JP5662939B2 - 半導体発光装置及びそれを用いた光源装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の半導体発光装置の一例を示す模式断面図である。図1において、半導体発光装置10は、固体発光素子11と、固体発光素子11が放つ一次光をより長波長の光に変換する波長変換体12とを備えている。また、波長変換体12は、蛍光体を含む透光性の無機成形体からなる波長変換層12aと、バインダ層12bとを備えている。波長変換体12は、透光性の接着物質からなる接着層13を介して、固体発光素子11の主光取り出し面11a上に密着配置されている。バインダ層12bは、主光取り出し面11aから放たれる光の放射方向の一例である主光取り出し面11aに対して垂直方向に配置されている。
図10は、本発明の半導体発光装置の他の例を示す模式断面図である。図10において、半導体発光装置20は、固体発光素子21と、固体発光素子21が放つ一次光をより長波長の光に変換する波長変換体22とを備えている。また、波長変換体22は、蛍光体を含む透光性の無機成形体からなる波長変換層22aと、バインダ層22bとを備えている。波長変換体22は、透光性の接着物質からなる接着層23を介して、固体発光素子21の主光取り出し面21a上に密着配置されている。バインダ層22bは、主光取り出し面21aから放たれる光の放射方向の一例である主光取り出し面21aに対して垂直方向に配置されている。
図13は、本発明の半導体発光装置の他の例を示す斜視図である。図13において、半導体発光装置30は、固体発光素子31と、固体発光素子31が放つ一次光をより長波長の光に変換する波長変換体32とを備えている。また、波長変換体32は、蛍光体を含む透光性の無機成形体からなる波長変換層32aと、バインダ層32bとを備えている。波長変換体32は、透光性の接着物質からなる接着層33を介して、固体発光素子31の主光取り出し面上に密着配置されている。バインダ層32bは、主光取り出し面に対して垂直方向に配置されている。また、固体発光素子31は、給電電極34を備え、波長変換体32は、給電電極34を避けて上記主光取り出し面上に配置されている。
図14Aは本実施形態の固体発光素子41の平面図であり、固体発光素子41の主光取り出し面には、n型配線41aが発光面41b上に形成されている。図14Bは、固体発光素子41の発光面41bの上に各波長変換層42を配置した本実施形態の半導体発光装置40の平面図である。各波長変換層42は、ブロック状に形成され、バインダ層(図示せず。)を介してそれぞれ一体に接合されている。
11、21、31、41 固体発光素子
12、22、32 波長変換体
13、23、33 接着層
Claims (12)
- 固体発光素子と、前記固体発光素子が放つ一次光をより長波長の光に変換する波長変換体とを含む半導体発光装置であって、
前記波長変換体は、単一蛍光体セラミックからなる波長変換層と、赤色蛍光体を含むバインダ層とを含み、
前記波長変換層は、前記バインダ層によって分割され、
前記分割された波長変換層の少なくとも一部は、前記バインダ層により周囲を囲まれており、
前記波長変換体は、前記固体発光素子の主光取り出し面上に配置され、
前記バインダ層は、前記主光取り出し面から放たれる光の放射方向に沿って配置され、
前記バインダ層は、前記固体発光素子が放つ一次光のうち少なくとも前記バインダ層の内部を通過する光と、前記波長変換体が放つ光の一部とを、光散乱により混光する機能を有することを特徴とする半導体発光装置。 - 前記バインダ層は、前記主光取り出し面に対して垂直方向に配置されている請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記バインダ層は、前記波長変換体を貫通している請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記波長変換体は、透光性の接着層を介して、前記固体発光素子の主光取り出し面上に密着配置されている請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記固体発光素子は、前記主光取り出し面側に給電電極を備え、前記波長変換体は、前記給電電極を避けて前記主光取り出し面上に配置されている請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記固体発光素子は、n型配線を含み、前記波長変換体は、前記n型配線上を避けて前記主光取り出し面上に配置されている請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記接着層は、前記バインダ層と同材質で構成されている請求項4に記載の半導体発光装置。
- 前記バインダ層は、Y2O3、Al2O3、SiO2、ZrO2、ガラスビーズ及び気泡からなる群から選択される光散乱機能又は遮光機能を有する材料を少なくとも一つ含む請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記バインダ層は、前記固体発光素子が放つ一次光のうち前記バインダ層の内部に侵入する光の少なくとも一部を遮光する機能を有する請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記バインダ層は、Y2O3、Al2O3、SiO2、ZrO2、ガラスビーズ及び気泡からなる群から選択される光散乱機能又は遮光機能を有する材料を少なくとも一つ含む請求項9に記載の半導体発光装置。
- 前記固体発光素子から外側方向へ向けて、前記波長変換層が連続して存在する請求項1に記載の半導体発光装置。
- 請求項1〜11に記載の半導体発光装置を含むことを特徴とする光源装置。
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