CN107768499B - 制造发光二极管模块的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种制造LED模块的方法和一种用于印刷焊料的金属掩模。所述方法包括：制备电路板，以使得电路板包括芯片安装区周围的反射性层合体和芯片安装区中的电极焊盘；制备掩模，以使得掩模包括具有排放孔的突出部分，并且突出部分插入由反射性层合体包围的空间中；利用掩模将焊膏分配至电极焊盘上；以及利用焊膏将LED芯片的电极接合至电路板的电极焊盘。

Description

制造发光二极管模块的方法
相关申请的交叉引用
在2016年8月22日提交至韩国知识产权局的题为“制造发光二极管模块的方法”的韩国专利申请No.10-2016-0106015以引用方式全文并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种制造发光二极管(LED)模块的方法。
背景技术
半导体发光二极管(LED)可提供为这样的装置，对其施加电能时包括在其中的材料发光。半导体LED可将p-n结的电子和空穴复合时产生的能量转换为光，并且发射所述光。LED已被广泛用作用于照明装置和大液晶显示器(LCD)中的背光装置的光源。
通常，LED模块可具有各种额外结构以提高光提取效率。由于这些结构的设置，会使LED模块化的处理复杂化，从而导致缺陷。
发明内容
根据示例实施例，一种制造LED模块的方法，所述方法可包括以下步骤：制备电路板，所述电路板具有布置在芯片安装区周围的反射性层合体和布置在芯片安装区中的电极焊盘；利用掩模将焊膏分配至电极焊盘上；利用掩模将焊膏分配至电极焊盘上，所述掩模具有其中形成有排放孔的突出部分，所述突出部分构造为插入由反射性层合体包围的空间中；以及利用焊膏将LED芯片的电极接合至电极焊盘。
根据示例实施例，一种制造LED模块的方法，所述方法包括以下步骤：制备电路板，所述电路板包括提供芯片安装区和暴露于芯片安装区中的电极焊盘的反射性层合体；制备金属掩模，所述金属掩模包括其中形成有排放孔的突出部分；将金属掩模布置为允许突出部分插入芯片安装区中；在布置金属掩模的同时通过排放孔将焊膏分配至电极焊盘上；以及利用焊膏将LED芯片的电极接合至电极焊盘。
根据示例实施例，一种金属掩模可包括：具有第一孔的第一金属板；至少一个第二金属板，其堆叠在第一金属板的区中并且具有连接至第一孔的第二孔；以及第三金属板，其堆叠在第二金属板上，并且具有连接至第二孔的第三孔。另外，可提供第二金属板和第三金属板作为在第一金属板的表面上的凸出结构(或突出部分)。
根据示例实施例，一种制造LED模块的方法包括：制备电路板，所述电路板在芯片安装区中具有至少一个电极焊盘；在电路板上形成反射性层合体，以使得反射性层合体包围芯片安装区；制备掩模，以使得掩模包括具有排放孔的突出部分；将掩模在电路板上方对齐，以使得突出部分插入由反射性层合体包围的空间中；通过排放孔将焊膏从掩模分配至电极焊盘上；以及利用焊膏将LED芯片的电极接合至电路板的电极焊盘。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域普通技术人员将变得清楚，其中：
图1示出了根据示例实施例的在制造LED模块和电路板时使用的金属掩模的示意性透视图；
图2A和图2B分别示出了图1所示的金属掩模的剖视图和俯视图；
图3至图6示出了根据示例实施例的制造LED模块的方法中的各阶段的剖视图；
图7示出了在图3所示的电路板中采用的反射性层合体的剖视图；
图8和图9示出了可在各个示例实施例中采用的反射性层合体的示例的剖视图；
图10和图11示出了可在各个示例实施例中采用的LED芯片的示例的剖视图；
图12至图15示出了可在各个示例实施例中采用的金属掩模的示例；以及
图16至图18示出了可在示例实施例中制造的LED模块的示例。
具体实施方式
下文中，将参照附图描述示例实施例如下。
图1是根据示例实施例的在制造发光二极管(LED)模块和电路板时使用的金属掩模的示意性透视图。图2A和图2B分别示出了图1中的金属掩模的剖视图和俯视图。
参照图1，电路板11可包括布置在芯片安装区M周围的反射性层合体15和布置在芯片安装区M中的多个电极焊盘12a和12b。所述多个电极焊盘12a和12b可被构造为连接至布置在电路板11上的不同电路图案。
参照图1和图2A至图2B，金属掩模30可包括底板31和布置在底板31下方的突出部分35。例如，金属掩模30可位于反射性层合体15上方，以使得底板31的边缘在反射性层合体15上方延伸并与其重叠，并且使得突出部分35从底板31朝着芯片安装区M延伸。突出部分35可构造为插入电路板11上方的被反射性层合体15包围的空间中。突出部分35的宽度w2(图2A)可小于芯片安装区M的宽度w1(图1)。突出部分35可构造为不与电极焊盘12a和12b直接接触，但是实施例不限于此。另外，突出部分35的高度h2(图2A)可小于反射性层合体15的高度h1(图1)。
如图2A和图2B所示，突出部分35可具有在向下的方向上敞开的排放孔Ha和Hb(例如，面对芯片安装区M的开口)。可提供排放孔Ha和Hb作为排放焊膏的开口，并且可例如通过控制排放孔Ha和Hb的直径来控制布置在电极焊盘12a和12b上的焊料的量和大小。例如，在向第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b同时提供焊膏的情况下，突出部分35可例如安置为使得排放孔Ha和Hb位于与第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b的位置相对应(例如，重叠)的区域中。
金属掩模30可具有连接至排放孔Ha和Hb的接纳空间S，以接纳(例如，容纳)焊膏，例如，接纳空间S可与排放孔Ha和Hb流体连通。接纳空间S可包括在向上的方向上敞开(例如，与排放孔Ha和Hb相对)的开口。接纳空间S可用作用于暂时存储焊膏的空间，以通过排放孔Ha和Hb按照期望的量提供焊膏。
图3至图6是根据示例实施例的示出了制造LED模块的方法的各个主要处理中的剖视图。
参照图3，可提供包括反射性层合体15、第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b的电路板11。图3中的电路板11是沿着图1的线I2-I2'的剖视图。
详细地说，电路板11可设为印刷电路板(PCB)。芯片安装区M可由反射性层合体15限定，并且可包括布置在其中的第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b。可提供反射性层合体15作为用于提高光提取效率的结构，并且反射性层合体15可具有堆叠了具有反射性的多个膜15a(图7)以具有期望厚度(例如，0.2mm至1.0mm)的结构。
图7中示出了反射性层合体15的剖面结构。如图7所示，反射性层合体15可包括利用含反射性粉末R的树脂形成的多个反射膜15a(下文中称作“第一树脂层”)以及与所述多个反射膜15a交替堆叠的多个接合层15b。例如，可利用接合层15b多次(例如，五次)堆叠相对薄的反射膜15a，从而制造具有期望厚度的反射性层合体15。
形成反射膜15a的树脂可包括例如硅树脂、环氧树脂、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺和聚氨酯树脂。例如，反射性粉末R可设为白色陶瓷粉末或金属粉末。例如，白色陶瓷粉末可包括二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)、五氧化二铌(Nb2O5)和氧化锌(ZnO)中的至少一个。金属粉末可为例如铝(Al)或者银(Ag)。接合层15b可包括例如硅树脂合成物、环氧树脂合成物、聚酰亚胺合成物和它们的改性树脂。可将可在示例实施例中采用的反射性层合体15改性和设为具有各种形式，如将在下面参照图8和图9更详细地描述的那样。
参照图4，可将焊膏25填充在金属掩模30的接纳空间S中，并且带有焊膏25的金属掩模30可置于电路板11的芯片安装区M上方。接着，焊膏25可分别通过金属掩模30的排放孔Ha和Hb滴落(例如，布置)在第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b上。
详细地说，可将金属掩模30对齐，从而可使得包括形成在其中的排放孔Ha和Hb的突出部分35布置在芯片安装区M中。在将金属掩模30对齐之后，可将焊膏25提供至金属掩模30的接纳空间S，并且预定量的焊膏25可通过排放孔Ha和Hb滴落(例如，布置)在第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b上。例如，按照与挤压处理相似的方式，可压迫焊膏25通过开口，因此期望量的焊膏25可通过排放孔Ha和Hb滴落。
针对将要提供的焊膏25，突出部分35可插入由反射性层合体15限定的空间中，即，紧邻着芯片安装区M。因此，可减小突出部分35的面对芯片安装区M的底部与电极焊盘12a和12b之间的距离，即，可减小焊膏25要滴落的距离。因此，分别布置在第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b上的焊料球25a和25b可设置在精确的位置。另外，可减小焊料球25a和25b滴落撞击的影响，从而可形成不分散(即，不散开)的焊料球25a和25b。
参照图5，LED芯片20可安装在其上布置有焊料球25a和25b的第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b上。在示例实施例中采用的LED芯片20可具有第一电极29a和第二电极29b布置在下表面上的倒装芯片结构。第一电极29a和第二电极29b可安装在布置于第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b上的焊料球25a和25b上。将在图10和图11中详细描述可在示例实施例中采用的LED芯片20或者半导体LED芯片100的各个示例。
参照图6，可利用焊料球25a和25b将LED芯片20的第一电极29a和第二电极29b分别接合至第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b。
可按照加热并熔化焊料球25a和25b的方式执行上述接合处理。熔化的焊料球可允许第一电极29a和第二电极29b接合至第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b，并且可固化。可按照通过电路板11的电路图案将热传递至第一电极焊盘12a和第二电极焊盘12b的方式执行上述加热处理。
注意，可在示例实施例中使用的电路板可采用除图7所示的反射性层合体15之外的各种其它类型的反射性层合体，如将在下面参照图8至图9详细描述的那样。图8和图9是可在各个示例实施例中采用的反射性层合体的示例的剖视图。
参照图8，根据示例实施例的反射性层合体15A可具有第一树脂层15a、第二树脂层15c和接合层15b交替地堆叠的结构。可利用含反射性粉末R的树脂形成第一树脂层15a。第二树脂层15c可提供为不含反射性粉末R的树脂层。在示例实施例中，可提供第二树脂层15c作为用于制造第一树脂层15a的基膜。因此，可提供第一树脂层15a和第二树脂层15c，同时第一树脂层15a和第二树脂层15c接合至彼此。
在示例实施例中，接合层15b可设在第二树脂层15c的下表面上，并且可接合至第一树脂层15a的上表面。这样，可利用接合层15b将包括第一树脂层15a和第二树脂层15c的被接合体多次(例如，四次)堆叠，从而制造出具有期望厚度的反射性层合体15A。详细地说，形成第一树脂层15a和第二树脂层15c的树脂可设为例如硅树脂、环氧树脂、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺和聚氨酯树脂。
参照图9，根据示例实施例的反射性层合体15B可包括具有特定高度的树脂材料体15'和涂布在树脂材料体15'的表面上并且含反射性粉末R的反射性树脂层15a'。可利用与电路板11的材料相似的材料形成树脂材料体15'，但是不限于此。例如，树脂材料体15'可设为玻璃纤维增强的环氧树脂膜，例如，FR4。反射性层合体15B的厚度可由树脂材料体15'限定。
反射性树脂层15a'可通过单独的接合层接合至树脂材料体15'。然而，可按照提供反射性液体树脂的方式来提供反射性树脂层15a'，反射性树脂层15a'涂布有反射性液体树脂，并且该反射性液体树脂硬化。示例实施例示出了反射性树脂层15a'仅涂布在树脂材料体15'的上表面上的情况。然而，根据需要，可将反射性树脂层15a'额外提供至其它侧表面，从而提高反射效率。
图10和图11是可在各个示例实施例中采用的LED芯片的示例的剖视图。
如图10所示，在示例实施例中采用的LED芯片20(即，半导体LED芯片20)可包括衬底21，并且可包括按次序堆叠在衬底21上的第一导电半导体层24、有源层25和第二导电半导体层26。缓冲层22可布置在衬底21与第一导电半导体层24之间。
衬底21可设为绝缘衬底(例如，蓝宝石)，但是不限于此。除绝缘衬底以外，衬底21还可设为导电衬底或者半导体衬底。例如，除蓝宝石以外，可利用碳化硅(SiC)、硅(Si)、铝酸镁(MgAl2O4)、氧化镁(MgO)、铝酸锂(LiAlO2)、镓酸锂(LiGaO2)和氮化镓(GaN)来形成衬底21。衬底21可包括形成在其上表面上的凹凸部分P。凹凸部分P可提高单晶的光提取效率和质量。
缓冲层22可设为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)。例如，可利用GaN、氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)和氮化铟镓(InGaN)形成缓冲层22。根据需要，可通过多个半导体层的组合物或者通过逐渐改变半导体的组成来形成缓冲层22。
第一导电半导体层24可设为满足InxAlyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1)的n型氮化物半导体。另外，n型杂质可为例如Si。例如，第一导电半导体层24可包括n型GaN。第二导电半导体层26可设为满足InxAlyGa1-x-yN(0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1)的p型氮化物半导体层。另外，p型杂质可为例如镁(Mg)。同时，第二导电半导体层26可形成为具有单层结构，但是也可具有包含不同组成的多层结构，如在示例实施例中示出的那样。有源层25可具有量子阱层与量子势垒层交替地堆叠的多量子阱(MQW)结构。详细地说，量子阱层与量子势垒层可设为具有不同组成的InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。在特定示例实施例中，量子阱层可设为InxGa1-xN(0＜x≤1)，而量子势垒层可设为GaN或者AlGaN。MQW和量子势垒层各自的厚度可为约1nm至约50nm。有源层25不限于MQW结构，而是可具有单量子阱结构。
第一电极29a和第二电极29b可分别布置在第一导电半导体层24和第二导电半导体层26的台面蚀刻区中，从而布置在相同的表面(第一表面)上。例如，第一电极29a可包括Ag、镍(Ni)、Al、铬(Cr)、铑(Rh)、钯(Pd)、铱(Ir)、钌(Ru)、镁(Mg)、锌(Zn)、铂(Pt)、金(Au)等，并且可具有单层结构或者两层或更多层的结构，但是不限于此。根据需要，第二电极29b可设为透明电极(例如，透明导电氧化物或透明导电氮化物)，或者可包括石墨烯。例如，第二电极29b可包括Al、Au、Cr、Ni、钛(Ti)和锡(Sn)中的至少一个。
波长转换膜28可布置在LED芯片20的上表面(也就是说，第二表面)上。波长转换膜28可包括波长转换材料，其将半导体LED芯片20所发射的光的一部分转换为具有不同波长的光。波长转换膜28可设为分散有波长转换材料的树脂层或者包括烧结的陶瓷荧光体的陶瓷膜。半导体LED芯片20可发射蓝光。另外，波长转换膜28可将蓝光的一部分转换为黄光或者红光和绿光，并且发射白光。
图11是可在示例实施例中采用的半导体LED的示例的剖视图。
参照图11，半导体LED芯片100可包括形成在衬底110上的半导体层合体L。半导体层合体L可包括第一导电半导体层114、有源层115和第二导电半导体层116。
半导体LED芯片100可包括第一电极122和第二电极124，其分别连接至第一导电半导体层114和第二导电半导体层116。第一电极122可包括诸如导电过孔的连接电极部分122a，其穿过第二导电半导体层116和有源层115以连接至第一导电半导体层114，并且可包括连接至连接电极部分122a的第一电极焊盘122b。连接电极部分122a可被绝缘部分121包围，并且可与有源层115和第二导电半导体层116电隔离。连接电极部分122a可布置在半导体层合体L被蚀刻的区中。可适当地设计连接电极部分122a的数量、形式和间距或者连接电极部分122a与第一导电半导体层114接触的区域，以允许接触电阻降低。另外，连接电极部分122a可在半导体层合体L上以多行多列排列，从而提高电流。第二电极124可包括第二导电半导体层116上的欧姆接触层124a和第二电极焊盘124b。
连接电极部分122a可具有第一导电半导体层114相对于导电材料具有欧姆接触特性的单层结构或多层结构，而欧姆接触层124a可具有第二导电半导体层116相对于导电材料具有欧姆接触特性的单层结构或多层结构。例如，可利用蒸发或溅射Ag、Al、Ni、Cr、透明导电氧化物(TCO)等中的一种或多种材料的处理形成连接电极部分122a和欧姆接触层124a。
第一电极焊盘122b和第二电极焊盘124b可分别连接至连接电极部分122a和欧姆接触层124a，并且可用作半导体LED芯片100的外部端子。例如，第一电极焊盘122b和第二电极焊盘124b可包括Au、Ag、Al、Ti、钨(W)、铜(Cu)、锡(Sn)、Ni、铂(Pt)、Cr、镍锡(NiSn)、钛钨(TiW)、金锡(AuSn)或它们的共晶金属。
第一电极122和第二电极124可布置在相同方向上，并且可按照倒装芯片形式布置在引线框架等上。
同时，两个电极122和124可通过绝缘部分121彼此电隔离。可将任何具有电绝缘特性的材料用作绝缘部分121。另外，可采用任何具有电绝缘特性的材料，但是可使用光吸收率相对低的材料。例如，可使用硅的氧化物和硅的氮化物，如二氧化硅(SiO2)、SiOxNy、SixNy等。根据需要，可将光反射填料分布在透光材料中，因此形成光反射结构。可替换地，绝缘部分121可具有交替地堆叠有折射率不同的多个绝缘膜的多层反射结构。更详细地说，多层反射结构可设为分布式布拉格反射器(DBR)，在其中具有第一折射率的第一绝缘膜和具有第二折射率的第二绝缘膜交替地堆叠。
可按照将折射率不同的所述多个绝缘膜交替地堆叠两次至一百(100)次的方式形成多层反射结构。例如，所述多个绝缘膜可交替地堆叠三次至七十(70)次，进一步地，交替地堆叠四次至五十(50)次。多层反射结构中的所述多个绝缘膜中的每一个可设为氧化物和氮化物(例如，SiO2、SiN、SiOxNy、TiO2、Si3N4、Al2O3、TiN、AlN、ZrO2、TiAlN、TiSiN等)和它们的组合。
例如，在由有源层115产生的光的波长被称为λ、并且绝缘膜的折射率被称为n的情况下，第一绝缘膜和第二绝缘膜的厚度可形成为λ/4n，详细地说，约
Figure BDA0001380479690000101
至约
Figure BDA0001380479690000102
的厚度。在这种情况下，可按照以下方式设计多层反射结构：选择第一绝缘膜和第二绝缘膜中的每一个的折射率和厚度，以使得所述多层反射结构相对于有源层115所产生的光的波长具有高水平的反射率(例如，95％或更高)。
第一绝缘膜和第二绝缘膜的折射率可确定为约1.4至约2.5，并且可小于第一导电半导体层114和衬底101的折射率。然而，第一绝缘膜和第二绝缘膜的折射率可小于第一导电半导体层114的折射率，但是大于衬底101的折射率。
可将具有各种结构的金属掩模用作在根据示例实施例的制造LED模块的方法中使用的金属掩模。图12至图15示出了金属掩模的各种示例。
首先，参照图12，金属掩模40可包括板41和布置在板41下方的突出部分45。
金属掩模40可具有按照处理单种材料的方式形成的结构，其形成方式类似于图2A所示的金属掩模30。例如，可按照利用化学蚀刻处理或机械抛光处理来处理例如SUS材料的长方体的方式制造金属掩模40。
在示例实施例中采用的突出部分45可具有倾斜侧平面SP。突出部分45可具有上部的宽度Wb大于其下部的宽度Wa的结构。因此，可有利于容易地将突出部分45插入芯片安装区M中。
突出部分45可包括在向下的方向上敞开的单个排放孔H。金属掩模40可包括连接至排放孔H的用于接纳焊膏的接纳空间S。接纳空间S可具有在向上的方向上敞开的开口。
排放孔H的数量和直径可变化。在示例实施例中，可提供与关于单个LED芯片的电极焊盘的数量和位置相对应的排放孔(见图2A)。在不同的示例实施例中，可提供多个排放孔的阵列，以允许同时对两个或更多个LED芯片的电极焊盘执行焊料印刷处理。
可按照不处理单种材料但是接合多个板的方式形成根据示例实施例的金属掩模。
图13A是堆叠了多个金属板的金属掩模的剖视图，而图13B是图13A所示的金属掩模的分解透视图。
参照图13A和图13B，根据示例实施例的金属掩模50A可包括具有第一孔H1的第一金属板51，并且可包括按次序堆叠在第一金属板51的区中的第二金属板52和第三金属板53。可提供第二金属板52和第三金属板53作为突出部分。
第一金属板51、第二金属板52和第三金属板53可按照其外表面焊接在一起的方式接合至彼此，但是实施例不限于此。如图13A所示，第一金属板51可接合至第二金属板52，并且第二金属板52可通过连接邻近外表面的区布置的板的焊接部分55a和55b接合至第三金属板53。
第二金属板52和第三金属板53可分别具有第二孔H2和第三孔H3。第二金属板52和第三金属板53可布置在第一金属板51上，以允许第二孔H2和第三孔H3连接至第一孔H1。
在示例实施例中，第一孔H1的尺寸(或直径)d1可等于或近似于第二孔H2的直径d2，而第三孔H3的直径d3可小于第一孔H1的直径d1和第二孔H2的直径d2。可提供第一孔H1和第二孔H2作为用于接纳焊膏的接纳空间S，同时可提供第三孔H3作为排放孔。
第一金属板51、第二金属板52和第三金属板53可形成为具有相同厚度，但是根据需要也可具有不同厚度。详细地说，第二金属板52的厚度可与第一金属板51和第三金属板53中的至少一个的厚度不同。在示例实施例中，第二金属板52的厚度t2可大于第一金属板51的厚度t1和第三金属板53的厚度t3。第一金属板51的厚度t1可等于或近似于第三金属板53的厚度t3，但是本发明构思不限于此。
参照图14，金属掩模50B可被构造为类似于图13A所示的金属掩模50A，不同的是，金属掩模50B包括多个第二金属板52a和52b，并且焊接部分55具有不同形式。
在示例实施例中采用的第二金属板可包括两个第二金属板52a和52b。形成在这两个第二金属板52a和52b中的孔H2a和H2b可具有相同的直径(d2a＝d2b)。另外，孔H2a和H2b的直径可对应于第一金属板51的孔H1的直径d1，并且可提供孔H2a和H2b作为接纳空间。多个第二金属板52a和52b可通过单个焊接部分55连接至第一金属板51和第三金属板53。
参照图15，金属掩模50C可被构造为：除了孔H1'、H2'和H3'的直径不同以及焊接部分55具有不同形式之外，与图13A所示的金属掩模50A相似。第一金属板51、第二金属板52和第三金属板53可按照与图14所示的示例相似的方式通过单个焊接部分55彼此连接。
另外，如图15所示，第二孔H2'的直径d2'可等于或近似于第三孔H3'的直径d3'，而第一孔H1'的直径d1'可小于第二孔H2'的直径d2'和第三孔H3'的直径d3'。在示例实施例中，可提供第一孔H1'作为确定焊料球的焊料的量(或大小)的排放孔。可提供第二孔H2'和第三孔H3'作为焊膏通过第一孔H1'滴落的路径。在特定示例中，第三金属板53'的下表面可附着于电极焊盘或芯片安装区M的表面，从而防止焊膏溅射或流入不期望的区中。
根据示例实施例的制造LED模块的方法可用作制造具有各种形式的LED模块的方法。图16至图18是可根据示例实施例制造的LED模块的各个示例的俯视图。
图16所示的LED模块10A可包括电路板11、布置在芯片安装区M周围的反射性层合体65和布置在芯片安装区M中的多个LED芯片20。
反射性层合体65可设为含有反射性粉末(诸如白色粉末)的树脂层。详细地说，反射性层合体65可设为图7至图9所示的堆叠的结构之一。按照与上述示例实施例不同的方式，反射性层合体65可具有反射性层合体65不包围整个芯片安装区M而是其相对的端部敞开的形式。具有上述结构的LED模块10A可在其端部连接至不同的LED模块，并且可构造为不存在各模块之间的挡板的单个LED模块。
多个LED芯片20可排列为一行。另外，LED模块10A可用作背光单元的光源。LED芯片20可接合至电极焊盘(见图1中的12a和12b)。可利用在图3至图5中描述的方法执行上述接合处理。
图17所示的LED模块10B可按照与图16所示的LED模块10A相似的方式包括电路板11、反射性层合体75和多个LED芯片20。
在示例实施例中采用的反射性层合体75可包括额外挡板75a和75b，以将芯片安装区划分为三个区Ma、Mb和Mc。挡板75a和75b可在与LED阵列的方向垂直的方向上形成，同时相同数量的LED芯片20可排列在被划分开的区Ma、Mb和Mc中的每一个中。由于在示例实施例中反射性层合体布置为彼此邻近，因此可使用利用包括突出部分的金属掩模的焊料印刷处理。
按照与图16所示的LED模块10A相似的方式，图18所示的LED模块10C可包括电路板11'、反射性层合体85和多个LED芯片20。然而，按照与上述示例实施例不同的方式，LED模块10C可具有方形结构。通过反射性层合体85限定的芯片安装区M可包括按照2×2阵列排列的LED芯片。根据示例实施例的利用金属掩模的焊料印刷处理不仅可应用于LED芯片排列成一行的模块，而且可应用于LED芯片排列成多行的LED模块。
如上所述，实施例提供了一种有效地执行焊料印刷处理的制造LED模块的方法。也就是说，所述方法提供了一种金属掩模，其具有其中形成有注射孔的突出部分，以使得突出部分朝着电路板上的被反射性层合体包围的空间延伸。通过突出部分中的注射孔将焊料施加于电路板上的电极焊盘，从而提高精度和提高效率。因此，实施例由于布置在电路板上的三维结构(即，具有突出部分)而防止焊料印刷处理的工作效率降低。此外，可利用包括凸出(或突出)部分的金属掩模执行有效的焊料印刷处理。
本文公开了示例实施例，并且虽然采用了特定术语，但是它们仅用于一般性和描述性含义和按照一般性和描述性含义来解释，并且不是为了限制的目的。在一些情况下，如在本申请提交的本领域中将对于本领域普通技术人员之一清楚的是，除非另有说明，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员应该清楚，可在不脱离由权利要求阐述的本发明的精神和范围的情况下，作出形式和细节上的各种改变。

Claims (25)

1.一种制造发光二极管模块的方法，所述方法包括步骤：
制备电路板，以使得电路板包括芯片安装区周围的反射性层合体和芯片安装区中的电极焊盘；
制备掩模，以使得掩模包括具有排放孔的突出部分，并且突出部分插入由反射性层合体包围的空间中；
利用掩模将焊膏分配至电极焊盘上；以及
利用焊膏将发光二极管芯片的电极接合至电路板的电极焊盘。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，反射性层合体包括含反射性粉末的多个第一树脂层和与所述多个第一树脂层交替地堆叠的多个接合层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，反射性层合体还包括多个第二树脂层，每个第二树脂层布置在所述多个第一树脂层之一与所述多个接合层之一之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，反射性层合体包括具有预定高度的树脂材料体以及反射性树脂层，所述反射性树脂层涂布在树脂材料体上并且含反射性粉末。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，突出部分具有这样的结构，其中突出部分的下部的宽度小于突出部分的上部的宽度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，电极焊盘包括第一电极焊盘和第二电极焊盘，并且掩模的排放孔包括分别对应于第一电极焊盘和第二电极焊盘的第一排放孔和第二排放孔。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，掩模包括连接至第一排放孔和第二排放孔的接纳空间，接纳空间在向上的方向上敞开。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，掩模包括：
第一金属板，其包括第一孔；
至少一个第二金属板，其堆叠在第一金属板的区中并且包括连接至第一孔的第二孔；以及
第三金属板，其堆叠在第二金属板上并且包括连接至第二孔的第三孔，第二金属板和第三金属板限定了突出部分。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，按照将第一金属板、第二金属板和第三金属板的外表面的至少一部分焊接的方式使第一金属板、第二金属板和第三金属板彼此接合。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，第三孔比第一孔和第二孔更窄，第一孔和第二孔设为用于接纳焊膏的接纳空间，并且第三孔设为排放孔。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，第一孔比第二孔和第三孔更窄。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，第二金属板的厚度与第一金属板和第三金属板中的至少一个的厚度不同。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，第二金属板包括多个金属板。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，芯片安装区设为用于安装多个发光二极管芯片的区，并且电极焊盘包括用于安装所述多个发光二极管芯片的多个电极焊盘。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，反射性层合体包括位于多个芯片安装区之间的挡板结构，以提供所述多个芯片安装区。
16.一种制造发光二极管模块的方法，所述方法包括步骤：
制备电路板，所述电路板包括反射性层合体、芯片安装区和暴露于芯片安装区中的电极焊盘；
制备金属掩模，所述金属掩模包括带排放孔的突出部分；
将金属掩模布置为允许突出部分插入芯片安装区中；
在布置金属掩模的同时通过排放孔将焊膏分配至电极焊盘上；以及
利用焊膏将发光二极管芯片的电极接合至电极焊盘。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，反射性层合体含反射性粉末并且通过接合层接合至电路板。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，金属掩模的突出部分的高度等于或小于反射性层合体的高度。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，芯片安装区构造为允许多个发光二极管芯片在芯片安装区中安装在一行。
20.一种用于印刷焊料的金属掩模，该金属掩模包括：
包括第一孔的第一金属板；
至少一个第二金属板，其堆叠在第一金属板上并且包括连接至第一孔的第二孔；以及
第三金属板，其堆叠在第二金属板上并且包括连接至第二孔的第三孔，
其中，第二金属板和第三金属板限定了第一金属板的表面上的突出部分。
21.根据权利要求20所述的用于印刷焊料的金属掩模，其中，第一金属板、第二金属板和第三金属板彼此接合，第一金属板、第二金属板和第三金属板的外表面的至少一部分焊接在一起。
22.根据权利要求20所述的用于印刷焊料的金属掩模，其中，第三孔比第一孔和第二孔中的每一个更窄，第一孔和第二孔限定了用于接纳焊膏的接纳空间，并且第三孔限定了用于排放焊膏的排放孔。
23.一种制造发光二极管模块的方法，所述方法包括步骤：
制备电路板，所述电路板在芯片安装区中具有至少一个电极焊盘；
在电路板上形成反射性层合体，以使得反射性层合体包围芯片安装区；
制备掩模，以使得掩模包括具有排放孔的突出部分；
将掩模在电路板上方对齐，以使得突出部分插入由反射性层合体包围的空间中；
通过排放孔将焊膏从掩模分配至电极焊盘上；以及
利用焊膏将发光二极管芯片的电极接合至电路板的电极焊盘。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，将掩模对齐的步骤包括将突出部分的排放孔与电路板的电极焊盘对齐。
25.根据权利要求23所述的方法，其中，将突出部分插入由反射性层合体包围的空间中的步骤包括：将突出部分布置为使得从突出部分的底部至电路板的顶部的距离小于反射性层合体的高度。
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