JP2001177160A - 表面実装型発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
容部内にてリードフレームの内端部上のLEDチップを
被覆する被覆部材がリフロー処理によるリードフレーム
のはんだ付けの際に熱膨張しても、リードフレームの内
端部を動かないように保持する。 【解決手段】 ケーシング10の隔壁17は、隔壁部1
7aと、保持部17bとにより構成されている。保持部
17bは、隔壁部17aの上端にこの隔壁部17aと共
に断面T字状となるように形成されており、この保持部
17bは、その幅方向一側部分にて、リードフレーム2
0の内端部21の先端部分を収容部12の底面12bと
の間に挟持し、その幅方向他側部分にて、リードフレー
ム30の内端部31の先端部分を収容部12の底面12
bとの間に挟持する。
Description
イオードに関するものである。
は、図9及び図10にて示すような構成を有するものが
ある。この発光ダイオード(以下、LEDという)は、
電気絶縁樹脂(例えば、白色系のガラス入りエポキシ樹
脂や高耐熱性ポリマー)からなる直方体形状のケーシン
グ10を備えており、このケーシング10の上壁11に
は、収容部12が凹状に形成されている。この収容部1
2は、その開口部12aにてケーシング10の上壁11
から外方に開口しており、この収容部12の底面12b
は、上壁11に並行となっている。また、収容部12の
内周面12cは、光反射効率を高めるため、開口部12
aから底面12bにかけて末すぼまり状に傾斜してい
る。
板状リードフレーム20、30を備えており、これら両
リードフレーム20、30は、図10にて示すような構
成となるように、ケーシング10にインサート成形され
ている。なお、上記金属材料に代えて、導電性弾性材料
(例えば、導電性バネ材料)により両リードフレーム2
0、30を形成してもよい。
カソードを構成するもので、このリードフレーム20
は、ケーシング10内にその一側側壁13から収容部1
2の底面12bに沿うように挿入されている。このリー
ドフレーム20の内端部21は、収容部12内にその底
面12bに沿って延出しており、この内端部21は、リ
ードフレーム20のうち当該内端部21以外の部分より
も幅狭に形成されて、収容部12の底面12bの中央に
位置している。
ノードを構成するもので、このリードフレーム30は、
ケーシング10内にその他側側壁15から収容部12の
底面12bに沿うように挿入されている。このリードフ
レーム30の内端部31は、収容部12内にその底面1
2bに沿って延出しリードフレーム20の内端部21に
ケーシング10の隔壁16を介し対向しており、当該内
端部31は、図9にて示すごとく、リードフレーム20
の内端部21を囲うようにコ字状に形成されている。ま
た、隔壁16は、ケーシング10の収容部12の底面1
2bから両内端部21、31の間に突出形成されてお
り、この隔壁16は、両リードフレーム20、30の各
内端部21、31を相互に電気絶縁する役割を果たす。
ング10の一側側壁13から外方へ延出する部分(以
下、脚部22という)にて、当該一側側壁13からケー
シング10の低壁14の図10にて図示左端部にかけて
屈曲形成されており、このリードフレーム20は、その
外端部22a(脚部22の先端部)にて、プリント基板
等の配線板Pの配線部にはんだ付け22bされている。
一方、リードフレーム30は、そのケーシング10の他
側側壁15から外方へ延出する部分(以下、脚部32と
いう)にて、当該他側側壁15からケーシング10の低
壁14の図10にて図示右端部にかけて屈曲形成されて
おり、このリードフレーム30は、その外端部32a
(脚部32の先端部)にて、配線板Pの他の配線部には
んだ付け32bされている。これにより、当該LEDは
配線板Pに表面実装されている。
備えており、このLEDチップ40は、収容部12内に
収容されて、銀ペースト層50によりリードフレーム2
0の内端部21の表面に接着されている。当該LEDチ
ップ40は、PN接合を形成する化合物半導体のチップ
を有しており、このLEDチップ40は、そのPN接合
に順方向に電流を流すことで、収容部12の開口面側に
向け発光する。なお、銀ペースト層50は、LEDチッ
プ40の負極をリードフレーム20の内端部21に電気
的に接続する役割を果たす。また、LEDチップ40
は、その正極にて、金線41によりリードフレーム30
の内端部31に電気的に接続されている。
が、ポッティング樹脂(例えば、透明のエポキシ樹脂)
の充填でもって形成されており、この被覆部材60は、
LEDチップ40、金線41及び両リードフレーム2
0、30の各内端部21、31を被覆する。ここで、被
覆部材60を形成するポッティング樹脂の線膨張係数は
ケーシング10を形成する材料の線膨張係数よりも大き
い。なお、被覆部材60はその表面からLEDチップ4
0の光を出射する。
において、両リードフレーム20、30の配線板Pに対
するはんだ付けは、通常、リフロー処理でなされる。こ
のリフロー処理は、高温(約250(℃))の雰囲気内
で行われる。このため、ケーシング10や被覆部材60
は外方へ熱膨張しようとする。ここで、上述のように、
被覆部材60はケーシング10よりも大きな線膨張係数
を有するため、この被覆部材60は、その熱膨張により
ケーシング10をその収容部12を介し押し広げようと
する。
面12cは、底面12bから開口部12aにかけて末広
がり状に傾斜しているため、被覆部材60の熱膨張は収
容部12の開口部12a側へ逃げるように作用する。こ
れに伴い、被覆部材60は開口部12a側へ熱膨張す
る。従って、リードフレーム20の内端部21が、図1
0にて二点鎖線により示すごとく、当該内端部21に弾
性力に抗して被覆部材60によりその熱膨張方向にLE
Dチップ40と共に引っ張られて収容部12の底面12
bから浮き上がる。
は、被覆部材60との密着性がよくないため、その弾性
力により原位置に戻ろうとするが、被覆部材60により
囲まれているLEDチップ40は、被覆部材60との密
着性がよいため、当該被覆部材60により引っ張られた
状態を維持しようとする。その結果、LEDチップ40
をリードフレーム20の内端部21に接着している銀ペ
ースト層50において剥離が発生し、LEDチップ40
とリードフレーム20との間の電気的接続が不良となり
或いは遮断されてしまうという不具合が生ずる。
処するため、表面実装型LEDにおいて、ケーシングの
収容部内にてリードフレームの内端部上のLEDチップ
を被覆する被覆部材がリフロー処理によるリードフレー
ムのはんだ付けの際に熱膨張しても、リードフレームの
内端部を動かないように保持することを目的とする。
め、請求項1に記載の発明に係る表面実装型発光ダイオ
ードは、上壁(11)にて外方へ開口するように収容部
(12)を凹状に形成してなる電気絶縁樹脂製ケーシン
グ(10)と、このケーシングにその周壁の一側部(1
3)から挿入されて収容部内にその底面(12b)に沿
い内端部(21)を延出してなる金属材料からなる一側
リードフレーム(20)と、ケーシングにその周壁の他
側部(15)から挿入されて収容部内にその底面に沿い
一側リードフレームの内端部に対向するように延出する
内端部(31)を有してなる金属材料からなる他側リー
ドフレーム(30)と、収容部内に収容されて両リード
フレームの一方(20)の内端部上に導電性接着層(5
0)を介し装着したLEDチップ(40)とを備える。
も対向する開口部(12a)をケーシングの上壁にて有
するように形成されており、収容部内には、ケーシング
よりも熱膨張係数の大きい透光樹脂製被覆部材(60)
がLEDチップを被覆するように設けられている。
おいて、ケーシングは、被覆部材が熱膨張してもこの被
覆部材側へは浮き上がり不能に一方のリードフレームの
内端部を保持する保持部(17b、18a、18b、1
9b、17d)を備える。
方のリードフレームの内端部上のLEDチップを被覆す
る被覆部材がリフロー処理によるリードフレームのはん
だ付けの際にケーシングよりも大きく熱膨張しても、リ
ードフレームの内端部を動かないように保持する。従っ
て、導電性接着層において剥離が生ずることがなく、L
EDチップと一方のリードフレームとの間の導電性接着
層を介する電気的接続は良好に確保される。
装型発光ダイオードは、上壁(11)にて外方へ開口す
るように収容部(12)を凹状に形成してなる電気絶縁
樹脂製ケーシング(10)と、このケーシングにその周
壁の一側部(13)から挿入されて収容部内にその底面
(12b)に沿い内端部(21)を延出してなる金属材
料からなる一側リードフレーム(20)と、ケーシング
にその周壁の他側部(15)から挿入されて収容部内に
その底面に沿い一側リードフレームの内端部に対向する
ように延出する内端部(31)を有してなる金属材料か
らなる他側リードフレーム(30)と、収容部内に収容
されて両リードフレームの一方(20)の内端部上に銀
ペースト層(50)を介し装着したLEDチップ(4
0)とを備える。
ンサート成形されており、収容部の内周面(12c)
は、当該収容部の底面からケーシングの上壁にかけて末
広がり状に形成されている。また、収容部内には、ケー
シングよりも熱膨張係数の大きい透光樹脂製被覆部材
(60)がLEDチップを被覆するように設けられてい
る。
ケーシングは、被覆部材が熱膨張してもこの被覆部材側
へは浮き上がり不能に一方のリードフレームの内端部を
保持する保持部(17b、18a、18b、19b、1
7d)を備える。
方のリードフレームの内端部上のLEDチップを被覆す
る被覆部材がリフロー処理によるリードフレームのはん
だ付けの際に、被覆部材はケーシングよりも大きく熱膨
張する。ここで、収容部の内周面は、当該収容部の底面
からケーシングの上壁にかけて末広がり状に形成されて
いるため、被覆部材は収容部の開口部に向けて熱膨張す
る。
は被覆部材側へは浮き上がり不能に一方のリードフレー
ムの内端部を保持しているから、銀ペースト層において
剥離が生ずることがなく、LEDチップと一方のリード
フレームとの間の銀ペースト層を介する電気的接続は良
好に確保される。
求項2に記載の発明において、両リードフレームは、ケ
ーシングから延出する各脚部(22、32)にて配線板
にリフロー処理にてはんだ付けされている。
Dにおいて、請求項2に記載の発明と同様の作用効果を
達成できる。
請求項1乃至3のいずれか一つに記載の表面実装型発光
ダイオードにおいて、ケーシングは、両リードフレーム
の各内端部の間に形成されて当該各内端部を相互に隔離
する隔壁部(17a)を備えており、保持部は、少なく
とも上記一方のリードフレームの内端部を収容部の底面
との間に被覆部材側へは浮き上がり不能に挟持するよう
に隔壁部の上端に一体に形成されている。
ることで、請求項1乃至3のいずれか一つに記載の発明
と同様の作用効果を達成できる。
求項1乃至4のいずれか一つに記載の表面実装型発光ダ
イオードにおいて、上記一方のリードフレームの内端部
には、少なくとも1つの貫通穴部(21d)が収容部内
にて形成されており、保持部は、貫通穴部の周縁部を収
容部の底面との間に被覆部材側へは浮き上がり不能に挟
持するように貫通穴部を通して収容部の底面に一体に形
成されている。
つに記載の発明と同様の作用効果を達成できる。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
により説明する。 (第1実施形態)図1及び図2は本発明に係る表面実装
型LEDの第1実施形態を示している。なお、このLE
Dの構成部材において、図9及び図10にて示すLED
の構成部材と同一部分には同一符号を付してその説明は
省略する。
す隔壁16に代えて、図1及び図2にて示すごとく、隔
壁17を備えており、この隔壁17は、ケーシング10
に対する両リードフレーム20、30のインサート成形
時にケーシング10に一体形成されている。
に、隔壁部17aと、保持部17bとにより構成されて
いる。隔壁部17aは、図9及び図10にて示す隔壁1
6と同様に、両リードフレーム20、30の各内端部2
1、31の間に突出形成されており、この隔壁部17a
は、隔壁16と同様の役割を果たす。
とく、隔壁部17aの上端にこの隔壁部17aと共に断
面T字状となるように形成されており、この保持部17
bは、その幅方向一側部分aにて、リードフレーム20
の内端部21の先端部分を収容部12の底面12bとの
間に挟持し、その幅方向他側部分bにて、リードフレー
ム30の内端部31の先端部分を収容部12の底面12
bとの間に挟持する。このことは、隔壁17は、その保
持部17bにて、両リードフレーム20、30の各内端
部21、31を収容部12の底面12b上に浮き上がり
不能に押さえ込むことを意味する。
いて、当該LEDを配線板Pに表面実装するにあたり、
このLEDの両リードフレーム20、30の各脚部2
2、32は、図2にて示すごとく、配線板Pの各配線部
にリフロー処理でもってはんだ付け22b、32bされ
る。このとき、ケーシング10及び被覆部材60が高温
の雰囲気にさらされる。しかも、上述のように、収容部
12の内周面12cは、底面12bから開口部12aに
かけて末広がり状に傾斜している。
膨張係数を有する被覆部材60が収容部12の開口部1
2b側に向けて熱膨張し、リードフレーム20の内端部
21が、図10にて二点鎖線により示すごとく、弾性力
に抗して被覆部材60によりその熱膨張方向にLEDチ
ップ40と共に引っ張られることとなる。
は、上述のように、隔壁17の保持部17bの幅方向一
側部aにより収容部12の底面12b上に押さえ込まれ
ている。このため、当該内端部21は、収容部12の底
面12bから浮き上がることなく、LEDチップ40と
共に、原位置にそのまま保持される。従って、銀ペース
ト層50において剥離が生ずることがなく、LEDチッ
プ40とリードフレーム20との間の銀ペースト層50
を介する電気的接続は良好に確保される。
方向他側部bによりリードフレーム30の内端部31の
先端部分を収容部12の底面12b上に押さえ込む状態
となっているので、この押さえ込み状態が、リードフレ
ーム20の内端部21に対する保持部17bの幅方向一
側部aによる押さえ込みを補強することとなり、その結
果、上記作用効果をより一層向上できる。
保持部17bのうち幅方向他側部bを廃止してもよい。
示している。この第1変形例では、隔壁18が、上記第
1実施形態にて述べた隔壁17に代えて、採用されてお
り、この隔壁17は、ケーシング10に対する両リード
フレーム20、30のインサート成形時にケーシング1
0に一体形成されている。
様に、両リードフレーム20、30の各内端部21、3
1の間に突出形成されている。また、隔壁18の両側面
18a、18bは、図4にて示すように、互いに外方へ
断面凸な湾曲形状になっている。また、この両側面18
a、18bの彎曲形状に合わせて、両リードフレーム2
0、30の各内端部21、31の先端部分は、その対向
端面21a、31aにて、互いに外方へ断面凹な彎曲形
状にエッチング処理により形成されている。これによ
り、隔壁18は、その両側面18a、18bにより、両
リードフレーム20、30の各内端部21、31を収容
部12の底面12b上に浮き上がり不能に押さえ込んで
いる。なお、隔壁18は、隔壁17の隔壁部17aと同
様の役割を果たすことは勿論である。その他の構成は上
記第1実施形態と同様である。
て、LEDの両リードフレーム20、30の各脚部2
2、32を配線板Pの各配線部にリフロー処理でもって
はんだ付け22b、32bするとき、上記第1実施形態
と同様に、被覆部材60が収容部12の開口部12b側
に向けて熱膨張し、リードフレーム20の内端部21が
被覆部材60によりその熱膨張方向にLEDチップ40
と共に引っ張られることとなる。
は、その対向端面21aにて、上述のように、隔壁18
の一側側面18aにより収容部12の底面12b上に押
さえ込まれている。このため、当該内端部21は、収容
部12の底面12bから浮き上がることなく、LEDチ
ップ40と共に、原位置にそのまま保持される。従っ
て、銀ペースト層50において剥離が生ずることがな
く、LEDチップ40とリードフレーム20との間の銀
ペースト層50を介する電気的接続は良好に確保され
る。
よりリードフレーム30の内端部31の先端部分31a
を収容部12の底面12b上に押さえ込む状態となって
いるので、この押さえ込み状態が、リードフレーム20
の内端部21に対する隔壁18の一側側面18aによる
押さえ込みを補強することとなり、その結果、本変形例
における上記作用効果をより一層向上できる。
している。この第2変形例においては、隔壁19が、上
記第1実施形態にて述べた隔壁17に代えて、採用され
ており、この隔壁19は、ケーシング10に対する両リ
ードフレーム20、30のインサート成形時にケーシン
グ10に一体形成されている。
の先端部分は、図5にて示すごとく、薄肉部21b上に
断面L字状の盗み部21cを有するように形成されてい
る。一方、リードフレーム30の内端部31の先端部分
は、薄肉部31b上に断面L字状の盗み部31cを有す
るように形成されており、薄肉部31b及び盗み部31
cは、図5にて示すごとく、薄肉部21b及び盗み部2
1cに対向している。
19aと、保持部19bとにより構成されている。隔壁
部19aは、両薄肉部21b、31bの間に形成されて
おり、上記第1実施形態にて述べた隔壁17の隔壁部1
7aと同様の役割を果たす。また、保持部19bは、両
盗み部21c、31c内にて隔壁部19aの上端にこの
隔壁部19aと共に断面T字状となるように形成されて
おり、この保持部19aは、その盗み部21c内に位置
する部分(以下、左側部分19cという)にて、リード
フレーム20の内端部21の薄肉部21bを収容部12
の底面12bとの間に挟持し、その盗み部31c内に位
置する部分(以下、右側部分19dという)にて、リー
ドフレーム30の内端部31の薄肉部31bを収容部1
2の底面12bとの間に挟持する。このことは、隔壁1
9は、その保持部19bにて、両リードフレーム20、
30の各内端部21、31を収容部12の底面12b上
に浮き上がり不能に押さえ込むことを意味する。
て、LEDの両リードフレーム20、30の各脚部2
2、32を配線板Pの各配線部にリフロー処理でもって
はんだ付け22b、32bするとき、上記第1実施形態
と同様に、被覆部材60が収容部12の開口部12b側
に向けて熱膨張し、リードフレーム20の内端部21が
被覆部材60によりその熱膨張方向にLEDチップ40
と共に引っ張られることとなる。
は、その薄肉部21bにて、上述のように、隔壁19の
保持部19bの左側部分19cにより収容部12の底面
12b上に押さえ込まれている。このため、当該内端部
21は、収容部12の底面12bから浮き上がることな
く、LEDチップ40と共に、原位置にそのまま保持さ
れる。従って、銀ペースト層50において剥離が生ずる
ことがなく、LEDチップ40とリードフレーム20と
の間の銀ペースト層50を介する電気的接続は良好に確
保される。
側部分19dによりリードフレーム30の内端部31の
薄肉部31bを収容部12の底面12b上に押さえ込む
状態となっているので、この押さえ込み状態が、リード
フレーム20の薄肉部21bに対する隔壁19の左側部
分19cによる押さえ込みを補強することとなり、その
結果、本第2変形例における上記作用効果をより一層向
上できる。 (第2実施形態)図6は、本発明に係る表面実装型LE
Dの第2実施形態を示している。この第2実施形態にお
いては、上記第1実施形態と同様に、図9及び図10に
て示すLEDの構成部材と同一部分には同一符号を付し
てその説明は省略する。
10にて示す隔壁16に加えて、保持壁17Aが、リー
ドフレーム20の内端部21に形成した貫通穴部21d
に形成されている。この保持壁17Aは、ケーシング1
0に対する両リードフレーム20、30のインサート成
形時にケーシング10に一体形成されている。なお、貫
通穴部21dは、収容部12内にてリードフレーム20
の内端部21に形成されている。
17dとを備えている。貫通部17cはリードフレーム
20の貫通穴部21dに貫通されている。また、保持部
17dは、図6にて示すごとく、貫通部17cの上端に
この貫通部17cと共に断面T字状となるように形成さ
れており、当該保持部17dは、貫通部17cの周縁部
を収容部12の底面12bとの間に挟持する。このこと
は、保持壁17Aは、リードフレーム20の内端部21
を収容部12の底面12b上に浮き上がり不能に押さえ
込むことを意味する。
いて、LEDの両リードフレーム20、30の各脚部2
2、32を配線板Pの各配線部にリフロー処理でもって
はんだ付け22b、32bするとき、上記第1実施形態
と同様に、被覆部材60が収容部12の開口部12b側
に向けて熱膨張し、リードフレーム20の内端部21が
被覆部材60によりその熱膨張方向にLEDチップ40
と共に引っ張られることとなる。
は、述のように、保持壁17Aの保持部17dにより収
容部12の底面12b上に押さえ込まれている。このた
め、当該内端部21は、収容部12の底面12bから浮
き上がることなく、LEDチップ40と共に、原位置に
そのまま保持される。従って、銀ペースト層50におい
て剥離が生ずることがなく、LEDチップ40とリード
フレーム20との間の銀ペースト層50を介する電気的
接続は良好に確保される。
壁17Aを一つとした例について説明したが、これに代
えて、保持壁Aを収容部12内にてリードフレーム20
の内端部21に形成した複数の貫通穴部の各々に上記第
2実施形態と同様に設けるようにすれば、より一層、リ
ードフレーム20の内端部21に対する収容部12の底
面12aへの押さえ込みを補強でき、その結果、上記作
用効果をより一層向上できる。 (第3実施形態)図7は、本発明に係る表面実装型LE
Dの第3実施形態を示している。この第3実施形態で
は、上記第2実施形態にて述べた保持壁17Aが、図7
にて示すごとく、リードフレーム20の内端側にて収容
部12の内周面12cのうち底面12b側部分まで断面
傾斜状に延出して当該内周面12cと一体となってい
る。
強固にしつつ上記第2実施形態にて述べた作用効果と同
様の作用効果を達成できる。
ている。この変形例においては、上記第3実施形態にて
述べた保持壁17Aに加え、保持壁17Bが、図8にて
示すごとく、リードフレーム30の内端側にて隔壁16
の上端から収容部12の内周面12cのうち底面12b
側部分まで断面傾斜状に延出して当該内周面12cと一
体となっている。また、保持壁17Bは、隔壁16の上
端から図8にて図示左側へ内端部21上に突出する保持
部17eを備えており、この保持部17eは、内端部2
1の先端部を底面12bとの間で挟持する。
露呈するリードフレーム30の内端部31の外面のうち
銀ペースト層50に対応する部分及びその外周近傍除く
部分を覆うように形成されており、上記第3実施形態に
て保持壁17Aは、収容部12内に露呈するリードフレ
ーム20の内端部21の外面のうち銀ペースト層50に
対応する部分及びその外周近傍除く部分を覆うように形
成されている。
チップ40は、図8にて示すごとく、銀ペースト層50
上に固着した基板樹脂部41と、この基板樹脂部41上
に形成した半導体発光層42と、この半導体発光層42
上に形成した透明樹脂部43とにより構成されている。
これにより、LEDチップ40は、半導体発光層42の
発光に伴い、当該半導体発光層42の外周面から横方向
に収容部12内に直接光を出射するとともに、半導体発
光層42の上面から透明樹脂部43を通して光を出射す
る。その他の構成は上記第3実施形態と同様である。
持壁17Bは、保持壁17Aと同様の強度を確保しつ
つ、保持壁Aによるリードフレーム20の内端部21に
対する収容部12の底面12aへの押さえ込みに加え、
リードフレーム30の内端部31に対し収容部12の底
面12aに押さえ込む。その結果、上記第2実施形態に
て述べた作用効果をより一層向上できる。
出する両リードフレーム20、30の各内端部は、銀ペ
ースト層50に対応する部分及びその外周近傍除く部分
にて、各隔壁17A、17Bにより覆われている。従っ
て、収容部12内に延出する両リードフレーム20、3
0の各内端部の大部分が隔壁17A、17Bにより覆わ
れている。
3からだけでなく半導体発光層42の外周面から横方向
へも収容部12内に出射しても、この出射光は各隔壁1
7A、17Bの表面により反射される。ここで、両隔壁
17A、17Bの各表面は、両リードフレーム20の各
内端部の外面の光に対する反射率よりもかなり高い反射
率を有するので、両隔壁17A、17Bの各表面による
反射効率は、両リードフレーム20の各内端部の外面に
よる場合に比べてかなり高くなる。その結果、ケーシン
グ10の被覆部材60の表面から出射するLEDチップ
40の光量がより一層増大してEDチップ40の発光輝
度をより一層高めることができる。
ーム20に限ることなく、リードフレーム30の内端部
31上に収容部12内にてLEDチップ40を銀ペース
ト層50を介し接着するようにしてもよい。この場合に
は、リードフレーム30の内端部をリードフレーム20
の内端部と同様に構成し、リードフレーム20の内端部
をリードフレーム30の内端部と同様に構成するとよ
い。
層50に代えて、導電性接着層、例えば、接着樹脂に導
電性粒子を混合してなる接着層を採用してもよい。
10の収容部12の内周壁は、上記各実施形態にて述べ
た場合と異なり、底面12bから開口部12aにかけ
て、同一の断面形状を有していてもよい。
断面図である。
断面図である。
る。
…開口部、12b…底面、13…一側側壁部、15…他
側側壁部、17b、17d、19b…保持部、18a、
18b…側面、20、30…リードフレーム、21、3
1…内端部、22、32…脚部、40…LEDチップ、
50…銀ペースト層、60…被覆部材。
Claims (5)
- 【請求項1】 上壁(11)にて外方へ開口するように
収容部(12)を凹状に形成してなる電気絶縁樹脂製ケ
ーシング(10)と、 このケーシングにその周壁の一側部(13)から挿入さ
れて前記収容部内にその底面(12b)に沿い内端部
(21)を延出してなる金属材料からなる一側リードフ
レーム(20)と、 前記ケーシングにその周壁の他側部(15)から挿入さ
れて前記収容部内にその底面に沿い前記一側リードフレ
ームの内端部に対向するように延出する内端部(31)
を有してなる金属材料からなる他側リードフレーム(3
0)と、 前記収容部内に収容されて前記両リードフレームの一方
(20)の内端部上に導電性接着層(50)を介し装着
したLEDチップ(40)とを備え、 前記収容部は、その底面全体に少なくとも対向する開口
部(12a)を前記ケーシングの上壁にて有するように
形成されており、 前記収容部内には、前記ケーシングよりも熱膨張係数の
大きい透光樹脂製被覆部材(60)が前記LEDチップ
を被覆するように設けられている表面実装型発光ダイオ
ードにおいて、 前記ケーシングは、前記被覆部材が熱膨張してもこの被
覆部材側へは浮き上がり不能に前記一方のリードフレー
ムの内端部を保持する保持部(17b、18a、18
b、19b、17d)を備えることを特徴とする表面実
装型発光ダイオード。 - 【請求項2】 上壁(11)にて外方へ開口するように
収容部(12)を凹状に形成してなる電気絶縁樹脂製ケ
ーシング(10)と、 このケーシングにその周壁の一側部(13)から挿入さ
れて前記収容部内にその底面(12b)に沿い内端部
(21)を延出してなる金属材料からなる一側リードフ
レーム(20)と、 前記ケーシングにその周壁の他側部(15)から挿入さ
れて前記収容部内にその底面に沿い前記一側リードフレ
ームの内端部に対向するように延出する内端部(31)
を有してなる金属材料からなる他側リードフレーム(3
0)と、 前記収容部内に収容されて前記両リードフレームの一方
(20)の内端部上に銀ペースト層(50)を介し装着
したLEDチップ(40)とを備え、 前記両リードフレームは前記ケーシングにインサート成
形されており、 前記収容部の内周面(12c)は、当該収容部の底面か
ら前記ケーシングの上壁にかけて末広がり状に形成され
ており、 前記収容部内には、前記ケーシングよりも熱膨張係数の
大きい透光樹脂製被覆部材(60)が前記LEDチップ
を被覆するように設けられている表面実装型発光ダイオ
ードにおいて、 前記ケーシングは、前記被覆部材が熱膨張してもこの被
覆部材側へは浮き上がり不能に前記一方のリードフレー
ムの内端部を保持する保持部(17b、18a、18
b、19b、17d)を備えることを特徴とする表面実
装型発光ダイオード。 - 【請求項3】 上壁(11)にて外方へ開口するように
収容部(12)を凹状に形成してなる電気絶縁樹脂製ケ
ーシング(10)と、 このケーシングにその周壁の一側部(13)から挿入さ
れて前記収容部内にその底面(12b)に沿い内端部
(21)を延出してなる金属材料からなる一側リードフ
レーム(20)と、 前記ケーシングにその周壁の他側部(15)から挿入さ
れて前記収容部内にその底面に沿い前記一側リードフレ
ームの先端部に対向するように延出する内端部(31)
を有してなる金属材料からなる他側リードフレーム(3
0)と、 前記収容部内に収容されて前記両リードフレームの一方
(20)の内端部上に銀ペースト層(50)を介し装着
したLEDチップ(40)とを備え、 前記両リードフレームは、前記ケーシングにインサート
成形され、かつ、当該ケーシングから延出する各脚部
(22、32)にて配線板にリフロー処理にてはんだ付
けされており、 前記収容部の内周面(12c)は、当該収容部の底面か
ら前記ケーシングの上壁にかけて末広がり状に形成され
ており、 前記収容部内には、前記ケーシングよりも熱膨張係数の
大きい透光樹脂製被覆部材(60)が前記LEDチップ
を被覆するように設けられている表面実装型発光ダイオ
ードにおいて、 前記ケーシングは、前記被覆部材が熱膨張してもこの被
覆部材側へは浮き上がり不能に前記一方のリードフレー
ムの内端部を保持する保持部(17b、18a、18
b、19b、17d)を備えることを特徴とする表面実
装型発光ダイオード。 - 【請求項4】 前記ケーシングは、前記両リードフレー
ムの各内端部の間に形成されて当該各内端部を相互に隔
離する隔壁部(17a)を備えており、 前記保持部は、少なくとも前記一方のリードフレームの
内端部を前記収容部の底面との間に前記被覆部材側へは
浮き上がり不能に挟持するように前記隔壁部の上端に一
体に形成されていることを特徴とする請求項1乃至3の
いずれか一つに記載の表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項5】 前記一方のリードフレームの内端部に
は、少なくとも1つの貫通穴部(21d)が前記収容部
内にて形成されており、 前記保持部は、前記貫通穴部の周縁部を前記収容部の底
面との間に前記被覆部材側へは浮き上がり不能に挟持す
るように前記貫通穴部を通して前記収容部の底面に一体
に形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のい
ずれか一つに記載の表面実装型発光ダイオード。
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---|---|
JP (1) | JP3546812B2 (ja) |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002374005A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-12-26 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
JP2004014857A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Stanley Electric Co Ltd | チップタイプ光半導体素子 |
JP2006303396A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 表面実装型発光装置 |
EP1848045A2 (en) * | 2006-04-19 | 2007-10-24 | Nichia Corporation | Housing for semiconductor light emitting or receiving device |
EP1928033A2 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Nichia Corporation | Light-emitting apparatus and method of producing the same |
WO2008081794A1 (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Nichia Corporation | 発光装置およびその製造方法 |
WO2008081696A1 (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Nichia Corporation | 発光装置、パッケージ、発光装置の製造方法、パッケージの製造方法及びパッケージ製造用金型 |
WO2009051093A1 (ja) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光モジュール |
JP2009170625A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2010040613A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Nichia Corp | 発光装置 |
KR100999794B1 (ko) | 2003-11-03 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
KR101049487B1 (ko) * | 2010-05-12 | 2011-07-15 | 주식회사 루멘스 | 발광 다이오드 패키지 |
CN102130278A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-07-20 | 昆山琉明光电有限公司 | 发光二极管封装 |
WO2011125346A1 (ja) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2011249368A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-08 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
JP2012510153A (ja) * | 2008-11-25 | 2012-04-26 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
KR101145209B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2012-05-24 | 우리이앤엘 주식회사 | 발광장치 |
US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
JP2015032738A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9035348B2 (en) | 2009-12-01 | 2015-05-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR20150112474A (ko) * | 2014-03-28 | 2015-10-07 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
WO2017056841A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
US9673360B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-06-06 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device using strip-shaped first resin members |
JP2018125372A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-06-14 JP JP2000178789A patent/JP3546812B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002374005A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-12-26 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
JP2004014857A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Stanley Electric Co Ltd | チップタイプ光半導体素子 |
KR100999794B1 (ko) | 2003-11-03 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
JP2006303396A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 表面実装型発光装置 |
JP4674487B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-04-20 | パナソニック電工株式会社 | 表面実装型発光装置 |
EP1848045A2 (en) * | 2006-04-19 | 2007-10-24 | Nichia Corporation | Housing for semiconductor light emitting or receiving device |
JP2007311749A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
EP1848045A3 (en) * | 2006-04-19 | 2012-07-18 | Nichia Corporation | Housing for semiconductor light emitting or receiving device |
EP1928033A2 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Nichia Corporation | Light-emitting apparatus and method of producing the same |
US8440478B2 (en) | 2006-12-28 | 2013-05-14 | Nichia Corporation | Light emitting device, package, light emitting device manufacturing method, package manufacturing method and package manufacturing die |
US8217414B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-07-10 | Nichia Corporation | Light emitting device, package, light emitting device manufacturing method, package manufacturing method and package manufacturing die |
EP2109157A1 (en) * | 2006-12-28 | 2009-10-14 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
EP2109157A4 (en) * | 2006-12-28 | 2013-12-04 | Nichia Corp | LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME |
WO2008081794A1 (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Nichia Corporation | 発光装置およびその製造方法 |
WO2008081696A1 (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Nichia Corporation | 発光装置、パッケージ、発光装置の製造方法、パッケージの製造方法及びパッケージ製造用金型 |
US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
US8093619B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-01-10 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US9190588B2 (en) | 2006-12-28 | 2015-11-17 | Nichia Corporation | Side-view type light emitting apparatus and package |
WO2009051093A1 (ja) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光モジュール |
JP2009099771A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Rohm Co Ltd | 半導体発光モジュール |
JP2009170625A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2010040613A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Nichia Corp | 発光装置 |
US9425360B2 (en) | 2008-11-25 | 2016-08-23 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
US10134953B2 (en) | 2008-11-25 | 2018-11-20 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting device package including lead frame and using lead terminal as a reflective cavity |
JP2012510153A (ja) * | 2008-11-25 | 2012-04-26 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
US10847680B2 (en) | 2008-11-25 | 2020-11-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
US8928008B2 (en) | 2008-11-25 | 2015-01-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package comprising a lead electrode exposed to a recessed bottom portion of the package body |
US9035348B2 (en) | 2009-12-01 | 2015-05-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US10388840B1 (en) | 2009-12-01 | 2019-08-20 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9978921B2 (en) | 2009-12-01 | 2018-05-22 | LG Innotek, Co. Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
EP2330645B1 (en) * | 2009-12-01 | 2018-05-09 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9136453B2 (en) | 2009-12-01 | 2015-09-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US10749092B2 (en) | 2009-12-01 | 2020-08-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9831409B2 (en) | 2009-12-01 | 2017-11-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9711702B2 (en) | 2009-12-01 | 2017-07-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9461223B2 (en) | 2009-12-01 | 2016-10-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US10446730B2 (en) | 2009-12-01 | 2019-10-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US10230036B2 (en) | 2009-12-01 | 2019-03-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
WO2011125346A1 (ja) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US20130009190A1 (en) * | 2010-04-07 | 2013-01-10 | Yuhichi Memida | Light emitting device and method for manufacturing same |
KR101145209B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2012-05-24 | 우리이앤엘 주식회사 | 발광장치 |
KR101049487B1 (ko) * | 2010-05-12 | 2011-07-15 | 주식회사 루멘스 | 발광 다이오드 패키지 |
JP2011249368A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-08 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
CN102130278A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-07-20 | 昆山琉明光电有限公司 | 发光二极管封装 |
JP2015032738A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9997680B2 (en) | 2013-12-17 | 2018-06-12 | Nichia Corporation | Light emitting device having first and second resin layers |
US9673360B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-06-06 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device using strip-shaped first resin members |
KR20150112474A (ko) * | 2014-03-28 | 2015-10-07 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
KR102178707B1 (ko) | 2014-03-28 | 2020-11-13 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
WO2017056841A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP2018125372A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
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