JPWO2014024627A1 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置および発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2014024627A1 JPWO2014024627A1 JP2014529397A JP2014529397A JPWO2014024627A1 JP WO2014024627 A1 JPWO2014024627 A1 JP WO2014024627A1 JP 2014529397 A JP2014529397 A JP 2014529397A JP 2014529397 A JP2014529397 A JP 2014529397A JP WO2014024627 A1 JPWO2014024627 A1 JP WO2014024627A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting device
- layer
- alignment mark
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 91
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 91
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 71
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 60
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 2
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
- H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/708—Mark formation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09918—Optically detected marks used for aligning tool relative to the PCB, e.g. for mounting of components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09936—Marks, inscriptions, etc. for information
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
(A) アライメントマークの配置の自由度が減る。
(B) アライメントマークを光反射樹脂枠で覆う場合に、当該樹脂枠の幅が広くなり、発光装置の面積が大きくなる。
(C) アライメントマークを分離して、小さいアライメントマークを形成しようとする場合には、エッチングなどの新たな工程が必要となる。
(D) アライメントマークを配線パターンと一体的に形成する場合、アライメントマークが配線パターンの外側に形成され、アライメントマークが外側を向く。
図1は、本実施の形態に係る発光装置10の一構成例を示す上面図である。発光装置10は、発光素子(半導体発光素子とも言う)を用いた発光装置であり、概略的には、基板11、発光素子12、光反射樹脂枠13および封止樹脂を備えている。
次に、上記構成を有する発光装置10の製造方法について説明する。なお、発光装置10は、複数の発光装置群からなる一体ものとして形成され、製造工程の最後に個々の発光装置の周囲(四方)がダイシングにて分割されることで、個々の発光装置として形成される。但し、以下の説明では、説明の便宜上、適宜ある1つの発光装置に着目して説明および図示する。
図2(a)〜(d)は、発光装置10の製造手順を示す図である。
続いて、図2(c)に示すように、発光素子12を基板11に実装する。具体的には、まず、発光素子12を、例えばシリコーン樹脂などの接着樹脂を用いてダイボンディングする。本実施の形態では、発光素子12は、導電体配線14で囲まれる領域に20個配置される。
続いて、図2(d)に示すように、光反射樹脂枠13を、導電体配線14を覆うように形成する。具体的には、例えば樹脂吐出装置(図示せず)を用いて、液状のアルミナフィラー含有シリコーン樹脂を、丸形状の開口部を持つノズルから吐出しながら、所定の位置に描画する。そして、硬化温度:120℃、硬化時間:1時間の条件で加熱硬化処理を施すことにより、光反射樹脂枠13を形成する。なお、硬化温度および硬化時間は一例であり、これに限定されない。
続いて、封止樹脂を基板11上に形成する。具体的には、液状の透光性樹脂に蛍光体を分散させたものである蛍光体含有樹脂を、光反射樹脂枠13により囲まれた領域を満たすよう注入する。蛍光体含有樹脂を注入した後は、所定の温度および時間で硬化させる。これによって、発光素子12およびワイヤ20が封止樹脂によって覆われて保護される。
最後に、複数の発光装置10が作りこまれた一枚の基板から、これを分割ラインに沿って分割し、個々の発光装置10を得る。分割方法としては、分割ラインに沿って基板11の裏面に設けられた分割溝の上方を、表面側から分割ブレードにより剪断する方法がある。この方法によれば、基板11は分割溝に沿って割れるので、容易に分割することができる。分割することにより、個片化された発光装置10を作製し得る。
図1に示す発光装置10では、アライメントマーク18を導電体配線14の内側に形成した例を示したが、図3に示す発光装置30のように、アライメントマーク18を導電体配線14の外側に形成しても良い。尚、アライメントマーク18を導電体配線14の外側に形成する場合には、アライメントマーク18は光反射樹脂枠13によって覆われない方が良い場合もある。これは、アライメントマーク18が導電体配線14の外側に離れて形成される場合には、アライメントマーク18を光反射樹脂枠13によって覆おうとすると、光反射樹脂枠13の幅が広くなりすぎるためである。また、アライメントマーク18を導電体配線14の外側にある場合は、光反射樹脂枠13によって覆わなくてもアライメントマーク18による光の吸収が生じず、光反射樹脂枠13によって覆う必要がないためでもある。
11 基板
12 発光素子
13 光反射樹脂枠
14 導電体配線
15 アノード電極
16 カソード電極
18 アライメントマーク
19 極性マーク
Claims (15)
- 基板と、
前記基板上に配置された発光素子と、
前記基板上に配置された導電体配線と、
前記基板上に配置されたアライメントマークとを備えており、
前記アライメントマークと前記導電体配線とが印刷法により形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記発光素子の搭載領域を囲むように形成された光反射樹脂枠を備えており、
前記アライメントマークと前記導電体配線とが前記光反射樹脂枠に覆われていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記発光素子の搭載領域を囲むように形成された光反射樹脂枠を備えており、
前記アライメントマークは、前記導電体配線の外側に配置され、
前記前記導電体配線が前記光反射樹脂枠に覆われており、前記アライメントマークは前記光反射樹脂枠に覆われていないことを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記発光素子の搭載領域を囲むように形成された光反射樹脂枠と、
前記光反射樹脂枠の中心に対して対向して配置された一対のランド部とを備えており、
前記ランド部は前記光反射樹脂枠で覆われていないことを特徴とする発光装置。 - 請求項1から4の何れか一項に記載の発光装置であって、
前記基板は、ガラス成分を含むセラミック基板であり、
前記導電体配線および前記アライメントマークは、前記基板に含有されるガラス成分と同一のガラス成分を含んでいることを特徴とする発光装置。 - 請求項5に記載の発光装置であって、
前記導電体配線および前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項5に記載の発光装置であって、
前記導電体配線は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有し、
前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層のみの単層構造を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項5に記載の発光装置であって、
前記発光素子に電源を供給するためのランド部は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有することを特徴とする発光装置。 - 基板上に、導電体配線とアライメントマークとを印刷法によって形成する第1工程と、
前記第1工程にて形成されたアライメントマークを用いて前記基板の位置合わせを行いながら、前記基板上に発光素子を搭載し、搭載された前記発光素子と前記導電体配線とをワイヤ接続する第2工程と、
前記発光素子の搭載領域を囲むように光反射樹脂枠を形成する第3工程と、
前記光反射樹脂枠により囲まれた領域に封止樹脂を充填する第4工程とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項9に記載の発光装置の製造方法であって、
前記光反射樹脂枠は、前記アライメントマークと前記導電体配線とを覆うように形成されることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項9に記載の発光装置の製造方法であって、
前記アライメントマークは、前記導電体配線の外側に配置され、
前記光反射樹脂枠は、前記導電体配線を覆い、前記アライメントマークを覆わないように形成されることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項9から11の何れか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
前記基板は、ガラス成分を含むセラミック基板であり、
前記導電体配線および前記アライメントマークは、前記基板に含有されるガラス成分と同一のガラス成分を含んでいることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項12に記載の発光装置の製造方法であって、
前記導電体配線および前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項12に記載の発光装置の製造方法であって、
前記導電体配線は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有し、
前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層のみの単層構造を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項12に記載の発光装置の製造方法であって、
前記発光素子に電源を供給するためのランド部は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012174009 | 2012-08-06 | ||
JP2012174009 | 2012-08-06 | ||
PCT/JP2013/068966 WO2014024627A1 (ja) | 2012-08-06 | 2013-07-11 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016058468A Division JP6198874B2 (ja) | 2012-08-06 | 2016-03-23 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014024627A1 true JPWO2014024627A1 (ja) | 2016-07-25 |
Family
ID=50067866
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014529397A Pending JPWO2014024627A1 (ja) | 2012-08-06 | 2013-07-11 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2016058468A Expired - Fee Related JP6198874B2 (ja) | 2012-08-06 | 2016-03-23 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016058468A Expired - Fee Related JP6198874B2 (ja) | 2012-08-06 | 2016-03-23 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9484309B2 (ja) |
EP (1) | EP2882000A4 (ja) |
JP (2) | JPWO2014024627A1 (ja) |
CN (1) | CN104521014B (ja) |
TW (2) | TWI583032B (ja) |
WO (1) | WO2014024627A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6336787B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2018-06-06 | シチズン電子株式会社 | 光源ユニット |
CN106206669B (zh) * | 2016-08-31 | 2018-12-07 | 昆山维信诺科技有限公司 | 用于异形oled产品的布线方法以及异形oled产品 |
JP2018121038A (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 実装基板、発光装置、及び、照明装置 |
JP2019016728A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、照明装置、及び、実装基板 |
JP7116330B2 (ja) * | 2020-01-31 | 2022-08-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN112904682B (zh) * | 2021-01-22 | 2023-08-01 | 西华大学 | 一种测量倾角和旋转角的光刻对准标记及对准方法 |
TWI799272B (zh) * | 2022-03-01 | 2023-04-11 | 南亞科技股份有限公司 | 具有疊置標記結構之半導體元件結構的製備方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5617386A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Panel display device |
JP2004207655A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属ベース基板および発光ユニット |
JP2010205920A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Sharp Corp | 発光装置、発光装置ユニット、および発光装置製造方法 |
WO2011002208A2 (ko) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
JP2012015329A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 回路板 |
JP2012079855A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sharp Corp | 発光装置及びこれを備えた照明装置 |
WO2012057038A1 (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | 東芝ライテック株式会社 | 発光モジュール、および照明器具 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3903344A (en) * | 1974-02-26 | 1975-09-02 | Rca Corp | Adherent solderable cermet conductor |
JP3287285B2 (ja) | 1997-10-24 | 2002-06-04 | 住友金属工業株式会社 | ガラスセラミックス配線基板の製造方法 |
JP2002050847A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-15 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 電子部品実装用ホルダ |
DE60308078T2 (de) | 2002-03-28 | 2007-03-01 | Brp-Rotax Gmbh & Co. Kg | Getriebe mit einfacher Schaltung |
US6890050B2 (en) * | 2002-08-20 | 2005-05-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method for the printing of homogeneous electronic material with a multi-ejector print head |
JP4569571B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2010-10-27 | 株式会社村田製作所 | Lc複合部品 |
JP2006313321A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-11-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 発光ユニット、該発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置 |
US7388296B2 (en) * | 2005-06-09 | 2008-06-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring substrate and bonding pad composition |
KR101241650B1 (ko) * | 2005-10-19 | 2013-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 엘이디 패키지 |
JP2007273914A (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kyocera Corp | 配線基板および配線基板の製造方法 |
JP2008140889A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Fujitsu Ltd | 有極部品のプリント基板への誤挿入検出構造および誤挿入検出方法 |
US8049237B2 (en) * | 2007-12-28 | 2011-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP5345363B2 (ja) | 2008-06-24 | 2013-11-20 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP5623062B2 (ja) * | 2009-11-13 | 2014-11-12 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP5768435B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2015-08-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2012004519A (ja) | 2010-05-17 | 2012-01-05 | Sharp Corp | 発光装置および照明装置 |
JP5459104B2 (ja) | 2010-06-28 | 2014-04-02 | 東芝ライテック株式会社 | 発光モジュール及びこれを備えた照明器具 |
US8608340B2 (en) | 2010-06-28 | 2013-12-17 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting module and lighting apparatus with the same |
-
2013
- 2013-07-11 WO PCT/JP2013/068966 patent/WO2014024627A1/ja active Application Filing
- 2013-07-11 JP JP2014529397A patent/JPWO2014024627A1/ja active Pending
- 2013-07-11 US US14/419,841 patent/US9484309B2/en active Active
- 2013-07-11 EP EP13828024.3A patent/EP2882000A4/en not_active Withdrawn
- 2013-07-11 CN CN201380041242.9A patent/CN104521014B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-24 TW TW104144589A patent/TWI583032B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-07-24 TW TW102126524A patent/TWI523280B/zh not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-03-23 JP JP2016058468A patent/JP6198874B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-09-21 US US15/271,762 patent/US10224469B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5617386A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Panel display device |
JP2004207655A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属ベース基板および発光ユニット |
JP2010205920A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Sharp Corp | 発光装置、発光装置ユニット、および発光装置製造方法 |
WO2011002208A2 (ko) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
JP2012015329A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 回路板 |
JP2012079855A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sharp Corp | 発光装置及びこれを備えた照明装置 |
WO2012057038A1 (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | 東芝ライテック株式会社 | 発光モジュール、および照明器具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150171294A1 (en) | 2015-06-18 |
WO2014024627A1 (ja) | 2014-02-13 |
CN104521014A (zh) | 2015-04-15 |
TWI523280B (zh) | 2016-02-21 |
JP2016106441A (ja) | 2016-06-16 |
US9484309B2 (en) | 2016-11-01 |
EP2882000A1 (en) | 2015-06-10 |
EP2882000A4 (en) | 2016-03-16 |
TW201409782A (zh) | 2014-03-01 |
CN104521014B (zh) | 2018-06-22 |
TWI583032B (zh) | 2017-05-11 |
US10224469B2 (en) | 2019-03-05 |
TW201614876A (en) | 2016-04-16 |
JP6198874B2 (ja) | 2017-09-20 |
US20170012189A1 (en) | 2017-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6198874B2 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
JP5481277B2 (ja) | 発光装置 | |
US9735133B2 (en) | Light-emitting device and lighting device provided with the same | |
TWI513063B (zh) | 發光裝置及發光裝置之製造方法 | |
JP2011014695A (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
US20150192281A1 (en) | Light emission device, and illumination device | |
CN107148684A (zh) | 发光装置 | |
JP2012142428A (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
CN110611024B (zh) | 发光模块及发光模块的制造方法 | |
JP6104946B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP5573602B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5406691B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP6110896B2 (ja) | 発光装置及びこれを備えた照明装置 | |
JP6092136B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5843900B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2014187392A (ja) | 発光装置及びこれを備えた照明装置 | |
JP5865929B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150114 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151002 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160105 |