 되면, 마운트 기판(100) 상에 광반사 패턴들(206)이 남게 된다.
도 13은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
구체적으로, 도 13에 도시한 발광 다이오드 패키지는 마운트 기판(100)에 복수개의 비아홀들(500)을 형성하는 것을 제외하고는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 의해 형성될 수 있다.
비아홀들(500)의 내벽에는 발광 다이오드 칩의 전극 패드(104, 106)와 전기적으로 연결되는 배선(미도시)이 형성될 수 있고, 마운트 기판(100)의 하면에는 배선과 연결되는 전극 단자가 형성될 수 있으나, 편의상 도 2에서는 도시하지 않는다. 비아홀들(500) 상에는 앞서 설명한 바와 동일한 방법으로 광반사 패턴들(206)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 렌즈 몰딩시 렌즈 몰딩용 수지가 비아홀로 새는 것을 방지할 수 있다.
도 14는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
구체적으로, 도 14에 도시한 발광 다이오드 패키지는 형광체층(300-1)이 마운트 기판(100) 상에 더 형성하는 것을 제외하고는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 의해 형성될 수 있다.
광반사 패턴들(206)을 형성한 후, 발광 다이오드 칩들(102), 광반사 패턴들(206) 및 마운트 기판(100) 상에 형광체층(3001-1)을 형성할 수 있다. 형광체층(300-1)은 도 14에 도시한 바와 같이 스프레이 도포나 디스펜스 장치(402)를 이용하여 형광체(404)를 마운트 기판(100)으로 투하하여 형성할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예들을 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
100: 마운트 기판, 102: 발광 다이오드 칩, 104, 106: 전극 패드, 200: 지지 기판, 202: 광반사층, 206: 광반사 패턴, 300, 300-1: 형광체층

Claims (10)

  1. 마운트 기판 상에 서로 떨어져 있는 복수개의 발광 다이오드 칩들을 부착하는 단계;
    기판 레벨로 상기 발광 다이오드 칩들과 이격하여 양측에 위치하는 광반사 패턴들을 형성하는 단계; 및
    상기 발광 다이오드 칩들 및 광반사 패턴들 상에 형광체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 레벨로 상기 광반사 패턴들을 형성하는 단계는,
    지지 기판 상에 상기 발광 다이오드 칩들에 대응하여 배치되는 복수개의 광반사 패턴들을 형성하는 단계;
    기판 레벨에서 상기 발광 다이오드 칩들과 떨어져 상기 광반사 패턴들이 양측에 위치하도록 상기 마운트 기판 상에 상기 지지 기판을 탑재하는 단계; 및
    상기 지지 기판을 분리 및 제거하여 상기 마운트 기판 상에 상기 광반사 패턴들을 남기는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 지지 기판 상에 광반사 패턴들을 형성하는 단계는,
    상기 지지 기판 상에 광반사층을 형성하는 단계와,
    상기 광반사층이 형성된 지지 기판을 큐어링하는 단계와,
    상기 큐어링된 광반사층을 패터닝하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 지지 기판의 분리는 상기 지지 기판에 광을 조사하여 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광반사 패턴들은 상기 발광 다이오드 칩들의 높이보다 높거나 낮게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩들은 상기 마운트 기판 상에 플립칩 방법으로 부착하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 마운트 기판에 복수개의 비아홀들을 형성하고, 상기 광반사 패턴들은 상기 비아홀들 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 형광체층은 스프레이 도포 방식, 필름 부착 방식, 디스펜스 방식 또는 스크린 프린팅 방식을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 형광체층을 형성할 때, 상기 마운트 기판 상에도 형광체층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  10. 마운트 기판 상에 플립칩 방식으로 서로 떨어져 있는 복수개의 발광 다이오드 칩들을 부착하는 단계;
    지지 기판 상에 상기 발광 다이오드 칩들에 대응하여 배치되는 복수개의 광반사 패턴들을 형성하는 단계;
    기판 레벨에서 상기 발광 다이오드 칩들과 이격하여 양측에 상기 광반사 패턴들이 위치하도록 상기 마운트 기판 상에 상기 지지 기판을 탑재하는 단계;
    상기 지지 기판을 분리 및 제거하여 상기 마운트 기판 상에 상기 광반사 패턴들을 남기는 단계; 및
    상기 발광 다이오드 칩들 및 광반사 패턴들 상에 형광체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
KR1020120143601A 2012-12-11 2012-12-11 발광 다이오드 패키지의 제조 방법 KR20140075351A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120143601A KR20140075351A (ko) 2012-12-11 2012-12-11 발광 다이오드 패키지의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120143601A KR20140075351A (ko) 2012-12-11 2012-12-11 발광 다이오드 패키지의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140075351A true KR20140075351A (ko) 2014-06-19

Family

ID=51128096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120143601A KR20140075351A (ko) 2012-12-11 2012-12-11 발광 다이오드 패키지의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140075351A (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012222319A (ja) * 2011-04-14 2012-11-12 Nitto Denko Corp 蛍光反射シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
JP2012222315A (ja) * 2011-04-14 2012-11-12 Nitto Denko Corp 反射樹脂シート、発光ダイオード装置およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012222319A (ja) * 2011-04-14 2012-11-12 Nitto Denko Corp 蛍光反射シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
JP2012222315A (ja) * 2011-04-14 2012-11-12 Nitto Denko Corp 反射樹脂シート、発光ダイオード装置およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2899762B1 (en) Light emitting device package
US8297793B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
US7621654B2 (en) LED mounting module, LED module, manufacturing method of LED mounting module, and manufacturing method of LED module
KR101443870B1 (ko) 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
US9147814B2 (en) Semiconductor light-emitting device and manufacturing method
US20100025722A1 (en) Light emitting device, its manufacturing method and its mounted substrate
US8860047B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US9391246B2 (en) LED mixing chamber with reflective walls formed in slots
JP2011091257A (ja) Ｌｅｄ光源装置の製造方法
KR100583162B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
US20130234184A1 (en) Light emitting diode package and method of manufacturing the same
US10789446B2 (en) Device for fingerprint recognition, manufacturing method therefor, and electronic apparatus
US10964866B2 (en) LED device, system, and method with adaptive patterns
KR20140075351A (ko) 발광 다이오드 패키지의 제조 방법
TWI811723B (zh) 發光元件封裝結構及其製造方法
KR20090073602A (ko) 발광 소자
WO2013027413A1 (ja) 保護素子及びこれを用いた発光装置
JP5886105B2 (ja) 発光ダイオード発光装置の製造方法
KR101646256B1 (ko) 발광장치
KR20120114041A (ko) 글래스 커버를 갖는 ｌｅｄ 패키지 제조 방법
KR20070095664A (ko) 엘이디 패키지
CN103733335B (zh) 具有形成在槽中的反射壁的led混合室
TWM620505U (zh) 發光元件封裝結構
KR20120114043A (ko) 글래스 커버를 갖는 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application