CN104521015A - 光电子半导体构件、转换介质小板和用于制造转换介质小板的方法 - Google Patents
光电子半导体构件、转换介质小板和用于制造转换介质小板的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104521015A CN104521015A CN201380042300.XA CN201380042300A CN104521015A CN 104521015 A CN104521015 A CN 104521015A CN 201380042300 A CN201380042300 A CN 201380042300A CN 104521015 A CN104521015 A CN 104521015A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transfer medium
- medium particle
- conversion layer
- platelet
- particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 174
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 106
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 claims description 7
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- -1 methylsiloxane Chemical class 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- NOKUWSXLHXMAOM-UHFFFAOYSA-N hydroxy(phenyl)silicon Chemical group O[Si]C1=CC=CC=C1 NOKUWSXLHXMAOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000005325 percolation Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
在至少一个实施方式中，半导体构件(1)包括半导体芯片(3)。此外，半导体构件(1)包括转换介质小板(4)，所述转换介质小板安置在半导体芯片(3)的辐射主侧(30)上并且构建成用于将初级辐射转换成次级辐射。转换介质小板(4)具有基体材料(42)和嵌入其中的转换介质颗粒(43)。此外，转换介质小板(4)包括转换层(41a)。在至少一个转换层(41a)中存在转换介质颗粒(43)。转换介质颗粒(43)单独地或者与可选存在的扩散介质颗粒(45)一起共计占转换层(41a)的至少50％的体积份额。此外，转换介质小板(4)包括结合层(41c)，在所述结合层中存在最高2.5％体积份额的转换介质颗粒(43)。
Description
技术领域
提出一种光电子半导体构件。此外，提出一种用于光电子半导体构件的转换小板和一种用于转换介质小板的制造方法。
发明内容
要实现的目的在于：提出一种可有效制造的转换介质小板。
所述目的还通过具有独立权利要求的特征的光电子构件、转换介质小板和方法来实现。优选的改进形式是从属权利要求的主题。
根据至少一个实施方式，光电子半导体构件包括至少一个光电子半导体芯片。光电子半导体芯片构建用于产生初级辐射。初级辐射优选为紫外辐射、蓝光或绿光。优选地，半导体芯片是发光二极管芯片，简称LED芯片。半导体构件因此能够是发光二极管模块。
根据至少一个实施方式，半导体构件包括至少一个转换介质小板。转换介质小板构建成用于部分地或完全地吸收初级辐射并且部分地或完全地转换成次级辐射。次级辐射尤其具有比初级辐射更大的波长。次级辐射的光谱宽度能够超过初级辐射的光谱宽度。
根据至少一个实施方式，转换介质小板直接地或间接地安置在半导体芯片的辐射主侧上。这能够表示：转换介质小板接触辐射主侧或者在辐射主侧和转换介质小板之间仅存在用于固定转换介质小板的连接机构。半导体芯片的辐射主侧尤其是下述主侧，在所述主侧上半导体芯片在符合规定地使用中发射辐射的主要份额。例如，辐射主侧背离载体。辐射主侧能够通过半导体芯片的辐射可穿透的衬底或通过外延生长的半导体材料或通过半导体芯片的封装层形成。
根据至少一个实施方式，转换介质小板包括基体材料。基体材料优选对于初级辐射和/或对于次级辐射是透明的。例如，基体材料是硅树脂、环氧化物或硅树脂-环氧化物杂化材料。
根据至少一个实施方式，转换介质小板包括至少一类或多类转换介质颗粒。转换介质颗粒嵌入到基体材料中。这能够表示：转换介质颗粒的至少一部分与基体材料直接接触。不需要全部转换介质颗粒环形地由基体材料包围。
根据至少一个实施方式，转换介质小板具有转换层。转换层尤其是转换介质小板的距半导体芯片最近的层。在转换层中存在转换介质颗粒。
根据至少一个实施方式，转换介质颗粒单独地或者连同可选地存在的扩散介质颗粒以至少50％或至少60％的体积份额存在。换而言之，转换介质颗粒紧密地或几乎紧密地封装在转换层中。
根据至少一个实施方式，转换介质小板具有至少一个结合层。结合层尤其是转换介质小板的距半导体芯片最远的层。
根据至少一个实施方式，转换介质颗粒在结合层中的体积份额最高为2.5％或最高为1％或最高为0.5％。优选地，结合层不具有转换介质颗粒。在结合层中然而能够存在扩散介质颗粒。
根据至少一个实施方式，结合层紧随至少一个转换层。通过结合层建立转换介质颗粒彼此间的机械连接。结合层能够是机械承载转换介质颗粒的层。
根据至少一个实施方式，结合层和转换层分别包含基体材料。特别地，结合层和转换层具有相同的基体材料。例如，转换介质颗粒嵌入到基体材料中。
在至少一个实施方式中，光电子半导体构件包括一个或多个光电子半导体芯片以用于产生初级辐射。此外，半导体构件包括至少一个转换介质小板，所述转换介质小板安置在半导体芯片的辐射主侧上并且构建成用于将初级辐射至少部分地转换成次级辐射。转换介质小板具有基体材料和嵌入其中的转换介质颗粒。此外，转换介质小板包括一个或多个转换层，所述转换层距半导体芯片最近。在至少一个转换层中存在转换介质颗粒。转换介质颗粒单独地或者与可选存在的扩散介质颗粒一起共计占转换层的至少50％的体积份额。此外，转换介质小板包括结合层，所述结合层距半导体芯片最远。转换介质颗粒在结合层中具有最高2.5％的体积份额。
这种转换介质小板能够有效地借助于电泳来制造。此外，在这种转换介质小板中能够在转换介质颗粒和半导体芯片之间建立良好的热接触。
制造转换介质小板的另一可行性在于：将转换介质颗粒混入基体材料中并且通过沉淀转换介质颗粒产生转换层。在这种沉淀中当然关于可应用的颗粒大小存在限制。此外，转换介质颗粒在转换层中的体积份额相对小，因为在相邻的转换介质颗粒之间通常至少存在小份额的基体材料。
用于将转换介质施加到半导体芯片上的另一可行性在于：转换介质颗粒例如借助于电泳直接地沉积到半导体芯片上。然而在此，构件的色度坐标控制相对困难，因为过程的可复现性与精确的几何结构相关并且在安装半导体芯片时的公差也能够由于转换介质层的层厚度变化而对所得到的色度坐标产生影响。
根据至少一个实施方式，相邻的转换介质颗粒直接接触。换而言之，在转换介质颗粒的至少一部分之间不逐点地存在基体材料。由此能够实现转换介质颗粒的尤其大的封装密度。
根据至少一个实施方式，转换介质小板具有刚好两个、刚好三个或多于三个的转换层。同样可行的是，转换介质小板包含刚好一个转换层。如果转换介质小板具有多个转换层，那么其能够包含相同的或不同的转换介质颗粒。转换层能够直接紧随。
根据至少一个实施方式，距半导体芯片最近的转换层包括第一转换介质颗粒。此外，另一转换层包括第二转换介质颗粒。另一转换层紧随距半导体芯片最近的转换层。
根据至少一个实施方式，第一转换介质颗粒构建用于产生比第二转换介质颗粒更长波长的辐射。例如，由第一转换介质颗粒从蓝光中产生红光并且从第二转换介质颗粒中从蓝光中产生绿光。替选于此也可行的是，第一转换介质颗粒构建用于产生与第二转换介质颗粒相比更短波长的光。
根据至少一个实施方式，位于距半导体芯片最近的转换层中的第一转换介质颗粒具有比第二介质颗粒更小的平均直径。例如，平均直径相差至少因数1.5或至少因数2或至少因数3。替选于此，第一转换介质颗粒也能够具有比第二转换介质颗粒更大的平均直径。
根据至少一个实施方式，第一和/或第二转换介质颗粒分别单独地或与可选地存在的扩散介质颗粒一起紧密封装地存在于转换层中。特别地，能够通过转换介质颗粒单独地或与可选的扩散介质颗粒一起在转换层中构成多个连续的导热路径。转换介质颗粒和/或扩散介质颗粒因此优选具有远远高于渗滤阈值的浓度。
根据至少一个实施方式，转换介质颗粒的体积份额单独地或与可选的扩散介质颗粒一起为相应颗粒的最紧密封装的至少70％、至少80％或至少90％。如果转换介质颗粒例如具有球形形状并且仅具有可忽略的直径分布，那么该转换介质颗粒的最紧密的封装是最紧密的球形封装。对于最紧密的球形封装，体积份额为大约74％。
在具有不可忽略的直径分布的球形颗粒中可行的是，体积份额高于相同直径的球形颗粒的最紧密的球形封装的体积份额。
根据至少一个实施方式，第一和/或第二转换介质颗粒具有至少0.5μm或至少1.0μm的平均直径。替选地或附加地，平均直径为最高5.0μm或最高4.0μm或最高3.0μm。
根据至少一个实施方式，第一和/或第二转换介质颗粒具有至少5μm或至少7.5μm或至少10μm的平均直径。替选地或附加地，平均直径为最高25μm或最高20μm或最高15μm。
根据至少一个实施方式，半导体构件包括具有载体上侧的载体。载体优选是机械稳固和承载半导体构件的部件。半导体芯片间接或直接地安置在载体上侧上。特别地，在载体上侧和半导体芯片之间仅存在用于固定半导体芯片的连接机构。
根据至少一个实施方式，转换介质小板与载体间隔开地设置。这就是说，转换介质小板不接触载体。载体和转换介质小板之间的间距例如至少对应于半导体芯片的厚度。
根据至少一个实施方式，转换介质小板具有至少30μm或至少50μm或至少70μm的厚度。替选地或附加地，转换介质小板的厚度为最高300μm或最高200μm。
根据至少一个实施方式，结合层共计占转换介质小板的厚度的份额的至少60％或至少70％或至少80％。替选地或附加地，所述份额为最高95％或最高90％或最高85％。换而言之，结合层共计占转换介质小板的厚度的大部分。
根据至少一个实施方式，结合层和直接邻接的转换层之间的过渡区域是薄的。薄能够表示为所述邻接的转换层的转换介质颗粒的最高1.5倍、最高1.0倍或最高0.5倍的平均直径的厚度。相应的内容适用于在两个相邻的转换层之间的过渡区域，其中在此尤其考虑较小的转换介质颗粒的平均直径。换而言之，因此转换层的转换介质颗粒不混匀并且将各个转换层彼此明显地分界。
根据至少一个实施方式，位于半导体芯片更近的转换层也包括出自至少一个另外的转换层的转换介质颗粒。出自另一转换层的转换介质颗粒的体积份额因此例如为至少2.5体积％或至少5体积％，并且替选地或附加地为最高20体积％或最高15体积％。特别地，出自另一转换层的转换介质颗粒具有比距半导体芯片更近的转换层的转换介质颗粒更小的平均直径。
根据至少一个实施方式，距半导体芯片更远的另一转换层不具有出自位于半导体芯片更近的转换层的转换介质颗粒。因此，换而言之可行的是，分别关于主要在相应的转换层中出现的转换介质颗粒而将转换介质颗粒朝向半导体芯片混匀是可行的，然而抑制沿远离半导体芯片的方向混匀。
根据至少一个实施方式，转换介质小板局限于半导体芯片的辐射主侧。因此可行的是，转换介质小板横向地不超出或者不显著地超出辐射主侧。因此可行的是，转换介质小板和半导体芯片在公差最多为5μm或最多50μm的情况下环形横向地齐平。
根据至少一个实施方式，转换介质小板包括扩散介质颗粒。扩散介质颗粒优选由辐射可穿透的材料形成。例如，扩散介质颗粒由氧化硅、氧化铝或氮化铝成形。扩散介质颗粒能够具有球形的基本形状。
根据至少一个实施方式，扩散介质颗粒具有至少2μm或至少3μm的平均直径。替选地或附加地，扩散颗粒直径的平均直径为最多8μm或最多6μm或最多5μm。
根据至少一个实施方式，扩散介质颗粒占至少一个转换层或具有扩散介质颗粒的全部转换层的体积份额为最高20％或最高10％或最高5％或最高2.5％。还可行的是，扩散介质颗粒占结合层中的体积份额为至少1.0％或至少2.5％或至少5％。结合层中的该体积份额例如最高为30％或最高20％或最高15％。
此外，提出一种转换介质小板。转换介质小板尤其确定用于光电子半导体构件，如其结合一个或多个上述实施方式说明。因此，转换小板的特征也对光电子半导体构件公开或反之亦然。
根据至少一个实施方式，转换介质小板是机械自承的。这能够表示：转换介质小板能够借助于装配机、英文Pick-and-Place-Machine操作。特别地，转换介质小板尤其形成机械连续的、在符合规定的使用中不分解的单元。
此外，提出一种用于制造转换介质小板的方法，所述转换介质小板能够用于光电子半导体构件。因此，方法的特征也对转换介质小板以及光电子半导体构件公开并且反之亦然。
在至少一个实施方式中，方法至少包括或刚好包括下述步骤：
-提供具有上侧的中间载体；
-将转换介质小板施加到上侧上；
-将基体材料施加到转换介质颗粒上；
-硬化基体材料；并且
-将转换介质小板与中间载体分离。
根据至少一个实施方式，借助于电泳实现施加转换介质颗粒。基体材料优选借助于液相过程、例如分配或压印来施加。
根据方法的至少一个实施方式，施加基体材料的步骤紧随施加转换介质颗粒的步骤。换而言之，因此全部转换介质颗粒能够在添加基体材料之前施加。
根据至少一个实施方式，借助于中间载体进行该方法。中间载体具有载体上侧。中间载体包括电绝缘的掩膜层或者在中间载体的上侧上安置这种掩膜层。掩膜层优选包括多个开口。开口构建成用于将转换介质颗粒有针对性地以电泳的方式沉积在开口中。
根据至少一个实施方式，在开口中包含导电材料。导电材料能够露出并且形成中间载体的上侧。替选于此可行的是，导电层被与掩膜层相比薄的、另外的绝缘层覆盖。
根据方法的至少一个实施方式，尤其在俯视图中观察，转换小板的形状通过开口预设。因此可行的是，用于基体材料的开口起到了浇注模具的类型的作用。具体地，在与中间载体分离之后，能够省去分割转换小板。
附图说明
在下文中，参照附图根据借助于实施例详细阐述这里所描述的光电子半导体构件、这里所描述的转换小板以及这里所描述的方法。在此，相同的附图标记在各个附图中说明相同的元件。然而，在此不以合乎比例的关系示出，更确切地说，为了更好的理解能够夸大地示出各个元件。
附图示出：
图1示出在此描述的光电子半导体构件的示意剖面图；
图2至5示出在此描述的转换介质小板的实施例的示意剖面图；和
图6至8示出用于制造在此描述的转换介质小板的在此描述的方法的示意图。
具体实施方式
在图1中示出光电子半导体构件1的实施例的剖面图。半导体构件包括具有载体上侧20的载体2。优选地，载体2包含未绘出的印制导线和用于连接光电子半导体芯片3的电接触结构。此外，载体2能够包含未绘出的热沉。
优选为发光二级管芯片的半导体芯片3安置在载体上侧20上。半导体芯片3的辐射主侧30背离载体2。例如，半导体芯片3在运行中发射蓝光。
此外，半导体构件1包括转换介质小板4。转换介质小板4借助于连接介质5安置在辐射主侧30上。连接机构5尤其为硅粘结剂。连接介质5的厚度优选为最多6μm或最高4μm。
转换介质小板4包括转换层41a和结合层41c。这两个层41a、41c直接紧随并且机械固定连接。在附图中转换介质小板4的层41a、41c符号式地通过虚线彼此分开。
转换介质颗粒43紧密封装在转换层41a中。转换介质颗粒43占转换层41a的体积份额例如为大约75％。转换介质颗粒43能够近似地球形地成形。转换介质颗粒43例如基于稀土掺杂的石榴石、硅酸盐、氮化物、正硅酸盐或氮氧化物。例如，转换介质颗粒43构建成用于产生黄光。
结合层41c不具有转换介质颗粒43并且基本上由基体材料42构成。通过基体材料42也将转换介质颗粒43机械彼此连接。经由基体材料42实现转换介质小板4的机械整体性。基体材料42例如为甲基硅氧烷或者为苯基硅氧烷。结合层41c的厚度优选超过转换层41a的厚度。
结合层41c具有背离转换层41a的表面，所述表面形成转换介质小板4的小板上侧40。特别地，小板上侧40是转换介质小板4的空出的表面。这就是说，转换介质小板的空间扩展通过小板上侧40限制。
在图2中示出转换介质小板4的另一实施例。根据图4，转换介质小板4包括两个转换层41a、41b。另一转换层41b设置在第一转换层41a和结合层41c之间。转换层41a中的转换介质颗粒43a具有比转换层41b中的转换介质颗粒43b更小的直径。这两个转换层41a、41b仅具有薄的过渡区域，使得转换介质颗粒43a、43b彼此分开并且不混匀或不显著地混匀。特别地，第一转换层41a具有比另一转换层41b更高的转换介质颗粒浓度。这就是说，第一转换层41a具有比另一转换层41b更大的转换介质颗粒体积份额。例如，转换介质小板4具有关于转换介质颗粒的体积份额的梯度，其中转换介质颗粒的体积份额从第一转换层41a经由另一转换层41b朝结合层41c下降。
具有较小平均直径的转换介质颗粒43a例如为用于产生红光的转换介质。具有较大平均直径的转换介质颗粒43b尤其构建成用于产生绿光。通过较小的转换介质颗粒43a在半导体器件1中距未示出的半导体芯片3更近的方式，可以朝未示出的半导体芯片更好地散热。此外，通过转换介质颗粒43b产生的绿光的再吸收在该布置中能够减小。
通过尤其下方的转换层41a的良好的散热能够实现更高的温度稳定性和更高的寿命，因为尤其发射红光的转换介质颗粒对提高的温度产生更敏感的反应并且也显示出发射光谱的更强的温度相关性。
替选地或附加地可行的是，更强的光散射作用的转换介质颗粒距背离未绘出的半导体芯片的小板上侧40更近。
与所示出不同地还可行的是，转换介质颗粒43a、43b沿朝小板上侧40的方向不以保持不变的浓度存在，而是设定浓度梯度。因此，转换介质颗粒43a、43b的体积份额沿朝小板上侧40方向下降。扩散介质颗粒45的体积份额能够朝小板上侧40保持不变或者还增加。沿朝小板上侧40方向的梯度能够关于体积份额还有替选地或附加地关于转换介质颗粒的粒度分布存在。
如果应用多个不同的转换介质颗粒43a、43b，那么其能够在相对宽的过渡区域中也有针对性地混匀地施加，而与图2中示出不同。
在根据图3的转换介质小板4的另一实施例中，在转换介质颗粒43a、43b的直径方面分层，参见图2。具有较小直径的转换介质颗粒43a部分地到达具有直径更大的转换介质颗粒43a的转换层41a中。
与所示出不同的是，如也在全部其他实施例中那样可行的是，转换介质小板4具有多于两个转换层41a、41b。例如，能够存在用于产生黄光的附加的转换层。
在根据图4的实施例中，转换介质小板4附加地包括以阴影方式绘出的扩散介质颗粒45。例如通过二氧化硅颗粒形成的扩散介质颗粒45能够在转换层41a中出现也在结合层41c中出现或者也仅在这两个层41a、41c中的一个中出现。扩散介质颗粒45的体积份额能够在转换层41a中与结合层41c中的体积份额不同或者也相同。这种扩散介质颗粒45也能够在全部其他的实施例中存在。
根据图4，以弯曲的方式绘制在半导体构件1中背离半导体芯片3的小板上侧40。例如，小板上侧40以会聚透镜的形式成形。替选于此，小板上侧40也能够具有其他的、非平坦的造型，例如用于改进光耦合输出的结构化部或其他的透镜形状。转换介质小板4的与小板上侧40相对置的下侧优选平坦且平面地成形。
根据图5，转换介质小板4具有两个结合层41c、41d以及散射层41e，所述散射层位于这两个结合层41c、41d之间。散射层41e因此与转换层41a间隔开。距小板上侧40更近的结合层41c能够与所示出不同而同另一结合层41d相比更厚。
在图6中示出用于转换介质小板4的制造方法的一个实施例。根据图6A提供中间载体6。中间载体6包括衬底61以及连续的导电层62，例如由如ITO或铝掺杂的氧化锡的透明导电氧化物。同样可行的是，导电层62由金属导体构成。
在载体上侧60上安置具有开口74的掩膜层7。掩膜层7由具有相对于基体材料相对低的粘附性能的材料形成，例如由聚四氟乙烯构成。为了简化视图，在图6中仅示出掩膜层7中的开口74。
根据图6B，将转换介质颗粒43有针对性地沉积到导电层62上的开口74中。在此，在导电层62上施加电压以用于电泳。颗粒43紧密封装地沉积。
可行的是，在不同时间点电泳不同的转换介质颗粒或者附加地还具有不同的扩散材料或粒度分布的扩散介质颗粒沉积在一个或多个层中，其中所述转换介质颗粒在转换材料和/或粒度分布方面能够彼此不同，这尤其结合图2至5说明。
在根据图6C的方法步骤中，将基体材料42施加到转换介质颗粒43上。根据图6C，完全地填充开口74。与此不同也可行的是，基体材料超出开口74或者不完全地填充开口74。
基体材料42优选在薄液态的状态下施加到转换介质颗粒43上，使得液态基体材料42完全地或部分地填充转换介质颗粒43之间的中间空间，并且使得在硬化之后形成机械连续的转换介质小板4。
根据图6D施加安装载体8，并且参见6E，转换介质小板4从中间载体6与掩膜层7脱开。
用于制造转换介质小板4的另一可行性在图7中示出。根据图7结构化导电层62并且借助于通孔64与衬底61上的电极63连接。方法步骤能够类似于根据图6的方法类似地执行。
在图8中示出中间载体6和掩膜层7的立体图，在图8A中示出整体图。在图8B和8C中示出细节图。中间载体6在此包括多个开口74。
根据图8B，开口74具有正方形的基本形状，其中在角的一个中存在凹处44。通过凹处44在转换介质小板4中能够制造用于接合线的留空部以接触半导体芯片。
根据图8C将两个凹处44设置在两个相对置的纵向侧上，在所述纵向侧之上能够实现用于两个接合线的留空部。与根据图8B和8C的视图不同的是，相应的凹处44也能够中央地安置在开口74中或者以与视图不同的数量设置。
在此描述的方法不受到根据实施例进行的描述限制。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使所述特征或所述组合自身没有明确地在权利要求中或实施例中说明时也如此。
本申请要求德国专利申请10 2012 107290.6的优先权，其公开内容通过参考并入本文。
Claims (18)
1.一种光电子半导体构件(1)，具有：
-至少一个光电子半导体芯片(3)，以用于产生初级辐射；和
-转换介质小板(4)，所述转换介质小板安置在所述半导体芯片(3)的辐射主侧(30)上并且构建成用于将所述初级辐射至少部分地转换成次级辐射，其中
-所述转换介质小板(4)包括基体材料(42)和嵌入其中的转换介质颗粒(43)，
-所述转换介质小板(4)具有至少一个转换层(41a，41b)，所述转换层距所述半导体芯片(3)最近，并且所述转换介质颗粒(43)单独地或者与可选的扩散介质颗粒(45)一起以至少50％的体积份额存在于所述转换层中，并且
-所述转换介质小板(4)包括结合层(41c)，所述结合层距所述半导体芯片(3)最远，并且所述转换介质颗粒(43)在所述结合层中具有最高2.5％的体积份额。
2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体构件(1)，其中
-所述转换介质小板(4)具有至少一个第一转换层(41a)和另一转换层(41b)，其中另一所述转换层设置在所述第一转换层和所述结合层之间，
-所述第一转换层(41a)包括用于产生较长波长辐射的第一转换介质颗粒(43a)并且另一所述转换层(41b)包括用于产生较短波长辐射的第二转换介质颗粒(43b)，
其中所述第一转换介质颗粒(43a)具有比所述第二转换介质颗粒(43b)更小的平均直径，并且
-所述第一转换介质颗粒和第二转换介质颗粒单独地或与所述扩散介质颗粒一起分别紧密封装地存在。
3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换层(41a，41b)和所述结合层(41c)分别具有基体材料，所述转换介质颗粒(43)嵌入到所述基体材料中，其中所述基体材料是硅树脂、环氧化物或硅树脂-环氧化物杂化材料。
4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换介质小板(4)具有至少两个或刚好两个所述转换层(41b)，其中
-紧邻所述半导体芯片(3)的所述转换层(41a)包括用于产生红光的第一转换介质颗粒(43a)，
-另一所述转换层(41b)包括用于产生绿光的第二转换介质颗粒(43b)，
-所述第一转换介质颗粒(43a)具有比所述第二转换介质颗粒(43b)更小的平均直径，和
-所述第一转换介质颗粒(43a)和第二转换介质颗粒(43b)单独地或与所述扩散介质颗粒(43)一起分别紧密封装地存在。
5.根据上一项权利要求所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换层(41a，42b)和所述结合层(41c)直接相继并且所述第一转换介质颗粒(43a)具有0.5μm和5.0μm之间的平均直径，并且所述第二转换介质颗粒(43b)具有5μm和25μm之间的平均直径，其中包括边界值。
6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，所述光电子半导体构件还包括具有载体上侧(20)的载体(2)，其中
-所述半导体芯片(3)安置在所述载体上侧(20)上，和
-所述转换介质小板(4)与所述载体(2)间隔开。
7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换介质颗粒(43)至少部分地相互接触，使得在所述转换介质颗粒(43)之间局部地不存在基体材料(42)。
8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换介质小板(4)具有30μm和300μm之间的厚度，其中包括边界值，其中所述结合层(41c)共计占所述转换介质小板(4)的厚度的份额的至少70％。
9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中在所述结合层(41c)和直接邻接的所述转换层(41a，41b)之间的过渡区域具有所述转换层(41a，41b)的所述转换介质颗粒的最高1.5倍的平均直径的厚度。
10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，所述光电子半导体构件包括所述转换层(41a，41b)中的至少两个，其中
-更靠近所述半导体芯片(3)的所述转换层(41a)也包括出自另一所述转换层(43b)的转换介质颗粒(43b)，和
-另一所述转换层(43b)不具有出自更靠近所述半导体芯片(3)的所述转换层(41a)的转换介质颗粒(43a)。
11.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换介质小板(4)局限于所述辐射主侧(30)并且横向地不超出所述半导体芯片(3)。
12.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体构件(1)，其中所述转换介质小板(4)包括所述扩散介质颗粒(45)，其中
-所述扩散介质颗粒(45)由辐射能穿透的材料形成，
-所述扩散介质颗粒(45)的平均直径位于2μm和6μm之间，其中包括边界值，
-所述扩散介质颗粒(45)占至少一个所述转换层(41a，41b)的体积份额为最高2.5％并且在所述结合层(41c)中位于1.0％和20％之间，其中包括边界值。
13.一种用于光电子半导体构件(1)的转换介质小板(4)，其具有基体材料(42)和嵌入其中的转换介质颗粒(43)，其中
-所述转换介质小板(4)具有一个或多个转换层(41a，41b)，所述转换介质颗粒(43)单独地或与可选的扩散介质颗粒(45)一起以至少50％的体积份额存在于所述转换层中，
-所述转换介质小板(4)包括结合层(41c)，在所述结合层中所述转换介质颗粒(43)具有最高0.5％的体积份额，并且
-所述转换介质小板(4)是机械自承的。
14.根据上一项权利要求所述的转换介质小板(4)，其中
-所述转换介质小板(4)具有至少一个第一转换层(41a)和另一转换层(41b)，其中另一所述转换层设置在所述第一转换层和所述结合层之间，
-所述第一转换层(41a)包括用于产生较长波长辐射的第一转换介质颗粒(43a)，并且另一所述转换层(41b)包括用于产生较短波长辐射的第二转换介质颗粒(43b)，其中所述第一转换介质颗粒(43a)具有比所述第二介质颗粒(43b)更小的平均直径，并且
-所述第一和第二转换介质颗粒单独地或与所述扩散介质颗粒一起分别紧密封装地存在。
15.根据权利要求13或14所述的转换介质小板(4)，其中一个或多个转换层(41a，41b)和所述结合层(41c)分别具有基体材料，所述转换介质颗粒(43)嵌入到所述基体材料中，其中所述基体材料是硅树脂、环氧化物或硅树脂-环氧化物杂化材料。
16.一种用于制造用于光电子半导体构件(1)的转换介质小板(4)的方法，其中所述转换介质小板具有基体材料(42)和嵌入其中的转换介质颗粒(43)，其中
-所述转换介质小板(4)具有一个或多个转换层(41a，41b)，所述转换介质颗粒(43)单独地或与可选的扩散介质颗粒(45)一起以至少50％的体积份额存在于所述转换层中，
-所述转换介质小板(4)包括结合层(41c)，在所述结合层中所述转换介质颗粒(43)具有最高0.5％的体积份额，并且
-所述转换介质小板(4)是机械自承的，
所述方法具有下述步骤：
-提供具有上侧(60)的中间载体(6)；
-将所述转换介质颗粒(43)施加到所述上侧(60)上；
-将所述基体材料(42)施加到所述转换介质颗粒(43)上，
-硬化所述基体材料(42)，并且
-将所述转换介质小板(4)与所述中间载体(6)分离，其中借助于电泳实现施加所述转换介质颗粒(43)。
17.根据上一项权利要求所述的方法，其中施加所述基体材料(42)的步骤紧随施加所述转换介质颗粒(43)的步骤。
18.根据权利要求16或17所述的方法，其中所述中间载体(6)包括电绝缘的掩膜层(7)，
其中
-所述掩膜层(7)具有多个开口(74)，
-将所述转换介质颗粒(43)和所述基体材料(4)有针对性地引入到所述开口(74)中，并且
-在俯视图中观察，所述转换小板(4)的形状通过所述开口(74)预设。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012107290.6 | 2012-08-08 | ||
| DE102012107290.6A DE102012107290A1 (de) | 2012-08-08 | 2012-08-08 | Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Konversionsmittelplättchen und Verfahren zur Herstellung eines Konversionsmittelplättchens |
| PCT/EP2013/066011 WO2014023617A1 (de) | 2012-08-08 | 2013-07-30 | Optoelektronisches halbleiterbauteil, konversionsmittelplättchen und verfahren zur herstellung eines konversionsmittelplättchens |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104521015A true CN104521015A (zh) | 2015-04-15 |
| CN104521015B CN104521015B (zh) | 2017-06-13 |
Family
ID=48875689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201380042300.XA Active CN104521015B (zh) | 2012-08-08 | 2013-07-30 | 光电子半导体构件、转换介质小板和用于制造转换介质小板的方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9406847B2 (zh) |
| JP (1) | JP2015524620A (zh) |
| KR (1) | KR102033203B1 (zh) |
| CN (1) | CN104521015B (zh) |
| DE (2) | DE102012107290A1 (zh) |
| WO (1) | WO2014023617A1 (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106549092A (zh) * | 2015-09-18 | 2017-03-29 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| CN107305921A (zh) * | 2016-04-20 | 2017-10-31 | 松下知识产权经营株式会社 | 波长转换部件、光源以及车辆用前照灯 |
| CN107425107A (zh) * | 2016-04-06 | 2017-12-01 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| CN107968142A (zh) * | 2016-10-19 | 2018-04-27 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| CN109564308A (zh) * | 2016-08-05 | 2019-04-02 | 日本电气硝子株式会社 | 波长变换部件及其制造方法 |
| CN110767793A (zh) * | 2015-05-05 | 2020-02-07 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制作方法 |
| CN111684591A (zh) * | 2018-01-26 | 2020-09-18 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 光电半导体芯片、光电器件及其制造方法 |
| US10784423B2 (en) | 2017-11-05 | 2020-09-22 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device |
| US10804444B2 (en) | 2014-05-14 | 2020-10-13 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US10854780B2 (en) | 2017-11-05 | 2020-12-01 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting apparatus and manufacturing method thereof |
| US10910523B2 (en) | 2014-05-14 | 2021-02-02 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014107472A1 (de) | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement und Beleuchtungsvorrichtung |
| JP6428106B2 (ja) * | 2014-09-29 | 2018-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| DE102014117448A1 (de) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | Osram Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, Konversionselement und Leuchtstoff für ein Konversionselement |
| DE102015103835A1 (de) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements |
| DE102015105474A1 (de) * | 2015-04-10 | 2016-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Konverterbauteil für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung |
| DE102015106865A1 (de) * | 2015-05-04 | 2016-11-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Konverterbauteils |
| US10374134B2 (en) | 2015-05-29 | 2019-08-06 | Nichia Corporation | Light emitting device, method of manufacturing covering member, and method of manufacturing light emitting device |
| DE102015116710A1 (de) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| JP6387954B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法 |
| JP2017174908A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP7011143B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| DE102017117488A1 (de) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| DE102017121185A1 (de) * | 2017-09-13 | 2019-03-14 | Osram Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| JP6872735B2 (ja) * | 2017-11-16 | 2021-05-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長変換体 |
| JP2019134150A (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7304507B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2023-07-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長変換素子、蛍光体ホイール、光源装置、及び投写型映像表示装置 |
| JP6760350B2 (ja) * | 2018-10-25 | 2020-09-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| DE102018128753A1 (de) * | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines konversionselements, konversionselement und strahlungsemittierendes bauelement |
| US11923482B2 (en) * | 2020-09-29 | 2024-03-05 | Lumileds Llc | Ultra-thin phosphor layers partially filled with Si-based binders |
| DE102021124691A1 (de) * | 2021-09-23 | 2023-03-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung von optischen elementen, verfahren zur herstellung von strahlungsemittierenden halbleiterbauteilen, optisches element und strahlungsemittierendes halbleiterbauteil |
| DE102022108133A1 (de) | 2022-04-05 | 2023-10-05 | Ams-Osram International Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060105485A1 (en) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Overmolded lens over LED die |
| US20080122343A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| WO2010131402A1 (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット |
| CN102315369A (zh) * | 2010-06-29 | 2012-01-11 | 日东电工株式会社 | 荧光体层及发光装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4109756B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2008-07-02 | スタンレー電気株式会社 | 発光ダイオード |
| MY131962A (en) * | 2001-01-24 | 2007-09-28 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US6642652B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-11-04 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Phosphor-converted light emitting device |
| US6791116B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-09-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
| JP2005244075A (ja) | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| US7710016B2 (en) | 2005-02-18 | 2010-05-04 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
| DE102006020529A1 (de) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| JP2007103512A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Kyocera Corp | 発光装置 |
| US7902560B2 (en) * | 2006-12-15 | 2011-03-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Tunable white point light source using a wavelength converting element |
| US20100123386A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-20 | Maven Optronics Corp. | Phosphor-Coated Light Extraction Structures for Phosphor-Converted Light Emitting Devices |
| JP4949525B2 (ja) | 2010-03-03 | 2012-06-13 | シャープ株式会社 | 波長変換部材、発光装置および画像表示装置ならびに波長変換部材の製造方法 |
| JP2011238811A (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Konica Minolta Opto Inc | 波長変換素子および発光装置 |
| US20110309393A1 (en) * | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Micron Technology, Inc. | Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods |
| JP5231609B2 (ja) * | 2010-12-08 | 2013-07-10 | シャープ株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| DE102010042217A1 (de) | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Osram Ag | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102010061848B4 (de) | 2010-11-24 | 2022-11-03 | Lumitech Patentverwertung Gmbh | LED-Modul mit vorgefertigtem Element |
| DE102010063760B4 (de) | 2010-12-21 | 2022-12-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
-
2012
- 2012-08-08 DE DE102012107290.6A patent/DE102012107290A1/de not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-07-30 US US14/420,310 patent/US9406847B2/en active Active
- 2013-07-30 DE DE112013003979.6T patent/DE112013003979B4/de active Active
- 2013-07-30 WO PCT/EP2013/066011 patent/WO2014023617A1/de active Application Filing
- 2013-07-30 KR KR1020157003958A patent/KR102033203B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-30 CN CN201380042300.XA patent/CN104521015B/zh active Active
- 2013-07-30 JP JP2015525824A patent/JP2015524620A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060105485A1 (en) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Overmolded lens over LED die |
| US20080122343A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| WO2010131402A1 (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット |
| CN102315369A (zh) * | 2010-06-29 | 2012-01-11 | 日东电工株式会社 | 荧光体层及发光装置 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10804444B2 (en) | 2014-05-14 | 2020-10-13 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US10910523B2 (en) | 2014-05-14 | 2021-02-02 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device |
| CN110767793A (zh) * | 2015-05-05 | 2020-02-07 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制作方法 |
| CN106549092A (zh) * | 2015-09-18 | 2017-03-29 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| US10497681B2 (en) | 2015-09-18 | 2019-12-03 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device |
| CN111211206A (zh) * | 2015-09-18 | 2020-05-29 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| CN111223975A (zh) * | 2015-09-18 | 2020-06-02 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| US10957674B2 (en) | 2015-09-18 | 2021-03-23 | Genesis Photonics Inc | Manufacturing method |
| CN107425107A (zh) * | 2016-04-06 | 2017-12-01 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| US11038089B2 (en) | 2016-04-06 | 2021-06-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| CN107305921A (zh) * | 2016-04-20 | 2017-10-31 | 松下知识产权经营株式会社 | 波长转换部件、光源以及车辆用前照灯 |
| CN109564308A (zh) * | 2016-08-05 | 2019-04-02 | 日本电气硝子株式会社 | 波长变换部件及其制造方法 |
| CN107968142A (zh) * | 2016-10-19 | 2018-04-27 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| US10854780B2 (en) | 2017-11-05 | 2020-12-01 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting apparatus and manufacturing method thereof |
| US10784423B2 (en) | 2017-11-05 | 2020-09-22 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device |
| CN111684591A (zh) * | 2018-01-26 | 2020-09-18 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 光电半导体芯片、光电器件及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104521015B (zh) | 2017-06-13 |
| WO2014023617A1 (de) | 2014-02-13 |
| DE102012107290A1 (de) | 2014-02-13 |
| DE112013003979B4 (de) | 2021-12-09 |
| US9406847B2 (en) | 2016-08-02 |
| JP2015524620A (ja) | 2015-08-24 |
| KR20150040933A (ko) | 2015-04-15 |
| KR102033203B1 (ko) | 2019-10-16 |
| US20150200339A1 (en) | 2015-07-16 |
| DE112013003979A5 (de) | 2015-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104521015A (zh) | 光电子半导体构件、转换介质小板和用于制造转换介质小板的方法 | |
| US8421336B2 (en) | Light emitting diode device | |
| KR101251821B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR101225252B1 (ko) | 다중 봉지층으로서 적어도 하나의 봉지층이 나노입자를 포함하는 다중 봉지층을 구비하는 발광 소자 및 그의 형성 방법 | |
| EP2811517B1 (en) | Light emitting device | |
| EP2260517B1 (en) | Light emitting module with optically-transparent thermally-conductive element | |
| US8564005B2 (en) | Light-emitting device package | |
| CN104221173A (zh) | 发光半导体器件和用于制造发光半导体器件的方法 | |
| CN104364921B (zh) | 光电子模块和用于制造光电子模块的方法 | |
| US20130069088A1 (en) | Light emitting diode with conformal surface electrical contacts with glass encapsulation | |
| WO2011016433A1 (ja) | Ｌｅｄ発光デバイスの製造方法 | |
| KR20150119179A (ko) | 파장 변환 재료의 기밀 밀봉을 가지는 led 모듈 | |
| US8624280B2 (en) | Light emitting device package and method for fabricating the same | |
| CN102460748A (zh) | 具有远程磷光体层和反射基板的led | |
| JP2008060542A (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法、及びこれを備えた光源装置 | |
| JP2007096305A (ja) | オプトエレクトロニクス半導体チップ、オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法およびオプトエレクトロニクスデバイス | |
| CN105453262A (zh) | Led照明装置 | |
| CN105594002A (zh) | 光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 | |
| WO2013157310A1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP2015076456A (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
| US8324648B2 (en) | Semiconductor light emitting device package | |
| TWI395346B (zh) | 發光元件的封裝結構 | |
| US20190013304A1 (en) | Punching packaged light-emitting diode apparatus and manufacturing method thereof | |
| JP2015118951A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| Sun et al. | Optical Design for LED Solid-State Lighting: A Guide |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |