TWI583027B - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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張瑞夫
洪欽華
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發光裝置及其製造方法
本發明是有關於一種發光裝置及其製造方法，且特別是有關於一種具有反射層之發光裝置及其製造方法。
傳統的發光裝置包含螢光膠及發光元件，其中螢光膠包覆發光元件的上表面及側面。發光元件在發光時會產生高溫，此高溫會影響螢光膠，加速螢光膠老化，而改變發光裝置的出光光色。
因此，亟需提出一種可減緩螢光膠老化的方案。
因此，本發明提出一種發光裝置及其製造方法，可可減緩螢光膠老化的方案。
根據本發明之一實施例，提出一種發光裝置。發光裝置包括一基板、一發光元件、一波長轉換層、一黏膠及一反射層。發光元件設於該基板上。波長轉換層包括一高密度轉換層及一低密度轉換層。黏膠形成於發光元件與高密度轉換層之間。反射層形成於基板上方且覆蓋發光元件的一側面、黏膠的一側面及 波長轉換層的一側面。
根據本發明之另一實施例，提出一種發光裝置的製造方法。製造方法包括以下步驟。提供一基板及一發光元件，發光元件設於基板上；提供一波長轉換層，其中波長轉換層包括一高密度轉換層及一低密度轉換層；以一黏膠，黏合高密度轉換層與發光元件；以及，形成一反射層於基板上方，其中反射層覆蓋發光元件的一側面、黏膠的一側面及波長轉換層的一側面。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
10、10’‧‧‧載體
100、200、300、400‧‧‧發光裝置
110‧‧‧基板
111‧‧‧基材
111u‧‧‧第一表面
111b‧‧‧第二表面
112‧‧‧第三電極
113‧‧‧第四電極
114‧‧‧第一接墊
115‧‧‧第二接墊
116‧‧‧第一導電柱
117‧‧‧第二導電柱
120‧‧‧發光元件
120u‧‧‧上表面
121‧‧‧第一電極
122‧‧‧第二電極
110s、120s、130s、141s、142s、150s‧‧‧側面
130‧‧‧波長轉換層
130’‧‧‧波長轉換層材料
130b、143s‧‧‧下表面
131‧‧‧高密度轉換層
132‧‧‧低密度轉換層
133‧‧‧螢光粒子
140‧‧‧黏膠
141‧‧‧第一側部
142‧‧‧熱阻層
143‧‧‧第二側部
150‧‧‧反射層
151‧‧‧第一反射部
151s‧‧‧第一反射面
152‧‧‧填充部
153‧‧‧第二反射部
153s‧‧‧第二反射面
G1‧‧‧第一間隔
G2‧‧‧第二間隔
L1‧‧‧光線
P1‧‧‧路徑
T1、T2‧‧‧厚度
W1‧‧‧第一切割道
W2‧‧‧第二切割道
第1圖繪示依照本發明一實施例之發光裝置的剖視圖。
第2圖繪示依照本發明另一實施例之發光裝置的剖視圖。
第3圖繪示依照本發明另一實施例之發光裝置的剖視圖。
第4圖繪示依照本發明另一實施例之發光裝置的剖視圖。
第5A至5H圖繪示第1圖之發光裝置的製造過程圖。
第6A至6C圖繪示第1圖之發光裝置的另一種製造過程圖。
第7A至7C圖繪示第2圖之發光裝置的製造過程圖。
第8A至8C圖繪示第3圖之發光裝置的製造過程圖。
第9A至9F圖繪示第4圖之發光裝置的製造過程圖。
第1圖繪示依照本發明一實施例之發光裝置100的剖視 圖。發光裝置100包括基板110、發光元件120、波長轉換層130、黏膠140及反射層150。
基板110例如是陶瓷基板。在本實施例中，基板110包括基材111、第三電極112、第四電極113、第一接墊114、第二接墊115、第一導電柱116及第二導電柱117。
基材111例如是矽基材料所形成。基材111具有相對之第一表面111u與第二表面111b。第三電極112及第四電極113形成於基材111的第一表面111u，而第一接墊114及第二接墊115形成於基材111的第二表面111b。第一導電柱116及第二導電柱117貫穿基材111，其中第一導電柱116連接第三電極112與第一接墊114，以電連接第三電極112與第一接墊114，而第二導電柱117連接第四電極113與第二接墊115，以電連接第四電極113與第二接墊115。
發光裝置100可設於一電路板(未繪示)上，其中基板110的第一接墊114及第二接墊115電性連接於電路板的二電極(未繪示)，使發光元件120透過第一接墊114及第二接墊115電性連接於電路板。
發光元件120設於基板110上。發光元件120包括第一電極121及第二電極122，其中第一電極121及第二電極122分別電性連接於第三電極112及第四電極113。
發光元件120例如是發光二極體。雖然圖未繪示，發光元件120可更包含第一型半導體層、第二型半導體層及發光 層。發光層設於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型半導體層例如是N型半導體層，而第二型半導體層則為P型半導體層；或是，第一型半導體層是P型半導體層，而第二型半導體層則為N型半導體層。以材料來說，P型半導體層例如是摻雜鈹(Be)、鋅(Zn)、錳(Mn)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鈣(Ca)等之氮化鎵基半導體層，而N型半導體層例如是摻雜矽(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)、硫(S)、氧(O)、鈦(Ti)及或鋯(Zr)等之氮化鎵基半導體層。發光層122可以是InxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)結構，亦可混雜硼(B)或磷(P)或砷(As)，可為單一層或多層構造。
第一電極121可由金、鋁、銀、銅、銠(Rh)、釕(Ru)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鉑(Pt)、鉻、錫、鎳、鈦、鎢(W)、鉻合金、鈦鎢合金、鎳合金、銅矽合金、鋁銅矽合金、鋁矽合金、金錫合金及其組合之至少一者所構成的單層或多層結構，但不以此為限。第二電極122的材料可類似第一電極121，容此不再贅述。
波長轉換層130包括高密度轉換層131及低密度轉換層132。波長轉換層130內包含數個螢光粒子，其中螢光粒子密度較高的區域界定為高密度轉換層131，而螢光粒子密度較低的區域界定為低密度轉換層132。在一實施例中，高密度轉換層131的螢光粒子密度與低密度轉換層132的螢光粒子密度的比值可介於1與1015之間，其中的數值可包含或不包含1及1015。
在本實施例中，高密度轉換層131位於發光元件120與低密度轉換層132之間。也就是說，發光元件120的光線L1會先經過高密度轉換層131，再透過低密度轉換層132出光。由 於高密度轉換層131的設計，可讓數個發光裝置100的出光光色於色度座標上集中地分布，如此可增加此些發光裝置100的產品良率。低密度轉換層132可增加自發光元件120的光線L1的混光機率。詳細來說，對於在高密度轉換層131內未接觸到螢光粒子的光線L1來說，低密度轉換層132增加其接觸螢光粒子的機會。在本實施例中，低密度轉換層132的厚度T2大於高密度轉換層131的厚度T1，因此更可增加發光元件120的光線L1的混光機率。在一實施例中，厚度T2與厚度T1的比值可介於1至100之間，其中的數值可包含或不包含1及100。
波長轉換層130覆蓋整個發光元件120的上表面120u，亦即，在本實施例中，波長轉換層130的俯視面積大於發光元件120的俯視面積。在一實施例中，波長轉換層130的俯視面積與發光元件120的俯視面積的比值可介於1與1.35之間，然亦可小於1或大於1.35。
在一實施例中，波長轉換層130例如是由硫化物(Sulfide)、釔鋁石榴石(YAG)、LuAG、矽酸鹽(Silicate)、氮化物(Nitride)、氮氧化物(Oxynitride)、氟化物(Fluoride)、TAG、KSF、KTF等材料製成。
黏膠140例如是透光膠。黏膠140包括第一側部141及熱阻層142。第一側部141覆蓋發光元件120的側面120s的一部分，而側面120s的另一部分或其餘部分則受到反射層150覆蓋。從第1圖的俯視方向看去，第一側部141呈封閉環狀，其環 繞發光元件120的整個側面120s。在另一實施例中，第一側部141可呈開放環狀。
如第1圖的放大圖所示，黏膠140的熱阻層142形成於高密度轉換層131與發光元件120之間，可提高發光元件120與波長轉換層130之間的熱阻，以減緩波長轉換層130的老化速率。進一步來說，發光元件120在運作時會發出熱量，若此熱量輕易傳遞至波長轉換層130，容易導致其內的螢光粒子老化。反觀本發明實施例，由於熱阻層142的形成，可減少傳遞至波長轉換層130的熱量，減緩波長轉換層130的老化速率。在一實施例中，熱阻層142的厚度可介於1與1000之間，其中的數值可包含或不包含1及1000。
反射層150形成於基板110上方且覆蓋發光元件120的側面120s、黏膠140的第一側部141的側面141s及波長轉換層130的側面130s，可有效保護發光元件120及波長轉換層130，避免其外露而容易毀損。反射層150可將自發光元件120的側面120s發出的光線L1反射至波長轉換層130，以增加發光裝置100的出光效率。
如第1圖所示，反射層150更覆蓋第一電極121的側面、第二電極122的側面、第三電極112的側面及第四電極113的側面，可更完整地保護第一電極121、第二電極122、第三電極112及第四電極113，避免其受到環境的侵害，如氧化、潮化等。
第一電極121與第二電極122之間具有第一間隔G1，而第三電極112與第四電極113之間具有第二間隔G2。反射層150包括一填充部152，其填滿第一間隔G1及/或第二間隔G2。
反射層150包括第一反射部151，其環繞發光元件120的側面120s。第一反射部151具有第一反射面151s，其朝向發光元件120之側面120s及/或波長轉換層130，以將自發光元件120的側面120s發出的光線L1反射至波長轉換層130。在本實施例中，第一反射面151s係朝向發光元件120之側面120s及/或波長轉換層130的凸面，然亦可為凹面。
如第1圖所示，凸出的第一反射面151s連接波長轉換層130的下表面130b與發光元件120之側面120s。如此，可增加發光元件120的光線L1與凸出面的接觸機率，使自發光元件120的側面120s的光線L1幾乎或全部被反射層150反射至波長轉換層130而出光，以增加發光裝置100的出光效率。
在一實施例中，反射層150的反射率可大於90%。反射層150之材料可由聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚醯胺(PA)、聚對苯二甲酸丙二酯(PTT)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸1,4-環己烷二甲醇酯(PCT)、環氧膠化合物(EMC)、矽膠化合物(SMC)或其它高反射率樹脂/陶瓷材料所組成。另外，反射層150可以是白膠。
綜上所述，相較於傳統發光裝置，由於本發明實施例之發光 裝置100的設計，其發光面積可增加約40%，亮度可提升約15%。
第2圖繪示依照本發明另一實施例之發光裝置200的剖視圖。發光裝置200包括基板110、發光元件120、波長轉換層130、黏膠140及反射層150。
與上述發光裝置100不同的是，本實施例之發光裝置200的波長轉換層130的俯視面積大致上等於發光元件120的俯視面積，即，波長轉換層130的俯視面積與發光元件120的俯視面積的比值約為1。此外，由於黏膠140的第一側部141被移除，因此發光元件120的整個側面120s及黏膠140的熱阻層142的整個側面142s係露出，使反射層150可覆蓋發光元件120的整個側面120s及熱阻層142的整個側面142s。再者，由於發光元件120的側面120s、波長轉換層130的側面130s及黏膠140的熱阻層142的側面142s可於同一切割製程中形成，因此側面120s、側面130s與側面142s大致上對齊或齊平。
第3圖繪示依照本發明另一實施例之發光裝置300的剖視圖。發光裝置300包括基板110、發光元件120、波長轉換層130、黏膠140及反射層150。
與上述發光裝置100不同的是，本實施例之發光裝置300的反射層150更覆蓋基板110的側面110s，如此可避免或減少外界環境因子(如空氣、水氣等)透過側面110s對基板110的侵害。進一步來說，由於反射層150覆蓋基板110的側面110s，因此可增加外界環境與發光元件120的電極(如第一電極121及/ 或第二電極122)的路徑P1的長度(相較於第1圖的路徑P1，本實施例之路徑P1的長度較長)，進而降低環境因子侵害發光元件120的電極的機率，以提升發光裝置300的可靠度及壽命。
在另一實施例中，發光裝置300的波長轉換層130的俯視面積可可大致上等於發光元件120的俯視面積，此類似上述發光裝置200的結構，於此不再贅述。
第4圖繪示依照本發明另一實施例之發光裝置400的剖視圖。發光裝置400包括基板110、數個發光元件120、波長轉換層130、黏膠140及反射層150。此些發光元件120設於基板110上。黏膠140覆蓋各發光元件120的側面120s的至少一部份。
與前述實施例之發光裝置不同的是，本實施例之發光裝置400的部份黏膠140形成於相鄰二發光元件120之間。例如，黏膠140更包括第二側部143，其位於相鄰二發光元件120之間，且第二側部143具有下表面143s，其中下表面143s係凸面，然亦可為凹面。反射層150形成於相鄰二發光元件120之間。例如，反射層150更包括第二反射部153，其中第二反射面153s位於相鄰二發光元件120之間。第二反射部153具有一順應下表面143s的第二反射面153s，因此第二反射面153s為凹面。在另一實施例中，下表面143s可以是凹面，而第二反射面153s為凸面。第二反射面153s可將發光元件120的光線L2反射至波長轉換層130，以增加發光裝置400的出光效率。
在另一實施例中，發光裝置400的反射層150更可覆蓋基 板110的側面110s，此類似上述發光裝置300的結構，於此不再贅述。
在另一實施例中，發光裝置400的波長轉換層130的俯視面積可大致上等於發光元件120的俯視面積，此類似上述發光裝置200的結構，容此不再贅述。
第5A至5H圖繪示第1圖之發光裝置100的製造過程圖。
如第5A圖所示，可採用例如是點膠技術，形成波長轉換層材料130’於一載體10上。波長轉換層材料130’包含數個螢光粒子133。載體10的極性與波長轉換層材料130’的極性相異，因此在後續製程中波長轉換層材料130’與載體10可輕易分離。此外，雖然圖未繪示，然載體10可包括雙面膠及載板，其中雙面膠設於載板上，以承接波長轉換層材料130’。
如第5B圖所示，在靜置波長轉換層材料130’一段時間，如24小時後，一些或大部分螢光粒子133沉澱於波長轉換層材料130’的底部，而形成一高密度轉換層131，其餘的螢光粒子133散佈於波長轉換層材料130’的其餘部分，而形成一低密度轉換層132。至此，形成包含高密度轉換層131及低密度轉換層132的波長轉換層130。
然後，可加熱波長轉換層130，以固化波長轉換層130，進而固定螢光粒子133的位置，避免螢光粒子133於波長轉換層130內的密度分布隨意改變。
然後，可分離載體10與波長轉換層130，以露出波長轉換層130的高密度轉換層131。
如第5C圖所示，提供基板110及至少一發光元件120，其中發光元件120設於基板110上。此外，基板110可設於另一載體10’上，其中載體10’的結構類似上述載體10，於此不再贅述。
接著，以黏膠140黏合波長轉換層130的高密度轉換層131與發光元件120。以下以圖式進一步舉例說明。
如第5D圖所示，可採用例如是塗佈或點膠技術，形成黏膠140於發光元件120的上表面120u上。
如第5E圖所示，設置波長轉換層130於黏膠140上，使黏膠140黏合發光元件120與波長轉換層130的高密度轉換層131。由於波長轉換層130擠壓黏膠140，使黏膠140往發光元件120二側流動，而形成第一側部141。由於表面張力因素，第一側部141的側面141s形成一凹面，然視黏膠140的膠量及/或膠特性而定，側面141s亦可為凸面。此外，視黏膠140的膠量及/或膠特性而定，第一側部141可覆蓋發光元件120的側面120s的至少一部分。
如第5E圖的放大圖所示，保留於波長轉換層130與發光元件120之間的黏膠140形成熱阻層142。熱阻層142可減少發光元件120傳遞到波長轉換層130的熱量，進而減緩波長轉換層130的老化速率。
如第5F圖所示，可採用例如是刀具切割技術，形成至少一第一切割道W1經過波長轉換層130，以切斷波長轉換層130。本實 施例中，第一切割道W1未經過黏膠140的第一側部141，然亦可經過部分第一側部141。第一切割道W1於波長轉換層130形成側面130s，其可為平面或曲面。
形成第一切割道W1所使用的刀具寬度可大致等於第一切割道W1的寬度。或者，在形成第一切割道W1後，可適當拉伸載體10’的雙面膠(未繪示)，以拉開相鄰二發光元件120的間距；在此設計下，可採用薄刀具形成第一切割道W1。
如第5G圖所示，可採用例如是模壓技術，形成呈流動態的反射層150於基板110上方，其中反射層150經由第一切割道W1(繪示於第5F圖))覆蓋發光元件120的部分側面120s、波長轉換層130的側面130s及黏膠140的第一側部141的側面141s、基板110的第三電極112的側面及第四電極113的側面以及發光元件120的第一電極121的側面及第二電極122的側面。
此外，反射層150包括第一反射部151，其圍繞發光元件120的整個側面120s。第一反射部151具有第一反射面151s。由於黏膠140的側面141s係凹面，使覆蓋側面141s的第一反射面151s形成朝向波長轉換層130及發光元件120的凸面。凸出的第一反射面151s可將自側面120s發出的光線反射至波長轉換層130，以增加發光裝置100的出光效率。
由於第5F圖之步驟中第一切割道W1未經過黏膠140的第一側部141，使反射層150的第一反射面151s可接觸到波長轉換層130的下表面130b。如此一來，凸出的第一反射面151s 連接高密度轉換層131的下表面130b與發光元件120的側面120s的，進而增加自發光元件120發出的光線L1與凸面(第一反射面151s)的接觸面積。
然後，可採用加熱方式，固化反射層150。
如第5H圖所示，可採用例如是刀具切割技術，形成至少一第二切割道W2經過反射層150及基板110。第二切割道W2於反射層150及基板110分別形成側面150s及側面110s，其中側面150s與側面110s大致上對齊或齊平。至此，形成如第1圖所示之發光裝置100。
在另一實施例中，第二切割道W2可經過波長轉換層130、反射層150及基板110，使波長轉換層130、反射層150及基板110分別形成側面130s、側面150s及側面110s，其中側面130s、側面150s與側面110s大致上對齊或齊平。
此外，形成第二切割道W2所使用的刀具寬度可以大致等於第二切割道W2的寬度。或者，在形成第二切割道W2後，可適當拉伸載體10’的雙面膠(未繪示)，以拉開相鄰二發光元件120的間距；在此設計下，可採用薄刀具形成第二切割道W2。
第6A至6C圖繪示第1圖之發光裝置100的另一種製造過程圖。
如第6A圖所示，可採用例如是塗佈或點膠技術，形成黏膠140於波長轉換層130之高密度轉換層131上。
如第6B圖所示，設置如第5C圖所示的基板110及 發光元件120於黏膠140上，其中發光元件120接觸黏膠140，以使黏膠140黏合發光元件120與波長轉換層130之高密度轉換層131。
由於發光元件120擠壓黏膠140，使黏膠140往各發光元件120二側流動，而形成第一側部141。由於表面張力因素，第一側部141的側面141s形成一凹面。視黏膠140的膠量及/或特性而定，第一側部141可覆蓋發光元件120的側面120s的至少一部分。此外，如第6B圖的放大圖所示，保留於波長轉換層130與發光元件120之間的黏膠140形成熱阻層142。熱阻層142可減少發光元件120傳遞到波長轉換層130的熱量，進而減緩波長轉換層130的老化速率。
如第6C圖所示，倒置發光元件120、波長轉換層130與基板110，使波長轉換層130朝上。
接下來的步驟類似第5A至5H圖之發光裝置100的製造過程的對應步驟，於此不再贅述。
第7A至7C圖繪示第2圖之發光裝置200的製造過程圖。
首先，可採用類似上述第5A至5E圖的步驟先形成第5E圖的結構，或採用上述第6A至6C圖的步驟先形成第6C圖的結構。
然後，如第7A圖所示，可採用例如是刀具切割技術，形成至少一第一切割道W1經過波長轉換層130及覆蓋發光元件120的側面120s的第一側部141，以切斷波長轉換層130且切除第一 側部141。由於第一切割道W1切除第一側部141，使發光元件120的整個側面120s及黏膠140的熱阻層142的整個側面142s係露出。
如第7B圖所示，可採用例如是模壓技術，形成呈流動態的反射層150於基板110上方，其中反射層150經由第一切割道W1(繪示於第7A圖)覆蓋發光元件120的整個側面120s、熱阻層142的整個側面142s、波長轉換層130的整個側面130s、基板110的第三電極112的側面及第四電極113的側面以及發光元件120的第一電極121的側面及第二電極122的側面。
然後，可採用加熱方式，固化反射層150。
如第7C圖所示，可採用例如是刀具切割技術，形成至少一第二切割道W2經過反射層150及基板110。第二切割道W2於反射層150及基板110分別形成側面150s及側面110s，其中側面150s與側面110s大致上對齊或齊平。至此，形成如第2圖所示之發光裝置200。
第8A至8C圖繪示第3圖之發光裝置300的製造過程圖。
首先，可採用類似上述第5A至5E圖的步驟先形成第5E圖的結構，或採用上述第6A至6C圖的步驟先形成第6C圖的結構。
然後，如第8A圖所示，可採用例如是刀具切割技術，形成至少一第一切割道W1經過波長轉換層130及基板110，以切斷波長轉換層130及基板110。第一切割道W1於波長轉換層130及基板 110分別形成側面130s及側面110s，其中側面130s及側面110s大致上對齊或齊平。
如第8B圖所示，可採用例如是點膠技術，形成呈流動態的反射層150於基板110上方，其中反射層150經由第一切割道W1(繪示於第8A圖)覆蓋發光元件120的部分側面120s、波長轉換層130的側面130s、黏膠140的第一側部141的側面141s、基板110的側面110s、基板110的第三電極112的側面及第四電極113的側面以及發光元件120的第一電極121的側面及第二電極122的側面。
然後，可採用加熱方式，固化反射層150。
如第8C圖所示，可採用例如是刀具切割技術，形成至少一第二切割道W2經過反射層150，其中第二切割道W2於反射層150形成側面150s。至此，形成如第3圖所示之發光裝置300。
在另一實施例中，第二切割道W2可經過波長轉換層130、反射層150及基板110，使波長轉換層130、反射層150及基板110分別形成側面130s、側面150s及側面110s，其中側面130s、側面150s與側面110s大致上對齊或齊平。
第9A至9F圖繪示第4圖之發光裝置400的製造過程圖。
如第9A圖所示，提供基板110及數個發光元件120，其中此些發光元件120設於基板110上。
如第9A圖所示，設置基板110及此些發光元件120於載板10’上。
如第9B圖所示，可採用例如是塗佈或點膠技術，形成黏膠140於發光元件120的上表面120u上。
如第9C圖所示，設置波長轉換層130於黏膠140上，使黏膠140黏合發光元件120與波長轉換層130的高密度轉換層131。由於波長轉換層130擠壓黏膠140，使黏膠140往發光元件120二側流動，而形成第一側部141。第一側部141具有側面141s。由於表面張力的因素，側面141s係凹面。然，視黏膠140的膠量及/特性而定，側面141s亦可為朝向基板110的凸面。此外，視黏膠140的膠量而定，第一側部141可覆蓋發光元件120的側面120s的至少一部分。
如第9C圖的放大圖所示，保留於波長轉換層130與發光元件120之間的黏膠140形成熱阻層142。熱阻層142可減少發光元件120傳遞到波長轉換層130的熱量，進而減緩波長轉換層130的老化速率。
此外，黏膠140更包括第二側部143，其形成於相鄰二發光元件120之間。第二側部143具有下表面143s。由於表面張力的因素，下表面143s係朝向基板110的凸面。然，視黏膠140的膠量及/特性而定，下表面143s亦可為朝向基板110的凹面。
如第9D圖所示，可採用例如是刀具切割技術，形成至少一第一切割道W1經過波長轉換層130，以切斷波長轉換層130。本實施例中，第一切割道W1未經過黏膠140的第一側部141，然亦可經過部分第一側部141或整個第一側部141。
如第9E圖所示，可採用例如是點膠技術，形成呈流動態的反射層150於基板110上方，其中反射層150經由第一切割道W1(繪示於第9D圖)覆蓋發光元件120的部分側面120s、波長轉換層130的側面130s、黏膠140的第一側部141的側面141s、第二側部143的下表面143s、波長轉換層130的側面130s、基板110的第三電極112的側面及第四電極113的側面以及各發光元件120的第一電極121的側面及第二電極122的側面。
此外，反射層150包括第一反射部151及第二反射部153，其中第一反射部151覆蓋第一側部141，而第二反射部153覆蓋第二側部143。第一反射部151具有一順應側面141s的第一反射面151s，由於側面141s係凹面，因此第一反射面151s係一凸面。第二反射部153具有一順應下表面143s的第二反射面153s，由於下表面143s係凸面，因此第二反射面153s係一凹面。
然後，可採用加熱方式，固化反射層150。
如第9F圖所示，可採用例如是刀具切割技術，形成至少一第二切割道W2經過反射層150及基板110。第二切割道W2於反射層150及基板110分別形成側面150s及側面110s，其中側面150s與側面110s大致上對齊或齊平。至此，形成如第4圖所示之發光裝置400。
在另一實施例中，第二切割道W2可經過波長轉換層130、反射層150及基板110，使波長轉換層130、反射層150及基板110分別形成側面130s、側面150s及側面110s，其中側 面130s、側面150s與側面110s大致上對齊或齊平。
在又一實施例中，發光裝置400可採用類似第7A至7B圖的製造過程，使反射層150覆蓋至少一發光元件120的側面120s、熱阻層142的側面142s及波長轉換層130的側面130s。
在其它實施例中，發光裝置400可採用類似第8A至8B圖的製造過程，使反射層150覆蓋基板110的側面110s。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧發光裝置
110‧‧‧基板
111‧‧‧基材
111u‧‧‧第一表面
111b‧‧‧第二表面
112‧‧‧第三電極
113‧‧‧第四電極
114‧‧‧第一接墊
115‧‧‧第二接墊
116‧‧‧第一導電柱
117‧‧‧第二導電柱
120‧‧‧發光元件
120s、130s、141s‧‧‧側面
120u‧‧‧上表面
121‧‧‧第一電極
122‧‧‧第二電極
130‧‧‧波長轉換層
130b‧‧‧下表面
131‧‧‧高密度轉換層
132‧‧‧低密度轉換層
140‧‧‧黏膠
141‧‧‧第一側部
142‧‧‧熱阻層
150‧‧‧反射層
151‧‧‧第一反射部
152‧‧‧填充部
151s‧‧‧第一反射面
G1‧‧‧第一間隔
G2‧‧‧第二間隔
L1‧‧‧光線
P1‧‧‧路徑
T1、T2‧‧‧厚度

Claims (30)

  1. 一種發光裝置，包括：一基板；一發光元件，設於該基板上；一波長轉換層，包括一高密度轉換層及一低密度轉換層；一黏膠，形成於該發光元件與該高密度轉換層之間；以及一反射層，形成於該基板上方且覆蓋該發光元件的一側面、該黏膠的一側面及該波長轉換層的一側面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該基板具有一側面，且該反射層更覆蓋該基板的該側面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該發光元件包括一第一電極及一第二電極，該反射層更覆蓋該第一電極的側面及該第二電極的側面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該黏膠包括一第一側部，該第一側部覆蓋該發光元件的該側面的一部分，而該反射層覆蓋發光元件的該側面的另一部分。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該反射層覆蓋該發光元件的整個該側面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該波長轉換層覆蓋整個該發光元件的上表面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該波長轉換層的面積等於或大於該發光元件的面積。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光裝置，其中該波長轉換層的面積與該發光元件的面積的比值介於1與1.35之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該反射層包括一第一反射部，該第一反射部環繞該發光元件。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，其中該第一反射部具有一朝向該發光元件之該側面的第一反射面。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之發光裝置，其中該第一反射面係一朝向該發光元件之該側面的凸面。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置，其中該凸面連接該高密度轉換層的一下表面與該發光元件的該側面。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，包括：複數個該發光元件，設於該基板上；其中，該黏膠包括一第二側部，該第二側部形成於相鄰二該發光元件之間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，包括：複數個該發光元件，設於該基板上；其中，該反射層包括一第二反射部，該第二反射部形成於相鄰二該發光元件之間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光裝置，其中該第二反射部具有一第二反射面，該第二反射面係一朝向該波長轉換層的凹面。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之發光裝置，其中該第二反射部具有一第二反射面，該第二反射面係一朝向該波長轉換層的凸面。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，包括：複數個該發光元件，設於該基板上；其中，各該發光元件包括一第一電極及一第二電極，該反射 層包覆各該第一電極的側面及各該第二電極的側面。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該高密度轉換層的螢光粒子密度與該低密度轉換層的螢光粒子密度的比值介於1與1015之間。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該低密度轉換層的厚度與該高密度轉換層的螢厚度的比值介於1與1000之間。
  20. 一種發光裝置的製造方法，包括：提供一基板及一發光元件，該發光元件設於該基板上；提供一波長轉換層，其中該波長轉換層包括一高密度轉換層及一低密度轉換層；以一黏膠，黏合該高密度轉換層與該發光元件；以及形成一反射層於該基板上方，其中該反射層覆蓋該發光元件的一側面、該黏膠的一側面及該波長轉換層的一側面。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之製造方法，其中於以該黏膠黏合該波長轉換層的該高密度轉換層與該發光元件之步驟包括：形成該黏膠於該波長轉換層之該高密度轉換層上； 設置該發光元件於該黏膠上。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之製造方法，於設置該發光元件於該黏膠上之步驟後，該製造方法更包括：倒置該發光元件、該波長轉換層與該基板，使該波長轉換層朝上。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之製造方法，其中於以該黏膠黏合該波長轉換層的該高密度轉換層與該發光元件之步驟包括：形成該黏膠於該發光元件上；以及設置該波長轉換層之該高密度轉換層於該黏膠上。
  24. 如申請專利範圍第20項所述之製造方法，更包括：形成一第一切割道經過該波長轉換層；其中，於形成該反射層於該基板上方之步驟後，該製造方法更包括：形成一第二切割道經過該反射層及該基板。
  25. 如申請專利範圍第20項所述之製造方法，更包括：形成一第一切割道經過該波長轉換層及該基板，以形成該基板的一側面； 其中，於形成該反射層於該基板上方之步驟中，該反射層更覆蓋基板的該側面。
  26. 如申請專利範圍第20項所述之製造方法，其中該發光元件包括一第一電極及一第二電極；於形成該反射層於該基板上方之步驟中，該反射層更覆蓋該第一電極的側面及該第二電極的側面。
  27. 如申請專利範圍第20項所述之製造方法，其中於以該黏膠黏合該波長轉換層的該高密度轉換層與該發光元件之步驟中，該黏膠包括一第一側部，該第一側部覆蓋該發光元件的該側面的一部分；於形成該反射層於該基板上方之步驟中，該反射層覆蓋發光元件的該側面的另一部分。
  28. 如申請專利範圍第20項所述之製造方法，其中於以該黏膠黏合該波長轉換層的該高密度轉換層與該發光元件之步驟中，該黏膠包括一第一側部，該第一側部覆蓋該發光元件的該側面；該製造方法更包括：形成一第一切割道經過該第一側部的至少一部分。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其中於形成該第一切割道經過該波長轉換層之步驟中，該第一切割道經過整 個該第一側部；於形成該反射層於該基板上方之步驟中，該反射層覆蓋該發光元件的整個該側面。
  30. 如申請專利範圍第20項所述之製造方法，其中於以該黏膠黏合該波長轉換層的該高密度轉換層與該發光元件之步驟中，該黏膠包括一第一側部，該第一側部覆蓋該發光元件的該側面；該製造方法更包括：形成一第一切割道經過該波長轉換層，但不經過該第一側部。
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