WO2019139357A1 - 발광 장치 - Google Patents

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WO2019139357A1
WO2019139357A1 PCT/KR2019/000360 KR2019000360W WO2019139357A1 WO 2019139357 A1 WO2019139357 A1 WO 2019139357A1 KR 2019000360 W KR2019000360 W KR 2019000360W WO 2019139357 A1 WO2019139357 A1 WO 2019139357A1
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light emitting
emitting chip
light
wavelength conversion
barrier
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PCT/KR2019/000360
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French (fr)
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김혜인
손정훈
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서울반도체주식회사
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    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • the light emitting chip is a semiconductor device emitting light generated by the recombination of electrons and holes, and is recently used in various fields such as displays, automobile lamps, and general lighting. Since the light emitting chip has a long lifetime, low power consumption, and a high response speed, it has been applied to various fields such as an automobile lamp display device.
  • the conventional light emitting device 10 includes a light emitting chip 11, a wavelength converting member 12, a barrier member 14, and a circuit board 15.
  • the barrier member 14 is formed of a material containing a reflective material in the resin. Therefore, the barrier member 14 serves to reflect the light emitted from the light emitting chip 11.
  • part of the light emitted from the light emitting chip 11 or passing through the side surface of the wavelength conversion member 12 is transmitted through the barrier member 14 in a manner to avoid the reflective material.
  • the corner portion adjacent to the wavelength conversion member 12 has a short distance from the side surface to the top surface.
  • the reflective material is distributed less than the other portion, and a part of the light can be transmitted through the edge portion. Therefore, in the conventional light emitting device 10, a light blurring phenomenon occurs in which light is leaked to a side surface or the like other than the front region where light is to be irradiated.
  • FIG. 2 is a graph showing the luminance of a conventional light emitting device. Referring to FIG. 2, it can be seen that the light is not completely blocked by the barrier member 14 in contact with the first wavelength converting member 12, and light is weakly emitted. It can be confirmed that light is also emitted from the barrier member 14 between the first wavelength conversion member 12 and the second wavelength conversion member 12. [ Also, if C1 is examined, it can be confirmed that light is also emitted from the barrier member 14 in contact with the second wavelength conversion member 12. [
  • Another object of the present invention is to provide a light emitting device capable of preventing light loss.
  • Another problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting device capable of simultaneously reducing a light emitting area and light blur.
  • a light emitting device including a substrate, a first light emitting chip, a first wavelength conversion member, and a barrier member.
  • the first light emitting chip is mounted on the substrate.
  • the first wavelength conversion member covers the upper surface of the first light emitting chip.
  • the first reflecting member covers the side surface of the first wavelength converting member.
  • the barrier member includes an outer wall portion surrounding the side of the first light emitting chip and the first reflecting member.
  • the light emitting device can prevent light from being transmitted through the barrier member by using the reflection member, thereby preventing light blur.
  • the light emitting device prevents light blur, optical loss can be prevented.
  • the light emitting device prevents light blurring, when applied to a vehicle lamp, it is possible to ensure the visibility of another driver including the opposite vehicle and a longer view of the driver of the vehicle.
  • the light emitting device can simultaneously reduce light emitting area and light blur using a reflective member.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a conventional light emitting device.
  • FIG. 2 is a graph showing the luminance of a conventional light emitting device.
  • FIG. 3 and FIG. 4 are views showing an example of a light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIGS. 5 and 6 are views showing an example of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 and 8 are views showing an example of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a graph showing the luminance of the light emitting device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG 10 and 11 are views showing an example of a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 and 13 are views showing an example of a light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is an exemplary view showing a light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • 15 is an exemplary view showing a light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.
  • 16 and 17 are diagrams illustrating an example of a light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is an exemplary view showing a light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.
  • 19 to 21 are views showing an example of a light emitting device according to a tenth embodiment and an eleventh embodiment of the present invention.
  • FIGS. 22 to 25 are views showing examples of the light emitting device according to the twelfth to fifteenth embodiments.
  • a light emitting device includes a substrate, a first light emitting chip, a first wavelength conversion member, and a barrier member.
  • the first light emitting chip is mounted on the substrate.
  • the first wavelength conversion member covers the upper surface of the first light emitting chip.
  • the first reflecting member covers a side surface of the first wavelength converting member.
  • the barrier member includes an outer wall portion surrounding the side surfaces of the first light emitting chip and the first reflecting member.
  • the upper portion of the outer wall of the barrier member may become thicker from the upper surface toward the lower direction.
  • the barrier member may have a flat upper surface.
  • the light emitting device may have a plurality of the first light emitting chips mounted on the substrate.
  • the outer wall portion of the barrier member positioned between the first light emitting chip and the side surface of the substrate may be thicker from the upper side toward the lower side. Further, the inner wall portion of the barrier member positioned between the first light emitting chips may be convex on the top.
  • the barrier member may have a larger filler content than the inner wall portion.
  • the light emitting device may be one in which the first wavelength conversion member and the first reflection member are formed in each of the first light emitting chips.
  • the first reflection member is spaced apart from the neighboring first reflection member.
  • the first reflection member may cover the side surface of the wavelength conversion member and the side surface of the first light emitting chip.
  • the first reflective member may include at least one of silver (Ag) and aluminum (Al).
  • the width of the first wavelength conversion member may be greater than or equal to the width of the first light emitting chip.
  • the first wavelength conversion member may include a wavelength conversion material in one of epoxy resin, silicone resin, glass, and ceramics.
  • the first wavelength conversion member may further include a reflective material.
  • the light emitting device may further include a second reflective member covering an upper surface of the barrier member.
  • the second reflective member may be arranged to be in contact with the upper surface of the first reflective member.
  • the second reflecting member may cover an upper surface of the first reflecting member, or may be formed along a rim of the upper surface of the first reflecting member, and may cover a part of the upper surface of the barrier member. Or the second reflecting member may cover the entire upper surface of the barrier member or cover the entire upper surface of the barrier member and the upper surface of the first reflecting member.
  • the second reflective member may be made of at least one of silver (Ag) and aluminum (Al).
  • the substrate may be a circuit board including an insulating layer and a circuit pattern.
  • the circuit pattern may include a first circuit pattern, a second circuit pattern, and a via.
  • the first circuit pattern may be formed on an upper surface of the insulating layer, and may be electrically connected to the first light emitting chip.
  • the second circuit pattern may be formed on the lower surface of the insulating layer.
  • the vias may penetrate the insulating layer to electrically connect the first insulating pattern and the second insulating pattern.
  • One end of the first circuit pattern may be located at a center between one side of the first light emitting chip and the outer wall of the barrier member. Or one end of the first circuit pattern may be positioned between the center between one side of the first light emitting chip and the outer wall of the barrier member and the outer wall of the barrier member.
  • the via may have a narrower width from the upper surface and the lower surface of the insulating layer toward the inside.
  • the plurality of first light emitting chips may be arranged in the other direction in one direction.
  • the width of the first wavelength conversion member may be the same as the width from one side of the first light emitting chip located in one direction to one side of the first light emitting chip located in the other direction.
  • one side of the first light emitting chip may be a side facing the inner wall of the barrier member.
  • the light emitting device may further include a second light emitting chip which is laterally spaced from the first light emitting chip.
  • the second light emitting chip may be disposed such that one side faces one side of the first light emitting chip.
  • the light emitting device may further include a second wavelength converting member covering an upper surface of the second light emitting chip.
  • the second wavelength conversion member may be one containing a wavelength conversion material in one of epoxy resin, silicone resin, glass, and ceramics.
  • first wavelength conversion member and the second wavelength conversion member may include different wavelength conversion materials to convert light into different wavelengths.
  • the barrier member may further include an inner wall portion positioned between the first light emitting chip and the second light emitting chip.
  • the upper surface of the inner wall portion of the barrier member may be convex.
  • the barrier member may have a larger filler content than the inner wall portion.
  • the light emitting device may further include a protection member disposed between the first reflection member and the barrier member to protect the first reflection member.
  • the protective member may include at least one layer of a silicon nitride (SiN x ) layer, a silicon oxide (SiO 2 ) layer, and a gold (Au) layer.
  • SiN x silicon nitride
  • SiO 2 silicon oxide
  • Au gold
  • the second wavelength conversion member may further include a reflective material.
  • FIG. 3 and FIG. 4 are views showing an example of a light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
  • 3 is a top plan view of the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • 4 is a cross-sectional view of a light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 100 includes a light emitting chip 110, a wavelength converting member 120, a reflecting member 130, a barrier member 140, and a circuit board 150.
  • the light emitting chip 110 may be a light emitting diode chip that emits light.
  • the light emitting chip 110 is disposed on the circuit board 150 and electrically connected to the circuit board 150.
  • the light emitting chip 110 may have an electrode pad (not shown) formed thereunder.
  • the electrode pads of the light emitting chip 110 and the first circuit patterns 151 formed on the circuit board 150 may be electrically connected by a conductive bonding material.
  • the wavelength conversion member 120 is disposed on the upper side of the light emitting chip 110.
  • the wavelength conversion member 120 may be formed to cover the upper surface of the light emitting chip 110.
  • the wavelength conversion member 120 may have the same width as the light emitting chip 110. That is, the side surfaces of the wavelength conversion member 120 and the side surfaces of the light emitting chip may be located on the same line.
  • the wavelength converting member 120 converts the wavelength of the light emitted from the light emitting chip 110 to emit white light or light of a specific color.
  • the wavelength conversion member 120 may be a transparent resin such as silicon or epoxy, a glass or a ceramic, or a mixture of wavelength converting materials for converting the wavelength of light.
  • the transparent resin may be a transparent silicone (Silicone).
  • the wavelength converting material may be a phosphor.
  • As the fluorescent material a yellow fluorescent material, a red fluorescent material, a green fluorescent material, or the like can be used.
  • yellow phosphor examples include YAG: Ce (T 3 Al 5 O 12 : Ce) -based phosphor or silicate (YAG), which is yttrium (Y) aluminum (Al) garnet doped with cerium ) Series phosphors.
  • red (R) phosphor examples include YOX (Y 2 O 3 : EU) -based phosphors or nitrides composed of yttrium oxide (Y 2 O 3 ) and europium (EU) ) Phosphors.
  • green (G) phosphor examples include phosphors of phosphoric acid (PO 4 ) having a main wavelength of 544 nm and LAP (LaPO 4 : Ce, Tb) series of compounds of lanthanum (La) and terbium (Tb).
  • blue (B) phosphors examples include barium (Ba), magnesium (Mg) and aluminum oxide based materials having a wavelength of 450 nm as a main wavelength, and BAM (BaMgAl 10 O 17 : EU) And a phosphor.
  • the phosphor may include a fluoride compound KSF phosphor (K 2 SiF 6 ) which is a Mn 4+ activator phosphor favorable for high color reproduction.
  • KSF phosphor K 2 SiF 6
  • the wavelength converting member 120 may be a phosphor-in-glass (PIG) in which phosphors are mixed with glass.
  • PIG phosphor-in-glass
  • the wavelength converting member 120 is a PIG, it is effective to prevent foreign substances such as moisture and dust from penetrating into the light emitting device 100.
  • the wavelength converting member 120 further contains a reflective material.
  • the reflective material should have a melting point of not melting when the wavelength conversion member 120 is plasticized.
  • the wavelength converting member 120 made of PIG may further contain a reflective material that is silicon dioxide (SiO 2 ).
  • the reflecting member 130 is formed so as to surround the side of the wavelength converting member 120.
  • the reflective member 130 prevents light emitted from the light emitting chip 110 from passing through the barrier member 140. That is, the reflecting member 130 reflects light.
  • the reflecting member 130 should be a material that reflects light and does not transmit even if it absorbs a part.
  • the reflective member 130 may be formed of at least one of silver (Ag) and aluminum (Al).
  • the reflective member 130 made of silver has a high reflectance of light.
  • the reflecting member 130 made of aluminum has high adhesion to the wavelength converting member 120 or the barrier member 140. [ In this manner, the reflective member 130 can be formed of one layer made of silver or aluminum on the basis of the reflectivity or the adhesive force.
  • the reflecting member 130 may be formed in a multi-layered structure of aluminum-silver-aluminum so that both the adhesive force and the reflectivity can be directed.
  • at least one layer of nickel (Ni) and titanium (Ti) may be further disposed on the reflecting member 130.
  • the material of the reflecting member 130 is not limited to aluminum and silver, and any material capable of reflecting the light emitted from the light emitting chip 110 is also possible.
  • the barrier member 140 is formed to surround the reflective member 130 and the side surface of the light emitting chip 110.
  • the barrier member 140 may be formed of a silicone resin.
  • the barrier member 140 may contain a reflective material in the silicone resin.
  • the lower surface of the wavelength converting member is formed to have a smaller area than the upper surface of the light emitting chip.
  • the lower surface of the wavelength conversion member has a smaller area than the upper surface of the light emitting chip, the total light amount of the light emitting device is reduced.
  • the lower surface of the wavelength converting member 120 may be formed to have a larger area than the upper surface of the light emitting chip 110 for increasing the light amount.
  • the lateral thickness of the barrier member 140 becomes relatively thin.
  • the light emitting device 100 can prevent light from being transmitted through the barrier member 140 and causing light blurring.
  • the light emitting device 100 may be formed such that the upper surface of the light emitting chip 110 and the lower surface of the wavelength conversion member 120 have the same area, as shown in FIG. 4, taking into account the overall luminous intensity and luminance . At this time, since the light from the light emitting chip 110 can not pass through the barrier member 140 by the reflective member 130, the light blurring phenomenon can be prevented.
  • the light emitting device 100 includes not only the reflecting member 130 but also the wavelength converting member 120, the effect of reflecting light so that light can not pass through the barrier member 140 can be further improved have.
  • the side surface of the reflective member 130 is formed to protrude from the light emitting chip 110. Therefore, the area of contact between the barrier member 140 and the component disposed inside the barrier member 140 increases compared with the case where the reflective member 130 is absent. Therefore, the bonding force between the barrier member 140 and the reflective member 130 and the light emitting chip 110 is improved.
  • the material of the barrier element 140 is applied to have a lower height than the wavelength conversion element 120.
  • the barrier member 140 has a structure in which the height of the upper surface decreases from the inner wall to the outer wall. That is, the upper portion of the barrier member 140 becomes thicker toward the lower direction. 4, a portion t1 formed on the side surface of the upper part of the reflective member 130 in the barrier member 140, a portion t2 formed on the side surface between the upper and lower portions of the reflective member 130, The thickness of the portion t3 formed on the lower side surface becomes thicker in order.
  • the reflective member 130 is positioned between the wavelength converting member 120 and the barrier member 140. [ Therefore, when the light directed to the side surface of the wavelength conversion member 120 is reflected by the reflecting member 130, it is possible to prevent the passage through the barrier member 140. Therefore, occurrence of light blurring phenomenon in the vicinity of the edge of the wavelength conversion member 120 can be prevented. Even if the barrier member 140 is formed to have a lower height than that of the wavelength conversion member 120 so that the upper portion of the barrier member 140 becomes thinner than the wavelength conversion member 120, . In addition, since the light emitting device 100 according to the embodiment of the present invention prevents light from being emitted to unnecessary portions by the reflecting member 130, light loss can be prevented.
  • the barrier member 140 can be formed thin, thereby reducing the width or size of the light emitting device.
  • the circuit board 150 includes an insulating layer 153, a first circuit pattern 151, a second circuit pattern 152, and vias 154.
  • the insulating layer 153 may be formed of a general insulating material known from a printed circuit board such as an epoxy resin or a prepreg.
  • the first circuit pattern 151 is formed on the upper surface of the insulating layer 153.
  • the first circuit pattern 151 is electrically connected to the electrode pad of the light emitting chip 110.
  • a conductive bonding material 160 may be formed for bonding between the light emitting chip 110 and the first circuit pattern 151.
  • the bonding material 160 may be one of solder paste, Ag paste, and Si paste including at least one of Sn and Pb, Cu, Ag, Au, Zn, Al,
  • the bonding material 160 may be any conductive material capable of bonding the circuit board 150 and the light emitting chip 110, as well as the past type of paste.
  • the second circuit pattern 152 is formed on the lower surface of the insulating layer 153. Although the second circuit pattern 152 is not shown, it is electrically connected to the external component.
  • the vias 154 are formed to penetrate the insulating layer 153.
  • the via 154 may be formed by forming a through hole in the insulating layer 153, and then filling the conductive material with the conductive material.
  • the first circuit pattern 151, the second circuit pattern 152, and the vias 154 are formed of a conductive material known in the circuit board art.
  • the first circuit pattern 151, the second circuit pattern 152, and the vias 154 may be formed of copper (Cu).
  • the first circuit pattern 151 can be positioned such that one end thereof is positioned at least at the center between one side of the light emitting chip 110 and the outer wall of the barrier member 140. That is, the first circuit pattern 151 may be formed to have a length such that one end thereof is positioned between the center or center between the barrier member 140 and the outer wall, and the outer wall of the barrier member 140. The first circuit pattern 151 is not exposed to the outside of the barrier member 140 and has a maximally large area so that the heat radiation performance of the light emitting device 100 can be improved.
  • the second circuit pattern 152 may also be formed such that one end thereof has a long length as the first circuit pattern 151. Therefore, the second circuit pattern has a large area, and the heat radiation performance of the light emitting device 100 can be improved.
  • the moisture infiltration path between the insulating layer 153 and the second circuit pattern 152 becomes long, and moisture is prevented from affecting the light emitting chip 110 .
  • the bonding strength of the first circuit pattern 151 and the second circuit pattern 152 to the insulating layer 153 also increases.
  • the via 154 has a structure in which the width becomes narrower from the upper surface and the lower surface of the insulating layer 153 to the inside thereof. Therefore, it is possible to prevent water from affecting the light emitting chip 110 because the penetration path of moisture becomes long. Further, since the bonding area with the insulating layer 153 is increased, the bonding force between the via 154 and the insulating layer 153 also increases.
  • the conventional light emitting device without the reflecting member 130 of this embodiment is formed so as to contain the reflective material in the barrier member.
  • the barrier member contains a reflective material, some light may be transmitted at the top of the barrier member. This is because the thickness of the corner portion is thin and the density of the reflective material is low even if the thickness of the upper portion of the barrier member is thin or the thickness of the upper portion is not thin. Therefore, in the conventional light emitting device, a light blurring phenomenon occurs along the rim of the wavelength conversion member 120.
  • Light emitting devices applied to automotive lamps should have their lamp lights facing downward in order to take into account the visibility of the vehicle coming from the opposite direction if the light spread is severe. Therefore, the vehicular lamp including the conventional light emitting device has a limited range of illumination of the vehicle.
  • FIGS. 5 and 6 are views showing an example of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
  • 5 is a top plan view of the light emitting device 200 according to the second embodiment of the present invention.
  • 6 is a cross-sectional view of a light emitting device 200 according to a second embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 200 includes a plurality of light emitting chips, a wavelength converting member 120, a reflecting member 130, a barrier member 140, and a circuit board 150.
  • the plurality of light emitting chips may be composed of the first light emitting chip 211 to the fourth light emitting chip 214. Although four light emitting chips are described as an example in this embodiment, the number of light emitting chips can be changed.
  • the first light emitting chip 211 to the fourth light emitting chip 214 may emit light of the same color or at least one light of the other color.
  • the first to fourth light emitting chips 211 to 214 are disposed to be spaced apart from each other in the longitudinal direction of the light emitting device 200.
  • the arrangement of the light emitting chips can be variously changed.
  • the wavelength conversion member 120 is disposed so as to cover the upper surfaces of the first to fourth light emitting chips 211 to 214.
  • the width of the first wavelength conversion element 120 is the same as the width from one side of the first light emitting chip 211 located in one direction to one side of the fourth light emitting chip 214 located in the other direction. That is, one side of the wavelength conversion member 120 is located on the same side as the one side of the first light emitting chip 211, and the other side of the wavelength conversion member 120 is located on one side of the fourth light emitting chip 214 They can be located on the same line.
  • one side of the first light emitting chip 211 is the opposite side of the side facing the second light emitting chip 212.
  • the other side of the fourth light emitting chip 214 is opposite to the side facing the third light emitting chip 213. That is, one side of the first light emitting chip 211 and one side of the fourth light emitting chip 214 face the inner wall of the barrier member 140.
  • the wavelength conversion member 120 may have a thickness taking into consideration the directivity angles of the neighboring first light emitting chip 211 to the fourth light emitting chip 214.
  • the wavelength conversion member 120 may have a thickness at which neighboring light emitting chips can cross at least part of the light within the wavelength conversion member 120.
  • the wavelength conversion member 120 may have a thickness such that a part of the light of neighboring light emitting chips can cross at the center of the wavelength conversion member 120.
  • the reflective member 130 is formed to surround the side surface of the wavelength conversion member 120 formed to cover the upper surfaces of the first to fourth light emitting chips 211 to 214.
  • the second embodiment includes a plurality of light emitting chips
  • the light emitting device 200 having a long light emitting surface can be formed.
  • the reflection member 130 surrounding the wavelength conversion member 120 can prevent the occurrence of light blurring around the wavelength conversion member 120.
  • FIG. 7 and 8 are views showing an example of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a top plan view of the light emitting device 300 according to the third embodiment.
  • 8 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to the third embodiment.
  • the light emitting device 300 includes a first light emitting chip 311, a second light emitting chip 312, a first wavelength converting member 321, a second wavelength converting member 322, a reflecting member 130 A barrier member 330, and a circuit board 150.
  • the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312 are spaced apart from each other in the lateral direction.
  • a barrier member 330 is positioned between the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312.
  • the first wavelength conversion member 321 is disposed on the top surface of the first light emitting chip 311 and the second wavelength conversion member 322 is disposed on the second light emitting chip 312.
  • the first wavelength conversion member 321 and the second wavelength conversion member 322 may be a transparent resin such as silicon or epoxy, a glass or ceramic, or the like, or a wavelength conversion material for converting the wavelength of light.
  • the light passing through the second wavelength converting member 322 passing through the first wavelength converting member 321 may be different colors.
  • the first wavelength conversion member 321 and the second wavelength conversion member 322 convert light into different wavelengths, while the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312 emit light of the same wavelength And may include different wavelength conversion materials.
  • the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312 emit light of different wavelengths and the first wavelength conversion member 321 and the second wavelength conversion member 322 also emit different wavelength conversion materials .
  • the light emitted by the first light emitting chip 311 and the first wavelength converting member 321 may be white light
  • emitted by the second light emitting chip 312 and the second wavelength converting member 322 The emitted light may be yellow light.
  • the white light is used for an illumination light for securing the view of the driver of the vehicle, and the yellow light can be used for a warning light for signaling a dangerous or emergency situation.
  • the first wavelength conversion member 321 and the second wavelength conversion member 322 may further include a reflective material (not shown) as in the first embodiment in order to increase the reflectivity of light.
  • the reflecting member 130 is formed so as to surround the sides of the first wavelength converting member 321 and the second wavelength converting member 322, respectively.
  • the light passing through the side surface of the first wavelength converting member 321 is reflected by the reflecting member 130.
  • the light passing through the side surface of the second wavelength converting member 322 is reflected by the reflecting member 130. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of light blurring in each of the rim of the first wavelength converting member 321 and the rim of the second wavelength converting member 322.
  • FIG. 9 is a graph showing the luminance of the light emitting device according to the third embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, the brightness of light according to the distance from the center of the light emitting device 300 can be confirmed.
  • the light emitting device 300 can prevent the light from being emitted from the reflective member 130 through the barrier member 330. Therefore, the light emitting device 300 of the present invention can prevent the light blurring phenomenon from occurring near the edges of the first wavelength conversion member 321 and the second wavelength conversion member 322. Accordingly, the light emitting device 300 of the present invention can prevent light of two different colors from interfering with each other even if light is simultaneously emitted through the first wavelength conversion member 321 and the second wavelength conversion member 322.
  • the barrier member 330 may be divided into an outer wall portion 332 and an inner wall portion 331.
  • the inner wall portion 331 is a portion formed between the first light emitting chip 311 and the first wavelength converting member 321 and the second light emitting chip 312 and the second wavelength converting member 322 of the barrier member 330 .
  • the outer wall portion 332 surrounds the outer periphery of the first light emitting chip 311 and the first wavelength converting member 321, the second light emitting chip 312, the second wavelength converting member 322 and the inner wall portion 331 . That is, the outer wall portion 332 is formed so as to surround the side surfaces of the inner constituent portions of the light emitting device 300.
  • the barrier member 330 is formed such that the height of the outer wall portion 332 decreases from the inner wall to the outer wall. That is, the upper portion of the outer wall portion 332 of the barrier member 330 becomes thicker toward the lower direction.
  • the inner wall portion 331 of the barrier member 330 is formed so that its upper surface is convex. 8
  • the outer wall portion 332 of the barrier member 330 includes a portion t1 formed on a side surface of the upper portion of the reflective member 130, a portion t1 formed on a side surface between the upper portion and the lower portion of the reflective member 130,
  • the thickness t2 of the formed portion t2 and the thickness of the portion t3 formed on the side surface of the lower portion of the reflecting member 130 increase in order.
  • the inner wall portion 332 of the barrier member 330 has an inner height t4 that is higher than both sides t5.
  • the material for forming the barrier member 330 is applied in consideration of a narrow space between the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312, the structure of the outer wall portion 332 and the inner wall portion 331 .
  • the light emitting device 300 of the present embodiment applies the material to the space in which the barrier member 330 is to be formed with reference to the space where the inner wall portion 331 is to be formed. Therefore, the material is applied between the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312 so as to have a sufficient height. In the other space, the upper surface of the first wavelength converting member 321 and the second wavelength converting member 322.
  • the light emitting device 300 of the present invention includes the reflecting member 130 and thus the light blurring phenomenon occurs even if the thickness of the upper portion of the outer wall portion 332 is thin. I never do that. Therefore, the light emitting device 300 of the present invention can solve the reduction problem and the light blurring problem at the same time.
  • the convex upper surface of the inner wall portion 331 protrudes from the upper surface of the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312. That is, the inner wall portion 331 has a sufficient height between the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312.
  • the inner wall 331 formed as described above can prevent light emitted from the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312 from crossing each other or affecting each other.
  • the light emitting device 300 may further include a light extracting member 340.
  • the light extracting member 340 may be formed to cover the side surfaces of the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312.
  • the light extracting member 340 may be formed such that the outer wall facing the barrier member 330 has a curvature. Both sides of the first light emitting chip 311 and the both sides of the first wavelength converting member 321 are located on the same line and the light emitting device 300 of the present embodiment is provided with both sides of the second light emitting chip 312, Both side surfaces of the two-wavelength converting member 322 are located on the same line. Therefore, the light extracting member 340 formed on both sides of the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312 is formed to cover the lower surface of the reflecting member 130.
  • the light extracting member 340 formed on the side surface of the first light emitting chip 311 may reflect the light emitted from the side surface of the first light emitting chip 311 and enter the first wavelength converting member 321.
  • the light extracting member 340 formed on the side surface of the second light emitting chip 312 may reflect light emitted from the side surface of the second light emitting chip 312 and enter the second wavelength converting member 322 .
  • the light extracting member 340 is formed such that its thickness becomes thinner from the upper portion of the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312, and the outer wall is curved. Accordingly, the lower side surface of the inner wall portion 331 also has a curved surface. The thickness t7 of the lower portion of the inner wall portion 331 is thicker than the thickness t6 of the portion adjacent to the upper portion of the light extracting member 340 in the inner wall portion 331.
  • the light extracting member 340 may be formed of a silicone resin.
  • the light extracting member 340 may be one containing a reflective material in the silicone resin.
  • FIG 10 and 11 are views showing an example of a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • 10 is a top plan view of the light emitting device 400 according to the fourth embodiment.
  • 11 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to the fourth embodiment.
  • the light emitting device 400 includes a first light emitting chip 311, a second light emitting chip 312, a first wavelength converting member 321, a second wavelength converting member 322, a reflecting member 130 A protective member 410, a barrier member 330, and a circuit board 150. As shown in FIG.
  • the first wavelength conversion member 321 is disposed on the upper surface of the first light emitting chip 311 and the second wavelength conversion member 322 is disposed on the upper surface of the second light emitting chip 312. Further, a reflecting member 130 that surrounds the side surfaces of each of the first wavelength conversion member 321 and the second wavelength conversion member 322 is formed.
  • a protective member 410 is further formed to surround the side surface of the reflective member 130.
  • the protection member 410 prevents the reflection member 130 from reacting with hydrogen sulfide (H 2 S), oxygen, or the like caused by the process or the external environment to corrode or discolor.
  • the light emitting device 400 of the present embodiment includes the protection member 410 that protects the reflective member 130.
  • the protective member 410 may be formed of at least one layer selected from the group consisting of a silicon nitride film (SiN x ), a silicon oxide film (SiO 2 ), and gold (Au).
  • junction area of the barrier member 330 is increased by the protective member 410, and the adhesion of the internal constituent parts of the light emitting device 400 can be improved.
  • FIG. 12 and 13 are views showing an example of a light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a top plan view of the light emitting device 500 according to the fifth embodiment.
  • 13 is a cross-sectional view showing a light emitting device 500 according to the fifth embodiment.
  • the light emitting device 500 includes a first light emitting chip 311, a second light emitting chip 312, a first wavelength converting member 321, a second wavelength converting member 322, a reflecting member 130 A protective member 410, a barrier member 510, and a circuit board 150.
  • the barrier member 510 is divided into an inner wall portion 511 and an outer wall portion 512.
  • the inner wall portion 511 is a barrier member 510 disposed between the first light emitting chip 311 and the first wavelength conversion member 321 and between the second light emitting chip 312 and the second wavelength conversion member 322.
  • the outer wall portion 512 has the first light emitting chip 311 and the first wavelength conversion member 321 and the second light emitting chip 312 except for the portion where the inner wall portion 511 is disposed in the barrier member 510.
  • the reflective member 130 and the protective member 410 may be formed between the first wavelength conversion member 321 and the second wavelength conversion member 322.
  • the barrier member 510 is a mixture of a filler and a resin made of epoxy or silicone.
  • the filler may include at least one of titanium dioxide (TiO 2 ) for high refractive index, and glass fiber for strength improvement.
  • TiO 2 titanium dioxide
  • the strength of the barrier member 510 may vary depending on the filler content. That is, the strength of the barrier member 510 can be improved by increasing the filler content mixed in the resin.
  • the barrier member 510 may be formed of a resin containing a filler by a dispensing method or a screen printing method.
  • a dispensing method it is possible to precisely apply the material to the narrow space through the narrow discharge port of the dispenser, so that the barrier member 510 can be precisely formed.
  • the dispensing method should have a low viscosity such that the material of the barrier member 510 can come out through the narrow outlet of the dispenser. If the resin contains a large amount of filler, the viscosity becomes high, so that it is difficult to form the barrier member 510 of high strength by the dispensing method.
  • the inner wall portion 511 of the barrier member 510 is formed in a narrow space between the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312 by a dispensing method using a material having a low filler content.
  • An outer wall portion 512 of the barrier member 510 is formed on the outer periphery of the first light emitting chip 311 and the second light emitting chip 312 by a screen printing method using a material having a high filler content.
  • the barrier member 510 can be formed to include a high-strength outer wall portion 512 and an inner wall portion 511 that is precisely filled in a narrow space.
  • the barrier member 510 formed as described above can prevent the occurrence of light blurring or light emitting errors while the light emitting device 500 is formed with high strength.
  • the light extracting member is not shown in Figs. 10 to 13, the light extracting member may be further included in the embodiment described in Figs. 10 to 13. Fig.
  • FIG. 14 is an exemplary view showing a light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 600 includes the light emitting chip 110, the wavelength converting member 120, the reflecting member 130, the light extracting member 610, the barrier member 140, And a circuit board (150).
  • the light extracting member 610 is formed on both sides of the light emitting chip 110. Further, the light extracting member 610 has a thinner thickness from the upper part to the lower part, and the outer wall facing the barrier member 140 is curved.
  • the light extracting member 610 of the light emitting device 600 of this embodiment is different in structure from the light extracting member of FIG. 8 (340 of FIG. 8).
  • the light extracting member (340 of FIG. 8) of FIG. 8 convexes the outer wall toward the barrier member 140, but the light extracting member 610 of FIG. 14 has a concave outer wall.
  • the structure of the light extracting member 610 is not limited thereto, but may be changed according to the direction of reflecting light, the process of forming the light extracting member 610, and the selection of a person skilled in the art.
  • the light extracting member 610 reflects light emitted from the side surface of the light emitting chip 110. At this time, the thickness of the light extracting member 610 or the curvature of the outer wall of the light extracting member 610 may be determined so that the light is reflected by the light extracting member 610 and is incident on the wavelength converting member 120.
  • the light extracting efficiency of the light emitting device 600 according to the present embodiment is improved because the light extracting member 610 reflects the light emitted from the side surface of the light emitting chip 110 to the wavelength converting member 120. Since the light emitting device 600 does not allow the light to pass through the barrier member 140 located on the side surface of the light emitting chip 110 by the light extracting member 610, Can be prevented.
  • 15 is an exemplary view showing a light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 700 includes a plurality of light emitting chips, a wavelength converting member 120, a reflecting member 130, a light extracting member 610, a barrier member 140, And a substrate 150.
  • the plurality of light emitting chips are the first light emitting chip 211 and the second light emitting chip 212. Such an example is for convenience of explanation, and the light emitting device 700 may include a larger number of light emitting chips.
  • the light extracting member 610 is formed on both sides of each of the first light emitting chip 211 and the second light emitting chip 212. Further, the light extracting member 610 has a thinner thickness from the upper part to the lower part, and the outer wall facing the barrier member 140 is curved.
  • the light extracting members were formed on both sides of the light emitting chip, and were formed so as to cover the entire lower surface of the reflecting member 130.
  • the position where the light extracting member 610 is formed is different from the previous embodiment.
  • both sides of the wavelength conversion member 120 are formed so as to project further outward than the side surfaces of the first light emitting chip 211 and the second light emitting chip 212.
  • the light extracting member 610 does not cover the lower surface of the reflecting member 130 and the lower surface of the portion of the wavelength converting member 610 protruding outward than the side surfaces of the first light emitting chip 211 and the second light emitting chip 212 As shown in Fig. In this case, some light reflected by the light extracting member 610 travels to the wavelength converting member 120 through the first light emitting chip 211 or the second light emitting chip 212,
  • the wavelength converting member 120 may be formed of a metal such as AlN.
  • the position, thickness, curvature, etc. of the light extracting member 610 may be variously changed according to the choice of a person skilled in the art.
  • the first light emitting chip 211 and the second light emitting chip 212 may be arranged such that at least a part of the light intersects the inside of the wavelength converting member 120.
  • the light extracting member 610 reflects the light emitted from the sides of the first light emitting chip 211 and the second light emitting chip 212 toward the wavelength converting member 120. At this time, depending on the curvature of the light extracting member 610, part of the reflected light emitted from the side of the first light emitting chip 211 and the second light emitting chip 212 may cross each other inside the wavelength converting member 120 have.
  • the thickness of the wavelength conversion member 120 is set such that the light emitted from the first light emitting chip 211 and the light emitted from the second light emitting chip 212 cross each other inside the wavelength conversion member 120, ) And the second light emitting chip 212, as shown in FIG.
  • the interval t1 between the first light emitting chip 211 and the first light emitting chip 212 may be 190 ⁇ or less.
  • the thickness t2 of the wavelength converting member 120 may be 200 ⁇ ⁇ or less.
  • the light emitting device 700 of this embodiment has high light uniformity.
  • the configuration of the light emitting device of the present invention and the effect when it is applied to a vehicle lamp have been described through various embodiments.
  • the effect of the light emitting device of the present invention is not limited to the application to a vehicle lamp.
  • the light emitting device of the present invention can be applied to a display device as well as a vehicle lamp.
  • the outer frame of the display device may appear to be brighter than the center portion. Further, the display screen may be totally unevenly formed. Also, the contrast ratio can be lowered and the viewing angle can be narrowed. Also, a color deviation of the display device may occur, and the image quality may be deteriorated.
  • the light emitting device of the present invention can prevent the occurrence of light blurring on the side of the light emitting device by the reflective member. Accordingly, when the light emitting device of the present invention is applied to a display device, it is possible to prevent a phenomenon in which the outer frame of the display device appears bright, unevenness, low contrast ratio, reduced viewing angle, and color deviation.
  • 16 and 17 are diagrams illustrating an example of a light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.
  • 16 is a plan view of a light emitting device 800 according to an eighth embodiment of the present invention.
  • 17 is a sectional view (I1-I2) of the light emitting device 800 of Fig.
  • the light emitting device 800 includes a substrate, a plurality of light emitting chips 110, a wavelength converting member 120, a reflecting member 130, and a barrier member 330.
  • the substrate may be a circuit board 150 on which a circuit pattern is formed.
  • the circuit board 150 includes a conductive circuit pattern formed on the insulating layer 153 and the insulating layer 153.
  • the circuit pattern includes a first circuit pattern 151, a second circuit pattern 152, and a via 154.
  • the first circuit pattern 151 is formed on the upper surface of the insulating layer 153.
  • the second circuit pattern 152 is formed on the lower surface of the insulating layer 153.
  • the via 154 is formed to penetrate the insulating layer 153 to electrically connect the first circuit pattern 151 and the second circuit pattern 152.
  • the circuit patterns are electrically connected to the plurality of light emitting chips 110 mounted on the circuit board 150.
  • the substrate on which the light emitting chip 110 is mounted is described as the circuit board 150, but the present invention is not limited thereto. Any type of substrate may be used as long as the substrate can be electrically connected to the mounted light emitting chip 110 to supply power to the light emitting chip 110 to emit light.
  • Each of the plurality of light emitting chips 110 is electrically connected to a circuit pattern of the circuit board 150.
  • the plurality of light emitting chips 110 may be mounted on the circuit board 150 in a flip-chip bonding manner.
  • the plurality of light emitting chips 110 connected to the circuit pattern can operate individually according to an external signal. That is, each of the light emitting chips 110 may operate to emit light individually or to interrupt light emission.
  • the light emitting device 800 of the present embodiment may include a plurality of light emitting chip arrays. At this time, a plurality of light emitting chips may be connected in series or in parallel through a circuit pattern to operate simultaneously.
  • the wavelength conversion member 120 is disposed on each light emitting chip 110. Further, the reflecting member 130 covers the side surfaces of the respective wavelength converting members 120 as shown in Fig.
  • a barrier member 330 is formed on the circuit board 150 to cover the side surfaces of the light emitting chip 110 and the reflective member 130. That is, the barrier member 330 externally exposes the upper surface of the wavelength conversion member 120 and the upper surface of the reflective member 130 from which light is emitted.
  • the barrier member 330 may be formed of a silicone resin.
  • the barrier member 330 may be formed of a silicone resin containing a filler such as a reflective material, glass fiber, or the like.
  • the barrier member 330 may have a smaller filler content than the outer wall portion of the inner wall portion, as in the fifth embodiment of FIGS.
  • the outer wall portion of the barrier member 330 is a portion located between the light emitting chip 110 and the side surface of the substrate 115, and the inner wall portion is a portion located between the light emitting chips 110.
  • the light emitting chip 110 has been miniaturized, and a high quality of a display device is required.
  • the number of pixels of the display device is increased in order to realize high image quality, and the sharpness can be improved.
  • the display device increases the number of light emitting chips 110 disposed in the same area, and accordingly, the spacing distance between the light emitting chips 110 is reduced.
  • the display device has improved sharpness and high image quality can be realized.
  • the light emitting chip 110 in which light blurring occurs, a light interference phenomenon occurs between pixels, resulting in low contrast between pixels. Therefore, the lightness of the light emitting chip 110 causes the display apparatus to have a low definition, resulting in a deterioration in the image quality of the display apparatus.
  • the light emitting device 800 of the present embodiment has the reflective member 130 covering the side surface for each wavelength converting member 120 having the emitting surface from which the light is emitted to the outside so that light is emitted from the emitting surface of the wavelength converting member 120 It is prevented from being emitted from the other part except for. Accordingly, the light emitting device 800 prevents the light from being emitted only in the upper direction of the light emitting chip 110 by the reflecting member 130, thereby affecting the area where the adjacent light emitting chip 110 is disposed. Accordingly, the light emitting device 800 can prevent the occurrence of a light interference phenomenon between pixels, thereby improving the sharpness of the display device.
  • FIG. 18 is an exemplary view showing a light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 900 includes a circuit board 150, a light emitting chip 110, a wavelength converting member 120, a reflecting member 930, and a barrier member 330.
  • the reflection member 930 covers the side surfaces of the wavelength conversion member 120 and the light emitting chip 110. At this time, if the reflective member 930 includes a metal, the side surface of the light emitting chip 110 is covered but does not contact the pair of electrode pads 115.
  • One of the electrode pads 115 of the light emitting chip 110 is electrically connected to the n-type semiconductor layer and the other is electrically connected to the p-type semiconductor layer.
  • the electrode pad 115 is exposed to the outside of the light emitting chip 110 and is electrically connected to the circuit pattern of the circuit board 150.
  • the light emitting device 900 of this embodiment is formed such that the reflecting member 930 covers all the side surfaces of the light emitting chip 110 but is not in contact with the electrode pads 115.
  • the reflective member 930 thus formed reflects light emitted through the side surface of the wavelength conversion member 120 and the side surface of the light emitting chip 110 to prevent light from being emitted to the side surface of the barrier member 330. Therefore, even if the thickness of the barrier ribs 330 formed on the side surfaces of the wavelength conversion member 120 and the light emitting chip 110 is thin, the light emission of the light emitting device 900 can be prevented. That is, the light emitting device 900 of this embodiment can reduce the thickness of the wavelength conversion member 120 and the barrier member 330 formed on the side surface of the light emitting chip 110.
  • 19 to 21 are views showing an example of a light emitting device according to a tenth embodiment and an eleventh embodiment of the present invention.
  • 19 is a plan view of a light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.
  • 20 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.
  • 21 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an eleventh embodiment of the present invention.
  • the light emitting devices 1000 and 1100 according to the tenth embodiment and the eleventh embodiment include the circuit board 150, the plurality of light emitting chips 110, the wavelength converting member 120, the reflecting member 930, and the barrier member 330 , 1110).
  • a plurality of light emitting chips 110 are mounted on a circuit board 150 on which a conductive circuit pattern is formed.
  • the plurality of light emitting chips 110 are electrically connected to the circuit pattern of the circuit board 150, respectively.
  • the plurality of light emitting chips 110 connected to the circuit pattern can operate individually according to an external signal.
  • the plurality of light emitting chips 110 may constitute an array which operates at the same time, and the light emitting devices 1000 and 1100 may include a plurality of arrays mounted on the circuit substrate 150.
  • the plurality of light emitting chips 110 are each formed with the wavelength converting member 120 thereon. Further, a reflecting member 930 is formed so as to surround the side surface of the light emitting chip 110 and the side surface of the wavelength converting member 120. The structure of the wavelength converting member 120 and the reflecting member 930 formed in each light emitting chip 110 will be described with reference to FIG.
  • the barrier member 330 formed on the outer side surface of the light emitting chip 110 located at both ends of the plurality of light emitting chips 110 has the upper part in the downward direction And has a structure in which the thickness becomes thicker. That is, the barrier member 330 located between the side surfaces of the light emitting chip 110 and the circuit board 150 becomes thicker from the upper side toward the lower side. In addition, the barrier member 330 between the light emitting chips 110 has a convex upper surface.
  • the light emitting device 1000 of the tenth embodiment forms a barrier member 330 by a dispensing method.
  • the barrier member 330 covers a part of the emission surface on which the light of the wavelength conversion element 120 is emitted, so that the light emission area can be reduced. Therefore, when the barrier member 330 is formed, the material that becomes the barrier member 330 can be discharged onto the circuit substrate 150 in consideration of this. Therefore, the barrier member 330 formed on the outer side surface of the light emitting chip 110 located at both ends has a lower height than the upper surface of the wavelength conversion member 120.
  • the material acting as the barrier member 330 moves along the surface of the reflective member 930 by the surface tension, and eventually, the barrier member 330, which is formed on the outer side surface of the light emitting chip 110 located at both ends of the circuit board 150, (330) has a structure in which a part thereof becomes thinner from the lower part to the upper part.
  • the area between the light emitting chips 110 is narrower than the area between the side of the light emitting chip 110 located at one end and the opposite ends of the circuit board 150. Therefore, when a certain amount of material to be the barrier member 330 is discharged for each region, a certain amount of material can be applied to the region between the light emitting chips 110. At this time, the material that becomes the barrier member 330 by the curing process may have a convex upper surface.
  • the light emitting device 1100 may have a structure in which the upper surface of the barrier member 1110 is flat.
  • the barrier member 1110 may be formed by a screen printing method.
  • the barrier member 1110 can apply a substance to be a predetermined amount of the barrier member 1110 to each region using a mask having an opened position at which the barrier member 1110 is to be formed. In the screen printing method, since a predetermined amount of material is applied to each region, the barrier member 1110 may have a flat top surface.
  • the barrier member 1110 may be formed in a dispensing manner. At this time, the material to be the barrier member 1110 can be excessively discharged to each region. Thereafter, the upper surface of the barrier member 1110 can be planarized by polishing and removing the barrier member 1110 covering the upper surface of the wavelength converting member 120 and the upper surface of the reflecting member 930 in various manners.
  • the barrier member 1110 having a flat upper surface is not limited to the embodiment of the present invention. That is, a barrier member 1110 having a flat top surface can also be applied to the light emitting device of another embodiment.
  • FIGS. 22 to 25 are views showing examples of the light emitting device according to the twelfth to fifteenth embodiments.
  • the light emitting devices 1200, 1300, 1400, and 1500 include the circuit board 150, the light emitting chip 110, the wavelength converting member 120, the first reflecting member 1210, And includes a second reflective member 1220 and a barrier member 1110.
  • the first reflecting member 1210 corresponds to the reflecting member of another embodiment described previously.
  • the light emitting devices 1200 and 1400 have a structure in which the first reflection member 1210 covers only the side surface of the wavelength conversion member 120.
  • the structure of the light emitting devices 1200 and 1400 is not limited thereto.
  • the first reflection member 1210 may be formed to cover both the side surface of the light emitting chip 110 and the side surface of the wavelength conversion member 120 like the reflection member 130 shown in Fig.
  • the light emitting devices 1200 and 1400 have a structure in which the upper surface of the barrier member 1110 is flat.
  • the structure of the barrier member 1110 is not limited to the structure of the light emitting devices 1200 and 1400.
  • the barrier member 1110 may have a structure in which the thickness becomes thicker from the upper part to the lower part like the barrier member 330 shown in Fig.
  • the second reflecting member 1220 covers at least a part of the upper surface of the barrier member 1110.
  • a part of the light directed toward the first reflecting member 1210 is transmitted through the first reflecting member 1210 and the barrier member 1110 without being reflected by the first reflecting member 1210 and the upper surface of the barrier member 1110 You can head. 22 and 24, when the first reflecting member 1210 covers only the side surface of the wavelength converting member 120, the light emitted through the side surface of the light emitting chip 110 passes through the barrier member 1110 And can be directed to the upper surface of the barrier member 1110.
  • the second reflective member 1220 transmits both the barrier member 1110 or the first reflective member 1210 and the barrier member 1110 and reflects the light reaching the second reflective member 1220.
  • the material of the second reflective member 1220 may be the same as that of the first reflective member 1210. Or the material of the second reflection member 1220 may be different from that of the first reflection member 1210 if the light is reflected.
  • the light emitting device 1200 covers the upper surface of the first reflecting member 1210 and a part of the upper surface of the barrier member 1110 in the second reflecting member 1220. Accordingly, the light emitting device 1200 is not exposed to the barrier member 1110 between the first reflective member 1210 and the second reflective member 1220.
  • the second reflective member 1220 may be formed to surround the upper surface of the first reflective member 1210 without covering the upper surface of the first reflective member 1210. At this time, the second reflective member 1220 may contact the upper surface of the first reflective member 1210. Therefore, the barrier member 1110 may not be exposed between the first reflecting member 1210 and the second reflecting member 1220.
  • the barrier member 1110 is not exposed between the first reflective member 1210 and the second reflective member 1220 in the light emitting device 1200 according to the twelfth embodiment, It is possible to prevent the light from being emitted from the light source 1220.
  • FIG. 23 shows a plane view of the light emitting device 1300 according to the thirteenth embodiment in which a plurality of light emitting chips 110 are mounted on a circuit board 150. As shown in Fig.
  • the light emitting device 1300 according to the thirteenth embodiment differs from the light emitting device 1300 according to the twelfth embodiment in that the wavelength converting member 120, the first reflecting member 1210, and the second reflecting member 1220, Device 1200. < / RTI >
  • the second reflecting member 1220 covers the entire upper surface of the barrier member 1110.
  • the second reflective member 1220 may be formed to cover the upper surface of the first reflective member 1210, as shown in FIG.
  • the second reflective member 1220 may be formed to surround the upper surface of the first reflective member 1210 without covering the upper surface of the first reflective member 1210.
  • Fig. 25 shows a plane view of a light emitting device 1500 according to a fifteenth embodiment in which a plurality of light emitting chips 110 are mounted on a circuit board 150.
  • the light emitting device 1500 according to the fifteenth embodiment differs from the light emitting device 1500 according to the fifteenth embodiment in that the wavelength converting member 120, the first reflecting member 1210, and the second reflecting member 1220, Device 1400. < / RTI >
  • the light emitting devices 1200, 1300, 1400 and 1500 of the present embodiments prevent the first reflecting member 1210 and the second reflecting member 1220 from being emitted to the outside through the barrier member 1110. [ Therefore, the light emitting devices 1200, 1300, 1400, and 1500 can more reliably prevent the light blurring phenomenon.
  • the light emitting devices 1200, 1300, 1400, and 1500 of the present embodiments can reduce the light emission through the upper surface of the barrier member 1110 Can be effectively prevented.
  • the light emitting devices 1200, 1300, 1400, and 1500 of the present embodiments may be configured such that even if the thickness of the second reflective member 1220 is reduced by the first reflective member 1210, the light emission through the upper surface of the barrier member 1110 Can be effectively prevented. Therefore, the light emitting devices 1200, 1300, 1400, and 1500 of the embodiments can reduce the width or the thickness thereof when they include only one reflecting member.

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Abstract

본 발명은 발광 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 장치는 기판, 제1 발광 칩, 제1 파장 변환 부재 및 장벽 부재를 포함한다. 제1 발광 칩은 기판상에 실장 된다. 제1 파장 변환 부재는 제1 발광 칩의 상면을 덮는다. 제1 반사 부재는 제1 파장 변환 부재의 측면을 덮는다. 또한, 장벽 부재는 제1 발광 칩 및 제1 반사 부재의 측면을 둘러싸는 외벽부를 포함한다.

Description

발광 장치
본 발명은 발광 장치에 관한 것이다.
발광 칩은 전자와 정공의 재결합으로 발생하는 광을 발하는 반도체 소자로서, 최근 디스플레이, 자동차 램프, 일반 조명 등의 여러 분야에서 사용된다. 발광 칩은 수명이 길고, 소비 전력이 낮으며, 응답 속도가 빠르기 때문에 자동차 램프 디스플레이 장치 등 다양한 분야에 응용되고 있다.
도 1은 종래의 발광 장치를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고하면, 종래의 발광 장치(10)는 발광 칩(11), 파장 변환 부재(12), 장벽 부재(14) 및 회로 기판(15)을 포함한다. 장벽 부재(14)는 수지에 반사 물질을 함유한 재료로 형성된다. 따라서, 장벽 부재(14)가 발광 칩(11)에서 방출된 광을 반사하는 역할을 한다. 그러나 종래의 발광 장치(10)는 발광 칩(11)에서 방출되거나 파장 변환 부재(12)의 측면을 통과하는 광의 일부가 반사 물질을 피해 장벽 부재(14)를 투과된다. 특히, 장벽 부재(14)에서 파장 변환 부재(12)와 인접한 모서리 부분은 측면과 상면과의 거리가 짧다. 즉, 장벽 부재(14)의 모서리 부분에는 반사 물질이 다른 부분보다 적게 분포되며, 모서리 부분을 통해서 광의 일부가 투과될 수 있다. 따라서, 종래의 발광 장치(10)는 광이 조사되어야 할 전방 영역 이외의 측면 등으로 광이 누설되는 빛 번짐 현상이 발생한다.
도 2는 종래의 발광 장치의 휘도를 나타낸 그래프이다. 도 2의 A1을 살펴보면, 제1 파장 변환 부재(12)와 접하는 장벽 부재(14)에서 광이 완전히 차단되지 않고 약하게 광이 방출되는 것을 확인할 수 있다. B1을 살펴보면, 제1 파장 변환 부재(12)와 제2 파장 변환 부재(12) 사이의 장벽 부재(14)에서도 광이 방출되는 것을 확인할 수 있다. 또한, C1을 살펴보면, 제2 파장 변환 부재(12)와 접하는 장벽 부재(14)에서도 광이 방출되는 것을 확인할 수 있다.
자동차 램프에 적용되는 발광 장치의 측면에서 빛 번짐 현상이 발생하면, 자동차 램프에서 방출되는 광이 전방에 조사될 때 생기는 명부와 암부의 경계선인 컷오프(Cutoff) 선이 명확하게 드러나지 않는다. 이로 인해, 운전자가 불필요한 영역에 광을 조사하게 되어, 다른 운전자의 시야를 방해할 수 있으며, 발광 장치의 측면으로 광이 방출되므로 광 손실이 발생하는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 빛 번짐을 방지할 수 있는 발광 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 광 손실을 방지할 수 있는 발광 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 발광 영역 감소와 빛 번짐을 동시에 해결할 수 있는 발광 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 기판, 제1 발광 칩, 제1 파장 변환 부재 및 장벽 부재를 포함하는 발광 장치가 제공된다. 제1 발광 칩은 기판상에 실장 된다. 제1 파장 변환 부재는 제1 발광 칩의 상면을 덮는다. 제1 반사 부재는 제1 파장 변환 부재의 측면을 덮는다. 또한, 장벽 부재는 제1 발광 칩 및 제1 반사 부재의 측면을 둘러싸는 외벽부를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 장치는 반사 부재를 이용하여 광이 장벽 부재를 투과하는 것을 방지함으로써, 빛 번짐을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 장치는 빛 번짐을 방지하므로, 광 손실도 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 장치는 빛 번짐을 방지하므로, 차량용 램프에 적용되었을 때, 반대편 차량을 포함한 다른 운전자의 시야 확보 및 차량 운전자의 더 긴 시야를 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 장치는 반사 부재를 이용하여 발광 영역 감소와 빛 번짐을 동시에 해결할 수 있다.
도 1은 종래의 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 종래의 발광 장치의 휘도를 나타낸 그래프이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 장치의 휘도를 나타낸 그래프이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 14는 본 발명의 제6 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 15는 본 발명의 제7 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 제8 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 18은 본 발명의 제9 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 19 내지 도 21은 본 발명의 제10 실시 예 및 제11 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 22 내지도 25는 제12 실시 예 내지 제15 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참고하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예시로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참고번호들은 동일한 구성요소들을 나타내고 유사한 참고번호는 대응하는 유사한 구성요소를 나타낸다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 장치는 기판, 제1 발광 칩, 제1 파장 변환 부재 및 장벽 부재를 포함한다. 상기 제1 발광 칩은 상기 기판상에 실장 된다. 상기 제1 파장 변환 부재는 상기 제1 발광 칩의 상면을 덮는다. 상기 제1 반사 부재는 상기 제1 파장 변환 부재의 측면을 덮는다. 또한, 상기 장벽 부재는 상기 제1 발광 칩 및 상기 제1 반사 부재의 측면을 둘러싸는 외벽부를 포함한다.
상기 장벽 부재의 외벽부의 상부는 상면에서 하부 방향으로 갈수록 두께가 커질 수 있다. 또는 상기 장벽 부재는 상면이 평탄할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 장치는 상기 기판상에 복수의 상기 제1 발광 칩이 실장될 수 있다.
이때, 상기 제1 발광 칩과 상기 기판의 측면 사이에 위치한 상기 장벽 부재의 외벽부는 상부가 상면에서 하부 방향으로 갈수록 두께가 두꺼워질 수 있다. 또한, 상기 제1 발광 칩들 사이에 위치하는 상기 장벽 부재의 내벽부는 상부가 볼록할 수 있다.
또한, 상기 장벽 부재는 상기 외벽부가 상기 내벽부보다 필러 함유량 더 클 수 있다.
또한, 발광 장치는 상기 제1 발광 칩 각각에 상기 제1 파장 변환 부재 및 상기 제1 반사 부재가 형성된 것일 수 있다.
이때, 상기 제1 반사 부재는 이웃하는 제1 반사 부재와 서로 이격된다.
예를 들어, 상기 제1 반사 부재는 상기 파장 변환 부재의 측면 및 상기 제1 발광 칩의 측면을 덮을 수 있다.
상기 제1 반사 부재는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제1 파장 변환 부재의 폭은 상기 제1 발광 칩의 폭보다 크거나 동일할 수 있다.
또한, 상기 제1 파장 변환 부재는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 유리, 세라믹 중 하나에 파장 변환 물질이 함유된 것일 수 있다. 여기서, 상기 제1 파장 변환 부재는 반사 물질을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 발광 장치는 상기 장벽 부재의 상면을 덮는 제2 반사 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 반사 부재는 상기 제1 반사 부재의 상면과 접촉하도록 배치될 수 있다.
상기 제2 반사 부재는 상기 제1 반사 부재의 상면을 덮거나 상기 제1 반사 부재의 상면의 테두리를 따라 형성되고, 상기 장벽 부재의 상면의 일부를 덮을 수 있다. 또는 상기 제2 반사 부재는 상기 장벽 부재의 상면 전체를 덮거나 상기 장벽 부재의 상면 전체 및 상기 제1 반사 부재의 상면을 덮을 수 있다.
상기 제2 반사 부재는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 기판은 절연층 및 회로 패턴을 포함하는 회로 기판일 수 있다.
상기 회로 패턴은 제1 회로 패턴, 제2 회로 패턴 및 비아를 포함할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴은 상기 절연층의 상면에 형성되며, 상기 제1 발광 칩과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 회로 패턴은 상기 절연층의 하면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 비아는 상기 절연층을 관통하여, 상기 제1 절연 패턴과 상기 제2 절연 패턴을 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 제1 회로 패턴의 일단은 상기 제1 발광 칩의 일 측면과 상기 장벽 부재의 외벽 사이의 중심에 위치할 수 있다. 또는 상기 제1 회로 패턴의 일단은 제1 발광 칩의 일 측면과 상기 장벽 부재의 외벽 사이의 중심과 상기 장벽 부재의 외벽 사이에 위치할 수 있다.
상기 비아는 상기 절연층의 상면 및 하면에서 내부로 갈수록 폭이 좁아지는 구조일 수 있다.
상기 복수의 제1 발광 칩은 일 방향에서 타 방향으로 나란히 배치될 수 있다. 이때, 상기 제1 파장 변환 부재의 폭은 일 방향에 위치한 제1 발광 칩의 일 측면에서 타 방향에 위치한 제1 발광 칩의 일 측면까지의 폭과 동일할 수 있다. 여기서, 상기 제1 발광 칩의 일 측면은 상기 장벽 부재의 내벽을 마주하는 측면일 수 있다.
예를 들어, 발광 장치는 상기 제1 발광 칩과 횡 방향으로 이격되는 제2 발광 칩을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 발광 칩은 일 측면이 상기 제1 발광 칩의 일 측면과 마주하도록 배치될 수 있다.
상기 발광 장치는 상기 제2 발광 칩의 상면을 덮는 제2 파장 변환 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 파장 변환 부재는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 유리, 세라믹 중 하나에 파장 변환 물질이 함유된 것일 수 있다.
또한, 상기 제1 파장 변환 부재와 상기 제2 파장 변환 부재는 광을 서로 다른 파장으로 변환시키도록 서로 다른 파장 변환 물질을 포함할 수 있다.
상기 장벽 부재는 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩 사이에 위치하는 내벽부를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 장벽 부재의 상기 내벽부는 상면이 볼록할 수 있다.
또한, 상기 장벽 부재는 상기 외벽부가 상기 내벽부보다 필러 함유량 더 클 수 있다.
상기 발광 장치는 상기 제1 반사 부재와 상기 장벽 부재 사이에 배치되어 상기 제1 반사 부재를 보호하는 보호 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 보호 부재는 실리콘 질화막(SiN x), 실리콘 산화막(SiO 2) 및 금(Au)으로 이루어진 층 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다.
상기 제2 파장 변환 부재는 반사 물질을 더 포함할 수 있다.
이하, 도면을 참고로 본 발명의 다양한 실시 예에 대해 설명하도록 한다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 장치(100)의 상부 평면도이다. 도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 장치(100)의 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 발광 장치(100)는 발광 칩(110), 파장 변환 부재(120), 반사 부재(130), 장벽 부재(140) 및 회로 기판(150)을 포함한다.
발광 칩(110)은 광을 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 발광 칩(110)은 회로 기판(150) 상부에 배치되어 회로 기판(150)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 발광 칩(110)은 하부에 전극 패드(미도시)가 형성되어 있을 수 있다. 이때, 발광 칩(110)의 전극 패드와 회로 기판(150)의 상부에 형성된 제1 회로 패턴(151)이 전도성 본딩 물질에 의해서 전기적으로 연결될 수 있다.
파장 변환 부재(120)는 발광 칩(110)의 상부에 배치된다. 파장 변환 부재(120)는 발광 칩(110)의 상면을 덮도록 형성될 수 있다. 파장 변환 부재(120)는 발광 칩(110)과 폭이 동일할 수 있다. 즉, 파장 변환 부재(120)의 측면들과 발광 칩의 측면들은 동일 선상에 위치할 수 있다.
파장 변환 부재(120)는 발광 칩(110)에서 방출하는 광의 파장을 변환하여, 백색광 또는 특정 색의 광이 방출되도록 한다.
파장 변환 부재(120)는 실리콘이나 에폭시 같은 투명 수지, 유리, 세라믹 등에 광의 파장을 변환시키는 파장 변환 물질이 혼합된 것일 수 있다. 예를 들어, 투명 수지는 투명 실리콘(Silicone)일 수 있다. 파장 변환 물질은 형광체일 수 있다. 형광체로는 황색 형광체, 적색 형광체, 녹색 형광체 등이 사용될 수 있다.
황색 형광체의 예로는 530 ~ 570nm 파장을 주 파장으로 하는 세륨(Ce)이 도핑된 이트륨(Y) 알루미늄(Al) 가넷인 YAG:Ce(T 3Al 5O 12:Ce)계열 형광체나 실리케이트(Silicate)계열의 형광체를 들 수 있다.
적색(R) 형광체의 예로는 611nm 파장을 주 파장으로 하는 산화이트륨(Y 2O 3)과 유로피움(EU)의 화합물로 이루어진 YOX(Y 2O 3:EU)계열의 형광체 또는 나이트라이드(Nitride) 형광체를 들 수 있다.
녹색(G) 형광체의 예로는 544nm 파장을 주 파장으로 하는 인산(PO 4)과 란탄(La)과 테르븀(Tb)의 화합물인 LAP(LaPO 4:Ce,Tb)계열의 형광체를 들 수 있다.
청색(B) 형광체의 예로는 450nm 파장을 주 파장으로 하는 바륨(Ba)과 마그네슘(Mg)과 산화알루미늄 계열의 물질과 유로피움(EU)의 화합물인 BAM (BaMgAl 10O 17:EU)계열의 형광체를 들 수 있다.
또한, 형광체는 고색재현에 유리한 Mn 4+ 활성제 형광체인 불화물 화합물 KSF 형광체(K 2SiF 6)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 파장 변환 부재(120)가 유리에 형광체가 혼합된 PIG(Phosphor in Glass)일 수 있다. 파장 변환 부재(120)가 PIG라면, 수분, 먼지 등의 외부 물질이 발광 장치(100) 내부로 침투하는 것을 방지하는데 효율적이다.
또한, 파장 변환 부재(120)에는 반사 물질을 반사 물질을 더 함유하는 것도 가능하다. 이때, 반사 물질은 파장 변환 부재(120)를 소성 가공할 때, 녹지 않을 정도의 융점을 가져야 할 것이다. 예를 들어, PIG로 이루어진 파장 변환 부재(120)는 이산화 규소(SiO 2)인 반사 물질을 더 함유할 수 있다.
반사 부재(130)는 파장 변환 부재(120) 측면을 둘러싸도록 형성된다. 반사 부재(130)는 발광 칩(110)에서 방출된 광이 장벽 부재(140)를 투과하는 것을 방지한다. 즉, 반사 부재(130)는 광을 반사한다. 또는 반사 부재(130)는 광을 반사하며, 일부를 흡수하여도 투과되지 않는 재질이어야 한다. 예를 들어, 반사 부재(130)는 은(Ag) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 은으로 이루어진 반사 부재(130)는 광의 반사도가 높다. 또한, 알루미늄으로 이루어진 반사 부재(130)는 파장 변환 부재(120) 또는 장벽 부재(140)와 접착력이 높다. 이와 같이, 반사도 또는 접착력을 기준으로 반사 부재(130)를 은 또는 알루미늄으로 이루어진 한 층으로 형성할 수 있다. 또는 반사 부재(130)를 알루미늄-은-알루미늄으로 적층된 다층 구조로 형성하여, 접착력과 반사도가 모두 향되도록 할 수 있다. 도면에는 미도시 되었으나, 반사 부재(130)상에는 니켈(Ni) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 층 중 적어도 한 층이 더 배치될 수 있다. 또한, 반사 부재(130)의 재질은 알루미늄과 은으로 한정되는 것은 아니며, 발광 칩(110)에서 방출된 광을 반사할 수 있는 어떠한 것도 가능하다.
장벽 부재(140)는 반사 부재(130)와 발광 칩(110)의 측면을 둘러싸도록 형성된다. 예를 들어, 장벽 부재(140)는 실리콘 수지로 형성될 수 있다. 또는 장벽 부재(140)는 실리콘 수지에 반사 물질을 함유한 것일 수도 있다.
종래에는 발광 칩과 파장 변환 부재의 정렬 및 빛 번짐을 방지하기 위해서 파장 변환 부재의 하면이 발광 칩의 상면보다 작은 면적을 갖도록 형성되었다. 그런데 파장 변환 부재의 하면이 발광 칩의 상면보다 작은 면적을 갖는 경우, 발광 장치의 전체 광량이 감소한다.
본 실시 예에서는 광량 증가를 위해서 파장 변환 부재(120)의 하면이 발광 칩(110)의 상면보다 큰 면적을 갖도록 형성될 수 있다. 이때, 발광 장치(100)는 파장 변환 부재(120)의 면적이 커지므로, 상대적으로 장벽 부재(140)의 측면 두께가 얇아진다. 그러나 발광 장치(100)는 발광 칩(110)의 광이 반사 부재(130)에서 반사되므로, 광이 장벽 부재(140)를 투과하여 빛 번짐이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
더 바람직하게는 발광 장치(100)는 전체 광도 및 휘도를 고려하여 도 4에 도시된 바와 같이, 발광 칩(110)의 상면과 파장 변환 부재(120)의 하면이 같은 면적을 갖도록 형성될 수 있다. 이때, 반사 부재(130)에 의해서 발광 칩(110)의 광이 장벽 부재(140)를 통과하지 못하므로, 빛 번짐 현상을 방지할 수 있다.
또한, 발광 장치(100)가 반사 부재(130)뿐만 아니라 파장 변환 부재(120)가 반사 물질을 더 포함한다면, 광이 장벽 부재(140)를 투과하지 못하도록 광을 반사하는 효과가 더 향상될 수 있다.
본 실시 예에 따르면, 반사 부재(130)의 측면은 발광 칩(110)보다 돌출되도록 형성된다. 따라서, 장벽 부재(140)와 장벽 부재(140)의 내부에 배치된 구성부와의 접합 면적이 반사 부재(130)가 없을 때보다 증가한다. 따라서, 장벽 부재(140)와 반사 부재(130) 및 발광 칩(110) 간의 결합력이 향상된다.
본 실시 예에 따르면, 장벽 부재(140)가 파장 변환 부재(120) 상면을 덮는 것을 방지하기 위해서, 장벽 부재(140)의 재료가 파장 변환 부재(120)보다 낮은 높이를 갖도록 도포된다. 이때, 장벽 부재(140)는 상면이 내벽에서 외벽으로 갈수록 높이가 낮아는 구조로 형성된다. 즉, 장벽 부재(140)의 상부는 하부 방향으로 갈수록 두께가 두꺼워진다. 도 4를 참고하면, 장벽 부재(140) 중 반사 부재(130) 상부의 측면에 형성된 부분(t1), 반사 부재(130)의 상부와 하부 사이의 측면에 형성된 부분(t2), 반사 부재(130) 하부의 측면에 형성된 부분(t3)의 두께가 차례대로 두꺼워진다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 파장 변환 부재(120)와 장벽 부재(140) 사이에 반사 부재(130)가 위치한다. 따라서, 파장 변환 부재(120)의 측면을 향하는 광이 반사 부재(130)에 의해서 반사되면, 장벽 부재(140)를 투과하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 파장 변환 부재(120)의 테두리 부근에서 빛 번짐 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 장벽 부재(140)의 재료를 파장 변환 부재(120)보다 낮은 높이를 갖도록 형성하여, 장벽 부재(140)의 상부가 점점 얇아지는 구조가 되어도 반사 부재(130)에 의해서 빛 번짐을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 장치(100)는 반사 부재(130)에 의해서 불필요한 부분에 광이 방출되는 것을 방지하므로, 광 손실을 방지할 수 있다.
또한, 반사 부재(130)에 의해서 광이 반사되므로, 장벽 부재(140)가 얇게 형성할 수 있어 발광 장치의 폭 또는 크기를 감소시킬 수 있다.
회로 기판(150)은 절연층(153), 제1 회로 패턴(151), 제2 회로 패턴(152) 및 비아(154)를 포함한다. 절연층(153)은 에폭시 수지 또는 프리프레그(Prepreg)와 같은 인쇄회로기판에서 공지된 일반적인 절연 물질로 형성될 수 있다.
제1 회로 패턴(151)은 절연층(153)의 상면에 형성된다. 제1 회로 패턴(151)은 발광 칩(110)의 전극 패드와 전기적으로 연결된다. 발광 칩(110)과 제1 회로 패턴(151) 간의 접착을 위해서 전도성의 본딩 물질(160)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 본딩 물질(160)은 Sn과 Pb, Cu, Ag, Au, Zn, Al, Bi, In 중 적어도 하나를 포함하는 솔더 페이스트, Ag 페이스트, Si 페이스트 중 하나일 수 있다. 또한, 본딩 물질(160)은 상술한 종류의 페이스트 뿐만 아니라 회로 기판(150)과 발광 칩(110)을 본딩할 수 있는 전도성 물질이라면 어느 것도 가능하다.
제2 회로 패턴(152)은 절연층(153)의 하면에 형성된다 제2 회로 패턴(152)은 미도시 되었지만, 외부 구성부와 전기적으로 연결된다.
비아(154)는 절연층(153)을 관통하도록 형성된다. 비아(154)는 절연층(153)에 관통홀을 형성한 후, 전도성 물질을 채워 넣는 방식으로 형성될 수 있다.
제1 회로 패턴(151), 제2 회로 패턴(152) 및 비아(154)는 회로 기판 분야에서 공지된 전도성 물질로 형성된다. 예를 들어, 제1 회로 패턴(151), 제2 회로 패턴(152) 및 비아(154)는 구리(Cu)로 형성될 수 있다.
제1 회로 패턴(151)은 일단이 최소한 발광 칩(110)의 일 측면과 장벽 부재(140)의 외벽 사이의 중심에 위치하도록 할 수 있다. 즉, 제1 회로 패턴(151)은 일단이 장벽 부재(140)와 외벽 사이의 중심 또는 중심과 장벽 부재(140)의 외벽 사이에 위치할 정도의 길이를 갖도록 형성될 수 있다. 제1 회로 패턴(151)이 장벽 부재(140)의 외부로 노출되지 않으며, 최대한 큰 면적을 갖도록 하여, 발광 장치(100)의 방열 성능이 향상될 수 있다. 제2 회로 패턴(152) 역시 일단이 제1 회로 패턴(151)처럼 긴 길이를 갖도록 형성될 수 있다. 따라서, 제2 회로 패턴이 큰 면적을 가져 발광 장치(100)의 방열 성능이 향상될 수 있다. 또한, 제2 회로 패턴(152)의 긴 길이를 가지면, 절연층(153)과 제2 회로 패턴(152) 사이의 수분 침투 경로가 길어져, 수분이 발광 칩(110)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이와 같은 제1 회로 패턴(151) 및 제2 회로 패턴(152)은 절연층(153)과의 결합력 역시 증가한다.
비아(154)는 절연층(153)의 상면 및 하면에서 내부로 갈수록 폭이 좁아지는 구조를 갖는다. 따라서, 수분의 침투 경로가 길어져 수분이 발광 칩(110)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 절연층(153)과의 접합 면적이 커지므로, 비아(154)와 절연층(153) 간의 결합력 역시 증가한다.
본 실시 예의 반사 부재(130)가 없는 종래의 발광 장치는 장벽 부재에 반사 물질을 함유하도록 형성된다. 그러나 장벽 부재가 반사 물질을 함유하고 있어도, 장벽 부재의 상부에서는 일부 광이 투과되기도 한다. 이는 장벽 부재의 상부의 두께가 얇거나 상부 두께가 얇지 않아도 모서리 부분의 두께가 얇기 때문에 반사 물질의 밀도가 낮기 때문이다. 따라서, 종래의 발광 장치에서는 파장 변환 부재(120)의 테두리를 따라 빛 번짐 현상이 발생한다. 차량용 램프에 적용되는 발광 장치는 빛 번짐이 심하면, 반대 방향에서 오는 차량의 시야를 배려하기 위해서 램프 조명이 아래를 향해야 한다. 따라서 종래의 발광 장치를 포함하는 차량용 램프는 차량의 조명이 비추는 거리가 제한적이다.
본 발명의 실시 예와 같이, 반사 부재(130)를 통해서 빛 번짐이 해결된다면, 반대 방향에서 오는 차량을 포함한 다른 운전자의 시야를 배려하면서 차량 운전자에게도 더 긴 시야를 확보해줄 수 있다.
이후, 다른 실시 예에 대한 설명에 있어서, 제1 실시 예의 발광 장치(100)와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하도록 한다. 생략된 설명은 도 3 및 도 4의 제1 실시 예의 발광 장치(100)에 대한 설명을 참고하도록 한다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명 제2 실시 예에 따른 발광 장치(200)의 상부 평면도이다. 또한, 도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 장치(200)의 단면도이다.
제2 실시 예에 따른 발광 장치(200)는 복수의 발광 칩들, 파장 변환 부재(120), 반사 부재(130), 장벽 부재(140) 및 회로 기판(150)을 포함한다. 도 5 및 도 6에서는 복수의 발광 칩들은 제1 발광 칩(211) 내지 제4 발광 칩(214)으로 구성될 수 있다. 본 실시 예에서는 4개의 발광 칩을 예시로 설명하고 있으나, 발광 칩의 개수는 변경될 수 있다.
제1 발광 칩(211) 내지 제4 발광 칩(214)은 모두 동일한 색의 광을 방출하거나, 적어도 하나는 다른 색의 광의 방출할 수도 있다. 또한, 본 실시 예에서는 제1 발광 칩(211) 내지 제4 발광 칩(214)이 발광 장치(200)의 길이 방향으로 서로 이격되도록 배치된다. 그러나 발광 칩들의 배열은 다양하게 변경될 수 있다.
파장 변환 부재(120)는 제1 발광 칩(211) 내지 제4 발광 칩(214)의 상면을 덮도록 배치된다. 이때, 제1 파장 변환 부재(120)의 폭은 일 방향에 위치한 제1 발광 칩(211)의 일 측면에서 타 방향에서 위치한 제4 발광 칩(214)의 일 측면까지의 폭과 동일하다. 즉, 파장 변환 부재(120)의 일 측면은 제1 발광 칩(211)의 일 측면과 동일 선상에 위치하며, 파장 변환 부재(120)의 타 측면은 제4 발광 칩(214)의 일 측면과 동일 선상에 위치할 수 있다. 여기서, 제1 발광 칩(211)의 일 측면은 제2 발광 칩(212)과 마주하는 측면의 반대 면이다. 또한, 제4 발광 칩(214)의 타 측면은 제3 발광 칩(213)과 마주하는 측면의 반대 면이다. 즉, 제1 발광 칩(211)의 일 측면 및 제4 발광 칩(214)의 일 측면은 장벽 부재(140)의 내벽을 마주한다.
이때, 파장 변환 부재(120)는 서로 이웃하는 제1 발광 칩(211) 내지 제4 발광 칩(214)의 지향각을 고려한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 파장 변환 부재(120)는 서로 이웃하는 발광 칩들이 파장 변환 부재(120) 내에서 적어도 광의 일부가 교차 가능한 두께를 가질 수 있다. 더 나아가 파장 변환 부재(120)는 서로 이웃하는 발광 칩들의 광의 일부가 파장 변환 부재(120)의 중심부에서 교차가 가능하도록 하는 두께를 가질 수 있다.
반사 부재(130)는 제1 발광 칩(211) 내지 제4 발광 칩(214)의 상면을 덮도록 형성된 파장 변환 부재(120) 측면을 둘러싸도록 형성된다.
이와 같은 제2 실시 예는 복수의 발광 칩을 포함하므로, 발광 면이 긴 구조의 발광 장치(200)를 형성할 수 있다. 또한, 파장 변환 부재(120)를 둘러싸는 반사 부재(130)에 의해서, 파장 변환 부재(120) 주변에서 빛 번짐이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 7은 제3 실시 예에 따른 발광 장치(300)의 상부 평면도이다. 또한, 도 8은 제3 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
제3 실시 예에 따른 발광 장치(300)는 제1 발광 칩(311), 제2 발광 칩(312), 제1 파장 변환 부재(321), 제2 파장 변환 부재(322), 반사 부재(130), 장벽 부재(330) 및 회로 기판(150)을 포함한다.
제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312)은 서로 횡 방향으로 이격되어 배치된다. 제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312) 사이에는 장벽 부재(330)가 위치한다.
또한, 제1 발광 칩(311) 상면에는 제1 파장 변환 부재(321)가 배치되며, 제2 발광 칩(312) 상부에는 제2 파장 변환 부재(322)가 배치된다.
제1 파장 변환 부재(321) 및 제2 파장 변환 부재(322)는 실리콘이나 에폭시 같은 투명 수지, 유리, 세라믹 등에 광의 파장을 변환시키는 파장 변환 물질이 혼합된 것일 수 있다.
제1 파장 변환 부재(321)를 통과한 광고 제2 파장 변환 부재(322)를 통과한 광을 서로 다른 색일 수 있다. 제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312)은 동일한 파장의 광을 방출하지만, 제1 파장 변환 부재(321)와 제2 파장 변환 부재(322)는 광을 서로 다른 파장으로 변환하는 서로 다른 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 또는 제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312)은 서로 다른 파장의 광을 방출하며, 제1 파장 변환 부재(321)와 제2 파장 변환 부재(322)도 서로 다른 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 칩(311) 및 제1 파장 변환 부재(321)에 의해서 방출된 광은 백색광일 수 있으며, 제2 발광 칩(312) 및 제2 파장 변환 부재(322)에 의해서 방출된 광은 황색광일 수 있다. 여기서, 백색광은 차량 운전자의 시야 확보를 위한 조명등에 사용되며, 황색광은 위험 또는 위급 상황을 알리기 위한 경고등에 사용될 수 있다.
제1 파장 변환 부재(321) 및 제2 파장 변환 부재(322)에는 광의 반사율을 높이기 위해서 제1 실시 예처럼 반사 물질(미도시)이 더 포함될 수도 있다.
반사 부재(130)는 제1 파장 변환 부재(321)와 제2 파장 변환 부재(322)의 측면을 각각 둘러싸도록 형성된다. 제1 파장 변환 부재(321)의 측면을 통과한 광은 반사 부재(130)에 의해서 반사된다. 또한, 제2 파장 변환 부재(322)의 측면을 통과한 광은 반사 부재(130)에 의해서 반사된다. 따라서, 제1 파장 변환 부재(321)의 테두리와 제2 파장 변환 부재(322)의 테두리 각각에서 빛 번짐 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 장치의 휘도를 나타낸 그래프이다. 도 9를 참고하면, 발광 장치(300)의 중심부에서의 거리에 따른 광의 휘도를 확인할 수 있다.
도 9의 A2를 살펴보면, 제1 파장 변환 부재(321)와 장벽 부재(330) 사이에서 광이 완전히 차단된 것을 확인할 수 있다. 또한, B2를 살펴보면, 제1 파장 변환 부재(321)와 제2 파장 변환 부재(322) 사이의 장벽 부재(330)에서도 광이 방출되지 않는 것을 확인할 수 있다. 또한, C2를 살펴보면, 제2 파장 변환 부재(322)와 장벽 부재(330) 사이에서 광이 완전히 차단된 것을 확인할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 장치(300)는 반사 부재(130)에 의해서 광이 장벽 부재(330)를 통해 방출되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 발광 장치(300)는 제1 파장 변환 부재(321) 및 제2 파장 변환 부재(322)의 테두리 부근에서 빛 번짐 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 발광 장치(300)는 제1 파장 변환 부재(321)와 제2 파장 변환 부재(322)를 통해 동시에 광이 방출되어도 서로 다른 두 색의 광이 간섭되는 것을 방지할 수 있다.
본 실시 예에서 장벽 부재(330)는 외벽부(332)와 내벽부(331)로 구분될 수 있다.
내벽부(331)는 장벽 부재(330) 중 제1 발광 칩(311) 및 제1 파장 변환 부재(321)와 제2 발광 칩(312) 및 제2 파장 변환 부재(322) 사이에 형성된 부분이다.
외벽부(332)는 제1 발광 칩(311) 및 제1 파장 변환 부재(321), 제2 발광 칩(312), 제2 파장 변환 부재(322) 및 내벽부(331)로 이루어진 외곽을 둘러싸도록 형성된다. 즉, 외벽부(332)는 발광 장치(300)의 내부 구성부들의 측면을 둘러싸도록 형성된다.
장벽 부재(330)는 외벽부(332)는 상면이 내벽에서 외벽으로 갈수록 높이가 낮아지도록 형성된다. 즉, 장벽 부재(330)의 외벽부(332)의 상부는 하부 방향으로 갈수록 두께가 두꺼워진다. 또한, 장벽 부재(330)의 내벽부(331)는 상면이 볼록하도록 형성된다. 예를 들어, 도 8을 참고하면, 장벽 부재(330)의 외벽부(332)는 반사 부재(130) 상부의 측면에 형성된 부분(t1), 반사 부재(130)의 상부와 하부 사이의 측면에 형성된 부분(t2), 반사 부재(130) 하부의 측면에 형성된 부분(t3)의 두께가 차례대로 두꺼워진다. 또한, 장벽 부재(330)의 내벽부(332)는 내부의 높이(t4)가 양측의 높이(t5)보다 높다.
제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312) 사이의 좁은 공간을 고려하여 장벽 부재(330)를 형성하기 위한 재료를 도포하기 때문에, 외벽부(332)와 내벽부(331)의 구조가 도출된다.
내벽부(331)에 비해 넓은 공간에 형성되는 외벽부(332)를 기준으로 장벽 부재(330)가 형성될 공간에 동시에 재료를 도포하면, 좁은 공간에서는 재료가 제1 파장 변환 부재(321) 및 제2 파장 변환 부재(322)의 상면을 덮을 수 있다. 그러면 발광 장치(300)의 발광 영역이 감소한다. 따라서, 본 실시 예의 발광 장치(300)는 내벽부(331)가 형성될 공간을 기준으로 장벽 부재(330)가 형성될 공간에 재료를 도포한다. 따라서, 제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312) 사이에는 재료가 충분한 높이를 갖도록 도포되며, 그 이외의 공간에는 제1 파장 변환 부재(321)의 상면 및 제2 파장 변환 부재(322)의 상면보다 낮은 높이를 갖도록 재료가 도포된다. 재료를 도포한 이후 재료를 경화시키면, 외벽부(332)의 상면은 반사 부재(130)의 측면을 따라 상승하는 구조가 되며, 내벽부(331)는 상면이 볼록한 구조가 된다. 즉, 외벽부(332)는 상부가 얇은 두께를 갖게 되는데, 본 발명의 발광 장치(300)는 반사 부재(130)가 있으므로, 외벽부(332)의 상부의 두께가 얇아도 빛 번짐 현상이 발생하지 않는다. 따라서, 본 발명의 발광 장치(300)는 발광 영역이 감소 문제와 빛 번짐 문제를 동시에 해결할 수 있다.
또한, 내벽부(331)의 볼록한 상면은 제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312)의 상면보다 돌출된다. 즉, 내벽부(331)는 제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312) 사이에 충분한 높이를 갖는다. 이와 같이 형성된 내벽부(331)는 제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312)에서 방출된 광이 교차하거나 서로에게 영향을 주는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 장치(300)는 광 추출 부재(340)를 더 포함할 수 있다. 광 추출 부재(340)는 제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 또한, 광 추출 부재(340)는 장벽 부재(330)와 마주하는 외벽이 곡률을 갖도록 형성될 수 있다. 본 실시 예의 발광 장치(300)는 제1 발광 칩(311)의 양 측면과 제1 파장 변환 부재(321)의 양 측면이 동일 선상에 위치하며, 제2 발광 칩(312)의 양 측면과 제2 파장 변환 부재(322)의 양 측면이 동일 선상에 위치한다. 따라서, 제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312)의 양 측면에 형성된 광 추출 부재(340) 반사 부재(130)의 하면을 덮도록 형성된다.
제1 발광 칩(311)의 측면에 형성된 광 추출 부재(340)는 제1 발광 칩(311)의 측면에서 방출된 광을 반사하여 제1 파장 변환 부재(321)로 입사되도록 할 수 있다. 또한, 제2 발광 칩(312)의 측면에 형성된 광 추출 부재(340)는 제2 발광 칩(312)의 측면에서 방출된 광을 반사하여 제2 파장 변환 부재(322)로 입사되도록 할 수 있다.
본 실시 예에서, 광 추출 부재(340)는 제1 발광 칩(311) 및 제2 발광 칩(312)의 상부에서 하부로 갈수록 두께가 얇아지도록 형성되며, 외벽이 곡면으로 이루어진다. 이에 따라 내벽부(331)의 측면 하부도 곡면으로 이루어진다. 또한, 내벽부(331)의 하부의 두께(t7)는 내벽부(331)에서 광 추출 부재(340)의 상부에 인접한 부분의 두께(t6)보다 두껍다.
예를 들어, 광 추출 부재(340)는 실리콘 수지로 형성될 수 있다. 또는 광 추출 부재(340)는 실리콘 수지에 반사 물질이 함유된 것일 수 있다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 10은 제4 실시 예에 따른 발광 장치(400)의 상부 평면도이다. 또한, 도 11은 제4 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
제4 실시 예에 따른 발광 장치(400)는 제1 발광 칩(311), 제2 발광 칩(312), 제1 파장 변환 부재(321), 제2 파장 변환 부재(322), 반사 부재(130), 보호 부재(410), 장벽 부재(330) 및 회로 기판(150)을 포함한다.
제1 파장 변환 부재(321)는 제1 발광 칩(311) 상면에 배치되며, 제2 파장 변환 부재(322)는 제2 발광 칩(312) 상면에 배치된다. 또한, 각각의 제1 파장 변환 부재(321)와 제2 파장 변환 부재(322)에 측면을 감싸는 반사 부재(130)가 형성된다.
본 실시 예에서는 반사 부재(130)의 측면을 감싸는 보호 부재(410)가 더 형성된다. 보호 부재(410)는 반사 부재(130)가 공정 또는 외부 환경에 의해서 발생한 황화수소(H 2S) 또는 산소 등과 반응해서 부식 또는 변색하는 것을 방지한다.
반사 부재(130)가 외부 물질에 의해서 변색 또는 부식되면, 광의 반사율이 감소할 수 있다. 반사 부재(130)가 손상된 부분을 통해서 광이 반사 부재(130)를 투과하게 되면, 발광 장치(400)에 빛 번짐 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 본 실시 예의 발광 장치(400)는 이를 방지하기 위해서, 반사 부재(130)를 보호하는 보호 부재(410)를 포함한다.
예를 들어, 보호 부재(410)는 실리콘 질화막(SiN X) 및 실리콘 산화막(SiO 2), 금(Au)으로 이루어진 층 중 적어도 한 층으로 이루어질 수 있다.
또한, 보호 부재(410)에 의해서 장벽 부재(330)의 접합 면적이 증가하여, 발광 장치(400)의 내부 구성부들의 접착력이 향상될 수 있다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 12는 제5 실시 예에 따른 발광 장치(500)의 상부 평면도이다. 또한, 도 13은 제5 실시 예에 따른 발광 장치(500)를 나타낸 단면도이다.
제5 실시 예에 따른 발광 장치(500)는 제1 발광 칩(311), 제2 발광 칩(312), 제1 파장 변환 부재(321), 제2 파장 변환 부재(322), 반사 부재(130), 보호 부재(410), 장벽 부재(510) 및 회로 기판(150)을 포함한다.
본 실시 예에 따르면, 장벽 부재(510)는 내벽부(511) 및 외벽부(512)로 구분된다. 내벽부(511)는 제1 발광 칩(311) 및 제1 파장 변환 부재(321)와 제2 발광 칩(312) 및 제2 파장 변환 부재(322) 사이에 배치되는 장벽 부재(510)이다. 또한, 외벽부(512)는 장벽 부재(510)에서 내벽부(511)가 배치된 부분을 제외한, 제1 발광 칩(311) 및 제1 파장 변환 부재(321)와 제2 발광 칩(312) 및 제2 파장 변환 부재(322)의 측면을 둘러싸도록 형성된 부분이다. 이때, 제1 파장 변환 부재(321) 및 제2 파장 변환 부재(322) 사이에 반사 부재(130) 및 보호 부재(410)가 형성될 수 있다.
장벽 부재(510)는 에폭시 또는 실리콘으로 이루어진 수지에 필러가 혼합된 것이다. 예를 들어, 필러는 높은 굴절률을 위한 이산화티타늄(TiO 2), 강도 향상을 위한 유리 섬유 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 장벽 부재(510)는 필러 함유량에 따라 강도가 달라질 수 있다. 즉, 수지에 혼합되는 필러 함유량을 증가시키면 장벽 부재(510)의 강도가 향상될 수 있다.
장벽 부재(510)는 필러가 함유된 수지를 디스펜싱(Dispensing) 방식 또는 스크린 인쇄(Screen Printing) 방식으로 형성할 수 있다. 디스펜싱 방식은 디스펜서(Dispenser)의 좁은 토출구를 통해 재료를 좁은 공간에도 정밀하게 도포하는 것이 가능하므로, 장벽 부재(510)를 정밀하게 형성할 수 있다. 그러나 디스펜싱 방식은 장벽 부재(510)의 재료가 디스펜서의 좁은 토출구를 통해 나올 수 있을 정도로 낮은 점도를 가져야 한다. 수지에 필러가 많이 함유되면, 점도가 높아지기 때문에, 디스펜싱 방식으로는 높은 강도의 장벽 부재(510)를 형성하는 것이 어렵다.
본 실시 예에서는 제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312) 사이의 좁은 공간에는 필러 함유량이 낮은 재료를 디스펜싱 방식으로 장벽 부재(510)의 내벽부(511)를 형성한다. 또한, 제1 발광 칩(311)과 제2 발광 칩(312)의 외곽 부분에는 필러 함유량이 높은 재료를 스크린 인쇄 방식으로 장벽 부재(510)의 외벽부(512)를 형성한다. 따라서, 장벽 부재(510)는 고강도의 외벽부(512)와 좁은 공간에 정밀하게 채워진 내벽부(511)를 포함하도록 형성될 수 있다.
이와 같이 형성된 장벽 부재(510)에 의해서 발광 장치(500)는 고 강도로 형성되면서 빛 번짐 또는 발광 오류가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 10 내지 도 13에서 광 추출 부재가 미도시 되었지만, 광 추출 부재는 도 10 내지 도 13에서 설명된 실시 예에 더 포함될 수 있다.
도 14는 본 발명의 제6 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 14를 참고하면, 제6 실시 예에 따른 발광 장치(600)는 발광 칩(110), 파장 변환 부재(120), 반사 부재(130), 광 추출 부재(610), 장벽 부재(140) 및 회로 기판(150)을 포함한다.
광 추출 부재(610)는 발광 칩(110)의 양 측면에 형성된다. 또한, 광 추출 부재(610)는 상부에서 하부로 갈수록 두께가 얇아지며, 장벽 부재(140)를 마주하는 외벽이 곡면으로 형성된다. 본 실시 예의 발광 장치(600)의 광 추출 부재(610)는 도 8의 광 추출 부재(도 8의 340)와 그 구조가 상이하다. 도 8의 광 추출 부재(도 8의 340)는 외벽이 장벽 부재(140) 방향으로 볼록하지만, 도 14의 광 추출 부재(610)는 외벽이 오목한 구조를 갖는다. 그러나 광 추출 부재(610)의 구조는 이에 한정되는 것이 아니라 광을 반사하는 방향, 광 추출 부재(610)의 형성 공정 및 당업자의 선택 등에 따라 변경될 수 있다.
광 추출 부재(610)는 발광 칩(110)의 측면에서 방출되는 광을 반사한다. 이때, 광이 광 추출 부재(610)에 의해 반사되어 파장 변환 부재(120)로 입사되도록 광 추출 부재(610)의 위치별 두께 또는 외벽의 곡률이 정해질 수 있다.
본 실시 예에 따른 발광 장치(600)는 광 추출 부재(610)가 발광 칩(110)의 측면에서 방출된 광을 파장 변환 부재(120)로 반사하므로, 광 추출 효율이 향상된다. 또한, 발광 장치(600)는 광 추출 부재(610)에 의해서 광이 발광 칩(110)의 측면에 위치하는 장벽 부재(140)를 통과하지 못하므로, 장벽 부재(140)의 측면에서 빛 번짐 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 15는 본 발명의 제7 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 15를 참고하면, 제7 실시 예에 따른 발광 장치(700)는 복수의 발광 칩, 파장 변환 부재(120), 반사 부재(130), 광 추출 부재(610), 장벽 부재(140) 및 회로 기판(150)을 포함한다. 예를 들어, 복수의 발광 칩은 제1 발광 칩(211) 및 제2 발광 칩(212)이다. 이와 같은 예시는 설명의 편의를 위한 것으로, 발광 장치(700)는 더 많은 개수의 발광 칩을 포함할 수 있다.
광 추출 부재(610)는 제1 발광 칩(211) 및 제2 발광 칩(212) 각각의 양 측면에 형성된다. 또한, 광 추출 부재(610)는 상부에서 하부로 갈수록 두께가 얇아지며, 장벽 부재(140)를 마주하는 외벽이 곡면으로 형성된다.
이전 실시 예에서 광 추출 부재는 발광 칩의 양측에 형성되되, 반사 부재(130)의 하면 전체를 덮도록 형성되었다. 그러나 본 실시 예의 발광 장치(700)는 광 추출 부재(610)가 형성되는 위치가 이전 실시 예와 상이하다.
도 15를 참고하면, 파장 변환 부재(120)의 양 측면이 제1 발광 칩(211)과 제2 발광 칩(212)의 측면보다 더 외측으로 돌출되도록 형성된다. 광 추출 부재(610)는 반사 부재(130)의 하면을 덮지 않으며, 파장 변환 부재(610)에서 제1 발광 칩(211)과 제2 발광 칩(212)의 측면보다 외측으로 돌출된 부분의 하면을 덮도록 형성된다. 이 경우, 광 추출 부재(610)에 의해 반사된 일부 광은 는 제1 발광 칩(211) 또는 제2 발광 칩(212)을 통해서 파장 변환 부재(120)로 진행하고, 다른 광은 광 추출 부재(310) 내부를 통해 바로 파장 변환 부재(120)로 진행할 수 있다.
이와 같이, 광 추출 부재(610)가 형성되는 위치, 두께, 곡률 등은 당업자의 선택에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
제1 발광 칩(211)과 제2 발광 칩(212)은 적어도 일부의 광이 파장 변환 부재(120)의 내부에서 교차하도록 배치될 수 있다.
또한, 광 추출 부재(610)는 제1 발광 칩(211) 및 제2 발광 칩(212)의 측면에서 방출된 광을 파장 변환 부재(120)를 향하도록 반사한다. 이때, 광 추출 부재(610)의 곡률에 따라 제1 발광 칩(211)과 제2 발광 칩(212)의 측면에서 각각 방출되어 반사된 광의 일부도 파장 변환 부재(120) 내부에서 서로 교차할 수 있다.
이와 같이, 제1 발광 칩(211)과 제2 발광 칩(212)에서 방출된 광이 파장 변환 부재(120)의 내부에서 교차하게 하도록 파장 변환 부재(120)의 두께는 제1 발광 칩(211)과 제2 발광 칩(212)의 간격보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 칩(211)과 제1 발광 칩(212)의 간격(t1)은 190㎛ 이하 일 수 있다. 또한, 파장 변환 부재(120)의 두께(t2)는 200㎛이하일 수 있다.
본 발명의 실시 예와 같이, 제1 발광 칩(211)과 제2 발광 칩(212)의 광의 적어도 일부가 파장 변환 부재(120)에서 교차한다면, 교차하지 않을 때보다 파장 변환 부재(120)의 상면을 통해 방출되는 광의 균일도가 향상된다. 즉, 본 실시 예의 발광 장치(700)는 높은 광 균일도를 갖는다.
여러 실시 예를 통해서 본 발명의 발광 장치의 구성 및 차량용 램프에 적용되었을 때의 효과를 설명하였다. 그러나 본 발명의 발광 장치의 효과가 차량용 램프에 적용되는 것으로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 발광 장치는 차량용 램프뿐만 아니라 디스플레이 장치에도 적용될 수 있다.
디스플레이 장치의 백라이트 유닛에서 발광 장치의 측면에서 빛 번짐 현상이 발생하면, 디스플레이 장치의 외곽 테두리가 중앙부에 비하여 환하게 보이는 현상이 발생할 수 있다. 또한, 디스플레이 화면에 전체적으로 얼룩이 생기는 현상이 발생할 수 있다. 또한, 명암대비비가 저하되고, 시야각이 좁아질 수 있다. 또한, 디스플레이 장치의 의 색편차가 발생하여 화질이 저하될 수 있다.
그러나 본 발명의 발광 장치는 반사 부재에 의해서 발광 장치의 측면에서 빛 번짐이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 발광 장치가 디스플레이 장치에 적용되면, 디스플레이 장치의 외곽 테두리가 환하게 보이는 현상, 얼룩 현상, 명암대비비 저하, 시야각 감소, 색편차 발생 등을 방지할 수 있다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 제8 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 16은 본 발명의 제8 실시 예에 따른 발광 장치(800)의 평면도이다. 또한, 도 17은 도 16의 발광 장치(800)의 단면도(I1-I2)이다.
제8 실시 예에 따른 발광 장치(800)는 기판, 복수의 발광 칩(110), 파장 변환 부재(120), 반사 부재(130) 및 장벽 부재(330)를 포함한다.
기판은 회로 패턴이 형성된 회로 기판(150)일 수 있다.
회로 기판(150)은 절연층(153) 및 절연층(153)에 형성된 전도성의 회로 패턴을 포함한다. 회로 패턴은 제1 회로 패턴(151), 제2 회로 패턴(152) 및 비아(154)를 포함한다. 제1 회로 패턴(151)은 절연층(153)의 상면에 형성된다. 제2 회로 패턴(152)은 절연층(153)의 하면에 형성된다. 또한, 비아(154)는 절연층(153)을 관통하도록 형성되어 제1 회로 패턴(151)과 제2 회로 패턴(152)을 전기적으로 연결한다. 회로 패턴은 회로 기판(150)에 실장된 복수의 발광 칩(110)과 전기적으로 연결된다. 본 발명에서는 발광 칩(110)이 실장된 기판을 회로 기판(150)으로 설명하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 기판은 실장된 발광 칩(110)과 전기적으로 연결되어 발광 칩(110)이 광을 방출하는 동작을 할 수 있도록 전원을 공급할 수 있다면, 어떠한 종류의 기판도 될 수 있다.
복수의 발광 칩(110)은 각각 회로 기판(150)의 회로 패턴과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 복수의 발광 칩(110)은 플립칩 본딩(Flip-chip bonding) 방식으로 회로 기판(150)상에 실장될 수 있다.
회로 패턴과 각각 연결된 복수의 발광 칩(110)은 외부의 신호에 따라 개별적으로 동작할 수 있다. 즉, 각각의 발광 칩(110)은 개별적으로 광을 방출하는 동작을 하거나 광 방출을 중단하는 동작을 할 수 있다.
그러나 본 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시 예의 발광 장치(800)는 복수의 발광 칩 어레이를 포함할 수 있다. 이때, 발광 칩 어레이는 복수의 발광 칩이 회로 패턴을 통해 직렬 또는 병렬로 연결되어 동시에 동작할 수 있다.
도 17을 참고하면, 각각의 발광 칩(110)의 상부에는 파장 변환 부재(120)가 배치된다. 또한, 반사 부재(130)는 도 16에 도시된 바와 같이 각각의 파장 변환 부재(120)의 측면을 덮는다.
장벽 부재(330)는 회로 기판(150)상에 형성되어, 발광 칩(110) 및 반사 부재(130)의 측면을 덮는다. 즉, 장벽 부재(330)는 광이 방출되는 파장 변환 부재(120)의 상면과 반사 부재(130)의 상면을 외부로 노출한다.
또한, 장벽 부재(330)는 실리콘 수지로 형성될 수 있다. 또한, 장벽 부재(330)는 반사 물질, 유리 섬유 등의 필러가 함유된 실리콘 수지로 형성될 수 있다. 이때, 장벽 부재(330)는 도 12 및 도 13의 제5 실시 예와 같이 내벽부가 외벽부보다 필러 함유량이 적을 수 있다. 여기서, 장벽 부재(330)에서 외벽부는 발광 칩(110)과 기판(115)의 측면 사이에 위치한 부분이며, 내벽부는 발광 칩(110)들 사이에 위치한 부분이다.
최근에 발광 칩(110)이 소형화되고, 디스플레이 장치의 고화질이 요구되고 있는 추세이다. 고화질을 구현하기 위해 디스플레이 장치의 화소의 수를 증가시켜 선명도를 향상할 수 있다. 이를 위해서 디스플레이 장치는 동일 영역에 배치되는 발광 칩(110)의 개수를 증가시키며, 이에 따라 발광 칩(110)들 간의 이격 간격이 작아지고 있다. 또한, 디스플레이 장치는 화소 간의 명암이 명확할수록 선명도가 향상되어 고화질이 구현될 수 있다. 그러나 빛 번짐이 발생하는 발광 칩(110)을 사용하는 경우, 화소 간의 빛 간섭 현상이 발생하여 화소 간의 명암 대비가 낮아지게 된다. 따라서, 발광 칩(110)의 빛 번짐에 의해서 디스플레이 장치의 선명도가 저하되어, 결국 디스플레이 장치의 화질이 저하된다.
본 실시 예의 발광 장치(800)는 광이 외부로 방출되는 방출면을 갖는 파장 변환 부재(120)마다 측면을 덮는 반사 부재(130)가 형성되어, 광이 파장 변환 부재(120)의 방출면을 제외한 다른 부분에서 방출되는 것을 방지한다. 따라서, 발광 장치(800)는 반사 부재(130)에 의해서 광이 해당 발광 칩(110)의 상부 방향으로만 방출되어, 이웃한 발광 칩(110)이 배치된 영역에 영향을 미치는 것을 방지한다. 이에 따라, 발광 장치(800)는 화소 간의 빛 간섭 현상이 발생하는 것을 방지하여, 디스플레이 장치의 선명도가 향상되도록 할 수 있다.
도 18은 본 발명의 제9 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
제9 실시 예에 따른 발광 장치(900)는 회로 기판(150), 발광 칩(110), 파장 변환 부재(120), 반사 부재(930) 및 장벽 부재(330)를 포함한다.
본 실시 예에서, 반사 부재(930)는 파장 변환 부재(120) 및 발광 칩(110)의 측면을 덮는다. 이때, 반사 부재(930)가 금속을 포함한다면, 발광 칩(110)의 측면을 덮되 한 쌍의 전극 패드(115)와 접촉하지 않도록 형성된다.
발광 칩(110)의 전극 패드(115) 중 하나는 n 타입 반도체층과 전기적으로 연결되며, 다른 하나는 p 타입 반도체층과 전기적으로 연결된다. 또한, 전극 패드(115)는 발광 칩(110)의 외부로 노출되어 회로 기판(150)의 회로 패턴과 전기적으로 연결되는 구성이다.
본 실시 예의 발광 장치(900)는 반사 부재(930)가 발광 칩(110)의 모든 측면을 덮되, 전극 패드(115)들과 접촉되지 않도록 형성된다.
이와 같이 형성된 반사 부재(930)는 파장 변환 부재(120)의 측면과 발광 칩(110)의 측면을 통해서 방출되는 광을 반사하여, 장벽 부재(330)의 측면으로 광이 방출되는 것을 방지한다. 따라서, 파장 변환 부재(120)와 발광 칩(110)의 측면에 형성되는 장벽 부재(330)의 두께가 얇아도 발광 장치(900)의 빛 번짐을 방지할 수 있다. 즉, 본 실시 예의 발광 장치(900)는 파장 변환 부재(120)와 발광 칩(110)의 측면에 형성되는 장벽 부재(330)의 두께를 감소시킬 수 있다.
도 19 내지 도 21은 본 발명의 제10 실시 예 및 제11 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
도 19는 본 발명의 제10 실시 예에 따른 발광 장치의 평면도이다. 도 20은 본 발명의 제10 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다. 또한, 도 21은 본 발명의 제11 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
제10 실시 예 및 제11 실시 예에 따른 발광 장치(1000, 1100)는 회로 기판(150), 복수의 발광 칩(110), 파장 변환 부재(120), 반사 부재(930) 및 장벽 부재(330, 1110)를 포함한다.
본 실시 예의 발광 장치(1000, 1100)는 전도성의 회로 패턴이 형성된 회로 기판(150)상에 복수의 발광 칩(110)이 실장 된다. 또한, 복수의 발광 칩(110)은 각각 회로 기판(150)의 회로 패턴과 전기적으로 연결된다.
회로 패턴과 각각 연결된 복수의 발광 칩(110)은 외부의 신호에 따라 개별적으로 동작할 수 있다. 또는 복수의 발광 칩(110)은 동시에 동작하는 어레이를 구성할 수 있으며, 발광 장치(1000, 1100)는 회로 기판(150)상에 실장된 복수의 어레이를 포함할 수 있다.
본 실시 예에서 복수의 발광 칩(110)은 각각 상부에 파장 변환 부재(120)가 형성되어 있다. 또한, 반사 부재(930)가 발광 칩(110)의 측면 및 파장 변환 부재(120)의 측면을 감싸도록 형성된다. 각각의 발광 칩(110)에 형성된 파장 변환 부재(120) 및 반사 부재(930)의 구조에 대한 설명은 도 18을 참고하도록 한다.
도 20을 참고하면, 제10 실시 예에 따른 발광 장치(1000)는 복수의 발광 칩(110) 중에서 양 끝에 위치한 발광 칩(110)의 외측 측면에 형성된 장벽 부재(330)는 상부가 하부 방향으로 갈수록 두께가 두꺼워지는 구조를 갖는다. 즉, 발광 칩(110)과 회로 기판(150)의 측면 사이에 위치한 장벽 부재(330)는 상부 부분이 상면에서 하부 방향으로 갈수록 두께가 두꺼워진다. 또한, 발광 칩(110)들 사이의 장벽 부재(330)는 상면이 볼록한 구조를 갖는다.
제10 실시 예의 발광 장치(1000)는 디스펜싱(Dispensing) 방식으로 장벽 부재(330)를 형성한다. 이때, 장벽 부재(330)가 되는 물질이 과량으로 방출되는 경우 장벽 부재(330)가 파장 변환 부재(120)의 광이 방출되는 방출면의 일부를 덮어, 광 방출 영역이 감소할 수 있다. 따라서, 장벽 부재(330)를 형성할 때 이를 고려하여 장벽 부재(330)가 되는 물질을 회로 기판(150)상에 토출할 수 있다. 따라서, 양 끝에 위치한 발광 칩(110)의 외측 측면에 형성된 장벽 부재(330)는 파장 변환 부재(120)의 상면보다 낮은 높이를 갖게 된다. 이때, 표면 장력에 의해서 장벽 부재(330)가 되는 물질이 반사 부재(930)의 표면을 따라 이동하여, 결국, 회로 기판(150)의 양 끝에 위치한 발광 칩(110)의 외측 측면에 형성된 장벽 부재(330)는 일부가 하부에서 상부로 갈수록 두께가 얇아지는 구조를 갖게 된다.
또한, 발광 칩(110)들 사이의 영역은 회로 기판(150)의 일 측과 양 끝에 위치한 발광 칩(110)의 측면 사이의 영역보다 좁다. 따라서, 장벽 부재(330)가 되는 물질이 영역마다 일정량이 토출되면, 발광 칩(110)들 사이의 영역에는 정량의 물질이 도포될 수 있다. 이때, 경화 공정에 의해서 장벽 부재(330)가 되는 물질은 상면이 볼록한 구조가 될 수 있다.
도 21을 참고하면, 제11 실시 예에 따른 발광 장치(1100)는 장벽 부재(1110)의 상면이 평탄한 구조일 수 있다.
예를 들어, 장벽 부재(1110)를 스크린 프린팅(Screen printing) 방식으로 형성될 수 있다.
장벽 부재(1110)는 장벽 부재(1110)가 형성될 위치가 개구된 마스크를 이용하여 각 영역에 정량의 장벽 부재(1110)가 될 물질을 도포할 수 있다. 스크린 프린팅 방식은 각 영역에 맞춰 정량의 물질이 도포되므로, 장벽 부재(1110)는 상면이 평탄한 구조를 가질 수 있다.
또한, 장벽 부재(1110)는 디스펜싱 방식으로 형성될 수 있다. 이때, 장벽 부재(1110)가 되는 물질을 각 영역에 과량으로 토출할 수 있다. 이후, 파장 변환 부재(120)의 상면 및 반사 부재(930)의 상면을 덮는 장벽 부재(1110)를 다양한 방식으로 연마하여 제거함으로써, 장벽 부재(1110)의 상면을 평탄화할 수 있다.
상면이 평탄한 장벽 부재(1110)는 본 발명의 실시 예에 한정되어 적용되는 것은 아니다. 즉, 다른 실시 예의 발광 장치에도 상면이 평탄한 장벽 부재(1110)가 적용될 수 있다.
도 22 내지도 25는 제12 실시 예 내지 제15 실시 예에 따른 발광 장치를 나타낸 예시도이다.
제12 실시 예 내지 제15 실시 예에 따른 발광 장치(1200, 1300, 1400, 1500)는 회로 기판(150), 발광 칩(110), 파장 변환 부재(120), 제1 반사 부재(1210), 제2 반사 부재(1220) 및 장벽 부재(1110)를 포함한다.
여기서, 제1 반사 부재(1210)는 이전에 설명한 다른 실시 예의 반사 부재에 해당한다.
도 22 및 도 24를 참고하면, 발광 장치(1200, 1400)는 제1 반사 부재(1210)가 파장 변환 부재(120)의 측면만을 덮는 구조이다. 그러나 발광 장치(1200, 1400)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 반사 부재(1210)는 도 18에 도시된 반사 부재(130)처럼 발광 칩(110)의 측면과 파장 변환 부재(120)의 측면을 모두 덮도록 형성될 수도 있다.
또한, 도 22 및 도 24를 참고하면, 발광 장치(1200, 1400)는 장벽 부재(1110)의 상면이 평탄한 구조이다. 그러나 도시된 장벽 부재(1110)의 구조로 발광 장치(1200, 1400)의 구조가 한정되는 것은 아니다. 장벽 부재(1110)는 도 20에 도시된 장벽 부재(330)처럼 상부에서 하부로 갈수록 두께가 두꺼워지는 구조일 수도 있다.
제2 반사 부재(1220)는 장벽 부재(1110) 상면의 적어도 일부를 덮는다.
제1 반사 부재(1210)를 향하는 광 중에서 일부는 제1 반사 부재(1210)에서 반사되지 않고, 제1 반사 부재(1210)와 장벽 부재(1110)를 투과하여, 장벽 부재(1110)의 상면을 향할 수 있다. 또한, 도 22 및 도 24에 도시된 바와 같이, 제1 반사 부재(1210)가 파장 변환 부재(120)의 측면만을 덮는 경우, 발광 칩(110)의 측면을 통해서 방출된 광은 장벽 부재(1110)를 투과하여, 장벽 부재(1110)의 상면을 향할 수 있다.
제2 반사 부재(1220)는 장벽 부재(1110) 또는 제1 반사 부재(1210)와 장벽 부재(1110)를 모두 투과하여, 제2 반사 부재(1220)에 도달한 광을 반사한다. 제2 반사 부재(1220)의 재질은 제1 반사 부재(1210)와 동일할 수 있다. 또는 제2 반사 부재(1220)의 재질은 광을 반사한다면 제1 반사 부재(1210)의 재질과 다를 수 있다.
도 22를 참고하면, 제12 실시 예에 따른 발광 장치(1200)는 제2 반사 부재(1220)가 제1 반사 부재(1210)의 상면 및 장벽 부재(1110) 상면의 일부를 덮는다. 따라서, 발광 장치(1200)는 제1 반사 부재(1210)와 제2 반사 부재(1220) 사이로 장벽 부재(1110)가 노출되지 않는다.
또는 제2 반사 부재(1220)는 제1 반사 부재(1210)의 상면을 덮지 않고, 제1 반사 부재(1210)의 상면 테두리를 둘러싸도록 형성될 수도 있다. 이때, 제2 반사 부재(1220)는 제1 반사 부재(1210)의 상면 테두리와 접촉할 수 있다. 따라서, 장벽 부재(1110)가 제1 반사 부재(1210)와 제2 반사 부재(1220) 사이에서 노출되지 않을 수 있다.
제12 실시 예에 따른 발광 장치(1200)는 제1 반사 부재(1210)와 제2 반사 부재(1220) 사이로 장벽 부재(1110)가 노출되지 않으므로, 제1 반사 부재(1210)와 제2 반사 부재(1220) 사이로 광이 방출되는 것을 방지할 수 있다.
도 23은 회로 기판(150)상에 복수의 발광 칩(110)이 실장된 제13 실시 예에 따른 발광 장치(1300)의 평면을 도시한 것이다.
제13 실시 예에 따른 발광 장치(1300)는 복수의 발광 칩(110) 각각에 형성된 파장 변환 부재(120), 제1 반사 부재(1210) 및 제2 반사 부재(1220)가 제12 실시 예의 발광 장치(1200)와 동일하다.
도 24를 참고하면, 제14 실시 예에 따른 발광 장치(1400)는 제2 반사 부재(1220)가 장벽 부재(1110)의 상면 전체를 덮는다. 이때, 제2 반사 부재(1220)는 도 24에 도시된 바와 같이, 제1 반사 부재(1210)의 상면을 덮도록 형성될 수 있다. 또는 제2 반사 부재(1220)는 제1 반사 부재(1210)의 상면을 덮지 않고 제1 반사 부재(1210)의 상면 테두리를 둘러싸도록 형성될 수도 있다.
도 25는 회로 기판(150)상에 복수의 발광 칩(110)이 실장된 제15 실시 예에 따른 발광 장치(1500)의 평면을 도시한 것이다.
제15 실시 예에 따른 발광 장치(1500)는 복수의 발광 칩(110) 각각에 형성된 파장 변환 부재(120), 제1 반사 부재(1210) 및 제2 반사 부재(1220)가 제14 실시 예의 발광 장치(1400)와 동일하다.
본 실시 예들의 발광 장치(1200, 1300, 1400, 1500)는 제1 반사 부재(1210)와 제2 반사 부재(1220)가 광이 장벽 부재(1110)를 통해서 외부로 방출되는 것을 이중으로 막는다. 따라서, 발광 장치(1200, 1300, 1400, 1500)는 더 확실하게 빛 번짐 현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 예들의 발광 장치(1200, 1300, 1400, 1500)는 제2 반사 부재(1220)에 의해서 제1 반사 부재(1210)의 두께를 감소시켜도 장벽 부재(1110)의 상면을 통한 광 방출을 효과적으로 방지할 수 있다. 또는 본 실시 예들의 발광 장치(1200, 1300, 1400, 1500)는 제1 반사 부재(1210)에 의해서 제2 반사 부재(1220)의 두께를 감소시켜도 장벽 부재(1110)의 상면을 통한 광 방출을 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 본 실시 예들의 발광 장치(1200, 1300, 1400, 1500)는 하나의 반사 부재만을 포함할 때보다 폭 또는 두께를 감소할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참고한 실시 예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시 예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 실시 예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가 개념으로 이해되어야 할 것이다.

Claims (33)

  1. 기판;
    상기 기판상에 실장된 제1 발광 칩;
    상기 제1 발광 칩의 상면을 덮는 제1 파장 변환 부재;
    상기 제1 파장 변환 부재의 측면을 덮는 제1 반사 부재; 및
    상기 제1 발광 칩 및 상기 제1 반사 부재의 측면을 둘러싸는 외벽부를 포함하는 장벽 부재;를 포함하는 발광 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 장벽 부재의 외벽부의 상부는 상면에서 하부 방향으로 갈수록 두께가 커지는 발광 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 장벽 부재는 상면이 평탄한 발광 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판상에 복수의 상기 제1 발광 칩이 실장된 발광 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 발광 칩과 상기 기판의 측면 사이에 위치한 상기 장벽 부재의 외벽부는 상부가 상면에서 하부 방향으로 갈수록 두께가 두꺼워지며,
    상기 제1 발광 칩들 사이에 위치하는 상기 장벽 부재의 내벽부는 상부가 볼록한 발광 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 장벽 부재는 상기 외벽부가 상기 내벽부보다 필러 함유량 더 큰 발광 장치.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 발광 칩 각각에 상기 제1 파장 변환 부재 및 상기 제1 반사 부재가 형성된 발광 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 반사 부재는 이웃하는 제1 반사 부재와 서로 이격되는 발광 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 반사 부재는 상기 파장 변환 부재의 측면 및 상기 제1 발광 칩의 측면을 덮는 발광 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 반사 부재는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중 적어도 하나로 이루어진 발광 장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 파장 변환 부재의 폭은 상기 제1 발광 칩의 폭보다 크거나 동일한 발광 장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 파장 변환 부재는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 유리, 세라믹 중 하나에 파장 변환 물질이 함유된 것인 발광 장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 파장 변환 부재는 반사 물질을 더 포함하는 발광 장치.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 장벽 부재의 상면을 덮는 제2 반사 부재를 더 포함하는 발광 장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제2 반사 부재는 상기 제1 반사 부재의 상면과 접촉하도록 배치된 발광 장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 제2 반사 부재는 상기 제1 반사 부재의 상면을 덮거나 상기 제1 반사 부재의 상면의 테두리를 따라 형성되고, 상기 장벽 부재의 상면의 일부를 덮는 발광 장치.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 제2 반사 부재는 상기 장벽 부재의 상면 전체를 덮거나 상기 장벽 부재의 상면 전체 및 상기 제1 반사 부재의 상면을 덮는 발광 장치.
  18. 청구항 14에 있어서,
    상기 제2 반사 부재는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중 적어도 하나로 이루어진 발광 장치.
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은 절연층 및 회로 패턴을 포함하는 회로 기판인 발광 장치.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 회로 패턴은,
    상기 절연층의 상면에 형성되며, 상기 제1 발광 칩과 전기적으로 연결되는 제1 회로 패턴;
    상기 절연층의 하면에 형성되는 제2 회로 패턴; 및
    상기 절연층을 관통하여, 상기 제1 절연 패턴과 상기 제2 절연 패턴을 전기적으로 연결하는 비아;를 포함하는 발광 장치.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 제1 회로 패턴의 일단은 상기 제1 발광 칩의 일 측면과 상기 장벽 부재의 외벽 사이의 중심 또는 상기 중심과 상기 장벽 부재의 외벽 사이에 위치하는 발광 장치.
  22. 청구항 20에 있어서,
    상기 비아는 상기 절연층의 상면 및 하면에서 내부로 갈수록 폭이 좁아지는 구조인 발광 장치.
  23. 청구항 4에 있어서,
    상기 복수의 제1 발광 칩은 일 방향에서 타 방향으로 나란히 배치되며,
    상기 제1 파장 변환 부재의 폭은 일 방향에 위치한 제1 발광 칩의 일 측면에서 타 방향에 위치한 제1 발광 칩의 일 측면까지의 폭과 동일하고,
    상기 제1 발광 칩의 일 측면은 상기 장벽 부재의 내벽을 마주하는 측면인 발광 장치.
  24. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 발광 칩과 횡 방향으로 이격되는 제2 발광 칩을 더 포함하되,
    상기 제2 발광 칩은 일 측면이 상기 제1 발광 칩의 일 측면과 마주하도록 배치된 발광 장치.
  25. 청구항 24에 있어서,
    상기 제2 발광 칩의 상면을 덮는 제2 파장 변환 부재를 더 포함하는 발광 장치.
  26. 청구항 25에 있어서,
    상기 제2 파장 변환 부재는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 유리, 세라믹 중 하나에 파장 변환 물질이 함유된 것인 발광 장치.
  27. 청구항 26에 있어서,
    상기 제1 파장 변환 부재와 상기 제2 파장 변환 부재는 광을 서로 다른 파장으로 변환시키도록 서로 다른 파장 변환 물질을 포함하는 발광 장치.
  28. 청구항 24에 있어서,
    상기 장벽 부재는 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩 사이에 위치하는 내벽부를 더 포함하는 발광 장치.
  29. 청구항 28에 있어서,
    상기 장벽 부재의 상기 내벽부는 상면이 볼록한 발광 장치.
  30. 청구항 29에 있어서,
    상기 장벽 부재는 상기 외벽부가 상기 내벽부보다 필러 함유량 더 큰 발광 장치.
  31. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 반사 부재와 상기 장벽 부재 사이에 배치되어 상기 제1 반사 부재를 보호하는 보호 부재를 더 포함하는 발광 장치.
  32. 청구항 31에 있어서,
    상기 보호 부재는 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiO 2) 및 금(Au)으로 이루어진 층 중 적어도 하나의 층을 포함하는 발광 장치.
  33. 청구항 25에 있어서,
    상기 제2 파장 변환 부재는 반사 물질을 더 포함하는 발광 장치.
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