JP2021027144A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】接合材の広がりを抑制できる半導体発光装置を提供すること。【解決手段】半導体発光装置Ａ１０は、メインリード１０と、サブリード４０と、メインリード１０とサブリード４０とを支持するケース７０を備える。ケース７０は、メインリード１０の一部を露出するメイン開口部７１と、サブリード４０の一部を露出するサブ開口部７２を有する。ケース７０は、メインリード１０とサブリード４０との間に配設された壁部７８を有している。壁部７８は、メインリード１０及びサブリード４０の主面１０１，４０１から、ケース７０のケース主面７０１の側に突出している。半導体発光素子５１は、接合材によって、メインリード１０のダイボンディング部２６に接合される。半導体発光素子５１の電極５１４は、ワイヤ６１によりサブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に接続される。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体発光装置に関するものである。

従来、半導体発光装置は、半導体発光素子、リード、及び樹脂製のケースを備えている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１８−１２５３７２号公報

ところで、半導体発光素子は、接合材を用いてリードに接合される。この接合材がリードの所望箇所から過大に広がってしまうと、半導体発光素子をリードに接続するワイヤの接続性を低下させる虞がある。

本開示の目的は、接合材の広がりを抑制可能とした半導体発光装置を提供することにある。

本開示の一態様である半導体発光装置は、主面を有するメインリードと、前記メインリードの前記主面に搭載される半導体発光素子と、前記半導体発光素子を前記主面に接合する接合材と、前記メインリードに対して第１の方向に配置され、前記メインリードの主面と同じ側を向く主面を有するサブリードと、前記サブリードの主面に第１端が接続され、前記半導体発光素子に第２端が接続された第１ワイヤと、前記メインリード及び前記サブリードの主面と同じ方向を向くケース主面を有し、前記メインリード及び前記サブリードを支持する樹脂製のケースと、を備え、前記ケースは、前記半導体発光素子に向かうメイン内側面により区画され、前記メインリードの前記主面の一部と前記半導体発光素子とを露出するメイン開口部と、前記メイン内側面のうちの前記サブリードとは反対側を向く第１メイン内側面から前記第１の方向に延び、前記サブリードの前記主面の一部と前記ワイヤの前記第１端とを露出するサブ開口部と、前記メインリードと前記サブリードとの間に配置され、前記第１の方向と直交するとともに前記メインリードの主面と平行な第２の方向に沿って延び、前記メインリードの主面及び前記サブリードの主面よりも前記ケース主面の側に突出し、上面が前記ケース主面と前記メインリードの主面及び前記サブリードの主面との間に位置する壁部と、を有し、前記第１メイン内側面は、前記壁部の前記上面から前記ケースの前記ケース主面まで延びる。

この構成によれば、面積の大きな半導体発光素子の接合には、多くの接合材が用いられる。ダイボンディング処理において、接合材がダイボンディング部から流れ出す場合がある。壁部は、メインリードから流れ出す接合材は、壁部によって遮られ、サブリードに流れ込まない。従って、サブリードに対する接合材の流れ込みが抑制される。

本開示の一態様である半導体発光装置によれば、接合材の広がりを抑制できる。

第一実施形態の半導体発光装置の概略平面図。 第一実施形態の半導体発光装置の概略底面図。 第一実施形態のメインリード及びサブリードの平面図。 第一実施形態の半導体発光装置の上面側から視た概略斜視図。 第一実施形態の半導体発光装置を裏面側から視た概略斜視図。 図１の６−６線断面図。 図１の７−７線断面図。 図１の８−８線断面図。 図１の９−９線断面図。 第一実施形態の半導体発光装置のためのリードフレームの一部を示す平面図。 ワイヤボンディング及びダイボンディングを説明するためのリードフレームの平面図。 ワイヤボンディング及びダイボンディングを説明するためのリードフレームの断面図。 リードフレーム及び金型を示す概略断面図。 リードフレーム及び金型を示す概略断面図。 リードフレーム及び金型を示す概略断面図。 リードフレーム及び金型を示す概略断面図。 第二実施形態の半導体発光装置の概略平面図。 第三実施形態の半導体発光装置の概略平面図。 第三実施形態の半導体発光装置の概略底面図。 第三実施形態の半導体発光装置のためのリードフレームの一部を示す平面図。 変更例の半導体発光装置の概略平面図。 変更例の半導体発光装置の概略平面図。 変更例の半導体発光装置の概略平面図。 変更例の半導体発光装置の概略平面図。

以下、実施形態及び変形例について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態及び変形例は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の各実施形態及び変形例は、種々の変更を加えることができる。また、以下の実施形態及び変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

（第一実施形態）
以下、第一実施形態の半導体発光装置を、図１から図１６に従って説明する。
図１から図８に示すように、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０は、メインリード１０、サブリード４０、半導体発光素子５１、保護素子５２、ワイヤ６１，６２，６３、ケース７０、封止部材９０を有している。なお、封止部材９０は、図３以外の図面において省略されている。

半導体発光装置Ａ１０は、直方体状をなしている。半導体発光装置Ａ１０は、長さが例えば２．７ｍｍ、幅が例えば２．０ｍｍ、厚さが例えば０．６ｍｍとされており、薄型の半導体発光装置として構成されている。ここで、説明の便宜上、半導体発光装置Ａ１０の厚さ方向ｚに対して直交する半導体発光装置Ａ１０の長手方向を第１の方向ｙとし、厚さ方向ｚ及び第１の方向ｙと直交する半導体発光装置の短手方向を第２の方向ｘとする。

図１及び図２に示すように、メインリード１０及びサブリード４０は、第１の方向ｙに配列されている。メインリード１０及びサブリード４０は、半導体発光素子５１及び保護素子５２を支持する。保護素子５２は、例えばツェナーダイオードである。また、メインリード１０及びサブリード４０は、半導体発光素子５１に電力供給するためのものである。メインリード１０は、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、またはこれらの少なくとも１つを含む合金からなる母材と、この母材の表面のめっき層とからなる。めっき層は、例えば、Ｎｉめっき層、金（Ａｕ）−パラジウム（Ｐｄ）めっき層、銀（Ａｇ）めっき層、等の少なくとも１つの層からなる。サブリード４０は、例えばＣｕ、Ｎｉ、またはこれらの少なくとも１つを含む合金からなる母材と、この母材の表面のめっき層とからなる。めっき層は、例えば、Ｎｉめっき層、Ａｕ−Ｐｄめっき層、Ａｇめっき層、等の少なくとも１つの層からなる。

ケース７０は、全体が長方形状である。ケース７０は、メインリード１０、サブリード４０を支持する。ケース７０は、ケース主面７０１、ケース裏面７０２、ケース外側面７０３，７０４，７０５，７０６を有する。ケース主面７０１とケース裏面７０２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。ケース外側面７０３とケース外側面７０４は、第１の方向ｙにおいて互いに反対側を向く。ケース外側面７０５とケース外側面７０６は、第２の方向ｘにおいて互いに反対側を向く。

メインリード１０は、第１素子搭載部１１、第２素子搭載部１２、接続部１３を有している。
第１素子搭載部１１は、半導体発光素子５１が搭載される部分である。第２素子搭載部１２は、保護素子５２が搭載される部分である。接続部１３は、第１素子搭載部１１に第２素子搭載部１２を接続する部分である。

第１素子搭載部１１は、第１の方向ｙにおいて半導体発光装置Ａ１０の一方の端部側、図１、図２及び図３の下側に設けられている。第２素子搭載部１２は、第１素子搭載部１１から第１の方向ｙに向かう方向に配置され、接続部１３を介して第１素子搭載部１１に接続されている。言い換えると、第１素子搭載部１１から、接続部１３と第２素子搭載部１２とがこの順番で第１の方向ｙに沿って配置されている。第２素子搭載部１２は、第２の方向ｘにおいて、サブリード４０と並べて配設されている。つまり、第２素子搭載部１２は、第２の方向ｘにおいて半導体発光装置Ａ１０の一方の端部側（図１において左側）に配置され、サブリード４０は、第２の方向ｘにおいて半導体発光装置Ａ１０の他方の端部側（図１において右側）に配置されている。

図１、図２及び図３に示すように、第１素子搭載部１１は、本体部２１、縁部２２、及び延出部２３１，２３２，２３３，２３４を有している。本体部２１は、厚さ方向ｚから視て四角形状である。本体部２１は、厚さ方向ｚにおいて、互いに反対側を向く主面２１１と裏面２１２を有している。本体部２１の厚さは、例えば０．２ｍｍ程度である。図２及び図５に示すように、本体部２１の裏面２１２は、ケース７０のケース裏面７０２と面一であり、ケース裏面７０２から露出している。

本体部２１には、主面２１１から裏面２１２に向かって窪む溝２４，２５が形成されている。第一実施形態において、溝２４，２５は、第１の方向ｙに沿って配列されている。また、溝２４，２５は、第２の方向ｘにおいて本体部２１の中央に配置されている。

溝２４は、第２の方向ｘに延びる溝部２４１，２４２と、第１の方向ｙに延びる溝部２４３，２４４とを有している。溝部２４３，２４４は、第２の方向ｘにおける溝部２４１，２４２の端部をそれぞれ連通するように接続する。この溝２４は、厚さ方向から視て矩形の環状に形成されている。溝２４の深さは、例えば５０μｍ程度である。

溝２５は、第２の方向ｘに延びる溝部２５１，２５２と、半円環状を成なす溝部２５３，２５４とを有している。溝部２５３，２５４は、第２の方向ｘにおける溝部２５１，２５２の端部をそれぞれ連通するように接続する。この溝２５は、厚さ方向ｚから視て、幅方向の両側が半円状に膨らんだ長円の環状に形成されている。溝２５の深さは、例えば５０μｍ程度である。

第一実施形態において、環状の溝２４の内側をダイボンディング部２６とし、環状の溝２５の内側をワイヤボンディング部２７としている。つまり、第一実施形態のメインリード１０は、ダイボンディング部２６とワイヤボンディング部２７とを有し、それらは溝２４，２５により囲まれている。

図２及び図３に示すように、縁部２２は、本体部２１の周辺に沿って設けられている。つまり、縁部２２は、本体部２１に対して、第１の方向ｙの両側と、第２の方向ｘの両側とに設けられている。図８に示すように、縁部２２は、本体部２１よりも薄い部分である。縁部２２の厚さは、例えば０．１ｍｍ程度である。縁部２２の主面２２１は厚さ方向ｚにおいて、本体部２１の主面２１１と同じ位置にある。縁部２２の裏面２２２は、本体部２１の裏面２１２よりも本体部２１の主面２１１の側に位置している。つまり、縁部２２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出していない。

図２及び図３に示すように、延出部２３１，２３２，２３３は、本体部２１から縁部２２よりも外側に延びている。延出部２３４は、縁部２２から外側に延びている。
延出部２３１，２３２は、第２の方向ｘにおいて本体部２１の両側の端部から、互いに反対方向に延びている。延出部２３１，２３２は、第２の方向ｘにおいて、互いに重なる位置に配置されている。延出部２３３は、本体部２１において、サブリード４０とは反対側の端部から第１の方向ｙに沿って延びている。延出部２３３は、第２の方向ｘにおいて本体部２１の中央に配置されている。

延出部２３１，２３２，２３３は、それぞれ２つの肉厚部Ｔ１１，Ｔ１２と、肉厚部Ｔ１１、Ｔ１２の間の肉薄部Ｔ１３と、を有する。延出部２３１，２３２において、肉厚部Ｔ１１，Ｔ１２は、第１の方向ｙにそって配列されている。延出部２３３において、肉厚部Ｔ１１，Ｔ１２は、第２の方向ｘに沿って配列されている。例えば、肉厚部Ｔ１１，Ｔ１２の厚さは、本体部２１の厚さと等しく、肉薄部Ｔ１３の厚さは縁部２２の厚さと等しい。なお、肉厚部Ｔ１１，Ｔ１２と肉薄部Ｔ１３の厚さは適宜変更されてもよい。

図５に示すように、延出部２３１の端面２３１ｓは、ケース７０のケース外側面７０５から露出している。図４に示すように、延出部２３２の端面２３２ｓは、ケース７０のケース外側面７０６から露出している。図４に示すように、延出部２３３の端面２３３ｓは、ケース７０のケース外側面７０４から露出している。図５に示すように、延出部２３１，２３２，２３３の肉厚部Ｔ１１，Ｔ１２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出している。なお、各端面２３１ｓ，２３２ｓ，２３３ｓでは、メインリード１０の母材が露出している。なお、延出部２３１，２３２，２３３の端面２３１ｓ、２３２ｓ、２３３ｓにメッキ層が形成されていてもよい。

図２及び図３に示すように、延出部２３４は、縁部２２において、サブリード４０と反対側の端部から延びている。また、延出部２３４は、ケース７０のケース外側面７０５の側に配置されている。図４に示すように、延出部２３４の端面２３４ｓは、ケース７０のケース外側面７０４から露出している。第一実施形態において、延出部２３４の厚さは、縁部２２の厚さと等しい。なお、延出部２３４の厚さは適宜変更されてもよい。端面２３４ｓでは、メインリード１０の母材が露出している。なお、延出部２３４の端面２３４ｓにメッキ層が形成されていてもよい。

図２及び図３に示すように、第２素子搭載部１２は、本体部３１、縁部３２、延出部３３１，３３２，３３３を有している。第２素子搭載部１２の本体部３１は、主面３１１及び裏面３１２を有している。本体部３１は、厚さ方向ｚから視て、第２の方向ｘに沿って長い長方形状を成している。本体部３１の厚さは、第１素子搭載部１１の本体部２１の厚さと等しい。図２及び図５に示すように、本体部３１の裏面３１２は、ケース７０のケース裏面７０２と面一であり、ケース裏面７０２から露出している。

縁部３２は、本体部３１を囲むように形成されている。つまり、縁部３２は、本体部３１に対して、第１の方向ｙの両側と、第２の方向ｘの両側とに設けられている。縁部３２は、主面３２１を本体部３１の主面３１１と同一平面上にて形成されている。縁部３２の厚さは、本体部３１の厚さよりも小さく、例えば０．１ｍｍ程度である。従って、縁部３２は、ケース裏面７０２から露出していない。

延出部３３１，３３２は、サブリード４０と反対側の縁部３２の端部から、ケース外側面７０５まで延びている。延出部３３１，３３２は、第１の方向ｙに沿って配列されている。図５に示すように、延出部３３１，３３２の端面３３１ｓ，３３２ｓは、ケース外側面７０５と面一であり、ケース外側面７０５から露出している。各端面３３１ｓ，３３２ｓでは、メインリード１０の母材が露出している。なお、延出部３３１，３３２の端面３３１ｓ、３３２ｓにメッキ層が形成されていてもよい。

図２及び図３に示すように、延出部３３３は、ケース７０のケース外側面７０３の側の縁部３２の端部から、ケース外側面７０３まで延びている。延出部３３３は、縁部３２の端部において、ケース外側面７０５の側に設けられている。図４に示すように、延出部３３３の端面３３３ｓは、ケース外側面７０３と面一であり、ケース外側面７０３から露出している。図２及び図３に示すように、延出部３３３は、第１の方向ｙから視て、第１素子搭載部１１の延出部２３４と重なる位置に設けられている。端面３３３ｓでは、メインリード１０の母材が露出している。なお、延出部３３３の端面３３３ｓにメッキ層が形成されていてもよい。

図１、図２及び図３に示すように、サブリード４０は、本体部４１、縁部４２、延出部４３１，４３２，４３３を有している。
本体部４１は、厚さ方向ｚから視て、第２の方向ｘに長い長方形の板状である。

本体部４１は、主面４１１、裏面４１２を有している。主面４１１と裏面４１２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対を向く。図９に示すように、主面４１１は、メインリード１０の主面となる第１素子搭載部１１の本体部２１の主面２１１と同じ方向を向く。本体部４１の主面４１１は、厚さ方向ｚにおいて、第１素子搭載部１１の本体部２１の主面２１１と同じ位置に位置している。つまり、サブリード４０の本体部４１の主面４１１と、第１素子搭載部１１の本体部２１の主面２１１は、同一平面上に位置している。

サブリード４０の本体部４１の厚さは、第１素子搭載部１１の本体部２１の厚さ、及び第２素子搭載部１２の本体部３１の厚さと同一である。従って、図２に示すように、サブリード４０の本体部４１の裏面４１２は、ケース７０のケース裏面７０２と面一であり、ケース裏面７０２から露出する。

本体部４１には、主面４１１から裏面４１２に向かって窪む溝４４が形成されている。第一実施形態において、溝４４は、ケース７０の第２の方向ｘにおける中央から、ケース外側面７０６側によった位置に配置されている。

溝４４は、厚さ方向ｚから視て環状に形成されている。溝４４は、第２の方向ｘに沿って延びる溝部４４１，４４２と、溝部４４１，４４２の両端部をそれぞれ接続する半円環状の溝部４４３，４４４とを有している。この溝４４は、厚さ方向ｚから視て、幅方向の両側が半円状に膨らんだ長円の環状に形成されている。溝４４の深さは、例えば５０μｍ程度である。第一実施形態において、環状の溝４４の内側を第１ワイヤボンディング部４５としている。

図２及び図３に示すように、本体部４１は、第２素子搭載部１２の側の側面４１３を有している。そして、この側面４１３と環状の溝４４との間の部分を第２ワイヤボンディング部４６としている。

縁部４２は、本体部４１の周辺に沿って設けられている。つまり、縁部４２は、本体部４１に対して、第１の方向ｙの両側と、第２の方向ｘの両側とに設けられている。縁部４２は、本体部４１よりも薄い部分である。縁部４２の厚さは、例えば０．１ｍｍ程度である。縁部４２の主面４２１は厚さ方向ｚにおいて、本体部４１の主面４１１と同じ位置にある。縁部４２の裏面４２２は、本体部４１の裏面４１２よりも本体部４１の主面４１１の側に位置している。つまり、縁部４２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出していない。このような縁部４２は、メインリード１０を構成する母材に対するエッチング加工やプレス加工等によって形成することができる。

延出部４３１，４３２は、縁部４２から外側に延びている。延出部４３３は、本体部４１から縁部４２よりも外側に延びている。
延出部４３１，４３２は、メインリード１０の第２素子搭載部１２と反対側の縁部４２の端部から、ケース外側面７０６まで延びている。第一実施形態において、延出部４３１，４３２の厚さは、縁部４２の厚さと等しい。延出部４３１，４３２は、第１の方向ｙに沿って配列されている。延出部４３１，４３２は、第２の方向ｘにおいて、第２素子搭載部１２の延出部３３１，３３２とそれぞれ重なる位置に配置されている。

図４に示すように、延出部４３１，４３２の端面４３１ｓ，４３２ｓは、ケース７０のケース外側面７０６と面一であり、ケース外側面７０６から露出している。各端面４３１ｓ，４３２ｓでは、サブリード４０の母材が露出している。なお、延出部４３１，４３２の端面４３１ｓ、４３２ｓにメッキ層が形成されていてもよい。

延出部４３３は、メインリード１０と反対側の本体部４１の端部から第１の方向ｙに延びている。延出部４３３は、第１の方向ｙにおいて、メインリード１０の延出部２３３と重なる位置に配置されている。

延出部４３３は、２つの肉厚部Ｔ２１，Ｔ２２と、肉厚部Ｔ２１，Ｔ２２の間の肉薄部Ｔ１３と、を有する。延出部４３３において、肉厚部Ｔ２１，Ｔ２２は、第２の方向ｘに沿って配列されている。第一実施形態において、肉厚部Ｔ２１，Ｔ２２の厚さは、本体部４１の厚さと等しく、肉薄部Ｔ１３は、縁部４２の厚さと等しい。なお、肉厚部Ｔ２１，Ｔ２２と肉薄部Ｔ２３の厚さは適宜変更されてもよい。

図５に示すように、延出部４３３の端面４３３ｓは、ケース７０のケース外側面７０３と面一であり、ケース外側面７０３から露出している。端面４３３ｓでは、サブリード４０の母材が露出している。なお、延出部４３３の端面４３３ｓにメッキ層が形成されていてもよい。

メインリード１０及びサブリード４０は、メインリード１０及びサブリード４０を構成する母材に対するエッチング加工やプレス加工等によって形成することができる。メインリード１０の縁部２２，３２及び接続部１３と、サブリード４０の縁部４２は、母材に対するハーフエッチング加工やプレス加工等によって形成することができる。メインリード１０の各延出部２３１〜２３４，３３１〜３３３と、サブリード４０の各延出部４３１〜４３３は、縁部と同様に、母材に対するハーフエッチング加工やプレス加工等によって形成することができる。そして、メインリード１０の溝２４，２５と、サブリード４０の溝４４は、縁部等と同様に、母材に対するハーフエッチング加工やプレス加工等によって形成することができる。

図３、図６から図９に示すように、第１素子搭載部１１において、本体部２１の主面２１１と縁部２２の主面２２１と延出部２３１〜２３４の主面は面一であり、これらは第１素子搭載部１１の主面１１１を構成する。図３、図６及び図８に示すように、第２素子搭載部１２において、本体部３１の主面３１１と縁部３２の主面３２１と延出部３３１〜３３３の主面は面一であり、これらは第２素子搭載部１２の主面１２１を構成する。そして、図３及び図８に示すように、第１素子搭載部１１の主面１１１、接続部１３の主面１３１、及び第２素子搭載部１２の主面１２１は面一であり、これらはメインリード１０の主面１０１を構成する。図８に示すように、第１素子搭載部１１の本体部２１の裏面２１２と第２素子搭載部１２の本体部３１の裏面３１２と延出部２３１〜２３３の裏面（各延出部の肉厚部Ｔ１１，Ｔ１２の裏面）は面一であり、これらはメインリード１０の裏面１０２を構成する。

サブリード４０の本体部４１の主面４１１と縁部４２の主面４２１と延出部４３１〜４３３の主面は面一でありサブリード４０の主面４０１を構成する。本体部４１の裏面４１２と延出部４３３の裏面（肉厚部Ｔ２１，Ｔ２２の裏面）は、面一であり、これらはサブリード４０の裏面４０２を構成する。

図１、図３、図７、図９に示すように、半導体発光素子５１は、第１素子搭載部１１のダイボンディング部２６に搭載されている。
半導体発光素子５１は、略直方体形状である。半導体発光素子５１は、主面５１１、裏面５１２を有する。主面５１１と裏面５１２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。主面５１１は、本体部２１の主面２１１と同じ方向を向く面であり、裏面５１２は、本体部２１の主面２１１と対向する面である。

半導体発光素子５１は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）素子である。第一実施形態の半導体発光素子５１は、サファイア等の絶縁基板の上に窒化ガリウム等の半導体材料を積層して形成された半導体チップである。図１に示すように、半導体発光素子５１は、主面５１１に電極５１４と電極５１５とを有している。電極５１４と電極５１５は、矩形状の主面５１１において、対角に設けられている。電極５１４は、例えばカソード電極であり、電極５１５は、例えばアノード電極である。

図７、図９に示すように、半導体発光素子５１の裏面５１２は、接合材５５１により、メインリード１０の第１素子搭載部１１に接続されている。接合材５５１は、例えばＡｇを含むエポキシ樹脂を主材とした合成樹脂（いわゆるＡｇペースト）から構成されている。半導体発光素子５１の裏面５１２は、導電性を有する接合材５５１を介してメインリード１０に接続されている。

図１に示すように、電極５１４は、ワイヤ６１の第２端６１２が接続され、ワイヤ６１の第１端６１１はサブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に接続されている。電極５１５は、ワイヤ６２の第２端６２２が接続され、ワイヤ６２の第１端６２１はメインリード１０のワイヤボンディング部２７に接続されている。ワイヤ６１は、例えばＡｕから構成される。ワイヤ６２は、例えばＡｕから構成される。

図９に示すように、ワイヤ６１，６２において、第１端６１１，６２１はワイヤボンディング工程におけるファーストボンディング部であり、第２端６１２，６２２はセカンドボンディング部である。このように、第１端６１１，６２１をサブリード４０又はメインリード１０に接続することにより、ワイヤ６１，６２のループが高くなりすぎるのを抑制できる。

図１、図６に示すように、保護素子５２は、第２素子搭載部１２の本体部３１に搭載されている。つまり、第２素子搭載部１２の本体部３１は、保護素子５２を搭載するダイボンディング部である。保護素子５２は、例えばツェナーダイオードである。なお、保護素子５２は、一般的な半導体発光装置に搭載される種々の保護素子を用いることができる。保護素子５２は、略直方体形状である。保護素子５２は、主面５２１及び裏面５２２を有する。主面５２１及び裏面５２２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側向く。主面５２１と裏面５２２にはそれぞれ図示しない電極が設けられている。主面５２１の電極は、例えばアノード電極であり、裏面５２２の電極は、例えばカソード電極である。

図６に示すように、保護素子５２の裏面５２２は、接合材５５２により、メインリード１０の第２素子搭載部１２に接続されている。接合材５５２は、例えばＡｇを含むエポキシ樹脂を主材とした合成樹脂（いわゆるＡｇペースト）から構成され、導電性を有する。保護素子５２の裏面５２２の電極は、導電性を有する接合材５５２を介してメインリード１０に接続されている。保護素子５２の主面５２１の電極には、ワイヤ６３の第２端６３２が接続されている。ワイヤ６３の第１端６３１は、サブリード４０の本体部４１の第２ワイヤボンディング部４６に接続されている。ワイヤ６３は、例えばＡｕから構成される。

図６に示すように、ワイヤ６３において、第１端６３１はワイヤボンディング工程におけるファーストボンディング部であり、第２端６３２はセカンドボンディング部である。このように、第１端をサブリード４０に接続することにより、ワイヤ６３のループが高くなりすぎるのを抑制できる。

ケース７０は、白色の合成樹脂からなる。ケース７０の材料としては、熱硬化樹脂を用いる。好ましい熱硬化樹脂として、例えば、不飽和ポリエステル樹脂が挙げられる。なお、ケース７０の材料として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ポリウレタン、等を用いることができる。材料となる熱硬化性樹脂に例えば酸化チタンを添加することにより白色とされる。なお、シリカ、アルミナ等が添加物として用いられてもよい。

ケース７０は、メイン開口部７１及びサブ開口部７２を有する。
メイン開口部７１は、メインリード１０の主面の一部を露出するように形成されている。詳しくは、メイン開口部７１は、メインリード１０のうち、第１素子搭載部１１の主面１１１の一部を露出するように形成されている。第１素子搭載部１１の主面１１１には、溝２４，２５に囲まれたダイボンディング部２６、ワイヤボンディング部２７が形成されている。メイン開口部７１は、溝２４，２５を含む領域を露出するように形成されている。第一実施形態において、メイン開口部７１は、厚さ方向ｚから視て、概略矩形状に形成されている。

図１に示すように、メイン開口部７１は、ケース７０に形成されたメイン内側面７３により区画されている。メイン内側面７３は、厚さ方向ｚにおいて、ケース７０のケース主面７０１から第１素子搭載部１１の主面１１１、つまりメインリード１０の主面１０１に向かって延びている。

図７、図８、図９に示すように、メイン内側面７３は、メインリード１０の主面１０１の側から、ケース７０のケース主面７０１に向かうにつれて、厚さ方向ｚと直交する方向においてダイボンディング部２６から遠ざかるように、つまりダイボンディング部２６に搭載された半導体発光素子５１から遠ざかるように傾斜している。このメイン内側面７３は、半導体発光素子５１から出射される光を反射する反射面として機能する。

図１に示すように、メイン内側面７３は、第１メイン内側面７３１、第２メイン内側面７３２、第３メイン内側面７３３、及び第４メイン内側面７３４を含む。
図１，図８、図９に示すように、第１メイン内側面７３１は、サブリード４０と反対側を向く。第１メイン内側面７３１と第２メイン内側面７３２は、第１の方向ｙにおいて互いに反対側を向く。図１、図７に示すように、第３メイン内側面７３３と第４メイン内側面７３４は、第２の方向ｘにおいて、互いに反対側を向く。

図８、図９に示すように、第２メイン内側面７３２において、メインリード１０の側の端部７３２ｂは、厚さ方向ｚから視て、本体部２１の端部Ｅ２２よりも本体部２１の内側に位置している。第一実施形態の第２メイン内側面７３２において、ケース主面７０１の側の端部７３２ｔは、厚さ方向ｚから視て、第１素子搭載部１１の本体部２１の端部Ｅ２２と重なる位置に形成されている。

図７に示すように、第３メイン内側面７３３において、メインリード１０の側の端部７３３ｂは、厚さ方向ｚから視て、本体部２１の端部Ｅ２３よりも本体部２１の内側に位置している。第一実施形態の第３メイン内側面７３３において、ケース主面７０１の側の端部７３３ｔは、厚さ方向ｚから視て、第１素子搭載部１１の本体部２１の端部Ｅ２３と重なる位置に形成されている。

図７に示すように、第４メイン内側面７３４において、メインリード１０の側の端部７３４ｂは、厚さ方向ｚから視て、本体部２１の端部Ｅ２４よりも本体部２１の内側に位置している。第一実施形態の第４メイン内側面７３４において、ケース主面７０１の側の端部７３４ｔは、厚さ方向ｚから視て、第１素子搭載部１１の本体部２１におけるケース外側面７０５の側の端部Ｅ２４と重なる位置に形成されている。

ケース７０は、第４メイン内側面７３４のサブリード４０の側の端部よりもサブリード４０の側において、メイン開口部７１の内側に凸となる接続部分７５を有している。この接続部分７５は、厚さ方向ｚから視て１／４円状に形成されている。そして、この接続部分７５の側面７５１は、メイン開口部７１の内部方向に向かって突出する湾曲面となる。また、接続部分７５の側面７５１は、厚さ方向ｚにおいてメインリード１０からケース主面７０１に向かうにつれて厚さ方向ｚと直交する方向において半導体発光素子５１から遠ざかるように傾斜している。メイン内側面７３は、この接続部分７５の側面７５１を含む。

図１、図９に示すように、サブ開口部７２は、第１メイン内側面から第１の方向ｙに延びている。
サブ開口部７２は、サブリード４０の主面の一部を露出する。サブリード４０の主面には、溝４４に囲まれた第１ワイヤボンディング部４５が形成されている。サブ開口部７２は、溝４４を含む領域を露出するように形成されている。サブ開口部７２は、厚さ方向から視て、概略矩形状に形成されている。

サブ開口部７２は、ケース７０に形成されたサブ内側面７４により区画されている。図６、図７、図９に示すように、サブ内側面７４は、厚さ方向ｚにおいて、ケース７０のケース主面７０１からメインリード１０の主面１０１に向かって延びている。

図６、図９に示すように、サブ内側面７４は、サブリード４０の主面４０１の側から、ケース７０のケース主面７０１に向かうにつれて、厚さ方向ｚと直交する方向において第１ワイヤボンディング部４５から遠ざかるように、つまり第１ワイヤボンディング部４５に接続されたワイヤ６１の第１端６１１から遠ざかるように傾斜している。このサブ内側面７４は、半導体発光素子５１から出射される光を反射する反射面として機能する。

図１に示すように、サブ内側面７４は、第１サブ内側面７４１、第２サブ内側面７４２、及び第３サブ内側面７４３を含む。第１サブ内側面７４１は、メインリード１０の側を向く。また、第１サブ内側面７４１は、第１メイン内側面７３１と同じ方向を向く。第２サブ内側面７４２と第３サブ内側面７４３は、第２の方向ｘにおいて、互いに反対側を向く。また、第２サブ内側面７４２は、第３メイン内側面７３３と同じ方向を向き、第３サブ内側面７４３は、第４メイン内側面７３４と同じ方向を向く。

図９に示すように、第１サブ内側面７４１において、サブリード４０の側の端部７４１ｂは、厚さ方向ｚから視て本体部４１の端部Ｅ４１よりも本体部４１の内側に位置している。第一実施形態の第１サブ内側面７４１において、ケース主面７０１の側の端部７４１ｔは、厚さ方向ｚから視て、サブ内側面７４の本体部４１の端部Ｅ４１と重なる位置に形成されている。

図６に示すように、第２サブ内側面７４２において、サブリード４０の側の端部７４２ｂは、本体部４１の端部Ｅ４３よりも本体部４１の内側に位置している。
第３サブ内側面７４３において、サブリード４０の側の端部７４３ｂは、本体部４１の端部Ｅ４４よりも本体部４１の内側に位置している。第一実施形態の第１サブ内側面７４１において、ケース主面７０１の側の端部７４３ｔは、厚さ方向ｚから視て、サブ内側面７４の本体部４１の端部Ｅ４４と重なる位置に形成されている。

図１に示すように、ケース７０は、メイン開口部７１の第１メイン内側面７３１とサブ開口部７２の第２サブ内側面７４２との間に、厚さ方向ｚから視て１／４円状の接続部分７６を有している。接続部分７６の側面７６１は、第２の方向ｘに延びる第１メイン内側面７３１と第１の方向ｙに延びる第２サブ内側面７４２とを接続するように湾曲した面となる。また、接続部分７６の側面７６１は、厚さ方向ｚにおいてケース主面７０１に向かうにつれて厚さ方向ｚと直交する方向において半導体発光素子５１から遠ざかるように傾斜している。

第３サブ内側面７４３は、第２の方向ｘにおいて、第４メイン内側面７３４よりもケース７０の中央側に位置している。また、第３サブ内側面７４３は、第１メイン内側面７３１と接続される側面７６１から連続して第１の方向ｙに向かって延びるように形成されている。

サブ内側面７４は、接続面７４６，７４７を有している。接続面７４６は、第１サブ内側面７４１と第２サブ内側面７４２との間に設けられ、それらを連続的に接続する面である。接続面７４７は、第１サブ内側面７４１と第３サブ内側面７４３との間に設けられ、それらを連続的に接続する面である。接続面７４６，７４７は、厚さ方向ｚから視て、１／４円環状を成している。接続面７４６，７４７は、サブリード４０の主面４０１からケース７０のケース主面７０１に向かうにつれて、厚さ方向ｚと直交する方向において第１ワイヤボンディング部４５から遠ざかるように傾斜している。

図２に示すように、ケース７０は、メインリード１０とサブリード４０との間に配置された仕切部７７を有している。
仕切部７７は、第１の方向ｙにおいて、メインリード１０の第１素子搭載部１１とサブリード４０との間に配置された第１仕切部７７１と、第２の方向ｘにおいてメインリード１０の第２素子搭載部１２とサブリード４０との間に配置された第２仕切部７７２とを含む。

第１仕切部７７１は、第１素子搭載部１１の縁部２２とサブリード４０の縁部４２との間に配置される。第１仕切部７７１は、サブリード４０の側の第１素子搭載部１１の縁部２２の裏面２２２を覆うとともに、第１素子搭載部１１の側のサブリード４０の縁部４２の裏面４２２を覆うように形成されている。

第２仕切部７７２は、第２素子搭載部１２の縁部３２とサブリード４０の縁部４２との間、及び第２素子搭載部１２の縁部３２とサブリード４０の本体部４１との間に配置される。第２仕切部７７２は、サブリード４０の側の第２素子搭載部１２の縁部３２の裏面３２２を覆うとともに、サブリード４０の縁部４２の裏面４２２を覆うように形成されている。

図１、図４、図９に示すように、ケース７０は、メイン開口部７１とサブ開口部７２との間に位置する壁部７８を有している。図１、図４に示すように、壁部７８は、第２の方向ｘに沿って延びている。図９に示すように、壁部７８は、メインリード１０の主面１０１及びサブリード４０の主面４０１から，ケース７０のケース主面７０１に向かって突出している。図１、図９に示すように、壁部７８は、第１仕切部７７１に接続されている。例えば、壁部７８と第１仕切部７７１とは、一体的で一工程において形成される。

図１、図４、図９に示すように、壁部７８は、第２の方向ｘから視て台形状に形成され、上面７８１、壁面７８２，７８３を有している。上面７８１は、メインリード１０の主面１０１、サブリード４０の主面４０１、及びケース７０のケース主面７０１と同じ方向を向く。上面７８１は、メインリード１０の主面１０１及びサブリード４０の主面４０１と、ケース７０のケース主面７０１との間に位置する。厚さ方向ｚにおいて、メインリード１０の主面１０１及びサブリード４０の主面４０１から壁部７８の上面までの距離、つまり壁部７８の高さは、３０μｍ以上であることが好ましい。

図９に示すように、厚さ方向ｚにおいて、壁部７８の上面７８１からケース７０のケース主面７０１までの間において、ワイヤ６１が配設されている。壁部７８の上面７８１は、厚さ方向ｚにおいて、半導体発光素子５１の主面よりも低い、つまり厚さ方向ｚにおいて半導体発光素子５１の主面５１１とメインリード１０の主面１０１との間に位置することが好ましく、これにより、半導体発光素子５１とサブリード４０とを接続するワイヤ６１が高くなりすぎるのを防ぐ。

図１、図４、図９に示すように、壁部７８は、第１の方向ｙにおいて、メイン開口部７１の側の壁面７８２と、サブ開口部７２の側の壁面７８３とを有している。壁面７８２は、メインリード１０から上面７８１に向かうにつれて、第１の方向ｙにおいてダイボンディング部２６、つまり半導体発光素子５１から遠ざかるように傾斜している。壁面７８３は、サブリード４０から上面７８１に向かうにつれて、第１の方向ｙにおいて第１ワイヤボンディング部４５、つまりワイヤ６１の第１端６１１から遠ざかるように傾斜している。

図１、図４に示すように、ケース７０の第１メイン内側面７３１は、壁部７８の上面７８１から、ケース７０のケース主面７０１まで延びている。従って、図８、図９に示すように、第１メイン内側面７３１は、メインリード１０の側の壁部７８の壁面７８２よりも、サブリード４０の側、つまり保護素子５２の側に位置している。

図１に示すように、ケース７０は、保護素子５２及びその保護素子５２に接続されたワイヤ６３を被覆する素子被覆部７９を有している。メインリード１０の側の素子被覆部７９の側面は、メイン開口部７１を区画する第１メイン内側面７３１である、サブリード４０の側の側面は、サブ開口部７２を区画する第２サブ内側面７４２である。

封止部材９０は、ケース７０のメイン開口部７１とサブ開口部７２とに充填されている。封止部材９０は、メイン開口部７１により露出するメインリード１０、サブ開口部７２により露出するサブリード４０、メインリード１０に搭載された半導体発光素子５１、及び半導体発光素子５１とサブリード４０とを接続するワイヤ６１、半導体発光素子５１とメインリード１０とを接続するワイヤ６２を被覆する。封止部材９０は、半導体発光素子５１、ワイヤ６１，６２を保護する。

封止部材９０は、半導体発光素子５１から出射する光を透過させる透光性を有する部材である。封止部材９０の材料は、例えば合成樹脂である。この封止部材９０の材料として、透明あるいは半透明の、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニル系樹脂、等の樹脂材料が挙げられる。なお、封止部材９０は、半導体発光素子５１からの光を拡散する拡散材、半導体発光素子５１からの光によって励起されて半導体発光素子５１からの光の波長と異なる波長の光を発する蛍光体、等を含むものであってもよい。

（作用）
次に、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０の作用を説明する。
図１０に示すように、半導体発光装置Ａ１０は、メインリード１０とサブリード４０を含むリードフレームＦ１０を用いて形成される。

図１０は、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０を製造するためのリードフレームＦ１０の一部を示す。なお、図１０では、第１の方向ｙと第２の方向ｘとにおいてそれぞれ隣り合う４つの半導体発光装置Ａ１０（図において一点鎖線にて外形を示す）を製造するための部分が示されている。

第１の方向ｙと第２の方向ｘとにおいて、隣り合って形成される半導体発光装置Ａ１０は、それぞれメインリード１０及びサブリード４０を有し、メインリード１０は、第１素子搭載部１１及び第２素子搭載部１２と、第１素子搭載部１１と第２素子搭載部とを接続する接続部１３とを有している。リードフレームＦ１０は、メインリード１０及びサブリード４０を構成する母材を含む。リードフレームＦ１０は、例えばＣｕ、Ｎｉ、またはこれらの少なくとも１つを含む合金からなる金属板をエッチング加工、プレス加工等によって作製される。なお、リードフレームＦ１０を構成する部材について、最終的に半導体発光装置Ａ１０となる部材の名称及び符号を用いて説明する。

図１０に示すように、半導体発光装置Ａ１０を構成するメインリード１０及びサブリード４０は、隣り合うメインリード１０，サブリード４０と、連結部Ｃ１１〜Ｃ１５により接続されている。図１０では、各連結部Ｃ１１〜Ｃ１５にハッチングを付して分かり易くしている。連結部Ｃ１１〜Ｃ１５は、例えば、半導体発光装置Ａ１０を個片化する際のダイシング等によって除去される部分である。

第１素子搭載部１１の延出部２３４と、その第１素子搭載部１１と第１の方向ｙにおいて隣り合う第２素子搭載部１２の延出部２３３は、連結部Ｃ１１により互いに接続されている。第１素子搭載部１１の延出部２３２と、その第１素子搭載部１１と第２の方向ｘにおいて隣り合う第１素子搭載部１１の延出部２３１は、連結部Ｃ１２により互いに接続されている。つまり、第１の方向ｙにおいて、隣り合う第１素子搭載部１１と第２素子搭載部１２は、連結部Ｃ１１により互いに接続されている。そして、第２の方向ｘにおいて、隣り合う第１素子搭載部１１は、連結部Ｃ１２によって互いに接続されている。

第１素子搭載部１１の延出部２３３と、その第１素子搭載部１１と第１の方向ｙにおいて隣り合うサブリード４０の延出部４３３は、連結部Ｃ１３により互いに接続されている。サブリード４０の延出部４３１，４３２と、そのサブリード４０と第２の方向ｘにおいて隣り合う第２素子搭載部１２の延出部３３１，３３２は、連結部Ｃ１４，Ｃ１５により互いに接続されている。つまり、第１の方向ｙにおいて、隣り合う第１素子搭載部１１とサブリード４０は、連結部Ｃ１３により互いに接続されている。そして、第２の方向ｘにおいて、隣り合うサブリード４０と第２素子搭載部１２は、連結部Ｃ１４，Ｃ１５により互いに接続されている。

このように、リードフレームＦ１０に含まれる全てのメインリード１０は、第１の方向ｙ及び第２の方向ｘにおいて、連結部Ｃ１１，Ｃ１２により互いに接続されている。そして、各サブリード４０は、第１の方向ｙにおいて連結部Ｃ１３によってメインリード１０の第１素子搭載部１１に接続され、第２の方向ｘにおいて連結部Ｃ１４，Ｃ１５によってメインリード１０の第２素子搭載部１２に接続されている。つまり、リードフレームＦ１０に含まれる全てのメインリード１０及びサブリード４０は、連結部Ｃ１１〜Ｃ１５により接続されている。このような構成により、リードフレームＦ１０の撓み等が抑制され、リードフレームＦ１０の搬送が容易となる。また、全てのメインリード１０及びサブリード４０が接続されているため、電解めっき法等によってメインリード１０及びサブリード４０の表面のめっき層が容易に形成される。

図１２に示すように、保護素子５２は、接合材５５２によってメインリード１０の第２素子搭載部１２に搭載される。図１２に示すように、リードフレームＦ１０は、作業台Ｗ１０の上面に載置される。作業台Ｗ１０は、保護素子５２を搭載するダイボンダ、ワイヤ６３を接続するワイヤボンダ、等の作業台である。第２素子搭載部１２の主面１２１には接合材５５２が塗布される。保護素子５２は、吸着コレット等を用いて第２素子搭載部１２に載置される。第２素子搭載部１２は、保護素子５２が主面３１１に搭載される本体部３１を有している。本体部３１は、リードフレームＦ１０の厚さを有している。従って、本体部３１の裏面３１２は、保護素子５２を搭載するダイボンダの作業台Ｗ１０の上面に当接する。従って、ダイボンディングにより印加される押圧力は、作業台Ｗ１０により受け止められる。このため、保護素子５２を第２素子搭載部１２に搭載する際に、保護素子５２を第２素子搭載部１２の本体部３１に向けて押し下げても、リードフレームＦ１０が撓んだりしない。このため、保護素子５２は、第２素子搭載部１２に対して確実に実装される。

図１１、図１２に示すように、保護素子５２は、ワイヤ６３によりサブリード４０に接続される。ワイヤ６３の第１端６３１はサブリード４０の第２ワイヤボンディング部４６に接続され、ワイヤ６３の第２端６３２は、保護素子５２の主面５２１の電極に接続される。図１２に示すように、ワイヤ６３の接続は、ワイヤボンダのキャピラリＷ１１を用いて行われる。保護素子５２を搭載したリードフレームは、作業台Ｗ１０上に載置される。先ず、キャピラリＷ１１からワイヤ６３の先端部を突出させ、これを溶解させた後、その先端部をサブリード４０の第２ワイヤボンディング部４６に押し付ける（ファーストボンディング工程）。次いで、キャピラリＷ１１からワイヤ６３を引き出しつつキャピラリＷ１１を移動させ、キャピラリＷ１１によって、保護素子５２の主面５２１の電極にワイヤ６３を押し付けて切断する（セカンドボンディング工程）。

サブリード４０の第２ワイヤボンディング部４６は、リードフレームＦ１０の厚さを有している。従って、第２ワイヤボンディング部４６の裏面は、作業台Ｗ１０の上面に当接している。従って、ワイヤボンディングにより印加される押圧力は、作業台Ｗ１０により受け止められる。このため、ワイヤ６３は、サブリード４０に対して確実に接続される。また、本体部３１は、上述したように、リードフレームＦ１０の厚さを有している。従って、ワイヤ６３は、保護素子５２に対して確実に接続される。

半導体発光素子５１の搭載、ワイヤ６１，６２の接続についても、保護素子５２の搭載、ワイヤ６３の接続と同様である。半導体発光素子５１の搭載とワイヤ６１，６２の接続は、ケース７０の形成後に行われる。図１１では、半導体発光素子５１、ワイヤ６１，６２を二点鎖線にて示している。

図７、図９に示すように、第１素子搭載部１１は、半導体発光素子５１が搭載される本体部２１を有している。本体部２１の裏面２１２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出するとともに、そのケース裏面７０２と面一である。従って、ケース７０を形成したリードフレームＦ１０をダイボンダの作業台上に載置した場合、本体部２１の裏面２１２が作業台の上面に当接する。従って、ダイボンディングにより印加される押圧力は、作業台により受け止められる。このため、半導体発光素子５１は、第１素子搭載部１１に対して確実に実装される。

図９に示すように、半導体発光素子５１は、ワイヤ６１によりサブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に接続される。サブリード４０において、第１ワイヤボンディング部４５と反対側を向く本体部４１の裏面４１２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出するとともに、そのケース裏面７０２と面一である。従って、ケース７０を形成したリードフレームＦ１０をワイヤボンダの作業台上に載置した場合、本体部２１の裏面２１２が作業台の上面に当接する。従って、ワイヤボンディングにより印加される押圧力は、作業台により受け止められる。このため、ワイヤ６１は、サブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に確実に接続される。また、ワイヤ６１は、半導体発光素子５１に対して確実に接続される。

また、半導体発光素子５１は、ワイヤ６２により第１素子搭載部１１のワイヤボンディング部２７に接続される。ワイヤボンディング部２７と反対側を向く本体部２１の裏面２１２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出するとともに、そのケース裏面７０２と面一である。従って、ケース７０を形成したリードフレームＦ１０をワイヤボンダの作業台上に載置した場合、本体部２１の裏面２１２が作業台の上面に当接する。従って、ワイヤボンディングにより印加される押圧力は、作業台により受け止められる。このため、ワイヤ６２は、第１素子搭載部１１のワイヤボンディング部２７に確実に接続される。また、ワイヤ６２は、半導体発光素子５１に対して確実に接続される。

半導体発光装置Ａ１０のケース７０は、上述のリードフレームＦ１０に樹脂材料をモールド成形して得られる。
図１３から図１６は、モールド成形時の金型とリードフレームを示す断面図である。図１３から図１６における断面位置は、図６から図９に示す半導体発光装置Ａ１０の断面位置に対応する。図１３から図１６において、二点鎖線は、１つの半導体発光装置Ａ１０におけるケース７０の外形を示す。

図１３から図１６に示すように、リードフレームＦ１０は、金型Ｗ２０内に配置される。金型Ｗ２０は、下金型Ｗ２１と上金型Ｗ２２とを備え、それらによりリードフレームＦ１０を挟み込むことによって形成される空間（キャビティ）Ｗ２３に樹脂材料を流し込むことにより、ケース７０が形成される。

上金型Ｗ２２は、図１に示すメイン開口部７１を形成するための第１凸部Ｗ２４と、サブ開口部７２を形成するための第２凸部Ｗ２５とを有している。第１凸部Ｗ２４は、メインリード１０の第１素子搭載部１１の主面１１１に当接される。第２凸部Ｗ２５は、サブリード４０の主面４０１に当接される。図１５に示すように、第１凸部Ｗ２４と第２凸部Ｗ２５との間は、図１に示す壁部７８を形成するための凹部Ｗ２６となる。

図１３に示すように、メインリード１０の第２素子搭載部１２には、保護素子５２が実装され、その保護素子５２とサブリード４０とがワイヤ６３により接続されている。保護素子５２とサブリード４０は、空間Ｗ２３に配設され、その空間Ｗ２３に流し込まれる樹脂材料、つまりケース７０により封止される。

図１４に示すように、第２の方向ｘにおいて、第１凸部Ｗ２４の両側の端部Ｗ２４ａ，Ｗ２４ｂは、第１素子搭載部１１の本体部２１の端部Ｅ２１、Ｅ２２の内側で第１素子搭載部１１の主面、つまり本体部２１の主面２１１に当接する。上金型Ｗ２２の第１凸部Ｗ２４と下金型Ｗ２１とによってリードフレームＦ１０の第１素子搭載部１１が挟み込まれる。従って、第２の方向ｘにおいて、第１凸部Ｗ２４の当接面Ｗ２４ｃと第１素子搭載部１１の主面となる本体部２１の主面２１１との間に隙間ができ難く、ケース７０を形成する樹脂材料が入り込み難い。

第１素子搭載部１１には、主面１１１から窪む溝２４が形成されている。図１に示すように、溝２４の内側はダイボンディング部２６である。第１凸部Ｗ２４と第１素子搭載部１１との間に樹脂材料が入り込んでも、その樹脂材料は、主面２１１から窪む溝２４に入り込み、ダイボンディング部２６へは入り込み難い。このため、ダイボンディング部２６へ樹脂材料が流れ込み難い。

図１３に示すように、第２の方向ｘにおいて、第２凸部Ｗ２５の両側の端部Ｗ２５ａ，Ｗ２５ｂは、サブリード４０の本体部４１の端部Ｅ４３，Ｅ４４よりも内側においてサブリード４０の主面、つまり本体部４１の主面４１１に当接する。上金型Ｗ２２の第２凸部Ｗ２５と下金型Ｗ２１とによってリードフレームのサブリード４０が挟み込まれる。従って、両端部Ｗ２５ａ，Ｗ２５ｂにおいて、第２凸部Ｗ２５の当接面Ｗ２５ｃとサブリード４０の主面となる本体部４１の主面４１１との間に隙間ができ難く、ケース７０を形成する樹脂材料の入り込みを抑制できる。このため、サブリード４０の主面を覆う薄い樹脂バリの生成が抑制される。

サブリード４０には、本体部４１の主面４１１から窪む溝４４が形成されている。図１に示すように、溝４４の内側は第１ワイヤボンディング部４５である。第２凸部Ｗ２５とサブリード４０との間に樹脂材料が入り込んでも、その樹脂材料は、主面４１１から窪む溝４４に入り込み、第１ワイヤボンディング部４５には入り込み難い。このため、樹脂材料は、第１ワイヤボンディング部４５へ流れ込み難い。

図１５及び図１６に示すように、第１凸部Ｗ２４において、サブリード４０と反対側の端部Ｗ２４ｄは、第１素子搭載部１１の本体部２１の端部Ｅ２２の内側において本体部２１の主面２１１に当接する。上金型Ｗ２２の第１凸部Ｗ２４と下金型Ｗ２１とによってリードフレームＦ１０の第１素子搭載部１１が挟み込まれる。従って、端部Ｗ２４ｄにおいて、第１凸部Ｗ２４の当接面Ｗ２４ｃと第１素子搭載部１１の本体部２１の主面２１１との間に隙間ができ難く、ケース７０を形成する樹脂材料が入り込み難い。

図１６に示すように、第１素子搭載部１１には、本体部２１の主面２１１から窪む溝２４，２５が形成されている。図１に示すように、溝２４の内側はダイボンディング部２６であり、溝２５の内側はワイヤボンディング部２７である。第１凸部Ｗ２４と第１素子搭載部１１との間に樹脂材料が入り込んでも、その樹脂材料は、主面２１１から窪む溝２４，２５に入り込み、ダイボンディング部２６、ワイヤボンディング部２７へは入り込み難い。

なお、図１５に示すように、第１凸部Ｗ２４において、サブリード４０の側の端部Ｗ２４ｅは、第１素子搭載部１１の縁部２２に当接する。第１凸部Ｗ２４の当接面Ｗ２４ｃは、第１素子搭載部１１の本体部２１の主面２１１と接するため、第１凸部Ｗ２４と縁部２２との間に隙間はでき難く、樹脂材料は入り込み難い。

図１６に示すように、第２凸部Ｗ２５において、メインリード１０と反対側の端部Ｗ２５ｅは、サブリード４０の端部Ｅ４１の内側において本体部４１の主面４１１に当接する。上金型Ｗ２２の第２凸部Ｗ２５と下金型Ｗ２１とによってサブリード４０が挟み込まれる。従って、端部Ｗ２５ｅにおいて、第２凸部Ｗ２５の当接面Ｗ２５ｃと本体部４１の主面４１１との間に隙間ができ難く、ケース７０を形成する樹脂材料が入り込み難い。

なお、第２凸部Ｗ２５において、メインリード１０の側の端部Ｗ２５ｄは、サブリード４０の縁部４２に当接する。第２凸部Ｗ２５の当接面Ｗ２５ｃは、サブリード４０の本体部４１の主面４１１と接するため、第２凸部Ｗ２５と縁部４２との間に隙間はでき難く、樹脂材料は入り込み難い。

第１凸部Ｗ２４の当接面Ｗ２４ｃとメインリード１０の本体部２１の主面２１１との間、第２凸部Ｗ２５の当接面Ｗ２５ｃとサブリード４０の本体部４１の主面４１１との間にケース７０を形成する樹脂材料が入り込むと、その樹脂材料は、薄い樹脂バリとなる。ダイボンディング部を覆う樹脂バリは、半導体発光素子５１の接続等を阻害する要因となる。ワイヤボンディング部を覆う樹脂バリは、ワイヤの接続等を阻害する要因となる。このため、樹脂バリを除去する工程が必要となる。

第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０では、金型Ｗ２０とリードフレームＦ１０との間に樹脂材料が入り込み難いため、樹脂バリが生じ難い。また、金型Ｗ２０とリードフレームＦ１０との間に樹脂材料が入り込んでも、その樹脂材料はリードフレームＦ１０に形成された溝２４，２５，４４に入り込むため、ダイボンディング部２６、ワイヤボンディング部２７への樹脂材料の入り込みが防止される。このため、樹脂バリを除去する工程は不要となる。

図９に示すように、半導体発光素子５１は、接合材５５１によって、メインリード１０のダイボンディング部２６に接合される。半導体発光素子５１の電極５１４は、ワイヤ６１によりサブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に接続される。半導体発光素子５１の面積の大きな半導体発光素子５１の接合には、多くの接合材５５１が用いられる。ダイボンディング処理において、接合材５５１がダイボンディング部２６から流れ出す場合がある。流れだした接合材５５１がサブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に付着すると、ワイヤ６１と第１ワイヤボンディング部４５との接続に影響し、接続不良となる虞がある。これに対し、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０では、メインリード１０とサブリード４０との間に壁部７８を有している。壁部７８は、メインリード１０及びサブリード４０の主面１０１，４０１から、ケース７０のケース主面７０１の側に突出している。この壁部７８により、サブリード４０に対して接合材５５１が流れ込み難い。

図９に示すように、メインリード１０の本体部２１には、溝２４，２５が形成されている。溝２４の内側はダイボンディング部２６であり、溝２５の内側はワイヤボンディング部２７である。半導体発光素子５１は、接合材５５１によりダイボンディング部２６に接続される。接続に際して溶融した接合材５５１は、ダイボンディング部２６から流れ出す場合がある。流れ出した接合材５５１は、ダイボンディング部２６の周囲に形成された溝２４に流れ込む。このため、接合材５５１は溝２４の外側に流れ出し難い。さらに、ダイボンディング部２６とワイヤボンディング部２７との間には、溝２４，２５が形成されている。従って、接合材５５１が溝２４からあふれても、溝２５に流れ込むことにより、接合材５５１はワイヤボンディング部２７へ流れ込み難い。

図７、図９に示すように、半導体発光素子５１が搭載される本体部２１の裏面２１２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出している。従って、本体部２１の裏面２１２の全体が、例えば半導体発光装置Ａ１０を実装する実装基板に当接する。半導体発光素子５１の熱は、本体部２１を介してケース７０のケース裏面７０２の側に伝達され、実装基板に放熱される。

図６、図８に示すように、主面３１１に保護素子５２が搭載される本体部３１の裏面３１２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出している。従って、本体部３１の裏面３１２の全体が、例えば半導体発光装置Ａ１０を実装する実装基板に当接する。保護素子５２の熱は、本体部３１を介してケース７０のケース裏面７０２の側に伝達され、実装基板に放熱される。

図１に示すように、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０において、保護素子５２は、メインリード１０の第２素子搭載部１２に搭載され、ケース７０により覆われている。保護素子５２は、半導体発光素子５１から出射される光を吸収する場合がある。従って、保護素子５２をケース７０により覆うことで、半導体発光装置Ａ１０の上方への出射効率が向上する。

図５、図７、図９に示すように、メインリード１０の第１素子搭載部１１は、本体部２１と、本体部２１の端部の縁部２２とを有している。縁部２２の厚さは本体部２１の厚さよりも薄く、厚さ方向ｚにおいて、縁部２２の主面２２１は、本体部２１の主面２１１と同じ位置にあり、縁部２２の裏面２２２は、本体部２１の裏面２１２よりも本体部２１の主面２１１の側に位置している。そして、ケース７０のケース裏面７０２に対して、本体部２１の裏面２１２は面一である。従って、ケース７０は、縁部２２の裏面２２２を覆っている。図５、図６、図８に示すように、メインリード１０の第２素子搭載部１２は、本体部３１と、本体部３１よりも薄い縁部３２を有している。本体部３１と縁部３２の関係は、第１素子搭載部１１と同じである。これにより、メインリード１０がケース７０から抜け落ち難い。

図５、図６、図９に示すように、サブリード４０は、本体部４１と、本体部４１の端部の縁部４２とを有している。縁部４２の厚さは本体部４１の厚さよりも薄く、厚さ方向ｚにおいて、縁部４２の主面４２１は、本体部４１の主面４１１と同じ位置にあり、縁部４２の裏面４２２は、本体部４１の裏面４１２よりも本体部４１の主面４１１の側に位置している。そして、ケース７０のケース裏面７０２に対して、本体部４１の裏面４１２は面一である。従って、ケース７０は、縁部４２の裏面４２２を覆っている。これにより、サブリード４０がケース７０から抜け落ち難い。

以上記述したように、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０によれば、以下の効果を奏する。
（１−１）ケース７０は、メインリード１０とサブリード４０との間に配設された壁部７８を有している。壁部７８は、メインリード１０及びサブリード４０の主面１０１，４０１から、ケース７０のケース主面７０１の側に突出している。半導体発光素子５１は、接合材５５１によって、メインリード１０のダイボンディング部２６に接合される。半導体発光素子５１の電極５１４は、ワイヤ６１によりサブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に接続される。

面積の大きな半導体発光素子５１の接合には、多くの接合材５５１が用いられる。ダイボンディング処理において、接合材５５１がダイボンディング部２６から流れ出す場合がある。第一実施形態の壁部７８は、メインリード１０から流れ出す接合材５５１は、壁部７８によって遮られ、サブリード４０に流れ込まない。従って、サブリード４０に対する接合材５５１の流れ込みを抑制できる。このため、サブリード４０に対するワイヤ６１の接合性を確保できる。

（１−２）メインリード１０の第１素子搭載部１１は、主面２１１に半導体発光素子５１が搭載される本体部２１を有している。本体部２１の裏面２１２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出している。従って、本体部２１の裏面２１２の全体が、例えば半導体発光装置Ａ１０を実装する実装基板に当接する。半導体発光素子５１の熱は、本体部２１を介してケース７０のケース裏面７０２の側に伝達され、実装基板に放熱される。従って、半導体発光素子５１の放熱性を確保できる。

（１−３）本体部２１の裏面２１２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出するとともに、そのケース裏面７０２と面一である。従って、ケース７０を形成したリードフレームＦ１０をダイボンダの作業台上に載置した場合、本体部２１の裏面２１２が作業台に当接する。従って、ダイボンディングにより印加される押圧力は、作業台により受け止められる。このため、半導体発光素子５１を、第１素子搭載部１１に確実に実装できる。

（１−４）半導体発光素子５１は、ワイヤ６１によりサブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に接続される。サブリード４０において、第１ワイヤボンディング部４５と反対側を向く本体部４１の裏面４１２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出するとともに、そのケース裏面７０２と面一である。ケース７０を形成したリードフレームＦ１０は、ワイヤボンダの作業台上に載置される。従って、ワイヤボンディングにより印加される押圧力は、作業台により受け止められる。このため、ワイヤ６１は、サブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に確実に接続される。また、ワイヤ６１は、半導体発光素子５１に対して確実に接続される。

（１−５）メインリード１０の第２素子搭載部１２は、主面３１１に保護素子５２が搭載される本体部３１を有している。本体部３１の裏面３１２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出している。従って、本体部３１の裏面３１２の全体が、例えば保護素子５２を搭載する装置に当接する。このため、メインリード１０に対する保護素子５２の接合性を確保できる。また、本体部３１の裏面３１２の全体が、例えば半導体発光装置Ａ１０を実装する実装基板に当接する。保護素子５２の熱は、本体部３１を介してケース７０のケース裏面７０２の側に伝達され、実装基板に放熱される。従って、保護素子５２の放熱性を確保できる。

（１−６）本体部３１は、上述したように、リードフレームＦ１０の厚さを有している。従って、ワイヤ６３を保護素子５２に確実に接続できる。
（１−７）保護素子５２は、ワイヤ６３によりサブリード４０に接続される。サブリード４０の第２ワイヤボンディング部４６は、リードフレームＦ１０の厚さを有している。従って、ワイヤ６３を、サブリード４０に確実に接続できる。

（１−８）メインリード１０の第１素子搭載部１１の主面１１１の一部を露出するメイン開口部７１は、ケース７０に形成されたメイン内側面７３により区画されている。メイン内側面７３のうち、サブリード４０と反対側を向く第１メイン内側面７３１を除く第２メイン内側面７３２、第３メイン内側面７３３、第４メイン内側面７３４において、メインリード１０側の端部７３２ｂ，７３３ｂ，７３４ｂは、第１素子搭載部１１の本体部２１の端部Ｅ２２，Ｅ２３，Ｅ２４よりも本体部２１の内側に位置している。

メイン内側面７３は、ケース７０を形成する金型Ｗ２０（上金型Ｗ２２）の第１凸部Ｗ２４により形成される。この第１凸部Ｗ２４と下金型Ｗ２１とによりメインリード１０が挟み込まれ、金型Ｗ２０内の空間（キャビティ）Ｗ２３に注入された樹脂材料によりケース７０が成形される。

第１凸部Ｗ２４の当接面Ｗ２４ｃは、本体部２１の端部Ｅ２２，Ｅ２３，Ｅ２４よりも内側において、本体部２１の主面２１１に当接する。従って、第１凸部Ｗ２４の当接面Ｗ２４ｃと第１素子搭載部１１の主面となる本体部２１の主面２１１との間に隙間ができ難く、ケース７０を形成する樹脂材料が入り込み難い。このため、第１素子搭載部１１の主面を覆う薄い樹脂バリの生成を抑制できる。樹脂バリが生成されると、その樹脂バリを除去する工程が必要となり、製造に要する時間が長くなる。これに対し、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０は、製造に要する時間の増加を抑制できる。

（１−９）メインリード１０の第１素子搭載部１１は、本体部２１の主面２１１から窪む溝２４を有している。溝２４は、環状に形成され、その内側はダイボンディング部２６である。ケース７０を形成する上金型Ｗ２２の第１凸部Ｗ２４と第１素子搭載部１１との間にケース７０を形成する樹脂材料が入り込んでも、その樹脂材料は、主面２１１から窪む溝２４に入り込み、ダイボンディング部２６へは入り込み難い。このため、ダイボンディング部２６を覆う樹脂バリの生成を防止できる。

（１−１０）サブリード４０の主面４０１の一部を露出するサブ開口部７２は、ケース７０に形成されたメイン内側面７３により区画されている。サブ内側面７４は、第１サブ内側面７４１、第２サブ内側面７４２、第３サブ内側面７４３を含む。第１サブ内側面７４１、第２サブ内側面７４２、第３サブ内側面７４３において、サブリード４０の側の端部７４１ｂ，７４２ｂ，７４３ｂは、サブリード４０の本体部４１の端部Ｅ４１，Ｅ４３，Ｅ４４よりも本体部４１の内側に位置している。

サブ内側面７４は、ケース７０を形成する上金型Ｗ２２の第２凸部Ｗ２５により形成される。この第２凸部Ｗ２５と下金型Ｗ２１とによりサブリード４０が挟み込まれる。第２凸部Ｗ２５の当接面Ｗ２５ｃは、サブリード４０の本体部４１の端部Ｅ４１，Ｅ４３，Ｅ４４よりも内側において、本体部４１の主面４１１に当接する。従って、第２凸部Ｗ２５の当接面Ｗ２５ｃと本体部４１の主面４１１との間に隙間ができ難く、ケース７０を形成する樹脂材料が入り込み難い。このため、本体部４１の主面４１１を覆う薄い樹脂バリの生成を抑制できる。

（１−１１）サブリード４０には、本体部４１の主面４１１から窪む溝４４が形成されている。溝４４の内側は第１ワイヤボンディング部４５である。第２凸部Ｗ２５とサブリード４０との間に樹脂材料が入り込んでも、その樹脂材料は、主面４１１から窪む溝４４に入り込み、第１ワイヤボンディング部４５には入り込み難い。このため、第１ワイヤボンディング部４５を覆う樹脂バリの生成を防止できる。

（１−１２）保護素子５２は、メインリード１０の第２素子搭載部１２に搭載され、ケース７０により覆われている。保護素子５２は、半導体発光素子５１から出射される光を吸収する場合がある。従って、保護素子５２をケース７０により覆うことで、半導体発光装置Ａ１０の上方への出射効率を向上できる。

（１−１３）メインリード１０の第１素子搭載部１１は、本体部２１と縁部２２とを有している。縁部２２の厚さは本体部２１の厚さよりも薄く、縁部２２の裏面２２２はケース７０により覆われている。また、メインリード１０の第２素子搭載部１２は、本体部３１と縁部３２とを有している。縁部３２の厚さは本体部３１の厚さよりも薄く、縁部３２の裏面３２２はケース７０により覆われている。従って、メインリード１０がケース７０から抜け落ちるのを防止できる。

（１−１４）サブリード４０は、本体部４１と縁部４２とを有している。縁部４２の厚さは本体部４１の厚さよりも薄く、縁部４２の裏面４２２はケース７０により覆われている。従って、サブリード４０がケース７０から抜け落ちるのを防止できる。

（１−１５）メインリード１０は延出部２３１〜２３４，３３１〜３３３を有し、サブリード４０は、延出部４３１〜４３３を有している。延出部２３１〜２３４，３３１〜３３３，４３１〜４３３は、メインリード１０及びサブリード４０を含むリードフレームＦ１０において、連結部Ｃ１１〜Ｃ１５により接続される。リードフレームＦ１０に含まれる複数のメインリード１０及びサブリード４０は、延出部２３１〜２３４，３３１〜３３３，４３１〜４３３と連結部Ｃ１１〜Ｃ１５により、第１の方向ｙと第２の方向ｘとにおいて接続される。これにより、リードフレームＦ１０の撓み等を抑制できる。また、全てのメインリード１０及びサブリード４０が接続されるため、メインリード１０及びサブリード４０に対するメッキ性が向上できる。

（１−１６）半導体発光素子５１は、ワイヤ６２により第１素子搭載部１１のワイヤボンディング部２７に接続される。ワイヤボンディング部２７と反対側を向く本体部２１の裏面２１２は、ケース７０のケース裏面７０２から露出するとともに、そのケース裏面７０２と面一である。従って、ワイヤボンディングにより印加される押圧力は、作業台により受け止められる。このため、ワイヤ６２は、第１素子搭載部１１のワイヤボンディング部２７に確実に接続される。また、ワイヤ６２を半導体発光素子５１に確実に接続できる。

（１−１７）第１素子搭載部１１には、本体部２１の主面２１１から窪む溝２５が形成されている。溝２５の内側はワイヤボンディング部２７である。ケース７０を形成する上金型Ｗ２２の第１凸部Ｗ２４と第１素子搭載部１１との間に樹脂材料が入り込んでも、その樹脂材料は、主面２１１から窪む溝２５に入り込み、ワイヤボンディング部２７へは入り込み難い。このため、ワイヤボンディング部２７を覆う樹脂バリの生成を防止できる。

（１−１８）メインリード１０の第１素子搭載部１１において、半導体発光素子５１と接続されるワイヤ６２のためのワイヤボンディング部２７は、半導体発光素子５１を搭載するダイボンディング部２６に対して、サブリード４０と反対側に設けられている。従って、メインリード１０の第１素子搭載部１１は、ケース７０のほぼ中央にダイボンディング部２６が設けられている。このように、半導体発光装置Ａ１０は、ケース７０のほぼ中央において半導体発光素子５１を発光させることができる。

（第二実施形態）
以下、第二実施形態の半導体発光装置Ａ２０を、図１７に従って説明する。
なお、第二実施形態の半導体発光装置Ａ２０において、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０と同じ構成部材については同じ符号を付して説明の一部または全てを省略する。

第二実施形態の半導体発光装置Ａ２０は、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０に対して、半導体発光素子５３が異なる。そして、搭載される半導体発光素子５３に応じて、メインリード１０には、図１に示す溝２５及びワイヤボンディング部２７が形成されていない。

第二実施形態のメインリード１０において、第１素子搭載部１１の本体部２１は、主面２１１から窪む１つの溝２４を有している。
溝２４は、第２の方向ｘに延びる溝部２４１，２４２と、第１の方向ｙに延びる溝部２４３，２４４とを有している。溝部２４１は、壁部７８に沿って延び、溝部２４２は、第２メイン内側面７３２に沿って延びている。溝部２４３は、第３メイン内側面７３３に沿って延び、溝部２４４は第４メイン内側面７３４に沿って延びている。各溝部２４１〜２４４は、このメインリード１０に搭載する半導体発光素子５３の各辺よりも長く延びている。つまり、溝２４は、半導体発光素子５３の大きさに応じた矩形状に形成されている。この矩形状の溝２４の内側がダイボンディング部２６となる。溝２４の深さは、例えば５０μｍ程度である。

半導体発光素子５３は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）素子である。第二実施形態の半導体発光素子５３は、互いに反対側を向く主面５３１と裏面５３２とにそれぞれ電極を有するものである。半導体発光素子５３は、厚さ方向ｚから視て矩形状に形成されている。半導体発光素子５３は、主面５３１、裏面５３２を有している。半導体発光素子５３は、１つの側面５３３に沿った主面５３１の１つの辺の両端付近に電極５３４，５３５を有している。電極５３４，５３５は、例えばアノード電極である。半導体発光素子５３は、裏面５３２に電極が設けられている。この裏面５３２の電極は、例えばカソード電極である。

半導体発光素子５３は、電極５３４，５３５が設けられた側の側面５３３をサブリード４０に向けて第１素子搭載部１１の本体部２１のダイボンディング部２６の上に配置される。そして、裏面５３２の電極は、導電性を有する接合材（図示略）により、ダイボンディング部２６に接続されている。接合材としては、例えば、はんだやＡｇペーストなどを用いることができる。主面５３１の電極５３４，５３５には、それぞれワイヤ６４，６５の第２端６４２，６５２が接続され、ワイヤ６４，６５の第１端６４１，６５１は、サブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に接続されている。ワイヤ６４，６５において、第１端６４１，６５１はワイヤボンディング工程におけるファーストボンディング部であり、第２端６４２，６５２はセカンドボンディング部である。

（作用）
次に、第二実施形態の半導体発光装置Ａ２０の作用を説明する。
この第二実施形態の半導体発光装置Ａ２０に搭載される半導体発光素子５３は、主面５３１に複数の電極５３４，５３５を有し、裏面５３２に電極を有している。裏面５３２の電極は、導電性の接合材を介してメインリード１０の本体部２１に接続される。したがって、第一実施形態の半導体発光素子５１において、半導体発光素子５１とメインリード１０とを接続するワイヤ６２が不要となる。つまり、メインリード１０において、ワイヤボンディング部２７が不要となる。このため、メインリード１０の本体部２１の主面２１１におけるダイボンディング部２６を、第一実施形態と比べて大きくできる。つまり、第一実施形態よりも大きな半導体発光素子５３を搭載することができる。これにより、半導体発光装置Ａ２０の光量を増加できる。

そして、半導体発光素子５３は、第１の方向ｙにおいて、ケース７０のケース外側面７０４の側の第２メイン内側面７３２の付近まで延びている。このため、メイン開口部７１のほぼ全体で発光させることができる。

大きな半導体発光素子５３を用いる場合、それに対応した量の接合材がダイボンディング部２６に塗布されるため、接合材がより流れ出し易い。第二実施形態の半導体発光装置Ａ２０は、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０と同様に、壁部７８を有している。この壁部７８により、メインリード１０のダイボンディング部２６からサブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５への接合材の流れ込みが抑制される。

半導体発光素子５３において、主面５３１の電極５３４，５３５は、それぞれワイヤ６４，６５を介してサブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に接続されている。このように２本のワイヤ６４，６５を用いることで、半導体発光素子５３に対して、電流を分散して供給する。サブリード４０において、第２の方向ｘに長い第１ワイヤボンディング部４５とすることにより、２本のワイヤ６４，６５を容易に接続できる。なお、半導体発光素子５３に供給する電流量に応じて、一方のワイヤ、例えばワイヤ６５を省略することもできる。

ケース７０において、メイン開口部７１を区画する第１メイン内側面７３１と、サブ開口部７２を区画する第２サブ内側面７４２との間は、厚さ方向ｚから視て１／４円環状の側面７６１とされている。従って、第１メイン内側面７３１と第２サブ内側面７４２との間が直角にて接続される場合と比べ、ケース７０とワイヤ６５とが干渉することなくワイヤ６５を直線状に配設することができ、ワイヤ６５が必要以上に長くなるのを抑制できる。

つまり、主面５３１の面積の大きな半導体発光素子５３を用いて、その半導体発光素子５３に対して、ケース７０の中心から一方のケース外側面７０６の側に偏倚したサブ開口部７２により露出される第１ワイヤボンディング部４５に接続する複数のワイヤ６４，６５のうち、偏倚方向と反対方向の電極５３５に接続するワイヤ６５とケース７０の干渉を防止できる。

以上記述したように、第二実施形態の半導体発光装置Ａ２０によれば、第一実施形態の（１−１）〜（１−１５）に加え、以下の効果を奏する。
（２−１）第二実施形態の半導体発光素子５３は、主面５３１の電極５３４，５３５と、裏面５３２の電極を有し、裏面５３２の電極は、接合材によりメインリード１０の第１素子搭載部１１に接続される。大きな半導体発光素子５３の接続には多くの接合材が第１素子搭載部１１に塗布されるため、接合材が流れ出し易い。メインリード１０とサブリード４０にとの間に壁部７８が設けられている。このため、面積の大きな半導体発光素子５３を搭載した場合であっても、この壁部７８によりメインリード１０からサブリード４０への接合材の流れ込みを抑制できる。

（２−２）大きな半導体発光素子５３を搭載することができ、半導体発光装置Ａ２０の光量を増加できる。
（２−３）半導体発光素子５３において、主面５３１の電極５３４，５３５は、それぞれワイヤ６４，６５を介してサブリード４０の第１ワイヤボンディング部４５に接続されている。これにより、半導体発光素子５３に対して、電流を分散して供給できる。

（２−４）サブリード４０において、第２の方向ｘに長い第１ワイヤボンディング部４５とすることにより、２本のワイヤ６４，６５を容易に接続できる。
（２−５）大きな半導体発光素子５３を用いて、その半導体発光素子５３において第１ワイヤボンディング部４５が偏倚するケース外側面７０６の側と反対側の電極５３５に接続するワイヤ６５とケース７０の干渉を防止でき、ワイヤ６５を直線状に配設することができる。

（第三実施形態）
以下、第三実施形態の半導体発光装置Ａ３０を、図１８から図２０に従って説明する。
なお、第三実施形態の半導体発光装置Ａ３０において、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０や第二実施形態の半導体発光装置Ａ２０と同じ構成部材については同じ符号を付して説明の一部または全てを省略する。

第三実施形態の半導体発光装置Ａ３０は、第二実施形態の半導体発光装置Ａ２０に対して、保護素子５２が設けられていない。このため、メインリード１０は、第２素子搭載部１２及び接続部１３を備えていない。それに伴い、サブリード４０の形状が上記の実施形態と異なる。

図１８、図１９に示すように、半導体発光装置Ａ３０は、メインリード１０、サブリード４０、半導体発光素子５１、ワイヤ６１，６２、ケース７０、封止部材９０を有している。

メインリード１０は、第１素子搭載部１１から構成されている。メインリード１０は、本体部２１、縁部２２、延出部２３１，２３２，２３３，２３５を有している。
本体部２１には、主面２１１から裏面２１２に向かって窪む溝２４が形成されている。溝２４は、溝部２４１，２４２，２４３，２４４から構成されている。

延出部２３１，２３２は、第２の方向ｘにおいて、本体部２１の両側の端部から、互いに反対方向に延びている。延出部２３１，２３２は、第２の方向ｘから視て、互いに重なる位置に配置されている。延出部２３３は、本体部２１において、サブリード４０とは反対側の端部Ｅ２２から、第１の方向ｙに沿って延びている。延出部２３３は、第２の方向ｘにおいて、本体部２１の中央に配置されている。

延出部２３５は、縁部２２から外側に延びている。延出部２３５は、第２の方向ｘにおける縁部２２の一方の端部から、第２の方向ｘ及び第１の方向ｙに対して斜めに延びている。延出部２３５の厚さは、縁部２２の厚さと等しい。

図１８、図１９に示すように、サブリード４０は、本体部４１、縁部４２、延出部４３１，４３３，４３４，４３５を有している。
本体部４１は、厚さ方向ｚから視て第２の方向ｘに長い長方形の板状である。図１９に示すように、第三実施形態において、本体部４１は、第２の方向ｘにおいて、ケース７０の中央に配置されている。縁部４２は、本体部４１の周囲に沿って設けられている。

延出部４３３は、メインリード１０と反対側の本体部４１の端部Ｅ４１から第１の方向ｙに延びている。延出部４３３は、第１の方向ｙにおいて、メインリード１０の延出部２３３と重なる位置に配置されている。延出部４３１，４３４は、縁部４２において、メインリード１０と反対側の端部から、第２の方向ｘに沿って互いに反対側に延びている。延出部４３１、４３４は、第２の方向ｘから視て互いに重なる位置に配置されている。

延出部４３５は、第２の方向ｘにおいて、メインリード１０の延出部２３５が設けられた端部とは反対側の縁部４２の端部から、第１の方向ｙ及び第２の方向ｘに対して斜めに延びている。第三実施形態において、延出部４３５は、延出部４３４の基部から第２の方向ｘに対して所定の角度を成して斜めに延びている。延出部４３５は、メインリード１０の延出部２３５の延びる方向と反対方向に延びている。

（作用）
次に、第三実施形態の半導体発光装置Ａ３０の作用を説明する。
図２０に示すように、第三実施形態の半導体発光装置Ａ３０は、メインリード１０とサブリード４０を含むリードフレームＦ３０を用いて形成される。

図２０は、第三実施形態の半導体発光装置Ａ３０を製造するためのリードフレームＦ３０の一部を示す。なお、図２０では、第１の方向ｙと第２の方向ｘとにおいてそれぞれ隣り合う４つの半導体発光装置Ａ３０（図において一点鎖線にて外形を示す）を製造するための部分が示されている。

第１の方向ｙと第２の方向ｘとにおいて、隣り合って形成される半導体発光装置Ａ３０は、それぞれメインリード１０及びサブリード４０を有している。リードフレームＦ３０は、メインリード１０及びサブリード４０を構成する母材を含む。リードフレームＦ３０は、Ｃｕ、Ｎｉ、またはこれらの少なくとも１つを含む合金からなる金属板をエッチング加工、プレス加工等によって作製される。なお、リードフレームＦ３０を構成する部材について、最終的に半導体発光装置Ａ３０となる部材の名称及び符号を用いて説明する。

図２０に示すように、半導体発光装置Ａ３０を構成するメインリード１０及びサブリード４０は、隣り合うメインリード１０，サブリード４０と、連結部Ｃ３１〜Ｃ３４により接続されている。図２０では、各連結部Ｃ３１〜Ｃ３４にハッチングを付して分かり易くしている。連結部Ｃ３１〜Ｃ３４は、例えば、半導体発光装置Ａ３０を個片化する際のダイシング等によって除去される部分である。

メインリード１０の延出部２３３と、そのメインリード１０と第１の方向ｙにおいて隣り合うサブリード４０の延出部４３３は、連結部Ｃ３１により互いに接続されている。つまり、第１の方向ｙにおいて、隣り合うメインリード１０とサブリード４０は、連結部Ｃ３１により互いに接続されている。

メインリード１０の延出部２３２と、そのメインリード１０と第２の方向ｘにおいて隣り合うメインリード１０の延出部２３１は、連結部Ｃ３２により互いに接続されている。また、サブリード４０の延出部４３１と、第２の方向ｘにおいて隣り合うサブリード４０の延出部４３４は、連結部Ｃ３３により互いに接続されている。つまり、第２の方向に配列された各メインリード１０は、連結部Ｃ３２により接続されている。また、第２の方向に配列された各サブリード４０は、連結部Ｃ３３により接続されている。

第三実施形態において、メインリード１０は第１の方向ｙ及び第２の方向ｘに対して斜めに延びる延出部２３５を有し、サブリード４０は、メインリード１０の延出部２３５と反対方向に延びる延出部４３５を有している。リードフレームＦ３０において、これらの延出部２３５，４３５は、連結部Ｃ３４により互いに接続されている。つまり、連結部Ｃ３４は、メインリード１０と、そのメインリード１０を含む半導体発光装置Ａ３０と第２の方向ｘにおいて隣り合って形成される半導体発光装置Ａ３０のサブリード４０とを互いに接続する。

つまり、第三実施形態において、リードフレームは、第２の方向ｘに沿って配列され連結部Ｃ３２によって接続されたメインリード１０の列と、第２の方向ｘに沿って配列され連結部Ｃ３３によって接続されたサブリード４０の列とを含む。メインリード１０の列とサブリード４０の列は第１の方向ｙにおいて交互に配置され、連結部Ｃ３１，Ｃ３４によって互いに接続されている。このような構成により、リードフレームＦ３０の撓み等が抑制され、リードフレームＦ３０の搬送が容易となる。また、全てのメインリード１０及びサブリード４０が接続されているため、電解めっき法等によってメインリード１０及びサブリード４０の表面のめっき層を容易に形成できる。

ケース７０において、メイン開口部７１、サブ開口部７２、壁部７８の形状を上記の第一，第二実施形態と同じとすることにより、第一実施形態においてケース７０を形成するために用いた金型Ｗ２０（図１３から図１６参照）を用いることができる。図２０に示す第三実施形態のリードフレームＦ３０を、図１３から図１６に示す金型Ｗ２０の下金型Ｗ２１と上金型Ｗ２２とにより挟み込み、樹脂材料を金型Ｗ２０内の空間Ｗ２３に注入することにより、第三実施形態のケース７０を形成できる。これにより、新たに金型を製造することなく、第三実施形態の半導体発光装置Ａ３０が得られる。

以上記述したように、第三実施形態の半導体発光装置Ａ３０によれば、第一実施形態、第二実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
（３−１）メインリード１０は延出部２３１〜２３３，２３５を有し、サブリード４０は延出部４３１，４３３〜４３５を有している。延出部２３１〜２３３，２３５，４３１，４３３〜４３５は、メインリード１０及びサブリード４０を含むリードフレームＦ３０において、連結部Ｃ３１〜Ｃ３４により接続される。リードフレームＦ３０に含まれるメインリード１０とサブリード４０はそれぞれ第２の方向ｘにおいて列状に接続されるとともに、メインリード１０の列とサブリード４０の列とが互いに接続される。これにより、リードフレームＦ３０の撓み等を抑制できる。また、全てのメインリード１０及びサブリード４０が接続されるため、メインリード１０及びサブリード４０に対するメッキ性が向上できる。

（３−２）半導体発光装置Ａ３０は、ケース７０のケース裏面７０２において、第２の方向ｘについて線対称となるように、メインリード１０とサブリード４０とが露出している。従って、半導体発光装置Ａ３０を実装する回路基板における接続用パッドの設計（形状）が容易となる。また、半導体発光装置Ａ３０のケース７０の外形に対してメインリード１０及びサブリード４０の露出する部分が第２の方向ｘにおいて偏りがなくなり、実装性が向上する。

（変更例）
上記の実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記の各実施形態と以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略する。

・メインリード１０において、溝２４の形状を適宜変更してもよい。
図２１に示すように、半導体発光装置Ａ１１のメインリード１０は、ダイボンディング部２６と壁部７８との間に、第２の方向に延びる１筋の溝２８（溝部２４１）を備えている。なお、図２１に示す半導体発光装置Ａ１１において、溝２８とともに、図１に示す溝２４を構成する各溝部２４２，２４３，２４４の少なくとも１つ、を備える構成としてもよい。

図２２に示すように、半導体発光装置Ａ２１のメインリード１０は、ダイボンディング部２６と壁部７８との間に、第２の方向に延びる１筋の溝２８（溝部２４１）を備えている。なお、図２２に示す半導体発光装置Ａ２１において、溝２８とともに、図１７に示す溝２４を構成する各溝部２４２，２４３，２４４の少なくとも１つを備える構成としてもよい。

・上記各実施形態では、溝２４，２５，４４を環状としたが、不連続であってもよい。例えば、第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０の溝２４において、溝部２４１と溝部２４３、溝部２４１と溝部２４４、溝部２４２と溝部２４３、溝部２４２と溝部２４４の少なくとも１つの箇所において溝部が連通していなくてもよい。また、各溝部２４１，２４２，２４３，２４４が不連続であってもよい。

・メイン開口部７１、サブ開口部７２の形状を適宜変更してもよい。
図２３に示すように、半導体発光装置Ａ１２は、メイン開口部７１とサブ開口部７２とを有している。メイン開口部７１は、角部が丸められた四角形状をなしている。

ケース７０は、メイン開口部７１を区画するメイン内側面７３を有している。メイン内側面７３は、第１メイン内側面７３１、第２メイン内側面７３２、第３メイン内側面７３３、第４メイン内側面７３４と、それらの間の接続面７３５，７３６，７３７とを有している。各接続面７３５，７３６，７３７は、厚さ方向ｚから視て、１／４円環状を成している。接続面７３５は、第１メイン内側面７３１と第３メイン内側面７３３とを接続する。接続面７３６は、第２メイン内側面７３２と第３メイン内側面７３３とを接続する。接続面７３７は、第２メイン内側面７３２と第４メイン内側面７３４とを接続する。各接続面７３５，７３６，７３７は、メインリード１０の主面１０１の側から、ケース７０のケース主面７０１に向かうにつれて、厚さ方向ｚと直交する方向においてダイボンディング部２６から遠ざかるように、つまり半導体発光素子５１から遠ざかるように傾斜している。

この半導体発光装置Ａ１２において、ケース７０の第３メイン内側面７３３と第４メイン内側面７３４とが、第１の方向ｙにおいて略同じ長さとなっている。そして、第３サブ内側面７４３と第４メイン内側面７３４とを接続する接続部分７５は、壁部７８上に形成されている。

このような形状のメイン開口部７１を有する半導体発光装置Ａ１２では、１／４円環状の接続面７３５〜７３７を有していても、メイン開口部７１によりメインリード１０において露出する領域を確保でき、大きな半導体発光装置の搭載が可能となる。

図２４に示すように、半導体発光装置Ａ２２は、メイン開口部７１とサブ開口部７２とを有している。メイン開口部７１は、角部が丸められた四角形状をなしている。このメイン開口部７１は、図２３に示す半導体発光装置Ａ１２と同様の構成を有している。従って、この半導体発光装置Ａ２２においても、メイン開口部７１によりメインリード１０において露出する領域を確保でき、大きな半導体発光装置の搭載が可能となる。

・第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０、第二実施形態の半導体発光装置Ａ２０において、保護素子５２及びワイヤ６３が省略されてもよい。
・第一実施形態の半導体発光装置Ａ１０、第二実施形態の半導体発光装置Ａ２０において、保護素子５２がケース７０から露出していてもよい。例えば、保護素子５２を、メイン開口部７１内、またはサブ開口部７２内に配置する。

Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ２０，Ａ２１，Ａ２２，Ａ３０ 半導体発光装置
１０ メインリード
１１ 第１素子搭載部
１２ 第２素子搭載部
１３ 接続部
２１ 本体部（第１本体部）
２６ ダイボンディング部
２７ ワイヤボンディング部
３１ 本体部（第３本体部）
４０ サブリード
４１ 本体部（第２本体部）
４６ 第２ワイヤボンディング部
５１ 半導体発光素子
５１４ 電極（第１電極）
５１５ 電極（第２電極）
５２ 保護素子
５３ 半導体発光素子
６１〜６５ ワイヤ
７０ ケース
７１ メイン開口部
７２ サブ開口部
７８ 壁部
２３３ 延出部（第１延出部）
２３５ 延出部（第５延出部）
３３１，３３２ 延出部（第２延出部）
４３１，４３２ 延出部（第４延出部）
４３３ 延出部（第３延出部）
４３５ 延出部（第６延出部）
５５１，５５２ 接合材
７０１ ケース主面
７０２ ケース裏面
ｘ 第２の方向
ｙ 第１の方向
ｚ 厚さ方向

Claims (30)

1. 主面を有するメインリードと、
   前記メインリードの前記主面に搭載される半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子を前記主面に接合する接合材と、
   前記メインリードに対して第１の方向に配置され、前記メインリードの主面と同じ側を向く主面を有するサブリードと、
   前記サブリードの主面に第１端が接続され、前記半導体発光素子に第２端が接続された第１ワイヤと、
   前記メインリード及び前記サブリードの主面と同じ方向を向くケース主面を有し、前記メインリード及び前記サブリードを支持する樹脂製のケースと、
   を備え、
   前記ケースは、
   前記半導体発光素子に向かうメイン内側面により区画され、前記メインリードの前記主面の一部と前記半導体発光素子とを露出するメイン開口部と、
   前記メイン内側面のうちの前記サブリードとは反対側を向く第１メイン内側面から前記第１の方向に延び、前記サブリードの前記主面の一部と前記第１ワイヤの前記第１端とを露出するサブ開口部と、
   前記メインリードと前記サブリードとの間に配置され、前記第１の方向と直交するとともに前記メインリードの主面と平行な第２の方向に沿って延び、前記メインリードの主面及び前記サブリードの主面よりも前記ケース主面の側に突出し、上面が前記ケース主面と前記メインリードの主面及び前記サブリードの主面との間に位置する壁部と、
   を有し、
   前記第１メイン内側面は、前記壁部の前記上面から前記ケースの前記ケース主面まで延びる、
   半導体発光装置。
2. 前記メインリードは、
   互いに反対を向く主面及び裏面を有し、前記主面に前記半導体発光素子が搭載されるダイボンディング部を含む第１本体部と、
   互いに反対を向く主面及び裏面を有し、前記第１本体部から延び、前記第１本体部よりも薄く、前記主面が前記第１本体部の前記主面と面一な第１縁部と、
   を有する、
   請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記サブリードは、
   互いに反対を向く主面及び裏面を有し、前記主面に前記第１ワイヤが接続されるワイヤボンディング部を含む第２本体部と、
   互いに反対を向く主面及び裏面を有し、前記第２本体部から延び、前記第２本体部よりも薄く、前記主面が前記第２本体部の前記主面と面一な第２縁部と、
   を有する、
   請求項２に記載の半導体発光装置。
4. 前記ケースは、前記ケース主面とは反対側を向くケース裏面を有し、
   前記第１本体部は、前記主面とは反対側を向く裏面を有し、
   前記第１本体部の前記裏面は、前記ケース裏面から露出する、
   請求項３に記載の半導体発光装置。
5. 前記第１本体部の前記裏面は、前記ケース裏面と面一である、
   請求項４に記載の半導体発光装置。
6. 前記第２本体部は、前記主面とは反対側を向く裏面を有し、
   前記第２本体部の前記裏面は、前記ケース裏面から露出する、
   請求項４又は請求項５に記載の半導体発光装置。
7. 前記第２本体部の前記裏面は、前記ケース裏面と面一である、
   請求項６に記載の半導体発光装置。
8. 前記メイン内側面は、前記第１メイン内側面と反対側を向く第２メイン内側面と、前記第１メイン内側面及び前記第２内側面と直交する方向を向くとともに互いに反対側を向く第３メイン内側面及び第４メイン内側面を含み、
   前記第２メイン内側面、前記第３メイン内側面、及び前記第４メイン内側面において、前記第１本体部の主面と接する端部は、前記第１本体部の端部よりも前記第１本体部の内側に位置する、
   請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
9. 前記サブ開口部を区画するサブ内側面における前記第２本体部の側の端部は、前記第２本体部の端部よりも前記第２本体部の内側に位置する、
   請求項３，請求項６，請求項７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
10. 前記メイン開口部のメイン内側面は、前記メインリードから前記ケース主面に向かうにつれて厚さ方向と直交する方向において前記半導体発光素子から遠ざかるように傾斜している、
    請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
11. 前記サブ開口部のサブ内側面は、前記サブリードから前記ケース主面に向かうにつれて前記第１ワイヤの前記第１端から遠ざかるように傾斜している、
    請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
12. 前記壁部において、前記メイン開口部の側の壁面は、前記メインリードから前記壁部の前記上面に向かうにつれて前記第１方向において前記半導体発光素子から遠ざかるように傾斜している、
    前記壁部において、前記サブ開口部の側の壁面は、前記サブリードから前記壁部の前記上面に向かうにつれて前記第１方向において前記第１ワイヤの前記第１端から遠ざかるように傾斜している、
    請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
13. 前記ケースは、白色の合成樹脂からなる、請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
14. 前記半導体発光素子は、前記主面に第２電極を有し、
    前記第１本体部は、ワイヤボンディング部を含み、
    前記半導体発光装置は、前記半導体発光素子と前記ワイヤボンディング部とを接続する第３ワイヤを有する、
    請求項２、請求項４から請求項８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
15. 前記ワイヤボンディング部は、前記第１の方向において、前記ダイボンディング部に対して前記サブリードと反対側に設けられている、請求項１４に記載の半導体発光装置。
16. 前記第１本体部は、前記ワイヤボンディング部を囲む第３溝を有する、請求項１４又は請求項１５に記載の半導体発光装置。
17. 前記メインリードは、前記ダイボンディング部と前記壁部との間に、主面から凹む第１溝を有する、
    請求項１５又は請求項１６に記載の半導体発光装置。
18. 前記第１溝は、前記ダイボンディング部を囲むように環状に形成されている、
    請求項１７に記載の半導体発光装置。
19. 前記サブリードは、前記ワイヤボンディング部と前記壁部との間に、主面から凹む第２溝を有する、
    請求項１４から請求項１８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
20. 前記第２溝は、前記ワイヤボンディング部を囲むように環状に形成されている、
    請求項１９に記載の半導体発光装置。
21. 前記メインリードに搭載される保護素子と、
    前記保護素子を前記メインリードに接合する接合材と、
    前記保護素子と前記サブリードとを接続する第３ワイヤと、
    を備えた、
    請求項１から請求項２０のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
22. 前記メインリードは、前記半導体発光素子が搭載される第１素子搭載部と、前記保護素子が搭載される第２素子搭載部と、を有し、
    前記サブリードは、前記第３ワイヤが接続される第２ワイヤボンディング部を有する、
    請求項２１に記載の半導体発光装置。
23. 前記第２素子搭載部は、前記第２方向において前記サブリードと並んで配設されている、請求項２２に記載の半導体発光装置。
24. 前記第２ワイヤボンディング部は、前記サブリードの第２本体部に設けられている、
    請求項２２又は２３に記載の半導体発光装置。
25. 前記第２素子搭載部は、主面及び裏面を有するとともに前記メインリードの第１本体部と同じ厚みの第３本体部と、前記第３本体部よりも薄く前記第３本体部に接続された第３縁部とを備えた、
    請求項２２から請求項２４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
26. 前記第３本体部の裏面は、前記ケースのケース裏面から露出する、
    請求項２５に記載の半導体発光装置。
27. 前記メインリードは、前記第１素子搭載部と前記第２素子搭載部とを接続する接続部を有する、
    請求項２２から請求項２６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
28. 前記ケースは、前記保護素子及び第３ワイヤと、前記サブリードの前記第２ワイヤボンディング部とを封止する封止部を備えた、
    請求項２２から請求項２７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
29. 前記メインリードは、前記第１の方向において前記ケースのケース外側面まで延びる第１延出部と、前記第２の方向において前記ケースのケース外側面まで延びる第２延出部とを備え、
    前記サブリードは、前記ケースのケース外側面まで延びるとともに前記第１の方向において前記第１延出部と重なる位置に設けられた第３延出部と、前記ケースのケース外側面まで延びるとともに前記第２の方向において前記第２延出部と重なる位置に設けられた第４延出部とを備えた、
    請求項１から請求項２８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
30. 前記メインリードは、前記第１の方向における一方の端部から、前記第１の方向及び前記第２の方向と異なる方向に延びる第５延出部を備え、
    前記サブリードは、前記第５延出部と平行であり、前記メインリードの前記一方の端部とは反対側の端部から前記第５延出部が延びる方向と反対の方向に延びる第６延出部を備えた、
    請求項２９に記載の半導体発光装置。