WO2022102411A1

WO2022102411A1 - 半導体発光装置

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Publication number: WO2022102411A1
Application number: PCT/JP2021/039707
Authority: WO
Inventors: 晃輝坂本; 和則富士; 敦司山口
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2020-11-13
Filing date: 2021-10-27
Publication date: 2022-05-19
Also published as: DE112021005241T5; JPWO2022102411A1; DE112021005241B4; US20230420909A1; CN116458021A

Abstract

半導体発光装置（１０）は、基板主面（２１）を有する基板（２０）と、基板主面（２１）に搭載されており、基板主面（２１）と同じ側を向く発光素子主面（６１）と、発光素子主面（６１）と交差する方向を向く発光面となる発光素子側面（６３）とを有する半導体発光素子（６０）と、基板主面（２１）に搭載されており、半導体発光素子（６０）を駆動させるのに用いられる駆動素子としてのスイッチング素子（７０）およびキャパシタ（８０）と、基板（２０）よりも線膨張係数が大きくかつ発光素子側面（６３）から出射された光が透過する材料からなり、発光素子側面（６３）を覆う透光部材（９０）と、透光部材（９０）よりも線膨張係数が小さい材料からなり、半導体発光素子（６０）、スイッチング素子（７０）、およびキャパシタ（８０）を封止する封止樹脂（１００）と、を備える。

Description

半導体発光装置

　本開示は、半導体発光装置に関する。

　従来の半導体発光装置は、基板上に搭載された半導体発光素子と、半導体発光素子を駆動させるのに用いられる駆動素子と、半導体発光素子および駆動素子を封止するとともに半導体発光素子の光を透過する透光部材と、を備えている（たとえば特許文献１参照）。駆動素子は、スイッチング素子を含み、たとえばワイヤおよび配線を介して半導体発光素子と電気的に接続されている。透光部材は、基板上に接触している。

特許第６６８９３６３号公報

　ところで、従来の半導体発光装置では、基板としてたとえばプリント基板（ＰＣＢ）またはセラミック基板が用いられており、透光部材としてたとえばエポキシ樹脂あるいはシリコーンが用いられている。このため、基板の線膨張係数と透光部材の線膨張係数との差が大きいことに起因して、半導体発光装置において過度な応力が発生するおそれがある。

　上記課題を解決する半導体発光装置は、基板主面を有する基板と、前記基板主面に搭載されており、前記基板主面と同じ側を向く発光素子主面と、前記発光素子主面と交差する方向を向く発光面とを有する半導体発光素子と、前記基板主面に搭載されており、前記半導体発光素子を駆動させるのに用いられる駆動素子と、前記基板よりも線膨張係数が大きくかつ前記発光面から出射された光が透過する材料からなり、前記発光面を覆う透光部材と、前記透光部材よりも線膨張係数が小さい材料からなり、前記半導体発光素子および前記駆動素子を封止する封止樹脂と、を備える。

　この構成によれば、半導体発光素子や駆動素子を封止している封止樹脂は、透光部材よりも線膨張係数が小さい材料によって構成されている。これにより、封止樹脂の線膨張係数と基板の線膨張係数との差を、透光部材の線膨張係数と基板の線膨張係数との差よりも小さくすることができる。したがって、半導体発光装置の温度変化にともなう、基板の熱収縮量と封止樹脂の熱収縮量との差を小さくでき、かつ基板の熱膨張量と封止樹脂の熱膨張量との差を小さくできる。その結果、透光部材の線膨張係数と基板の線膨張係数との差に起因して半導体発光装置において発生する応力を軽減することができる。

　上記半導体発光装置によれば、基板の線膨張係数と透光部材の線膨張係数との差に起因して半導体発光装置において発生する応力を軽減することができる。

第１実施形態の半導体発光装置の斜視図。図１の半導体発光装置について、封止樹脂を省略した状態の平面図。図１の半導体発光装置の裏面図。図１の半導体発光装置について、図２の４－４線で切った断面図。図２の半導体発光装置の一部の拡大図。図１の半導体発光装置について、半導体発光素子および透光部材の斜視図。図６の半導体発光素子および透光部材の裏面図。図１の半導体発光装置の回路図。第１実施形態の半導体発光装置の製造方法について、その製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。第２実施形態の半導体発光装置の斜視図。図１８の半導体発光装置の平面図。図１９の半導体発光装置について、２０－２０線の断面図。第２実施形態の半導体発光装置の製造方法について、その製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。第３実施形態の半導体発光装置の斜視図。図２８の半導体発光装置の平面図。図２９の半導体発光装置について、３０－３０線の断面図。第３実施形態の半導体発光装置の製造方法について、その製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。半導体装置の製造方法の製造工程の一例を説明する説明図。変更例の半導体発光装置の断面図。変更例の半導体発光装置の断面図。変更例の半導体発光装置について、封止樹脂を省略した状態の平面図。変更例の半導体発光装置の回路図。変更例の半導体発光装置について、封止樹脂を省略した状態の平面図。変更例の半導体発光装置について、封止樹脂を省略した状態の平面図。変更例の半導体発光装置の裏面図。

　以下、半導体発光装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。

　本明細書における記述「Ａ及びＢの少なくとも一つ」は、「Ａのみ、または、Ｂのみ、または、ＡとＢの両方」を意味するものとして理解されたい。
　［第１実施形態］
　図１～図１７を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１０について説明する。

　（半導体発光装置の構成）
　図１に示す半導体発光装置１０は、たとえば３次元距離計測の一例であるＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）としてのレーザシステムに用いることができる。なお、半導体発光装置１０は、２次元距離計測用のレーザシステムに用いられてもよい。

　図１に示すように、半導体発光装置１０は、矩形平板状に形成されている。半導体発光装置１０は、互いに反対側を向く装置主面１１および装置裏面１２と、装置主面１１および装置裏面１２の双方と交差する方向を向く装置側面１３～１６と、を有している。本実施形態では、装置側面１３～１６は、装置主面１１および装置裏面１２の双方と直交する方向を向いている。

　装置主面１１および装置裏面１２は、互いに離間して配置されている。以下の説明において、装置主面１１と装置裏面１２との配列方向をｚ方向とする。なお、ｚ方向に直交する方向のうち互いに直交する２方向をそれぞれｘ方向およびｙ方向とする。

　本実施形態では、ｚ方向から視て、装置側面１３，１４はｘ方向に沿った面であり、装置側面１５，１６はｙ方向に沿った面である。装置側面１３，１４はｙ方向において互いに反対側を向く面であり、装置側面１５，１６はｘ方向において互いに反対側を向く面である。本実施形態では、ｚ方向から視た半導体発光装置１０の形状は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる矩形状である。

　図１に示すように、半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０に搭載された半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、およびキャパシタ８０と、半導体発光素子６０を覆う透光部材９０と、スイッチング素子７０、キャパシタ８０、および透光部材９０を封止する封止樹脂１００と、を備えている。本実施形態では、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０は、半導体発光素子６０を駆動させるのに用いられる駆動素子の一例である。

　半導体発光装置１０の外面は、基板２０と、透光部材９０と、封止樹脂１００とから構成されている。透光部材９０および封止樹脂１００の双方は、基板２０上に積層されている。

　基板２０は、たとえばＰＣＢ基板やセラミック基板からなる。本実施形態では、基板２０は、ＰＣＢ基板が用いられている。ＰＣＢ基板としては、たとえばガラスエポキシ樹脂などからなる絶縁層と、Ｃｕ（銅）などからなる導電層と、Ｃｕなどからなり、複数の導電層を互いに接続する接続ビアと、を含む。図４に示すように、本実施形態において、絶縁層を基板２０とし、導電層を主面側配線３０および外装電極５０とし、接続ビアを接続配線４０として説明する。

　図１に示すように、基板２０は、ｚ方向を厚さ方向とした矩形平板状に形成されている。このため、ｚ方向は、基板２０の厚さ方向ともいえる。基板２０は、ｚ方向において半導体発光装置１０のうち装置主面１１よりも装置裏面１２の近くに配置されている。基板２０は、装置裏面１２と、装置側面１３～１６のそれぞれのｚ方向の一部と、を構成している。

　基板２０は、ｚ方向において互いに反対側を向く基板主面２１および基板裏面２２と、基板主面２１および基板裏面２２の双方と直交する方向を向く基板側面２３～２６と、を有している。基板主面２１は装置主面１１と同じ側を向き、基板裏面２２は装置裏面１２と同じ側を向いている。本実施形態では、基板裏面２２は、装置裏面１２を構成している。基板側面２３は装置側面１３と同じ側を向き、基板側面２４は装置側面１４と同じ側を向き、基板側面２５は装置側面１５と同じ側を向き、基板側面２６は装置側面１６と同じ側を向いている。ｚ方向から視た基板２０の形状は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる矩形状である。

　図３に示すように、基板裏面２２には、半導体発光装置１０がたとえば回路基板に実装されるときに回路基板の配線等と電気的に接続するための外部端子となる外装電極５０が設けられている。つまり、基板裏面２２は、半導体発光装置１０がたとえば回路基板に実装されるときの実装面となる。このように、本実施形態では、半導体発光装置１０は、表面実装型のパッケージ構造を有している。

　外装電極５０は、たとえばＮｉ（ニッケル）層、Ｐｄ（パラジウム）層、およびＡｕ（金）層の積層体からなる。本実施形態では、外装電極５０は、接続電極５１、電源電極５２、制御電極５３、およびグランド電極５４を有している。

　図３および図４に示すように、基板裏面２２には、裏面側絶縁層２２ａが形成されている。裏面側絶縁層２２ａは、基板裏面２２のうち外装電極５０以外の部分に形成されている。裏面側絶縁層２２ａは、たとえば防水の絶縁コーティング材からなる。

　図１に示すように、透光部材９０は、半導体発光素子６０（詳細には後述する発光面となる発光素子側面６３）から出射された光を透過可能とする部材によって構成されており、半導体発光素子６０から出射した光を半導体発光装置１０の外部に出射するものである。透光部材９０は、基板２０の基板主面２１に配置されている。透光部材９０は、装置側面１３の一部を構成している。つまり、本実施形態の半導体発光装置１０は、装置側面１３から光が出射するように構成されている。ｚ方向から視て、透光部材９０は、基板主面２１のｙ方向の両端部のうち基板側面２３に近い方の端部に配置されている。図１から分かるとおり、透光部材９０のサイズは、基板２０および封止樹脂１００のサイズよりも小さい。また、透光部材９０のサイズは、スイッチング素子７０のサイズよりも小さい。

　透光部材９０は、矩形平板状に形成されている。透光部材９０は、ｚ方向において互いに反対側を向く透光主面９１および透光裏面９２と、透光主面９１および透光裏面９２の双方と直交する方向を向く透光側面９３～９６と、を有している。透光主面９１は装置主面１１と同じ側を向き、透光裏面９２は装置裏面１２と同じ側を向いている。透光側面９３は装置側面１３と同じ側を向き、透光側面９４は装置側面１４と同じ側を向き、透光側面９５は装置側面１５と同じ側を向き、透光側面９６は装置側面１６と同じ側を向いている。本実施形態では、透光側面９３は、半導体発光装置１０の外部に露出しており、装置側面１３の一部を構成している。透光側面９３は、透光面の一例である。

　図１に示すように、封止樹脂１００は、ｚ方向を厚さ方向とした矩形平板状に形成されている。このため、封止樹脂１００の厚さ方向は、基板２０の厚さ方向ともいえる。封止樹脂１００は、基板２０の基板主面２１上に形成されている。このため、封止樹脂１００は、基板主面２１に接している。封止樹脂１００は、装置主面１１と、装置側面１３～１６のそれぞれのｚ方向の一部と、を構成している。本実施形態では、封止樹脂１００の厚さ（ｚ方向の大きさ）は、基板２０の厚さよりも厚い。封止樹脂１００の厚さは、透光部材９０の厚さよりも厚い。封止樹脂１００の厚さは、０．６ｍｍ以上かつ０．８ｍｍ以下である。なお、封止樹脂１００の厚さは、任意に変更可能であり、たとえば基板２０の厚さ以下であってもよい。

　図１に示すように、封止樹脂１００は、ｚ方向において互いに反対側を向く樹脂主面１０１および樹脂裏面１０２と、樹脂主面１０１および樹脂裏面１０２の双方と直交する方向を向く樹脂側面１０３～１０６と、を有している。樹脂主面１０１は装置主面１１と同じ側を向き、樹脂裏面１０２は装置裏面１２と同じ側を向いている。本実施形態では、樹脂主面１０１は、装置主面１１を構成している。樹脂裏面１０２は、基板２０の基板主面２１と接する面である。樹脂側面１０３は装置側面１３と同じ側を向き、樹脂側面１０４は装置側面１４と同じ側を向き、樹脂側面１０５は装置側面１４と同じ側を向き、樹脂側面１０６は装置側面１６と同じ側を向いている。ｚ方向から視た封止樹脂１００の形状は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる矩形状である。図１に示すとおり、本実施形態では、樹脂側面１０３と基板側面２３とは面一となり、樹脂側面１０４と基板側面２４とは面一となり、樹脂側面１０５と基板側面２５とは面一となり、樹脂側面１０６と基板側面２６とは面一となる。また、本実施形態では、樹脂側面１０３、透光側面９３および基板側面２３とから装置側面１３が構成され、樹脂側面１０４と基板側面２４とから装置側面１４が構成され、樹脂側面１０５と基板側面２５とから装置側面１５が構成され、樹脂側面１０６と基板側面２６とから装置側面１６が構成されている。

　なお、ｚ方向から視た封止樹脂１００および基板２０のそれぞれの形状は、任意に変更可能である。一例では、ｚ方向から視た封止樹脂１００および基板２０のそれぞれの形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状であってもよいし、正方形であってもよい。

　次に、半導体発光装置１０の内部構造について説明する。
　図２に示すように、基板２０の基板主面２１には、たとえば銅箔からなる主面側配線３０が形成されている。主面側配線３０は、第１主面側配線３１、第２主面側配線３２、第３主面側配線３３、および第４主面側配線３４を有している。これら配線３１～３４は、ｚ方向から視て、互いに離間して配置されている。

　第１主面側配線３１は、主に半導体発光素子６０が搭載される配線である。第１主面側配線３１は、基板主面２１のｙ方向の両端部のうち基板側面２３に近い方の端部に配置されている。第１主面側配線３１は、ｘ方向において基板主面２１の大部分にわたり延びている。第１主面側配線３１は、そのｘ方向の中央においてｙ方向のうち基板側面２４に向けて突出する突出部３１ａを有している。ｚ方向から視た突出部３１ａの形状は、基板側面２３から基板側面２４に向かうにつれて先細る台形状である。突出部３１ａには、半導体発光素子６０が搭載されている。より詳細には、半導体発光素子６０は、はんだやＡｇ（銀）ペーストなどの導電性接合材ＳＤ（図４参照）によって突出部３１ａに接合されている。

　第２主面側配線３２は、主にスイッチング素子７０が搭載される配線である。第２主面側配線３２は、基板主面２１のうち第１主面側配線３１とｙ方向に隣り合うように配置され、かつ基板主面２１のｙ方向の略中央に配置されている。ｚ方向から視た第２主面側配線３２の面積は、ｚ方向から視た他の配線３１，３３，３４の面積よりも大きい。第２主面側配線３２のｙ方向の両端部のうち基板側面２３に近い方の端部かつｘ方向の中央には、凹部３２ａが形成されている。凹部３２ａは、突出部３１ａの先端部を収容するように形成されている。第２主面側配線３２のうち凹部３２ａよりも基板側面２４に近い部分には、スイッチング素子７０が搭載されている。より詳細には、スイッチング素子７０は、導電性接合材ＳＤによって第２主面側配線３２に接合されている。

　第３主面側配線３３および第４主面側配線３４の双方は、スイッチング素子７０と電気的に接続される配線である。これら配線３３，３４は、ｙ方向において、第２主面側配線３２に対して第１主面側配線３１とは反対側に配置されている。具体的には、これら配線３３，３４は、ｙ方向において基板主面２１のうち第２主面側配線３２よりも基板側面２４の近くに配置されている。またこれら配線３３，３４は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。第３主面側配線３３は、第４主面側配線３４よりも基板側面２５の近くに配置されている。本実施形態では、第４主面側配線３４のｘ方向の長さは、第３主面側配線３３のｘ方向の長さよりも長く、スイッチング素子７０のｘ方向の長さよりも短い。第４主面側配線３４のｙ方向の長さは、第３主面側配線３３のｙ方向の長さと等しい。なお、ｘ方向およびｙ方向における第３主面側配線３３および第４主面側配線３４のサイズは、後述する第２ワイヤＷ２が第４主面側配線３４に接続可能、および後述する第３ワイヤＷ３が第３主面側配線３３に接続可能な範囲であれば、任意に変更可能である。本実施形態では、第３主面側配線３３は、スイッチング素子７０の制御電極７５と電気的に接続される主面側制御配線の一例である。第４主面側配線３４は、スイッチング素子７０の駆動電極（第２駆動電極７４）と電気的に接続される主面側駆動配線の一例である。

　図３および図４に示すように、基板２０は、ｚ方向において基板２０を貫通するように設けられた接続配線４０を有している。接続配線４０は、主面側配線３０と外装電極５０とを接続している。したがって、接続配線４０は、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７０と、外装電極５０とを電気的に接続している。

　接続配線４０は、接続配線４１，４２，４３，４４を含む。
　図４に示すように、第１接続配線４１は、ｚ方向から視て、基板主面２１の第１主面側配線３１と、基板裏面２２の接続電極５１との双方と重なる位置に設けられており、第１主面側配線３１と接続電極５１とを電気的に接続している。本実施形態では、第１接続配線４１は、複数設けられている。複数の第１接続配線４１は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。

　図４に示すように、第２接続配線４２は、ｚ方向から視て、基板主面２１の第２主面側配線３２と、基板裏面２２の電源電極５２との双方と重なる位置に設けられており、第２主面側配線３２と電源電極５２とを電気的に接続している。本実施形態では、第２接続配線４２は、複数設けられている。複数の第２接続配線４２は、ｘ方向およびｙ方向において互いに離間した格子状に配列されている。

　図３に示す第３接続配線４３は、ｚ方向から視て、図２に示す基板主面２１の第３主面側配線３３と、基板裏面２２の制御電極５３との双方と重なる位置に設けられており、第３主面側配線３３と制御電極５３との双方を電気的に接続している。

　図４に示すように、第４接続配線４４は、ｚ方向から視て、基板主面２１の第４主面側配線３４と、基板裏面２２のグランド電極５４との双方と重なる位置に設けられており、第４主面側配線３４とグランド電極５４とを電気的に接続している。なお、接続配線４１～４４のそれぞれの個数は任意に変更可能である。

　第１主面側配線３１の突出部３１ａ（ともに図２参照）に搭載された半導体発光素子６０は、図１に示すとおり、ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。つまり、半導体発光素子６０の厚さ方向は、基板２０の厚さ方向ともいえる。本実施形態では、半導体発光素子６０は、半導体発光装置１０の光源であり、半導体レーザ素子である。半導体レーザ素子の一例は、パルスレーザダイオードである。半導体発光素子６０の材料としては、たとえばＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）が用いられている。半導体発光素子６０は、たとえば発振波長が９０５ｎｍ、光出力が７５Ｗ以上、およびパルス幅が数十ｎｓ以下の仕様のものが用いられている。好ましくは、半導体発光素子６０は、光出力が１５０Ｗ以上、およびパルス幅が１０ｎｓ以下の仕様のものが用いられる。さらに好ましくは、半導体発光素子６０は、パルス幅が５ｎｓ以下の仕様のものが用いられる。

　図４に示すように、半導体発光素子６０は、ｚ方向において互いに反対側を向く発光素子主面６１および発光素子裏面６２を有している。発光素子主面６１は基板主面２１と同じ側を向き、発光素子裏面６２は基板裏面２２と同じ側を向いている。ｚ方向から視た発光素子主面６１および発光素子裏面６２のそれぞれの形状は、長辺方向および短辺方向を有する矩形状である。本実施形態では、長辺方向がｙ方向に沿い、短辺方向がｘ方向に沿うように、半導体発光素子６０が基板主面２１に配置されている。

　図５に示すように、半導体発光素子６０は、発光素子主面６１と交差する方向を向く発光素子側面６３～６６を有している。本実施形態では、発光素子側面６３～６６は、発光素子主面６１および発光素子裏面６２の双方と直交する方向を向いている。発光素子側面６３は、半導体発光素子６０が光を出射する発光面を構成している。このため、半導体発光素子６０は、発光素子主面６１と交差する方向を向く発光面を有しているともいえる。発光素子側面６３は、基板側面２３（装置側面１３）と同じ側を向いている。換言すると、半導体発光素子６０は、発光面が基板側面２３（装置側面１３）と同じ側を向くように配置されている。このため、図１に示すように、半導体発光装置１０は、装置側面１３から光を出射する。図５に示すように、発光素子側面６４は基板側面２４と同じ側を向き、発光素子側面６５は基板側面２５と同じ側を向き、発光素子側面６６は基板側面２６と同じ側を向いている。

　図４に示すように、半導体発光素子６０は、発光素子主面６１に形成された第１電極６７と、発光素子裏面６２に形成された第２電極６８と、を有している。本実施形態では、第１電極６７はアノードであり、第２電極６８はカソードである。第１電極６７は、半導体発光素子６０の主面側電極の一例である。ｚ方向から視た第１電極６７の形状は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる矩形状である。本実施形態では、ｚ方向から視て、第１電極６７は、発光素子主面６１よりも一回り小さい。第２電極６８は、導電性接合材ＳＤを介して第１主面側配線３１に接続されている。つまり、第２電極６８は、第１主面側配線３１と電気的に接続されている。

　第２主面側配線３２に搭載されたスイッチング素子７０は、図１に示すとおり、ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。つまり、スイッチング素子７０の厚さ方向は、基板２０の厚さ方向ともいえる。スイッチング素子７０は、半導体発光素子６０への電流を制御するための素子である。つまり、スイッチング素子７０は、半導体発光素子６０を駆動させる素子である。ｚ方向から視たスイッチング素子７０の形状は、長辺方向および短辺方向を有する矩形状である。本実施形態では、スイッチング素子７０は、長辺方向がｘ方向に沿い、短辺方向がｙ方向に沿うように配置されている。

　スイッチング素子７０は、たとえばＳｉ（シリコン）やＳｉＣ（炭化シリコン）、ＧａＮ（窒化ガリウム）等からなるトランジスタが用いられている。スイッチング素子７０がＧａＮやＳｉＣからなる場合、スイッチングの高速化に適している。本実施形態では、スイッチング素子７０は、ＳｉからなるＮ型のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）が用いられている。

　ｚ方向から視て、スイッチング素子７０の面積は、半導体発光素子６０の面積よりも大きい。換言すると、ｚ方向から視て、半導体発光素子６０の面積は、スイッチング素子７０の面積よりも小さい。より詳細には、半導体発光素子６０のｘ方向の長さはスイッチング素子７０のｘ方向の長さよりも短く、半導体発光素子６０のｙ方向の長さはスイッチング素子７０のｙ方向の長さよりも短い。本実施形態では、スイッチング素子７０の厚さは、０．２ｍｍ以上かつ０．３ｍｍ以下である。

　なお、スイッチング素子７０のサイズは、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮ等のスイッチング素子を構成する材料の種類と半導体発光装置１０の仕様とに応じて設定される。本実施形態では、スイッチング素子７０がＳｉから構成されているため、スイッチング素子７０のサイズが大きくなる。

　図４に示すように、スイッチング素子７０は、ｚ方向において互いに反対側を向くスイッチング素子主面７１およびスイッチング素子裏面７２を有している。スイッチング素子７０は、スイッチング素子裏面７２に形成された第１駆動電極７３と、スイッチング素子主面７１に形成された第２駆動電極７４および制御電極７５と、を有している。本実施形態では、第１駆動電極７３はドレイン電極であり、第２駆動電極７４はソース電極であり、制御電極７５はゲート電極である。つまり、スイッチング素子７０は、スイッチング素子主面７１およびスイッチング素子裏面７２の双方に駆動電極が形成された縦型のＭＯＳＦＥＴである。なお、スイッチング素子７０は、縦型のＭＯＳＦＥＴに限られず、スイッチング素子主面７１に第１駆動電極７３、第２駆動電極７４および制御電極７５が形成された横型のＭＯＳＦＥＴであってもよい。

　第１駆動電極７３は、スイッチング素子裏面７２の全体にわたり形成されている。第１駆動電極７３は、導電性接合材ＳＤを介して第２主面側配線３２に接続されている。つまり、第１駆動電極７３は、第２主面側配線３２と電気的に接続されている。第２駆動電極７４は、スイッチング素子主面７１に複数（本実施形態では２つ）形成されており、スイッチング素子主面７１の大部分にわたり形成されている。複数の第２駆動電極７４は、ｙ方向において互いに離間して配置されている。図２に示すように、制御電極７５は、スイッチング素子主面７１の四隅のうちの１つに形成されている。本実施形態では、スイッチング素子７０は、ｚ方向から視て、制御電極７５が基板側面２４かつ基板側面２６の近くに位置するように配置されている。

　図２に示すように、半導体発光素子６０の第１電極６７とスイッチング素子７０の第２駆動電極７４とは、１本または複数本（本実施形態では４本）の第１ワイヤＷ１によって電気的に接続されている。具体的には、各第１ワイヤＷ１の第１端部は第１電極６７に接続されており、各第１ワイヤＷ１の第２端部は第２駆動電極７４に接続されている。本実施形態では、ｚ方向から視て、隣り合う第１ワイヤＷ１のｘ方向の間隔が半導体発光素子６０からスイッチング素子７０に向かうにつれて徐々に大きくなるように各第１ワイヤＷ１が形成されている。

　スイッチング素子７０の第２駆動電極７４と第４主面側配線３４とは、１本または複数本（本実施形態では２本）の第２ワイヤＷ２によって電気的に接続されている。具体的には、ｙ方向から視て、第２駆動電極７４と第４主面側配線３４とが互いに重なる位置関係となるため、複数の第２ワイヤＷ２はｘ方向に間隔をあけて配置されるとともにｚ方向から視てｙ方向に沿って延びるように形成されている。

　スイッチング素子７０の制御電極７５と第３主面側配線３３とは、１本の第３ワイヤＷ３によって電気的に接続されている。具体的には、ｙ方向から視て、制御電極７５と第３主面側配線３３とが互いに重なる位置関係となるため、ｚ方向から視て、第３ワイヤＷ３はｙ方向に沿って延びるように形成されている。

　第２ワイヤＷ２および第３ワイヤＷ３は、スイッチング素子７０に対して第１ワイヤＷ１とは反対側に配置されている。つまり、第２ワイヤＷ２および第３ワイヤＷ３は、ｙ方向において、スイッチング素子主面７１から半導体発光素子６０とは反対側に延びている。なお、各ワイヤＷ１～Ｗ３は、スイッチング素子７０に電気的に接続されたワイヤの一例である。

　図２に示すように、半導体発光装置１０は、複数（本実施形態では２個）のキャパシタ８０を備えている。キャパシタ８０は、半導体発光素子６０に通電する電流となるべき電荷を一時的に蓄積するためのコンデンサバンクを構成している。キャパシタ８０の容量および数は、半導体発光素子６０の出力に応じて設定される。２個のキャパシタ８０は、半導体発光素子６０のｘ方向の両側において半導体発光素子６０に対して間隔をあけて配置されている。複数のキャパシタ８０は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。ｘ方向から視て、各キャパシタ８０は、半導体発光素子６０と重なる位置に配置されている。各キャパシタ８０は、第１主面側配線３１と第２主面側配線３２とのｙ方向の間を跨るように配置されており、第１主面側配線３１と第２主面側配線３２との双方に搭載されている。本実施形態では、２個のキャパシタ８０は、各配線３１，３２のｘ方向の両端部に接続されている。

　複数のキャパシタ８０は、互いに同一構造である。各キャパシタ８０は、長手方向および短手方向を有する直方体状に形成されている。各キャパシタ８０の長手方向の一方の端部には第１端子８１が設けられ、他方の端部には第２端子８２が設けられている。各キャパシタ８０は、長手方向がｙ方向となり、短手方向がｘ方向となるように配置されている。各キャパシタ８０の第１端子８１は導電性接合材ＳＤによって第１主面側配線３１に接合されており、各キャパシタ８０の第２端子８２は導電性接合材ＳＤによって第２主面側配線３２に接合されている。つまり、各キャパシタ８０は、第１主面側配線３１および第２主面側配線３２に電気的に接続されている。換言すると、各キャパシタ８０は、半導体発光素子６０の第２電極６８およびスイッチング素子７０の第１駆動電極７３と電気的に接続されている。各キャパシタ８０は、基板主面２１と同じ側を向くキャパシタ主面８３を有している。

　各キャパシタ８０は、たとえばセラミックコンデンサまたはＳｉキャパシタが用いられている。一例では、各キャパシタ８０の厚さ（ｚ方向の大きさ）は、半導体発光素子６０、透光部材９０、およびスイッチング素子７０のそれぞれの厚さよりも厚い。各キャパシタ８０としてセラミックコンデンサが用いられた場合、各キャパシタ８０の厚さは、０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。各キャパシタ８０としてＳｉキャパシタが用いられた場合、各キャパシタ８０の厚さは、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。本実施形態では、各キャパシタ８０としてセラミックコンデンサが用いられ、各キャパシタ８０の厚さは、０．５ｍｍ程度である。このため、キャパシタ主面８３は、ｚ方向において封止樹脂１００のうち樹脂裏面１０２よりも樹脂主面１０１の近くに位置している。

　半導体発光素子６０、透光部材９０、スイッチング素子７０、複数のキャパシタ８０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３は、封止樹脂１００内に設けられている。換言すると、封止樹脂１００は、半導体発光素子６０、透光部材９０、スイッチング素子７０、複数のキャパシタ８０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３を封止している。

　このように、封止樹脂１００は、透光部材９０ごと半導体発光素子６０および駆動素子を封止しているともいえる。また、封止樹脂１００は、スイッチング素子７０に接続されたワイヤごと半導体発光素子６０および駆動素子を封止しているともいえる。より詳細には、封止樹脂１００は、スイッチング素子７０と主面側配線３０とに接続されたワイヤごと半導体発光素子６０および駆動素子を封止しているともいえる。

　次に、図４～図７を参照して、半導体発光素子６０および透光部材９０について説明する。なお、図６では、透光部材９０と半導体発光素子６０との区別を容易にするため、便宜上、半導体発光素子６０を破線で示している。

　図６に示すように、透光部材９０は、半導体発光素子６０と一体に形成されている。透光部材９０は、半導体発光素子６０の透光面となる発光素子側面６３を覆うように形成されている。本実施形態では、透光部材９０は、半導体発光素子６０のうち発光素子主面６１の外周部と、半導体発光素子６０の発光素子側面６３～６６とを覆っている。

　ｚ方向から視て、透光部材９０のｘ方向の長さＸＡは、半導体発光素子６０のｘ方向の長さＸＣよりも長い。透光部材９０のｙ方向の長さＹＡは、半導体発光素子６０のｙ方向の長さＹＣよりも長い。透光部材９０のｚ方向の長さＺＡは、半導体発光素子６０のｚ方向の長さＺＣよりも長い。換言すると、透光部材９０の厚さは、半導体発光素子６０の厚さよりも厚い。透光部材９０の長さＸＡは、スイッチング素子７０のｘ方向の長さＸＢ（図２参照）よりも短い。透光部材９０の長さＹＡは、スイッチング素子７０のｙ方向の長さＹＢ（図２参照）よりも短い。透光部材９０の長さＺＡは、スイッチング素子７０のｚ方向の長さＺＢ（図４参照）よりも短い。換言すると、透光部材９０の厚さは、スイッチング素子７０の厚さよりも薄い。本実施形態では、透光部材９０の厚さ（ｚ方向の大きさ）は、０．１ｍｍよりも大きくかつ０．２ｍｍ未満である。つまり、本実施形態では、透光部材９０の厚さは、スイッチング素子７０（図４参照）の厚さよりも薄い。本実施形態では、半導体発光素子６０のｘ方向の長さＸＣは０．４ｍｍ程度である。半導体発光素子６０のｙ方向の長さＹＣは０．６ｍｍ程度である。半導体発光素子６０の厚さ（ｚ方向の長さＺＣ）は、０．１ｍｍ程度である。

　図４に示すように、基板主面２１と透光部材９０の透光主面９１との間の距離ＨＡは、基板主面２１とスイッチング素子７０のスイッチング素子主面７１との間の距離ＨＢよりも短い。また、距離ＨＡは、基板主面２１とキャパシタ８０のキャパシタ主面８３との間の距離ＨＣよりも短い。

　図５に示すように、半導体発光素子６０は、透光部材９０に対してｙ方向に偏って配置されている。より詳細には、半導体発光素子６０は、透光部材９０に対してｙ方向のうち透光側面９３よりも透光側面９４に近くなるように偏って配置されている。このため、透光部材９０の透光側面９３と半導体発光素子６０の発光素子側面６３（発光面）とのｙ方向の間の距離Ｄ１は、透光側面９４と発光素子側面６４とのｙ方向の間の距離Ｄ２よりも長い。これにより、ｙ方向において、半導体発光素子６０がスイッチング素子７０（図２参照）に近づけることができるとともに、透光部材９０によって半導体発光素子６０からの光が半導体発光装置１０の外部に出射可能となるように構成されている。また距離Ｄ１は、透光側面９５と発光素子側面６５とのｘ方向の間の距離Ｄ３および透光側面９６と発光素子側面６６とのｘ方向の間の距離Ｄ４のそれぞれよりも大きい。

　本実施形態では、透光部材９０のうち透光側面９３と発光素子側面６３との間の透光部９７のｘ方向の長さおよびｚ方向の長さが半導体発光素子６０のｘ方向の長さＸＣおよびｚ方向の長さＺＣ（図６参照）よりも大きくなる。透光部９７は、半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３を覆う部分であり、発光面から出射した光を透光させる部分である。つまり、透光部９７は、半導体発光素子６０からの光が通過する部分である。透光部９７は、透光面となる透光側面９３を有している。本実施形態では、透光部９７のｘ方向の長さは透光部材９０のｘ方向の長さＸＡと等しく、透光部９７のｚ方向の長さは透光部材９０のｚ方向の長さＺＡと等しい。

　透光部材９０のうち透光側面９４と発光素子側面６４との間のカバー部９８は、ｚ方向から視て、第１主面側配線３１の突出部３１ａからはみ出している。カバー部９８は、ｙ方向において突出部３１ａの先端部よりも第２主面側配線３２に向けてはみ出している。なお、ｚ方向から視た透光部材９０と第１主面側配線３１との位置関係は任意に変更可能である。一例では、透光部材９０は、そのカバー部９８がｚ方向から視て、第１主面側配線３１の突出部３１ａからはみ出さないように配置されていてもよい。

　ｚ方向から視て、各キャパシタ８０は、ｘ方向において透光部材９０に対して間隔をあけて配置されている。このため、透光部材９０と各キャパシタ８０との間には、封止樹脂１００が介在している。

　図７に示すように、半導体発光素子６０の発光素子裏面６２は、透光部材９０からｚ方向に露出している。図４に示すように、半導体発光素子６０の発光素子裏面６２と透光部材９０の透光裏面９２とは面一である。

　図４～図６に示すように、透光部材９０は、半導体発光素子６０の発光素子主面６１をｚ方向に露出する開口部９９を有している。開口部９９は、発光素子主面６１に形成された第１電極６７をｚ方向に露出している。本実施形態では、ｚ方向から視た開口部９９の形状は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる矩形状である。本実施形態では、開口部９９は、第１電極６７の全体をｚ方向に露出している。なお、ｚ方向から視た開口部９９の形状は任意に変更可能であり、たとえば円形や楕円形であってもよい。

　各第１ワイヤＷ１の第１端部は、開口部９９から露出した第１電極６７に接続されている。つまり、透光部材９０においては、各第１ワイヤＷ１と干渉しないように開口部９９が設けられている。図４に示すとおり、開口部９９内には、封止樹脂１００が埋め込まれている。このため、各第１ワイヤＷ１は、封止樹脂１００によって封止されているともいえる。

　図４に示すとおり、透光部材９０の透光主面９１および透光側面９４～９６（図５参照）は、封止樹脂１００によって覆われている。一方、透光部材９０の透光裏面９２および透光側面９３（発光面）は封止樹脂１００によって覆われていない。なお、透光裏面９２は、封止樹脂１００によって覆われていてもよい。

　次に、半導体発光装置１０の各構成要素の物性について説明する。
　基板２０のうち主面側配線３０、外装電極５０、および接続配線４０を互いに電気的に絶縁する絶縁層には、ガラスエポキシ樹脂が用いられる。ガラスエポキシ樹脂の線膨張係数は、たとえば１２ｐｐｍ／℃以上１７ｐｐｍ／℃以下である。本実施形態では、基板２０の絶縁層の線膨張係数が基板２０の線膨張係数に相当する。

　半導体発光素子６０は、主にＧａＡｓによって構成されている。ＧａＡｓの線膨張係数は、５．７ｐｐｍ／℃程度である。
　スイッチング素子７０は、主にＳｉによって構成されている。Ｓｉの線膨張係数は、３．３ｐｐｍ／℃である。

　各ワイヤＷ１～Ｗ３は、主にＡｕまたはＣｕによって構成されている。Ａｕの線膨張係数は、１４．３ｐｐｍ／℃である。Ｃｕの線膨張係数は、１６．３ｐｐｍ／℃である。
　透光部材９０は、電気絶縁性および透光性を有する材料からなる。透光部材９０は、たとえば光の透過率が８０％以上の樹脂材料からなる。好ましくは、透光部材９０は、光の透過率が８０％よりも高い樹脂材料からなる。より詳細には、透光部材９０は、波長が４００ｎｍ以上の光の透過率が８０％よりも高い樹脂材料からなる。透光部材９０は、たとえば透明なエポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、またはアクリル樹脂からなる。このような透光部材９０の線膨張係数は、基板２０の線膨張係数よりも大きい。本実施形態では、透光部材９０として、エポキシ樹脂が用いられている。エポキシ樹脂の線膨張係数は、たとえば６４ｐｐｍ／℃程度であり、ガラス転移温度はたとえば１２０℃程度である。

　封止樹脂１００は、電気絶縁性および遮光性を有する材料からなる。封止樹脂１００は、たとえば基板２０の線膨張係数よりも大きく透光部材９０の線膨張係数よりも小さい線膨張係数となる材料からなる。つまり、封止樹脂１００は、封止樹脂１００の線膨張係数と基板２０の線膨張係数との差が透光部材９０の線膨張係数と基板２０の線膨張係数との差よりも小さい材料からなる。封止樹脂１００の線膨張係数は、たとえば２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。一例では、封止樹脂１００の線膨張係数は、２０ｐｐｍ／℃程度である。なお、封止樹脂１００の線膨張係数は、基板２０の線膨張係数以下であってもよい。本実施形態では、封止樹脂１００は、黒色のエポキシ樹脂からなる。封止樹脂１００は、フィラーを含む。フィラーの一例は、シリカ（ＳｉＯ_２）である。このため、封止樹脂１００のガラス転移温度は、透光部材９０のガラス転移温度よりも高い。封止樹脂１００のガラス転移温度は、たとえば１５０℃以上２００℃以下である。

　（半導体発光装置の回路構成）
　以上説明した半導体発光装置１０の回路構成について、図８を用いて説明する。図８は、半導体発光装置１０が用いられたレーザシステムＬＳの回路構成を示している。

　図８に示すように、レーザシステムＬＳは、半導体発光装置１０と、駆動電源ＤＶ、電流制限抵抗Ｒ、ダイオードＤ、およびドライバ回路ＰＭを備えている。駆動電源ＤＶは、正極および負極を有する直流電源であって、半導体発光装置１０に電力を供給する。電流制限抵抗Ｒは、駆動電源ＤＶの正極と半導体発光装置１０との間に設けられており、駆動電源ＤＶから半導体発光装置１０に流れる電流を制限する。ダイオードＤは、半導体発光素子６０と逆並列に接続されており、半導体発光素子６０への電流の逆流を防止する。ダイオードＤとしては、たとえばショットキーバリアダイオードが用いられる。ドライバ回路ＰＭは、スイッチング素子７０のオンオフを制御する制御信号をスイッチング素子７０の制御電極７５に出力する。ドライバ回路ＰＭは、たとえばパルス状の制御信号を生成する矩形波発振回路である。

　半導体発光素子６０とスイッチング素子７０とは直列に接続されている。具体的には、半導体発光素子６０の第１電極６７（アノード電極）とスイッチング素子７０の第２駆動電極７４（ソース電極）とが電気的に接続されている。スイッチング素子７０の第１駆動電極７３（ドレイン電極）は、電源電極５２と電気的に接続されている。半導体発光素子６０の第２電極６８（カソード電極）は、接続電極５１と電気的に接続されている。

　キャパシタ８０は、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７０の直列体と並列に接続されている。具体的には、キャパシタ８０の第１端子８１が半導体発光素子６０の第２電極６８と電気的に接続されており、キャパシタ８０の第２端子８２がスイッチング素子７０の第１駆動電極７３と電気的に接続されている。

　スイッチング素子７０の第２駆動電極７４は、グランド電極５４と電気的に接続されている。ダイオードＤのアノード電極は接続電極５１に電気的に接続されており、ダイオードＤのカソード電極はグランド電極５４に接続されている。これにより、ダイオードＤは、半導体発光素子６０に対して逆並列に接続される。

　スイッチング素子７０の制御電極７５は、制御電極５３と電気的に接続されている。ドライバ回路ＰＭは、制御電極５３に電気的に接続されている。このため、ドライバ回路ＰＭは、スイッチング素子７０の制御電極７５に電気的に接続されている。また、ドライバ回路ＰＭおよび駆動電源ＤＶの負極のそれぞれは、グランドに接続されている。

　このような構成のレーザシステムＬＳでは、次のように動作する。すなわち、ドライバ回路ＰＭの制御信号によってスイッチング素子７０がオフ状態にされると、駆動電源ＤＶによってキャパシタ８０が蓄電される。そしてドライバ回路ＰＭの制御信号によってスイッチング素子７０がオン状態にされると、キャパシタ８０が放電することによって半導体発光素子６０に電流が流れる。これにより、半導体発光素子６０はパルスレーザ光を出射する。

　（半導体発光装置の製造方法）
　図９～図１７を参照して、半導体発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
　半導体発光装置１０の製造方法は、たとえば透光部材形成工程、素子実装工程、ワイヤ形成工程、樹脂層形成工程、および鏡面加工工程を備えている。本実施形態では、透光部材形成工程、素子実装工程、ワイヤ形成工程、樹脂層形成工程、および鏡面加工工程の順に実施される。

　透光部材形成工程は、半導体発光素子６０に透光部材を一体に形成する工程であり、発光素子搭載工程、透光層形成工程、支持基板削除工程、開口部形成工程、および切断工程を有している。本実施形態では、発光素子搭載工程、透光層形成工程、支持基板削除工程、開口部形成工程、および切断工程の順に実施する。

　発光素子搭載工程では、まず図９に示すように、ｚ方向を厚さ方向とする平板状の支持基板８００を用意する。支持基板８００は、樹脂基板または金属基板からなり、支持基板８００の厚さ方向の一方側を向く基板主面８０１を有している。基板主面８０１には、素子搭載用のテープ８１０が取り付けられている。続いて、テープ８１０のうち基板主面８０１と同じ側を向くテープ主面８１１に半導体発光素子６０を搭載する。この場合、半導体発光素子６０の発光素子裏面６２は、テープ主面８１１と接している。

　透光層形成工程では、図１０に示すように、テープ主面８１１上に透光層８９０を形成する。透光層８９０は、たとえばテープ主面８１１の全面にわたり形成される。透光層８９０は、半導体発光素子６０を封止する。透光層８９０は、透光性および電気絶縁性を有する材料からなる。透光層８９０は、透光部材９０に対応する層であり、透光部材９０と同じ材料によって形成される。一例では、透光層８９０は、透明なエポキシ樹脂からなる。透光層８９０は、テープ主面８１１上に形成されるため、半導体発光素子６０の発光素子裏面６２を覆っていない。透光層８９０は、たとえばコンプレッション成型やトランスファ成型によって形成される。

　支持基板削除工程は、図１１に示すように、半導体発光素子６０および透光層８９０から支持基板８００およびテープ８１０を削除する。支持基板８００およびテープ８１０の削除方法としては、デボンド装置によって半導体発光素子６０および透光層８９０から支持基板８００およびテープ８１０を分離する方法が用いられる。なお、機械研削によって支持基板８００およびテープ８１０を除去してもよい。これにより、半導体発光素子６０の発光素子裏面６２は透光層８９０からｚ方向に露出している。また発光素子裏面６２は透光層８９０のうち発光素子裏面６２と同じ側を向く面と面一となる。

　開口部形成工程では、図１２に示すように、透光層８９０に開口部８９９を形成する。開口部８９９は透光部材９０の開口部９９に相当する。つまり、開口部８９９は、半導体発光素子６０の発光素子主面６１をｚ方向に露出する。開口部８９９は、たとえばレーザ加工によって形成される。

　切断工程では、透光層８９０をｚ方向に切断する。より詳細には、図１２に示すように、一点鎖線で示す切断線ＣＬに沿って、たとえばダイシングブレードを用いて透光層８９０を切断する。図１３に示すように、透光層８９０のうち透光部８９７のｙ方向の長さは、カバー部８９８のｙ方向の長さよりも長い。また透光部８９７のｙ方向の長さは、透光部材９０の透光部９７のｙ方向の長さよりも長い。カバー部８９８のｙ方向の長さは、透光部材９０のカバー部９８のｙ方向の長さと等しい。

　素子実装工程では、図１４に示すように、まず、基板８２０を用意する。基板８２０は、半導体発光装置１０の基板２０に対応する。このため、基板８２０の基板主面８２１には第１主面側配線３１、第２主面側配線３２、第３主面側配線３３（図示略）、および第４主面側配線３４が形成されており、基板８２０の基板裏面８２２には接続電極５１、電源電極５２、制御電極５３（図示略）、およびグランド電極５４が形成されている。また基板８２０内には、複数の第１接続配線４１、複数の第２接続配線４２、複数の第３接続配線４３（図示略）、および第４接続配線４４が形成されている。

　続いて、基板８２０の基板主面８２１に、透光層８９０と一体化された半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、および複数のキャパシタ８０を実装する。たとえばダイボンディングによって、導電性接合材ＳＤを介して第１主面側配線３１に半導体発光素子６０が実装され、導電性接合材ＳＤを介して第２主面側配線３２にスイッチング素子７０が実装され、導電性接合材ＳＤを介して各配線３１，３２に複数のキャパシタ８０が実装される。

　ワイヤ形成工程では、ワイヤボンディング装置によって、１本または複数本（本実施形態では４本）の第１ワイヤＷ１と、１本または複数本（本実施形態では２本）の第２ワイヤＷ２と、１本の第３ワイヤＷ３とをそれぞれ形成する。図１５では、第１ワイヤＷ１および第２ワイヤＷ２を示している。

　樹脂層形成工程では、図１６に示すように、基板主面２１上に樹脂層９００を形成する。樹脂層９００は、封止樹脂１００に対応する。樹脂層９００は、遮光性および電気絶縁性を有する材料からなる。本実施形態では、樹脂層９００は、黒色のエポキシ樹脂からなる。樹脂層９００は、透光層８９０と一体化した半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、キャパシタ８０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３のそれぞれを封止する。樹脂層９００は、透光層８９０ごと半導体発光素子６０および駆動素子を封止するともいえる。樹脂層９００は、第２ワイヤＷ２ごと半導体発光素子６０および駆動素子を封止するともいえる。樹脂層９００は、第３ワイヤＷ３ごと半導体発光素子６０および駆動素子を封止するともいえる。なお、本実施形態では、駆動素子は、スイッチング素子７０および各キャパシタ８０を含む。樹脂層９００は、たとえばドランスファ成型やコンプレッション成型によって形成される。この場合、透光層８９０のうち基板側面２３と同じ側を向く透光側面８９３は、樹脂層９００によって覆われていない。また、樹脂層９００は、透光層８９０の開口部８９９を埋めるように形成される。このため、樹脂層９００は、第１ワイヤＷ１ごと半導体発光素子６０および駆動素子を封止するともいえる。

　鏡面加工工程では、図１７に示すように、鏡面加工機によって樹脂層９００の樹脂側面９０３、透光層８９０の透光側面８９３、および基板８２０の基板側面８２３を研磨する。樹脂側面９０３は、樹脂層９００のうち透光側面８９３と同じ側を向く面である。鏡面加工工程では、たとえば一点鎖線の位置まで樹脂層９００、透光層８９０および基板８２０が研磨されることによって、封止樹脂１００、透光部材９０、および基板２０が形成される。そして封止樹脂１００の樹脂側面１０３、透光部材９０の透光側面９３および基板２０の基板側面２３のそれぞれが鏡面加工された平滑面となる。このため、透光側面９３は、透光側面９４～９６よりも平坦な面となる。たとえば透光側面９３の表面粗さが透光側面９４～９６の表面粗さよりも小さい場合、透光側面９３が透光側面９４～９６よりも平坦な面であるといえる。ここで、表面粗さは、たとえば算術平均粗さ（Ｒａ）によって示すことができる。以上の工程を経て、半導体発光装置１０が製造される。

　（作用）
　本実施形態の半導体発光装置１０の作用について説明する。なお、半導体発光装置１０から封止樹脂１００を省略して、透光部材９０で半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、複数のキャパシタ８０および各ワイヤＷ１～Ｗ３を覆う構成を比較例の半導体発光装置とする。

　本願発明者らは、比較例の半導体発光装置に対して熱衝撃試験を実施した。熱衝撃試験では、－４０℃から１５０℃に温度上昇し、１５０℃から－４０℃に温度降下する過程を１サイクルとして、これを１００サイクルにわたり実施した。その結果、比較例の半導体発光装置において過度な応力が発生することが確認された。一例では、各ワイヤＷ１～Ｗ３やスイッチング素子７０に過度な負荷が加えられることが確認された。また、複数の比較例の半導体発光装置に対して熱衝撃試験を行った際、第２ワイヤＷ２が第４主面側配線３４から外れ、第３ワイヤＷ３が第３主面側配線３３からはずれてしまう半導体発光装置もあった。

　このような結果から、基板２０の線膨張係数に対して透光部材９０の線膨張係数が大きく、かつ基板２０の線膨張係数と透光部材９０の線膨張係数との差が大きいため、基板２０および透光部材９０の熱膨張および熱収縮にともない、比較例の半導体発光装置において過度な応力が発生したこと、換言すると各ワイヤＷ１～Ｗ３やスイッチング素子７０に過度の負荷が加わったことが原因であると考えられる。特に、比較例の半導体発光装置のような、半導体発光素子６０以外に、半導体発光素子６０を駆動させるのに用いられる駆動素子を基板主面２１に搭載する構成では、基板主面２１に半導体発光素子６０のみが搭載された構成と比較して、半導体発光装置のサイズが大きくなる。これにともない、封止樹脂１００のサイズも大きくなる。その結果、封止樹脂１００の熱膨張および熱収縮が各ワイヤＷ１～Ｗ３やスイッチング素子７０に与える影響が大きくなる。

　このため、透光部材９０の線膨張係数よりも線膨張係数が小さい材料、つまり透光部材９０の線膨張係数よりも基板２０の線膨張係数に近い材料で各ワイヤＷ１～Ｗ３やスイッチング素子７０を封止することが望ましい。

　このような実情により、本実施形態の半導体発光装置１０においては、透光部材９０は半導体発光素子６０のみを覆っており、各ワイヤＷ１～Ｗ３やスイッチング素子７０は透光部材９０よりも線膨張係数が小さい封止樹脂１００によって封止されている。これにより、基板２０の線膨張係数と封止樹脂１００の線膨張係数との差が小さくなるので、この線膨張係数の差に起因して半導体発光装置１０において発生する応力が軽減される、換言すると各ワイヤＷ１～Ｗ３やスイッチング素子７０に加えられる負荷が小さくなる。

　（効果）
　本実施形態の半導体発光装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（１－１）半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０の基板主面２１に搭載された半導体発光素子６０と、基板主面２１に搭載されており、半導体発光素子６０を駆動させるのに用いられる駆動素子と、半導体発光素子６０の発光素子側面６３を覆う透光部材９０と、透光部材９０よりも線膨張係数が小さい材料からなり、半導体発光素子６０および駆動素子を封止する封止樹脂１００と、を備えている。

　この構成によれば、半導体発光素子６０や駆動素子を封止している封止樹脂１００は、透光部材９０よりも線膨張係数が小さい材料によって構成されている。これにより、封止樹脂１００の線膨張係数と基板２０の線膨張係数との差は、透光部材９０の線膨張係数と基板２０の線膨張係数との差よりも小さくすることができる。このため、半導体発光装置１０の温度変化にともなう、封止樹脂１００と基板２０との熱膨張量の差および熱収縮量の差を透光部材９０と基板２０との熱膨張量の差および熱収縮量の差よりも小さくすることができる。したがって、半導体発光装置１０の温度変化に起因して半導体発光装置１０において発生する応力を軽減することができる。

　（１－２）透光部材９０は、半導体発光素子６０の発光素子主面６１に形成された主面側電極である第１電極６７を露出する開口部９９を有している。第１ワイヤＷ１は、開口部９９を通じて第１電極６７に接続されている。封止樹脂１００は、開口部９９に埋め込まれている。

　この構成によれば、第１ワイヤＷ１の全てを封止樹脂１００によって封止することができる。このため、半導体発光装置１０の温度変化に起因する第１ワイヤＷ１の負荷を軽減することができる。

　（１－３）封止樹脂１００は、透光部材９０を封止している。透光部材９０は、樹脂側面１０３から露出する透光面である透光側面９３を有している。
　この構成によれば、透光部材９０が封止している半導体発光素子６０を封止樹脂１００でも封止する構成となるため、半導体発光素子６０をより確実に保護できる。また、封止樹脂１００によって透光部材９０が封止されても、半導体発光素子６０の発光面である発光素子側面６３から出射した光が透光部材９０を介して半導体発光装置１０の外部に出射することができる。

　（１－４）透光部材９０の透光側面９３（透光面）は、樹脂側面１０３および基板側面２３と面一となる。そして透光側面９３、樹脂側面１０３および基板側面２３のそれぞれは、鏡面加工された平滑面である。

　この構成によれば、透光側面９３が平滑面となるため、半導体発光素子６０からの光が透光側面９３を通過するときに光が散乱することが抑制される。したがって、半導体発光装置１０の光出力の低下を抑制できる。

　（１－５）駆動素子は、スイッチング素子７０を含む。スイッチング素子７０のスイッチング素子主面７１には、駆動電極となる第２駆動電極７４が形成されている。基板２０の基板主面２１には、第２駆動電極７４と電気的に接続される主面側駆動配線である第４主面側配線３４が形成されている。第２ワイヤＷ２は、第２駆動電極７４と第４主面側配線３４とを接続している。

　この構成によれば、スイッチング素子７０、第４主面側配線３４、および第２ワイヤＷ２が封止樹脂１００によって封止されているため、半導体発光装置１０の温度変化に起因する第２ワイヤＷ２の負荷を軽減することができる。これにより、第２ワイヤＷ２が第４主面側配線３４から外れたり、スイッチング素子７０が変形したりすることを抑制できる。

　（１－６）駆動素子は、スイッチング素子７０を含む。スイッチング素子７０のスイッチング素子主面７１には、制御電極７５が形成されている。基板２０の基板主面２１には、制御電極７５と電気的に接続される主面側制御配線である第３主面側配線３３が形成されている。第３ワイヤＷ３は、制御電極７５と第３主面側配線３３とを接続している。

　この構成によれば、スイッチング素子７０、第３主面側配線３３、および第３ワイヤＷ３が封止樹脂１００によって封止されているため、半導体発光装置１０の温度変化に起因する第３ワイヤＷ３の負荷を軽減することができる。これにより、第３ワイヤＷ３が第３主面側配線３３から外れたり、スイッチング素子７０が変形したりすることを抑制できる。

　（１－７）駆動素子は、キャパシタ８０を含む。キャパシタ８０は、半導体発光素子６０とスイッチング素子７０とに電気的に接続されている。
　この構成によれば、キャパシタ８０が半導体発光装置１０の外部に設けられた構成と比較して、キャパシタ８０、スイッチング素子７０、および半導体発光素子６０の順に電流が流れる導電ループの面積が小さくなる。これにより、キャパシタ８０、スイッチング素子７０、および半導体発光素子６０を電気的に接続する導電経路のインダクタンスを低減できる。

　（１－８）基板２０の基板主面２１と透光部材９０の透光主面９１とのｚ方向の間の距離ＨＡは、基板主面２１とキャパシタ８０のキャパシタ主面８３とのｚ方向の間の距離ＨＣよりも小さい。

　この構成によれば、封止樹脂１００の体積に対して透光部材９０の体積が小さくなるため、半導体発光装置１０が温度変化したときに透光部材９０の線膨張係数と封止樹脂１００の線膨張係数との差に起因する封止樹脂１００の変形を抑制できる。したがって、半導体発光装置１０の温度変化に起因する各ワイヤＷ１～Ｗ３やスイッチング素子７０の負荷をそれぞれ軽減することができる。

　（１－９）基板２０の基板主面２１と透光部材９０の透光主面９１とのｚ方向の間の距離ＨＡは、基板主面２１とスイッチング素子７０のスイッチング素子主面７１とのｚ方向の間の距離ＨＢよりも小さい。

　（１－１０）スイッチング素子７０は、その全体が封止樹脂１００によって覆われている。透光部材９０は、半導体発光素子６０およびその周囲に設けられており、発光面となる発光素子側面６３を覆っている。スイッチング素子７０と透光部材９０とは間隔をあけて配置されている。スイッチング素子７０と透光部材９０との間には、封止樹脂１００が介在している。

　この構成によれば、透光部材９０とスイッチング素子７０との間には封止樹脂１００が介在する。このため、半導体発光装置１０が温度変化したときの透光部材９０の体積変化によって半導体発光素子６０とスイッチング素子７０との間の距離が変化することを抑制できる。したがって、半導体発光装置１０の温度変化に起因する各ワイヤＷ１～Ｗ３やスイッチング素子７０の負荷をそれぞれ軽減することができる。

　（１－１１）各キャパシタ８０は、その全体が封止樹脂１００によって覆われている。透光部材９０は、半導体発光素子６０およびその周囲に設けられており、発光面となる発光素子側面６３を覆っている。各キャパシタ８０と透光部材９０とは間隔をあけて配置されている。各キャパシタ８０と透光部材９０との間には、封止樹脂１００が介在している。

　この構成によれば、透光部材９０と各キャパシタ８０との間には封止樹脂１００が介在する。このため、半導体発光装置１０が温度変化したときの透光部材９０の体積変化によって各キャパシタ８０が移動することを抑制できる。

　（１－１２）半導体発光素子６０の発光素子裏面６２と透光部材９０の透光裏面９２とは面一となる。
　この構成によれば、基板２０の基板主面２１と発光素子裏面６２とが平行となるように基板主面２１に半導体発光素子６０および透光部材９０の組立体を搭載しやすくなる。このため、半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３および透光部材９０の透光面となる透光側面９３の双方が基板主面２１に対して垂直な面となるように配置しやすくなる。

　（１－１３）封止樹脂１００は、透光部材９０よりもガラス転移温度が高くなるように構成されている。
　この構成によれば、封止樹脂１００は、透光部材９０よりも耐熱性が高くなるため、透光部材９０よりも広い温度範囲で各ワイヤＷ１～Ｗ３、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０を保護することができる。したがって、より広い温度範囲に対して半導体発光装置１０を適用できる。

　（１－１４）基板２０の基板裏面２２には、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７０と個別に電気的に接続された外装電極５０が形成されている。
　この構成によれば、半導体発光装置１０が表面実装型のパッケージ構造とすることができるため、たとえばリードフレームが基板２０の側方に突出する構成と比較して、ｚ方向と直交する方向において、半導体発光装置１０を小型化できる。

　（１－１５）基板２０は、ｚ方向において基板２０を貫通するように設けられた接続配線４０を有している。接続配線４０は、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７０と外装電極５０とを電気的に接続している。

　この構成によれば、半導体発光素子６０と外装電極５０との間の導電経路と、スイッチング素子７０の第１駆動電極７３と外装電極５０との間の導電経路と、スイッチング素子７０の第２駆動電極７４と外装電極５０との間の導電経路と、スイッチング素子７０の制御電極７５と外装電極５０との間の導電経路とのそれぞれを短くすることができる。したがって、これら導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できる。

　（１－１６）半導体発光素子６０の発光素子主面６１に形成された主面側電極である第１電極６７と、スイッチング素子７０の第２駆動電極７４とは第１ワイヤＷ１によって接続されている。この構成によれば、第１電極６７と第２駆動電極７４との電気的な接続構造として、第１電極６７と基板主面２１に形成された主面側配線とがワイヤによって接続され、主面側配線と第２駆動電極７４とがワイヤによって接続された構成と比較して、第１電極６７と第２駆動電極７４との電気的な接続構造が簡素な構成となるとともに第１電極６７と第２駆動電極７４とを互いに近づけることができる。このため、第１電極６７と第２駆動電極７４との間の導電経路が短くなり、この導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できる。

　（１－１７）駆動素子は、複数（本実施形態では２個）のキャパシタ８０を含む。２個のキャパシタ８０は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。半導体発光素子６０は、２個のキャパシタ８０のｘ方向の間に配置されている。

　この構成によれば、半導体発光素子６０を基板主面２１のｘ方向の中央に配置することができる。またｘ方向において半導体発光素子６０とスイッチング素子７０とを揃えて配置することができる。これにより、半導体発光素子６０の第１電極６７とスイッチング素子７０の第２駆動電極７４とを第１ワイヤＷ１で接続しやすくなる。

　（１－１８）スイッチング素子７０の第２駆動電極７４は、第２ワイヤＷ２、第４主面側配線３４および第４接続配線４４を介してグランド電極５４に接続されている。
　この構成によれば、グランド電極５４がドライバ回路ＰＭのグランドに電気的に接続されることによって、ノイズ等によってスイッチング素子７０の第２駆動電極７４の電位が変動した場合にドライバ回路ＰＭのグランド電位が追従して変動するため、スイッチング素子７０のゲート・ソース間電圧が負の値になることが抑制される。したがって、スイッチング素子７０のしきい値電圧の変動を抑制できる。

　（１－１９）半導体発光装置１０の製造方法は、透光層８９０によって半導体発光素子６０を封止する工程と、基板８２０の基板主面８２１に、透光層８９０によって封止された半導体発光素子６０および駆動素子を実装する工程と、半導体発光素子６０および駆動素子を封止する樹脂層９００を形成する工程と、を備えている。透光層８９０の線膨張係数は、基板８２０の線膨張係数よりも大きく、樹脂層９００の線膨張係数は、透光層８９０の線膨張係数よりも小さい。

　この構成によれば、半導体発光素子６０や駆動素子を封止している樹脂層９００は、透光層８９０よりも線膨張係数が小さい材料によって構成されている。これにより、樹脂層９００の線膨張係数と基板８２０の線膨張係数との差は、透光層８９０の線膨張係数と基板８２０の線膨張係数との差よりも小さくすることができる。このため、半導体発光装置１０の温度変化にともなう、樹脂層９００と基板８２０との熱膨張量の差および熱収縮量の差が透光層８９０と基板８２０との熱膨張量の差および熱収縮量の差よりも小さくすることができる。したがって、半導体発光装置１０の温度変化に起因して半導体発光装置１０において発生する応力を軽減することができる。

　（１－２０）半導体発光装置１０の製造方法は、樹脂層９００の樹脂側面９０３、基板８２０の基板側面８２３、および透光層８９０の透光側面８９３を鏡面加工する工程を備えている。

　この構成によれば、この工程によって、基板２０、封止樹脂１００および透光部材９０が形成されるとともに、基板側面２３、樹脂側面１０３および透光側面９３が形成される。これにより、上記（１－４）と同じ効果が得られる。

　［第２実施形態］
　図１８～図２７を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０について説明する。本実施形態の半導体発光装置１０は、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、透光部材９０および封止樹脂１００に代えて透光部材２００を備える点および基板２０が多層基板である点が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態と共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。

　（半導体発光装置の構成）
　図１８～図２０を参照して、半導体発光装置１０の構成について説明する。なお、図１８では、便宜上、後述する第２透光部材２２０の内部に配置された基板２０、半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、キャパシタ８０、各ワイヤＷ１～Ｗ３、および第１透光部材２１０を破線で示している。

　図１８に示すように、半導体発光装置１０は、透光部材２００を備えている。透光部材２００は、たとえば透光部材９０と同じ材料からなる。透光部材２００は、半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、複数のキャパシタ８０および各ワイヤＷ１～Ｗ３を封止している。また、透光部材２００は、基板２０を封止している。より詳細には、透光部材２００は、基板主面２１および基板側面２３～２６を覆っている。つまり、透光部材２００は、半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３と同じ側を向く発光側基板側面となる基板側面２３を覆っている。一方、透光部材２００は、基板裏面２２を覆っていない。

　図１８に示すとおり、透光部材２００は、直方体状に形成されている。透光部材２００は、基板２０の基板主面２１上に形成された第１透光部材２１０と、第１透光部材２１０および基板２０の基板側面２３～２６を覆う第２透光部材２２０と、を有している。第１透光部材２１０および第２透光部材２２０は、同じ材料からなる。第２透光部材２２０は、第１透光部材２１０を封止しているともいえる。

　第１透光部材２１０は、半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、複数のキャパシタ８０および各ワイヤＷ１～Ｗ３を封止している。つまり、第１透光部材２１０は、半導体発光素子６０を駆動させるのに用いられる駆動素子を封止しているともいえる。本実施形態では、駆動素子は、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０を含む。このため、透光部材２００は、駆動素子を封止しているともいえる。ｚ方向から視て、第１透光部材２１０は、基板２０と同じサイズに形成されている。

　第１透光部材２１０は、ｚ方向において互いに反対側を向く第１透光主面２１１および第１透光裏面２１２と、第１透光主面２１１および第１透光裏面２１２と交差する方向を向く第１透光側面２１３～２１６と、を有している。第１透光主面２１１は基板２０の基板主面２１と同じ側を向き、第１透光裏面２１２は基板裏面２２と同じ側を向いている。第１透光側面２１３は基板側面２３と同じ側を向き、第１透光側面２１４は基板側面２４と同じ側を向き、第１透光側面２１５は基板側面２５と同じ側を向き、第１透光側面２１６は基板側面２６と同じ側を向いている。本実施形態では、第１透光側面２１３は基板側面２３と面一となり、第１透光側面２１４は基板側面２４と面一となり、第１透光側面２１５は基板側面２５と面一となり、第１透光側面２１６は基板側面２６と面一となる。本実施形態では、第１透光側面２１３は、半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３と同じ側を向く第１発光側側面の一例である。

　第２透光部材２２０は、ｚ方向において互いに反対側を向く第２透光主面２２１および第２透光裏面２２２と、第２透光主面２２１および第２透光裏面２２２と交差する方向を向く第２透光側面２２３～２２６と、を有している。

　図１８～図２０に示すように、第２透光主面２２１は第１透光主面２１１と同じ側を向き、かつ第１透光主面２１１をｚ方向から覆っている。第２透光裏面２２２は基板裏面２２と同じ側を向き、かつ基板裏面２２と面一となるように形成されている。第２透光側面２２３は第１透光側面２１３および基板側面２３と同じ側を向き、かつ第１透光側面２１３および基板側面２３の双方をｙ方向から覆っている。第２透光側面２２４は第１透光側面２１４および基板側面２４と同じ側を向き、かつ第１透光側面２１４および基板側面２４の双方をｙ方向から覆っている。第２透光側面２２５は第１透光側面２１５および基板側面２５と同じ側を向き、かつ第１透光側面２１５および基板側面２５の双方をｘ方向から覆っている。第２透光側面２２６は第１透光側面２１６および基板側面２６と同じ側を向き、かつ第１透光側面２１６および基板側面２６の双方をｘ方向から覆っている。

　このように、第２透光部材２２０の各面２２１～２２６は、半導体発光装置１０の外面を構成している。より詳細には、第２透光主面２２１は装置主面１１を構成し、第２透光裏面２２２および基板２０の基板裏面２２は装置裏面１２を構成している。第２透光側面２２３は装置側面１３を構成し、第２透光側面２２４は装置側面１４を構成し、第２透光側面２２５は装置側面１５を構成し、第２透光側面２２６は装置側面１６を構成している。このため、第２透光側面２２３は、半導体発光素子６０が出射する光を透光する透光面を構成している。

　図１８～図２０に示すように、第２透光側面２２３は、鏡面加工された平滑面である。後述するが、第２透光側面２２４～２２６は、ダイシングによって形成されている。このため、第２透光側面２２４～２２６は、ダイシング側面の一例となる。第２透光側面２２３は、第２透光側面２２４～２２６よりも平坦な面である。たとえば第２透光側面２２３の表面粗さが第２透光側面２２４～２２６の表面粗さよりも小さい場合、第２透光側面２２３が第２透光側面２２４～２２６よりも平坦な面であるといえる。ここで、表面粗さは、たとえば算術平均粗さ（Ｒａ）によって示すことができる。

　図１９および図２０に示すように、第２透光部材２２０は、第１透光主面２１１を覆う主面側カバー部２２７と、第１透光側面２１３および基板側面２３を覆う発光側カバー部２２８と、第１透光側面２１４および基板側面２４を覆う側面側カバー部２２９Ａと、第１透光側面２１５および基板側面２５を覆う側面側カバー部２２９Ｂと、第１透光側面２１６および基板側面２６を覆う側面側カバー部２２９Ｃと、を有している。本実施形態では、発光側カバー部２２８は基板側面２３の全面を覆っており、側面側カバー部２２９Ａは基板側面２４の全面を覆っており、側面側カバー部２２９Ｂは基板側面２５の全面を覆っており、側面側カバー部２２９Ｃは基板側面２６の全面を覆っている。

　図２０に示すように、主面側カバー部２２７の厚さＤＡ（主面側カバー部２２７のｚ方向の長さ）は、第１透光部材２１０の厚さＤＰおよび基板２０の厚さＤＱよりも薄い。本実施形態では、主面側カバー部２２７の厚さＤＡは、図１９に示す側面側カバー部２２９Ａの厚さＤＣ（側面側カバー部２２９Ａのｙ方向の長さ）、側面側カバー部２２９Ｂの厚さＤＤ（側面側カバー部２２９Ｂのｘ方向の長さ）、および側面側カバー部２２９Ｃの厚さＤＥ（側面側カバー部２２９Ｃのｘ方向の長さ）よりも薄い。本実施形態では、厚さＤＣ，ＤＤ，ＤＥは互いに等しい。

　図１９に示すように、発光側カバー部２２８の厚さＤＢ（発光側カバー部２２８のｙ方向の長さ）は、側面側カバー部２２９Ａの厚さＤＣ、側面側カバー部２２９Ｂの厚さＤＤ、および側面側カバー部２２９Ｃの厚さＤＥよりも薄い。本実施形態では、発光側カバー部２２８の厚さＤＢは、主面側カバー部２２７の厚さＤＡと等しい。

　なお、各厚さＤＡ～ＤＥは任意に変更可能である。一例では、厚さＤＡは、厚さＤＣ～ＤＥと等しくてもよい。厚さＤＢは厚さＤＡよりも薄くてもよい。厚さＤＣ～ＤＥは、互いに異なってもよい。

　図２０に示すように、本実施形態の基板２０は、複数の絶縁層および導電層を含む多層基板からなる。
　本実施形態では、基板２０は、基板主面２１を含む絶縁層としての主面層２０Ａと、基板裏面２２を含む絶縁層としての裏面層２０Ｂと、ｚ方向において主面層２０Ａと裏面層２０Ｂとの間に配置された導電層としての中間層２０Ｃと、を含む。本実施形態では、中間層２０Ｃは１層であるが、これに限られない。中間層２０Ｃは、複数層から構成されていてもよい。つまり、基板２０は、４層以上の導電層を含む構成とされていてもよい。

　主面層２０Ａおよび裏面層２０Ｂの双方は、電気絶縁性を有する材料からなる。電気絶縁性を有する材料としては、たとえばガラスエポキシ樹脂が用いられる。主面層２０Ａの表面（基板主面２１）には、第１実施形態と同様に導電層としての主面側配線３０が形成されている。裏面層２０Ｂの表面（基板裏面２２）には、第１実施形態と同様に導電層としての外装電極５０が形成されている。

　中間層２０Ｃは、主面層２０Ａと裏面層２０Ｂの双方と接している。本実施形態では、中間層２０Ｃの厚さは、主面層２０Ａの厚さおよび裏面層２０Ｂの厚さよりも薄い。中間層２０Ｃは、金属層２７および絶縁層２８を有している。

　金属層２７はたとえばＣｕからなる。ｚ方向から視て、金属層２７は、半導体発光素子６０と重なるように設けられている。ｚ方向から視て、金属層２７は、スイッチング素子７０と重なるように設けられている。本実施形態では、図１９に示すように、ｚ方向から視て、金属層２７は、基板主面２１および基板裏面２２の略全面と重なるように設けられている。ｚ方向から視た金属層２７の形状は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる矩形状である。金属層２７の外縁は、基板主面２１の外縁および基板裏面２２の外縁よりも一回り小さい。つまり、金属層２７は、基板側面２３～２６よりも内方に位置している。このように、ｚ方向から視て、金属層２７は、主面側配線３０、各ワイヤＷ１～Ｗ３、半導体発光素子６０、スイッチング素子７０および複数のキャパシタ８０と重なるように設けられている。

　図２０に示すように、金属層２７には、金属層２７と接続配線４０とを離隔する複数の貫通孔２７ａが形成されている。貫通孔２７ａは、金属層２７をｚ方向に貫通している。
　絶縁層２８は、電気絶縁性を有する材料からなる。電気絶縁性を有する材料としては、たとえばガラスエポキシ樹脂が用いられる。絶縁層２８は、主面層２０Ａおよび裏面層２０Ｂと同じ材料が用いられることが好ましい。絶縁層２８は、金属層２７を取り囲むように設けられており、中間層２０Ｃの外周縁を構成している。つまり、絶縁層２８は、中間層２０Ｃの基板側面２３～２６を構成している。

　なお、中間層２０Ｃは、金属層２７の貫通孔２７ａを構成する内面と、接続配線４０との間にも設けられてもよい。これにより、金属層２７と接続配線４０とが電気的に絶縁しやすくなる。

　（半導体発光装置の製造方法）
　図２１～図２７を参照して、半導体発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
　本実施形態の半導体発光装置１０の製造方法は、素子実装工程、ワイヤ形成工程、第１透光層形成工程、第１切断工程、第２透光層形成工程、第２切断工程、および鏡面加工工程を備えている。本実施形態では、素子実装工程、ワイヤ形成工程、第１透光層形成工程、第１切断工程、第２透光層形成工程、第２切断工程、および鏡面加工工程の順に実施される。

　素子実装工程では、まず図２１に示す基板９２０を用意する。基板９２０は、複数の基板２０を構成する部材である。基板９２０は、ｚ方向において互いに反対側を向く基板主面９２１および基板裏面９２２を有している。基板主面９２１には複数の主面側配線３０が形成されており、基板裏面９２２には複数の外装電極５０が形成されている。基板９２０には、基板９２０をｚ方向に貫通するように複数の接続配線４０が形成されている。

　ここで、基板９２０は、基板９２０の厚さ方向（ｚ方向）において複数の層が積層された多層構造である。基板９２０は、基板主面９２１を含む主面層９２０Ａと、基板裏面９２２を含む裏面層９２０Ｂと、ｚ方向において主面層９２０Ａと裏面層９２０Ｂとの間に配置された中間層９２０Ｃと、を有している。主面層９２０Ａは基板２０の主面層２０Ａに対応し、裏面層９２０Ｂは基板２０の裏面層２０Ｂに対応し、中間層９２０Ｃは基板２０の中間層２０Ｃに対応している。

　続いて、基板９２０の基板主面９２１に、半導体発光素子６０、スイッチング素子７０および複数のキャパシタ８０を実装する。半導体発光素子６０、スイッチング素子７０および複数のキャパシタ８０の実装方法は、第１実施形態と同様である。

　ワイヤ形成工程では、第１ワイヤＷ１、第２ワイヤＷ２および第３ワイヤＷ３を形成する。これらワイヤＷ１～Ｗ３の形成方法は、第１実施形態と同様である。なお、図２１では、第１ワイヤＷ１および第２ワイヤＷ２を示している。

　第１透光層形成工程では、図２１に示すように、基板主面９２１上に第１透光層９３０を形成する。第１透光層９３０は、第１透光部材２１０を構成する層であり、透光性を有する材料によって構成されている。より詳細には、第１透光層９３０は、透明な樹脂材料によって構成されている。透明な樹脂材料としては、たとえばエポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、またはアクリル樹脂が挙げられる。第１透光層９３０は、半導体発光素子６０を封止する。本実施形態では、第１透光層９３０は、複数の半導体発光素子６０、複数のスイッチング素子７０、複数のキャパシタ８０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３を封止する。

　第１切断工程では、たとえばダイシングブレードを用いて、ｚ方向に沿って第１透光層９３０および基板９２０の双方を切断する。具体的には、図２１に示す切断線ＣＬ１に沿って第１透光層９３０および基板９２０の双方を切断する。これにより、図２２に示すように、基板２０および第１透光部材２１０が形成される。つまり、第１切断工程では、基板２０と、基板主面２１に搭載された半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、および複数（本実施形態では２個）のキャパシタ８０と、各ワイヤＷ１～Ｗ３と、第１透光部材２１０との半導体発光組立体（以下、「組立体ＡＳ」）が個片化される。この組立体ＡＳは、基板２０の基板主面２１に搭載された半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、複数（本実施形態では２個）のキャパシタ８０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３が第１透光部材２１０によって封止された構成である。このように、素子実装工程、ワイヤ形成工程、第１透光層形成工程、および第１切断工程によって、組立体ＡＳが複数用意される。

　第２透光層形成工程は、組立体搭載工程および透光層形成工程を有している。
　組立体搭載工程では、図２２に示すように、まず支持基板９５０を用意する。支持基板９５０は、ｚ方向を厚さ方向とする平板状に形成されている。支持基板９５０は、ｚ方向のうち一方側を向く基板主面９５１を有している。基板主面９５１には、マウントテープ９５２が形成されている。続いて、複数の組立体ＡＳをマウントテープ９５２上に搭載する。図２２および図２３に示すように、複数の組立体ＡＳは、ｚ方向から視て、ｘ方向およびｙ方向の双方に間隔をあけて配列される。ｘ方向に沿って配列される複数の組立体ＡＳは、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において間隔をあけて配列されている。ｙ方向に沿って配列される複数の組立体ＡＳは、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において間隔をあけて配列されている。このため、図２３に示すように、所定の組立体ＡＳにおいては、ｚ方向から視て、組立体ＡＳの周囲にｘ方向に沿った隙間Ｇｘとｙ方向に沿った隙間Ｇｙとが形成される。

　透光層形成工程では、図２４に示すように、各組立体ＡＳを覆うように第２透光層９４０を形成する。第２透光層９４０は、第２透光部材２２０を構成する層であり、透明な樹脂材料によって構成されている。透明な樹脂材料としては、たとえばエポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、またはアクリル樹脂が挙げられる。本実施形態では、第２透光層９４０は、第１透光層９３０と同じ材料によって形成されている。図２４および図２５に示すように、第２透光層９４０は、隙間Ｇｘおよび隙間Ｇｙを埋めるように形成される。つまり、第２透光層９４０は、各組立体ＡＳの基板９２０の全ての基板側面を封止するように形成される。

　第２切断工程では、まず、支持基板９５０およびマウントテープ９５２を削除する。支持基板９５０およびマウントテープ９５２の削除方法は、たとえば第１実施形態の支持基板削除工程と同様である。続いて、図２６に示すように、ダイシングテープＤＴを用意し、ダイシングテープＤＴ上に第２透光層９４０によって封止された複数の組立体ＡＳを載置する。続いて、たとえばダイシングブレードを用いて、図２５に示す切断線ＣＬ２に沿って第２透光層９４０を切断する。切断線ＣＬ２は、隙間Ｇｘにおいてｙ方向の中央かつｘ方向に沿って延びており、隙間Ｇｙにおいてｘ方向の中央かつｙ方向に沿って延びている。ダイシングブレードが隙間Ｇｘ，Ｇｙに入り込むように、ダイシングブレードの幅および隙間Ｇｘ，Ｇｙのサイズのそれぞれが設定される。これにより、第２透光層９４０によって覆われた組立体ＡＳが複数形成される。

　鏡面加工工程では、鏡面加工機によって第２透光層９４０の第２透光側面９４３を研磨する。一例では、図２７に示す一点鎖線まで第２透光層９４０を研磨する。これにより、第２透光部材２２０が形成される。換言すると、透光部材２００が形成される。そして第２透光部材２２０の第２透光側面２２３（図２０参照）が鏡面加工された平滑面となる。ここで、第２透光部材２２０の第２透光側面２２４～２２６（図１９参照）は、鏡面加工されないため、第２切断工程でダイシングによって形成されたダイシング側面となる。ダイシング側面となる第２透光側面２２４～２２６には、ダイシングブレードによって切削痕が形成される。このため、第２透光側面２２３は、第２透光側面２２４～２２６よりも平坦な面となる。以上の工程を経て、半導体発光装置１０が製造される。

　（効果）
　本実施形態の半導体発光装置１０によれば、第１実施形態の（１－７）および（１－１４）～（１－１８）に準じた効果に加え、以下の効果が得られる。

　（２－１）半導体発光装置１０は、基板主面２１を有する基板２０と、基板主面２１に搭載された半導体発光素子６０と、半導体発光素子６０を封止する透光性の透光部材２００と、を備えている。基板２０は、半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３と同じ側を向く発光側基板側面となる基板側面２３を有している。透光部材２００は、基板側面２３を覆う発光側カバー部２２８を有している。発光側カバー部２２８は、発光素子側面６３と同じ側を向く透光面となる透光側面２２３を有している。透光側面２２３は、鏡面加工された平滑面である。

　この構成によれば、透光部材２００が基板側面２３を覆っているため、透光側面２２３のみが鏡面加工される。つまり、基板側面２３は鏡面加工されていない。これにより、鏡面加工するときに基板側面２３の加工屑が鏡面加工機に付着することがないため、この加工屑に起因して透光側面２２３に切削痕（研磨痕）が形成されることが回避される。したがって、半導体発光素子６０からの光が透光側面２２３を通過するときに切削痕（研磨痕）で散乱することが回避されるため、半導体発光装置１０の光出力の低下を抑制できる。

　（２－２）透光部材２００は、基板２０の基板側面２４～２６を覆う側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃを有している。側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃは、切削痕が形成されたダイシング側面となる透光側面２２４～２２６を有している。透光面となる透光側面２２３は、透光側面２２４～２２６よりも平坦な面である。

　この構成によれば、透光部材２００の透光側面（第２透光部材２２０の第２透光側面２２３～２２６）のうち透光面となる第２透光側面２２３のみが鏡面加工されている。このため、第２透光側面２２３に加え、第２透光側面２２４～２２６のうち少なくとも１つを鏡面加工する場合と比較して、製造コストを低減できる。

　（２－３）ｚ方向から視て、基板側面２３と透光側面２２３との間の距離は、基板側面２４と透光側面２２４との間の距離、基板側面２５と透光側面２２５との間の距離、および基板側面２６と透光側面２２６との間の距離よりも短い。

　この構成によれば、半導体発光素子６０からの光が通過する発光側カバー部２２８のｙ方向（光の出射方向）の厚さが薄くなる。したがって、半導体発光素子６０からの光が透光部材２００によって散乱するおそれを低減できる。

　（２－４）基板２０は、基板主面２１を含む主面層２０Ａと、基板裏面２２を含む裏面層２０Ｂと、主面層２０Ａと裏面層２０Ｂとの間に配置された中間層２０Ｃと、を含む多層基板である。中間層２０Ｃは、金属層２７を含む。

　この構成によれば、基板２０の外部から基板裏面２２を介して基板主面２１に向けて水分が浸透する場合に金属層２７によって金属層２７よりも基板主面２１に浸透することを抑制できる。したがって、基板主面２１に搭載される半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、キャパシタ８０、各ワイヤＷ１～Ｗ３、および主面側配線３０に水分が付着することを抑制できる。加えて、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７０から金属層２７に放熱することができる。したがって、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７０の過度な温度上昇を抑制できる。

　（２－５）金属層２７は、ｚ方向から視て、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７０と重なる位置に配置されている。
　この構成によれば、基板裏面２２を介して基板主面２１に向けて水分が浸透する場合に金属層２７によって半導体発光素子６０およびスイッチング素子７０に向けて水分が浸透しにくくなる。したがって、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７０に水分が付着することを抑制できる。

　（２－６）金属層２７は、基板２０の基板側面２３～２６よりも内方に位置している。
　この構成によれば、半導体発光装置１０の製造工程において、ダイシングブレードを用いて基板９２０を切断する場合に、基板９２０の絶縁層のみを切断するため、基板９２０を容易に切断できる。

　（２－７）金属層２７には、金属層２７と接続配線４０とを離隔する貫通孔２７ａが設けられている。接続配線４０と貫通孔２７ａを構成する内面との間には、絶縁層２８が設けられている。

　この構成によれば、接続配線４０と金属層２７とを電気的に絶縁することができる。
　（２－８）基板２０の基板裏面２２は、裏面側絶縁層２２ａによって覆われている。
　この構成によれば、基板２０の外部から基板裏面２２に水分が浸入しにくくなる。つまり、基板２０内に水分が浸入することを抑制できる。したがって、基板主面２１に搭載される半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、キャパシタ８０、各ワイヤＷ１～Ｗ３、および主面側配線３０に水分が付着することを一層抑制できる。

　（２－９）透光部材２００（第２透光部材２２０）の発光側カバー部２２８は、基板２０の基板側面２３のうち主面層２０Ａおよび中間層２０Ｃを少なくとも覆っている。
　この構成によれば、基板側面２３のうち裏面層２０Ｂから水分が浸入したとしても、金属層２７によって主面層２０Ａに水分が浸入することを抑制できる。

　（２－１０）発光側カバー部２２８は、基板側面２３の全体を覆っている。
　この構成によれば、発光側カバー部２２８によって基板側面２３から水分が浸入することが抑制されるため、基板２０の外部の水分が基板側面２３を介して基板主面２１に浸入することを抑制できる。

　（２－１１）透光部材２００は、基板２０の基板主面２１上に設けられた第１透光部材２１０と、第１透光部材２１０を封止する第２透光部材２２０と、を有している。第１透光部材２１０は、半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、キャパシタ８０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３を封止している。第２透光部材２２０は、発光側カバー部２２８を含む。

　この構成によれば、半導体発光装置１０の製造工程において、基板主面２１上に第１透光部材２１０が形成された組立体を搬送装置で搬送しやすくなる。また第１透光部材２１０によって半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、キャパシタ８０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３が保護されるため、搬送時に半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、キャパシタ８０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３が外部の部品と接触することを防止でき、搬送時に各ワイヤＷ１～Ｗ３が変形することを抑制できる。

　（２－１２）第２透光部材２２０は、第１透光部材２１０の全体を覆っている。
　この構成によれば、半導体発光装置１０の製造工程において、第２透光層９４０を容易に形成できる。

　（２－１３）第１透光部材２１０は、基板主面２１と同じ側を向く第１透光主面２１１と、半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３と同じ側を向く第１発光側側面となる第１透光側面２１３と、ｚ方向から視て、第１透光側面２１３（発光面）と交差する第１透光側面２１４～２１６と、を有している。第２透光部材２２０は、第１透光主面２１１を覆う主面側カバー部２２７と、第１透光側面２１３を覆う発光側カバー部２２８と、第１透光側面２１４～２１６を覆う側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃと、を有している。主面側カバー部２２７は、第１透光主面２１１と同じ側を向く第２透光主面２２１を有している。側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃは、ダイシング側面となる第２透光側面２２４～２２６を有している。第１透光側面２１３と第２透光側面２２３との間の距離は、第１透光側面２１４と第２透光側面２２４との間の距離、第１透光側面２１５と第２透光側面２２５との間の距離、および第１透光側面２１６と第２透光側面２２６との間の距離よりも短い。

　（２－１４）第１透光主面２１１と第２透光主面２２１との間の距離は、第１透光側面２１４と第２透光側面２２４との間の距離、第１透光側面２１５と第２透光側面２２５との間の距離、および第１透光側面２１６と第２透光側面２２６との間の距離よりも短い。

　この構成によれば、主面側カバー部２２７の厚さを薄くすることができるため、透光部材２００の厚さを薄くできる。したがって、ｚ方向（半導体発光装置１０の高さ方向）における半導体発光装置１０の小型化を図ることができる。

　（２－１５）透光部材２００（第２透光部材２２０）の側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃは、基板２０の基板側面２４～２６のうち主面層２０Ａおよび中間層２０Ｃを少なくとも覆っている。

　この構成によれば、基板側面２４～２６のうち裏面層２０Ｂから水分が浸入したとしても、金属層２７によって主面層２０Ａに水分が浸入することを抑制できる。
　（２－１６）側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃは、基板側面２４～２６のそれぞれの全体を覆っている。

　この構成によれば、側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃによって基板側面２４～２６から水分が浸入することが抑制されるため、基板２０の外部の水分が基板側面２４～２６を介して基板主面２１に浸入することを抑制できる。

　（２－１７）半導体発光装置１０の製造方法は、基板主面２１および基板側面２３～２６を有する基板２０と、基板主面２１に搭載されており、基板主面２１と交差する方向を向く発光面となる発光素子側面６３を有する半導体発光素子６０と、半導体発光素子６０を封止する透光性の第１透光層９３０と、を備えた半導体発光組立体である組立体ＡＳを複数用意する工程と、複数の組立体ＡＳの第１透光層９３０および基板９２０封止する第２透光層９４０を形成する工程と、第２透光層９４０を切断することによって個片化する工程と、第２透光層９４０のうち発光素子側面６３と同じ側を向く面である透光面となる第２透光側面９４３を研磨する工程と、を備える。

　この構成によれば、第２透光層９４０が基板側面２３を覆っているため、第２透光側面９４３のみが鏡面加工される。つまり、基板側面２３は鏡面加工されていない。これにより、鏡面加工するときに基板側面２３の加工屑が鏡面加工機に付着することがないため、この加工屑に起因して第２透光側面９４３に切削痕（研磨痕）が形成されることが回避される。したがって、半導体発光素子６０からの光が第２透光側面９４３を通過するときに切削痕（研磨痕）で散乱することが回避されるため、半導体発光装置１０の光出力の低下を抑制できる。

　［第３実施形態］
　図２８～図３４を参照して、第３実施形態の半導体発光装置１０について説明する。本実施形態の半導体発光装置１０は、第２実施形態の半導体発光装置１０と比較して、透光部材３００および基板２０の構成が異なる。以下の説明において、第２実施形態と共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。

　（半導体発光装置の構成）
　図２８～図３０を参照して、半導体発光装置１０の構成について説明する。なお、図２８では、便宜上、透光部材３００の内部に配置された基板２０、半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、キャパシタ８０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３を破線で示している。

　透光部材３００は、第２実施形態の透光部材２００と同じ材料によって形成されている。図２８に示すとおり、透光部材３００は、半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、複数（本実施形態では２個）のキャパシタ８０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３のそれぞれを封止し、かつ基板側面２３～２６のそれぞれのｚ方向の一部を封止している。

　透光部材３００は、ｚ方向において互いに反対側を向く透光主面３０１および透光裏面３０２と、透光主面３０１および透光裏面３０２の双方と交差する方向を向く透光側面３０３～３０６と、を有している。

　透光主面３０１は基板主面２１と同じ側を向き、透光裏面３０２は基板裏面２２と同じ側を向いている。本実施形態では、透光主面３０１は装置主面１１を構成している。また基板裏面２２は装置裏面１２を構成している。

　透光側面３０３は基板側面２３と同じ側を向き、透光側面３０４は基板側面２４と同じ側を向き、透光側面３０５は基板側面２５と同じ側を向き、透光側面３０６は基板側面２６と同じ側を向いている。透光側面３０３は基板側面２３のｚ方向の一部かつｘ方向の全体を覆っており、透光側面３０４は基板側面２４のｚ方向の一部かつｘ方向の全体を覆っている。透光側面３０５は基板側面２５のｚ方向の一部かつｙ方向の全体を覆っており、透光側面３０６は基板側面２６のｚ方向の一部かつｙ方向の全体を覆っている。

　図２８に示すように、本実施形態の基板２０は、第２実施形態の基板２０とは異なり、基板側面２３～２６のそれぞれの一部が透光部材３００によって覆われていない。つまり、本実施形態では、基板側面２３～２６のうち透光部材３００によって覆われていない部分が半導体発光装置１０の外部に露出している。

　図２９に示すように、基板２０の外周部には、全周にわたり内方に窪む窪み部が設けられている。より詳細には、基板２０のｙ方向の両端部のうち基板側面２３に近い方の端部には窪み部２３ａが設けられており、基板側面２４に近い方の端部には窪み部２４ａが設けられている。基板２０のｘ方向の両端部のうち基板側面２５に近い方の端部には窪み部２５ａが設けられており、基板側面２６に近い方の端部には窪み部２６ａが設けられている。窪み部２３ａは窪み部２５ａ，２６ａと繋がっており、窪み部２４ａは窪み部２５ａ，２６ａと繋がっている。各窪み部２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａは、ｚ方向において基板主面２１に向けて開口している。つまり、基板側面２３～２６のうち基板主面２１の近くの部分は、基板裏面２２の近くの部分よりも内方に位置している。より詳細には、図３０に示すように、窪み部２３ａ，２４ａは、ｚ方向において基板２０のうち主面層２０Ａおよび中間層２０Ｃの全体にわたり形成されている。また、窪み部２３ａ，２４ａは、ｚ方向において基板２０の裏面層２０Ｂのうち中間層２０Ｃに近い方の一部にわたり形成されている。なお、図示していないが、窪み部２５ａ，２６ａは、窪み部２３ａ，２４ａと同様に、ｚ方向において基板２０のうち主面層２０Ａおよび中間層２０Ｃの全体にわたり形成されており、ｚ方向において基板２０の裏面層２０Ｂのうち中間層２０Ｃに近い方の一部にわたり形成されている。

　基板側面２３は、窪み部２３ａに対応する基板側面２３Ｕと、窪み部２３ａよりも基板裏面２２寄りの基板側面２３Ｌと、を有している。ｘ方向において、基板側面２３Ｕは、基板側面２３Ｌよりも内方に位置している。

　基板側面２４は、窪み部２４ａに対応する基板側面２４Ｕと、窪み部２４ａよりも基板裏面２２寄りの基板側面２４Ｌと、を有している。ｘ方向において、基板側面２４Ｕは、基板側面２４Ｌよりも内方に位置している。

　図２９に示すように、基板側面２５は、窪み部２５ａに対応する基板側面２５Ｕと、窪み部２５ａよりも基板裏面２２寄りの基板側面２５Ｌと、を有している。ｙ方向において、基板側面２５Ｕは、基板側面２５Ｌよりも内方に位置している。

　基板側面２６は、窪み部２６ａに対応する基板側面２６Ｕと、窪み部２６ａよりも基板裏面２２寄りの基板側面２６Ｌと、を有している。ｙ方向において、基板側面２６Ｕは、基板側面２６Ｌよりも内方に位置している。

　基板側面２３Ｕ～２６Ｕのそれぞれのｚ方向の長さは互いに等しい。基板側面２３Ｌ～２６Ｌのそれぞれのｚ方向の長さは互いに等しい。基板側面２３Ｕは基板側面２５Ｕ，２６Ｕと繋がっており、基板側面２４Ｕは基板側面２５Ｕ，２６Ｕと繋がっている。

　各窪み部２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａには、透光部材３００が設けられている。このため、基板側面２３Ｕ～２６Ｕのそれぞれは、透光部材３００によって覆われている。より詳細には、透光部材３００は、窪み部２３ａに設けられた発光側カバー部３０７と、窪み部２４ａ，２５ａ，２６ａに設けられた側面側カバー部３０８Ａ～３０８Ｃと、を有している。側面側カバー部３０８Ａは透光側面３０４を有し、側面側カバー部３０８Ｂは透光側面３０５を有し、側面側カバー部３０８Ｃは透光側面３０６を有している。

　本実施形態では、発光側カバー部３０７の厚さ（発光側カバー部３０７のｙ方向の長さ）は、側面側カバー部３０８Ａの厚さ（側面側カバー部３０８Ａのｙ方向の長さ）、側面側カバー部３０８Ｂの厚さ（側面側カバー部３０８Ｂのｘ方向の長さ）、および側面側カバー部３０８Ｃの厚さ（側面側カバー部３０８Ｃのｘ方向の長さ）よりも薄い。本実施形態では、側面側カバー部３０８Ａ～３０８Ｃの厚さは、互いに等しい。

　なお、発光側カバー部３０７の厚さおよび側面側カバー部３０８Ａ～３０８Ｃの厚さのそれぞれは、任意に変更可能である。一例では、発光側カバー部３０７の厚さは、側面側カバー部３０８Ａ～３０８Ｃの厚さと等しくてもよい。また、側面側カバー部３０８Ａ～３０８Ｃの厚さが互いに異なっていてもよい。

　本実施形態では、基板側面２３Ｌは透光側面３０３と面一となり、基板側面２４Ｌは透光側面３０４と面一となり、基板側面２５Ｌは透光側面３０５と面一となり、基板側面２６Ｌは透光側面３０６と面一となる。このため、基板側面２３Ｌ～２６Ｌのそれぞれは、半導体発光装置１０の外部に露出した面となる。本実施形態では、基板側面２３Ｌおよび透光側面３０３は装置側面１３を構成しており、基板側面２４Ｌおよび透光側面３０４は装置側面１４を構成しており、基板側面２５Ｌおよび透光側面３０５は装置側面１５を構成しており、基板側面２６Ｌおよび透光側面３０６は装置側面１６を構成している。

　（半導体発光装置の製造方法）
　図３１～図３４を参照して、半導体発光装置１０の製造方法の一例について説明する。
　半導体発光装置１０の製造方法は、素子実装工程、ワイヤ形成工程、基板加工工程、透光層形成工程、切断工程、および鏡面加工工程を備えている。本実施形態では、素子実装工程、ワイヤ形成工程、基板加工工程、透光層形成工程、切断工程、および鏡面加工工程の順に実施される。なお、半導体発光装置１０の製造方法の工程順序は任意に変更可能であり、たとえば基板加工工程が素子実装工程よりも前に実施されてもよい。

　図３１に示すように、素子実装工程およびワイヤ形成工程は、第２実施形態の素子実装工程およびワイヤ形成工程と同じである。ここで、基板９２０は、基板９２０の厚さ方向（ｚ方向）において複数の層が積層された多層構造である。基板９２０は、基板主面９２１を含む主面層９２０Ａと、基板裏面９２２を含む裏面層９２０Ｂと、ｚ方向において主面層９２０Ａと裏面層９２０Ｂとの間に配置された中間層９２０Ｃと、を有している。主面層９２０Ａは基板２０の主面層２０Ａに対応し、裏面層９２０Ｂは基板２０の裏面層２０Ｂに対応し、中間層９２０Ｃは基板２０の中間層２０Ｃに対応している。

　基板加工工程では、図３１に示すように、まず、基板９２０をダイシングテープＤＴ上に載置する。続いて、たとえばダイシングブレードを用いて、基板９２０に複数の溝９２７を形成する。つまり、基板加工工程では、基板９２０を切断しない。溝９２７は、ｚ方向から視て、基板２０のサイズとなるようにｘ方向およびｙ方向のそれぞれに沿って形成される。本実施形態では、図３１に示すように、ｚ方向において、溝９２７は、その底面が中間層９２０Ｃと裏面層９２０Ｂとの境界よりも基板裏面９２２の近くとなるように形成されている。

　透光層形成工程では、図３２に示すように、透光層９６０を形成する。透光層９６０は、透光部材３００を構成する層であり、透明な樹脂材料によって形成されている。透明な樹脂材料としては、たとえばエポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、または、アクリル樹脂が挙げられる。透光層９６０は、半導体発光素子６０を封止する。本実施形態では、透光層９６０は、複数の半導体発光素子６０、複数のスイッチング素子７０および複数のキャパシタ８０のそれぞれを封止する。つまり、透光層９６０は、基板９２０上に実装された全ての半導体発光素子６０、全てのスイッチング素子７０および全てのキャパシタ８０を覆っている。また透光層９６０は、各溝９２７に埋め込まれている。

　切断工程では、図３３に示すように、一点鎖線で示した切断線ＣＬに沿って透光層９６０および基板９２０を切断する。つまり、切断工程では、ｚ方向から視て、溝９２７に沿って透光層９６０および基板９２０を切断する。これにより、個片化された基板９２０上に実装された半導体発光素子６０、スイッチング素子７０および複数のキャパシタ８０が個片化された透光層９６０によって封止された組立体ＡＳが複数形成される。その後、各組立体ＡＳからダイシングテープＤＴを削除する。

　鏡面加工工程では、図３４に示すように、透光層９６０のうち半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３と同じ側を向く透光側面９６３および基板９２０のうち発光素子側面６３と同じ側を向く基板側面９２３の双方に対して鏡面加工する。具体的には、鏡面加工装置によって、一点鎖線で示した鏡面加工前の透光側面９６３および基板側面９２３からｙ方向の内方に研磨される。これにより、基板２０および透光部材３００が形成される。そして透光部材３００の透光側面３０３（図３０参照）が鏡面加工された平滑面となる。ここで、透光部材３００の透光側面３０４～３０６（図２９参照）は、鏡面加工されないため、切断工程でダイシングによって形成されたダイシング側面となる。ダイシング側面となる透光側面３０４～３０６には、ダイシングブレードによる切削痕が形成される。このため、透光側面３０３は、透光側面３０４～３０６よりも平坦な面となる。たとえば透光側面３０３の表面粗さが透光側面３０４～３０６の表面粗さよりも小さい場合、透光側面３０３が透光側面３０４～３０６よりも平坦な面であるといえる。ここで、表面粗さは、たとえば算術平均粗さ（Ｒａ）によって示すことができる。以上の工程を経て、半導体発光装置１０が製造される。

　（効果）
　本実施形態の半導体発光装置１０によれば、第２実施形態の効果に加え、以下の効果が得られる。

　（３－１）半導体発光装置１０は、基板主面２１を有する基板２０と、基板主面２１に搭載された半導体発光素子６０と、半導体発光素子６０を封止する透光性の透光部材３００と、を備えている。基板２０は、半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３と同じ側を向く発光側基板側面となる基板側面２３を有している。透光部材３００は、基板側面２３のうち基板側面２３Ｕを覆う発光側カバー部３０７を有している。発光側カバー部３０７は、発光素子側面６３と同じ側を向く透光面となる透光側面３０３を有している。透光側面３０３は、鏡面加工された平滑面である。

　この構成によれば、透光部材３００が基板側面２３Ｕを覆っているため、透光側面３０３および基板側面２３Ｌが鏡面加工され、基板側面２３のうち基板側面２３Ｕは鏡面加工されない。これにより、基板側面２３を鏡面加工するときに基板側面２３Ｕの加工屑が鏡面加工機に付着することがないため、基板側面２３の加工屑に起因して透光側面３０３に切削痕（研磨痕）が形成されるおそれを低減できる。したがって、半導体発光素子６０からの光が透光側面３０３を通過するときに切削痕（研磨痕）で散乱するおそれが低減するため、半導体発光装置１０の光出力の低下を抑制できる。

　（３－２）透光部材３００は、基板２０の基板側面２４～２６のうち基板側面２４Ｕ～２６Ｕを覆う側面側カバー部３０８Ａ～３０８Ｃを有している。側面側カバー部３０８Ａ～３０８Ｃは、切削痕が形成されたダイシング側面となる透光側面３０４～３０６を有している。透光面となる透光側面３０３は、透光側面３０４～３０６よりも平坦な面である。

　この構成によれば、透光部材３００の透光側面３０３～３０６のうち透光面となる透光側面３０３のみが鏡面加工されている。このため、透光側面３０３に加え、透光側面３０４～３０６のうち少なくとも１つを鏡面加工する場合と比較して、製造コストを低減できる。

　（３－３）ｚ方向から視て、基板側面２３Ｕと透光側面３０３との間の距離は、基板側面２４Ｕと透光側面３０４との間の距離、基板側面２５Ｕと透光側面３０５との間の距離、および基板側面２６Ｕと透光側面３０６との間の距離よりも短い。

　この構成によれば、半導体発光素子６０からの光が通過する発光側カバー部３０７のｙ方向（光の出射方向）の厚さが薄くなる。したがって、半導体発光素子６０からの光が透光部材２００によって散乱するおそれを低減できる。

　（３－４）半導体発光装置１０の製造方法は、基板主面９２１を有する基板９２０を用意する工程と、複数の半導体発光素子６０を基板主面９２１に搭載する工程と、
　半導体発光素子６０を個片化するように区画する溝９２７を基板９２０に形成する工程と、半導体発光素子６０を封止し、溝９２７に埋め込まれる透光層９６０を形成する工程と、溝９２７に沿って透光層９６０および基板９２０を切断する工程と、透光層９６０のうち発光面となる発光素子側面６３と同じ側を向く透光面となる透光側面９６３および基板９２０のうち発光素子側面６３と同じ側を向く基板側面９２３のそれぞれを研磨する工程と、を備える。

　この構成によれば、基板９２０の溝９２７に埋め込まれた透光層９６０が基板側面９２３の一部を覆っているため、透光側面９６３および基板側面９２３の一部が鏡面加工される。つまり、基板側面９２３のうち溝９２７に対応する側面は鏡面加工されていない。これにより、基板側面９２３を鏡面加工するときに加工屑が鏡面加工機に付着するおそれが低減されるため、基板側面９２３の加工屑に起因して透光側面９６３に切削痕（研磨痕）が形成されるおそれを低減できる。したがって、半導体発光素子６０からの光が透光側面９６３を通過するときに切削痕（研磨痕）で散乱するおそれが低減するため、半導体発光装置１０の光出力の低下を抑制できる。

　（３－５）溝９２７は、その底面が基板９２０の中間層９２０Ｃと裏面層９２０Ｂとの境界よりも基板裏面９２２に近い位置となるように設けられている。
　この構成によれば、透光層９６０が基板側面９２３および基板側面９２３以外の基板側面（以下、「基板側面９２３等」）のうち中間層９２０Ｃの金属層２７よりも基板裏面９２２の近くに位置するため、基板９２０の外部から基板側面９２３等を介して基板９２０内に水分が浸入したとしても、金属層２７によって水分が基板主面９２１に浸入することを抑制できる。したがって、基板主面２１に搭載される半導体発光素子６０、スイッチング素子７０、キャパシタ８０、各ワイヤＷ１～Ｗ３、および主面側配線３０に水分が付着することを抑制できる。

　［変更例］
　上記各実施形態は本開示に関する半導体発光装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体発光装置は、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。また、以下の各変更例は、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わせることができる。以下の各変更例において、上記各実施形態に共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付して、その説明を省略する。

　・第１実施形態と第２実施形態とは互いに組み合わせることができる。一例では、図３５に示すように、半導体発光装置１０は、第１実施形態の透光部材９０および封止樹脂１００と、第２実施形態の第２透光部材２２０と、を備えている。透光部材９０および封止樹脂１００は、第１実施形態の透光部材９０および封止樹脂１００と同じである。第２透光部材２２０は、封止樹脂１００の樹脂主面１０１、樹脂側面１０３～１０６（図３５では樹脂側面１０５，１０６は図示略）、透光部材９０の透光側面９３、および基板２０の基板側面２３～２６（図３５では基板側面２５，２６は図示略）のそれぞれを覆うように形成されている。つまり、図３５に示す変更例の半導体発光装置１０は、第１実施形態とは異なり、透光側面９３が半導体発光装置１０の外部に露出していない。第２透光部材２２０は、基板裏面２２を覆っていない。第２透光部材２２０の第２透光側面２２３は、半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３と同じ側を向く面であり、鏡面加工された平滑面である。第２透光側面２２４～２２６は、第２実施形態と同様に、ダイシング側面の一例である。このため、第２実施形態と同様に、第２透光側面２２３は、第２透光側面２２４～２２６よりも平坦な面である。

　図３５に示すとおり、鏡面加工された発光側カバー部２２８の厚さは、鏡面加工されていない側面側カバー部２２９Ａの厚さよりも薄い。また図示していないが、発光側カバー部２２８の厚さは、鏡面加工されていない側面側カバー部２２９Ｂ，２２９Ｃの厚さよりも薄い。

　・第１実施形態と第３実施形態とは互いに組み合わせることができる。一例では、図３６に示すように、半導体発光装置１０は、第１実施形態の透光部材９０および封止樹脂１００と、第３実施形態の透光部材３００と、を備えている。透光部材９０および封止樹脂１００は、第１実施形態の透光部材９０および封止樹脂１００と同じである。透光部材３００は、第３実施形態とは構成が異なる。具体的には、透光部材３００は、封止樹脂１００の樹脂主面１０１、樹脂側面１０３～１０６（図３５では樹脂側面１０５，１０６は図示略）、透光部材９０の透光側面９３、および基板２０の基板側面２３～２６（図３５では基板側面２５，２６は図示略）のうち窪み部２３ａ～２６ａのそれぞれを覆うように形成されている。つまり、図３５に示す変更例の半導体発光装置１０は、第１実施形態とは異なり、透光側面９３が半導体発光装置１０の外部に露出していない。透光部材３００は、基板裏面２２を覆っていない。透光部材３００の透光側面３０３は、半導体発光素子６０の発光面となる発光素子側面６３と同じ側を向く面であり、鏡面加工された平滑面である。

　・第１実施形態において、封止樹脂１００の樹脂側面１０３は、基板側面２３よりも基板側面２４寄りに位置していてもよい。
　・第１実施形態において、透光部材９０が半導体発光素子６０を覆う範囲は任意に変更可能である。透光部材９０は、半導体発光素子６０の発光素子側面６４～６６の少なくとも１つを覆わない構成であってもよい。つまり、透光部材９０は、半導体発光素子６０の発光素子側面６３～６６のうち発光面となる発光素子側面６３を少なくとも覆う構成であればよい。

　・第１実施形態において、透光部材９０の透光裏面９２と半導体発光素子６０の発光素子裏面６２とは面一でなくてもよい。一例では、透光裏面９２は、発光素子裏面６２に対して発光素子主面６１とは反対側に突出するように設けられていてもよい。

　・第１実施形態において、基板２０の基板主面２１と透光部材９０の透光主面９１との間の距離ＨＡは任意に変更可能である。一例では、距離ＨＡは、基板主面２１とスイッチング素子７０のスイッチング素子主面７１との間の距離ＨＢ以上であってもよい。また、距離ＨＡは、基板主面２１とキャパシタ８０のキャパシタ主面８３との間の距離ＨＣ以上であってもよい。

　・第１実施形態において、透光部材９０は、キャパシタ８０とｘ方向において隣接するように設けられていてもよい。また、透光部材９０は、キャパシタ８０を封止するように設けられていてもよい。

　・第１実施形態において、透光部材９０は、スイッチング素子７０とｙ方向において隣接するように設けられていてもよい。
　・第１実施形態において、封止樹脂１００の材料は、透光部材９０の線膨張係数よりも小さい線膨張係数の材料であれば任意に変更可能である。一例では、封止樹脂１００は、透光部材９０のガラス転移温度以下のガラス転移温度の材料から構成されてもよい。また、封止樹脂１００は、フィラーを含まない構成であってもよい。

　・第１実施形態において、透光部材９０の透光面となる透光側面９３は、鏡面加工された平滑面でなくてもよい。一例では、透光側面９３は、ダイシングブレードによって切断されたダイシング側面であってもよい。また、封止樹脂１００の樹脂側面１０３および基板２０の基板側面２３についても同様に、ダイシングブレードによって切断されたダイシング面であってもよい。

　・第１実施形態において、基板２０は第２実施形態と同様に多層基板であってもよい。
　・第１実施形態の半導体発光装置１０の製造方法では、透光層８９０が半導体発光素子６０を封止した後、基板８２０に半導体発光素子６０を実装したが、これに限られない。たとえば、半導体発光素子６０を基板８２０に実装した後、透光層８９０によって半導体発光素子６０を封止してもよい。

　・第２実施形態において、第２透光部材２２０から主面側カバー部２２７を省略してもよい。また、第２透光部材２２０から側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃの少なくとも１つを省略してもよい。要するに、第２透光部材２２０は、少なくとも発光側カバー部２２８を有していればよい。

　・第２実施形態において、第２透光部材２２０の発光側カバー部２２８と基板２０の基板側面２３との位置関係は任意に変更可能である。一例では、発光側カバー部２２８の先端面（ｚ方向における発光側カバー部２２８のうち基板裏面２２に最も近い面）は、基板裏面２２に対して基板主面２１寄りに位置していてもよい。発光側カバー部２２８の先端面は、ｚ方向において基板側面２３のうち金属層２７よりも基板裏面２２の近くに位置することが好ましい。

　・第２実施形態において、第２透光部材２２０の側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃの基板２０の基板側面２３との位置関係は任意に変更可能である。一例では、側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃの先端面（ｚ方向における側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃのうち基板裏面２２に最も近い面）は、基板裏面２２に対して基板主面２１寄りに位置していてもよい。側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃの先端面は、ｚ方向において基板側面２４～２６のうち金属層２７よりも基板裏面２２の近くに位置することが好ましい。

　・第２実施形態において、発光側カバー部２２８の厚さは、側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃのそれぞれの厚さ以上であってもよい。換言すると第１透光側面２１３と第２透光側面２２３とのｙ方向の間の距離は、第１透光側面２１４と第２透光側面２２４とのｙ方向の間の距離、第１透光側面２１５と第２透光側面２２５とのｘ方向の間の距離、および第１透光側面２１６と第２透光側面２２６とのｘ方向の間の距離以上であってもよい。

　・第２実施形態において、側面側カバー部２２９Ａ～２２９Ｃのそれぞれの厚さは任意に変更可能である。一例では、側面側カバー部２２９Ａの厚さ、側面側カバー部２２９Ｂの厚さ、および側面側カバー部２２９Ｃの厚さは、互いに異なっていてもよい。

　・第２実施形態において、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０の少なくとも一方は第１透光部材２１０よりも外部に配置され、第２透光部材２２０によって封止されていてもよい。

　・第３実施形態において、透光部材３００の発光側カバー部３０７と基板２０の基板側面２３との位置関係は任意に変更可能である。一例では、発光側カバー部３０７の先端面（ｚ方向における発光側カバー部３０７のうち基板裏面２２に最も近い面）は、ｚ方向において基板側面２３のうち金属層２７よりも基板主面２１の近くに位置してもよい。

　・第３実施形態において、透光部材３００の側面側カバー部３０８Ａ～３０８Ｃの基板２０の基板側面２３との位置関係は任意に変更可能である。一例では、側面側カバー部３０８Ａ～３０８Ｃの先端面（ｚ方向における側面側カバー部３０８Ａ～３０８Ｃのうち基板裏面２２に最も近い面）は、ｚ方向において基板側面２４～２６のうち金属層２７よりも基板主面２１の近くに位置していてもよい。

　・第３実施形態において、発光側カバー部３０７の厚さは、側面側カバー部３０８Ａ～３０８Ｃのそれぞれの厚さ以上であってもよい。換言すると透光側面３０３と基板側面２３Ｕとのｙ方向の間の距離は、透光側面３０４と基板側面２４Ｕとのｙ方向の間の距離、透光側面３０５と基板側面２５Ｕとのｘ方向の間の距離、および透光側面３０６と基板側面２６Ｕとのｘ方向の間の距離以上であってもよい。

　・第２および第３実施形態において、スイッチング素子７０は、半導体発光装置１０に対して外付けされる構成としてもよい。
　・第２および第３実施形態において、基板２０は第１実施形態と同様に単層基板であってもよい。

　・各実施形態において、基板２０の主面側配線３０の構成は任意に変更可能である。一例では、図３７に示すように、主面側配線３０は、第１駆動用配線３５、一対の第２駆動用配線３６Ａ，３６Ｂ、一対の第３駆動用配線３７Ａ，３７Ｂおよび制御用配線３８を有している。

　第１駆動用配線３５は、半導体発光素子６０およびスイッチング素子７０が搭載された配線である。第１駆動用配線３５は、半導体発光素子６０が搭載される発光素子搭載部３５ａと、スイッチング素子７０が搭載されるスイッチング素子搭載部３５ｂと、を有している。

　発光素子搭載部３５ａは、スイッチング素子搭載部３５ｂからｙ方向に突出した突状に形成されている。発光素子搭載部３５ａは、ｙ方向においてスイッチング素子搭載部３５ｂに対して基板側面２３の近くに配置されている。発光素子搭載部３５ａのｘ方向の長さはスイッチング素子搭載部３５ｂのｘ方向の長さよりも短く、発光素子搭載部３５ａのｙ方向の長さはスイッチング素子搭載部３５ｂのｙ方向の長さよりも短い。

　半導体発光素子６０は、導電性接合材ＳＤ（図示略）によって発光素子搭載部３５ａに接合されている。これにより、第２電極６８が発光素子搭載部３５ａに電気的に接続されている。透光部材９０は、第１実施形態と同様に、半導体発光素子６０を封止している。透光部材９０の透光面となる透光側面９３は、封止樹脂１００の樹脂側面１０３（図示略）と基板側面２３と面一となり、半導体発光装置１０から露出している。

　スイッチング素子搭載部３５ｂは、基板主面２１のうち基板側面２３よりも基板側面２４の近くに配置されている。ｚ方向から視たスイッチング素子搭載部３５ｂの形状は、ｘ方向が短辺方向となり、ｙ方向が長辺方向となる略矩形状である。

　スイッチング素子７０は、導電性接合材ＳＤによってスイッチング素子搭載部３５ｂに接合されている。これにより、スイッチング素子７０の第１駆動電極７３（図示略）がスイッチング素子搭載部３５ｂと電気的に接続されている。このように、図示された例においては、上記各実施形態とは異なり、第１駆動用配線３５を介して半導体発光素子６０の第２電極６８とスイッチング素子７０の第１駆動電極７３とが電気的に接続されている。

　スイッチング素子７０は、上記各実施形態と異なり、ｘ方向が短手方向となり、ｙ方向が長手方向となる向きに配置されている。このため、２つの第２駆動電極７４は、ｘ方向において間隔をあけて配列されている。制御電極７５は、スイッチング素子主面７１の四隅のうち基板側面２４かつ基板側面２６の近くの隅に配置されている。

　一対の第２駆動用配線３６Ａ，３６Ｂは、複数のキャパシタ８０と半導体発光素子６０とを電気的に接続する配線であり、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。一対の第２駆動用配線３６Ａ，３６Ｂは、発光素子搭載部３５ａのｘ方向の両側に分散して配置されている。図示された例においては、各第２駆動用配線３６Ａ，３６Ｂは、ｘ方向に沿って延びている。一対の第２駆動用配線３６Ａ，３６Ｂは、基板主面２１のｙ方向の両端部のうち基板側面２３に近い方の端部に配置されている。一対の第２駆動用配線３６Ａ，３６Ｂのそれぞれのｘ方向の両端部のうち発光素子搭載部３５ａに近い方の端部は、ｙ方向から視て、スイッチング素子搭載部３５ｂと重なる位置に配置されている。つまり、一対の第２駆動用配線３６Ａ，３６Ｂのそれぞれの一部は、スイッチング素子搭載部３５ｂと発光素子搭載部３５ａとによって形成された窪みに入り込んでいる。

　一対の第３駆動用配線３７Ａ，３７Ｂは、複数のキャパシタ８０とスイッチング素子７０とを電気的に接続する配線であり、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。一対の第３駆動用配線３７Ａ，３７Ｂは、スイッチング素子搭載部３５ｂのｘ方向の両側に分散して配置されている。図示された例においては、各第３駆動用配線３７Ａ，３７Ｂは、ｙ方向に沿って延びている。より詳細には、第３駆動用配線３７Ａは、スイッチング素子搭載部３５ｂと基板側面２５とのｘ方向の間に配置されている。ｙ方向から視て、第３駆動用配線３７Ａは、第２駆動用配線３６Ａと重なる位置に配置されている。第３駆動用配線３７Ｂは、スイッチング素子搭載部３５ｂと基板側面２６とのｘ方向の間に配置されている。ｙ方向から視て、第３駆動用配線３７Ｂは、第２駆動用配線３６Ｂと重なる位置に配置されている。

　図示された例においては、複数のキャパシタ８０は、基板主面２１のうちスイッチング素子７０よりも基板側面２３の近くに配置されている。また、複数のキャパシタ８０は、スイッチング素子７０のｘ方向の両側に分散して配置されている。

　複数のキャパシタ８０のうちの１つのキャパシタ８０は、第２駆動用配線３６Ａと第３駆動用配線３７Ａとのｙ方向の間を跨るように配置されている。より詳細には、キャパシタ８０の第１端子８１は、導電性接合材ＳＤによって第２駆動用配線３６Ａに接合されており、キャパシタ８０の第２端子８２は、導電性接合材ＳＤによって第３駆動用配線３７Ａに接合されている。

　複数のキャパシタ８０のうちの別の１つのキャパシタ８０は、第２駆動用配線３６Ｂと第３駆動用配線３７Ｂとのｙ方向の間を跨るように配置されている。より詳細には、キャパシタ８０の第１端子８１は、導電性接合材ＳＤによって第２駆動用配線３６Ｂに接合されており、キャパシタ８０の第２端子８２は、導電性接合材ＳＤによって第３駆動用配線３７Ｂに接合されている。

　半導体発光素子６０の第１電極６７は、１本または複数本のワイヤＷ４によって第２駆動用配線３６Ａに接続されており、１本または複数本のワイヤＷ５によって第２駆動用配線３６Ｂに接続されている。各ワイヤＷ４，Ｗ５は、第１実施形態の第１ワイヤＷ１と同様に、透光部材９０の開口部９９を介して第１電極６７に接続されている。つまり、各ワイヤＷ４，Ｗ５は、透光部材９０と干渉しないように構成されている。このため、各ワイヤＷ４，Ｗ５は、その全体が封止樹脂１００によって封止されている。

　スイッチング素子７０の第２駆動電極７４は、１本または複数本のワイヤＷ６によって第３駆動用配線３７Ａに接続されており、１本または複数本のワイヤＷ７によって第３駆動用配線３７Ｂに接続されている。各ワイヤＷ６，Ｗ７は、その全体が封止樹脂１００によって封止されている。

　スイッチング素子７０の制御電極７５は、ワイヤＷ８によって制御用配線３８に接続されている。制御用配線３８は、基板主面２１の四隅のうち基板側面２４かつ基板側面２６の隅に配置されている。ｚ方向から視て、制御用配線３８は、ｘ方向において制御電極７５と隣り合うように配置されている。ワイヤＷ８は、その全体が封止樹脂１００によって封止されている。

　図３７に示す変更例の半導体発光装置１０の回路構成について、図３８を用いて説明する。図３８は、半導体発光装置１０を適用したレーザシステムＬＳの回路構成の一例を示している。

　図３８に示すように、半導体発光装置１０においては、半導体発光素子６０とスイッチング素子７０との直列体がキャパシタ８０と並列に接続されている。より詳細には半導体発光素子６０のカソード電極となる第２電極６８はスイッチング素子７０のドレイン電極となる第１駆動電極７３に接続されている。半導体発光素子６０のアノード電極となる第１電極６７はキャパシタ８０の第１端子８１に接続されており、スイッチング素子７０のソース電極となる第２駆動電極７４はキャパシタ８０の第２端子８２に接続されている。

　半導体発光装置１０は、外装電極５０として、接続電極５１、電源電極５２、制御電極５３、グランド電極５４、およびソース接続電極５５を有している。
　接続電極５１は、半導体発光素子６０の第２電極６８とスイッチング素子７０の第１駆動電極７３とに接続されている。電源電極５２には、キャパシタ８０の第１端子８１および半導体発光素子６０の第１電極６７が接続されており、グランド電極５４には、キャパシタ８０の第２端子８２およびスイッチング素子７０の第２駆動電極７４が接続されている。ソース接続電極５５にはスイッチング素子７０の第２駆動電極７４が接続されている。制御電極５３には、スイッチング素子７０のゲート電極となる制御電極７５が接続されている。

　駆動電源ＤＶのプラス端子は、電流制限抵抗Ｒを介して電源電極５２に接続されており、駆動電源ＤＶのマイナス端子は、グランド電極５４に接続されている。
　ドライバ回路ＰＭは、制御電極５３およびソース接続電極５５に接続されている。

　ダイオードＤは、半導体発光素子６０と逆並列となるように接続されている。ダイオードＤのカソード電極は電流制限抵抗Ｒと電源電極５２との間に接続されており、ダイオードＤのアノード電極は接続電極５１に接続されている。

　このような構成のレーザシステムＬＳでは、次のように動作する。すなわち、ドライバ回路ＰＭの制御信号によってスイッチング素子７０がオフ状態にされると、駆動電源ＤＶによってキャパシタ８０が蓄電される。そしてドライバ回路ＰＭの制御信号によってスイッチング素子７０がオン状態にされると、キャパシタ８０が放電することによって半導体発光素子６０に電流が流れる。これにより、半導体発光素子６０はパルスレーザ光を出力する。

　・各実施形態では、半導体発光装置１０は、１つの半導体発光素子６０を備えていたが、これに限られない。半導体発光装置１０は、複数の半導体発光素子６０を備えていてもよい。一例では、図３９に示すように、２個の半導体発光素子６０は、ｙ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離間して配列されている。２個の半導体発光素子６０は、ｘ方向において互いに離間した２個のキャパシタ８０のｘ方向の間に配置されている。各半導体発光素子６０は、キャパシタ８０に対してｘ方向において離間して配置されている。各半導体発光素子６０は、第１主面側配線３１に搭載されている。より詳細には、各半導体発光素子６０の発光素子裏面６２は、導電性接合材によって第１主面側配線３１に接合されている。発光素子裏面６２には第２電極６８が形成されているため、各半導体発光素子６０の第２電極６８は、第１主面側配線３１に電気的に接続されている。

　透光部材９０は、２個の半導体発光素子６０を封止している。変更例の透光部材９０は、第１実施形態の透光部材９０と同じ材料が用いられている。透光部材９０は、各キャパシタ８０に対してｘ方向において離間して配置されている。

　透光部材９０には、２個の半導体発光素子６０の発光素子主面６１をｚ方向に個別に開口する２個の開口部９９が形成されている。各開口部９９は、発光素子主面６１に形成された第１電極６７をｚ方向に開口している。

　各半導体発光素子６０の第１電極６７とスイッチング素子７０の第２駆動電極７４とは、複数本の第１ワイヤＷ１によって接続されている。各第１ワイヤＷ１は、透光部材９０の開口部９９を介して半導体発光素子６０の第１電極６７と接続されている。

　図示していないが、封止樹脂１００は、透光部材９０ごとスイッチング素子７０、各キャパシタ８０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３を封止している。つまり、封止樹脂１００は、２個の半導体発光素子６０を封止している。封止樹脂１００は、透光部材９０の各開口部９９に入り込んでいる。

　なお、透光部材９０は、２個の半導体発光素子６０に対して個別に設けられてもよい。一方の半導体発光素子６０に設けられた透光部材９０と、他方の半導体発光素子６０に設けられた透光部材９０とは、ｘ方向において互いに離間して配列されてもよいし、ｘ方向において互いに接触した状態で配列されてもよい。

　また、複数の半導体発光素子６０では、その配列方向において隣り合う半導体発光素子６０同士が接触していてもよい。この場合、透光部材９０は、半導体発光素子６０の配列方向において隣り合う半導体発光素子６０の間に介在していない。

　また、透光部材９０の開口部９９は、図示された例においては、２個の半導体発光素子６０に応じて２つ形成されたが、これに限られない。透光部材９０は、各半導体発光素子６０の第１電極６７が開口する１つの開口部９９を有していてもよい。

　・各実施形態において、半導体発光装置１０は、スイッチング素子７０を駆動させるドライバ回路１１０をさらに備えていてもよい。一例では、図４０に示すように、ドライバ回路１１０は、ｙ方向においてスイッチング素子７０に対して半導体発光素子６０とは反対側に配置されている。ドライバ回路１１０は、スイッチング素子７０を制御する制御信号をスイッチング素子７０の制御電極７５に供給する回路であり、制御信号生成回路等が形成された基板を含む。ドライバ回路１１０は、ｚ方向において基板主面と同じ側を向くドライバ主面１１１を有している。ドライバ主面１１１には、複数（図示された例においては６個）のドライバ電極１１２が形成されている。

　半導体発光装置１０がドライバ回路１１０を備えることにともない、主面側配線３０は、ドライバ搭載用配線３９と、ドライバ用配線３９Ａ～３９Ｄと、を有している。
　ドライバ搭載用配線３９は、ドライバ回路１１０が搭載される配線である。ドライバ回路１１０は、導電性接合材によってドライバ搭載用配線３９に接合されている。ドライバ回路１１０のうちドライバ主面１１１とは反対側を向くドライバ裏面には、グランド電極が形成されている。このため、ドライバ回路１１０のグランド電極は、ドライバ搭載用配線３９と電気的に接続されている。

　ドライバ用配線３９Ａ～３９Ｄは、ドライバ搭載用配線３９のｘ方向の両側に配置されている。より詳細には、ドライバ用配線３９Ａ，３９Ｂは基板主面２１のうちドライバ搭載用配線３９よりも基板側面２５の近くに配置されており、ドライバ用配線３９Ｃ，３９Ｄは基板主面２１のうちドライバ搭載用配線３９よりも基板側面２６の近くに配置されている。

　ドライバ用配線３９Ａ～３９Ｄと、ドライバ回路１１０の複数のドライバ電極１１２とは、第４ワイヤＷ９Ａ～Ｗ９Ｄによって個別に接続されている。
　ドライバ回路１１０とスイッチング素子７０とは電気的に接続されている。より詳細には、スイッチング素子７０の第２駆動電極７４と、ドライバ回路１１０のドライバ電極１１２とは、第２ワイヤＷ２によって接続されている。スイッチング素子７０の制御電極７５と、ドライバ回路１１０のドライバ電極１１２とは、第３ワイヤＷ３によって接続されている。

　図４１に示すように、基板裏面２２には、外装電極５０として、ドライバ搭載用配線３９と電気的に接続されたドライバ接地電極５６と、ドライバ用配線３９Ａ～３９Ｄと個別に電気的に接続されたドライバ用電極５７Ａ～５７Ｄと、が形成されている。一方、基板裏面２２には、制御電極５３およびグランド電極５４が省略されている。ドライバ接地電極５６およびドライバ用電極５７Ａ～５７Ｄは、基板裏面２２のうち接続電極５１および電源電極５２よりも基板側面２４の近くに配置されている。ドライバ用電極５７Ａ～５７Ｄは、ドライバ接地電極５６のｘ方向の両側に配置されている。より詳細には、ドライバ用電極５７Ａ，５７Ｂは基板裏面２２のうちドライバ接地電極５６よりも基板側面２５の近くに配置されており、ドライバ用電極５７Ｃ，５７Ｄは基板裏面２２のうちドライバ接地電極５６よりも基板側面２６の近くに配置されている。

　ドライバ接地電極５６は、ｚ方向から視て、ドライバ搭載用配線３９と重なる位置に配置されており、複数の第５接続配線４５によってドライバ搭載用配線３９に接続されている。

　ドライバ用電極５７Ａは、ｚ方向から視て、ドライバ用配線３９Ａと重なる位置に配置されており、第６接続配線４６Ａによってドライバ用配線３９Ａに接続されている。ドライバ用電極５７Ｂは、ｚ方向から視て、ドライバ用配線３９Ｂと重なる位置に配置されており、第６接続配線４６Ｂによってドライバ用配線３９Ｂに接続されている。ドライバ用電極５７Ｃは、ｚ方向から視て、ドライバ用配線３９Ｃと重なる位置に配置されており、第６接続配線４６Ｃによってドライバ用配線３９Ｃに接続されている。ドライバ用電極５７Ｄは、ｚ方向から視て、ドライバ用配線３９Ｄと重なる位置に配置されており、第６接続配線４６Ｄによってドライバ用配線３９Ｄに接続されている。

　図示していないが、封止樹脂１００は、透光部材９０ごと、スイッチング素子７０、各キャパシタ８０、ドライバ回路１１０、および各ワイヤＷ１～Ｗ３，Ｗ９Ａ～Ｗ９Ｄを封止している。

　図４０および図４１に示す変更例の半導体発光装置１０の構成によれば、ドライバ回路１１０を備えているため、ドライバ回路１１０が半導体発光装置１０の外部に設けられる構成と比較して、ドライバ回路１１０とスイッチング素子７０との間の導電経路を短くすることができる。したがって、この導電経路の長さに起因するインダクタンスを低減できる。

　・各実施形態では、２個のキャパシタ８０のｘ方向の間に半導体発光素子６０が配置されたが、キャパシタ８０と半導体発光素子６０との位置関係はこれに限られない。たとえば、半導体発光素子６０は、基板主面２１のうち２個のキャパシタ８０に対して基板側面２５の近くに配置されてもよいし、２個のキャパシタ８０に対して基板側面２６の近くに配置されてもよい。

　・各実施形態において、キャパシタ８０は、半導体発光装置１０に対して外付けされる構成としてもよい。
　・各実施形態において、外装電極５０の構成は任意に変更可能である。つまり、半導体発光装置１０は、表面実装型のパッケージ構造に限られない。

　・各実施形態において、基板２０の基板裏面２２から裏面側絶縁層２２ａを省略してもよい。
　・各実施形態では、接続配線４０は基板２０内に設けられていたがこれに限られない。接続配線４０は、基板側面２３～２６を介して主面側配線３０と外装電極５０とを接続してもよい。

　・第２および第３実施形態において、中間層２０Ｃの金属層２７は、グランド電極５４に接続されていてもよい。たとえば、金属層２７と第４接続配線４４とを接続することによって、金属層２７がグランド電極５４に接続される。なお、第１実施形態において、基板２０を第２および第３実施形態のように多層基板とした場合も同様に、中間層２０Ｃの金属層２７は、グランド電極５４に接続されていてもよい。

　・第１実施形態において、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０の双方は、半導体発光装置１０に対して外付けされる構成としてもよい。つまり、半導体発光装置１０は、基板２０と、基板主面２１に搭載された半導体発光素子６０と、半導体発光素子６０に電気的に接続されたワイヤと、透光部材９０と、封止樹脂１００と、を備える構成であってもよい。

　・各実施形態において、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０の少なくとも一方は、基板２０の基板裏面２２に搭載されていてもよい。この場合、ｚ方向において、外装電極５０は、基板裏面２２に搭載されたスイッチング素子７０およびキャパシタ８０よりも基板裏面２２に対して基板主面２１とは反対側に離れた位置に設けられている。一例では、基板裏面２２に基板裏面２２に搭載されたスイッチング素子７０およびキャパシタ８０が搭載される場合、基板裏面２２には、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０を取り囲む枠状の絶縁層（図示略）が設けられている。この絶縁層のうち基板裏面２２と同じ側を向く面には、外装電極５０が形成されている。接続配線４０は、絶縁層を貫通して外装電極５０と接続するように設けられている。

　・第２および第３実施形態において、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０の少なくとも一方は、基板２０の主面層２０Ａのうち基板裏面２２と同じ側を向く面に搭載されていてもよい。また、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０の少なくとも一方は、基板２０の中間層２０Ｃのうち基板裏面２２と同じ側を向く面に搭載されていてもよい。また、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０の少なくとも一方は、基板２０の裏面層２０Ｂのうち基板主面２１と同じ側を向く面に搭載されていてもよい。要するに、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０の少なくとも一方は、基板２０の内部に設けられていてもよい。

　・第１実施形態において、基板２０が第２および第３実施形態のような多層基板からなる場合、スイッチング素子７０およびキャパシタ８０の少なくとも一方は、基板２０の内部に設けられていてもよい。

　・第１実施形態において、透光部材９０の透光側面９３に鏡面加工を実施し、樹脂側面１０３および基板側面２３に鏡面加工を実施しなくてもよい。この場合、たとえばブラスト研磨を用いて、透光側面９３のみに向けて研磨材を吹き付けることによって、透光側面９３に鏡面加工を実施してもよい。このように、透光側面９３が鏡面加工された平滑面であればよい。

　・第１実施形態において、透光部材９０の透光側面９３および封止樹脂１００の樹脂側面１０３のそれぞれに鏡面加工を実施しなくてもよい。
　・各実施形態において、半導体発光装置１０は、半導体発光素子６０と逆並列に接続されるダイオードＤを備えていてもよい。

　・各実施形態では、各キャパシタ８０は、半導体発光素子６０と直列に接続されていたが、これに限られない。各キャパシタ８０は、半導体発光素子６０と並列に接続されていてもよい。

　［付記］
　上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。
　（付記Ａ１）
　基板主面を有する基板と、
　前記基板主面に搭載されており、前記基板主面と同じ側を向く発光素子主面と、前記発光素子主面と交差する方向を向く発光面とを有する半導体発光素子と、
　前記基板主面に搭載されており、前記半導体発光素子を駆動させるのに用いられる駆動素子と、
　前記基板よりも線膨張係数が大きくかつ前記発光面から出射された光が透過する材料からなり、前記発光面を覆う透光部材と、
　前記透光部材よりも線膨張係数が小さい材料からなり、前記半導体発光素子および前記駆動素子を封止する封止樹脂と、を備える
　半導体発光装置。

　（付記Ａ２）
　前記駆動素子は、スイッチング素子およびキャパシタを含み、
　前記基板主面には、前記半導体発光素子が搭載される第１主面側配線と、前記スイッチング素子が搭載される第２主面側配線とが、互いに間隔をあけて形成されており、
　前記キャパシタは、前記第１主面側配線と前記第２主面側配線との間を跨るように前記第１主面側配線および前記第２主面側配線の双方に搭載されている
　付記Ａ１に記載の半導体発光装置。

　（付記Ａ３）
　前記駆動素子は、スイッチング素子を含み、
　前記基板主面には、前記半導体発光素子が搭載される第１主面側配線と、前記スイッチング素子が搭載される第２主面側配線とが形成されており、
　前記スイッチング素子は、前記第１主面側配線に電気的に接続される第１駆動電極と、前記半導体発光素子と電気的に接続される第２駆動電極と、制御電極と、を有しており、
　前記基板主面には、前記制御電極と電気的に接続される第３主面側配線と、前記第２駆動電極と電気的に接続される第４主面側配線と、がさらに形成されている
　付記Ａ１に記載の半導体発光装置。

　（付記Ａ４）
　前記駆動素子は、前記基板主面と同じ側を向くスイッチング素子主面を有するスイッチング素子を含み、
　前記半導体発光素子の前記発光素子主面には、主面側電極が形成されており、
　前記スイッチング素子の前記スイッチング素子主面には、駆動電極が形成されており、
　前記主面側電極と前記駆動電極とは、ワイヤによって接続されている
　付記Ａ１に記載の半導体発光装置。

　（付記Ａ５）
　前記駆動素子は、キャパシタを含み、
　前記キャパシタは、その全体が前記封止樹脂によって覆われており、
　前記透光部材は、前記半導体発光素子およびその周囲に設けられており、前記発光面を覆っており、
　前記キャパシタと前記透光部材とは間隔をあけて配置されており、
　前記キャパシタと前記透光部材との間には、前記封止樹脂が介在している
　付記Ａ１～Ａ４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　（付記Ａ６）
　前記駆動素子は、スイッチング素子を含み、
　前記スイッチング素子は、その全体が前記封止樹脂によって覆われており、
　前記透光部材は、前記半導体発光素子およびその周囲に設けられており、前記発光面を覆っており、
　前記スイッチング素子と前記透光部材とは間隔をあけて配置されており、
　前記スイッチング素子と前記透光部材との間には、前記封止樹脂が介在している
　付記Ａ１～Ａ４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　（付記Ａ７）
　前記半導体発光素子は、前記基板主面と反対側を向く発光素子裏面を有しており、
　前記透光部材は、前記基板主面と反対側を向く透光裏面を有しており、
　前記発光素子裏面および前記透光裏面は面一となる
　付記Ａ１～Ａ６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　（付記Ａ８）
　前記駆動素子は、前記基板主面と同じ側を向くスイッチング素子主面を有するスイッチング素子を含み、
　前記透光部材は、前記基板主面と同じ側を向く透光主面を有しており、
　前記基板の厚さ方向における前記基板主面と前記透光主面との間の距離は、前記厚さ方向における前記基板主面と前記スイッチング主面との間の距離よりも小さい
　付記Ａ１に記載の半導体発光装置。

　（付記Ａ９）
　前記駆動素子は、前記基板主面と同じ側を向くキャパシタ主面を有するキャパシタを含み、
　前記透光部材は、前記基板主面と同じ側を向く透光主面を有しており、
　前記基板の厚さ方向における前記基板主面と前記透光主面との間の距離は、前記厚さ方向における前記基板主面と前記キャパシタ主面との間の距離よりも小さい
　付記Ａ１に記載の半導体発光装置。

　（付記Ａ１０）
　基板主面を有する基板と、
　前記基板主面に搭載されており、前記基板主面と同じ側を向く発光素子主面と、前記発光素子主面と交差する方向を向く発光面とを有する半導体発光素子と、
　前記半導体発光素子に電気的に接続されたワイヤと、
　前記基板よりも線膨張係数が大きい材料からなり、前記発光面を覆う透光部材と、
　前記透光部材よりも線膨張係数が小さい材料からなり、前記ワイヤを封止する封止樹脂と、を備える
　半導体発光装置。

　上記付記Ａ１０の構成によれば、ワイヤを封止している封止樹脂は、透光部材よりも線膨張係数が小さい、つまり封止樹脂の線膨張係数と基板の線膨張係数との差は、透光部材の線膨張係数と基板の線膨張係数との差よりも小さい。このため、半導体発光装置が温度変化したときの封止樹脂と基板との熱膨張量の差および熱収縮量の差が透光部材と基板との熱膨張量の差および熱収縮量の差よりも小さくなる。したがって、半導体発光装置が温度変化に起因するワイヤの負荷を軽減することができる。

　（付記Ｂ１）
　透光層によって半導体発光素子を封止する工程と、
　基板の基板主面に、前記透光層によって封止された前記半導体発光素子と、駆動素子とを実装する工程と、
　前記半導体発光素子および前記駆動素子を封止する樹脂層を形成する工程と、
　を備え、
　前記透光層の線膨張係数は、前記基板の線膨張係数よりも大きく、
　前記樹脂層の線膨張係数は、前記透光層の線膨張係数よりも小さい
　半導体発光装置の製造方法。

　（付記Ｂ２）
　前記樹脂層は、前記透光層ごと前記半導体発光素子および前記駆動素子を封止する
　付記Ｂ１に記載の半導体発光装置の製造方法。

　（付記Ｂ３）
　前記半導体発光素子は、発光素子主面と、前記発光素子主面に形成された主面側電極と、を有しており、
　前記半導体発光素子の前記主面側電極が露出するように前記透光層に開口部を形成する工程と、
　前記開口部を通じて前記主面側電極に第１ワイヤを接続する工程と、
　を備え、
　前記樹脂層は、前記開口部内に埋め込まれるとともに、前記第１ワイヤごと前記半導体発光素子および前記駆動素子を封止する
　付記Ｂ２に記載の半導体発光装置の製造方法。

　（付記Ｂ４）
　前記駆動素子は、前記基板主面と同じ側を向くスイッチング素子主面と、前記スイッチング素子主面に形成された駆動電極と、を有するスイッチング素子を含み、
　前記第１ワイヤは、前記主面側電極と前記駆動電極とを接続する
　付記Ｂ３に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｂ５）
　前記駆動電極に第２ワイヤを接続する工程を備え、
　前記樹脂層は、前記第２ワイヤごと前記半導体発光素子および前記駆動素子を封止する
　付記Ｂ４に記載の半導体発光装置の製造方法。

　（付記Ｂ６）
　前記スイッチング素子は、制御電極を有しており、
　前記制御電極に第３ワイヤを接続する工程を備え、
　前記樹脂層は、前記第３ワイヤごと前記半導体発光素子および前記駆動素子を封止する
　付記Ｂ４またはＢ５に記載の半導体発光装置の製造方法。

　（付記Ｂ７）
　前記半導体発光素子は、前記基板主面と同じ側を向く発光素子主面と、前記発光素子主面に対して交差する方向を向く発光面と、を有しており、
　前記樹脂層、前記基板、および前記透光層を切断する工程と、
　前記透光層において前記半導体発光素子の前記発光面と同じ側を向く側面を鏡面加工する工程と、を備える
　付記Ｂ１に記載の半導体発光装置の製造方法。

　（付記Ｂ８）
　前記半導体発光素子は、前記基板主面と同じ側を向く発光素子主面と、前記発光素子主面に対して交差する方向を向く発光面と、を有しており、
　前記樹脂層、前記基板、および前記透光層を切断する工程と、
　前記樹脂層、前記基板、および前記透光層のそれぞれにおいて前記半導体発光素子の前記発光面と同じ側を向く側面を鏡面加工する工程と、を備える
　付記Ｂ１に記載の半導体発光装置の製造方法。

　（付記Ｃ１）
　基板主面を有する基板と、
　前記基板主面に搭載されており、前記基板主面と交差する方向を向く発光面を有する半導体発光素子と、
　前記半導体発光素子を封止する透光性の透光部材と、を備え、
　前記基板は、前記発光面と同じ側を向く発光側基板側面を有しており、
　前記透光部材は、前記発光側基板側面を覆う発光側カバー部を有しており、
　前記発光側カバー部は、前記発光面と同じ側を向く透光面を有しており、
　前記透光面は、鏡面加工された平滑面である
　半導体発光装置。

　（付記Ｃ２）
　前記基板は、前記基板の厚さ方向から視て、前記発光側基板側面と交差する基板側面を有しており、
　前記透光部材は、前記基板側面を覆う側面側カバー部を有しており、
　前記側面側カバー部は、切削痕が形成されたダイシング側面を有しており、
　前記透光面は、前記ダイシング側面よりも平坦な面である
　付記Ｃ１に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ３）
　前記基板の厚さ方向から視て、前記発光側基板側面と前記透光面との間の距離は、前記基板側面と前記ダイシング側面との間の距離よりも短い
　付記Ｃ２に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ４）
　前記基板は、前記基板主面を含む主面層と、前記基板主面とは反対側を向く基板裏面を含む裏面層と、前記基板の厚さ方向において前記主面層と前記裏面層との間に配置された中間層と、を含む多層基板であり、
　前記中間層は、金属層を含む
　付記Ｃ１～Ｃ３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ５）
　前記金属層は、前記基板の厚さ方向から視て、少なくとも前記半導体発光素子と重なる位置に配置されている
　付記Ｃ４に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ６）
　前記金属層は、前記基板の厚さ方向から視て、前記発光側基板側面および前記基板側面よりも内方に位置している
　付記Ｃ４またはＣ５に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ７）
　前記基板裏面には、前記半導体発光素子と電気的に接続された外装電極が形成されている
　付記Ｃ４～Ｃ６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ８）
　前記基板主面には、前記半導体発光素子と電気的に接続された主面側配線が形成されており、
　前記基板は、前記基板の厚さ方向において前記基板を貫通するように設けられ、かつ前記主面側配線と前記外装電極とを接続する接続配線を有しており、
　前記金属層には、前記金属層と前記接続配線とを離隔する貫通孔が設けられており、
　前記接続配線と前記貫通孔を構成する内面との間には、絶縁層が設けられている
　付記Ｃ７に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ９）
　前記基板裏面は、裏面側絶縁層によって覆われている
　付記Ｃ４～Ｃ８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ１０）
　前記発光側カバー部は、前記発光側基板側面のうち少なくとも前記主面層および前記中間層を覆っている
　付記Ｃ４～Ｃ９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ１１）
　前記発光側カバー部は、前記発光側基板側面の全体を覆っている
　付記Ｃ１に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ１２）
　前記半導体発光装置は、前記基板主面に搭載され、前記半導体発光素子を駆動させるのに用いられる駆動素子をさらに備える
　付記Ｃ１～Ｃ１１のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ１３）
　前記透光部材は、前記駆動素子を封止している
　付記Ｃ１２に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ１４）
　前記駆動素子は、スイッチング素子およびキャパシタの少なくとも一方を含む
　付記Ｃ１２またはＣ１３に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ１５）
　前記透光部材は、
　前記基板主面上に設けられ、前記半導体発光素子を封止する第１透光部材と、
　前記第１透光部材を封止し、前記発光側カバー部を含む第２透光部材と、を有している
　付記Ｃ１に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ１６）
　前記半導体発光装置は、前記基板主面に搭載され、前記半導体発光素子を駆動させるのに用いられる駆動素子をさらに備え、
　前記第１透光部材は、前記駆動素子を封止している
　付記Ｃ１５に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ１７）
　前記第２透光部材は、前記第１透光部材の全体を覆っている
　付記Ｃ１５またはＣ１６に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ１８）
　前記第１透光部材は、前記基板主面と同じ側を向く第１透光主面と、前記発光面と同じ側を向く第１発光側側面と、前記基板の厚さ方向から視て、前記発光面と交差する第１透光側面と、を有しており、
　前記第２透光部材は、前記第１透光主面を覆う主面側カバー部と、前記第１発光側側面を覆う発光側カバー部と、前記第１透光側面を覆う側面側カバー部と、を有しており、
　前記主面側カバー部は、前記第１透光主面と同じ側を向く第２透光主面を有しており、
　前記発光側カバー部は、前記透光面を有しており、
　前記側面側カバー部は、切削痕が形成されたダイシング側面を有しており、
　前記第１発光側側面と前記透光面との間の距離は、前記第１透光側面と前記ダイシング側面との間の距離よりも短い
　付記Ｃ１５～Ｃ１７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ１９）
　前記第１透光主面と前記第２透光主面との間の距離は、前記第１透光側面と前記ダイシング側面との間の距離よりも短い
　付記Ｃ１８に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｃ２０）
　前記基板は、前記基板主面とは反対側を向く基板裏面を有しており、
　前記発光側基板側面は、前記基板主面に近い第１側面と、前記第１側面よりも前記基板裏面に近い第２側面と、を有しており、前記第１側面が前記第２側面よりも内方に位置する段差状に形成されており、
　前記透光部材は、前記第１側面を覆っており、
　前記透光面は、前記第２側面と面一となる
　付記Ｃ１に記載の半導体発光装置。

　（付記Ｄ１）
　基板主面と、前記基板主面と交差する方向を向く基板側面と、を有する基板と、
　前記基板主面に搭載されており、前記基板主面と交差する方向を向く発光面を有する半導体発光素子と、
　前記半導体発光素子を封止する透光性の第１透光層と、を備えた半導体発光組立体を複数用意する工程と、
　前記複数の半導体発光組立体の前記第１透光層および前記基板の前記基板側面を封止する第２透光層を形成する工程と、
　前記第２透光層を切断することによって前記半導体発光組立体を個片化する工程と、
　前記第２透光層のうち前記発光面と同じ側を向く面である透光面を研磨する工程と、を備える
　半導体発光装置の製造方法。

　（付記Ｄ２）
　基板主面を有する基板を用意する工程と、
　前記基板主面と交差する方向を向く発光面を有する複数の半導体発光素子を前記基板主面に搭載する工程と、
　前記半導体発光素子を個片化するように区画する溝を前記基板に形成する工程と、
　前記半導体発光素子を封止し、前記溝に埋め込まれる透光層を形成する工程と、
　前記溝に沿って前記透光層および前記基板を切断する工程と、
　前記透光層のうち前記発光面と同じ側を向く透光面および前記基板のうち前記発光面と同じ側を向く発光側基板側面のそれぞれを鏡面研磨する工程と、を備える
　半導体発光装置の製造方法。

　（付記Ｄ３）
　前記基板は、前記基板主面を含む主面層と、前記基板主面とは反対側を向く基板裏面を含む裏面層と、前記基板の厚さ方向において前記主面層と前記裏面層との間に配置された中間層と、を含む多層構造であり、
　前記溝は、その底面が前記中間層と前記裏面層との境界よりも前記基板裏面に近い位置となるように設けられている
　付記Ｄ２に記載の半導体発光装置の製造方法。

　（付記Ｃ，Ｄに関する背景技術）
　従来の側面発光型の半導体発光装置は、たとえばガラスエポキシ基板やセラミック基板等の基板と、基板上に搭載された側面発光型の半導体発光素子と、半導体発光素子を封止する透光部材と、を備えている（たとえば、特表２０１５－５１０２７７号公報参照）。半導体発光素子からの光は、透光部材を通って出射される。

　（付記Ｃ，Ｄが解決しようとする課題）
　このような従来の半導体発光装置は、ダイシングによって基板および透光部材を切断することによって個片化されるため、基板のうち半導体発光素子の発光面と同じ側を向く基板側面と、透光部材のうち発光面と同じ側を向く透光側面とが面一となる。続いて、半導体発光装置から出射される光出力の低下を抑制するため、透光側面を鏡面加工する。この際、基板側面もあわせて鏡面加工される。

　透光側面および基板側面を同時に鏡面加工すると、基板側面で鏡面加工した際の加工屑が鏡面加工装置に付着した状態で透光側面を鏡面加工することによって、透光側面に加工痕（研磨痕）が形成されてしまう場合がある。その結果、半導体発光素子からの光が透光側面を通過するときに透光側面の加工痕において散乱し、光出力が低下してしまう。

　１０…半導体発光装置
　２０…基板
　２０Ａ…主面層
　２０Ｂ…裏面層
　２０Ｃ…中間層
　２７…金属層
　２７ａ…貫通孔
　２８…絶縁層
　２１…基板主面
　２２…基板裏面
　２３…基板側面（発光側基板側面）
　２４～２６…基板側面
　３０…主面側配線
　３１…第１主面側配線
　３２…第２主面側配線
　３３…第３主面側配線（主面側制御配線）
　３４…第４主面側配線（主面側駆動配線）
　４０…接続配線
　５０…外装電極
　５３…制御電極
　６０…半導体発光素子
　６１…発光素子主面
　６２…発光素子裏面
　６３…発光素子側面（発光面）
　６７…第１電極（主面側電極）
　７０…スイッチング素子（駆動素子）
　７１…スイッチング素子主面
　７３…第１駆動電極
　７４…第２駆動電極（駆動電極）
　７５…制御電極
　８０…キャパシタ（駆動素子）
　８３…キャパシタ主面
　９０…透光部材
　９１…透光主面
　９２…透光裏面
　９３…透光側面（透光面）
　９４～９６…透光側面（ダイシング側面）
　９７…透光部（発光側カバー部）
　９８…カバー部
　９９…開口部
　１００…封止樹脂
　１０３…樹脂側面
　２００…透光部材
　２１０…第１透光部材
　２１１…第１透光主面
　２１３…第１透光側面（第１発光側側面）
　２１４～２１６…第１透光側面
　２２０…第２透光部材
　２２１…第２透光主面
　２２３…第２透光側面（透光面）
　２２４～２２６…第２透光側面（ダイシング面）
　２２７…主面側カバー部
　２２８…発光側カバー部
　２２９Ａ～２２９Ｃ…側面側カバー部
　３００…透光部材
　３０１…透光主面
　３０２…透光裏面
　３０３…透光側面（透光面）
　３０４～３０６…透光側面（ダイシング面）
　３０７…発光側カバー部
　３０８Ａ～３０８Ｃ…側面側カバー部
　８２０…基板
　８２１…基板主面
　８２２…基板裏面
　８９０…透光層
　８９３…透光側面（透光面）
　８９９…開口部
　９００…樹脂層
　９２０…基板
　９２０Ａ…主面層
　９２０Ｂ…裏面層
　９２０Ｃ…中間層
　９２１…基板主面
　９２２…基板裏面
　９２７…溝
　９３０…第１透光層
　９４０…第２透光層
　９４３…第２透光側面（透光面）
　９６０…透光層
　Ｗ１…第１ワイヤ（ワイヤ）
　Ｗ２…第２ワイヤ（ワイヤ）
　Ｗ３…第３ワイヤ（ワイヤ）
　ＡＳ…組立体（半導体発光組立体）
　ＨＡ～ＨＣ…距離

Claims

　基板主面を有する基板と、
　前記基板主面に搭載されており、前記基板主面と同じ側を向く発光素子主面と、前記発光素子主面と交差する方向を向く発光面とを有する半導体発光素子と、
　前記基板主面に搭載されており、前記半導体発光素子を駆動させるのに用いられる駆動素子と、
　前記基板よりも線膨張係数が大きくかつ前記発光面から出射された光が透過する材料からなり、前記発光面を覆う透光部材と、
　前記透光部材よりも線膨張係数が小さい材料からなり、前記半導体発光素子および前記駆動素子を封止する封止樹脂と、
を備える
　半導体発光装置。
　前記封止樹脂は、前記透光部材ごと前記半導体発光素子および前記駆動素子を封止しており、
　前記透光部材は、前記封止樹脂から露出しかつ前記発光面と同じ側を向く透光面を有している
　請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記透光面は、鏡面加工された平滑面である
　請求項２に記載の半導体発光装置。
　前記基板は、前記透光面と同じ側を向く基板側面を有しており、
　前記封止樹脂は、前記発光面と同じ側を向く樹脂側面を有しており、
　前記透光面、前記樹脂側面および前記基板側面は面一となる
　請求項２または３に記載の半導体発光装置。
　前記透光面、前記樹脂側面および前記基板側面のそれぞれは、鏡面加工された平滑面である
　請求項４に記載の半導体発光装置。
　前記駆動素子は、前記基板主面と同じ側を向くスイッチング素子主面を有するスイッチング素子を含み、
　前記半導体発光装置は、前記スイッチング素子に接続されたワイヤを備え、
　前記封止樹脂は、前記ワイヤごと前記半導体発光素子および前記駆動素子を封止している
　請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記ワイヤは、前記スイッチング素子と前記半導体発光素子とを接続する第１ワイヤを含み、
　前記発光素子主面には、前記第１ワイヤが接続される主面側電極が形成されており、
　前記透光部材は、前記半導体発光素子を覆うように構成されており、かつ前記主面側電極を露出する開口部を有しており、
　前記封止樹脂は、前記開口部に埋め込まれている
　請求項６に記載の半導体発光装置。
　前記スイッチング素子主面には、制御電極が形成されており、
　前記基板主面には、前記制御電極と電気的に接続される主面側制御配線が形成されており、
　前記ワイヤは、前記制御電極と前記主面側制御配線とを接続する第３ワイヤを含む
　請求項６または７に記載の半導体発光装置。
　前記スイッチング素子主面には、駆動電極が形成されており、
　前記基板主面には、前記駆動電極と電気的に接続される主面側駆動配線が形成されており、
　前記ワイヤは、前記駆動電極と前記主面側駆動配線とを接続する第２ワイヤを含む
　請求項６～８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記基板は、前記基板主面と反対側を向く基板裏面を有しており、
　前記基板裏面には、前記半導体発光素子および前記スイッチング素子と個別に電気的に接続された外装電極が形成されている
　請求項６～９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記基板は、前記基板を当該基板の厚さ方向に貫通する接続配線を有しており、
　前記接続配線は、前記半導体発光素子および前記駆動素子と前記外装電極とを接続している
　請求項１０に記載の半導体発光装置。
　前記駆動素子は、前記半導体発光素子と電気的に接続されたキャパシタを含む
　請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記封止樹脂は、前記透光部材よりもガラス転移温度が高くなるように構成されている
　請求項１～１２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。