JP2007311749A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007311749A
JP2007311749A JP2006342341A JP2006342341A JP2007311749A JP 2007311749 A JP2007311749 A JP 2007311749A JP 2006342341 A JP2006342341 A JP 2006342341A JP 2006342341 A JP2006342341 A JP 2006342341A JP 2007311749 A JP2007311749 A JP 2007311749A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead electrode
housing
wall portion
wall
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006342341A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007311749A5 (ja
JP4952233B2 (ja
Inventor
Saiki Yamamoto
才気 山本
Ikuya Arai
育也 新居
Hiroaki Ukawa
宏明 宇川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=38261537&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2007311749(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2006342341A priority Critical patent/JP4952233B2/ja
Priority to CN2007100898344A priority patent/CN101060103B/zh
Priority to US11/785,380 priority patent/US7432589B2/en
Priority to EP07106416.6A priority patent/EP1848045B1/en
Priority to KR1020070037869A priority patent/KR101048977B1/ko
Publication of JP2007311749A publication Critical patent/JP2007311749A/ja
Publication of JP2007311749A5 publication Critical patent/JP2007311749A5/ja
Publication of JP4952233B2 publication Critical patent/JP4952233B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45169—Platinum (Pt) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48095—Kinked
    • H01L2224/48097—Kinked the kinked part being in proximity to the bonding area outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4899—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
    • H01L2224/48996—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/48997—Reinforcing structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/85951—Forming additional members, e.g. for reinforcing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12035—Zener diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

【課題】ダイボンド用接着剤をワイヤボンド領域まで漏れ出させない防止機能を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、一対の電極を有する半導体素子２８と、半導体素子２８を収納する凹部１４を備えたハウジング１２と、凹部１４の底面に露出した第１リード電極１８及び第２リード電極２０と、半導体素子２８を第１リード電極１８にダイボンドする接着層３０と、半導体素子の一対の電極と第１及び第２リード電極１８、２０とをそれぞれワイヤボンドする導電ワイヤ３２と、を備え、ハウジング１２が、凹部１４底面に、第１リード電極１８の表面をダイボンド領域２２とワイヤボンド領域２４とに区分するように横断して設けられた壁部２６を備え、第１リード電極１８は、少なくとも壁部２６の直下に、第１リード電極１８の縁部を切り欠いた切欠き部３６を備え、壁部２６とハウジング１２の底部とが、切欠き部３６を通じて接続されている。
【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、ハウジングに半導体素子を実装した半導体装置に関し、特に半導体発光素子を用いた半導体発光装置及び光学センサなどに用いられる半導体受光装置に関する。
半導体装置として、半導体発光素子をハウジング内に実装した半導体発光装置が提供されている。ハウジングは半導体発光素子を収納する凹部を備え、凹部の表面には、半導体発光素子の電極と接続される一対のリード電極が露出している。半導体発光素子をハウジング内に実装する場合、半導体発光素子の基板側を一方のリード電極上に銀ペースト等でダイボンドし、半導体発光素子の半導体側を他方のリード電極にワイヤで接続する。
近年の半導体装置の小型化によりハウジングが小型化され、それに伴ってハウジングの凹部や、凹部に露出したリード電極の寸法も小さくされている。このような小型化したハウジングに半導体素子を実装すると、ダイボンド時の銀ペーストが、一方のリード電極から他方のリード電極まで伝い漏れするブリード現象が起こりやすく、半導体装置の短絡を引き起こす恐れがあった。そこで、このブリード現象を防止するために、一対のリード電極の間に突起部を設けることが知られている（例えば特許文献１及び２参照。）。
また、ＬＥＤチップと保護素子（ツェナーダイオード）とを備えた発光装置では、負のリード電極１０３の同一面上に保護素子のダイボンドとＬＥＤチップのワイヤボンドとを行う構成において、ダイボンドするための第１のボンディング領域とワイヤボンドするための第２のボンディング領域とが壁部によって隔てられている（例えば特許文献３参照。）。この壁部は、保護素子のダイボンドに使用するダイボンド材が、第２のボンディング領域まで流れ込むことを防止している。
特開平１０−２９４４９５号公報 実開昭６２−４７１５６号公報 特開２００５−３３１９４号公報
窒化物半導体から成る半導体発光素子では、素子用の基板にサファイアのような絶縁体基板を用いており、基板を通じて導通できない。よって、半導体発光素子の半導体側に、正電極及び負電極の両方を形成し、実装時にそれぞれ異なるリード電極にワイヤボンドする。このとき、半導体発光素子は、いずれか一方のリード電極上に、銀ペースト等の導電性接着剤やダイボンド樹脂等の絶縁性接着剤で接着される。
この半導体発光素子をダイボンドするときに、表面張力の低い可塑剤などの液状成分を含む接着剤を使用すると、接着剤をリード電極上のダイボンドする領域のみに塗布しても、接着剤中の液状成分や、あるいは接着剤自身（これらをまとめて、接着剤成分と称する）がリード電極の表面上に容易に広がって（これもブリード現象である）、リード電極の表面を覆ってしまう。特に、同一リード電極内でダイボンドとワイヤボンドとを行う場合には、同一部材の同一平面上にダイボンドする領域とワイヤボンドする領域とが隣接して配置されるので、接着剤成分が極めて伝い漏れしやすい。これは、従来のように離間したリード電極間と比べても、格段にブリードしやすい。そして、ダイボンド後に、リード電極の表面が接着剤成分によって覆われていると、リード電極と半導体発光素子の電極との間でワイヤボンドするときに十分な強度で導電ワイヤを固定できず、さらに、絶縁性接着剤を利用した場合には、ワイヤボンドによる導通が不可能になる。
特許文献１及び２は、導電性基板を有する半導体発光素子を使用しており、その導電性基板側を導電性接着剤から成る接着層によってダイボンドすることにより、半導体発光素子を固定しつつ、半導体発光素子とリード電極との間の導通を取ることとができる。よって、２つのリード電極の間での短絡を防止するために、リード電極間にブリードを防止する構造を有しているが、ダイボンドするリード電極の表面にダイボンド用の接着剤が広がっても問題がない。そのため、接着剤成分がリード電極の表面に広がるのを防止するための方法について何ら解決手段を開示していない。
これに対して、特許文献３に開示されているような壁部をリード電極の表面に設ければ、この問題は解決できそうに思われる。
しかしながら、近年の発光装置は、極めて小型化や薄型化が進行しており、壁部を形成するにあたって、特許文献３では解決しきれない新たな問題が生じてきた。
まず、壁部の幅、高さが小寸法に制限されるので、壁部を成形するための溝を設けた金型を使用しても、その溝の中に成形材料を十分に充填できない恐れがある。特に、成形材料の粘度が高くなると、充填不十分により欠損部分のある壁部になりやすい。
次に、壁部とリード電極との間の密着性が低くなりやすく、それらの界面に沿って接着剤成分が漏れ出す可能性が高くなる。特に、接着剤成分の表面張力が低い場合、この影響が無視できない。
そこで、本発明は、表面張力の低い接着剤成分を含む接着剤から成る接着層によりダイボンドしても、接着剤成分がワイヤボンドの領域まで漏れ出さず、また、小型化や薄型化によっても漏れ出し防止機能が十分に保持できる半導体装置を提供すること目的とする。
本願の第１の発明は、一対の電極を有する半導体素子と、前記半導体素子を収納する凹部を備えたハウジングと、前記凹部の底面に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、前記半導体素子を前記第１リード電極にダイボンドする接着層と、前記半導体素子の一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれワイヤボンドする導電ワイヤと、を備えた半導体装置であって、前記ハウジングが、前記凹部底面に、前記第１リード電極の表面をダイボンド領域とワイヤボンド領域とに区分するように横断して設けられた少なくとも１つの壁部を備えており、前記第１リード電極は、少なくとも前記壁部の直下に、前記リード電極を厚み方向に切り抜いて形成された切除部を備えており、前記壁部と前記ハウジングの底部とが、前記切除部を通じて接続されていることを特徴とする。
第１の発明では、第１リード電極に、第１壁部の直下に切除部を形成しているので、第１壁部とハウジングとを接続する部分が増加する。これにより、第１壁部を第１リード電極の表面により密着させることができる。密着性の向上は、接着剤成分が、第１リード電極と第１壁部との界面を伝ってワイヤボンド領域に浸入するのを防止するのに有効である。
また、この切除部は、第１壁部を形成するときに成形材料の注入を容易にする効果がある。切除部によって、第１壁部に成形材料が流入する流路は幅広になる。第１壁部は、ワイヤボンドを阻害しない程度に高さが低くて成形材料を充填しにくく、粘度の高い成形材料を使用すると部分的に充填不十分になる恐れがある。しかしながら、切除部を設けることにより充填流路が広がり、成形材料を充填しやすくなる。
本発明では、切除部として、第１リード電極の縁部を切り欠いた切欠き部の形態と、前記第１リード電極に形成された貫通孔の形態とが含まれる。
本願の第２の発明は、一対の電極を有する半導体素子と、前記半導体素子を収納する凹部を備えたハウジングと、前記凹部の底面に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、前記半導体素子を前記第１リード電極にダイボンドする接着層と、前記半導体素子の一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれワイヤボンドする導電ワイヤと、を備えた半導体装置であって、前記ハウジングが、前記凹部底面に、前記第１リード電極の表面をダイボンド領域とワイヤボンド領域とに区分するように横断して設けられた少なくとも１つの壁部を備えており、前記第１リード電極の表面には、前記壁部の直下に溝部が設けられており、前記溝部は前記壁部に沿って延在すると共に、前記溝部に前記壁部の底部が係合していることを特徴とする。
第２の発明では、第１リード電極の表面に、溝部が形成されていて、その溝部の上に、第１壁部が形成されている。この溝部は、ダイボンド領域とワイヤボンド領域との間を区分する第１壁部２６に沿って形成されているので、ダイボンド用の接着剤の接着剤成分が第１リード電極と第１壁部との界面を伝ってワイヤボンド領域方向に浸入してきても、溝部の窪みに溜まってそれ以上浸入できなくなる。すなわち、第１壁部の直下に溝部を備えることによって、接着剤成分がワイヤボンド領域に浸入するのを確実に防止することができる。
また、第１壁部の断面積が溝部の分だけ大きくなることにより、壁部とハウジングの壁部との結合強度も増加する。結合強度の増加により、第１壁部２６と第１リード電極の表面との密着性が高まり、これにより、接着剤成分が第１リード電極と第１壁部との界面を伝ってワイヤボンド領域２４に浸入するのを抑制するのに有効である。
さらに、第２の発明には、第１壁部の形成時にも有利である。溝部を形成することにより、成形材料６８を注入する間口が広くなり、充填しやすくなり、第１壁部が充填不十分で一部欠如する等の欠陥が生じにくくなる。第１壁部は、ワイヤボンドを阻害しない程度に高さが低くて成形材料を充填しにくく、粘度の高い成形材料を使用すると部分的に充填不十分になる恐れがある。しかしながら、溝部を設けることにより充填流路が広がり、成形材料を充填しやすくなる。
本発明の半導体装置は、表面張力の低い接着剤成分を含む接着剤から成る接着層によりダイボンドしても、接着剤成分がワイヤボンドの領域まで漏れ出すことがない。また、小型化や薄型化によっても漏れ出し防止機能が十分に保持できる。
＜実施の形態１＞
図１及び図２Ａは、実施の形態１にかかる半導体装置１０の製造過程の途中の様子を図示しており、最終的には、図６に図示するような形態に形成される。このような形態の半導体装置１０は、極めて薄型であり、半導体素子２８に半導体発光素子を用いた薄型の発光装置として利用されている。
実施の形態１の半導体装置１０は、凹部１４を備えたハウジング１２と、凹部１４の底部１６に露出した第１リード電極１８及び第２リード電極２０とを備えている。第１リード電極１８は、ダイボンド領域２２とワイヤボンド領域２４とを有しており、これらの領域は、第１リード電極１８の表面に、第１リード電極１８を横切って配置された第１壁部２６によって区分されている。第２リード電極２０は、ダイボンド領域を持たず、ワイヤボンド領域２４’のみから構成されている。第１リード電極１８と第２リード電極２０との間には、第２壁部３４が突出している。第１及び第２壁部２６、３４は、ハウジング１２と一体に形成されている。半導体素子２８は、その基板側がダイボンド領域２２にダイボンド用の接着剤から成る接着層３０により固定されており、さらに半導体側に形成された電極がワイヤボンド領域２４、２４’に導電ワイヤ３２、３２により接続されている。
第１及び第２壁部２６、３４は、接着層３０を形成する接着剤の接着剤成分がダイボンド領域２２からワイヤボンド領域２４、２４’にブリードせず、また、導電ワイヤ３２３２’によるワイヤボンドを阻害しない高さに形成される。壁部２６、３４は、接着剤成分のブリードを防止でき、そして導電ワイヤのワイヤボンドを妨げなければ、どのような形状にすることもでき、例えば断面矩形、断面三角形、断面台形、断面半円形又は断面半楕円径などの様々な断面形状を有する形態にすることができる。特に、図２Ａに示すように、壁部２６、３４がワイヤボンド領域２４、２４’からダイボンド領域２２に向かって高くなるように傾斜した断面三角形に形成されていると、接着剤成分の堰き止め効果と導電ワイヤ３２、３２’の張りやすさとに優れているので好ましい。
図１及び図２Ａ〜２Ｃに図示するように、第１壁部２６は、第１リード電極１８の表面上を横切り、両端でハウジング１２の側壁３８に結合している。実施の形態１では、第１リード電極１８の縁部に、第１壁部２６を形成する位置に合わせて、矩形の切欠き部３６が形成されており、この切欠き部３６を介して、第１壁部２６とハウジング１２の底部４０とが強く結合している。このような切欠き部３６を形成することにより、第１壁部２６と第１リード電極１８の表面との密着性が高められて、第１壁部２６と第１リード電極１８との界面を伝って接着剤成分がブリードするのを、より効果的に抑制できる。
また、第２壁部３４は、第１リード電極１８と第２リード電極２０との間を介してハウジング１２の底部４０と接続し、また第２壁部３４の両端はハウジング１２の側壁３８に結合している。よって、第１リード電極１８と第２リード電極２０との間は、第２壁部３４によって完全に分離されている。
図１及び図２Ａに図示した半導体装置１０では、半導体素子２８の配置されたダイボンド領域２２が第１及び第２壁部２６、３４と、ハウジング１２の側壁３８、３８’とによって周囲を囲まれている。このような半導体装置１０では、この囲まれたダイボンド領域２２内のみに樹脂を滴下すれば、半導体素子２８の近傍のみに選択的に樹脂層を形成することができる。例えば、半導体素子２８に半導体発光素子を用いたとき、ダイボンド領域２２のみに透光性樹脂に蛍光体を含有させたプリコート層を形成すれば、半導体発光素子の近傍のみに蛍光体を配置することができる。
図２Ｂ及び図２Ｃから分かるように、第１リード電極１８に切欠き部３６を形成することにより、第１壁部２６とハウジング１２の底部４０とを接続する部分が増加している。これにより、第１壁部２６の強度が増加し、また第１壁部２６を第１リード電極１８の表面により密着させることができる。特に、密着性の向上は、接着剤成分が、第１リード電極１８と第１壁部２６との界面を伝ってワイヤボンド領域２４に浸入するのを防止するのに有効である。
また、この切欠き部３６は、第１壁部２６を形成するときに成形材料の注入を容易にする効果もある。図２Ｃの矢印ｆ１（図中左側）及び矢印ｆ２（図中右側）は、第１壁部２６に成形材料が流れる道筋を示しており、切欠き部３６によって、矢印ｆ２の流路は、矢印ｆ１に比べて幅広になっている。第１壁部２６は、ワイヤボンドを阻害しない程度に高さが低くて成形材料を充填しにくく、粘度の高い成形材料を使用すると部分的に充填不十分になる恐れがある。しかしながら、切欠き部３６を設けることにより充填流路が広がり、成形材料を充填しやすくなる。このように、実施の形態１は、第２リード電極２０に比べて形成しにくい第１リード電極１８を設けるにあたり、第１リード電極１８が切欠き部３６を有することにより、第１リード電極１８が形成しやすくなる点でも有利である。
また、実施の形態１では、幅の狭い第１リード電極１８を備えた半導体装置であるので、第１リード電極１８の縁部の一部を切欠いた切欠き部３６として、第１リード電極１８の強度を維持するのが好ましい。
切欠き部３６は、図２Ａ及び図２Ｂでは第１リード電極１８の縁部を長方形に切り抜いて形成されているが、切欠き部３６の形状はこれに限定されるものではなく、例えば、正方形、台形等の矩形、三角形や五角形等の多角形、半円形、又は半楕円形など、さまざまな形状に切り抜いて形成することができる。また、図示した切欠き部３６は、第１壁部２６に完全に隠れる寸法にされているが、第１壁部２６から一部露出しても構わない。さらに、第１リード電極１８の厚さ方向に向かって寸法が変わる、いわゆる漏斗状になっていてもよく、特に、ハウジング１２の底部４０側から凹部１４側に向かって寸法が小さくなっていると、成形材料の注入に有利になり、また第１リード電極１８の強度を維持できるので好ましい。
本発明の半導体装置１０は、ハウジング１２の凹部１４に樹脂を充填して、凹部１４内に固定した半導体素子２８を外部環境から保護するのが好ましい。特に、半導体素子２８が半導体発光素子の場合には、充填する樹脂に透光性樹脂を選択すれば、光を取り出すことができる。また、半導体発光素子２８の発光色とは異なる色を発光させたい場合には、透光性樹脂に蛍光体を混ぜることにより発光波長を変換することができる。
以下に、本発明の半導体装置１０の製造方法を、１．ハウジング１２を製造する工程と、２．ハウジング１２から半導体装置１０を製造する工程とに分けて説明する。
（１．ハウジング１２の製造）
図３を参照しながら、ハウジング１２の製造工程を説明する。
まず、金属平板に打ち抜き加工を施して、その表面に金属メッキを施してリードフレーム４２を作製する。リードフレーム４２には、第１リード電極１８及び第２リード電極２０から成る一対のリード電極が形成されている。第１リード電極１８と第２リード電極２０とは、隙間をあけて対向している。通常は、１枚の金属平板に、多数のリード電極１８、２０の対を形成する。
次に、図３Ａに示すように、リードフレーム４２を上下に分割されたハウジング成型用のモールド金型５６、５８の間に配置して、上下のモールド金型５６、５８で挟み込む。このとき、一対のリード電極１８、２０と、リードフレーム４２のハンガーリード４６とが、ハウジング１２の形状を有するモールド金型５６、５８の空洞６２の中に位置するように位置決めして、モールド金型５６、５８で挟み込む。ハンガーリード４６とは、リードフレーム３２に固定されたハウジング１２の姿勢を保つための部材であり、リードフレーム４２の抜き打ち加工のときに形成される。図１にも図示されているように、ハンガーリード４６の先端部分は、リードフレーム３２からハウジング１２を分離するまで、ハウジング１２の側面に食い込んだ状態になる。
上側モールド金型５６には、ハウジング１２の凹部１４の形状に一致した突出部６６を備えている。この突出部６６には、壁部２６、３４の外形に一致した溝７０、７２が形成されている。
その後、図３Ｂのように、下側モールド金型５８の材料注入ゲート６４から、モールド金型５６、５８の空洞６２内に成形材料６８を注入する。上側モールド金型５６には、ハウジング１２の凹部１４に対応する突出部６６が形成されており、この突出部６６がリード電極１８、２０の上面に接触した状態で成形材料６８を注入すれば、リード電極１８の上面には成形材料６８が付着せず、得られたハウジング１２の凹部１４の底面にリード電極１８、２０を露出させることができる。
この例では、ハウジング１２の凹部１４の底面には、リード電極１８が完全に露出しているが、必ずしも完全に露出している必要はない。例えば、凹部１４の底面の直下にリード電極１８、２０を位置させる（すなわち、リード電極１８、２０はハウジングの成形材料によって覆われている）と共に、凹部の底面に穴等をあけることにより、凹部内にリード電極の一部を露出させるようにしてもよい。この穴等を介して、半導体素子とリード電極とを導通すれば、本発明の半導体装置を形成することができる。
成形材料６８は、溝７０、７２に注入されて、それぞれ第１壁部２６及び第２壁部３４を形成する。溝７２には、第１リード電極１８と第２リード電極２０との隙間から成形材料６８が注入できるので、成形材料６８の充填が容易である。これに対して溝７０は、成形材料６８が注入しにくい。図２Ｃを参照して説明すると、溝７０に充填するには、第１リード電極１８と、ハウジング１２の外壁面を成型する金型の内壁面と、の間に形成された狭い隙間を通じて、成形材料６８を矢印ｆ１のように注入するしかない。しかしながら、実施の形態１に示すように、第１リード電極１８に切欠き部３６を設けることにより、成形材料６８は、矢印ｆ２のように切欠き部３６を介して溝部７２に充填できるので、成形材料６８が注入しやすい。このように、第１リード電極１８が、第１壁部２６の直下の位置に切欠き部３６を有すると、溝７０に成形材料６８が充填しやすくなり、第１壁部２６が充填不十分で一部欠如する等の欠陥が生じにくくなる。
図３Ｃのように、モールド金型５６、５８内の空洞６２及び溝部７０、７２に十分な量の成形材料６８が充填されたら、成形材料６８の充填を停止し、成形材料６８を硬化させる。
成形材料６８が完全に硬化したら、図３Ｄに示すように、まず下側モールド金型５８を外し、次いで上側モールド金型５６を外してハウジング１２を取り出す。ここで、上側モールド金型５６を外す際には、リードフレーム４２が歪んだり、ハウジング１２が傾いたりする不具合を生じやすい。そこで、例えば、上側モールド金型５６にスライド可能に挿通してある押出しピン６０を矢印方向に押し出せば、そのような不具合を起こさずにハウジング１２を取り出すことができる。
図３に示す一連の工程により、図１及び図４に示すようなハウジング１２が一部に成型されたリードフレーム４２が得られる。
図１に示すように、リードフレーム４２に固定されたハウジング１２は、凹部１４の内部に露出した第１リード電極１８及び第２リード電極を備えており、それぞれのリード電極１８、２０が、リードフレーム４２に接続した第１外部電極７８及び第２外部電極８０と繋がっている。また、ハウジング１２の側面には、ハンガーリード４６、４６の先端が食い込んでいる。ハウジング１２は、外部電極７８、８０とハンガーリード４６、４６とによってリードフレーム４２に係持されている。
なお、図１及び図４では、ハウジング１２が１つだけ形成されているが、通常は、図５に示すように１枚のリードフレーム４２に多数（この図では縦３個×横２個の計６個）のハウジング１２、１２・・・が形成される。多数のハウジング１２、１２・・・を製造する場合には、多数のハウジング用空洞６２を有するモールド金型５６、５８を使用して、それらの空洞６２に同時に成形材料を注入することにより、全てのハウジング１２、１２・・・を同時に形成することができる。
（２．半導体装置１０の製造工程）
次いで、図１及び図４を参照しながら、ハウジング１２に半導体素子２８を実装して半導体装置を製造する工程を説明する。
ハウジング１２の凹部１４内で、第１リード電極１８のダイボンド領域２２に、半導体素子２８をダイボンドし、さらに、半導体素子２８の電極（正極及び負極）と、第１リード電極１８のワイヤボンド領域２４及びリード電極２０（ワイヤボンド領域２４’でもある）とのそれぞれを、導電ワイヤ３２によってワイヤボンドする。
ダイボンドで使用される接着剤は、目的に合わせて選択される。例えば、使用する接着剤の表面張力が低い場合、接着剤成分がダイボンド領域２２全体に広がって、ダイボンド領域２２の表面を覆うことがある。しかしながら、ダイボンド領域２２とワイヤボンド領域２４、２４’との間に第１及び第２壁部２６、３４、が形成されているので、接着剤成分がワイヤボンド領域２４、２４’にまで広がることがない。よって、ダイボンドの後にワイヤボンドをする際に、接着剤成分がワイヤボンドの障害になることがない。
また、壁部２６、３４の高さは、ワイヤボンドの障害にならない程度の高さにしているので、従来どおりのワイヤボンダを用いてワイヤボンドすることができ、また導電ワイヤ３２の長さを必要以上に長くせずにすむので、ワイヤボンドにかかるコストを従来と同等にすることができる。
その後に、ハウジング１２の凹部１４を樹脂４４で充填して、半導体素子２８及び導電ワイヤ３２を封止する。樹脂４４は、ハウジング１２の凹部１４内にポッティング等によって充填された後に硬化させる。
ここで、半導体発光素子に青色発光ダイオードを、樹脂４４に透光性樹脂を使用し、さらに透光性樹脂に青色光を吸収して黄色光を発する蛍光体を分散させることにより、薄型の白色発光装置を得ることができる。この薄型の白色発光装置を導光板と組み合わせることにより、バックライトに適した光源を得ることができる。
樹脂４４の封止が完了すると、外部電極７８、８０は、破線Ｘの位置で切断してリードフレーム４２から分離する。外部電極７８、８０は、ハウジング１２の外形に沿って折り曲げて、図６に図示するようなＪ−ベンド（Ｂｅｎｄ）型の形状に成形される（外部電極７８、８０のカットフォーミングと呼ばれる）。このとき、ハウジング１２は、ハンガーリード４６、４６’のみでリードフレーム４２に支持されているが、カットフォーミングの際にかかる応力でハウジング１２が傾いてリードフレーム４２から脱落しないように、ハウジング１２を保持する治具を利用するのが好ましい。
このカットフォーミングは、１枚のリードフレーム４２に形成された複数のハウジング１２に対して同時に行えるので、発光装置１０の製造効率を向上させることができる。
図６の半導体装置１０を製造する場合、カットフォーミングの最初に、外部電極７８、８０の狭幅部分をハウジング１２の凹部１４方向に折り曲げ、その後に外部電極８７、８０の広幅部分でハウジング１２の外形からはみ出た部分をＪ−ベント型に折り曲げる。これ以外のカットフォーミングとして、外部電極７８、８０の狭幅部分を、ハウジング１２の凹部１４と反対方向に折り曲げた形態や、Ｊ―ベント型に折り曲げない形態など、用途に合わせて変形が可能である。
カットフォーミングか完了したら、最後に、ハウジング１２をリードフレーム４２から外す。ハンガーリード４６、４６’を折り曲げることにより、ハンガーリード４６、４６’の先端をハウジング１２から簡単に外すことができる。
＜実施の形態２＞
実施の形態２にかかる半導体装置は、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第１リード電極１８の表面にＶ字溝５０が形成されている。Ｖ字溝５０は、第１壁部２６の直下に位置している。実施の形態２の半導体装置１０は、第１リード電極１８及び第１壁部２６を除いては、実施の形態１と同様である。
図７Ａ〜７Ｃに図示するように、第１壁部２６は、第１リード電極１８の表面上を横切り、両端でハウジング１２の側壁３８に結合している。実施の形態２では、第１リード電極１８の表面に、Ｖ字溝５０が形成されていて、そのＶ字溝５０の上に、第１壁部２６が形成されている。このＶ字溝５０は、ダイボンド領域２２とワイヤボンド領域２４との間を区分する第１壁部２６に沿って形成されるのが好ましい。すなわち、Ｖ字溝５０は、第１壁部２６と共に、第１リード電極１８の表面をダイボンド領域２２とワイヤボンド領域２４とを区分している。このようなＶ字溝５０があると、ダイボンド用の接着剤の接着剤成分が第１リード電極１８と第１壁部２６との界面を伝ってワイヤボンド領域２４方向に浸入してきても、Ｖ字溝５０の窪みに溜まってそれ以上浸入できなくなる。すなわち、第１壁部２６の直下にＶ字溝５０を備えることによって、接着剤成分がワイヤボンド領域２４に浸入するのを確実に防止することができる。
また、第１壁部２６の断面積がＶ字溝５０の分だけ大きくなることにより、第１壁部２６の強度が増加する。さらに、第１壁部２６の断面積の増加は、壁部２６とハウジング１２の側壁３８との結合強度も増加する。結合強度の増加により、第１壁部２６と第１リード電極１８の表面との密着性が高まり、これにより、接着剤成分が第１リード電極１８と第１壁部２６との界面を伝ってワイヤボンド領域２４に浸入するのを抑制するのに有効である。
このＶ字溝５０は、第１壁部２６の形成時にも有利である。図３Ｂに相当する工程において成形材料６８をモールド金型５６、５８に注入するときにも、有利な効果を奏する。即ち、図７Ｃに示すように、上側のモールド金型５６の溝７０に成形材料６８を注入して第１壁部２６を形成するとき、Ｖ字溝５０が形成されていなければ、成形材料６８は矢印ｆ１及びｆ２のように狭い部分から注入される。これに対して、Ｖ字溝５０を形成したときは、矢印ｆ３及びｆ４のように広い間口から注入でき、充填しやすくなる。このように、第１リード電極１８が、第１壁部２６の直下の位置にＶ字溝５０を有すると、溝７０に成形材料６８が充填しやすくなり、第１壁部２６が充填不十分で一部欠如する等の欠陥が生じにくくなる。このように、実施の形態２は、第２リード電極２０に比べて形成しにくい第１リード電極１８を設けるにあたり、第１リード電極１８がＶ字溝５０を有することにより、第１リード電極１８が形成しやすくなる点でも有利である。
第１リード電極１８の表面に形成したＶ字溝５０は、別の断面形状の溝に置き換えることができる。例えば、正方形、台形等の矩形、三角形や五角形等の多角形、半円形、又は半楕円形など、さまざまな断面形状の溝を形成することができる。特に、断面Ｖ字状のＶ字溝５０は、簡単な器具を押圧して成形でき、接着剤成分の浸入防止効果も高いので好ましい。
また、図７Ａに図示した半導体装置１０では、半導体素子２８の配置されたダイボンド領域２２が第１壁部２６及び第２壁部３４と、ハウジング１２の側壁３８とによって周囲を囲まれている。このような半導体装置１０では、この囲まれたダイボンド領域２２内のみに樹脂を滴下すれば、半導体素子２８の近傍のみに選択的に樹脂層を形成することができる。例えば、半導体素子２８に半導体発光素子を用いたとき、ダイボンド領域２２のみに透光性樹脂に蛍光体を含有させたプリコート層を形成すれば、半導体発光素子の近傍のみに蛍光体を配置することができる。
＜実施の形態３＞
実施の形態１では、切欠き部３６を形成し、実施の形態２では、Ｖ字溝５０を形成している。実施の形態３にかかる半導体装置は、図８Ａ〜図８Ｂに示すように、第１リード電極１８に、切欠き部３６とＶ字溝５０とが共に形成されている。それ以外は、実施の形態１及び２と同様である。なお、切欠き部３６及びＶ字溝５０の詳細な形態についても、以下に説明する以外については実施の形態１及び２と同様である。
図８Ａ〜８Ｃに図示するように、第１壁部２６は、第１リード電極１８の表面上を横切り、両端でハウジング１２の側壁３８に結合している。
実施の形態３では、第１リード電極１８の縁部１８１に、第１壁部２６を形成する位置に合わせて、矩形の切欠き部３６が形成されている。これにより、実施の形態１の切欠き部３６と同様に、第１壁部２６と第１リード電極１８の表面との密着性が高められて、第１壁部２６と第１リード電極１８との界面を伝って接着剤成分がブリードするのを抑制する効果が得られる。
また、実施の形態３では、第１リード電極１８の表面にＶ字溝５０が形成されていて、そのＶ字溝５０の上に、第１壁部２６が形成されている。このＶ字溝５０は、ダイボンド領域２２とワイヤボンド領域２４との間を区分する第１壁部２６に沿って形成されるのが好ましい。すなわち、Ｖ字溝５０は、第１壁部２６と共に、第１リード電極１８の表面をダイボンド領域２２とワイヤボンド領域２４とを区分している。これにより、実施の形態２のＶ字溝５０と同様に、第１壁部２６の直下にＶ字溝５０を備えることによって、接着剤成分がワイヤボンド領域２４に浸入するのを確実に防止できる効果が得られる。
そして、実施の形態３では、Ｖ字溝５０の一端５０１が切欠き部３６と接続していることから、図３Ｂに相当する工程において成形材料６８をモールド金型５６、５８に注入するときに、極めて有利な効果を奏する。
まず、図８Ｃの矢印ｆ１（図中左側）及び矢印ｆ２及びｆ４（図中右側）は、第１壁部２６を形成するためのモールド金型５６の溝７０に、成形材料６８が流れる道筋を示している。切欠き部３６によって、矢印ｆ２及びｆ４の流路は、矢印ｆ１に比べて幅広になっていることがわかる。第１壁部２６は、ワイヤボンドを阻害しない程度に高さを低くされているので、それに合わせて溝７０の空間も狭い。よって、溝７０には成形材料を充填しにくく、粘度の高い成形材料を使用すると部分的に充填不十分になる恐れがある。しかしながら、切欠き部３６を設けることにより充填流路が広がり、成形材料６８を充填しやすくなる。
そして、矢印ｆ２及びｆ４の流路を通った成形材料６８は、Ｖ字溝５０によって広くなった間口から溝７０の内部に向かって流れ込むので、Ｖ字溝５０のない場合に比べて充填しやすい。
このように、切欠き部３６とＶ字溝５０とを設け、且つ切欠き部３６とＶ字溝５０とを接続することにより、実施の形態１及び２と比べても、第１壁部２６の充填がさらに容易になる利点がある。
その反面、第１リード電極１８うち、第１壁部２６直下に位置する部分は、切欠き部３６によって狭幅にされ且つＶ字溝５０によって肉薄にされているので、他の部分に比べて強度が低くなる問題が発生する。もし製造途中で第１リード電極１８の先端に応力がかかれば、Ｖ字溝５０に沿って屈曲するおそれや、さらには切断する危険性もある。
そこで、実施の形態３では、Ｖ字溝５０の他端５０２を第１リード電極の縁部１８２より手前で終端させることにより、第１リード電極１８が極度に強度低下するのを抑制している。ただし、Ｖ字溝５０の他端５０２が第１リード電極の縁部１８２まで達しているほうが、成形材料６８の充填の観点では有利なので、第１リード電極１８の強度が十分で、屈曲や切断のおそれが少ない場合には、他端５０２を端部１８２まで延長するのが好ましい。
＜実施の形態４＞
図９Ａ〜図９Ｃは、実施の形態３にかかる半導体装置１０であり、凹部１４を備えたハウジング１２と、凹部１４の底部１６に露出した第１リード電極１８及び第２リード電極２０とを備えている。第１リード電極１８は、ダイボンド領域２２とワイヤボンド領域２４とを有しており、これらの領域は、第１リード電極１８の表面に、第１リード電極１８を横切って配置された第１壁部２６によって区分されている。第２リード電極２０は、ダイボンド領域を持たず、ワイヤボンド領域２４’のみから構成されている。第１リード電極１８と第２リード電極２０との間には、第２壁部３４が突出している。第１及び第２壁部２６、３４は、ハウジング１２と一体に形成されている。半導体素子２８は、その基板側がダイボンド領域２２にダイボンド用の接着剤から成る接着層３０により固定されており、さらに半導体側に形成された電極がワイヤボンド領域２４、２４’に導電ワイヤ３２、３２’により接続されている。また、この半導体装置１０は、半導体素子２８に過剰な電流が通電されるのを保護する保護素子５２を備えており、この保護素子も、ダイボンド領域２２に接着剤でダイボンドされている。
実施の形態４では、第１壁部２６と第２壁部３４とが繋がって、一体に形成されている。第１及び第２壁部２６、３４は、接着剤成分がダイボンド領域２２からワイヤボンド領域２４、２４’にブリードせず、また、導電ワイヤ３２、３２’によるワイヤボンドを阻害しない高さに形成される。壁部２６、３４は、接着剤成分のブリードを防止でき、そして導電ワイヤのワイヤボンドを妨げなければ、どのような形状にすることもでき、図９Ａ〜図９Ｃのように断面矩形以外にも、例えば断面三角形、断面台形、断面半円形又は断面半楕円径などの様々な断面形状を有する形態にすることができる。
図９Ａ〜９Ｃに図示するように、第１壁部２６は、第１リード電極１８の表面上を横切り、そのままハウジング１２の側壁３８まで伸びている。実施の形態４では、第１リード電極１８に円形の貫通孔３６’が形成されており、この貫通孔３６’を介して、第１壁部２６とハウジング１２の底部４０とが強く結合している。このような貫通孔３６’ を形成することにより、第１壁部２６と第１リード電極１８の表面との密着性が高められて、第１壁部２６と第１リード電極１８との界面を伝ってボンディング樹脂がブリードするのを、より効果的に抑制できる。
また、第２壁部３４は、第１リード電極１８と第２リード電極２０との間を介してハウジング１２の底部４０と接続し、また第２壁部３４の両端もハウジング１２の側壁３８まで伸びている。よって、ハウジングの凹部内の第１リード電極１８と第２リード電極２０との間は、第２壁部３４によって完全に分離されている。
第１リード電極１８には、第１壁部２６を形成する位置に合わせて、貫通孔３６’が形成されている。図９Ａ〜図９Ｃから分かるように、貫通孔３６’を形成することにより、第１壁部２６の中央付近が、ハウジング１２の底部４０に接続される。これにより、第１壁部２６の強度が増加し、また第１壁部２６を第１リード電極１８の表面により密着させることができる。また、密着性の向上は、接着剤成分が、第１リード電極１８と第１壁部２６との界面を伝ってワイヤボンド領域２４に浸入するのを防止するのに有効である。また、この切欠き部３６は、第１壁部２６を形成するときに成形材料の注入を容易にして、第１壁部２６が充填不十分で一部欠如する等の欠陥が生じにくくする効果がある。
また、実施の形態４では、幅の広い第１リード電極１８を備えた半導体装置であるので、第１リード電極１８を貫通する穴部から成る貫通孔３６’を形成しても、第１リード電極１８の強度を維持することができる。幅の広い第１リード電極１８では、実施の形態１のような縁部に形成した切欠き部３６よりは、第１リード電極１８の縁部以外に貫通孔として形成した貫通孔３６’のほうが好ましく、第１壁部２６とハウジング１２の底部４０との結合により第１リード電極１８が浮き上がるのを抑える、いわゆるアンカーホールとしても機能する。
貫通孔３６’は、図９Ａ〜図９Ｃでは円形に長方形に切り抜かれているが、これに限定されるものではなく、例えば、正方形、長方形、台形等の矩形、三角形や五角形等の多角形、又は楕円形など、さまざまな形状に切り抜いて形成することができる。また、図示した貫通孔３６’の直径は、第１壁部２６の幅以上に大きくされているのが好ましい。これは以下の理由による。
第１壁部２６を形成するためのモールド金型５６の溝７０に成形材料６８を充填するとき、貫通孔３６’から注入される成形材料６８は、溝７０の長さ方向には比較的流れやすいが、幅方向には流れにくい。そして、その流れやすさの傾向は、溝７０の高さが小さくなると、より顕著になる。本発明では、第１壁部２６を、導電ワイヤ３２のワイヤボンディングを阻害しない程度の低さにしているので、貫通孔３６’から流入した成形材料６８は、溝７０の幅方向に極めて流れにくくなる。その結果、貫通孔３６’の近傍の、特に第１壁部２６の幅方向において、成形材料６８の未充填による欠陥ができるおそれがある。これに対して、貫通孔３６’の直径を第１壁部２６の幅よりも大きくすれば、貫通孔３６’から注入した成形材料６８は、初めから第１壁部２６の幅いっぱいに充填されるので、成形材料６８の未充填の問題が発生しない。
ただし、成形材料６８の回り込みが良好で、溝７０全体に成形材料８を十分に充填できる場合には、貫通孔３６’の直径を、第１壁部２６の幅よりも小さくしても問題はない。
また、実施の形態２のように、第１リード電極１８の表面にＶ字溝５０を形成することもできる。Ｖ字溝は、第１壁部２６の直下で、且つ第１壁部２６に沿って形成するのが好ましい。Ｖ字溝を形成することにより、ダイボンド用の接着剤の接着剤成分が第１リード電極１８と第１壁部２６との界面を伝ってワイヤボンド領域２４方向に浸入してきても、Ｖ字溝の窪みに溜まってそれ以上浸入できなくなる。
そして、Ｖ字溝は、第１壁部２６を形成するときに、成形材料がＶ字溝を通って第１壁部２６に注入されるので、十分に充填することが可能になる。よって、体積が小さく、注入口も狭いため、成形材料を充填しにくい第１壁部２６であっても、充填不十分により一部欠如する等の欠陥が生じにくくなる。
本発明の半導体装置１０は、ハウジング１２の凹部１４に樹脂を充填して、凹部１４内に固定した半導体素子２８を外部環境から保護するのが好ましい。特に、半導体素子２８が半導体発光素子の場合には、充填する樹脂に透光性樹脂を選択すれば、光を取り出すことができる。また、半導体発光素子２８の発光色とは異なる色を発光させたい場合には、透光性樹脂に蛍光体を混ぜることにより発光波長を変換することができる。
実施の形態４にかかる半導体装置１０は、実施の形態１の半導体装置１０とは形状が大きく異なっているが、適切なリードフレームとモールド金型とを使用することにより、同様の製造方法によって成形することができる。
＜好適な材料＞
実施の形態１〜４の半導体装置１０の各構成部材に適した材料ついて、以下に詳述する。
（第１及び第２リード電極１８、２０、第１及び第２外部電極７８、８０）
第１リード電極１８、第２リード電極２０、第１外部電極７８及び第２外部電極８０は、すべて同一の導電性材料から形成されており、加工性や強度の観点からすると、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅及び銅、金、銀をメッキしたアルミニウム、鉄、銅等から形成するのが好ましい。
（ハウジング１２及び壁部２６、３４）
ハウジング１２及び壁部２６、３４の成形材料には、例えば、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、ポリフタルアミド樹脂のような高融点結晶を含有する半結晶性ポリマー樹脂は、表面エネルギーが大きく、ハウジング１２の凹部１４に充填する封止樹脂との密着性が良好であるので、好適である。これにより、封止樹脂を充填し硬化する工程において、樹脂の冷却過程の間にハウジングと封止樹脂との界面が剥離しにくくなる。また、半導体素子２８に半導体発光素子を用いて半導体発光装置１０を製造するならば、成形材料中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合して、ハウジング１２の反射率を高めることもできる。
（接着層３０）
接着層３０は、ダイボンド用の接着剤から形成されており、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの絶縁性接着剤や、銀ペーストなどの導電性接着剤を使用することができる。
本発明では、壁部を備えているので、従来は使用しにくかったエポキシ樹脂のような表面張力の低い接着剤成分を含む接着剤も使用できる。
（導電ワイヤ３２）
ワイヤボンディング用の導電ワイヤ３２としては、例えば、金線、銅線、白金線、アルミニウム線等の金属及びそれらの合金から成る金属製のワイヤを用いることが出来る。
（樹脂４４）
凹部１４を封止するのに樹脂４４に適した材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、及び、それらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等の耐候性に優れた樹脂が挙げられる。また、樹脂４４に代えて、ガラス、シリカゲルなどの耐光性に優れた無機物を用いることもできる。これらの樹脂や無機物は、透光性にすることができるので、半導体発光装置１０を製造する場合にも適している。
また、白色の半導体発光装置１０を製造する場合には、半導体素子２８に青色発光ダイオードを用い、透光性の樹脂４４に蛍光体の粒子を分散させるとよい。蛍光体としては、青色光を吸収して黄色光を発する希土類系蛍光体（例えばＹＡＧ系蛍光体）が好適である。
実施の形態１〜実施の形態３にかかる半導体装置の概略上面図である。 実施の形態１にかかる半導体装置を、図１のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面斜視図である。 図２Ａの一部を拡大した部分拡大図である。 図２Ａ及び図２ＢのＢ−Ｂ線に沿って切断した半導体装置の概略断面図である。 実施の形態１にかかる半導体装置用のハウジングを製造する工程を示す概略断面図である。 実施の形態１にかかる半導体装置用のハウジングを製造する工程を示す概略断面図である。 実施の形態１にかかる半導体装置用のハウジングを製造する工程を示す概略断面図である。 実施の形態１にかかる半導体装置用のハウジングを製造する工程を示す概略断面図である。 実施の形態１にかかる半導体装置用のハウジングの概略斜視図である。 実施の形態１にかかる半導体装置用のハウジングが複数配列した様子を示す概略斜視図である。 実施の形態１にかかる半導体装置の概略斜視図である。 実施の形態２にかかる半導体装置を、図１のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面斜視図である。 図７Ａの一部を拡大した部分拡大図である。 図７Ａ及び図７ＢのＣ−Ｃ線に沿って切断した半導体装置の概略断面図である。 実施の形態３にかかる半導体装置を、図１のＡ−Ａ線に沿って切断した概略断面斜視図である。 図８Ａの一部を拡大した部分拡大図である。 図８Ａ及び図８ＢのＤ−Ｄ線に沿って切断した半導体装置の概略断面図である。 実施の形態４にかかる半導体装置の概略斜視図である。 実施の形態４にかかる半導体装置の概略上面図である。 図９ＢのＥ−Ｅ線に沿って切断した半導体装置の概略断面図である。
符号の説明
１０ 半導体発光装置、 １２ ハウジング、 １４ 凹部、 １８ 第１リード電極、 ２０ 第２リード電極、 ２２ ダイボンド領域、 ２４、２４’ ワイヤボンド領域、 ２６ 第１壁部、 ２８ 半導体素子、 ３０ 接着層、 ３２ 導電ワイヤ、 ３４ 第２壁部、 ３６ 切欠き部、 ３６’ 貫通孔、 ４２ リードフレーム、 ５０ Ｖ字溝、 ５２ 保護素子、 ７８ 第１外部電極、 ８０ 第２外部電極、 １８１、１８２ 第１リード電極の縁部、 ５０１ Ｖ字溝の一端、 ５０２ Ｖ字溝の他端。

Claims (5)

  1. 一対の電極を有する半導体素子と、
    前記半導体素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
    前記凹部の底面に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、
    前記半導体素子を前記第１リード電極にダイボンドする接着層と、
    前記半導体素子の前記一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれワイヤボンドする導電ワイヤと、を備えた半導体装置であって、
    前記ハウジングが、前記凹部底面に、前記第１リード電極の表面をダイボンド領域とワイヤボンド領域とに区分するように横断して設けられた少なくとも１つの壁部を備えており、
    前記第１リード電極は、少なくとも前記壁部の直下に、前記第１リード電極の縁部を切り欠いた切欠き部を備えており、前記壁部と前記ハウジングの底部とが、前記切欠き部を通じて接続されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 一対の電極を有する半導体素子と、
    前記半導体素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
    前記凹部の底面に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、
    前記半導体素子を前記第１リード電極にダイボンドする接着層と、
    前記半導体素子の前記一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれワイヤボンドする導電ワイヤと、を備えた半導体装置であって、
    前記ハウジングが、前記凹部底面に、前記第１リード電極の表面をダイボンド領域とワイヤボンド領域とに区分するように横断して設けられた少なくとも１つの壁部を備えており、
    前記第１リード電極は、少なくとも前記壁部の直下に、前記第１リード電極に形成された貫通孔を備えており、前記壁部と前記ハウジングの底部とが、前記貫通孔を通じて接続されていることを特徴とする半導体装置。
  3. 前記第１リード電極の表面には、前記壁部の直下にさらに溝部が設けられており、前記溝部は前記壁部に沿って延在すると共に、前記溝部に前記壁の底部が係合している請求項１又は２に記載の半導体装置。
  4. 一対の電極を有する半導体素子と、
    前記半導体素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
    前記凹部の底面に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、
    前記半導体素子を前記第１リード電極にダイボンドする接着層と、
    前記半導体素子の前記一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれワイヤボンドする導電ワイヤと、を備えた半導体装置であって、
    前記ハウジングが、前記凹部底面に、前記第１リード電極の表面をダイボンド領域とワイヤボンド領域とに区分するように横断して設けられた少なくとも１つの壁部を備えており、
    前記第１リード電極の表面には、前記壁部の直下に溝部が設けられており、前記溝部は前記壁部に沿って延在すると共に、前記溝部に前記壁部の底部が係合していることを特徴とする半導体装置。
  5. 一対の電極を有する半導体素子と、
    前記半導体素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
    前記凹部の底面に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、
    前記半導体素子を前記第１リード電極にダイボンドする接着層と、
    前記半導体素子の前記一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれワイヤボンドする導電ワイヤと、を備えた半導体装置であって、
    前記ハウジングが、前記凹部底面に、前記第１リード電極の表面をダイボンド領域とワイヤボンド領域とに区分するように横断して設けられた少なくとも１つの壁部を備えており、
    前記第１リード電極の縁部には、少なくとも前記壁部の直下に切欠き部を備えて、前記壁部と前記ハウジングの底部とが前記切欠き部を通じて接続されており、
    前記第１リード電極の表面には、前記壁部の直下で前記壁部に沿って延びる溝部が設けられており、
    前記溝部の一端は、前記第１リード電極の縁部まで延びて前記切欠き部と接続し、
    前記溝部の他端は、前記第１リード電極の縁部より手前で終端しており、
    前記溝部には、前記壁の底部が係合していることを特徴とする半導体装置。
JP2006342341A 2006-04-19 2006-12-20 半導体装置 Active JP4952233B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006342341A JP4952233B2 (ja) 2006-04-19 2006-12-20 半導体装置
CN2007100898344A CN101060103B (zh) 2006-04-19 2007-04-05 半导体装置
US11/785,380 US7432589B2 (en) 2006-04-19 2007-04-17 Semiconductor device
KR1020070037869A KR101048977B1 (ko) 2006-04-19 2007-04-18 반도체 장치
EP07106416.6A EP1848045B1 (en) 2006-04-19 2007-04-18 Housing for semiconductor light emitting or receiving device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006115771 2006-04-19
JP2006115771 2006-04-19
JP2006342341A JP4952233B2 (ja) 2006-04-19 2006-12-20 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007311749A true JP2007311749A (ja) 2007-11-29
JP2007311749A5 JP2007311749A5 (ja) 2010-01-14
JP4952233B2 JP4952233B2 (ja) 2012-06-13

Family

ID=38261537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006342341A Active JP4952233B2 (ja) 2006-04-19 2006-12-20 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7432589B2 (ja)
EP (1) EP1848045B1 (ja)
JP (1) JP4952233B2 (ja)
KR (1) KR101048977B1 (ja)
CN (1) CN101060103B (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2071210A1 (en) 2007-11-30 2009-06-17 Tokai Rubber Industries, Ltd. Fluid filled type vibration damping device
JP2010129985A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Nichia Corp 半導体装置
JP2011138849A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Nichia Corp 発光装置およびその製造方法
JP2011233800A (ja) * 2010-04-30 2011-11-17 Rohm Co Ltd 発光素子モジュール
DE112009001615T5 (de) 2008-06-30 2012-01-12 Tokai Rubber Industries, Ltd. Fluidgefüllter Schwingungsdämpfer
JP2013069903A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Fusheng Industrial Co Ltd 発光ダイオードの支持フレーム構造およびその製作方法（一）
US9167699B2 (en) 2010-11-16 2015-10-20 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016111067A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 日亜化学工業株式会社 パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
US10141490B2 (en) 2016-08-16 2018-11-27 Nichia Corporation Composite base and method of manufacturing light emitting device
JP2019062214A (ja) * 2018-11-27 2019-04-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2021027144A (ja) * 2019-08-05 2021-02-22 ローム株式会社 半導体発光装置
WO2023248760A1 (ja) * 2022-06-23 2023-12-28 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置、および、半導体発光装置の製造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007081719A2 (en) 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
JP5119621B2 (ja) * 2006-04-21 2013-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN101553928B (zh) 2006-10-02 2011-06-01 伊鲁米特克有限公司 Led系统和方法
WO2009100358A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
KR101438826B1 (ko) 2008-06-23 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광장치
JP5464825B2 (ja) * 2008-07-23 2014-04-09 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP5217800B2 (ja) * 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
KR101007131B1 (ko) 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8598602B2 (en) * 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
WO2012109225A1 (en) 2011-02-07 2012-08-16 Cree, Inc. Components and methods for light emitting diode (led) lighting
KR102042150B1 (ko) * 2012-09-13 2019-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템
US9748164B2 (en) * 2013-03-05 2017-08-29 Nichia Corporation Semiconductor device
TWI553264B (zh) * 2014-05-23 2016-10-11 億光電子工業股份有限公司 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法
US10177292B2 (en) 2014-05-23 2019-01-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
US20160351462A1 (en) * 2015-05-25 2016-12-01 Inotera Memories, Inc. Fan-out wafer level package and fabrication method thereof
CN106571383B (zh) 2015-10-08 2020-04-28 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
US11561338B2 (en) 2019-09-30 2023-01-24 Nichia Corporation Light-emitting module
US11112555B2 (en) 2019-09-30 2021-09-07 Nichia Corporation Light-emitting module with a plurality of light guide plates and a gap therein

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5013877A (ja) * 1973-06-12 1975-02-13
JPS6247156A (ja) * 1985-08-26 1987-02-28 Toshiba Corp 絶縁ゲ−ト型半導体装置
JPH038459A (ja) * 1989-06-05 1991-01-16 Geinzu:Kk シャワーヘッド
JPH04130740A (ja) * 1990-09-21 1992-05-01 Matsushita Electric Works Ltd 半導体パッケージ
JPH10294495A (ja) * 1997-04-17 1998-11-04 Matsushita Electron Corp 電子部品
JP2001177160A (ja) * 1999-10-07 2001-06-29 Denso Corp 表面実装型発光ダイオード
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2004214338A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光装置
JP2005033194A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP2005353914A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6247156U (ja) 1985-09-12 1987-03-23
US5261157A (en) * 1991-01-22 1993-11-16 Olin Corporation Assembly of electronic packages by vacuum lamination
US5650593A (en) * 1994-05-26 1997-07-22 Amkor Electronics, Inc. Thermally enhanced chip carrier package
US6856357B1 (en) * 1999-06-11 2005-02-15 Stmicroelectronics Limited Image sensor packaging
US6426565B1 (en) * 2000-03-22 2002-07-30 International Business Machines Corporation Electronic package and method of making same
JP2002009220A (ja) * 2000-06-23 2002-01-11 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP3895570B2 (ja) * 2000-12-28 2007-03-22 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
WO2002084733A1 (fr) * 2001-04-09 2002-10-24 Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices Inc. Boitier bga de type a rayonnement et son prodede de production
CN2484636Y (zh) * 2001-05-16 2002-04-03 朋程科技股份有限公司 嵌入式功率半导体封装结构
US6879040B2 (en) * 2002-09-18 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Surface mountable electronic device
US7023084B2 (en) * 2003-03-18 2006-04-04 Sumitomo Metal (Smi) Electronics Devices Inc. Plastic packaging with high heat dissipation and method for the same
KR20050092300A (ko) * 2004-03-15 2005-09-21 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드 패키지
KR100638721B1 (ko) * 2005-01-28 2006-10-30 삼성전기주식회사 수지 흐름 개선용 리드 프레임 구조를 갖는 측면형발광다이오드 패키지
KR101161384B1 (ko) * 2005-03-29 2012-07-02 서울반도체 주식회사 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 발광다이오드 패키지
US20080130935A1 (en) * 2006-09-27 2008-06-05 Yamaha Corporation Microphone package

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5013877A (ja) * 1973-06-12 1975-02-13
JPS6247156A (ja) * 1985-08-26 1987-02-28 Toshiba Corp 絶縁ゲ−ト型半導体装置
JPH038459A (ja) * 1989-06-05 1991-01-16 Geinzu:Kk シャワーヘッド
JPH04130740A (ja) * 1990-09-21 1992-05-01 Matsushita Electric Works Ltd 半導体パッケージ
JPH10294495A (ja) * 1997-04-17 1998-11-04 Matsushita Electron Corp 電子部品
JP2001177160A (ja) * 1999-10-07 2001-06-29 Denso Corp 表面実装型発光ダイオード
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2004214338A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光装置
JP2005033194A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP2005353914A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2071210A1 (en) 2007-11-30 2009-06-17 Tokai Rubber Industries, Ltd. Fluid filled type vibration damping device
US8556239B2 (en) 2008-06-30 2013-10-15 Tokai Rubber Industries, Ltd. Fluid filled type vibration damping device
DE112009001615T5 (de) 2008-06-30 2012-01-12 Tokai Rubber Industries, Ltd. Fluidgefüllter Schwingungsdämpfer
JP2010129985A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Nichia Corp 半導体装置
JP2011138849A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Nichia Corp 発光装置およびその製造方法
JP2011233800A (ja) * 2010-04-30 2011-11-17 Rohm Co Ltd 発光素子モジュール
US9167699B2 (en) 2010-11-16 2015-10-20 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP5972172B2 (ja) * 2010-11-16 2016-08-17 富士電機株式会社 半導体装置
JP2013069903A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Fusheng Industrial Co Ltd 発光ダイオードの支持フレーム構造およびその製作方法（一）
JP2016111067A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 日亜化学工業株式会社 パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
US10141490B2 (en) 2016-08-16 2018-11-27 Nichia Corporation Composite base and method of manufacturing light emitting device
JP2019062214A (ja) * 2018-11-27 2019-04-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2021027144A (ja) * 2019-08-05 2021-02-22 ローム株式会社 半導体発光装置
JP7337590B2 (ja) 2019-08-05 2023-09-04 ローム株式会社 半導体発光装置
WO2023248760A1 (ja) * 2022-06-23 2023-12-28 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置、および、半導体発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101048977B1 (ko) 2011-07-12
EP1848045A3 (en) 2012-07-18
EP1848045B1 (en) 2017-12-27
JP4952233B2 (ja) 2012-06-13
US7432589B2 (en) 2008-10-07
EP1848045A2 (en) 2007-10-24
CN101060103A (zh) 2007-10-24
CN101060103B (zh) 2010-05-26
US20070246841A1 (en) 2007-10-25
KR20070103696A (ko) 2007-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4952233B2 (ja) 半導体装置
US11018286B2 (en) Method of manufacturing light emitting device and light emitting device
JP6260593B2 (ja) リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
JP2012028699A (ja) 半導体装置、リードフレーム集合体及びその製造方法
US8872218B2 (en) Molded package and light emitting device
JP2005197369A (ja) 光半導体装置
JP2007207986A5 (ja)
KR20100115365A (ko) 발광 장치
KR20200001240U (ko) 발광 소자 패키지
JP2013251422A (ja) Ｌｅｄチップ実装用基板、ｌｅｄパッケージ、金型、並びに、ｌｅｄチップ実装用基板及びｌｅｄパッケージの製造方法
JP2009206370A (ja) Ｌｅｄパッケージ用基板、ｌｅｄパッケージ用基板の製造方法、ｌｅｄパッケージ用基板のモールド金型、ｌｅｄパッケージ、及び、ｌｅｄパッケージの製造方法
JP5180694B2 (ja) Ｌｅｄチップ実装用基板の製造方法、ｌｅｄチップ実装用基板のモールド金型、ｌｅｄチップ実装用基板、及び、ｌｅｄ
JP6107229B2 (ja) 発光装置
JP2017037917A (ja) リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
TW201448286A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
JP2017117901A (ja) 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法
KR101863549B1 (ko) 반도체 발광소자
JP7469722B2 (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
JP4390989B2 (ja) 電子部品およびその製造方法
US10847700B2 (en) Package, light emitting device, method of manufacturing package, and method of manufacturing light emitting device
JP7108221B2 (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
JP5873886B2 (ja) 樹脂成形体の製造方法、及び、ｌｅｄパッケージの製造方法
JP5511881B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ用基板、ｌｅｄパッケージ用基板の製造方法、ｌｅｄパッケージ用基板のモールド金型、ｌｅｄパッケージ、及び、ｌｅｄパッケージの製造方法
JP2006114671A (ja) 樹脂封止型発光装置
JP6604193B2 (ja) 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091125

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110817

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111019

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120214

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4952233

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250