KR20110040035A - 발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법 - Google Patents

발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광다이오드 소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은, 제1 및 제2 전극이 형성된 제1 면과 이와 대향하는 제2 면을 구비하는 발광다이오드 칩과, 상기 발광다이오드 칩에서 상기 제1 및 제2 면의 사이에 위치한 면을 측면으로 정의할 때, 적어도 상기 발광다이오드 칩의 제1 면 및 측면을 덮도록 형성되며, 형광체를 구비하는 파장변환부 및 상기 제1 및 제2 전극과 각각 연결되어 상기 파장변환부의 외부로 노출되도록 형성되며, 도금층을 구비하는 제1 및 제2 전기연결부를 포함하는 발광다이오드 소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 발광 효율이 향상되며, 백색 발광 측면에서 균일한 제품 특성을 보일 수 있는 발광다이오드 소자를 얻을 수 있다. 나아가, 본 발명은 상기와 같은 발광다이오드 소자를 효율적으로 용이하게 제조 가능한 공정을 제공한다.
발광다이오드 소자, LED, 백색, 형광체

Description

발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법 {Light emitting diode divice, Light emitting appratus and Manufacturing method of light emitting diode divice}
본 발명은 발광다이오드 소자, 이를 구비한 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 발광다이오드 칩을 형광체 수지로 코팅된 구조를 가져 백색 발광이 가능한 발광다이오드 소자에 관한 것이다.
최근, 질화물계 반도체를 이용한 발광다이오드를 백색 광원으로 활용하여 이를 키패드, 백라이트, 신호등, 공항 활주로의 안내등, 조명등 등으로 다양한 분야에서 활용하고 있다. 이와 같이 발광다이오드 칩의 활용성이 다양해지면서 이를 패키징하는 기술의 중요성이 부각되고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광다이오드 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 종래의 발광다이오드 패키지(10)는 패키지 본체(12) 내부에 제1 및 제2 리드 프레임(13, 14)이 배치되며, 제1 리드 프레임(13) 상에 발광다이오드(11)가 실장된다. 발광다이오드(11)와 제1 및 제2 리드 프레임(13, 14)은 와 이어(W)에 의하여 전기적으로 연결된다. 패키지 본체(12)는 컵 형상을 가지며, 컵 내부에는 발광다이오드(11)와 와이어(W) 등을 보호하도록 수지부(15)가 형성된다. 이 경우, 백색광을 발광할 수 있도록 수지부(15) 내에는 발광다이오드(11)로부터 방출된 빛의 파장을 변환할 수 있는 형광 물질이 분산될 수 있다.
이러한 종래 방식의 발광다이오드 패키지(10)의 경우, 수지부(15)를 경화하는 과정에서 형광 물질은 상기 컵 내부의 바닥면으로 가라앉게 되며, 이렇게 바닥면으로 가라앉은 형광 물질은 파장 변환 기능을 수행할 수 없고 광 확산제 또는 고아 흡수제로 작용하게 되므로, 발광 효율을 저하시키는 문제가 있다.
또한, 수지부(15)를 경화하는 과정에서 형광 물질이 공간적으로 불균일하게 분포하게 되므로, 제품에 따라 발광 효율 및 색 온도가 큰 편차를 갖게되는 것도 문제로 지적할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 종래의 발광다이오드 패키지와 비교하여 발광 효율이 향상되며, 백색 발광 측면에서 균일한 제품 특성을 보일 수 있는 발광다이오드 소자를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 발광다이오드 소자를 효율적인 공정으로 용이하게 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면은,
제1 및 제2 전극이 형성된 제1 면과 이와 대향하는 제2 면을 구비하는 발광다이오드 칩과, 상기 발광다이오드 칩에서 상기 제1 및 제2 면의 사이에 위치한 면을 측면으로 정의할 때, 적어도 상기 발광다이오드 칩의 제1 면 및 측면을 덮도록 형성되며, 형광체를 구비하는 파장변환부 및 상기 제1 및 제2 전극과 각각 연결되어 상기 파장변환부의 외부로 노출되도록 형성되며, 도금층을 구비하는 제1 및 제2 전기연결부를 포함하는 발광다이오드 소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변화부에서, 상기 형광체는 상기 발광다이오드 칩의 제1 면을 덮는 영역에만 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부에서, 상기 형광체는 상기 발광다이오드 칩의 제1 면 및 측면을 덮는 영역 모두에 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부는 상기 발광다이오드 칩의 제2 면에는 형성되지 있지 않을 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부에서, 상기 발광다이오드 칩의 제1 면에 위치하여 상기 제1 및 제2 전극의 측면을 감싸는 영역에는 상기 형광체가 구비되지 않을 수 있다.
본 발명의 다른 측면은,
외부로부터 전원이 인가될 수 있도록 제1 및 제2 도전체를 구비하는 칩 실장부와, 상기 칩 실장부에 배치되며, 제1 및 제2 전극이 형성된 제1 면과 이와 대향하는 제2 면을 구비하는 발광다이오드 칩과, 상기 발광다이오드 칩에서 상기 제1 및 제2 면의 사이에 위치한 면을 측면으로 정의할 때, 적어도 상기 발광다이오드 칩의 제1 면 및 측면을 덮도록 형성되며, 형광체를 구비하는 파장변환부 및 상기 제1 및 제2 전극과 각각 연결되어 상기 파장변환부의 외부로 노출되도록 형성되며, 도금층을 구비하는 제1 및 제2 전기연결부를 구비하는 발광다이오드 소자 및 상기 제1 및 제2 전기연결부를 각각 상기 제1 및 제2 도전체에 연결하는 와이어를 포함하는 발광 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광다이오드 소자는 상기 제2 면이 상기 칩 실장부를 향하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 칩 실장부는 회로기판일 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면은,
수지 내에 형광체가 분산된 구조를 갖는 본체 및 상기 본체를 관통하는 도전성 비아를 구비하는 형광체 기판을 마련하는 단계와, 제1 및 제2 전극이 형성된 제1 면과 이와 대향하는 제2 면을 구비하는 발광다이오드 칩을 상기 제1 및 제2 전극이 상기 도전성 비아와 접속되도록 상기 형광체 기판 상에 배치하는 단계 및 상기 발광다이오드 칩에서 상기 제1 및 제2 면의 사이에 위치한 면을 측면으로 정의할 때, 적어도 상기 발광다이오드 칩의 측면을 봉지하도록 수지부를 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 소자 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 도전성 비아는 도금층을 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광다이오드 칩을 상기 형광체 기판 상에 배치하는 단계는 상기 제1 면이 상기 형광체 기판을 향하도록 실행될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광다이오드 칩을 상기 형광체 기판 상에 배치하는 단계 후에, 상기 제1 및 제2 전극에 의하여 형성된 상기 발광다이오드 칩 및 상기 형광체 기판 사이 영역에 언더필하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 언더필하는 단계에서 주입되는 언더필 수지는 형광체를 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 수지부는 형광체를 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 형광체 기판을 마련하는 단계는 캐리어 필 름에 오픈 영역을 갖는 패턴을 형성하는 단계와, 상기 오픈 영역에 도전성 비아를 형성하는 단계와, 상기 패턴을 제거하는 단계 및 상기 캐리어 필름 상의 상기 도전성 비아 주변에 형광체 수지를 형성하는 단계를 구비할 수 있다.
이 경우, 상기 수지부를 형성하는 단계 후에, 상기 캐리어 필름을 제거하여 상기 도전성 비아를 노출시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 발광 효율이 향상되며, 백색 발광 측면에서 균일한 제품 특성을 보일 수 있는 발광다이오드 소자를 얻을 수 있다. 나아가, 본 발명은 상기와 같은 발광다이오드 소자를 효율적으로 용이하게 제조 가능한 공정을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광다이오드 소자를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광다이오드 소자(100)는 발광다이오드 칩(101)과 그 표면을 덮도록 형성되며 발광다이오드 칩(101)으로부터 방출된 빛의 파장을 변환하는 파장변환부(102)를 갖추어 구성된다. 이를 위하여, 파장변환부(102)는 투명 수지부 내에 형광체(P)가 분산된 구조로 채용될 수 있다. 파장변환부(102)에 의하여 변환된 빛과 발광다이오드 칩(101)으로부터 방출된 빛이 혼합되어 발광다이오드 소자(100)는 백색 광을 방출할 수 있다. 발광다이오드 칩(101)은 n형 반도체층, 발광층 및 p형 반도체층이 적층된 구조일 수 있으며, 일면에는 제1 및 제2 전극(103a, 103b)이 형성되어 있다.
도 2에 도시된 것과 같이, 파장변환부(102)는 발광다이오드 칩(101)에서 제1 및 제2 전극(103a, 103b)이 형성된 면을 제1 면이라 하고, 이에 대향하는 면을 제2 면이라 하며, 상기 제1 및 제2 면의 사이에 위치한 면을 측면으로 정의할 때, 발광다이오드 칩(101)의 제1 면(전극 형성 면) 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 이는 발광다이오드 칩(101)의 빛이 도 2를 기준으로 상부 방향과 측 방향으로 방출되는 것을 의도한 것이다. 본 실시 형태의 경우, 파장변환부(102)가 발광다이오드 칩(101)의 표면을 따라 얇게 코팅되는 형상으로 제공되며, 패키지 본체의 컵 내부에 형광체를 주입하는 종래 방식과 비교하여 전체적으로 균일한 빛을 얻을 수 있다. 또한, 발광다이오드 칩(101)의 표면에 바로 파장변환부(102)를 적용하며 패키지 본체를 따로 구비하지 않는 점에서 소자의 사이즈를 줄일 수 있다.
발광다이오드 칩(101)의 전기 연결을 위한 구조로서, 본 실시 형태에서는 리드 프레임 대신 도금층을 구비하는 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)를 사용하였다. 구체적으로, 제1 및 제2 전극(103a, 103b)과 접속되도록 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)가 형성되며, 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)는 각각 도금층을 구비한다. 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)는 파장변환부(102)를 통하여 외부로 노출되며 와이어 본딩 등을 위한 영역으로 제공된다. 이와 같이, 발광다이오드 소자(100)는 종래의 통상적인 패키지에 비하여 간소화된 구조를 가지며, COB (Chip On Board)나 패키지 형태 등의 발광장치에서 다양하게 이용될 수 있다.
도 3은 도 2의 발광다이오드 소자를 사용한 발광장치를 나타내는 개략적인 단면도이다. 도 3의 발광장치는 기판(105) 상에 앞서 설명한 구조의 발광다이오드 소자가 실장되어 구현될 수 있다. 이 경우, 도 3에서는 발광다이오드 소자를 나타내는 도면 번호는 기재를 생략하였다. 기판(105)은 절연 기재 상에 회로 패턴이 형성된 회로 기판을 사용할 수 있으며, 발광다이오드 소자와 상기 회로 패턴을 연결하도록 와이어(W)가 형성된다. 앞서 설명한 바와 같이, 발광다이오드 소자는 상기 제1 면 및 측면을 통하여 빛이 방출되는 점에서, 발광다이오드 소자의 실장 방향은 발광다이오드 칩의 제2 면이 기판(105)을 향하는 방향이 된다. 기판(105)에 발광다이오드 소자가 실장되는 방식 외에 따로 도시하지는 아니하였으나, 발광다이오드 소자는 리드 프레임 위에 실장되어 통상적인 패키지에 이용될 수 있다. 이렇게 발 광다이오드 소자를 패키징하여 사용할 경우 패키지 본체의 컵에 형광체를 따로 주입할 필요가 없으며 전체적인 광 방출 방향에 대하여 균일한 색 온도를 얻을 수 있다.
이하, 상기와 같은 구조를 갖는 발광다이오드 소자를 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 설명한다. 도 4 내지 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광다이오드 소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
우선, 발광다이오드 소자의 파장변환부를 이룰 부분과 제1 및 제2 전기연결부를 미리 형성하는 과정으로서, 형광체 기판을 마련한다. 여기서, 형광체 기판은 절연성 본체가 수지 내에 형광체가 분산된 구조를 가지며, 상기 본체를 관통하는 도전성 비아를 구비하는 기판을 의미한다. 도 4(a) 내지 4(c)는 형광체 기판을 제조하는 과정을 나타낸다. 우선, 도 4(a)에 도시된 것과 같이, 캐리어 필름(201) 상에 도금층을 구비하는 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)를 형성한다. 이를 위하여, 도시하지는 않았으나, 캐리어 필름(201) 상에 시드층을 형성하고 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)의 형상에 맞도록 오픈 영역을 갖는 패턴을 형성하는 선행 공정이 요구될 수 있다. 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)는 후속 공정에 의하여 형광체 기판의 도전성 비아로 활용될 수 있다.
다음으로, 도 4(b)에 도시된 것과 같이, 캐리어 필름(201) 상에 형광체를 함유하는 수지를 형성하며, 이는 형광체 기판에서 절연성 본체(102)에 해당한다. 또 한, 앞선 설명에서와 같이, 형광체 수지는 경화되어 발광다이오드 소자에서 파장변환부(102)가 되므로, 절연성 본체와 파장변환부는 실질적으로 동일한 요소로 취급될 수 있다.(이하, 혼용하여 사용) 형광체 수지는 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b) 주변에 형성되며, 만약, 도 4(b)에 도시된 것과 같이 형광체 수지가 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)를 덮도록 형성된 경우에는 도 4(c)와 같이 형광체 수지를 그라인딩 등의 방법으로 일부 제거하여 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)를 외부로 노출하는 공정이 필요할 수 있다. 이 경우, 도 4(c)에 도시된 형광체 수지 제거 공정은 발광다이오드 소자로부터 방출되는 빛의 색좌표를 정밀하게 제어하는 수단으로도 이용될 수 있을 것이다. 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)의 노출된 영역은 최종 발광다이오드 소자에서 와이어 본딩 영역으로 제공될 수 있다.
도 4(a) 내지 4(c)에서 설명한 형광체 기판 제조 공정은 절연성 본체를 형광체 수지로 형성하였다는 것 외에는 통상적인 인쇄회로기판 제조 공정과 유사하므로, 용이하게 형광체 기판을 얻을 수 있다. 또한, 상술한 방법으로 형성된 형광체 기판에서 본체는 파장변환부(102)를 이루며, 미리 측정된 발광다이오드 칩의 파장이나 광속 등을 기준으로 그 두께나 형광체의 함량 등이 적절히 조절될 수 있다. 이에 따라, 다양한 특성을 갖는 발광다이오드 칩에 따라 이에 맞는 파장변환부를 적용할 수 있으므로, 최종 제조된 발광다이오드 소자에서는 색좌표의 산포를 최소화될 수 있다.
다음 과정으로, 도 5에 도시된 것과 같이, 형광체 기판 위에 발광다이오드 칩(101)을 배치한다. 구체적으로, 발광다이오드 칩(101)의 일면에 형성된 제1 및 제2 전극(103a, 103b)이 형광체 기판에서 노출된 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)와 접속시킨다. 이를 위하여, 도시하지는 않았으나, 제1 및 제2 전극(103a, 103b)과 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b) 사이에 프린팅된 솔더, 솔더 볼, 범프 등을 형성할 수 있다.
다음 과정으로, 도 6(a)에 도시된 것과 같이, 발광다이오드 칩(101)과 형광체 기판 사이의 공간을 언더필하여 언더필 수지부(106)를 형성한다. 언더필 수지부(106)는 발광다이오드 소자에서 파장변환부를 이룰 수 있으며, 형광체 기판의 본체와 같이 투명 수지에 형광체가 분산된 구조일 수 있다. 또한, 이와 달리, 도 6(b)와 같이, 형광체를 제외하고 투명 수지만으로 언더필 수지부(106`)를 형성할 수도 있다. 다만, 여기서 설명한 언더필 공정은 본 발명에서 반드시 요구되는 것은 아니며, 발광다이오드 칩(101)과 형광체 기판 사이의 공간은 수지부를 형성하는 후속 공정에 의하여 채워질 수도 있을 것이다.
이어서, 도 7(a)에 도시된 것과 같이, 발광다이오드 칩(101)에서 측면을 봉지하도록 수지부(107)를 형성한다. 형광체 기판의 본체, 즉, 파장변환부(102)와 언더필 수지부(106)와 같이 수지부(107)는 투명 수지 내에 형광체가 분산된 구조일 수 있다. 다만, 발광다이오드 칩(101)의 측면으로 방출되는 빛은 제1 면으로 방출 되는 빛에 비해 강도가 낮은 것을 고려하였을 때, 도 7(b)와 같이, 형광체를 제외하고 투명 수지만으로 수지부(107`)를 형성할 수도 있다.
이어서, 도 8에 도시된 것과 같이, 캐리어 필름(201)을 제거하여 제1 및 제2 전기연결부(104a, 104b)를 노출시킨다. 한편, 도 8에서는, 상술한 바와 같이, 형광체 기판의 본체와 언더필 수지부(106) 및 수지부(107)는 모두 동일한 구성을 갖는 것으로 볼 수 있으므로, 이들이 하나의 파장변환부(102)를 형성하는 것으로 표현하였다. 다음으로, 도 9에 도시된 것과 같이, 복수의 발광다이오드 소자(100)끼리 연결되어있는 파장변환부(102)를 다이싱하여 각각의 발광다이오드 소자(100) 단위로 분리한다. 발광다이오드 소자(100)를 하나씩 제조하는 경우에는 본 공정은 필요하지 않지만, 형광체 기판에 다수의 발광다이오드 칩(101)을 실장하여 다수의 발광다이오드 소자(100)를 용이하게 제조할 수 있다.
도 10 및 도 11은 각각 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광다이오드 소자를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 우선, 도 10을 참조하면, 발광다이오드 소자(300)는 이전 실시 형태와 같이, 제1 및 제2 전극(303a, 303b)을 갖는 발광다이오드 칩(301), 파장변환부(302), 제1 및 제2 전기연결부(304a, 304b)를 갖추어 구성된다. 도 2에 도시된 구조와 다른 점은 발광다이오드 칩(301)의 측면에 형성된 수지부(307)는 형광체가 제외된 투명 수지로 이루어져 있다는 것이다. 이러한 구조의 발광다이오드 소자(300)는 도 7(b)의 공정을 사용할 경우 얻어질 수 있다.
다음으로, 도 11에 도시된 발광다이오드 소자(400)는 이전 실시 형태와 같이, 제1 및 제2 전극(403a, 403b)을 갖는 발광다이오드 칩(401), 파장변환부(402), 제1 및 제2 전기연결부(404a, 404b)를 갖추어 구성된다. 도 2에 도시된 구조와 다른 점은 발광다이오드 칩(401)의 제1 면에 위치하여 제1 및 제2 전극(403a, 403b)의 측면을 감싸는 영역에 형성된 언더필 수지부(406)는 형광체가 제외된 투명 수지로 이루어져 있다는 것이다. 이러한 구조의 발광다이오드 소자(400)는 도 6(b)의 공정을 사용할 경우 얻어질 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광다이오드 패키지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광다이오드 소자를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2의 발광다이오드 소자를 사용한 발광장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4 내지 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광다이오드 소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도 10 및 도 11은 각각 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광다이오드 소자를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101: 발광다이오드 칩 102: 파장변환부
103a, 103b: 제1 및 제2 전극 104a, 104b: 제1 및 제2 전기연결부
105: 기판 106: 언더필 수지부
107: 수지부 201: 캐리어 필름

Claims (16)

  1. 제1 및 제2 전극이 형성된 제1 면과 이와 대향하는 제2 면을 구비하는 발광다이오드 칩;
    상기 발광다이오드 칩에서 상기 제1 및 제2 면의 사이에 위치한 면을 측면으로 정의할 때, 적어도 상기 발광다이오드 칩의 제1 면 및 측면을 덮도록 형성되며, 형광체를 구비하는 파장변환부; 및
    상기 제1 및 제2 전극과 각각 연결되어 상기 파장변환부의 외부로 노출되도록 형성되며, 도금층을 구비하는 제1 및 제2 전기연결부;
    를 포함하는 발광다이오드 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 파장변화부에서, 상기 형광체는 상기 발광다이오드 칩의 제1 면을 덮는 영역에만 구비된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환부에서, 상기 형광체는 상기 발광다이오드 칩의 제1 면 및 측면을 덮는 영역 모두에 구비된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환부는 상기 발광다이오드 칩의 제2 면에는 형성되지 있지 않은 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환부에서, 상기 발광다이오드 칩의 제1 면에 위치하여 상기 제1 및 제2 전극의 측면을 감싸는 영역에는 상기 형광체가 구비되지 않는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자.
  6. 외부로부터 전원이 인가될 수 있도록 제1 및 제2 도전체를 구비하는 칩 실장부;
    상기 칩 실장부에 배치되며, 제1 및 제2 전극이 형성된 제1 면과 이와 대향하는 제2 면을 구비하는 발광다이오드 칩과, 상기 발광다이오드 칩에서 상기 제1 및 제2 면의 사이에 위치한 면을 측면으로 정의할 때, 적어도 상기 발광다이오드 칩의 제1 면 및 측면을 덮도록 형성되며, 형광체를 구비하는 파장변환부 및 상기 제1 및 제2 전극과 각각 연결되어 상기 파장변환부의 외부로 노출되도록 형성되며, 도금층을 구비하는 제1 및 제2 전기연결부를 구비하는 발광다이오드 소자; 및
    상기 제1 및 제2 전기연결부를 각각 상기 제1 및 제2 도전체에 연결하는 와이어;
    를 포함하는 발광 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 발광다이오드 소자는 상기 제2 면이 상기 칩 실장부를 향하도록 배치된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 칩 실장부는 회로기판인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  9. 수지 내에 형광체가 분산된 구조를 갖는 본체 및 상기 본체를 관통하는 도전성 비아를 구비하는 형광체 기판을 마련하는 단계;
    제1 및 제2 전극이 형성된 제1 면과 이와 대향하는 제2 면을 구비하는 발광다이오드 칩을 상기 제1 및 제2 전극이 상기 도전성 비아와 접속되도록 상기 형광체 기판 상에 배치하는 단계; 및
    상기 발광다이오드 칩에서 상기 제1 및 제2 면의 사이에 위치한 면을 측면으로 정의할 때, 적어도 상기 발광다이오드 칩의 측면을 봉지하도록 수지부를 형성하는 단계;
    를 포함하는 발광다이오드 소자 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 도전성 비아는 도금층을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩을 상기 형광체 기판 상에 배치하는 단계는 상기 제1 면이 상기 형광체 기판을 향하도록 실행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩을 상기 형광체 기판 상에 배치하는 단계 후에, 상기 제1 및 제2 전극에 의하여 형성된 상기 발광다이오드 칩 및 상기 형광체 기판 사이 영역에 언더필하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 언더필하는 단계에서 주입되는 언더필 수지는 형광체를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 수지부는 형광체를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 형광체 기판을 마련하는 단계는 캐리어 필름에 오픈 영역을 갖는 패턴을 형성하는 단계와, 상기 오픈 영역에 도전성 비아를 형성하는 단계와, 상기 패턴을 제거하는 단계 및 상기 캐리어 필름 상의 상기 도전성 비아 주변에 형광체 수지를 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 수지부를 형성하는 단계 후에, 상기 캐리어 필름을 제거하여 상기 도전성 비아를 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법.
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